JP3662305B2 - 露光パターンの形成方法及びその装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【目次】
以下の順序で本発明を説明する。
発明の属する技術分野
従来の技術（図８及び図９）
発明が解決しようとする課題（図８及び図９）
課題を解決するための手段（図１〜図７）
発明の実施の形態
（１）原理（図１）
（２）実施例によるスタンパの製造方法（図２〜図６）
（３）実施例によるスタンパ製造システムの構成（図２〜図７）
（４）実施例の動作（図１〜図７）
（５）実施例の効果（図１〜図７）
（６）他の実施例（図１〜図７）
発明の効果
【０００２】
【発明の属する技術分野】
本発明は露光パターンの形成方法及びその装置に関し、特に高密度タイプの光デイスクに対応したスタンパを作成する際に適用して好適なものである。
【０００３】
【従来の技術】
従来、コンパクトデイスクやレーザデイスク、ミニデイスク等の光デイスク（以下、これらを従来タイプの光デイスクと呼ぶ）用のスタンパは、通常、図８に示すスタンパ製造処理手順ＲＴ１に従つて作成されている。
すなわち、まず図９（Ａ）に示すような円板形状のガラス基板１を酸、アルカリ又は有機溶剤等を用いて洗浄し（ステツプＳＰ１）、次いでこのガラス基板１の一面１Ａを酸化セリウム、アルナミ等を用いて極めて平滑に研磨した後（ステツプＳＰ２）、超純水を用いてブラシスクラブ、超音波洗浄等により精密洗浄する（ステツプＳＰ３）。
【０００４】
続いてこのガラス基板１の一面１Ａ上に、フオトレジストとの密着性を高めるためＨＭＤＳ又はシランカツプリング剤等を塗布し（ステツプＳＰ４）、この後フオトレジスト塗布時の温度を一定化するため、クーリング温調プレート等を用いてガラス基板１の温度を制御する（ステツプＳＰ５）。
次いでこのガラス基板１を400 〜600 〔rpm 〕程度の回転速度で回転させながら当該ガラス基板１の一面１Ａ上にスピンコート法を用いてフオトレジストを塗布することにより、図９（Ｂ）に示すような膜厚0.09〜0.15〔μm 〕程度のレジスト層２を形成する（ステツプＳＰ６）。
【０００５】
さらにこのガラス基板１をホツトプレート等を用いて30〜150 〔°〕に加熱することにより図９（Ｃ）のようにレジスト層２をプレベークし（ステツプＳＰ７）、この後カツテイング時の温度を一定化させるためこのガラス基板１の温度を制御した後（ステツプＳＰ８）、当該ガラス基板１を回転させながら直描によりレジスト層２を露光するようにして図９（Ｄ）に示すように記録信号に応じたパターンで潜像（露光された部分の像）２Ａを形成する（ステツプＳＰ９）。
【０００６】
続いてこのレジスト層２を無機又は有機アルカリ現像液を用いて現像し、レジスト層２の潜像２Ａ部分を溶解させることにより、図９（Ｅ）のようにガラス基板１の一面１Ａ上に残存するフオトレジスト（以下、これを残存レジスト２Ｂと呼ぶ）からなる凹凸パターンを形成する（ステツプＳＰ１０）。
【０００７】
次いでこの残存レジスト２Ｂの表面及び当該残存レジスト２Ｂを介して露出するガラス基板１の一面１Ａ上に、Ni若しくはAg等をスパツタリングにより堆積させ、又はNi無電解メツキ処理等によりニツケルをメツキすることにより図９（Ｆ）に示すような導電化膜層３を形成する（ステツプＳＰ１１）と共に、この導電化膜層３上にNi電気メツキ等を施すことにより約0.3 〔mm〕程度の厚みでニツケル電鋳層４を積層形成する（ステツプＳＰ１２）。
続いてこのニツケル電鋳層４及び導電化膜層３を一体にガラス基板１から剥離し（ステツプＳＰ１３）、その表面をアルカリ及び有機溶剤等を用いて洗浄する。これにより図９（Ｈ）のような従来タイプの光デイスクに対応したスタンパ５を得ることができる（ステツプＳＰ１４）。
【０００８】
この場合このようなスタンパ作製工程では、通常、レジスト塗布工程（ステツプＳＰ６）で使用するフオトレジストとして、半導体製造用に一般的に用いられる水銀ランプｇ線（波長437 〔nm〕）対応のポジ型タイプが用いられ、カツテング工程（ステツプＳＰ９）で使用する露光用のレーザｈν（図９（Ｄ））として、波長442 〔nm〕のHe-Cd レーザや、波長457 〔nm〕のArレーザ等が用いられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、多くの企業において高密度光デイスクの開発検討が行われている。この場合例えばＤＶＤ（Digital Video Disc）においては、規格上、ピツト幅が0.4 〔μm 〕以下、高さが0.05〜0.15〔μm 〕、トラツクピツチが0.7 〜0.9 〔μm 〕程度と大変厳しい微細化が要求される。
