JP2001075287A - 光ディスク原盤の製造方法 - Google Patents
光ディスク原盤の製造方法Info
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- JP2001075287A JP2001075287A JP24707599A JP24707599A JP2001075287A JP 2001075287 A JP2001075287 A JP 2001075287A JP 24707599 A JP24707599 A JP 24707599A JP 24707599 A JP24707599 A JP 24707599A JP 2001075287 A JP2001075287 A JP 2001075287A
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- Materials For Photolithography (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】レーザ集光ビーム径よりも幅の狭い案内溝やプ
リピットを精度良く形成する。 【解決手段】上層レジスト層４をマスクとしてエッチン
グする中間層３の膜厚を５０〜３００Åと薄くしてウェ
ットエッチングを行う際のサイドエッチングの影響を防
ぎ、下層レジスト層２にレーザ集光ビームの限界以下の
幅の溝やプリピットを精度良く形成する。
リピットを精度良く形成する。 【解決手段】上層レジスト層４をマスクとしてエッチン
グする中間層３の膜厚を５０〜３００Åと薄くしてウェ
ットエッチングを行う際のサイドエッチングの影響を防
ぎ、下層レジスト層２にレーザ集光ビームの限界以下の
幅の溝やプリピットを精度良く形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ディスク用ス
タンパの製造に用いられる原盤の製造方法、特に微細な
ピットとトラッキング用の案内溝の形成に関するもので
ある。
タンパの製造に用いられる原盤の製造方法、特に微細な
ピットとトラッキング用の案内溝の形成に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク用の原盤の製作工程では、精
密に研磨，洗浄されたガラス基板にフォトレジストを均
一になるように塗布してフォトレジスト層を形成し、ガ
ラス基板のフォトレジスト層を所定のフォーマットにし
たがって光変調されたレーザ集光ビームで露光して案内
溝などの潜像を形成する。この潜像が形成されたフォト
レジスト層を現像，洗浄処理することによりフォトレジ
スト層に案内溝等を作り、導電性金属スタッパ処理とメ
ッキ作業を行って光ディスク用のスタンパを形成してい
る。
密に研磨，洗浄されたガラス基板にフォトレジストを均
一になるように塗布してフォトレジスト層を形成し、ガ
ラス基板のフォトレジスト層を所定のフォーマットにし
たがって光変調されたレーザ集光ビームで露光して案内
溝などの潜像を形成する。この潜像が形成されたフォト
レジスト層を現像，洗浄処理することによりフォトレジ
スト層に案内溝等を作り、導電性金属スタッパ処理とメ
ッキ作業を行って光ディスク用のスタンパを形成してい
る。
【０００３】近年の情報記録媒体の容量の増加という要
求に対応するためには光ディスクのトラックピッチを狭
める必要があり、このため、より細い案内溝と小さなプ
リピットが要求されている。光ディスク用の原盤でより
細い案内溝と小さなプリピットを形成するためには、案
内溝などを形成する露光集光ビーム径を小さくする必要
がある。集光ビーム径は露光波長λと露光光学系の開口
数ＮＡの比λ／ＮＡに比例するため、集光ビーム径を小
さくするためには露光波長λを短くして開口数ＮＡを大
きくすれば良い。しかしながら開口数ＮＡは現在上限に
近い０．９以上が使われており、露光波長λを現状より
短い紫外領域にすると、光学部品の作製などが問題とな
り、さらに焦点深度が小さくなるため原盤露光機の条件
が厳しくなってしまう。
求に対応するためには光ディスクのトラックピッチを狭
める必要があり、このため、より細い案内溝と小さなプ
リピットが要求されている。光ディスク用の原盤でより
細い案内溝と小さなプリピットを形成するためには、案
内溝などを形成する露光集光ビーム径を小さくする必要
がある。集光ビーム径は露光波長λと露光光学系の開口
数ＮＡの比λ／ＮＡに比例するため、集光ビーム径を小
さくするためには露光波長λを短くして開口数ＮＡを大
きくすれば良い。しかしながら開口数ＮＡは現在上限に
近い０．９以上が使われており、露光波長λを現状より
短い紫外領域にすると、光学部品の作製などが問題とな
り、さらに焦点深度が小さくなるため原盤露光機の条件
が厳しくなってしまう。
【０００４】この露光集光ビーム径以下の案内溝やプリ
