JPS61107303A - 色分解用光学フイルタの形成方法 - Google Patents
色分解用光学フイルタの形成方法Info
- Publication number
- JPS61107303A JPS61107303A JP59228002A JP22800284A JPS61107303A JP S61107303 A JPS61107303 A JP S61107303A JP 59228002 A JP59228002 A JP 59228002A JP 22800284 A JP22800284 A JP 22800284A JP S61107303 A JPS61107303 A JP S61107303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metal
- thin film
- forming
- multilayer interference
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、無機質の材料を用いた光学フィルタの形成法
に関し、さらに詳しくは、単管もしくは二管の撮像管を
用(・てカラーテレビジョン信号を得る場合の簡易型撮
像管、あるいはCCD方式。
に関し、さらに詳しくは、単管もしくは二管の撮像管を
用(・てカラーテレビジョン信号を得る場合の簡易型撮
像管、あるいはCCD方式。
MO8方式等に用いられる単板もしくは二板方式のカラ
ー固体撮像素子さらにカラーファクシミリ用センサ、フ
ルカラー液晶表示装置、フルカラーEL表示装置、アモ
ルファスカラーセンサの色分解用光学フィルタの形成方
法に関する。
ー固体撮像素子さらにカラーファクシミリ用センサ、フ
ルカラー液晶表示装置、フルカラーEL表示装置、アモ
ルファスカラーセンサの色分解用光学フィルタの形成方
法に関する。
簡易型カラー撮像管あるいはCCD方式、 MO8方式
等に用いられるカラー固体撮像素子の色分解用光学フィ
ルタとして、無機質の高屈折率誘電体物質と低屈折率誘
電体物質の交互層を主体とする多層干渉薄膜、あるいは
半導体の光の吸収特性を利用した反射または吸収型の色
分離機能を有する無機質の薄膜があげられる。これらの
無機質の色分解用光学フィルタは、有機染色フィルタに
比べて耐熱性、耐光性、耐薬品性、耐洗浄性等の物性に
優れる利点があるが、一方、製造工程が繁雑でありコス
ト高になるという欠点がある。
等に用いられるカラー固体撮像素子の色分解用光学フィ
ルタとして、無機質の高屈折率誘電体物質と低屈折率誘
電体物質の交互層を主体とする多層干渉薄膜、あるいは
半導体の光の吸収特性を利用した反射または吸収型の色
分離機能を有する無機質の薄膜があげられる。これらの
無機質の色分解用光学フィルタは、有機染色フィルタに
比べて耐熱性、耐光性、耐薬品性、耐洗浄性等の物性に
優れる利点があるが、一方、製造工程が繁雑でありコス
ト高になるという欠点がある。
(・ま、多層干渉薄膜よりなるダイクロイックフィルタ
(1)ichroic Filter )を例にとって
説明すると、ダイクロイックフィルタは、低屈折率誘電
体物質と高屈折率誘電体物質とを交互に所定の設計膜厚
(通常は、Hz、HLHL−−−−−H構成の場合、光
学膜厚を2.5λ/4,2λ/4,2λ/4゜λ/4.
λ/4−−−−− o、sλ/4 とする。ここでH
は高屈折率誘電体層、Lは低屈折率誘電体層、λはモニ
タ波長である)ずつ6〜20層というような多層蒸着を
行ない、リフトオフ法およびウェットあるいはドライエ
ツチング法によって所定形状のパターニングを行なって
色要素を形成する。そしてこの色要素を形成するパター
ニングの方法として、一般に寸法精度の良いパターンを
与えるドライエツチング法が採用されている。
(1)ichroic Filter )を例にとって
説明すると、ダイクロイックフィルタは、低屈折率誘電
体物質と高屈折率誘電体物質とを交互に所定の設計膜厚
(通常は、Hz、HLHL−−−−−H構成の場合、光
学膜厚を2.5λ/4,2λ/4,2λ/4゜λ/4.