このためこれらの企業では、カツテイング工程時に使用するレーザ光源として出力波長の短い、例えば波長351.364 〔nm〕の短波長Arレーザ光源や、これに対応したカツテイングマシン及びフオトレジストの開発を活発に行つている。
【００１０】
しかしながらこのようなレーザ光源の短波長化は、当該光源から出力されるビーム自体の高エネルギー化を招くため、カツテイングマシンの光学系（例えばレンズなど）に対する要求スペツクが厳しくなり、この結果スタンパの製造コストが高くなる問題がある。
また短波長Arレーザ（波長351.364 〔nm〕）対応のフオトレジストとして、例えば半導体製造用水銀ランプｉ線（波長365 〔nm〕）対応品などの解像度の高いものの適用化検討や開発が必要となる問題がある。
【００１１】
一方、従来タイプのコンパクトデイスクやＣＤ−ＲＯＭ等に関しては、市場規模の拡大に伴いスループツト（カツテイング時間の短縮）の向上が要求されている。
このため近年では、カツテイング速度を現状の1.2 〔m/s 〕から２倍の2.4 〔m/s 〕や、４倍の4.8 〔m/s 〕にするなどのカツテイング速度の高速化が実用化されており、この高速化に伴つてｇ線レジストの高感度化が要求されている。
【００１２】
このように近年では、高密度タイプの光デイスクに対応するスタンパの製造工程では高解像度が要求され、一方従来タイプの光デイスクに対応するスタンパの製造工程では高感度化が要求されている。
しかしながら基本的にフオトレジストの高解像度化と高感度化では相反する関係にあり、このため従来タイプの光デイスクに対応したスタンパと、高密度タイプの光デイスクに対応したスタンパとでは、製造の際、別々のフオトレジストや製造ラインが必要とされていた。
【００１３】
従つて、例えばガラス基板１上に積層形成されたレジスト層２に対し、従来用いられている既存の製造ラインを用いて複数の規格に応じた露光パターンを切り替えて形成し得るようにすることができれば、これに応じて複数種類のスタンパを製造することができるため、各規格にそれぞれ対応させてフオトレジストや製造ラインを用意する必要がなく、その分開発費用や設備投資費用を削減できるものと考えられる。
【００１４】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、１つの装置で複数種類の露光パターンを切り替えて形成し得るようにすることのできる露光パターンの形成方法及びその装置を提案しようとするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため本発明においては、第１の物質の所定面上にフオトレジストを塗布することによりレジスト層を積層形成し、当該レジスト層をベークした後、このレジスト層を露光することにより所望の露光パターンを形成する際、当該所望する露光パターンに応じて、フオトレジストの塗布条件、レジスト層のベーク条件及び又は露光条件を切り替えるようにした。
【００１６】
レジスト層のベーク条件及び又は露光条件を切り替えることによつて、レジスト層を低感度化させることができる。従つてレジスト層に、露光の際にレジスト層の形成されるレーザスポツトよりも小さな露光パターンを形成することができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
【００１８】
（１）原理
一般的に、ガラス基板の一面上に塗布されたフオトレジストを波長λのレーザビームを用いて露光したときに当該フオトレジストに形成することのできるビームスポツトの解像限界Ｒは、定数をＫ、レーザビームの開口率をＮＡとして、次式
【数１】

により与えられる。
【００１９】
このため例えばＤＶＤ用のスタンパを作製する場合には、カツテイング工程において使用するレーザ光源として、通常のコンパクトデイスクのカツテイング工程時に用いられるレーザ（例えばHe-Cd レーザ（波長442 〔nm〕））よりも波長の短いレーザを発射し得るレーザ光源が必要とされている。
これに対して、現在市販されているｇ線用ポジ型フオトレジストは、低感度化させることによつて、入射する光が形成するビームスポツトのうちあるエネルギー閾値以上の領域部分だけを感光させ得ることが最近の研究により確認できた。