ピットを形成する方法として、例えば特許第２６５８０
２３号公報に示されているように、ガラス基板上にフォ
トレジスト層を形成し、フォトレジスト層の露光と現像
処理によってできた凸凹のパターンをマスクとして基板
自体をエッチングした後、マスクとなったフォトレジス
ト層を除去する方法や、特開平３−１０８１４１号公報
に示されているように、ガラス基板上にＣｒ等のエッチ
ング層とフォトレジスト層を積層し、フォトレジスト層
を露光して現像して凸凹のパターンを作り、このフォト
レジスト層をマスクとしてエッチング層をエッチングし
てフォトレジストを除去する方法が採用されている。ま
た、特開平９−１０６５８４号公報に示すように、基板
の表面に第１の被エッチング材からなる下層と第２の被
エッチング材からなる中間層及びフォトレジストからな
る上層を積層し、上層に記録情報となるパターンを露光
して現像し、この上層をマスクとして中間層をエッチン
グし、エッチングした中間層をマスクとして下層をエッ
チングして、下層に記録用凹部の側壁を垂直に形成して
高密度化を図るようにしている。これらの方法によれ
ば、フォトレジスト層に形成されたパターンによって基
板や下層材料が露出した部分をエッチングすることがで
きるため、下層を露出させる幅を狭くすれば露光ビーム
スポット径以下の溝やプリピットを形成することができ
る。
ピットを形成する方法として、例えば特許第２６５８０
２３号公報に示されているように、ガラス基板上にフォ
トレジスト層を形成し、フォトレジスト層の露光と現像
処理によってできた凸凹のパターンをマスクとして基板
自体をエッチングした後、マスクとなったフォトレジス
ト層を除去する方法や、特開平３−１０８１４１号公報
に示されているように、ガラス基板上にＣｒ等のエッチ
ング層とフォトレジスト層を積層し、フォトレジスト層
を露光して現像して凸凹のパターンを作り、このフォト
レジスト層をマスクとしてエッチング層をエッチングし
てフォトレジストを除去する方法が採用されている。ま
た、特開平９−１０６５８４号公報に示すように、基板
の表面に第１の被エッチング材からなる下層と第２の被
エッチング材からなる中間層及びフォトレジストからな
る上層を積層し、上層に記録情報となるパターンを露光
して現像し、この上層をマスクとして中間層をエッチン
グし、エッチングした中間層をマスクとして下層をエッ
チングして、下層に記録用凹部の側壁を垂直に形成して
高密度化を図るようにしている。これらの方法によれ
ば、フォトレジスト層に形成されたパターンによって基
板や下層材料が露出した部分をエッチングすることがで
きるため、下層を露出させる幅を狭くすれば露光ビーム
スポット径以下の溝やプリピットを形成することができ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら下層をエ
ッチングすることによって細い案内溝やプリピットを得
る方法では、ウェットエッチングの場合、所望の深さを
エッチングするまでに等方的にエッチングが進行するた
めサイドエッチングが生じ、溝やプリピットの幅が広が
ってしまうという問題が生じる。
ッチングすることによって細い案内溝やプリピットを得
る方法では、ウェットエッチングの場合、所望の深さを
エッチングするまでに等方的にエッチングが進行するた
めサイドエッチングが生じ、溝やプリピットの幅が広が
ってしまうという問題が生じる。
【０００６】また、リアクティブ・イオンエッチングや
プラズマエッチングなど異方的にエッチングを進行させ
るドライエッチングによって溝形成を行う方法もある
が、ドライエッチングよりウェットエッチングが材料に
よる選択比がとれ、界面での良好な平坦性を得ることが
容易であるため、光ディスクのように溝やプリピットの
底の平坦性が要求される場合には、現在通常行われてい
るように、最終的に形成される溝形成にはウェットエッ
チングをするのが適している。
プラズマエッチングなど異方的にエッチングを進行させ
るドライエッチングによって溝形成を行う方法もある
が、ドライエッチングよりウェットエッチングが材料に
よる選択比がとれ、界面での良好な平坦性を得ることが
容易であるため、光ディスクのように溝やプリピットの
底の平坦性が要求される場合には、現在通常行われてい
るように、最終的に形成される溝形成にはウェットエッ
チングをするのが適している。
【０００７】この発明はウェットエッチングの上記問題
を解消し、レーザ集光ビーム径よりも幅の狭い案内溝や
プリピットを精度良く形成することができる光ディスク
原盤の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
を解消し、レーザ集光ビーム径よりも幅の狭い案内溝や
プリピットを精度良く形成することができる光ディスク
原盤の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光ディス
