JP2002092978A - 光ディスク原盤の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 １枚のディスク上に２つの異なる深さを持つ
領域を作製するのを容易にする光ディスク原盤の製造方
法を提供する。 【解決手段】 ガラス基板１１上にフォトレジスト層を
形成する第１の工程と、前記フォトレジスト層に光ビー
ムを集光して所定のパタン１３を露光する第２の工程
と、現像、洗浄により所定のパタンを形成する第３の工
程とが実行される光ディスク原盤の製造方法において、
第１の工程にあって、あらかじめ高さの異なるガラス基
板１１の上にフォトレジスト層の形成を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光ディスクなどの製
造に用いられる光ディスク原盤、特に同一ディスク内に
深さの異なるグルーブとプリピットの両方を併せ持つ光
ディスクの原盤の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の光ディスク原盤の製作の工程で
は、まず精密に研磨、洗浄されたガラス基板にフォトレ
ジストを均一になるように塗布する。フォトレジストが
塗布されたガラス基板を、所定のフォーマットにしたが
って光変調されたレーザー集光ビームで露光し、プリピ
ットや案内溝などの潜像をフォトレジスト上に形成す
る。この露光された原盤を現像処理、洗浄処理すること
により、ガラス基板表面にフォトレジストの凸凹を作
る。それをもとに、表面に導電性金属スパッタ処理を行
い、メッキ作業を行ってスタンパを作製する。これがデ
ィスク基板のレプリカ用の型となる。

【０００３】追記型、書き換え型の光ディスクでは、案
内溝上又は案内溝間上にレーザを照射し、データの書き
込み、読み取りを行う。ここで案内溝はデータ書き込
み、読み取りを行う際でのガイドとなる。そのため、案
内溝の深さはプッシュプル方式のトラッキングエラー信
号が最大となるλ／８ｎ（λ：再生レーザ波長、ｎ：基
板の屈折率）付近に設定されることになる。

【０００４】この追記型、書き換え型の光ディスクにも
様々な理由から、記録膜上にマークを形成できるだけで
なく、書き換え不可能なプリピットがあらかじめ形成さ
れていることが要求されることがある。この理由として
は、ＲＯＭデータをある領域にあらかじめ持つ追記型、
書き換え型光ディスク、が挙げられる。また、あらかじ
めある特定領域に書き換えられない情報をプリピットと
して入れておくことにより、そのメディアが元のＲＯＭ
メディアであるか、コピーされたメディアであるかとい
う識別の手段として用いることが可能になる。ここで、
このようなプリピットを再生するには、レーザービーム
を照射した時の反射光量を信号として取り出すことか
ら、ピット深さはλ／４ｎ付近に設定することになる。

【０００５】したがって、このような再生専用領域と追
記、書き換え可能領域の両方を１枚のメディア上に有す
るためには、光ディスク原盤作製の工程で２種類の深さ
のパタンを形成する必要が出てくる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】１枚のメディアの中で
２種類の深さを持たせる光ディスク原盤の作製方法とし
て、（ａ）吸収端の異なる２種類のフォトレジストを重
ねて、波長の異なる２種類の光の照射により露光して２
種類の深さを持たせる方法（特開平６−１５０３９１号
公報）、（ｂ）下層に高感度層、上層に低感度層、それ
らの混合を防止する中間層を設け、案内溝形成時には低
パワー、プリピット形成時には高パワーで露光すること
により２種類の深さを持たせる方法（特公平６−３８２
９９号公報）が挙げられる。

【０００７】しかし、（ａ）の方法の場合、下層レジス
トの上に上層レジストを形成する際、上層レジストに含
まれる溶媒成分が下層レジストを溶解し、上下の境界が
あいまいになってしまい、深さにばらつきが発生してし
まうという問題が生じる。また、（ｂ）の方法の場合、
照射光が中間層を通過する、しないの強度で形成する深
さを決定しているため、中間層の条件設定等が厳しく、
またパタンの幅の調節も難しいという問題が生じる。

