JPH01285038A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、光学的に情報を記録再生する光メモリ素子の
製造方法に関する。

〈従来技術〉 近年、光メモリ素子は、高密度で大容量のメモリ素子と
してその必要性が高まっている。この光メモリ素子には
、その使用形態によって、再生専用メモリ、書き換えは
できないがユーザ自身が情報を古き込むことができる追
加記録可能メモリおよび書き換え可能メモリの３種類に
分けることができる。この内、追加記録あるいは書き換
え可能光メモリ素子では、情報の記録再生を行う光ビー
ムを光メモリ素子の所定の位置に案内するために、ガイ
ドトラック溝（プレグルーブ）およびガイド番地（プレ
ピット）が予め刻み込まれている。

このガイドトラック溝およびガイド番地の形成方法とし
て、例えば、ガイドトラック溝およびガイド番地が形成
されたスタンパ−を用いて射出成形によりアクリルやポ
リカーボネート等の樹脂基板に直接転写する方法や、ガ
ラスあるいはアクリル等の基板とガイドトラック溝およ
びガイド番地の形成されたスタンパ−との間に紫外線硬
化樹脂を挿入し、該紫外線硬化樹脂にガイドトラック溝
およびガイド番地を転写する、いわゆる２Ｐ法などがあ
る。

しかしながら、これらの方法は、いずれも樹脂材料を使
用するために、樹脂材料を通して酸素あるいは水分等が
記録媒体に達し、記録媒体の品質が劣化するという難点
がある。

このため本件出願人は、特願昭５８−８４６１３号（「
光メモリ素子の製造方法」）において、ガラス基板に直
接ガイドトラック溝およびガイド番地を形成する方法を
提案した。上記出願で提案した製法は、基板上にレジス
ト膜を被覆し、該レジスト膜にレーザ光等の光を照射し
てガイド溝パターンを記録し、前記ガイド溝パターンを
記録したレジスト膜を現像し、現像後の前記レジスト膜
の被覆状態においてエツチングを行うことによって前記
基板にガイド溝を形成し、該ガイド溝を形成し゛た後の
基板上に記録媒体を被覆することを特徴としている。

ところで、ガイドトラック溝およびガイド番地は、トラ
ッキングサーボ用の出力およびガイド番地信号出力をそ
れぞれ最大にするに最適な深さがあり、ガイドドラック
溝の深さは、ガイド番地の深さよりも浅い方が望ましい
。

しかしながら、を記先行出願で提案した光メモリ素子の
製造方法では、ガイドトラック溝パターンおよびガイド
番地パターンのレジスト膜に対する露光量が同じとなり
、このため、第９図（Ａ）の光メモリ素子基板１５の平
面図およびその矢符Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃ方向からそれぞれ見
た第９図（Ｂ）、（Ｃ）の断面図に示されるように、ガ
イドトラック溝１６およびガイド番地１７の深さが同じ
になるという難点がある。

〈発明の目的〉 本発明は、上記先行出願の改良に係り、ガイドトラック
溝をガイド番地よりも浅く形成してトラッキングサーボ
出力およびガイド番地信号の出力を良好に取り出せる光
メモリ素子の製造方法を提供することを目的とする。

〈発明の構成〉 本発明では、上述の目的を達成するために、光メモリ素
子用の基板上にレジスト膜を塗布し、透明基板上にガイ
ドトラック溝パターンおよびガイド番地パターンの領域
を除いてマスク用金属膜が被覆されるとともに、前記ガ
イドトラック溝パターレの所定の領域に膜厚によって光
透過ｑを制御できる薄膜が形成されてなるフォトマスク
を前記レジスト膜が塗布された光メモリ素子用の基板上
に重ね、前記フォトマスクを介して前記レジスト膜に紫
外線を照射し、前記フォトマスクのガイドトラック溝パ
ターンおよびガイド番地パターンをレジスト膜に転写し
、前記レジスト膜を現像した後、エツチングにより前記
光メモリ素子用の基板に前記パターンを形成し、前記パ
ターンが形成された光メモリ素子用の基板上に記録媒体
を被覆するようにしている。