λ/4−−−−− o、sλ/4 とする。ここでH
は高屈折率誘電体層、Lは低屈折率誘電体層、λはモニ
タ波長である)ずつ6〜20層というような多層蒸着を
行ない、リフトオフ法およびウェットあるいはドライエ
ツチング法によって所定形状のパターニングを行なって
色要素を形成する。そしてこの色要素を形成するパター
ニングの方法として、一般に寸法精度の良いパターンを
与えるドライエツチング法が採用されている。
通常、プラズマエツチング、スパッタエツチングあるい
はイオンビームエツチング等のドライエツチング法によ
って、多層干渉薄膜等の無機質薄膜を所定のパターン形
状にエツチングする場合に。
はイオンビームエツチング等のドライエツチング法によ
って、多層干渉薄膜等の無機質薄膜を所定のパターン形
状にエツチングする場合に。
有機質のホトレジストあるいはホトレジストを用いてホ
、トリノ、グラフィ法によりエツチング加工した金属層
あるいは金属酸化物層をマスクとして用いうが、有機質
Ovシュ、層、)4アは耐ド、イエ i□;ッチング
性が低いために、その膜厚を大きくすることが必要であ
る。しかしそのために、パターンの解像度が低下し、ま
た膜厚を十分に太き(した場合においても、エツチング
の条件等によってはレジスト層の変質や焼損が生じパタ
ーンが崩れる等の問題が起り易く、そのために耐ドライ
エツチング性の優れた金属層または金属酸化物層をマス
クとして使用しパターニングする必要がある。
、トリノ、グラフィ法によりエツチング加工した金属層
あるいは金属酸化物層をマスクとして用いうが、有機質
Ovシュ、層、)4アは耐ド、イエ i□;ッチング
性が低いために、その膜厚を大きくすることが必要であ
る。しかしそのために、パターンの解像度が低下し、ま
た膜厚を十分に太き(した場合においても、エツチング
の条件等によってはレジスト層の変質や焼損が生じパタ
ーンが崩れる等の問題が起り易く、そのために耐ドライ
エツチング性の優れた金属層または金属酸化物層をマス
クとして使用しパターニングする必要がある。
一方で1色分解用光学フィルタには2通常、所定のパタ
ーン形状の光遮断層を設ける必要があり。
ーン形状の光遮断層を設ける必要があり。
これにはOr等の金属の単層またはOr等の金属層と酸
化クロム等の金属酸化物層とを積層にした薄膜を光遮断
層として用いていた。
化クロム等の金属酸化物層とを積層にした薄膜を光遮断
層として用いていた。
本発明の目的は、多層干渉薄膜等の無機質の薄膜によっ
て色分解用光学フィルタを作製する場合に、従来技術に
おいては、無機質の薄膜に所定のパターン形状の色要素
を形成するためのマスク層の成膜と、光遮断層の成膜と
を、それぞれ別工程で2工程によって形成していたのを
、光遮断層および多層干渉薄膜のマスキング層となる金
属または金属酸化物層を一工程によって成膜するだけで
。
て色分解用光学フィルタを作製する場合に、従来技術に
おいては、無機質の薄膜に所定のパターン形状の色要素
を形成するためのマスク層の成膜と、光遮断層の成膜と
を、それぞれ別工程で2工程によって形成していたのを
、光遮断層および多層干渉薄膜のマスキング層となる金
属または金属酸化物層を一工程によって成膜するだけで
。
容易に高性能な色分解用光学フィルタを形成することが
できる方法を提供するにある。
できる方法を提供するにある。
本発明は、所定パターンの光遮断層を有する色分解用光
学フィルタの作製において、多層干渉薄膜等の無機質の
薄膜に、所定パターンの色要素を形成するための耐ドラ
イエツチング性に優れた金属または金属酸化物よりなる
マスキング層を形成させ、それをさらに元始断層にも適
用することによって2色分解用光学フィルタの作製工程
の短縮をはかるものである。
学フィルタの作製において、多層干渉薄膜等の無機質の
薄膜に、所定パターンの色要素を形成するための耐ドラ
イエツチング性に優れた金属または金属酸化物よりなる
マスキング層を形成させ、それをさらに元始断層にも適
用することによって2色分解用光学フィルタの作製工程
の短縮をはかるものである。
そして本発明は、有機染色フィルタに比べて。