【０００８】そこで、本発明の目的は、１枚のディスク
上に２つの異なる深さを持つ領域を作製するのを容易に
する光ディスク原盤の製造方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明によると、請求項
１では、基板上にフォトレジスト層を形成する第１の工
程と、前記フォトレジスト層を光ビームを集光して所定
のパタンを露光する第２の工程と、現像、洗浄により所
定のパタンを形成する第３の工程とが実行される光ディ
スク原盤の製造方法において、第１の工程にあって、基
板があらかじめ高さの異なる部分を有し、その上にフォ
トレジスト層の形成を行うことを特徴としている。これ
によって、基板上で高さが異なる部分が存在するため、
露光を基板の底まで行うことによって、プリピットやグ
ルーブがその高さの差分だけ異った深さで形成すること
ができる。

【００１０】請求項２では、請求項１において、露光領
域内で、基板上で高さの低くなっている部分にはピット
を形成し、その他の高くなっている部分にはグルーブを
形成することを特徴としている。これによって、プリピ
ット、記録マークの両方を安定して再生可能なディスク
を製造するためのスタンパを作製することができる。

【００１１】請求項３では、請求項２において、あらか
じめ高さを低くする基板上の領域を、ディスクの形態を
判別する情報を有する領域とすることを特徴としてい
る。これにより、ディスクのタイプを判別可能であり、
その情報を書き換えることが不可能な光ディスク用スタ
ンパを作製することができる。

【００１２】請求項４では、あらかじめ基板上で高さを
低くする領域に、少なくともディスク形態を判別する情
報をプリピットとして露光することを特徴としている。
これにより、ディスクのタイプを判別可能であり、その
情報を書き換えることが不可能な光ディスク用スタンパ
を作製することができる。

【００１３】請求項５では、平坦な基板上にフォトレジ
ストの塗布を行い、基板の高さを異ならせる部分をレー
ザービームによって露光、その後現像を行い、残ったフ
ォトレジストをマスクとして基板をエッチングし、マス
クとしたフォトレジストを除去することによって、あら
かじめ高さの異なる部分を有した基板を得ることを特徴
としている。これによって、基板のエッチング量を２つ
の異なる深さの差に相当するように設定し、請求項１に
おける、あらかじめ高さの異なる部分を有する基板の作
製を可能にする。

【００１４】請求項６では、平坦な基板上にフォトレジ
ストと混合しない下層を形成し、その上にフォトレジス
トの塗布を行い、基板の高さを異ならせる部分をレーザ
ービームによって露光、その後現像を行い、残ったフォ
トレジストをマスクとして下層を選択的にエッチング
し、マスクとしたフォトレジストを除去することによっ
て、あらかじめ高さの異なる部分を有した基板を得るこ
とを特徴としている。これによって、下層の膜厚を２つ
の異なる深さの差に相当するように設定し、請求項１に
おける、あらかじめ高さの異なる部分を有する基板の作
製を可能にする。

【００１５】請求項７では、平坦な基板上にフォトレジ
ストの塗布を行い、基板の高さを異ならせる部分をレー
ザービームによって露光、その後現像を行い、その上に
現像を行ったフォトレジストの表面形状を保つ表面皮膜
処理を行うことによって、あらかじめ高さの異なる部分
を有した基板を得ることを特徴としている。これによっ
て、平坦な基板上に塗布するフォトレジストの膜厚を２
つの異なる深さの差に相当するように設定し、請求項１
における、あらかじめ高さの異なる部分を有する基板の
作製を可能にする。

【００１６】請求項８では、基板裏側の中心にマークを
設け、ターンテーブル中央より照射される光によって位
置合わせを行って基板を真空吸着し、基板高さを異なら
せる部分を持つ基板を形成するための露光、プリピッ
ト、グルーブのパタンを形成するための露光、を行うこ
とを特徴としている。これによって、基板と原盤露光機
の位置合わせを再現性よく正確に行うことができる。

【００１７】請求項９では、基板裏側の中心にマークを
設け、ターンテーブル中央より照射される光によって位
置合わせを行って基板を真空吸着し、基板高さを異なら
せる部分を持つ基板を形成するための露光、プリピッ
ト、グルーブのパタンを形成するための露光、を行うこ
とを特徴としている。これによって、基板と原盤露光機
の位置合わせを再現性よく正確に行うことができる。

