JPS63124246A - 光学的記録媒体用原盤の製造方法 - Google Patents
光学的記録媒体用原盤の製造方法Info
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- JPS63124246A JPS63124246A JP26861086A JP26861086A JPS63124246A JP S63124246 A JPS63124246 A JP S63124246A JP 26861086 A JP26861086 A JP 26861086A JP 26861086 A JP26861086 A JP 26861086A JP S63124246 A JPS63124246 A JP S63124246A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 24
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- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
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- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光ビームにより記録、再生を行うことが可能
な光学的記録媒体用原盤の製造方法に関する。
な光学的記録媒体用原盤の製造方法に関する。
(従来の技術)
光ディスクの基板には光学的にトラッキングを行うため
の溝と、アドレス信号を取り出すためのビットが形成し
である。一般に、それぞれの深さはλ/8、λ/4 (
λ:読み取り光の波長)としている。
の溝と、アドレス信号を取り出すためのビットが形成し
である。一般に、それぞれの深さはλ/8、λ/4 (
λ:読み取り光の波長)としている。
従来、この様な溝とビットを形成するための原盤の製造
方法は、第4図に示すガラス基板1にλ/4程度の厚さ
のフォトレジストを塗布し、ベークした後(第5図)、
光量の異なるレーザー光を用いてアドレスピットと案内
溝の深さがλ/4、λ/8になるように露光、現像し、
第6図にある様な断面形状になる工程で行われている。
方法は、第4図に示すガラス基板1にλ/4程度の厚さ
のフォトレジストを塗布し、ベークした後(第5図)、
光量の異なるレーザー光を用いてアドレスピットと案内
溝の深さがλ/4、λ/8になるように露光、現像し、
第6図にある様な断面形状になる工程で行われている。
前記した方法による原盤製造方法では、レーブー光の露
光量の違いによってのみ深さを変えるため、フォトレジ
ストを底まで抜くアドレスピットでは矩形になるが、ア
ドレスピットの1/2の深さの案内溝ではレジストを中
間までしか抜かないので、レーザーの光量分布そのまま
に、底が丸まってしまい、十分大きなトラッキング信号
が得にくいという問題があった。また、案内溝はレーザ
ー光のパワー変動がそのまま深さの変動となるため、全
面均一な深さに形成するのが困難であった。
光量の違いによってのみ深さを変えるため、フォトレジ
ストを底まで抜くアドレスピットでは矩形になるが、ア
ドレスピットの1/2の深さの案内溝ではレジストを中
間までしか抜かないので、レーザーの光量分布そのまま
に、底が丸まってしまい、十分大きなトラッキング信号
が得にくいという問題があった。また、案内溝はレーザ
ー光のパワー変動がそのまま深さの変動となるため、全
面均一な深さに形成するのが困難であった。
本発明は以上の問題点に鑑みなされたものでありその目
的は、矩形な光学的案内溝を有する光学的記録媒体用原
盤を容易に製造する方法を提供することにある。
的は、矩形な光学的案内溝を有する光学的記録媒体用原
盤を容易に製造する方法を提供することにある。
本発明の上記目的は、フォトレジストを塗布しベークす
るという方法を用いて基板上に第1のレジスト層と感度
の異なる第2のレジスト層を順次積層、形成した後、各
々の層の感度に応じて露光し現像することで第2のレジ
スト層のみを貫通する光学的案内溝と両方のレジスト層
を貫通するアドレスピットを形成する方法であって、フ
ォトレジスト塗布後のベーク温度を変えることによって
2つのレジスト層の感度に差を生じさせる光学的記録媒
体用原盤の製造方法によって達成される。
るという方法を用いて基板上に第1のレジスト層と感度
の異なる第2のレジスト層を順次積層、形成した後、各
々の層の感度に応じて露光し現像することで第2のレジ
スト層のみを貫通する光学的案内溝と両方のレジスト層
を貫通するアドレスピットを形成する方法であって、フ
ォトレジスト塗布後のベーク温度を変えることによって
2つのレジスト層の感度に差を生じさせる光学的記録媒
体用原盤の製造方法によって達成される。
以下、本発明の製造方法を第1図〜第3図を用いて説明
する。
する。
図中1は、ガラスやポリカーボ製の基板であり、この基
板上に読み取り波長λのl/8に相当する厚さ725人
に第−層フォトレジストを塗布後、120℃以上でベー
クすることで低感度の第1のレジスト層3が得られる。
板上に読み取り波長λのl/8に相当する厚さ725人
に第−層フォトレジストを塗布後、120℃以上でベー
クすることで低感度の第1のレジスト層3が得られる。
次に、厚さ725人に第二層フォトレジストを塗布後、
120℃未満でベークすることで第1のレジスト層よ
り高感度の第2のレジスト層4が得られる。本発明にお
いては、第二層フォトレジストと第−層フォトレジスト
は同じ材料を用いることができる。
120℃未満でベークすることで第1のレジスト層よ
り高感度の第2のレジスト層4が得られる。本発明にお
いては、第二層フォトレジストと第−層フォトレジスト