【００２０】
従つて例えばこの種のフオトレジストがガラス基板の一面に塗布されてなるレジスト層を所定の方法により低感度化させた後、このレジスト層に図１（Ａ）のようなガウシアン分布型のレーザビームを照射することによつて、このレジスト層の表面に形成される図１（Ｂ）のようなビームスポツトＬＳのうちの所定の閾値以上のエネルギー領域ＡＲ部分だけを感光させることができ、かくして当該ビームスポツトＬＳよりも径の小さい潜像を形成することができるものと考えられる。
【００２１】
この場合ガラス基板のレジスト層を低感度化させる方法としては、従来型のｇ線用ポジ型フオトレジストをガラス基板上に塗布後、プレベーク温度を上げる方法が有効であることが実験により確認できた。
実際上この方法によりガラス基板上に塗布されたフオトレジストを低感度化させると共に、He-Cd レーザのカツテイング出力を制御するようにして高密度タイプ用のスタンパを作成し、当該スタンパを用いて光デイスクを作成したところ、ＤＶＤ規格を満足する良好な信号特性の光デイスクを得ることができた。
【００２２】
またこれと同一のフオトレジストを用いてプレベーク温度を下げ、逆に解像度を下げてでも高感度化を図ると共に、He-Cd レーザのカツテイング出力を上げるようにして従来タイプ用のスタンパを作成し、当該スタンパを用いて光デイスクを作成したところ、ＣＤ規格を満足する良好な信号特性の光デイスクを得ることができた。さらにこの方法でカツテイング速度を通常の２〜４倍にしても問題ないことが確認できた。
【００２３】
因に、フオトレジストの感度は、一般的にプレベーク温度が高い方が低くなるが、これと逆に低すぎる場合（例えば40〔°Ｃ〕以下）にも溶剤成分の蒸発が抑止されて低くなることがあることも分かつた。
一方、レーザのカツテイング出力は、使用するフオトレジストの感度との兼ね合いで決定する必要があり、実際上、フオトレジトスの感度が同じ場合には、カツテイング時におけるレーザのパワーが小さい方が感度面積を小さくできるが制御が難しく、逆にレーザのパワーが大きい方がレジトス感度が同じ場合には感度面積が大きくなるものの大きさを制御し易いことが分かつた。
【００２４】
またフオトレジストの解像度を示すγ特性値が低すぎると（すなわち低解像度タイプだと）、得られるスタンパのピツトエツジの傾斜が緩くなり、成形した光デイスクに適正な信号値（Ｉ₁₁、Ｉ₃ ）を得ることができないため、使用するフオトレジストとしてはγ特性値が２以上のものの方が良いことが実験により分かつた。
【００２５】
従つて高密度型光デイスク用のスタンパを作製する場合には、コンパクトデイスクやレーザデイスク等の従来タイプの光デイスクに対応したスタンパを作成するときに比べてよりγ特性値の高い（すなわち高解像度タイプ）のフオトレジストを使用し、当該フオトレジスト感度を所定の方法により低下させると共にカツテイング時にレーザのパワーを上げるようにすることによつて、レーザ波長以下の小さなピツトを適正なピツトエツジの傾斜を保つたまま再現良く形成することができることが分かつた。
【００２６】
（２）実施例によるスタンパの製造方法
図９（Ａ）〜（Ｈ）との対応部分に同一符号を付して示す図２（Ａ）〜（Ｈ）は、実施例による高密度タイプの光デイスクに対応したスタンパの製造工程を示すものであり、図２（Ａ）のようなガラス基板１に対して、上述したスタンパ製造処理手順ＲＴ１（図８）に従つて従来と同様にフオトレジスト塗布前の所定処理（ステツプＳＰ０〜ステツプＳＰ５）を施した後、図２（Ｂ）のように、当該ガラス基板１の一面１Ａ上にγ特性値が２以上のｇ線用ポジ型フオトレジストを膜厚を制御しながら塗布することにより高密度タイプの光デイスクに対応した厚みのレジスト層１０を形成する。
【００２７】
次いで図２（Ｃ）のように、このガラス基板１をオーブンに入れてレジスト層１０を従来タイプの光デイスクに対応するスタンパを作成するときよりも高い温度で温度及び時間等を制御しながらプレベークすることにより当該レジスト層１０を低感度化させる。
続いて図２（Ｄ）のように、低感度化されたレジスト層１０を従来タイプの光デイスク用スタンパを作成する際に利用する波長の露光用レーザｈν（例えばHe-Cd レーザ（波長442 〔nm〕）、Arレーザ（波長457 〔nm〕）、Krレーザ（波長413 〔nm〕）等）を用いてカツテイング出力を制御しながら記録信号に応じて露光する。これによりレジスト層に記録信号に応じたパターンで高密度タイプに対応した大きさの潜像１０Ａを形成する。