ク原盤の製造方法は、基板上に第１のポジ型フォトレジ
スト層(以下、下層レジスト層という)を形成し、下層レ
ジスト層の表面にポジ型フォトレジストと混合しない中
間層を膜厚５０〜３００Åで形成し、中間層の表面に第
２のポジ型フォトレジスト層(以下、上層レジスト層と
いう)を形成し、上層レジスト層をレーザビームにより
１回目の露光をし現像して案内溝とプリピットを形成
し、上層レジスト層をマスクとして中間層の露出した部
分をエッチングしたのち上層レジスト層と中間層をマス
クとして下層レジスト層を感光させる波長を持つ光を均
一に照射して２回目の露光を行い、下層レジスト層を現
像してからマスクとして残っている上層レジスト層と中
間層を剥離することを特徴とする。
ク原盤の製造方法は、基板上に第１のポジ型フォトレジ
スト層(以下、下層レジスト層という)を形成し、下層レ
ジスト層の表面にポジ型フォトレジストと混合しない中
間層を膜厚５０〜３００Åで形成し、中間層の表面に第
２のポジ型フォトレジスト層(以下、上層レジスト層と
いう)を形成し、上層レジスト層をレーザビームにより
１回目の露光をし現像して案内溝とプリピットを形成
し、上層レジスト層をマスクとして中間層の露出した部
分をエッチングしたのち上層レジスト層と中間層をマス
クとして下層レジスト層を感光させる波長を持つ光を均
一に照射して２回目の露光を行い、下層レジスト層を現
像してからマスクとして残っている上層レジスト層と中
間層を剥離することを特徴とする。
【０００９】上記下層レジスト層を形成するフォトレジ
ストを塗布後の熱処理する温度は上層レジスト層を形成
するフォトレジストを塗布後の熱処理する温度より高く
することが望ましい。
ストを塗布後の熱処理する温度は上層レジスト層を形成
するフォトレジストを塗布後の熱処理する温度より高く
することが望ましい。
【００１０】また、２回目の露光を行うとき、上層レジ
スト層と中間層の残された部分における下層レジスト層
への光の透過率を３０％以下にすると良い。
スト層と中間層の残された部分における下層レジスト層
への光の透過率を３０％以下にすると良い。
【００１１】さらに、２回目の露光によって照射する光
の波長を１回目の露光におけるレーザ集光ビームよりも
短い波長のものを用いると良い。
の波長を１回目の露光におけるレーザ集光ビームよりも
短い波長のものを用いると良い。
【００１２】また、２回目の露光を行うとき、上層レジ
スト層の温度上昇を２０℃以下に保つことが望ましい。
スト層の温度上昇を２０℃以下に保つことが望ましい。
【００１３】
【発明の実施の形態】この発明の光ディスク原盤の製造
方法は、ガラス基板上にスピンコート法により遠紫外線
用ポジ型フォトレジストを均一な厚さで塗布して下層レ
ジスト層を形成する。この下層レジスト層の表面にポジ
型フォトレジストと混合しない中間層を膜厚５０〜３０
０Åで形成し、中間層の表面にｉ線系ポジ型フォトレジ
ストをスピンコート法により塗布して上層レジスト層を
形成する。この上層レジスト層をレーザビームにより１
回目の露光をして現像し、案内溝とプリピットを形成す
る。この上層レジスト層をマスクとして中間層の露出し
た部分をエッチングする。この中間層をエッチングする
ときに、中間層の膜厚を５０〜３００Åと薄くしてある
から、ウェットエッチングを行う際のサイドエッチング
の影響を防ぐことができる。その後、上層レジスト層と
中間層をマスクとして下層レジスト層を感光させる波長
を持つ光を均一に照射して２回目の露光を行い、下層レ
ジスト層を現像してからマスクとして残っている上層レ
ジスト層と中間層を除去する。その後、微細なレジスト
パターンの下層レジスト層とガラス基板表面にニッケル
膜をスパッタリングし、このニッケル膜を電極としてさ
らにニッケルによって電鋳を行う。このニッケル板を基
板から剥離し、表面洗浄と裏面研磨を行って光ディスク
基板作成の型となるスタンパを作成する。
方法は、ガラス基板上にスピンコート法により遠紫外線
用ポジ型フォトレジストを均一な厚さで塗布して下層レ
ジスト層を形成する。この下層レジスト層の表面にポジ
型フォトレジストと混合しない中間層を膜厚５０〜３０
０Åで形成し、中間層の表面にｉ線系ポジ型フォトレジ
ストをスピンコート法により塗布して上層レジスト層を
形成する。この上層レジスト層をレーザビームにより１
回目の露光をして現像し、案内溝とプリピットを形成す
る。この上層レジスト層をマスクとして中間層の露出し
た部分をエッチングする。この中間層をエッチングする
ときに、中間層の膜厚を５０〜３００Åと薄くしてある
から、ウェットエッチングを行う際のサイドエッチング
の影響を防ぐことができる。その後、上層レジスト層と
中間層をマスクとして下層レジスト層を感光させる波長
を持つ光を均一に照射して２回目の露光を行い、下層レ
ジスト層を現像してからマスクとして残っている上層レ