上記構成によれば、フォトマスクには、ガイドトラック
溝パターンの所定の領域に膜厚によって光透過量を制御
できる薄膜が形成されているので、このフォトマスクを
介して光メモリ素子用の基板上のレジスト膜に紫外線を
照射することにより、該レジスト膜は、前記薄膜が形成
されている所定の領域とそれ以外の領域とで露光量か異
なることになり、これによって、ガイドトラック溝の所
定の部分をガイド番地より浅く形成できることになる。

〈実施例〉 以下、図面によって本発明の実施例について、詳細に説
明する。

第１図は、本発明方法により形成された光メモリ素子用
のガラス基板ｌを示す図であり、同図（Ａ）は平面図、
同図（Ｂ）は矢符Ｂ−８方向から見た断面図、同図（Ｃ
）は矢符Ｃ−Ｃ方向から見た断面図である。このガラス
基板ｌには、後述する製法により、ガイドトラック溝２
およびガイド番地３が形成される。ガイドトラック溝２
の内、隣合うガイドトラック溝２間にガイド番地３の存
在しない斜線で示される部分におけるガイドトラック溝
２′の深さＷｌは、第１図（Ｂ）、（Ｃ）に示されるよ
うにガイド番地３の深さＷ２よりも浅い深さ、つまり、
Ｗｌ＜Ｗ２に形成される。なお、ガイドトラック溝２間
にガイド番地３が存在する部分のガイドトラック溝２°
°の深さは、ガイド番地３の深さＷ２と同一である。

次に、上記光メモリ素子用のガラス基板Ｉを作成する際
に使用されるフォトマスクの製法を第２図および第３図
に基づいて説明する。

第２図および第３図は、共に同一フォトマスクの製法を
示すもので、その断面位置が異なるものであり、第２図
は隣合うガイドトラック溝２のパターン間にガイド番地
３のパターンが存在しない領域のフォトマスクの断面図
を示しており、第３図は隣合うガイドトラック溝２のパ
ターン間にガイド番地３のパターンが存在する領域のフ
ォトマスクの断面図を示している。すなわち、第２図は
第１図（Ｂ）に対応する領域のフォトマスクの断面図で
あり、第３図は第１図（Ｃ）に対応する領域の゛フォト
マスクの断面図である。

先ず、透明基板４上に形成されたマスク用の金属膜５上
に、レジスト膜を形成し、レーザ光ビームにてガイドト
ラック溝２およびガイド番地３のパターンを記録し、前
記レジスト膜を現像した後にエツチングにより金属膜５
に第２図（Ａ）、第３図（Ａ）に示されるように前記パ
ターン状の欠如部分を形成する。

次に、第２図（Ｂ）、第３図（Ｂ）に示されるように、
フォトマスクの表面に、膜厚によって光透過量を制御で
きる薄膜９、例えば、Ｔａ　、Ｔｉ　。

Ｃｒ等の薄膜を蒸着あるいはスパッタリングにより形成
する。

さらに、第２図（Ｃ）、第３図（Ｃ）に示され、るよう
に、ポジ型のレジスト６を塗布してベーキングした後、
紫外線７を透明基板４側から照射し、レジスト６を露光
し、次に現像を行う。

ここで、隣合うガイドトラック溝２のパターン間にガイ
ド番地３のパターンが存在する第３図の領域では、隣合
うガイドトラック溝２のパターン間にガイド番地３のパ
ターンが存在しない第２図に示される領域に比べてレジ
スト６がほぼ倍の光栄で露光されることになる。したが
って、露光および現像条件を適切に選択することにより
、現像後のレジスト６を第２図（Ｄ）、第３図（Ｄ）に
示される形状とすることかできる。

次に、薄膜５の露出部分をエツチングした後に、レジス
ト６を除去することにより、第２図（Ｅ）。

第３図（Ｅ）に示される断面のフォトマスク８を得るこ
とができる。

すなわち、この実施例のフォトマスク８は、透明基板４
上にガイドトラック溝２のパターンおよびガイド番地３
のパターンの領域を除いてマスク用金属膜５が被覆され
るとともに、ガイドトラック溝２のパターンの内、隣合
うガイドトラック溝２のパターン間にガイド番地３のパ
ターンが存在しない所定の領域（第２図の２°で示され
る領域）に膜厚によって光透過量を制御できる薄膜９が
形成されている。