【００２８】
さらにこの露光工程終了後、このレジスト層１０を現像することにより図２（Ｅ）に示すように当該ガラス基板１の一面１Ａ上に残存するフオトレジスト（以下、これを残存レジスト１０Ｂと呼ぶ）からなる凹凸パターンを形成する。
【００２９】
さらにこの後、図２（Ｆ）に示すように、ガラス基板１の一面１Ａ上の残存レジスト１０Ｂ及び当該残存レジスト１０Ｂを介して露出するガラス基板１の一面１Ａ上に上述の従来の場合と同様にして導電化膜層１１を形成し、次いでこの導電化膜層１１上に電鋳等により所定厚の電鋳層１２を形成する。
【００３０】
続いて図２（Ｇ）に示すように、この導電化膜層１１及び電鋳層１２を一体にガラス基板１から剥離し、この後その表面を洗浄する。これにより図２（Ｈ）に示すような高密度対応のスタンパ１３を作成することができる。
【００３１】
一方従来タイプの光デイスクに対応したスタンパを作成する場合には、レジスト塗布工程（図２（Ｂ））時において、膜厚を制御しながら上述の場合と同じフオトレジストをガラス基板１の一面１Ａ上に塗布することにより、従来タイプの光デイスクに対応した厚みのレジスト層２０を形成する。
【００３２】
次いでこのガラス基板１を上述の場合と同じオーブンに入れて温度及び時間を制御しながら加熱することによりこのレジスト層２０を従来と同じ条件でプレベークし（図２（Ｃ））、続く露光工程（図２（Ｄ））において、露光用レーザｈνのカツテイング出力を従来と同じ程度に制御しながら記録信号に応じてレジスト層２０を露光する。これによりレジスト層２０に従来タイプの光デイスクに対応した大きさの潜像２０Ｂを形成する。
【００３３】
さらにこの後上述のスタンパ１３を作成する場合と同様にして現像（図２（Ｅ））し、導電化処理及び電鋳処理（図２（Ｆ））を施し、かくして得られる導電化膜層２１及び電鋳層２２を一体にガラス基板１から剥離した後（図２（Ｇ））、その表面を洗浄する。これにより従来タイプの光デイスクに対応したスタンパ２３を作成することができる（図２（Ｈ））。
【００３４】
ここで上述のような方法を用い、条件を代えてスタンパ１３、２３を作成する実験を行つた。
まず第１の実験では、フオトレジストの塗布工程（図２（Ｂ））において、スピンコート法により高密度タイプの光デイスクに対応する約0.1 〔μm 〕程度の厚みでｇ線対応レジストＧ×250 （約２ＣＰ調整品）（株式会社日本合成ゴム社製、製品名）を塗布し、続くプレベーク工程（図２（Ｃ））では、ホツトプレートオーブンを60〔°〕に設定してギヤツプ約0.5 〔mm〕のプロキシミテイベーク（３〜４本のピンによりプレートからガラス基板１を僅かに浮かせた状態でのベーク）を施した。
【００３５】
続くカツテイング工程（図２（Ｄ））では、図３に示すように、波長442 〔nm〕、ビーム直径0.9 〔mm〕のHe-Cd レーザを、ＮＡ0.90の対物レンズを介してスポツト径が0.40〔μm 〕程度の大きさとなるようにガラス基板１上のレジスト層１０に照射しながら、クロツク周波数26.6〔MHz 〕、線速度4.0 〔m/sec 〕、カツテイング出力（レジスト入射光量）1.3 〔mW〕、トラツクピツチ0.85〔μm 〕の条件でカツテイングを行い、現像工程（図２（Ｅ））では無機アルカリ溶液を用いて現像した。
【００３６】
さらに続く導電化膜形成工程（図２（Ｆ））では、このガラス基板１に対して無電解メツキによる表面導電化処理により残存レジスト１０Ｂ及び当該残存レジスト１０Ｂから露出するガラス基板１の一面１Ａ上に導電化膜層１１を形成し、電鋳工程（図２（Ｆ））ではニツケル電鋳を施すことにより電鋳層１２を形成した。
【００３７】
この後これら導電化膜層１１及び電鋳層１２を一体にガラス基板１から剥離し（図２（Ｇ））、その表面を洗浄することにより高密度タイプの光デイスクに対応するニツケルスタンパ１３を作成した。
この結果図４（Ａ）に示すような、図４（Ｂ）に示す従来のコンパクトデイスク規格レベルに比べてピツトサイズが小さい（レーザ波長及びレジスト上レーザスポツトよりも15〔％〕小さい）スタンパ１３を作成でき、またこのスタンパ１３を用いて光デイスクを作成したところ、ジツタ（信号ノイズ）が２×10^-9〔秒〕程度の高密度デイスク（ＤＶＤ）として良好な信号特性の光デイスクを得ることができた。
【００３８】
