JP2511102B2 - 光ディスクの製造方法 - Google Patents
光ディスクの製造方法Info
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- JP2511102B2 JP2511102B2 JP7355688A JP7355688A JP2511102B2 JP 2511102 B2 JP2511102 B2 JP 2511102B2 JP 7355688 A JP7355688 A JP 7355688A JP 7355688 A JP7355688 A JP 7355688A JP 2511102 B2 JP2511102 B2 JP 2511102B2
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- Japan
- Prior art keywords
- film
- photoresist
- polymer resin
- chromium
- resin film
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、光ディスクの製造方法に関し、特にレーザ
等の露光ビームを反射させるクロム等の金属反射膜上の
フォトレジストマスクの形成工程の改善に関する。
等の露光ビームを反射させるクロム等の金属反射膜上の
フォトレジストマスクの形成工程の改善に関する。
背景技術 画像・文書・データ等のアナログあるいはデジタル信
号を記録する光学式記録媒体のガラス基盤光ディスクの
製造においては、まずマスクとなるクロムブランクス上
に設けられたフォトレジスト塗布膜上に、プリアドレス
又はプリグルーブ信号に応じて明滅するレーザービーム
を照射して選択的に露光し、その後、現像して得られた
フォトマスクにクロムエッチング処理等の処理を施し、
クロムマスクを作成する。次に基板となる薄板ガラス円
板上に設けられたフォトレジスト塗布膜上に上記クロム
マスクを接近または密着させクロムマスク面より紫外光
照射等を行い、クロムマスクパターンを転写露光する。
その後、現像して得られたガラス基板のフォトマクスに
ガラスエッチング処理等の処理を施し、プリアドレスお
よび／又はプリグルーブ等を有するガラス基板を作成す
る。最後に、上記ガラス基板上に記録材料を塗布、蒸着
あるいはスパッタを施してガラス基板光ディスクを得て
いる。
号を記録する光学式記録媒体のガラス基盤光ディスクの
製造においては、まずマスクとなるクロムブランクス上
に設けられたフォトレジスト塗布膜上に、プリアドレス
又はプリグルーブ信号に応じて明滅するレーザービーム
を照射して選択的に露光し、その後、現像して得られた
フォトマスクにクロムエッチング処理等の処理を施し、
クロムマスクを作成する。次に基板となる薄板ガラス円
板上に設けられたフォトレジスト塗布膜上に上記クロム
マスクを接近または密着させクロムマスク面より紫外光
照射等を行い、クロムマスクパターンを転写露光する。
その後、現像して得られたガラス基板のフォトマクスに
ガラスエッチング処理等の処理を施し、プリアドレスお
よび／又はプリグルーブ等を有するガラス基板を作成す
る。最後に、上記ガラス基板上に記録材料を塗布、蒸着
あるいはスパッタを施してガラス基板光ディスクを得て
いる。
従来、フォトレジスト膜の露光装置として、第２図に
示すものが知られている。レーザー光源１はレーザービ
ーム２を発生させ、光学系３はレーザービーム２を円形
ガラス基板４上のフォトレジスト膜へ導く。光変調器3a
は外部情報信号に応じてレーザービームを明滅させるよ
うな変調を行う。変調されたレーザビーム２はフォトレ
ジスト膜を選択的に露光する。尚、露光、現像後に得ら
れる基板上に同心円状又は螺旋状に配列されるプリアド
レスやプリグルーブ等のピット列を形成するように、ガ
ラス基板４は回転しかつレーザービーム２に対して相対
移動するようになされている。
示すものが知られている。レーザー光源１はレーザービ
ーム２を発生させ、光学系３はレーザービーム２を円形
ガラス基板４上のフォトレジスト膜へ導く。光変調器3a
は外部情報信号に応じてレーザービームを明滅させるよ
うな変調を行う。変調されたレーザビーム２はフォトレ
ジスト膜を選択的に露光する。尚、露光、現像後に得ら
れる基板上に同心円状又は螺旋状に配列されるプリアド
レスやプリグルーブ等のピット列を形成するように、ガ
ラス基板４は回転しかつレーザービーム２に対して相対
移動するようになされている。
かかる露光装置を用いてガラス基板上にフォトレジス
トマスクを形成する前には、第３図に示されるように、
まず、クロム等の金属のスパッタリング等の処理によっ
てガラス基板４上にクロム反射膜５を形成し、その上に
溶液形態のフォトレジストを塗布し乾燥して、フォトレ
