JP2003022582A

JP2003022582A - 光ディスク用原盤の製造方法

Info

Publication number: JP2003022582A
Application number: JP2001203095A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Hashiguchi; 強橋口
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2001-07-04
Filing date: 2001-07-04
Publication date: 2003-01-24

Abstract

(57)【要約】【課題】高密度光ディスクのプレピットや案内溝に対
応できる、光ディスク用原盤を安定、かつ的確に製造す
る方法を提供する。【解決手段】ガラス基板１上に非感光性の水溶性樹脂
からなる下層２を形成し、この下層上に感光性樹脂から
なる上層３を形成する。露光用のレーザービーム８を上
層に集光し、パターン領域を露光して潜像を形成した
後、該潜像を現像液で現像してパターンを形成する。パ
ターン形成後の上層をマスクとして下層を光オゾンアッ
シングし、その後、上層の剥離工程、導電膜形成工程、
電鋳工程、電鋳膜（スタンパ層１２）の剥離工程およ
び、この電鋳膜に対する所定の後処理工程を経て所望の
原盤を得る。前記上層形成工程では、上層の厚さを１０
０ｎｍ〜３００ｎｍとし、前記現像工程では、現像液と
して規定度が０．３０Ｎ〜０．５５Ｎのものを用いて７
５秒〜１５０秒間現像する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスクを製造
するのに用いられる光ディスク用原盤の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクの基板上には情報の記録、再
生に用いる光ビームを導くための案内溝やプリピットが
形成されている。この案内溝やプリピットは成形加工の
技術を利用して作られるが、その成形型は後述の光ディ
スク用原盤を基に作られる。

【０００３】従来の光ディスク用原盤の製造法は、ガラ
ス基板に感光性樹脂（以下、フォトレジストと称するこ
とがある）の層を形成し、所定のフォーマットに従って
光変調されたレーザー集光ビームで前記フォトレジスト
層を露光し、案内溝やプリピットの潜像を形成する。こ
の露光された原盤を現像処理することによりガラス基板
表面にフォトレジスト層の凹凸をつくる。この凹凸状の
フォトレジスト層の表面に導電性材料をスパッタ成膜
し、更にメッキによって厚い層にする。フォトレジスト
層を剥離すると、凹凸形状を反転させたメッキ層による
スタンパと呼ばれる金型ができる。この金型を使用し
て、案内溝やプリピットを成形した光ディスクの基板を
製造する。

【０００４】近年の情報記憶媒体の容量増加という要求
に対応し、更なる高密度化を実現する光ディスク技術が
検討されている。案内溝やプリピットについても、細
く、小さく、且つ狭間隔という厳しい条件が要求され、
それに対応できるスタンパが、したがって、そのための
光ディスク用原盤が必要となる。細い案内溝、小さいプ
リピットには、光ディスク用原盤製作でのフォトレジス
ト露光に遠紫外光や電子線を用いて露光ビーム径を細く
するか、又は露光ビーム径以下のパターンを作成する技
術が必要になる。

【０００５】このような高密度化用の光ディスク用原盤
の製造のために、従来のフォトレジスト層上にスタンパ
となるメッキ層を直接形成する方式に代わり、種々の方
法が検討されている。案内溝やプリピットのパターンが
形成されたフォトレジスト層をマスクとして下層部をエ
ッチング、パターン化し、フォトレジスト層を除去後、
下層部の表面にメッキ層を形成して、そのメッキ層をス
タンパに用いる方法である。

【０００６】一つの方法は、ガラス基板上のフォトレジ
スト層をパターン化し、このフォトレジスト層をマスク
としてガラス基板の露出部分を所望の深さまでリアクテ
ィブイオンエッチングする。残留フォトレジスト層を除
去後に、メッキ層を形成してスタンパを作成する。この
スタンパを用いて、低ノイズレベルの光ディスクを製造
する方法が開示されている（特開平１０−２４１２１３
号公報）。