ジスト層と中間層を除去する。その後、微細なレジスト
パターンの下層レジスト層とガラス基板表面にニッケル
膜をスパッタリングし、このニッケル膜を電極としてさ
らにニッケルによって電鋳を行う。このニッケル板を基
板から剥離し、表面洗浄と裏面研磨を行って光ディスク
基板作成の型となるスタンパを作成する。
【００１４】
【実施例】図１はこの発明の一実施例の製造方法を示す
工程図である。図に示すように、光ディスク原盤の製造
方法は、（ａ）に示すように、表面が精密に研磨された
ガラス基板１の表面をＵＶ／Ｏ3による洗浄処理をして
高圧水洗によって表面の洗浄を行う。洗浄されたガラス
基板１をスピナーにのせ、スピンコート法により遠紫外
線用ポジ型フォトレジストをガラス基板１面内に均一に
なるように約６００Åの厚さで塗布して下層レジスト層
２を形成する。この下層レジスト層２の膜厚が最終的に
スタンパ表面に形成されるピットや溝の深さに相当す
る。その後、約１１０℃でベーキングを行い下層レジス
ト層２の溶剤を蒸発させる。次ぎに、（ｂ）に示すよう
に中間層３を形成する。この中間層３を形成する材質
は、下層レジスト層２と（ｃ）に示すように中間層３の
表面に形成する上層レジスト層４の混合を避けられるも
のを選択する。また、上層レジスト層４を現像するとき
のアルカリ現像液にも溶解しないものを選択する。この
中間層３の材料としては、Ｎｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚ
ｎ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓｂなどの金属を使用したり、
Ｉｎ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｎＳ，ＴｉＯ2，Ｃｅ
Ｏ2などの誘電体材料を用いても良い。これらの材料の
薄膜による中間層３はスパッタリングや蒸着などによっ
て成膜され、膜厚としては５０〜３００Åとするのが良
い。
工程図である。図に示すように、光ディスク原盤の製造
方法は、（ａ）に示すように、表面が精密に研磨された
ガラス基板１の表面をＵＶ／Ｏ3による洗浄処理をして
高圧水洗によって表面の洗浄を行う。洗浄されたガラス
基板１をスピナーにのせ、スピンコート法により遠紫外
線用ポジ型フォトレジストをガラス基板１面内に均一に
なるように約６００Åの厚さで塗布して下層レジスト層
２を形成する。この下層レジスト層２の膜厚が最終的に
スタンパ表面に形成されるピットや溝の深さに相当す
る。その後、約１１０℃でベーキングを行い下層レジス
ト層２の溶剤を蒸発させる。次ぎに、（ｂ）に示すよう
に中間層３を形成する。この中間層３を形成する材質
は、下層レジスト層２と（ｃ）に示すように中間層３の
表面に形成する上層レジスト層４の混合を避けられるも
のを選択する。また、上層レジスト層４を現像するとき
のアルカリ現像液にも溶解しないものを選択する。この
中間層３の材料としては、Ｎｉ，Ａｌ，Ａｇ，Ａｕ，Ｚ
ｎ，Ｐｔ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｓｂなどの金属を使用したり、
Ｉｎ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｎＳ，ＴｉＯ2，Ｃｅ
Ｏ2などの誘電体材料を用いても良い。これらの材料の
薄膜による中間層３はスパッタリングや蒸着などによっ
て成膜され、膜厚としては５０〜３００Åとするのが良
い。
【００１５】この中間層３の表面に（ｃ）に示すように
上層レジスト層４を形成する。上層レジスト層４はｉ線
系ポジ型フォトレジストをスピンコート法により成膜す
る。この上層レジスト層４の膜厚は約２０００Åとす
る。その後、約９０℃でベーキングを行い上層レジスト
層４の溶剤を蒸発させる。このようにして上層レジスト
層４のベーキング温度を約９０℃と下層レジスト層２の
ベーキング温度である約１１０℃より低くすることによ
り、上層レジスト層４をベーキングするときに下層レジ
スト層２から蒸発気体が発生することを防ぎ、発生した
気体が中間層３と上層レジスト層４を通って欠陥を作る
ことを防ぐことができる。
上層レジスト層４を形成する。上層レジスト層４はｉ線
系ポジ型フォトレジストをスピンコート法により成膜す
る。この上層レジスト層４の膜厚は約２０００Åとす
る。その後、約９０℃でベーキングを行い上層レジスト
層４の溶剤を蒸発させる。このようにして上層レジスト
層４のベーキング温度を約９０℃と下層レジスト層２の
ベーキング温度である約１１０℃より低くすることによ
り、上層レジスト層４をベーキングするときに下層レジ
スト層２から蒸発気体が発生することを防ぎ、発生した
気体が中間層３と上層レジスト層４を通って欠陥を作る
ことを防ぐことができる。
【００１６】この下層レジスト層２と中間層３及び上層