は同じ材料を用いることができる。
この様に得られた感度の異なる二層のレジスト層に対し
て、高感度の第2のレジスト層4だけを感光させる光量
のレーザー光と二層とも感光させる光量のレーザー光を
用いて露光、現像することで、アドレスピットと案内溝
の深さがλ/4、λ/8で、両方の形状が矩形となった
第6図に示すような原盤が得られる。
て、高感度の第2のレジスト層4だけを感光させる光量
のレーザー光と二層とも感光させる光量のレーザー光を
用いて露光、現像することで、アドレスピットと案内溝
の深さがλ/4、λ/8で、両方の形状が矩形となった
第6図に示すような原盤が得られる。
本発明においてフォトレジストは従来使用されていたA
Z−1350:ヘキスト社製等が使用できる。
Z−1350:ヘキスト社製等が使用できる。
これらのフォトレジストのうち1種類を用いて第1と第
2の両レジスト層を形成する場合、第2のレジスト層の
ベーク温度を従来と同様の約90℃に、すると、第1の
レジスト層のベーク温度は120℃もしくはそれ以上の
温度にすれば両層の感度に有意の差が表れる。
2の両レジスト層を形成する場合、第2のレジスト層の
ベーク温度を従来と同様の約90℃に、すると、第1の
レジスト層のベーク温度は120℃もしくはそれ以上の
温度にすれば両層の感度に有意の差が表れる。
本発明の製造方法においては、案内溝の深さは露光量に
対して鈍感であるので、容易に第2のレジスト層の厚さ
に等しくできるため、均一なトラッキング信号が得られ
る。
対して鈍感であるので、容易に第2のレジスト層の厚さ
に等しくできるため、均一なトラッキング信号が得られ
る。
以下に本発明の具体的実施例を挙げる。
実施例1
直径250mm、厚さl Ommのガラス基板1を用意
した。この上に第−層フォトレジスト(AZ−1350
:ヘキスト社製)を厚さ725人に塗布後、 120”
Cで30分間ベークした。次に、第−層フォトレジスト
上に第二層フォトレジストを厚さ725人に塗布後、9
0℃で30分間ベークした。これに、各々の層に応じた
光量(線速4.2m/secで19mWと27mW)の
レーザー光で露光し現像することで、第6図のようなア
ドレスピット、案内溝とも矩形の光学的記録媒体用原盤
を得ることができた。
した。この上に第−層フォトレジスト(AZ−1350
:ヘキスト社製)を厚さ725人に塗布後、 120”
Cで30分間ベークした。次に、第−層フォトレジスト
上に第二層フォトレジストを厚さ725人に塗布後、9
0℃で30分間ベークした。これに、各々の層に応じた
光量(線速4.2m/secで19mWと27mW)の
レーザー光で露光し現像することで、第6図のようなア
ドレスピット、案内溝とも矩形の光学的記録媒体用原盤
を得ることができた。
この原盤を用いて光デイスク基板を作り、ドライブ装置
にのせて読み取り波長830nmでトラッキング信号を
測定したところ、均一で大きな信号が得られた。
にのせて読み取り波長830nmでトラッキング信号を
測定したところ、均一で大きな信号が得られた。
実施例2
実施例1で用いたのと同じ第−層フォトレジストを厚さ
725人に塗布した後、 120℃の代りに 140℃
で30分間ベークした以外は実施例1と全く同様にして
原盤の製造を行った。その結果、第6図のような原盤を
得ることができ、光デイスク基板を作りドライブ装置に
のせて読み取り波長830nmでトラッキング信号を測
定したところ、均一で大きな信号が得られた。
725人に塗布した後、 120℃の代りに 140℃
で30分間ベークした以外は実施例1と全く同様にして
原盤の製造を行った。その結果、第6図のような原盤を
得ることができ、光デイスク基板を作りドライブ装置に
のせて読み取り波長830nmでトラッキング信号を測
定したところ、均一で大きな信号が得られた。
比較例1
実施例1で用いたのと同じ基板上に、厚さ1450人に
フォトレジスト2 (AZ−1350:ヘキスト社製)
を塗布し、これに深さがλ/8、λ/4になるように露
光しく線速4.2m/secで15mWと22mW)現
像することにより案内溝とアドレスピットを形成し、第
6図のような原盤を得た。
フォトレジスト2 (AZ−1350:ヘキスト社製)
を塗布し、これに深さがλ/8、λ/4になるように露
光しく線速4.2m/secで15mWと22mW)現
像することにより案内溝とアドレスピットを形成し、第
6図のような原盤を得た。
この原盤を用いて光デイスク基板を作り、ドライブ装置
にのせて読み取り波長830nmでトラッキング信号を
測定したところ、従来法で製造したものより大きな値で
あった。
にのせて読み取り波長830nmでトラッキング信号を
測定したところ、従来法で製造したものより大きな値で
あった。
以上に説明したように本発明の製造方法によれば、均一
で大きなトラッキング信号の得られる光学的記録媒体用
原盤を容易に製造することができる。また、1種類のフ
ォトレジストのみを用い、ベーク温度を変えるだけで感
度を変化させるので生産性がよく、更に従来の設備をそ
のまま使用することかできるという有利さを備えている
。
で大きなトラッキング信号の得られる光学的記録媒体用
原盤を容易に製造することができる。また、1種類のフ
ォトレジストのみを用い、ベーク温度を変えるだけで感
度を変化させるので生産性がよく、更に従来の設備をそ
のまま使用することかできるという有利さを備えている
。
第1図〜第3図は、本発明の光学的記録媒体用原盤の製
造方法の実施例を示す模式断面図である。また第4図〜
第6図は、従来の光学的記録媒体用原盤の製造方法の実
施例を示す模式断面図である。 l;基板 2;フォトレジスト 3;第1のレジスト層 4:第2のレジスト層
造方法の実施例を示す模式断面図である。また第4図〜
第6図は、従来の光学的記録媒体用原盤の製造方法の実