【００１８】請求項１０では、高さの異なる部分を有す
る基板上にフォトレジスト層の形成を行う第１の工程内
で、基板上で高さが低くなっている部分にフォトレジス
トを注入する工程と、１回目の熱処理を行う工程と、基
板全体にフォトレジストをスピンコートする工程と、２
回目の熱処理を行う工程とを含むことを特徴としてい
る。これによって、高さの異なる部分を有する基板上に
おいて、表面が平坦なフォトレジスト層を形成すること
ができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】（実施例１）実施例１について図
１を参照しながら説明を行う。はじめに表面が精密に研
磨されたガラス基板１１を用意し、表面の洗浄を行う。
洗浄されたガラス基板をスピナーにのせ、ポジ型フォト
レジスト12をガラス基板面内膜厚が均一になるようスピ
ンコート法により塗布する（図１（ａ））。本実施例で
は、レジスト膜厚を約２００ｎｍとした。その後プリベ
ークを行う。ここで基板材料としてはガラスに限らず、
Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉなどの金属やSi基板などを用いてもよ
い。

【００２０】このようにして作製された光ディスク原盤
を原盤露光機のターンテーブルに載せる。ここで同じ基
板上に再び同じ原盤露光機で露光を行うため、位置合わ
せが必要である。

【００２１】位置合わせを行う方法として、図４に示す
ように、ターンテーブル４１の表面中心に円筒状の突起
４３を設けておき、基板４２の裏面には同形状の円筒状
の穴４４を開ける。この２つを合わせることによって、
位置合わせを行う。円筒の大きさは約φ１５ｍｍとし
た。これにより、同じ原盤露光機で行う１回目の露光、
２回目の露光に対して、精密な位置合わせを行うことが
できる。位置合わせの誤差を20μm以下にすることが可
能になった。符号４５は真空吸着用の穴である。

【００２２】またもう一つの方法として、図５に示すよ
うな構成にするとよい。基板５２の裏面に十字マーク５
４をつけ、ターンテーブル５１の中央下側より照射され
る光を使って位置合わせを行う。光源５５からレーザ光
が照射され、光はターンテーブル中央に導かれる。ター
ンテーブル中央には対物レンズ５３が設けられ、これに
よって基板裏面にレーザー光は集光される。

【００２３】ここでの対物レンズ５３の倍率は１００〜
１０００倍とする。集光された光は、基板裏側で反射さ
れるが、基板裏側中央にはあらかじめ十字マーク５４が
つけられており、反射光を光検出器５６を用いて検出す
る。光路上での光検出器の手前には十字の目盛りがつけ
てあり、これと基板裏側の十字マーク５４を合わせる。
位置合わせには、少なくとも１方向からマイクロメータ
を当てることによって行った。これにより、同じ原盤露
光機で行う１回目の露光、２回目の露光に対して、精密
な位置合わせを行うことができる。位置合わせの誤差を
１０μｍ以下にすることが可能になった。符号５７はハ
ーフミラーである。

【００２４】このようにしてターンテーブル５１上にセ
ッティングされた原盤を、Ｋｒイオンガスレーザービー
ムをフォトレジスト層上に集光させて露光する。ここで
は、基板５２上での高さを低くする部分を露光する。露
光を終えた原盤を、スピナーにより低速回転で現像、純
水リンスを行い、高速回転させて乾燥させる。これによ
りポジ型のフォトレジストを使用しているため、露光さ
れた部分１３が除去される（図１（ｂ））。

【００２５】次に残ったフォトレジストをマスクとして
基板のエッチングを行う。本実施例では基板材料として
ガラスを用いたため、ＣＦ₄ 、ＣＨＦ₃ 、ＣＦ₄ ＋
Ｈ₂ 、ＣＨＦ₃ ＋Ｏ₂ などを雰囲気ガスとして用い、リ
アクティブイオンエッチングを行う（図１（ｃ））。こ
こで基板に対してエッチングを行う深さは、プリピット
の深さとグルーブの深さの差になる深さに設定する。本
実施例では約４０ｎｍである。

【００２６】エッチングが終了した後、マスクとしたフ
ォトレジストを除去する（図１（ｄ））。これはフォト
レジストを溶解する有機溶媒、例えばイソプロピルアル
コール、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルスルホ
キシドやそれらの混合液などに浸し、その後表面を洗浄
することによって除去を行う。これにより、異なる高さ
を持った基板ができる。

【００２７】次にエッチングによって基板上で低くなっ
た部分にポジ型フォトレジスト１４を注入する（図１
（ｅ））。その後オーブンでプリベークを行う。ここで
は９０℃１５分のベークを行った。基板全体を室温に戻
した後、スピンコート法によりポジ型フォトレジスト１
５の塗布を行う。