レジスト層４が積層されたガラス基板１を原盤露光機の
ターンテーブルにのせ、（ｄ）に示すように、波長４０
０〜４２０ｎｍのレーザビーム５を集光させて上層レジ
スト層４を露光する。この露光は約７ｍ／ｓで線速度一
定（ＣＬＶ）となるよう、ターンテーブルの回転数を制
御してスパイラル状に露光を行う。そのようにして上層
レジスト層４に潜像を形成した後、スピナーによって低
速回転で現像し純水リンスを行い、高速回転で乾燥さ
せ、（ｅ）に示すように、上層レジスト層４にスパイラ
ル状の溝６を形成する。この溝６を形成するときに、露
光する光量を調節して、図２の溝６の形状を示す断面図
に示す溝６の底幅Ｗbotを制御する。この溝６の底幅Ｗb
otにより最終的に作成される案内溝やプリピットの幅を
決定することができる。
レジスト層４が積層されたガラス基板１を原盤露光機の
ターンテーブルにのせ、（ｄ）に示すように、波長４０
０〜４２０ｎｍのレーザビーム５を集光させて上層レジ
スト層４を露光する。この露光は約７ｍ／ｓで線速度一
定（ＣＬＶ）となるよう、ターンテーブルの回転数を制
御してスパイラル状に露光を行う。そのようにして上層
レジスト層４に潜像を形成した後、スピナーによって低
速回転で現像し純水リンスを行い、高速回転で乾燥さ
せ、（ｅ）に示すように、上層レジスト層４にスパイラ
ル状の溝６を形成する。この溝６を形成するときに、露
光する光量を調節して、図２の溝６の形状を示す断面図
に示す溝６の底幅Ｗbotを制御する。この溝６の底幅Ｗb
otにより最終的に作成される案内溝やプリピットの幅を
決定することができる。
【００１７】次ぎに、（ｆ）に示すように、スパイラル
状の溝６を形成した上層レジスト層４をマスクとして中
間層３をウェットエッチングによりエッチングする。こ
の中間層３をエッチングするときに、中間層３として金
属であるＡｌを使用した場合にはリン酸−硝酸−酢酸の
混合液、Ｎｉを使用した場合には硝酸−酢酸−アセトン
の混合液がエッチング液としては好ましい。また、誘電
体膜であるＩｎ2Ｏ3を中間層３として使用した場合は硝
酸、ＳｉＯ2を使用した場合はフッ酸などが適してい
る。また、中間層３のエッチングを工程作業の容易さか
らウェットエッチングにより行う場合について説明した
が、ドライエッチングによってエッチングすることも可
能である。
状の溝６を形成した上層レジスト層４をマスクとして中
間層３をウェットエッチングによりエッチングする。こ
の中間層３をエッチングするときに、中間層３として金
属であるＡｌを使用した場合にはリン酸−硝酸−酢酸の
混合液、Ｎｉを使用した場合には硝酸−酢酸−アセトン
の混合液がエッチング液としては好ましい。また、誘電
体膜であるＩｎ2Ｏ3を中間層３として使用した場合は硝
酸、ＳｉＯ2を使用した場合はフッ酸などが適してい
る。また、中間層３のエッチングを工程作業の容易さか
らウェットエッチングにより行う場合について説明した
が、ドライエッチングによってエッチングすることも可
能である。
【００１８】このように中間層３をエッチングするとき
に、中間層３の膜厚を５０〜３００Åと薄くすることに
より、ウェットエッチングを行う際のサイドエッチング
の影響を防ぐことができる。すなわち、中間層３の膜厚
が厚いとウェットエッチングを行う際にサイドエッチン
グを起こし、下層レジスト層２の露出する幅が上層レジ
スト層４に形成したスパイラル状の溝６の底幅Ｗbotよ
りも広がってしまう。これに対して中間層３の膜厚を上
層レジスト層４と下層レジスト層２の混合を防止するに
は十分な膜厚である５０〜３００Åと薄くすることによ
りウェットエッチングによるサイドエッチングをほとん
ど考慮しなくて良い。
に、中間層３の膜厚を５０〜３００Åと薄くすることに
より、ウェットエッチングを行う際のサイドエッチング
の影響を防ぐことができる。すなわち、中間層３の膜厚
が厚いとウェットエッチングを行う際にサイドエッチン
グを起こし、下層レジスト層２の露出する幅が上層レジ
スト層４に形成したスパイラル状の溝６の底幅Ｗbotよ
りも広がってしまう。これに対して中間層３の膜厚を上
層レジスト層４と下層レジスト層２の混合を防止するに
は十分な膜厚である５０〜３００Åと薄くすることによ
りウェットエッチングによるサイドエッチングをほとん
ど考慮しなくて良い。
【００１９】中間層３をエッチングして下層レジスト層
２の溝６の部分を露出させた後、（ｇ）に示すように、
均一な光７を上層レジスト層４の全面に照射して上層レ
ジスト層４と中間層３をマスクとして下層レジスト層２
の露出した部分を感光させる。この紫外線用ポジ型フォ
トレジストからなる下層レジスト層２の露出した部分を
感光させる光７の波長は２００〜３００ｎｍとして約１
２０秒露光する。このように短波長の光を用いることに
よって、上層レジスト層４と中間層３からなるマスク層
を通過した後の回折を少なくすることができ、解像度の