【０００７】フォトレジスト層をマスクとして下層部を
エッチングする方法では、露光ビーム径以下の案内溝や
プリピットができることが知られている。図３の断面図
に示すように、露光ビーム５の強度のガウス分布を反映
して、現像後のフォトレジスト層３の開口部の底幅４が
狭くなる。フォトレジスト層３をマスクとしてエッチン
グされた下層２は、底幅４に応じてエッチングされる。
フォトレジスト層３を除去し、この下層２上にメッキ層
（不図示）を形成する。そのメッキ層を剥離すれば、露
光ビーム径以下の案内溝やプリピットを有するスタンパ
となる。なお、図３において符号１はガラス基板であ
る。

【０００８】この下層部に関して、特開平９−１０６５
８４号公報では、ガラス基板上に下層（シリコン膜
等）、中間層（酸化シリコン膜等）を積層した構成と
し、更に上層としてのフォトレジスト層を設けている。
露光、現像したフォトレジスト層をマスクとして中間層
をエッチングする。次に、このパターン化された中間層
をマスクとして下層をエッチングする。下層の開口部は
中間層の開口部の底幅によって規定されるため、更に小
さい開口のパターンが出来る。この下層上をメッキし、
スタンパを作成するものである。

【０００９】下層部の形成、エッチング、後処理等をよ
り合理的に実現する技術として、本出願人による特開２
０００−１１３５２６号公報に記載の技術がある。この
技術では、ガラス基板上に、例えば水溶性樹脂材料から
なる下層を形成し、この上にフォトレジストからなる上
層を塗布、乾燥する。ついでこの上層の露光、現像を行
い、上層に所定パターンを形成する。これにより前述と
同様に、露光ビーム強度のガウス分布を反映して、上層
の開口部は図３に示す断面形状となる。

【００１０】次いで、このフォトレジストからなるパタ
ーン化した上層をマスクとして、下層の水溶性樹脂層を
光オゾンアッシング処理し、水溶性樹脂層にマスクのパ
ターンを転写する。水溶性樹脂層のパターン形状は上層
のフォトレジストのパターン底幅に規定されるため、露
光ビーム径以下のサイズのプリピットや案内溝のパター
ンを形成することが、前述と同様に可能となる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開平９−１０６５８４号公報に開示された下層／中間層
／上層（フォトレジスト層）の構成を実現するには、中
間層、下層をリアクティブイオンエッチングする大掛か
りな装置が必要で、製造工数も多くなる。また、前記特
開平１０−２４１２１３号公報のように、ガラス基板を
直接リアクティブイオンエッチングする方法では、同様
に大掛かりな装置が必要になるし、溝の深さの制御はエ
ッチング時間によっているため、精密な技術も必要とす
る。

【００１２】一方、前記特開２０００−１１３５２６号
公報では、下層を水溶性高分子材料を用いた層で構成
し、上層のフォトレジスト層をマスクに光オゾンアッシ
ングして下層をエッチングしパターン形成している。こ
の方法は簡易的であり、製造工数も少ない。また、溝の
深さは下層の厚さで決まるので、プリピットや案内溝の
深さ、これらの底部の平面度が制御しやすいという利点
もある。

【００１３】しかし、プリピットや案内溝の密度を高め
るために、露光のピット間隔を狭めていくと、前述の露
光ビーム強度のガウス分布を反映させ、マスクの開口部
の底幅を露光ビーム径以下にする方法において、次のよ
うな問題が発生する。

【００１４】ピット間隔が露光ビーム径に近づくと、露
光ビーム強度のガウス分布の裾野に相当する部分が隣の
ピットの露光の裾野と重なり始める。ピット間隔が露光
ビーム径程度かそれ以下になると、その重なりは上層パ
ターンの形状へ後述のような影響を及ぼす。このような
上層をマスクとして下層をアッシングするのでは、目標
とするスタンパは得られない。

【００１５】図４は、フォトレジストの上層３の露光、
現像後の状態を断面図で示したもので、（ａ）はピット
間隔が露光ビーム径に比較してある程度広い場合、
（ｂ）はピット間隔が狭くなり、露光ビームの一部が隣
同士で重なって露光された場合を示している。また、
（ａ）では非露光部６として充分な高さが残るが、
（ｂ）では完全な非露光部とはならない境界部７とし
て、ある高さのフォトレジストが残る。