次に、このフォトマスク８を用いて第１図の光メモリ素
子用の基板ｌを製造する本発明方法の手順を第４図およ
び第５図に基づいて説明する。

第４図および第５図は、同一の光メモリ素子用の基板ｌ
の製法の手順を示すもので、その断面位置が異なるもの
であり、第４図は隣合うガイドトラック溝２のパターン
間にガイド番地３のパターンが存在しない領域の光メモ
リ素子基板の断面図を示しており、第５図は隣合うガイ
ドトラック溝２のパターン間にガイド番地３のパターン
が存在する領域の光メモリ素子基板の断面図を示してい
る。すなわち、第４図は第１図（Ｂ）および第２図に対
応する領域の断面図であり、第５図は第１図（Ｃ）およ
び第３図に対応する領域の断面図である。

先ず、酸素、水分等を通過させない光メモリ素子用のガ
ラス基板１を洗浄し、そのガラス基板ｌ上に、第４図（
Ａ）、第５図（Ａ）に示されるようにレジスト膜１０を
塗布する。このレジスト膜ｌＯの膜厚は、１１００ｎ〜
５００ｎｍ程度が好ましい。

レジスト膜ｌＯが塗布されたガラス基板！上に、上述の
フォトマスク８を密着せしめ、このフォトマスク８を介
して矢符で示されるように紫外線ｌｌを照射して第４図
（Ｂ）、第５図（Ｂ）に示されるように、フォトマスク
８のマスクパターンをレジスト膜ｌＯに転写する。

このとき、第５図に示される隣合うガイドトラック溝２
間にガイド番地３の存在する領域では、フォトマスク８
のガイドトラック溝２およびガイド番地３のパターンの
部分には、薄膜９が存在していないので、レジスト膜１
０が十分に露光されるけれども、第４図に示される隣合
うガイドトラック＞１４２間にガイド番地３が存在しな
い領域では、フォトマスク８のガイドトラック溝２のパ
ターンの部分に薄膜９が存在しているために、レジスト
膜ＩＯが十分に露光されないことになる。

したがって、現像工程を経た後には、隣合うガイドトラ
ックｌ／４２間にガイド番地３が存在しない領域では、
第４図（Ｃ）に示されるように、ガイドトラック溝２の
パターンの部分に、レジスト膜ｌＯが残るのに対して、
隣合うガイドトラック）１４２間にガイド番地３の存在
する領域では、第５図（Ｃ）に示されるように、ガイド
トラック溝２およびガイド番地３のパターンの部分のレ
ジスト膜ｌＯは完全に除去されることになる。

次に、このレジスト膜ＩＯの被覆状態において、トライ
エツチングを行ってガイドトラックｉｆ４２およびガイ
ド番地３を形成する。このとき、隣合うガイドトラック
溝２間にガイド番地３の存在する領域では、最初からガ
ラス基板ｌをエツチングすることになり、深い溝２°°
が形成されるのに対して、隣合うガイドトラック溝２間
にガイド番地３か存在しない領域では、残留レジスト＠
１０をエツチングした後にガラス基板ｌをエツチングす
ることになり、浅い溝２°が形成されることになる。

さらに、レジスト膜１０をアセトン等の溶媒、酸素中で
のスパッタリング等により除去する。これによって、第
４図（Ｅ）、第５図（Ｅ）に示される光メモリ素子用の
ガラス基板１が得られる。

このガラス基板Ｉに記録媒体か被覆されて最終的に光メ
モリ素子が構成される。

この実施例の光メモリ素子用のガラス基板ｌは、従来技
術で説明したような樹脂材料を用いることなくガイドト
ラック溝２およびガイド番地３を形成するので、先行出
願で提案した発明と同様に、酸素や水分等が記録媒体に
達することが防止でき、信頼性の高い光メモリ素子を得
ることができるとともに、ガイドトラック溝２の深さを
所定の領域において、ガイド番地３の深さよりも浅く形
成できるので、ガイドトラック溝２に基づくトラッキン
グサーボ出力およびガイド番地３に基づくガイド番地信
号の出力を高めることができる。