耐熱性、耐光性、耐薬品性、耐洗浄性などの物性に優れ
た多層干渉薄膜等よりなる無機質の薄膜を。
た多層干渉薄膜等よりなる無機質の薄膜を。
プラズマエツチング、スパッタエツチング、イオンビー
ムエツチング等のドライエツチング法によって1寸法精
度の高いパターニングを行ない、光学特性にすぐれた色
分解用光学フィルタを、rIR略化した工程で容易に、
かつ低コストで作製する方法である。
ムエツチング等のドライエツチング法によって1寸法精
度の高いパターニングを行ない、光学特性にすぐれた色
分解用光学フィルタを、rIR略化した工程で容易に、
かつ低コストで作製する方法である。
以下に1本発明による色分解用光学フィルタの形成法の
一例をあげ図面に基づいて説明する。第1図(a)〜(
i)は本発明による色分解用光学フィルタを形成するプ
ロセスの一例を示す説明図である。
一例をあげ図面に基づいて説明する。第1図(a)〜(
i)は本発明による色分解用光学フィルタを形成するプ
ロセスの一例を示す説明図である。
まず、第1図(a)に示すごとく、透明ガラス基板1上
に、高屈折率誘電体物質であるTiO2、0e02゜Z
r09. ZnS 、等と低屈折率誘電体物質であるS
1o□。
に、高屈折率誘電体物質であるTiO2、0e02゜Z
r09. ZnS 、等と低屈折率誘電体物質であるS
1o□。
0aF2. ’MgF2 、 PbF2 、 AlF
3’3NaF 、 ThF4等とを交互に積層して、
交互多層薄膜よりなるシアン光透過型の多層干渉薄膜2
を、真空蒸着法、スパッタリング法ある(・はイオンブ
レーティング法等によって形成した後、第1図(b)に
示すごとく9例えば金属Cr層3あるいは金属Cr、
Ni 、 Ta、 Al。
3’3NaF 、 ThF4等とを交互に積層して、
交互多層薄膜よりなるシアン光透過型の多層干渉薄膜2
を、真空蒸着法、スパッタリング法ある(・はイオンブ
レーティング法等によって形成した後、第1図(b)に
示すごとく9例えば金属Cr層3あるいは金属Cr、
Ni 、 Ta、 Al。
丁n、 Sb、 Ag、 Co、 W
、 Fe 、 Mo、 Ti 、
Zr またはGeからなる金属層、もしくはそれら
の金属の酸化物からなる金属酸化物層を、多層干渉薄膜
2の上に、ドライエツチングの際のマスキング層および
光の遮光層として上記の多層干渉薄膜2の成膜方法と同
じ方法によって積層する。この多層干渉薄膜2の上に積
層した金属層または金属酸化物層(以下単に金属Cr層
3と略称する)を、ホトレジストを用いてホトリソグラ
フィ法によって所定のパターン形状、すなわち1色分解
用光学フィルタとしてのストライプ形状またはモザイク
形状と。
、 Fe 、 Mo、 Ti 、
Zr またはGeからなる金属層、もしくはそれら
の金属の酸化物からなる金属酸化物層を、多層干渉薄膜
2の上に、ドライエツチングの際のマスキング層および
光の遮光層として上記の多層干渉薄膜2の成膜方法と同
じ方法によって積層する。この多層干渉薄膜2の上に積
層した金属層または金属酸化物層(以下単に金属Cr層
3と略称する)を、ホトレジストを用いてホトリソグラ
フィ法によって所定のパターン形状、すなわち1色分解
用光学フィルタとしてのストライプ形状またはモザイク
形状と。
光遮断層部分のパターン形状とを合わせた形状にホトレ
ジスト層4をパターニングする〔第1図(C)〕。
ジスト層4をパターニングする〔第1図(C)〕。
次に、第1図(d)に示すごとく、上記の所定のパター
ン形状にパターニングしたホトレジスト層4をマスクと
して金属Cr層3のエツチングを行なう。
ン形状にパターニングしたホトレジスト層4をマスクと
して金属Cr層3のエツチングを行なう。
この金属Cr層3のエツチング方法はウェットあるいは
ドライエツチング法のいずれでもかまわない。
ドライエツチング法のいずれでもかまわない。
金属Cr層3のエツチング加工をドライエツチング法に
よって行なう場合には、金属Cr層3のエッチ、ングと
多層干渉薄膜2のエツチングとを連続して行なうことも
できる。金属Cr層3のエツチングを行なった後1.金
属Cr層3を7スキング層として多層干渉薄膜2をCF