【００２８】ここで、基板上の高い部分からの膜厚をグ
ルーブ深さとなるように塗布条件を調整する。前の工程
で基板上の低くなった部分にフォトレジストを注入した
後、フォトレジスト１４が少し基板よりも高くなってい
る（図１（ｅ））場合があるが、新しいフォトレジスト
溶液のスピンコートによって、注入されているフォトレ
ジスト表面部は溶解するため、スピンコート後のフォト
レジスト表面は平坦になる（図１（ｆ））。

【００２９】次に、この基板を原盤露光機のターンテー
ブルにのせ、再び基板とターンテーブルの位置合わせを
行い吸着させる。ここでは所定のフォーマットに従って
グルーブやプリピットの露光を行う。一般的にはフォト
レジストの深い部分にピットの露光、浅い部分にグルー
ブの露光を行う。露光を終えた原盤は、スピナーにより
低速回転で現像、純水リンスを行い、高速回転させて乾
燥させる。これによりポジ型のフォトレジストを使用し
ているため、露光された部分が除去され、それにより２
種類の深さのパタンをもつ原盤が作製される（図１
（ｇ））。その後ポストベークを行う。

【００３０】このようにして作製された原盤をNiでスパ
ッタして導電性を持たせた後、その上にＮｉ電鋳１６を
行い、全体の厚さを３００μｍにする（図１（ｈ））。
その後Ｎｉをガラス基板から剥離し、表面洗浄、裏面研
磨を行ってＮｉスタンパ１７とする（図１（ｉ））。

【００３１】この実施例において、１回目の露光を行い
基板上で低くなった領域をディスクの形態を判別する情
報を有する領域とする。このようにすることにより、プ
リピットを形成する領域にディスクの形態を判別する情
報が入るため、ドライブがプリピットの情報を読み込む
ことにより判別可能である。それに加えて、この情報は
プリピットで形成されているため、後から書き換えるこ
とができず、不正コピーを防止することができる。

【００３２】（実施例２）実施例２について図２を参照
しながら説明を行う。はじめに表面が精密に研磨された
ガラス基板２１を用意し、表面の洗浄を行う。その後、
下層２２の形成を行う（図２（ａ））。下層材料として
は、後の工程で塗布するフォトレジストと混合を起こさ
ず、かつ上層レジストを現像する時のアルカリ現像液に
も溶解しない材質を選択する。この材質としては、Ｎ
ｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ｃｏなどの金属、
これらの合金を用いることができる。また、Ｉｎ
₂ Ｏ₃ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＳ、ＴｉＯ₂ 、ＣｅＯ₂ など
の誘電体材料を用いてもよい。下層の形成は、スパッタ
リング法、真空蒸着法などの気相析着法が適している。
ここでの下層の膜厚は、プリピットとグルーブの深さの
差になるように設定し、約４０ｎｍとした。

【００３３】この基板をスピンコータの上に乗せ、ポジ
型フォトレジスト２３をガラス基板面内膜厚が均一にな
るようスピンコート法により塗布する（図２（ｂ））。
本実施例では、レジスト膜厚を約２００ｎｍとした。そ
の後プリベークを行う。

【００３４】このようにして作製された原盤をターンテ
ーブル上にセッティングし、Ｋｒイオンガスレーザービ
ームをフォトレジスト層上に集光させて原盤露光を行
う。セッティングの方法は実施例１の時と同様である。
ここでは、基板上での高さを低くする部分を露光する。
露光を終えた原盤を、スピナーにより低速回転で現像、
純水リンスを行い、高速回転させて乾燥させる。これに
よりポジ型のフォトレジストを使用しているため、露光
された部分が除去される（図２（ｃ））。

【００３５】次に残ったフォトレジストをマスクとして
下層のエッチングを行う（図２（ｄ））。ここで下層の
エッチングには、工程の容易さとガラスとの選択比がと
りやすい点より、ウェットエッチングを採用することが
できる。下層深さが約４０ｎｍと浅いため、サイドエッ
チングの影響はほとんどない。ウェットエッチングで
は、下層に例えば金属であるＡｌを使用した場合はリン
酸−硝酸−酢酸の混合液、Ｎｉの場合は硝酸−酢酸−ア
セトンの混合液がエッチング液としては好ましい。ま
た、誘電体膜であるＩｎ₂ Ｏ₃ の場合は硝酸などが適し
ている。また工程作業の容易さからウェットエッチング
の例を挙げたが、ドライエッチングによってエッチング
することも可能である。