【００１６】図４（ａ）に示す上層をマスクとして下層
をアッシングした場合は、マスクとしての充分な高さ
（厚さ）が確保されているので、下層に安定したパター
ンを形成できる。しかし、図４（ｂ）に示す上層をマス
クにした場合には、充分な高さ（境界部７の高さ）が確
保されておらず、下層の露出部以外もアッシングの影響
を受け、安定したパターンの形成、即ち、転写ができな
くなる。

【００１７】したがって本発明の目的は、従来技術の上
記問題点を解決した光ディスク用原盤の製造方法を提供
することである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明の基本は、潜像形
成での露光ビーム強度を小さくできるような現像条件で
上層の潜像を現像する所にあり、この技術を基にピット
間隔が狭い高密度の光ディスク用原盤を安定に製造する
ことが可能になる。

【００１９】請求項１に記載の発明は、ガラス基板上に
非感光性の水溶性樹脂からなる下層を形成する第１の工
程と、下層上に感光性樹脂からなる上層を形成する第２
の工程と、露光ビームを上層に集光しパターン領域を露
光して潜像を形成する第３の工程と、潜像が形成された
上層を現像液で現像してパターンを形成する第４の工程
と、パターンが形成された上層をマスクとして下層を光
オゾンアッシングする第５の工程とを含み、前記第２の
工程では上層の厚さを１００ｎｍから３００ｎｍとし、
前記第４の工程では、現像液として規定度が０．３０Ｎ
から０．５５Ｎのものを用いて７５秒から１５０秒間現
像することを特徴とする光ディスク用原盤の製造方法で
ある。

【００２０】請求項２に記載の発明は、前記第４の工程
では、ガラス基板を回転速度１５０ｒｐｍから４００ｒ
ｐｍで回転させながら現像液を供給して現像することを
特徴とする請求項１に記載の光ディスク用原盤の製造方
法である。

【００２１】請求項３に記載の発明は、前記現像液が水
酸化カリウム、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモ
ニウムハイドロオキサイド、リン酸塩、ケイ酸塩のいず
れかを含むアルカリ溶液であることを特徴とする請求項
１に記載の光ディスク用原盤の製造方法である。

【００２２】請求項４に記載の発明は、前記上層を、前
記現像後の残膜率が８５％以上となる感光性樹脂を用い
て形成することを特徴とする請求項１に記載の光ディス
ク用原盤の製造方法である。

【００２３】請求項５に記載の発明は、前記上層を、波
長３２０ｎｍ以下の紫外光の透過率が３０％以下である
感光性樹脂を用いて形成することを特徴とする請求項１
に記載の光ディスク用原盤の製造方法である。

【００２４】請求項６に記載の発明は、前記第２の工程
で形成する上層の厚さを、前記第１の工程で形成する下
層の厚さの２倍以上にすることを特徴とする請求項１に
記載の光ディスク用原盤の製造方法である。

【００２５】請求項７に記載の発明は、前記第２の工程
では、下層上に感光性樹脂を塗布した後、７０℃から９
０℃の温度で熱処理することにより上層を形成すること
を特徴とする請求項１に記載の光ディスク用原盤の製造
方法である。

【００２６】請求項８に記載の発明は、前記熱処理をク
リーンオーブン内で１５分から３０分間行うことを特徴
とする請求項７に記載の光ディスク用原盤の製造方法で
ある。

【００２７】本発明方法では、ピット間隔が露光ビーム
径程度かそれ以下の潜像を形成し、現像した上層のマス
クにおいても、開口部に対する非開口部（上層の感光性
樹脂の残部）の厚さが充分確保でき、光オゾンアッシン
グに対する耐久性が向上する。このような上層マスクを
用いると、下層を安定に光オゾンアッシングできるの
で、下層には良質なパターンが転写されることになる。