ジスト膜６を形成する。この様にガラス基板４上にはク
ロム膜５、フォトレジスト膜６が順に積層される。
トマスクを形成する前には、第３図に示されるように、
まず、クロム等の金属のスパッタリング等の処理によっ
てガラス基板４上にクロム反射膜５を形成し、その上に
溶液形態のフォトレジストを塗布し乾燥して、フォトレ
ジスト膜６を形成する。この様にガラス基板４上にはク
ロム膜５、フォトレジスト膜６が順に積層される。
次に、第２図に示すごとくレーザー光源１から出射さ
れ光学系３によって記録位置へ導かれたレーザビーム2a
によって、フォトレジスト膜６を感光させる。
れ光学系３によって記録位置へ導かれたレーザビーム2a
によって、フォトレジスト膜６を感光させる。
その後、フォトレジスト膜６の露光された部分を現像
処理し除去してクロム反射膜５にレジストマスクを作製
する（ポジ型）。
処理し除去してクロム反射膜５にレジストマスクを作製
する（ポジ型）。
得られたレジストマスクを有したガラス基板にクロム
エッチング処理等の処理を施し、その後、この基板から
クロムマスタを作成して、かかるクロムマスタからピッ
トを有した光ディスクを複製する。
エッチング処理等の処理を施し、その後、この基板から
クロムマスタを作成して、かかるクロムマスタからピッ
トを有した光ディスクを複製する。
以上の製造工程、特に露光工程においてはレーザビー
ム2aの一部がクロム膜５によって吸収され、熱エネルギ
ーに変わる。この場合、この熱がフォトレジスト膜６へ
も拡散し、フォトレジストの光化学反応における感光レ
ベルに影響を与える。この影響は記録レーザーパワー、
記録パターン、フォトレジスト感度、クロム膜のビーム
吸収率等によって大きく変化し均一な感光、現像の妨げ
となる欠点がある。また、レーザビーム2aの一部がクロ
ム膜５によって反射され、入射ビームと干渉し、光化学
反応に寄与する光の強度が変化し、フォトレジストの露
光に影響を与える。この影響はレジスト膜厚、クロム膜
の反射率等によって変化し、均一な感光・現像の妨げと
なる欠点もある。
ム2aの一部がクロム膜５によって吸収され、熱エネルギ
ーに変わる。この場合、この熱がフォトレジスト膜６へ
も拡散し、フォトレジストの光化学反応における感光レ
ベルに影響を与える。この影響は記録レーザーパワー、
記録パターン、フォトレジスト感度、クロム膜のビーム
吸収率等によって大きく変化し均一な感光、現像の妨げ
となる欠点がある。また、レーザビーム2aの一部がクロ
ム膜５によって反射され、入射ビームと干渉し、光化学
反応に寄与する光の強度が変化し、フォトレジストの露
光に影響を与える。この影響はレジスト膜厚、クロム膜
の反射率等によって変化し、均一な感光・現像の妨げと
なる欠点もある。
発明の概要 本発明の目的は、上記の従来の欠点を解決すべく、ク
ロム膜からフォトレジスト膜への熱伝搬あるいはクロム
膜からの反射光を減少させて均一な感光を可能とするフ
ォトレジストマスク形成工程を有する製造方法を提供す
ることを目的としている。
ロム膜からフォトレジスト膜への熱伝搬あるいはクロム
膜からの反射光を減少させて均一な感光を可能とするフ
ォトレジストマスク形成工程を有する製造方法を提供す
ることを目的としている。
本発明は、基板上に金属反射膜を形成する工程と、金
属反射膜上に高分子系樹脂膜を形成する工程と、高分子
系樹脂膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、フォ
トレジスト膜側から所定信号により変調された露光ビー
ムによってフォトレジスト膜を露光する工程と、フォト
レジスト膜における潜像を現像してフォトレジストマス
クを形成する現像工程とを含むことを特徴とする。
属反射膜上に高分子系樹脂膜を形成する工程と、高分子
系樹脂膜上にフォトレジスト膜を形成する工程と、フォ
トレジスト膜側から所定信号により変調された露光ビー
ムによってフォトレジスト膜を露光する工程と、フォト
レジスト膜における潜像を現像してフォトレジストマス
クを形成する現像工程とを含むことを特徴とする。
実施例 以下、この発明の実施例を図面を参照しつつ説明す
る。
る。
第１図は実施例の光ディスクの製造方法の特にフォト
レジストマスクを形成するための各工程におけるガラス
基板の部分拡大断面図である。
レジストマスクを形成するための各工程におけるガラス
基板の部分拡大断面図である。
まず、第１図（ａ）に示す如く、スパッタリングによ
り形成されたクロム膜５を有するガラス基板４を用意
し、該ガラス基板４のクロム膜面に濃度10g/lのポリビ
ニルアルコール水溶液をスピンコート法で塗布し、その
後、加熱乾燥させるベーキング処理を行い、有機溶媒難
溶性でかつ膜厚約数100Åのポリビニルアルコールから
なる高分子系樹脂膜７を形成する。かかる高分子系樹脂
膜７の膜厚は、ガラス基板４を回転させるスピンナの振