高い微細なパターンを下層レジスト層２に形成すること
ができる。この照射する光７の光源としては低圧水銀ラ
ンプを用いれば良いが、このほかにキセノンランプやキ
セノン−水銀ランプなどを使用しても良い。
２の溝６の部分を露出させた後、（ｇ）に示すように、
均一な光７を上層レジスト層４の全面に照射して上層レ
ジスト層４と中間層３をマスクとして下層レジスト層２
の露出した部分を感光させる。この紫外線用ポジ型フォ
トレジストからなる下層レジスト層２の露出した部分を
感光させる光７の波長は２００〜３００ｎｍとして約１
２０秒露光する。このように短波長の光を用いることに
よって、上層レジスト層４と中間層３からなるマスク層
を通過した後の回折を少なくすることができ、解像度の
高い微細なパターンを下層レジスト層２に形成すること
ができる。この照射する光７の光源としては低圧水銀ラ
ンプを用いれば良いが、このほかにキセノンランプやキ
セノン−水銀ランプなどを使用しても良い。
【００２０】このように下層レジスト層２の露出した部
分を感光させるとき、上層レジスト層４と中間層３の残
された部分のマスクとなる部分における下層レジスト層
２への光の透過率を照射光量の３０％以下にすると良
い。このようにマスクとなる部分の光の透過率を小さく
することにより、下層レジスト層２のマスクとなる部分
で覆われた部分が感光することを防ぎ、溝６の部分と他
の部分のコントラストを確保することができる。この実
施例のように上層レジスト層４をｉ線系ポジ型レジスト
で約２０００Åの膜厚で形成すると、短波長の紫外光に
対しては透過率が低いため、ほとんど上層レジスト層４
のマスク部分で照射した光７を遮断することができる。
また、照射する光７の波長が長くなり、マスクとする上
層レジスト層４のその波長に対する透過率が高くなった
場合には、中間層３の材料に反射率の高いＡｌなどを用
いることによって、下層レジスト層２の露出していない
部分での露光を防ぐことができる。
分を感光させるとき、上層レジスト層４と中間層３の残
された部分のマスクとなる部分における下層レジスト層
２への光の透過率を照射光量の３０％以下にすると良
い。このようにマスクとなる部分の光の透過率を小さく
することにより、下層レジスト層２のマスクとなる部分
で覆われた部分が感光することを防ぎ、溝６の部分と他
の部分のコントラストを確保することができる。この実
施例のように上層レジスト層４をｉ線系ポジ型レジスト
で約２０００Åの膜厚で形成すると、短波長の紫外光に
対しては透過率が低いため、ほとんど上層レジスト層４
のマスク部分で照射した光７を遮断することができる。
また、照射する光７の波長が長くなり、マスクとする上
層レジスト層４のその波長に対する透過率が高くなった
場合には、中間層３の材料に反射率の高いＡｌなどを用
いることによって、下層レジスト層２の露出していない
部分での露光を防ぐことができる。
【００２１】さらに、光７を照射して下層レジスト層２
の露出した部分を感光させるときに上層レジスト層４の
温度上昇を例えば２０℃以下にするように、合成石英板
を光源と上層レジスト層４の間に入れ物理的に熱遮断を
したり、装置全体を冷却して水冷する。このように上層
レジスト層４の温度上昇を防ぐことにより、上層レジス
ト層４の熱による架橋を防止することができ、上層レジ
スト層４を除去するときに円滑に剥離することができ
る。
の露出した部分を感光させるときに上層レジスト層４の
温度上昇を例えば２０℃以下にするように、合成石英板
を光源と上層レジスト層４の間に入れ物理的に熱遮断を
したり、装置全体を冷却して水冷する。このように上層
レジスト層４の温度上昇を防ぐことにより、上層レジス
ト層４の熱による架橋を防止することができ、上層レジ
スト層４を除去するときに円滑に剥離することができ
る。
【００２２】このように下層レジスト層２の露出した部
分を感光させて潜像を形成させた後、ガラス基板１をス
ピナーにより低速回転しながら現像して純水で洗浄して
から高速回転させて乾燥して、（ｈ）に示すように、下
層レジスト層２に微細なパターン８を形成する。その
後、（ｉ）に示すように、マスクとして使用した上層レ
ジスト層４をイソプロピルアルコールによって除去して
から中間層３を除去する。ここで上層レジスト層４の除
去は、上層レジスト層４のフォトレジストを溶解させる
もの例えばアセトンや洗浄などで使われるシンナーなど
でも良い。また、中間層３の除去は中間層３のエッチン
グに使用した溶液と同じものを使用するれば良い。この
ようにして形成された微細なレジストパターン８を有す
るガラス基板１を約１３０℃でポストベーキングを行
う。その後、微細なレジストパターンの下層レジスト層
２とガラス基板１表面にニッケル膜を約５００Åの厚さ
でスパッタリングし、このニッケル膜を電極としてさら
にニッケルによって電鋳を行う。このニッケル板を基板
から剥離し、表面洗浄と裏面研磨を行って光ディスク基