第６図は、本発明の他の実施例方法により得られる光メ
モリ素子用のガラス基板１ａを示す第１図に対応する図
であり、第７図および第８図は、このガラス基板！ａを
製造する際に使用されるフォトマスク８ａの製法の手順
を示す図であり、上述の実施例の第２図および第３図に
それぞれ対応する図である。

この実施例では、ガイドトラック溝２ａの幅を、ガイド
番地３ａの幅よりも狭くしており、これにより、フォト
マスク８ａは、ガイド番地３ａのパターンの部分だけ光
透過積を制御するための薄膜９が形成されないようにし
ている。これによって、第６図に示されるように、ガイ
ドトラック溝２ａの深さＷ３をすべての領域において、
ガイド番地３ａの深さＷ４よりも浅く形成している。

その他の構成は、上述の実施例と同様である。

〈発明の効果〉 以上のように本発明によれば、ガイドトラック溝パター
ンの所定の領域に膜厚によって光透過量を制御できろ薄
膜が形成されているフォトマスクを介して光メモリ素子
用の基板上のレジスト膜に紫外線を照射するようにして
いるので、該レジスト膜は、前記薄膜が形成されている
所定の領域とそれ以外の領域とで露光量か異なることに
なり、これによって、ガイドトラック溝の所定の部分を
ガイド番地よりも浅く形成できることになり、ガイドト
ラック溝に基づくドラッギングサーボ出力およびガイド
番地に基づくガイド番地信号の出力を良好に取り出すこ
とができる。さらに、本発明方法では、従来のように樹
脂材料を用いることなくガイドトラック溝およびガイド
番地を形成するので、酸素や水分等が記録媒体に達する
ことが防止でき、信頼性の高い光メモリ素子を得ること
ができる

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法により形成された光メモリ素子用の
ガラス基板を示す図、第２図および第３図は第１図の光
メモリ素子用のガラス基板を作成する際に使用されるフ
ォトマスクの製法を示す断面図であり、第２図は隣合う
ガイドトラック溝のパターン間にガイド番地のパターン
が存在しない領域の断面図、第３図は隣合うガイドトラ
ック溝のパターン間にガイド番地のパターンが存在する
領域の断面図、第４図および第５図は、第１図のの光メ
モリ素子用のガラス基板の製法の手順を示す断面図であ
り、第４図は隣合うガイドトラック溝のパターン間にガ
イド番地のパターンが存在しない領域の断面図、第５図
は隣合うガイドトラックｉ？４のパターン間にガイド番
地のパターンが存在する領域の断面図、第６図は本発明
の他の実施例方法により形成された光メモリ素子用のガ
ラス基板を示す第１図に対応する図、第７図および第８
図は第６図のガラス基板を製造する際に使用されるフォ
トマスクの製法の手順を示す第２図および第３図にそれ
ぞれ対応する断面図、第９図は従来例の光メモリ素子用
のガラス基板を示す図である。 １．１ａ・・・光メモリ素子用のガラス基板、２．２３
　・・ガイドトラック溝、３．３ａ・・・ガイド番地、
８．８ａ・・・フォトマスク、９・・薄膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）光メモリ素子用の基板上にレジスト膜を塗布し、 透明基板上にガイドトラック溝パターンおよびガイド番
   地パターンの領域を除いてマスク用金属膜が被覆される
   とともに、前記ガイドトラック溝パターンの所定の領域
   に膜厚によって光透過量を制御できる薄膜が形成されて
   なるフォトマスクを前記レジスト膜が塗布された光メモ
   リ素子用の基板上に重ね、 前記フォトマスクを介して前記レジスト膜に紫外線を照
   射し、 前記フォトマスクのガイドトラック溝パターンおよびガ
   イド番地パターンをレジスト膜に転写し、前記レジスト
   膜を現像した後、エッチングにより前記光メモリ素子用
   の基板に前記パターンを形成し、 前記パターンが形成された光メモリ素子用の基板上に記
   録媒体を被覆することを特徴とする光メモリ素子の製造
   方法。