り切り回転数調整と、該ビニルアルコール水溶液の濃度
調整とにより調整する。有機溶媒難溶性とするのは、後
のフォトレジスト塗布工程で有機溶媒が使用される故
に、該有機溶媒に溶解せずに耐えさせるためである。
り形成されたクロム膜５を有するガラス基板４を用意
し、該ガラス基板４のクロム膜面に濃度10g/lのポリビ
ニルアルコール水溶液をスピンコート法で塗布し、その
後、加熱乾燥させるベーキング処理を行い、有機溶媒難
溶性でかつ膜厚約数100Åのポリビニルアルコールから
なる高分子系樹脂膜７を形成する。かかる高分子系樹脂
膜７の膜厚は、ガラス基板４を回転させるスピンナの振
り切り回転数調整と、該ビニルアルコール水溶液の濃度
調整とにより調整する。有機溶媒難溶性とするのは、後
のフォトレジスト塗布工程で有機溶媒が使用される故
に、該有機溶媒に溶解せずに耐えさせるためである。
次に、第１図（ｂ）に示す如く、高分子系樹脂膜上に
フォトレジスト、例えばヘキスト社製のAZ−1300SF46CP
を適宜に有機溶剤を用いて溶液の形態として、スピンコ
ート法で塗布し、乾燥させてフォトレジスト膜６を形成
する。このようにガラス基板４上にはクロム膜５、高分
子系樹脂膜７、フォトレジスト膜６が順に積層される。
フォトレジスト、例えばヘキスト社製のAZ−1300SF46CP
を適宜に有機溶剤を用いて溶液の形態として、スピンコ
ート法で塗布し、乾燥させてフォトレジスト膜６を形成
する。このようにガラス基板４上にはクロム膜５、高分
子系樹脂膜７、フォトレジスト膜６が順に積層される。
次に、第１図（ｃ）に示す如く、露光装置において、
フォトレジスト膜６をレーザー光、例えばArレーザー光
2aによって感光させる。
フォトレジスト膜６をレーザー光、例えばArレーザー光
2aによって感光させる。
次に、第１図（ｄ）に示す如く、露光された基板を現
像処理して、フォトレジストの露光部分を除去する。
像処理して、フォトレジストの露光部分を除去する。
次に、第１図（ｅ）に示す如く、残されたフォトレジ
スト膜６をマスクとして、高分子系樹脂膜の露出した部
分をアルカリ水溶液を用いてエッチング処理して除去す
る。
スト膜６をマスクとして、高分子系樹脂膜の露出した部
分をアルカリ水溶液を用いてエッチング処理して除去す
る。
以下、従来技術と同様にレジストマスクを有したガラ
ス基板にクロムエッチング処理等の処理を施し、その
後、この基板からクロムマスタを作成して、かかるクロ
ムマスタからピットを有した光ディスクを複製する。ま
た、クロム膜及び基板間に予めエッチング可能な膜を設
けてエッチングを行ってもよい。塗布するフォトレジス
トを所定膜厚として、かかるマスクを有した基板から直
接、マスタを作成することもできる。
ス基板にクロムエッチング処理等の処理を施し、その
後、この基板からクロムマスタを作成して、かかるクロ
ムマスタからピットを有した光ディスクを複製する。ま
た、クロム膜及び基板間に予めエッチング可能な膜を設
けてエッチングを行ってもよい。塗布するフォトレジス
トを所定膜厚として、かかるマスクを有した基板から直
接、マスタを作成することもできる。
本発明による光ディスク製造方法におけるフォトレジ
ストマスク露光工程では、露光ビームに対して吸収特性
をもつクロム膜からのフォトレジスト膜への熱エネルギ
ーの伝搬するに際して、高分子系樹脂膜が緩和膜として
機能すべく設けられている。高分子系樹脂膜は、熱伝導
性について金属より熱伝導性の低いからである。
ストマスク露光工程では、露光ビームに対して吸収特性
をもつクロム膜からのフォトレジスト膜への熱エネルギ
ーの伝搬するに際して、高分子系樹脂膜が緩和膜として
機能すべく設けられている。高分子系樹脂膜は、熱伝導
性について金属より熱伝導性の低いからである。
実施例の高分子系樹脂膜は水溶性であるけれども、室
温程度の水では溶解度が低いため殆ど溶解しない。しか
し、水温を温度30℃〜80℃の範囲にしたもので、エッチ
ング処理することも可能である。
温程度の水では溶解度が低いため殆ど溶解しない。しか
し、水温を温度30℃〜80℃の範囲にしたもので、エッチ
ング処理することも可能である。
また、実施例の高分子系樹脂膜に露光ビームの波長で
吸収特性を有する色素を混入することで、クロム反射膜
による露光ビームの反射を減少させることも可能であ
る。
吸収特性を有する色素を混入することで、クロム反射膜
による露光ビームの反射を減少させることも可能であ
る。
発明の効果 以上のように、本発明によれば、露光ビームに対して
吸収特性を有するクロム等の金属反射膜とフォトレジス
ト膜の間に、ポリビニルアルコール等の高分子系樹脂膜
が形成されているので、金属反射膜から伝搬される熱エ
ネルギーが、フォトレジスト膜に伝わるのを緩和するこ
とができ、光分解反応による感光レベルを安定化させる