【００２８】基板を回転させながら現像すると、均一性
良く現像され、１５０〜４００ｒｐｍの回転速度が特に
好ましい条件である。この回転速度は、特性的には上層
上の現像液の滞留性と関連しており、また、現像液の使
用効率の経済性も無視できない。現像液としては、水酸
化カリウム、水酸化ナトリウム、テトラメチルアンモニ
ウムハイドロオキサイド、リン酸塩、ケイ酸塩のいずれ
かを含むアルカリ溶液を用いるのが均一な現像などの点
から好ましい。

【００２９】現像後の非露光部分の残膜率（後述）は８
５％以上を確保でき、また光オゾンアッシング時に照射
される波長３２０ｎｍ以下の紫外光に対する透過率を３
０％以下に抑えることが、下層の安定なパターン形成
（転写）に望ましく、これに適う感光性樹脂を上層に用
いるのが好ましい。「残膜率が高い」とは、ピット間境
界部の現像液への溶出率が低いことであり、これによ
り、境界部の残存高さも確保しやすくなる。「紫外光の
透過率が低い」ことにより、アッシング時の紫外光の下
層への影響が抑制される。

【００３０】上層は下層の厚さの２倍以上の厚さに形成
することが、下層のアッシングを安定に行うために好ま
しい。これにより、下層をアッシングする時間に対応し
て、上層の耐久力を保持させることができる。感光性樹
脂からなる上層の熱処理条件は、露光感度の観点から、
温度は７０〜９０℃が好ましく、更にクリーンオーブン
内で１５〜３０分にするのが良い。

【００３１】

【発明の実施の形態】ここで、本発明の光ディスク用原
盤の製造方法を、図１（ａ）から（ｈ）に従って説明す
る。原盤の実体は円板状であるが、図１にはその一部を
断面図で示してある。

【００３２】表面が精密に研磨されたガラス基板１を用
意し、基板表面の洗浄を行う。ガラス基板１をスピンコ
ータ（不図示）にセットし、スピンコート法により下層
２の材料の塗布を行う。下層材料としては、非感光性の
水溶性樹脂を用い、具体的にはポリビニルアルコール、
変性ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、メ
チルセルロースなどが好ましい。塗布した材料を、クリ
ーンオーブン中で１６０〜２４０℃で約３０分の熱処理
を行う。下層２の厚さは、所望のスタンパの出来上がり
寸法に合わせて決めるが、標準的には約５０ｎｍにし
た。図１（ａ）はガラス基板１上に下層２が形成された
状態を示す。

【００３３】次に、下層２の上に、スピンコート法によ
り上層３の材料としてのフォトレジストの塗布を行う。
フォトレジストとしては、ｉ線系フォトレジストを用い
ると都合が良い。ノボラック樹脂を成分に持つｉ線系フ
ォトレジストでは、その構造上から紫外線が透過しにく
く、後工程の光オゾンアッシングでの紫外線（特に、波
長３２０ｎｍ以下で）を遮断する効果を大きくできる点
からこの材料を選択した。塗布したフォトレジストはク
リーンオーブンで熱処理、乾燥し上層３とする。熱処理
の条件は、露光感度を下げないためには温度は高くせ
ず、時間も長くないようにするのが良く、温度は７０〜
９０℃、時間は１５〜３０分が好ましい範囲である。図
１（ｂ）は、下層２上に上層３を形成した状態を示して
いる。

【００３４】上層３の厚さ範囲の好ましい下限と上限と
は、主として、次のような理由で決まる。上層３のパタ
ーンをマスクとして下層２を光オゾンアッシングする際
に、下層２の非露出部を覆う上層３が、照射される紫外
線と化学的作用に対してどれ程の遮蔽率を持つか、即
ち、下層２への影響を防御できる上層３の厚さにより、
前記下限が求まる。この下限の値には、後述する現像過
程での残膜率の条件も加味しておく必要がある。これに
対し、上限の設定条件のうちでは、実効的な露光感度を
下げない、即ち、所定の底幅を持つパターンを上層３に
形成するに必要な露光光量を少なくするという条件が主
なものである。これらの条件から、上層３の好ましい厚
さの範囲として、１００〜３００ｎｍの数値範囲を設定
した。