【００３６】エッチングが終了した後、マスクとしたフ
ォトレジストを除去する（図２（ｅ））。ここからの工
程は、実施例１と同じである。

【００３７】（実施例３）実施例３について図３を参照
しながら説明を行う。はじめに表面が精密に研磨された
ガラス基板３１を用意し、表面の洗浄を行う。洗浄され
たガラス基板をスピナーにのせポジ型フォトレジスト３
２をガラス基板面内膜厚が均一になるようスピンコート
法により塗布する（図３（ａ））。ここでの下層の膜厚
は、プリピットとグルーブの深さの差になるように設定
し、約４０ｎｍとした。

【００３８】このようにして作製された原盤をターンテ
ーブル上にセッティングし、Ｋｒガスレーザービームを
フォトレジスト層上に集光させて原盤露光を行う。セッ
ティングの方法は実施例１の時と同様である。ここで
は、基板上での高さを低くする部分を露光する。露光を
終えた原盤は、スピナーにより低速回転で現像、純水リ
ンスを行い、高速回転させて乾燥させる。これによりポ
ジ型のフォトレジストを使用しているため、露光された
部分が除去される（図３（ｂ））。

【００３９】次にパタン形成されたフォトレジスト上
に、表面形状を保持するように表面皮膜処理を行い、表
面皮膜層３３を形成する（図３（ｃ））。この表面皮膜
処理を行う材質は、フォトレジストと混合しない材質で
あればよく、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒなどの金属類、Ｉｎ₂ Ｏ
₃ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＺｎＳ、ＴｉＯ₂ などの誘電体膜でも
よい。これらをスパッタリング法、または真空蒸着法な
どの気相析着法によって成膜する。膜厚は約５０ｎｍで
ある。ここで、Ｎｉなどの金属膜を成膜した場合、後の
Ｎｉスタンパとの剥離性をよくするために、表面にＯ₂
雰囲気中でのＵＶ照射により酸化膜を形成しておくこと
が望ましい。次に基板上で低くなった部分にポジ型フォ
トレジストを注入する（図３（ｄ））。ここからの工程
は、実施例１と同じである。

【００４０】

【発明の効果】本発明によれば、次のような効果が得ら
れる。請求項１の発明によると、基板上で高さが異なる
部分が存在するため、露光を基板の底まで行うことによ
って、深さの異なる領域を容易に１枚の基板上に作製す
ることが可能になる。

【００４１】請求項２の発明によると、プリピット、グ
ルーブともに信号検出に適切な深さに設定できているた
め、プリピット、記録マークの両方を安定して再生可能
なディスクを容易に作製することができる。

【００４２】請求項３の発明によると、あらかじめ高さ
が低くする領域を、ディスクの形態を判別する情報を入
れる領域に設定しているため、ディスクの形態を判別す
る情報はプリピットとして入れることが可能になり、デ
ィスクの形態の書き換えが不可能になる。これによっ
て、不正コピーの防止をすることができる。

【００４３】請求項４の発明によると、フォトレジスト
膜が厚くプリピットを形成する領域にディスクの形態を
判別する情報を入れているため、この部分の書き換えは
不可能であり、不正コピーの防止を行うことができる。

【００４４】請求項５、６、７の発明によると、同一基
板上に高さの異なる領域を容易に作製することができ、
深さの異なるパタンの作製が容易になる。

【００４５】請求項８、９の発明によると、基板と原盤
露光機の位置合わせを正確かつ容易に行うことができる
ため、基板高さを異ならせる部分を形成するための露
光、プリピットやグルーブのパタン形成のための露光、
とのずれをなくすことができる。

【００４６】請求項１０の発明によると、高さの異なる
部分を有する基板において、表面が平坦であるフォトレ
ジスト層を形成することが可能になり、基板高さの差異
を正確にパタン深さの差異にすることが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１におけるスタンパの製造方法
の概念図である。