4 、 CHFa等の反応性ガスを用い □たドライ
−・チング法によ−て工7チングし1色 1:f。
よって行なう場合には、金属Cr層3のエッチ、ングと
多層干渉薄膜2のエツチングとを連続して行なうことも
できる。金属Cr層3のエツチングを行なった後1.金
属Cr層3を7スキング層として多層干渉薄膜2をCF
4 、 CHFa等の反応性ガスを用い □たドライ
−・チング法によ−て工7チングし1色 1:f。
分解用光学フィルタとしてのパターン形状と光遮断層部
分のパターン形状とを合わせた形状に加工する〔第1図
(e)〕。ここで、いったん金金属Cr層上に残るホト
レジスト層4を、レジスト剥離液またはプラズマ灰化処
理等により除去した後、改めてホトレジストを塗布し、
ホトリングラフィ法によって光遮断層のパターンに対応
するマスクを。
分のパターン形状とを合わせた形状に加工する〔第1図
(e)〕。ここで、いったん金金属Cr層上に残るホト
レジスト層4を、レジスト剥離液またはプラズマ灰化処
理等により除去した後、改めてホトレジストを塗布し、
ホトリングラフィ法によって光遮断層のパターンに対応
するマスクを。
精密に位置合わせして露光を行ない光遮断層部の上に所
定のパターン形状のレジスト層5を形成させる〔第1図
(f)〕。そして、光遮断層以外の部分の金属Cr層3
をエツチングして除去し〔第1図(g)]。
定のパターン形状のレジスト層5を形成させる〔第1図
(f)〕。そして、光遮断層以外の部分の金属Cr層3
をエツチングして除去し〔第1図(g)]。
さらに光遮断層上のレジスト層5を除去する〔第1図(
h)〕。この後、さらに、リフトオフ法等によるイエロ
ー光透過の多層干渉膜(イエロー光透過層6)、あるい
は染色フィルタによりパターニングを行な(・、第1図
(1)に示すごとき1本発明による色分解用光学フィル
タを得る。
h)〕。この後、さらに、リフトオフ法等によるイエロ
ー光透過の多層干渉膜(イエロー光透過層6)、あるい
は染色フィルタによりパターニングを行な(・、第1図
(1)に示すごとき1本発明による色分解用光学フィル
タを得る。
次に1本発明の一実施例をあげさらに詳細に説明する。
透明ガラス基板1上に、真空蒸着法によりTi09と5
1o2とを交互に16層積層し、シアン特性を有する多
層干渉薄膜2を形成した〔第1図(a)〕。この多層干
渉薄膜2上に金属Orをスパッタリング法てより金属C
r層3を成膜した〔第1図(b)〕。次に。
1o2とを交互に16層積層し、シアン特性を有する多
層干渉薄膜2を形成した〔第1図(a)〕。この多層干
渉薄膜2上に金属Orをスパッタリング法てより金属C
r層3を成膜した〔第1図(b)〕。次に。
手記の金属Or層/多層干渉薄膜/透明ガラス基板上に
1通常の手段を用いてホトレジスト層4を所定のパター
ン形状に製版マスキング後〔第1図(C) 〕。
1通常の手段を用いてホトレジスト層4を所定のパター
ン形状に製版マスキング後〔第1図(C) 〕。
金金属Cr層を硝酸セリウム系エツチング液によってエ
ツチングした〔第1図(d)〕。さらに上記基板のホト
レジスト層/金属Cr層をマスキング層として、 C
!F4ガスを用いてドライエツチングすることにより、
多層干渉薄膜2のパターニングを行なった〔第1図(e
)〕。次に、金属Or層3上のレジスト層4をレジスト
剥離液により除去した後、再びホトレジストを塗布し、
所定のパターン形状のマスクを介して露光、現像を行な
(・、光遮断層部にレジスト層5を形成させ〔第1図(
0〕、光遮断層部分外の部分の金属Cr層3をエツチン
グして除去した〔第1図(g)〕。次に、光遮断層上の
レジスト層5を除去して、光遮断性能を持つシアン特性
の多層干渉薄膜2のパターン(シアン光透過層)を形成
した〔第1図(h) )。さらに2重クロム酸塩により
感光性を付与したゼラチンを用(・て所定形状にパター
ニングした後、黄色染色液により着色し。
ツチングした〔第1図(d)〕。さらに上記基板のホト
レジスト層/金属Cr層をマスキング層として、 C
!F4ガスを用いてドライエツチングすることにより、
多層干渉薄膜2のパターニングを行なった〔第1図(e