ことができる。また、本実施例によれば、高分子系樹脂
膜であるので、樹脂を溶液形態で塗布し、加熱して硬化
させ、スピンコート法等によって容易に薄膜を形成でき
る。
吸収特性を有するクロム等の金属反射膜とフォトレジス
ト膜の間に、ポリビニルアルコール等の高分子系樹脂膜
が形成されているので、金属反射膜から伝搬される熱エ
ネルギーが、フォトレジスト膜に伝わるのを緩和するこ
とができ、光分解反応による感光レベルを安定化させる
ことができる。また、本実施例によれば、高分子系樹脂
膜であるので、樹脂を溶液形態で塗布し、加熱して硬化
させ、スピンコート法等によって容易に薄膜を形成でき
る。
また、本発明によれば、高分子系樹脂膜に露光ビーム
に対して吸収特性を有する色素を混入させることが可能
である故に、露光ビームが金属反射膜により反射され入
射露光ビームと干渉して不均一な感光及び現像が行われ
ることを抑制できる。
に対して吸収特性を有する色素を混入させることが可能
である故に、露光ビームが金属反射膜により反射され入
射露光ビームと干渉して不均一な感光及び現像が行われ
ることを抑制できる。
第１図は本発明による製造方法を説明するための基板の
概略拡大部分断面図、第２図はフォトレジスト露光装置
の概略図、第３図は第２図の円Ｘに示すガラス基板の部
分拡大断面図であって従来の製造方法によるフォトレジ
スト露光用基板を説明する図である。 主要部分の符号の説明 １……レーザー光源 ２……レーザービーム ３……光学系 ４……ガラス基板 ５……クロム膜 ６……フォトレジスト膜 ７……高分子系樹脂膜
概略拡大部分断面図、第２図はフォトレジスト露光装置
の概略図、第３図は第２図の円Ｘに示すガラス基板の部
分拡大断面図であって従来の製造方法によるフォトレジ
スト露光用基板を説明する図である。 主要部分の符号の説明 １……レーザー光源 ２……レーザービーム ３……光学系 ４……ガラス基板 ５……クロム膜 ６……フォトレジスト膜 ７……高分子系樹脂膜
Claims (4)
- 【請求項１】基板上に金属反射膜を形成する工程と、前
記金属反射膜上に高分子系樹脂膜を形成する工程と、前
記高分子系樹脂膜上にフォトレジスト膜を形成する工程
と、前記フォトレジスト膜側から所定信号により変調さ
れた露光ビームによって前記フォトレジスト膜を露光す
る工程と、前記フォトレジスト膜における潜像を現像し
てフォトレジストマスクを形成する現像工程とを含むこ
とを特徴とする光ディスクの製造方法。 - 【請求項２】前記高分子系樹脂膜はポリビニルアルコー
ルからなり、かつ前記金属反射膜はクロムからなること
を特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】高分子系樹脂を溶液形態で金属反射膜上に
塗布し乾燥して前記高分子系樹脂膜を形成することを特
徴とする請求項１又は２記載の製造方法。 - 【請求項４】前記高分子系樹脂膜は光吸収特性を有する
ことを特徴とする請求項１、２又は３記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7355688A JP2511102B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 光ディスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7355688A JP2511102B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 光ディスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01245444A JPH01245444A (ja) | 1989-09-29 |
| JP2511102B2 true JP2511102B2 (ja) | 1996-06-26 |
Family
ID=13521639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7355688A Expired - Lifetime JP2511102B2 (ja) | 1988-03-28 | 1988-03-28 | 光ディスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2511102B2 (ja) |
-
1988
- 1988-03-28 JP JP7355688A patent/JP2511102B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01245444A (ja) | 1989-09-29 |
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