一方第２の実験では、ガラス基板１をレジスト塗布工程（図２（Ｂ））の直前まで第１の実験と同様に処理し、続くレジスト塗布工程においてこのガラス基板１を450 〔rpm 〕で回転させながら第１実施例と同じフオトレジストを従来タイプの光デイスクに対応した膜厚でスピンコートした。
次いでプレベーク工程（図２（Ｃ））では、このガラス基板１をホツトプレートオーブンを50〔°Ｃ〕に設定してギヤツプ約１〔mm〕でプロキシミテイベークし、この後このガラス基板１をクーリングプレートに設置して室温まで冷却した。
【００３９】
さらにカツテイング工程（図２（Ｄ））では、第１の実験で用いたカツテイング装置を用い、図５に示すように、波長442 〔nm〕、ビーム直径0.9 〔mm〕のHe-Cd レーザを、ＮＡ0.90の対物レンズを介してスポツト径が0.40〔μm 〕程度の大きさとなるようにガラス基板１上のレジスト層２０に照射しながら、クロツク周波数4.32〔MHz 〕、線速度1.2 〔m/sec 〕、カツテイング出力1.5 〔mW〕条件でカツテイングを行い、この後第１の実験のときと同様してスタンパ２３を作成した。
【００４０】
この結果コンパクトデイスクと同等レベルの高さ0.15〔μm 〕、サイズ0.5 〔μm 〕程度の良好なピツトパターンのスタンパ２３が得られ、またこのスタンパ２３を用いて成形した光デイスクの信号特性も良好なレベルであつた。
さらに第３の実験では、第２の実験と同じ条件でカツテイング工程（図２（Ｄ））までの処理を行い、続くカツテイング工程では、図６に示すように、He-Cd レーザのクロツク周波数を17.3〔MHz 〕、線速度を4.8 〔m/sec 〕（第２の実験の４倍速）、カツテイング出力を1.8 〔mW〕に変更して記録信号に応じてガラス基板１上のレジスト層２０を露光した後、上述の第２の実験と同様にして従来タイプの光デイスクに対応するスタンパ２３を作成した。
【００４１】
この結果第２の実験と同等レベルのピツトパターンのスタンパ２３が得られ、またこのスタンパ２３を用いて成形した光デイスクの信号特性も良好なレベルであつた。
従つてこの実施例のように、フオトレジストの塗布条件、レジスト層１０、２０のプレベーク条件及びカツテイング条件を代えることによつて、精度の良い高密度タイプ及び従来タイプの両方のスタンパ１３、２３を切り替えて作成し得ることが確認できた。
【００４２】
（３）実施例によるスタンパ製造システムの構成
ここで図７は、上述のようなスタンパ製造方法を実現するためのスタンパ製造システム３０の構成を示すものである。
実際上このスタンパ製造システム３０では、供給される一面が研磨されたガラス基板１（図２）をスタンパ製造処理手順ＲＴ１（図８）のステツプＳＰ３について上述したのと同様にクリーニング装置３１において洗浄した後、当該ガラス基板１に対してスタンパ製造処理手順ＲＴ１のステツプＳＰ４について上述したのと同様に前処理装置３２においてフオトレジスト塗布前の所定処理を施す。
【００４３】
次いでレジストコータ３３においてこのガラス基板１の一面１Ａ上にスピンコート法等によりフオトレジストを塗布し、かくして形成されたレジスト層１０、２０をオーブン３４においてプレベークする。
続いて温度制御装置３５においてこのガラス基板１を所定温度に戻した後、カツテイングマシン３６においてこのガスラ基板１のレジスト層１０、２０を記録信号に応じて露光する。
【００４４】
続いて現像装置３７においてこのガスラ基板１のレジスト層１０、２０を現像し、このレジスト層１０、２０上にスパツタ装置等でなる導電化膜形成装置３８において導電化膜層１１、２１を形成した後、メツキ装置等でなる電鋳装置３９において電鋳処理を施すことにより電鋳層１２、２２を形成し、この後電鋳装置３９から続く製造ラインに送出する。
【００４５】
かかる構成に加えこのスタンパ製造システム３０の場合、操作スイツチ４０と制御部４１とが設けられており、制御部４１は、操作スイツチ４０が操作されることにより第１の動作モードが指定されると、これに応じた制御信号Ｓ１〜Ｓ３をレジストコータ３３、オーブン３４及びカツテイングマシン３５にそれぞれ送出するようになされている。
【００４６】
この場合レジストコータ３３は、供給される制御信号Ｓ１に基づいてガラス基板１の一面１Ａ上に塗布するフオトレジストの膜厚を従来タイプの光デイスクに対応する第１の厚みに設定し、オーブン３４は、制御信号Ｓ２に基づいてガラス基板１のレジスト層１０に対するプレベーク温度を従来タイプの光デイスクに対応する第１の温度に設定し、かつカツテイングマシン３６は、制御信号Ｓ３に基づいて露光用レーザｈνのカツテイング出力を従来タイプの光デイスクに対応する第１のカツテイング出力に設定するようになされている。