)〕。次に、金属Or層3上のレジスト層4をレジスト
剥離液により除去した後、再びホトレジストを塗布し、
所定のパターン形状のマスクを介して露光、現像を行な
(・、光遮断層部にレジスト層5を形成させ〔第1図(
0〕、光遮断層部分外の部分の金属Cr層3をエツチン
グして除去した〔第1図(g)〕。次に、光遮断層上の
レジスト層5を除去して、光遮断性能を持つシアン特性
の多層干渉薄膜2のパターン(シアン光透過層)を形成
した〔第1図(h) )。さらに2重クロム酸塩により
感光性を付与したゼラチンを用(・て所定形状にパター
ニングした後、黄色染色液により着色し。
イエロー光透過層6を形成し〔第1図(i) 〕、最後
に透明保護層を塗布形成して、補色タイプの分光特性に
優れた色分解用光学フィルタを作製した。
に透明保護層を塗布形成して、補色タイプの分光特性に
優れた色分解用光学フィルタを作製した。
以上詳細に説明したごとく1本発明による所定パターン
の光遮断層を持つ色分解用光学フィルタの作製方法にお
(・ては、多層干渉薄膜等の無機質の薄膜をドライエツ
チングして色要素を形成するための金属または金属酸化
物よりなる耐ドライエツチング性に優れたマスキング層
を、そのまま光遮断層の形成に利用すφことができるの
で、従来のマスキング層の成膜と光遮断層の成膜とをそ
れぞれ別工程で行なっていたのと比較して2本発明法で
は一工程の成膜によって優れた光学特性を持つ色分解用
光学フィルタが形成でき、大幅な作製工程の簡略化をは
かることができ、低コスト化が可能である。また、有機
染色フィルタに比べて。
の光遮断層を持つ色分解用光学フィルタの作製方法にお
(・ては、多層干渉薄膜等の無機質の薄膜をドライエツ
チングして色要素を形成するための金属または金属酸化
物よりなる耐ドライエツチング性に優れたマスキング層
を、そのまま光遮断層の形成に利用すφことができるの
で、従来のマスキング層の成膜と光遮断層の成膜とをそ
れぞれ別工程で行なっていたのと比較して2本発明法で
は一工程の成膜によって優れた光学特性を持つ色分解用
光学フィルタが形成でき、大幅な作製工程の簡略化をは
かることができ、低コスト化が可能である。また、有機
染色フィルタに比べて。
耐熱性、耐光性などの物性に優れた多層干渉膜等の無機
質の薄膜を、ドライエツチング法によって寸法精度の高
し・パターニングを行なうことができ分光透過率特性の
優れた色分解用光学フィルタを。
質の薄膜を、ドライエツチング法によって寸法精度の高
し・パターニングを行なうことができ分光透過率特性の
優れた色分解用光学フィルタを。
シンプルな工程で容易に作製することができ、実用上の
価値は極めて大きし・。
価値は極めて大きし・。
第1図(a)、(b)、(C)、 (d)、 (e)、
(f)、 (g)、 (h)、(i)は本発明による
色分解用光学フィルタを形成するプロセスの一例を示す
説明図である。 1・・・透明ガラス基板、2・・・多層干渉薄膜、3・
・・金属または金属酸化物層(金属Cr層)、4・・・
ホトレジスト層、5・・・ホトレジスト層、6・・・イ
エロー光透過層。
(f)、 (g)、 (h)、(i)は本発明による
色分解用光学フィルタを形成するプロセスの一例を示す
説明図である。 1・・・透明ガラス基板、2・・・多層干渉薄膜、3・
・・金属または金属酸化物層(金属Cr層)、4・・・
ホトレジスト層、5・・・ホトレジスト層、6・・・イ
エロー光透過層。
Claims (1)
- 1、支持体上に、所定のパターン形状の光遮断層および
多層干渉薄膜を有する色分解用光学フィルタを形成する
方法において、上記支持体上に多層干渉薄膜を形成し、
該多層干渉薄膜上に、上記光遮断層および多層干渉薄膜
のマスキング層を構成するCr、Ni、Ta、Al、I
n、Sb、Ag、Co、W、Fe、Mo、Ti、Zrも
しくはGeからなる金属層、該金属の酸化物からなる金
属酸化物層を積層し、該金属層または金属酸化物層の上
部にホトレジスト層を形成して、ホトリソグラフィ法に
よって、上記光遮断層をパターニングする所定形状のパ
ターンと多層干渉薄膜をパターニングする所定形状のパ