【００３５】この状態の光ディスク用原盤を原盤露光機
のターンテーブル（不図示）にのせ、波長４００〜４２
０ｎｍのレーザービーム８を対物レンズ９で上層３に集
光させて原盤露光を行う。図１（ｃ）は、この露光工程
を示すもので、符号１０が露光部分、即ち潜像部であ
る。露光は約７ｍ／秒の線速度一定（ＣＬＶ）となるよ
う、ターンテーブルの回転速度を制御し、原盤上をスパ
イラル状に露光する。露光光量は、レーザービーム８の
光強度を調整して、所定の量に制御する。このようにし
て、上層３のフォトレジスト層に所定のパターンの潜像
部１０を形成する。

【００３６】潜像形成された原盤をスピナー（不図示）
にのせ、回転速度３５０ｒｐｍで回転させながら現像液
のアルカリ水溶液を滴下して現像を行い、その後、現像
の進行を止めるため純水でリンスを行い、最後に原盤を
１５００ｒｐｍで高速回転して乾燥させる。この段階の
状態を図１（ｄ）に示してある。破線で示した現像前の
上層３の厚さＨ₁は、所定の現像をすると、上層３は非
露光部６でもその厚さがＨ₂へと減少する。Ｈ₂のＨ₁に
対する比すなわち、Ｈ₂／Ｈ₁を前記した残膜率として評
価し、後述する理由等から、残膜率を８５％以上が好ま
しい条件として設定した。

【００３７】露光光量（露光ビーム強度）と現像時間と
現像液の規定度とが、上層３の現像パターンの形状に、
どの様な相関性を持つかを調査した。特に、ピット間隔
が狭い露光とその潜像の現像とが、それらの条件によっ
て、露光ビームの重なり領域での上層３の現像状態へど
う影響するかを詳細に調べた。露光ビームの重なり領
域、即ち、図４（ｂ）の境界部７の高さ確保には、端的
に表現すると、露光ビーム強度を小さく、現像時間を長
く、現像液の規定度を高くの条件が重要であると判明し
た。

【００３８】更に、上層３の開口部の底幅４（図３を参
照）で所定の値を確保する条件、前述の露光感度に係わ
る上層３の厚さ上限の条件等を加味し、後工程の光オゾ
ンアッシングに耐える境界部７の高さを保持する製造条
件として、現像時間を７５〜１５０秒、現像液の規定度
を０．３０〜０．５５Ｎ、上層３の厚さを１００〜３０
０ｎｍに設定した。

【００３９】現像時間の設定値７５〜１５０秒は、通常
に行われる現像時間の１．２〜４倍の長さにしている。
この条件により、現像後の上層３に同じ底幅４のパター
ン形状を得るのに必要な露光光量を減らすことができる
ため、実質露光ビーム径の縮小の効果が得られ、残りレ
ジストの高さ（図４（ｂ）の境界部７の高さ）を高くす
ることができる。現像時間が７５秒未満であると、露光
光量を増加する分、露光ビーム径の縮小効果が減少し、
１５０秒を超えると形状にバラツキが生じはじめる。

【００４０】現像時間を長くする場合、従来の通常技術
では、現像液の規定度を下げて上層３の表面の粗さを抑
制するように設定していた。しかし、本発明では、現像
時間が長いにもかかわらず、規定度は通常通り、または
通常より高く設定することで露光光量を減らし、前述と
同様の効果を得ている。表面の粗さに対しては、底幅４
が安定に得られれば、大きな問題にはならない。一方、
規定度の範囲は、現像の均一性を保てない、露光光量の
低減に効かなくなる、残膜率を低下させる等を考慮して
設定した。

【００４１】上層３のパターンをマスクとし、光オゾン
アッシング法を用いて下層２の露出部をエッチングす
る。図１（ｅ）はアッシングしている状態を示してお
り、紫外光１１が照射され、マスクの底幅４（図３参
照）と同一幅で下層２がエッチングされる。基板上に紫
外光１１が均一に照射され、均一にエッチングされるよ
う原盤を揺動させながらアッシングすると、より良好な
転写が下層２になされる。その後、純水で表面を洗浄す
る。