【００４７】
同様にして制御部４１は、操作スイツチ４０が操作されることにより第２の動作モードが指定されると、これに応じた制御信号Ｓ１〜Ｓ３をレジストコータ３３、オーブン３４及びカツテイングマシン３５にそれぞれ送出する。
この場合レジストコータ３３は、供給される制御信号Ｓ１に基づいてガラス基板１の一面１Ａ上に塗布するフオトレジストの膜厚を高密度タイプの光デイスクに対応する第２の厚みに設定し、オーブン３４は、制御信号Ｓ２に基づいてガラス基板１のレジスト層１０に対するプレベーク温度を高密度タイプの光デイスクに対応する第２の温度に設定し、かつカツテイングマシン３６は、制御信号Ｓ３に基づいて露光用レーザｈνのカツテイング出力を高密度タイプの光デイスクに対応する第２のカツテイング出力に設定するようになされている。
【００４８】
これによりこのスタンパ製造システム３０では、操作スイツチ４０を操作することによつて従来タイプ又は高密度タイプの光デイスクに対応するスタンパ１３、２３を順次切り替えて製造することができるようになされている。
【００４９】
（４）実施例の動作
以上の構成において、この実施例によるスタンパの製造方法及びスタンパ製造システム３０では、まずガラス基板１に対して従来のスタンパ製造処理手順ＲＴ１（図８）に従つてフオトレジスト塗布前の所定を施し、次いで所望するタイプに応じて膜厚を制御しながらガラス基板１の一面１Ａ上にフオトレジストを塗布した後、所望するタイプに応じて温度及び時間を制御しながらガラス基板１上のレジスト層１０、２０をプレベークする。
【００５０】
次いでこのレジスト層１０、２０を所望するタイプに応じてカツテイング出力を制御しながら、従来タイプの光デイスク用のスタンパを作成する際に用いるレーザｈνにより記録信号に応じてカツテングし、この後従来通りスタンパ製造処理手順ＲＴ１に従つてスタンパ１３、２３を作成する。
【００５１】
従つてこのスタンパ作成方法によれば、ガラス基板１に塗布するフオトレジストの膜厚と、かくしてガラス基板１の一面１Ａ上に形成されるレジスト層１０、２０のプレベーク温度及び時間と、露光用レーザｈνのカツテイング出力とを切り替えるだけで、従来タイプの光デイスクに対応するスタンパ２３と、高密度タイプの光デイスクに対応するスタンパ１３とを切り替えて製造することができ、かくしてこれら２種類のスタンパ２３、１３を容易に１つの製造ラインで製造し得るようにすることができる。
【００５２】
この場合従来タイプの光デイスクに対応したスタンパ２３は、従来から用いられている製造装置及び製造ラインを用いて製造することができるため、既存のスタンパ製造装置及び製造ラインに僅かに手を加えるだけで（マイナーチエンジ）従来タイプの光デイスクに対応するスタンパ２３と高密度タイプの光デイスクに対応するスタンパ１３とを製造し得るスタンパ製造システム３０を容易に構築することができる。
【００５３】
（５）実施例の効果
以上の構成によれば、所望するスタンパ１３、２３の種類に応じて、ガラス基板１の一面１Ａ上に塗布するフオトレジストの膜厚と、かくしてガラス基板１の一面１Ａ上に形成されるレジスト層１０、２０のプレベーク温度及び時間と、露光用レーザｈνのカツテイング出力とを切り替えるようにしたことにより、従来タイプの光デイスクに対応したスタンパ２３と高密度タイプの光デイスクに対応したスタンパ１３とを容易に切り替えて製造することができ、かくして従来タイプの光デイスクと高密度タイプの光デイスクとを同一の製造ラインで製造し得るようにすることができる。
【００５４】
（６）他の実施例
なお上述の実施例においては、フオトレジストとして、γ特性値が２以上のｇ線用ポジ型フオトレジストを適用し、露光用レーザｈνとして、例えばHe-Cd レーザなどのような従来タイプの光デイスクに対応したスタンパ２３を作成する際に利用する波長のレーザを適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、フオトレジスト及び露光用レーザｈνとしてはこの他種々の組み合わせを適用できる。
【００５５】
この場合例えばフオトレジストとしてｉ線対応型のものを適用し、露光用レーザｈνとして短波長レーザ（Arレーザ（波長351.364 〔nm〕）等）を適用するようにすれば、より微細なピツトを形成することができる。