板作成の型となるスタンパを作成する。
分を感光させて潜像を形成させた後、ガラス基板１をス
ピナーにより低速回転しながら現像して純水で洗浄して
から高速回転させて乾燥して、（ｈ）に示すように、下
層レジスト層２に微細なパターン８を形成する。その
後、（ｉ）に示すように、マスクとして使用した上層レ
ジスト層４をイソプロピルアルコールによって除去して
から中間層３を除去する。ここで上層レジスト層４の除
去は、上層レジスト層４のフォトレジストを溶解させる
もの例えばアセトンや洗浄などで使われるシンナーなど
でも良い。また、中間層３の除去は中間層３のエッチン
グに使用した溶液と同じものを使用するれば良い。この
ようにして形成された微細なレジストパターン８を有す
るガラス基板１を約１３０℃でポストベーキングを行
う。その後、微細なレジストパターンの下層レジスト層
２とガラス基板１表面にニッケル膜を約５００Åの厚さ
でスパッタリングし、このニッケル膜を電極としてさら
にニッケルによって電鋳を行う。このニッケル板を基板
から剥離し、表面洗浄と裏面研磨を行って光ディスク基
板作成の型となるスタンパを作成する。
【００２３】
【発明の効果】この発明は以上説明したように、上層レ
ジスト層をマスクとしてエッチングする中間層の膜厚を
５０〜３００Åと薄い厚さにしたから、ウェットエッチ
ングを行う際のサイドエッチングの影響を防ぐことがで
き、サイドエッチングにより下層レジスト層に形成する
溝幅が大きくなることを防止して、レーザ集光ビームの
限界以下の幅の溝やプリピットを精度良く形成すること
ができる。
ジスト層をマスクとしてエッチングする中間層の膜厚を
５０〜３００Åと薄い厚さにしたから、ウェットエッチ
ングを行う際のサイドエッチングの影響を防ぐことがで
き、サイドエッチングにより下層レジスト層に形成する
溝幅が大きくなることを防止して、レーザ集光ビームの
限界以下の幅の溝やプリピットを精度良く形成すること
ができる。
【００２４】また、下層レジスト層を形成するフォトレ
ジストを塗布後の熱処理する温度を上層レジスト層を形
成するフォトレジストを塗布後の熱処理する温度より高
くすることにより、上層レジスト層を熱処理するときに
下層レジスト層から蒸発気体が発生することを防いで中
間層と上層レジスト層に欠陥が生じることを防ぐことが
できる。
ジストを塗布後の熱処理する温度を上層レジスト層を形
成するフォトレジストを塗布後の熱処理する温度より高
くすることにより、上層レジスト層を熱処理するときに
下層レジスト層から蒸発気体が発生することを防いで中
間層と上層レジスト層に欠陥が生じることを防ぐことが
できる。
【００２５】また、２回目の露光を行うとき、上層レジ
スト層と中間層の残された部分における下層レジスト層
への光の透過率を３０％以下にすることにより、下層レ
ジスト層のマスクとなる部分で覆われた部分が感光する
ことを防ぎ、下層レジスト層の感光部分と他の部分のコ
ントラストを確保することができ、安定した幅の溝やプ
リピットを精度良く形成することができる。
スト層と中間層の残された部分における下層レジスト層
への光の透過率を３０％以下にすることにより、下層レ
ジスト層のマスクとなる部分で覆われた部分が感光する
ことを防ぎ、下層レジスト層の感光部分と他の部分のコ
ントラストを確保することができ、安定した幅の溝やプ
リピットを精度良く形成することができる。
【００２６】さらに、２回目の露光によって照射する光
の波長を１回目の露光におけるレーザ集光ビームよりも
短い波長のものを用いることにより、２回目の露光をす
るときに、上層レジスト層と中間層からなるマスク層を
通過した後の回折を少なくすることができ、解像度の高
い微細なパターンを下層レジスト層に形成することがで
きる。
の波長を１回目の露光におけるレーザ集光ビームよりも
短い波長のものを用いることにより、２回目の露光をす
るときに、上層レジスト層と中間層からなるマスク層を
通過した後の回折を少なくすることができ、解像度の高
い微細なパターンを下層レジスト層に形成することがで
きる。
【００２７】また、２回目の露光を行うとき、上層レジ
スト層の温度上昇を２０℃以下に保つて上層レジスト層
の温度上昇を防ぐことにより、上層レジスト層の熱によ
る架橋を防止することができ、上層レジスト層を除去す
るときに円滑に剥離することができる。
スト層の温度上昇を２０℃以下に保つて上層レジスト層
の温度上昇を防ぐことにより、上層レジスト層の熱によ
る架橋を防止することができ、上層レジスト層を除去す
るときに円滑に剥離することができる。
【図１】この発明の実施例の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図２】上層レジスト層を露光，現像して形成した溝形
状を示す断面図である。
状を示す断面図である。
１；ガラス基板、２；下層レジスト層、３；中間層、