【００４２】次に、上層３を剥離する。図１（ｆ）はそ
の状態を示している。剥離に使用する溶液は、乳酸エチ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ブ
チルなどが良い。これに求められる性質は、上層３に対
する剥離性と、下層２に影響を与えず、エッチングによ
り形成された下層パターンをそのまま残すことである。
フォトレジストの剥離は一般的な有機溶媒、レジスト剥
離液によって可能であるが、下層パターンのサイドエッ
チが少ないという点では、上記の溶剤が適している。

【００４３】このようにガラス基板１上に形成された下
層２のパターンに対して、表面にＮｉ膜を約５０ｎｍス
パッタリングにより成膜し、導電膜を形成させる。更
に、このＮｉ膜を電極として、厚さ約３００μｍになる
までＮｉの電鋳を行い、スタンパ層１２を形成する。こ
の時の状態を図１（ｇ）に示す。

【００４４】次に、ガラス基板１からスタンパ層１２を
剥離する。剥離後に、スタンパ層１２に残存した下層２
を純水によって洗浄除去する。下層２は水溶性樹脂（例
えばポリビニルアルコール）で形成されているので、純
水で容易に溶解除去される。更に、裏面研磨、内外径加
工を行って、光ディスク用基盤を作成する型となるスタ
ンパのマスターすなわち光ディスク用原盤１３として完
成する。これを図１（ｈ）に示す。

【００４５】

【実施例】本発明の光ディスク用原盤の製造方法の一実
施例について説明する。ガラス基板１をスピンコータで
回転させながら、ポリビニールアルコールの溶剤を滴下
し、塗布する。クリーンオーブン内で２００℃前後の温
度で、約３０分の熱処理をする。これより作成された下
層２の厚さは約５０ｎｍである。この熱処理後に室温ま
で冷却し、下層２の上にｉ線系フォトレジストをスピン
コートし、クリーンオーブンで約２０分、８０℃で熱処
理する。これより作成された上層３の厚さは約１８０ｎ
ｍである。

【００４６】この原盤を原盤露光機で、波長４００〜４
２０ｎｍのレーザ光をレンズで上層２へ集光し、線速度
約７ｍ／ｓで露光し、潜像を形成した。条件設定のため
に、レーザ光の強度を変えて、露光光量を調整した。次
にスピナーで回転速度３５０ｒｐｍに回転させながら上
層２を、所定の規定度のアルカリ水溶液（リン酸塩とケ
イ酸塩を混合）で、所定時間の現像処理をし、引き続き
純水でリンスする。

【００４７】図２（ａ）は、この工程段階での現像時間
とピット間の境界部７残り高さｈとの関係を、現像液の
規定度をパラメータとして示している。図２（ｂ）は、
上層３の現像状態を断面図でモデル的に示したものであ
る。この図では、ピット間隔（隣接トラック間距離）を
ＴＰとし、露光ビーム径をＢＤとした。このＢＤの定義
は、露光ビーム強度のガウス分布が１／ｅ²になる径と
した。図２（ａ）は、ＴＰ／ＢＤが０．８５になる条件
で露光した場合である。露光光量は、現像後に上層３の
底幅４がほぼ一定になるように、レーザ光の強度を制御
した。

【００４８】現像時間が長い程、残り高さｈは大きくな
る。この理由は、同じ底幅４のパターン形状を得るのに
必要な露光光量を減らすことができるため、実質露光ビ
ーム径の縮小の効果が得られ、残り高さｈを高くするこ
とができるからである。現像時間が７５秒以上で実質的
な露光ビーム径の縮小効果が得られ、１５０秒を超える
と形状バラツキが生じ始める。

【００４９】現像液の規定度は０．４Ｎを使用した方
が、０．３Ｎよりも、残り高さｈは大きくなる。この理
由は、現像時間を長くするのと同様に、露光光量を減ら
すことができ、露光ビーム径の縮小効果が得やすくなる
ためである。