【図２】本発明の実施例２におけるスタンパの製造方法
の概念図である。

【図３】本発明の実施例３におけるスタンパの製造方法
の概念図である。

【図４】本発明における、基板とターンテーブルの位置
合わせをする方法を示す図である。

【図５】本発明における、基板とターンテーブルの位置
合わせをする方法を示す図である。

【符号の説明】

１１ ガラス基板 １２ ポジ型フォトレジスト １３ パタン １４ ポジ型フォトレジスト １５ ポジ型フォトレジスト １６ Ｎｉ電鋳 １７ Ｎｉスタンパ

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上にフォトレジスト層を形成する第
   １の工程と、前記フォトレジスト層に光ビームを集光し
   て所定のパタンを露光する第２の工程と、現像、洗浄に
   より所定のパタンを形成する第３の工程とが実行される
   光ディスク原盤の製造方法において、 第１の工程にあって、あらかじめ高さの異なる基板の上
   にフォトレジスト層の形成を行うことを特徴とした光デ
   ィスク原盤の製造方法。
2. 【請求項２】 請求項１の光ディスク原盤の製造方法に
   おいて、第２の工程にあって、露光領域内で、基板上で
   高さの低くなっている部分にはピットを形成し、その他
   の高くなっている部分にはグルーブを形成することを特
   徴とした光ディスク原盤の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２の光ディスク原盤の製造方法に
   おいて、あらかじめ高さを低くする基板上の領域を、デ
   ィスクの形態を判別する情報を有する領域とすることを
   特徴とした光ディスク原盤の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項３の光ディスク原盤の製造方法に
   おいて、あらかじめ基板上で高さを低くする領域に、少
   なくともディスク形態を判別する情報をプリピットとし
   て露光することを特徴とした光ディスク原盤の製造方
   法。
5. 【請求項５】 請求項１の光ディスク原盤の製造方法に
   おいて、平坦な基板上にフォトレジストの塗布を行い、
   基板の高さを異ならせる部分をレーザービームによって
   露光、その後現像を行い、残ったフォトレジストをマス
   クとして基板をエッチングし、マスクとしたフォトレジ
   ストを除去することによって、あらかじめ高さの異なる
   部分を有した基板を得ることを特徴とした光ディスク原
   盤の製造方法。
6. 【請求項６】 請求項１の光ディスク原盤の製造方法に
   おいて、平坦な基板上にフォトレジストと混合しない下
   層を形成し、その上にフォトレジストの塗布を行い、基
   板の高さを異ならせる部分をレーザービームによって露
   光、その後現像を行い、残ったフォトレジストをマスク
   として下層を選択的にエッチングし、マスクとしたフォ
   トレジストを除去することによって、あらかじめ高さの
   異なる部分を有した基板を得ることを特徴とした光ディ
   スク原盤の製造方法。
7. 【請求項７】 請求項１の光ディスク原盤の製造方法に
   おいて、平坦な基板上にフォトレジストの塗布を行い、
   基板の高さを異ならせる部分をレーザービームによって
   露光、その後現像を行い、その上に現像を行ったフォト
   レジストの表面形状を保持する表面皮膜処理を行うこと
   によって、あらかじめ高さの異なる部分を有した基板を
   得ることを特徴とした光ディスク原盤の製造方法。
8. 【請求項８】 請求項１の光ディスク原盤の製造方法に
   おいて、ターンテーブル中心に円筒状の凸部を設け、そ
   れと同形状の凹部を基板裏側に設け、互いの凹凸を合わ
   せて基板を真空吸着し、基板高さを異ならせる部分を持
   つ基板を形成するための露光、プリピット、グルーブの
   パタンを形成するための露光、を行うことを特徴とした
   光ディスク原盤の製造方法。
9. 【請求項９】 請求項１の光ディスク原盤の製造方法に
   おいて、基板裏側の中心にマークを設け、ターンテーブ
   ル中央より照射される光によって位置合わせを行って基
   板を真空吸着し、基板高さを異ならせる部分を持つ基板
   を形成するための露光、プリピット、グルーブのパタン
   を形成するための露光、を行うことを特徴とした光ディ
   スク原盤の製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項１の光ディスク原盤の製造方法
    において、高さの異なる部分を有する基板上にフォトレ
    ジスト層の形成を行う第１の工程内に、基板上で高さが
    低くなっている部分にフォトレジストを注入する工程
    と、１回目の熱処理を行う工程と、基板全体にフォトレ
    ジストをスピンコートする工程と、２回目の熱処理を行
    う工程とを含むことを特徴とした光ディスク原盤の製造
    方法。