【００５６】
また上述の実施例においては、本発明による露光パターンの形成方法を光デイスクのスタンパ１３、２３の製造工程に適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は、第１の物質の所定面上に、フオトレジストを塗布することによりレジスト層を積層形成する第１の工程と、レジスト層をベークする第２の工程と、レジスト層を所望する露光パターンで露光する第３の工程とを設け、所望する露光パターンに応じて、第１の工程時におけるフオトレジストの塗布条件、第２の工程時におけるレジスト層のベーク条件及び又は上記３の工程時におけるレジスト層の露光条件を切り替えるようにして露光パターンを形成するのであれば、光デイスクのスタンパ１３、２３の製造の他にも例えば半導体製造やＬＣＤ（液晶表示装置）製造などにも適用することができる。
【００５７】
同様に本発明による露光パターンの形成装置を光デイスク用スタンパ１３、２３の製造工程に適用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要は、第１の物質の所定面上に、設定された塗布条件でフオトレジストを塗布することによりレジスト層を積層形成するレジスト塗布手段と、レジスト層を、設定されたベーク条件でベークするベーク手段と、ベークされたレジスト層を、設定された露光条件で指定された露光パターンに応じて露光する露光手段と、複数の露光パターンの中から所望する露光パターンを選択入力するための入力手段と、入力手段が操作されることにより１つの露光パターンが選択されたときに、レジスト塗布手段の第１の物質に対するフオトレジストの塗布条件、ベーク手段のレジスト層に対するベーク条件及び、露光手段のレジスト層に対する露光条件をそれぞれ選定された上記露光パターンに応じた設定に切り替える制御手段とを設けるようにするのであれば、光デイスクのスタンパ１３、２３の製造装置の他にも例えば半導体製造装置やＬＣＤ（液晶表示装置）製造装置などにも適用することができる。
【００５８】
さらに上述の実施例においては、本発明の適用により従来タイプの光デイスクに対応したスタンパ２３と、高密度タイプの光デイスクに対応したスタンパ１３との２種類のスタンパを作成するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この他種々のタイプの光デイスクに対応したスタンパを作成することができる。
【００５９】
さらに上述の実施例においては、ガラス基板１の一面１Ａ上に塗布するフオトレジストの膜厚等の塗布条件と、かくして当該ガスラ基板１上に形成されるレジスト層１０、２０のベーク温度及び時間等のプレベーク条件と、露光用レーザｈνのカツテイング出力等のカツテイング条件とを変化させるようにして従来タイプの光デイスクに対応したスタンパ２３と、高密度タイプの光デイスクに対応したスタンパ１３とを切り替えて製造するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、この他のフオトレジストの塗布条件、レジスト層１０、２０のベーク条件及び又はカツテイング条件を変化させたり、レジスト層１０、２０のプレベーク時における雰囲気や基板１の素材等調整可能な種々のパラメータを変化させるようにしても良い。この場合レジスト層１０、２０のベーク工程では、加熱手段としてレジスト層１０、２０のベーク手段としてホツトプレート以外に温風循環式オーブンや、赤外線ランプなども適用できる。
【００６０】
さらに上述の実施例においては、従来タイプ及び高密度タイプのいずれの光デイスクに対応する露光パターンを形成する場合にもガラス基板１の一面１Ａ上に塗布するフオトレジストとして、γ特性値が２以上の１種類のものを使用するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えば所望する露光パターンの種類を最大数とする２種類以上のものを所望する露光パターンに応じて切り替えて使用するようにしても良い。
【００６１】
さらに上述の実施例においては、ガラス基板１の一面１Ａ上に積層形成されたレジスト層１０、２０を低感度化させる手段として、当該レジスト層１０、２０のベーク条件を調整するようにした場合について述べたが、本発明はこれに限らず、例えばレジスト層１０、２０に当該レジスト層１０、２０を形成するフオトレジストの主感度範囲外の波長のライト（例えばｇ線（波長436 〔nm〕）対応時のイエローランプ（波長500 〜700 〔nm〕）等）を予めカツテイング工程前に照射することによつてもレジスト層１０、２０を低感度化させることができるため、これを併用するようにしても良い。