【００５０】前記現像処理で得た上層３をマスクとし
て、下層２を光オゾンアッシング法でエッチングし、パ
ターンを下層２へ転写し、純水で表面を洗浄した。次
に、乳酸エチルで上層３を剥離し、下層２のパターン全
体を露出する。以降は、スタンパの形成工程で、下層２
の表面にＮｉ膜を約５０ｎｍスパッタリング成膜し、更
にその上に、厚さ約３００μｍのＮｉ電鋳を形成する。
ガラス基板からＮｉ電鋳を剥離し、純水で洗浄すると、
Ｎｉ電鋳に残存していた下層２はポリビニルアルコール
からなるため容易に除去され、スタンパとして完成す
る。

【００５１】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、請求項１
の発明に係る光ディスク用原盤の製造方法によれば、高
密度化に対応した光ディスク用の原盤を、従来技術に比
べて簡便な工程で、かつ的確に製造することができ、付
随的には露光用レーザーの負担を軽減できる。このた
め、この製造方法で得られた光ディスク用原盤を使用す
ることで、高密度光ディスク用の高品質スタンパを安定
に、安価に製造することができる。また、請求項２の発
明によれば、現像（パターン形成）の効率化と均一性が
高まる。請求項３から請求項６の発明によれば、パター
ン形成が更に安定化できる。さらに請求項７、請求項８
の発明によれば、良好な露光感度を確保することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法を説明するための工程断面図
である。

【図２】本発明の実施例の結果を説明するための図であ
る。

【図３】フォトレジスト層をマスクとして下層部をエッ
チングしたときのエッチング結果を示す断面図である。

【図４】従来技術の問題点を説明するための断面図であ
る。

【符号の説明】

１ガラス基板２下層３上層（フォトレジスト層）４底幅５露光ビーム６非露光部７境界部８レーザービーム９対物レンズ１０潜像部１１紫外光１２スタンパ層１３マスター（光ディスク用原盤）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ガラス基板上に非感光性の水溶性樹脂か
らなる下層を形成する第１の工程と、下層上に感光性樹
脂からなる上層を形成する第２の工程と、露光ビームを
上層に集光しパターン領域を露光して潜像を形成する第
３の工程と、潜像が形成された上層を現像液で現像して
パターンを形成する第４の工程と、パターンが形成され
た上層をマスクとして下層を光オゾンアッシングする第
５の工程とを含み、前記第２の工程では上層の厚さを１００ｎｍから３００
ｎｍとし、前記第４の工程では、現像液として規定度が
０．３０Ｎから０．５５Ｎのものを用いて７５秒から１
５０秒間現像することを特徴とする光ディスク用原盤の
製造方法。
【請求項２】前記第４の工程では、ガラス基板を回転
速度１５０ｒｐｍから４００ｒｐｍで回転させながら現
像液を供給して現像することを特徴とする請求項１に記
載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項３】前記現像液が、水酸化カリウム、水酸化
ナトリウム、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサ
イド、リン酸塩、ケイ酸塩のいずれかを含むアルカリ溶
液であることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク
用原盤の製造方法。
【請求項４】前記上層は、前記現像後の残膜率が８５
％以上となる感光性樹脂を用いて形成することを特徴と
する請求項１に記載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項５】前記上層は、波長３２０ｎｍ以下の紫外
光の透過率が３０％以下である感光性樹脂を用いて形成
することを特徴とする請求項１に記載の光ディスク用原
盤の製造方法。
【請求項６】前記第２の工程で形成する上層の厚さ
を、前記第１の工程で形成する下層の厚さの２倍以上に
することを特徴とする請求項１に記載の光ディスク用原
盤の製造方法。
【請求項７】前記第２の工程では、下層上に感光性樹
脂を塗布した後、７０℃から９０℃の温度で熱処理する
ことにより上層を形成することを特徴とする請求項１に
記載の光ディスク用原盤の製造方法。
【請求項８】前記熱処理をクリーンオーブン内で１５
分から３０分間行うことを特徴とする請求項７に記載の
光ディスク用原盤の製造方法。