４；上層レジスト層、６；溝、８；パターン。
４；上層レジスト層、６；溝、８；パターン。
フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA02 AA04 AB20 AC01 AC04 AC08 AD03 BJ00 DA14 DA19 DA20 EA04 EA10 FA10 FA30 FA40 FA47 FA50 2H096 AA30 BA09 CA12 DA01 EA02 EA04 EA23 HA03 HA11 HA17 JA01 KA03 KA06 KA08 KA12 KA13 KA15 KA16 KA23 LA01 5D121 BB04 BB07 BB23 BB25
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に第１のポジ型フォトレジスト層
(以下、下層レジスト層という)を形成し、下層レジスト
層の表面にポジ型フォトレジストと混合しない中間層を
膜厚５０〜３００Åで形成し、中間層の表面に第２のポ
ジ型フォトレジスト層(以下、上層レジスト層という)を
形成し、上層レジスト層をレーザビームにより１回目の
露光をし現像して案内溝とプリピットを形成し、上層レ
ジスト層をマスクとして中間層の露出した部分をエッチ
ングしたのち上層レジスト層と中間層をマスクとして下
層レジスト層を感光させる波長を持つ光を均一に照射し
て２回目の露光を行い、下層レジスト層を現像してから
マスクとして残っている上層レジスト層と中間層を剥離
することを特徴とする光ディスク用原盤の製造方法。 - 【請求項２】 上記下層レジスト層を形成するフォトレ
ジストを塗布後の熱処理する温度は上層レジスト層を形
成するフォトレジストを塗布後の熱処理する温度より高
くする請求項１記載の光ディスク用原盤の露光方法。 - 【請求項３】 上記２回目の露光を行うとき、上層レジ
スト層と中間層の残された部分における下層レジスト層
への光の透過率を３０％以下とする請求項１又は２記載
の光ディスク用原盤の製造方法。 - 【請求項４】 上記２回目の露光によって照射する光の
波長を１回目の露光におけるレーザ集光ビームよりも短
い波長のものを用いる請求項１，２又は３記載の光ディ
スク用原盤の製造方法。 - 【請求項５】 上記２回目の露光を行うとき、上層レジ
スト層の温度上昇を２０℃以下に保つ請求項１，２，３
又は４記載の光ディスク用原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24707599A JP2001075287A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24707599A JP2001075287A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001075287A true JP2001075287A (ja) | 2001-03-23 |
Family
ID=17158067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24707599A Pending JP2001075287A (ja) | 1999-09-01 | 1999-09-01 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001075287A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006036543A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Imation Corp. | Portable conformable deep ultraviolet master mask |
| CN112071745A (zh) * | 2019-06-10 | 2020-12-11 | 爱思开海力士有限公司 | 用于形成图案的方法 |
-
1999
- 1999-09-01 JP JP24707599A patent/JP2001075287A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006036543A1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Imation Corp. | Portable conformable deep ultraviolet master mask |
| CN112071745A (zh) * | 2019-06-10 | 2020-12-11 | 爱思开海力士有限公司 | 用于形成图案的方法 |
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