【００６２】
【発明の効果】
上述のように本発明によれば、第１の物質の所定面上にフオトレジストを塗布することによりレジスト層を積層形成し、当該レジスト層をベークした後、このレジスト層を露光することにより所望の露光パターンを形成する際、当該所望する露光パターンに応じて、フオトレジストの塗布条件、レジスト層のベーク条件及び又は露光条件を切り替えるようにしたことにより、レジスト層に種々の大きさの潜像を形成することができ、かくして１つの装置で複数種類の露光パターンを切り替えて形成し得るようにすることのできる露光パターンの形成方法及びその装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の原理説明に供する特性曲線図及び略線図である。
【図２】実施例によるスタンパの作成工程を示す断面図である。
【図３】第１の実験のカツテイング条件を示す図表である。
【図４】実験結果の説明に供する斜視図である。
【図５】第２の実験のカツテイング条件を示す図表である。
【図６】第３の実験のカツテイング条件を示す図表である。
【図７】実施例によるスタンパ製造システムの構成を示す略線図である。
【図８】従来のスタンパ製造処理手順を示すフローチヤートである。
【図９】従来のスタンパの作成工程を示す断面図である。
【符号の説明】
１……ガラス基板、１Ａ……一面、１０、２０……レジスト層、１０Ａ、２０Ａ……潜像、１０Ｂ、２０Ｂ……残存レジスト、１１、２１……導電化膜層、１２、２２……電鋳層、１３、２３……スタンパ、ｈν……レーザ、３０……スタンパ製造システム、３３……レジストコータ、３４……オーブン、３６……カツテイングマシン、４０……操作スイツチ、４１……制御部。

Claims (4)

1. 第１の物質の所定面上に、フオトレジストを塗布することによりレジスト層を積層形成する第１の工程と、
   上記レジスト層をベークする第２の工程と、
   上記レジスト層を所望する露光パターンで露光する第３の工程と
   を具え、上記所望する露光パターンに応じて、上記第１の工程時における上記フオトレジストの塗布条件、上記第２の工程時における上記レジスト層のベーク条件及び又は上記３の工程時における上記レジスト層の露光条件を切り替える
   ことを特徴とする露光パターンの形成方法。
2. 上記第１の工程では、上記フオトレジストとして、γ特性値が２以上の１種類のものを使用し、又は上記所望する露光パターンの種類を最大数とする２種類以上のものを上記所望する露光パターンに応じて切り替えて使用する
   ことを特徴とする請求項１に記載の露光パターンの形成方法。
3. 第１の物質の所定面上に、設定された塗布条件でフオトレジストを塗布することによりレジスト層を積層形成するレジスト塗布手段と、
   上記レジスト層を、設定されたベーク条件でベークするベーク手段と、
   ベークされた上記レジスト層を、設定された露光条件で指定された露光パターンに応じて露光する露光手段と、
   複数の上記露光パターンの中から所望する上記露光パターンを選択入力するための入力手段と、
   上記入力手段が操作されることにより１つの上記露光パターンが選択されたときに、上記レジスト塗布手段の上記第１の物質に対する上記フオトレジストの上記塗布条件、上記ベーク手段の上記レジスト層に対する上記ベーク条件及び、上記露光手段の上記レジスト層に対する上記露光条件をそれぞれ選定された上記露光パターンに応じた設定に切り替える制御手段と
   を具えることを特徴とする露光パターンの形成装置。
4. 上記レジスト塗布手段は、
   γ特性値が２以上の所定のフオトレジストを上記第１の物質の上記所定面上に塗布することにより上記第１の物質の上記所定面上に上記レジスト層を積層形成し、又は上記露光パターンの種類数を最大数とする２種類以上のフオトレジストを選定された上記露光パターンに応じて切り替えながら上記第１の物質の上記所定面上に上記フオトレジストを塗布することにより上記第１の物質の上記所定面上に上記レジスト層を積層形成する
   ことを特徴とする請求項３に記載の露光パターンの形成装置。

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