施例を示す模式断面図である。 l;基板 2;フォトレジスト 3;第1のレジスト層 4:第2のレジスト層
Claims (2)
- (1)、フォトレジストを塗布しベークするという方法
を用いて基板上に第1のレジスト層と感度の異なる第2
のレジスト層を順次積層、形成した後、各々の層の感度
に応じて露光し現像することで第2のレジスト層のみを
貫通する光学的案内溝と両方のレジスト層を貫通するア
ドレスピットを形成する方法であって、フォトレジスト
塗布後のベーク温度を変えることによって2つのレジス
ト層の感度に差を生じさせることを特徴とする光学的記
録媒体用原盤の製造方法。 - (2)、前記フォトレジスト塗布後のベーク温度が、前
記第1のレジスト層においては120℃以上であり、前
記第2のレジスト層においては120℃未満である特許
請求の範囲第1項記載の光学的記録媒体用原盤の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26861086A JPS63124246A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 光学的記録媒体用原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26861086A JPS63124246A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 光学的記録媒体用原盤の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63124246A true JPS63124246A (ja) | 1988-05-27 |
Family
ID=17460931
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26861086A Pending JPS63124246A (ja) | 1986-11-13 | 1986-11-13 | 光学的記録媒体用原盤の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63124246A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5489757A (en) * | 1991-03-06 | 1996-02-06 | Elpatronic Ag | Process for resistance welding arrangement for carrying out the process |
JPH08227538A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-09-03 | Nec Corp | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
EP0905684A2 (en) * | 1997-09-30 | 1999-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Master disk for optical disk and method for manufacturing the same |
KR100265886B1 (ko) * | 1997-05-02 | 2000-09-15 | 윤종용 | 고밀도 광디스크 및 그 제조방법 |
-
1986
- 1986-11-13 JP JP26861086A patent/JPS63124246A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5489757A (en) * | 1991-03-06 | 1996-02-06 | Elpatronic Ag | Process for resistance welding arrangement for carrying out the process |
JPH08227538A (ja) * | 1994-10-21 | 1996-09-03 | Nec Corp | 光ディスクの露光原盤及びその製造方法 |
KR100265886B1 (ko) * | 1997-05-02 | 2000-09-15 | 윤종용 | 고밀도 광디스크 및 그 제조방법 |
EP0905684A2 (en) * | 1997-09-30 | 1999-03-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Master disk for optical disk and method for manufacturing the same |
EP0905684A3 (en) * | 1997-09-30 | 2000-08-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Master disk for optical disk and method for manufacturing the same |
KR100263878B1 (ko) * | 1997-09-30 | 2000-08-16 | 윤종용 | 광디스크제작용마스터디스크제조방법 |
US6219330B1 (en) | 1997-09-30 | 2001-04-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Master disk for optical disk and having first and second photoresist layers |
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