ターンとを合わせた形状のパターニングを行なって、上
記金属層または金属酸化物層よりなるマスクパターンを
形成し、該マスクパターンをマスクとしてドライエッチ
ング法によって、上記多層干渉薄膜のパターニングを行
なった後、上記光遮断層部のパターンを除いて、多層干
渉薄膜のパターン上の金属層または金属酸化物層をエッ
チング法によって除去することにより、所定のパターン
形状の多層干渉薄膜を形成する工程、および光遮断層の
パターン上のレジストを除去することにより、所定のパ
ターン形状の上記金属層または金属酸化物層によって構
成される光遮断層を形成する工程を含むことを特徴とす
る色分解用光学フィルタの形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59228002A JPS61107303A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 色分解用光学フイルタの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59228002A JPS61107303A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 色分解用光学フイルタの形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61107303A true JPS61107303A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16869635
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59228002A Pending JPS61107303A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 色分解用光学フイルタの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61107303A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02149881A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 | Hosiden Electron Co Ltd | カラー液晶表示装置 |
JPH02264221A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
WO1997031290A1 (fr) * | 1996-02-26 | 1997-08-28 | Kuramoto Seisakusho Co., Ltd. | Substrat support de film avec facteur de reflexion bas |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP59228002A patent/JPS61107303A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02149881A (ja) * | 1988-11-30 | 1990-06-08 | Hosiden Electron Co Ltd | カラー液晶表示装置 |
JPH02264221A (ja) * | 1989-04-05 | 1990-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置およびその製造方法 |
WO1997031290A1 (fr) * | 1996-02-26 | 1997-08-28 | Kuramoto Seisakusho Co., Ltd. | Substrat support de film avec facteur de reflexion bas |
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