JP2002208189A - 光ディスク原盤の製造方法 - Google Patents
光ディスク原盤の製造方法Info
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- JP2002208189A JP2002208189A JP2001004631A JP2001004631A JP2002208189A JP 2002208189 A JP2002208189 A JP 2002208189A JP 2001004631 A JP2001004631 A JP 2001004631A JP 2001004631 A JP2001004631 A JP 2001004631A JP 2002208189 A JP2002208189 A JP 2002208189A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマエッチングとアッシングプロセスを
用いて、深さが異なるピットとグルーブを同一原盤内に
形成する際に、ランドブリピット(LPP)及びその隣接グ
ルーブが再生信号に影響を与えることない形状の光ディ
スク原盤の製造方法を提供する。 【解決手段】 LPPを浅いグルーブ間、もしくは浅いピ
ット間に形成する際、そのレーザのパワーを浅いグルー
ブ、もしくは浅いピットを形成するレーザパワーよりも
小さくすることにより、エッチング、アッシングプロセ
スを経た後に、LPP部及びその隣接グルーブ部分は周辺
のグルーブ深さと同一の深さとする。
用いて、深さが異なるピットとグルーブを同一原盤内に
形成する際に、ランドブリピット(LPP)及びその隣接グ
ルーブが再生信号に影響を与えることない形状の光ディ
スク原盤の製造方法を提供する。 【解決手段】 LPPを浅いグルーブ間、もしくは浅いピ
ット間に形成する際、そのレーザのパワーを浅いグルー
ブ、もしくは浅いピットを形成するレーザパワーよりも
小さくすることにより、エッチング、アッシングプロセ
スを経た後に、LPP部及びその隣接グルーブ部分は周辺
のグルーブ深さと同一の深さとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク基板を
複製するディスクスタンパ作成用の光ディスク原盤の製
造方法に関するものである。
複製するディスクスタンパ作成用の光ディスク原盤の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクには再生専用型、追記型、書
き換え可能型などがあるが、その応用として同一基板内
に再生専用領域と、ユーザが記録できる記録可能領域を
設けた光ディスクが提案、実用化されている。通常、再
生専用領域となるピット領域と記録可能領域となるグル
ーブ領域とを有する光ディスクでは、ピットの深さは再
生信号である和信号の振幅が最大となるλ/4n（λ: 記
録、再生レーザ波長、n:基板の屈折率）に設定され、グ
ルーブの深さはトラッキング信号である差信号の振幅が
最大となるλ/8nに設定される。すなわち同一面内で深
さの異なる深いピットと浅いグルーブとを形成しなけれ
ばならず、そのような光ディスク基板を得るには、この
光ディスク基板を作成する元になる光ディスク原盤を製
造する一過程であるフォトレジストパターン形成におい
て、ピットとグルーブとでその深さを変える必要があ
る。
き換え可能型などがあるが、その応用として同一基板内
に再生専用領域と、ユーザが記録できる記録可能領域を
設けた光ディスクが提案、実用化されている。通常、再
生専用領域となるピット領域と記録可能領域となるグル
ーブ領域とを有する光ディスクでは、ピットの深さは再
生信号である和信号の振幅が最大となるλ/4n（λ: 記
録、再生レーザ波長、n:基板の屈折率）に設定され、グ
ルーブの深さはトラッキング信号である差信号の振幅が
最大となるλ/8nに設定される。すなわち同一面内で深
さの異なる深いピットと浅いグルーブとを形成しなけれ
ばならず、そのような光ディスク基板を得るには、この
光ディスク基板を作成する元になる光ディスク原盤を製
造する一過程であるフォトレジストパターン形成におい
て、ピットとグルーブとでその深さを変える必要があ
る。
【０００３】一般にこうしたフォトレジストパターン形
成過程において、同一基板内でピットとグルーブとの各
深さを変える手段として強度の強いレーザによってピッ
トを形成し、強度の弱いレーザによってグルーブを形成
する方法が用いられる。ここで、ピットの深さは基板表
面に塗布されたフォトレジストの膜厚で決定するが、グ
ルーブの深さはレーザの強度に依存し、レーザ強度の変
動やフォーカス信号の変動によってグルーブ深さに変動
が生じやすい。また同様にグルーブの幅もレーザ強度に
依存するため任意の幅のグルーブを得ることは非常に困
難であり、得られる形状もV字型に近いものとなるた
め、安定したトッラキング信号が得られないばかりか、
グルーブに信号を記録する際の記録パワーも従来の矩形
の底のあるグルーブに比べさらにパワーが必要となり、
高線速記録にも不向きな形状である。
成過程において、同一基板内でピットとグルーブとの各
深さを変える手段として強度の強いレーザによってピッ
トを形成し、強度の弱いレーザによってグルーブを形成
する方法が用いられる。ここで、ピットの深さは基板表
面に塗布されたフォトレジストの膜厚で決定するが、グ
ルーブの深さはレーザの強度に依存し、レーザ強度の変
動やフォーカス信号の変動によってグルーブ深さに変動
が生じやすい。また同様にグルーブの幅もレーザ強度に
依存するため任意の幅のグルーブを得ることは非常に困
難であり、得られる形状もV字型に近いものとなるた
め、安定したトッラキング信号が得られないばかりか、
グルーブに信号を記録する際の記録パワーも従来の矩形
の底のあるグルーブに比べさらにパワーが必要となり、
高線速記録にも不向きな形状である。
【０００４】このような問題を解決するために提案され
ている従来の技術としては、上記のような深さの異なる
レジストパターンを用い、プラズマエッチングとアッシ
ングを用いて深さの異なるピットとグルーブを得る方法
がある。
ている従来の技術としては、上記のような深さの異なる
レジストパターンを用い、プラズマエッチングとアッシ
ングを用いて深さの異なるピットとグルーブを得る方法
がある。
【０００５】図２は光ディスク原盤を製造する工程の概
略図を示す。まず図２(a)に示すように、ガラス基板1上
にフォトレジスト2を塗布し、強度の強いレーザによっ
てピットpの原型となるピット部p'を形成し、強度の弱
いレーザによってグルーブgの原型となるグルーブ部g'
を形成する。このときピット部p'はガラス基板1の表面
に達するまで露光されているが、グルーブ部g'はそれよ
りも浅く、V字型の形状をしている。
略図を示す。まず図２(a)に示すように、ガラス基板1上
にフォトレジスト2を塗布し、強度の強いレーザによっ
てピットpの原型となるピット部p'を形成し、強度の弱
いレーザによってグルーブgの原型となるグルーブ部g'
を形成する。このときピット部p'はガラス基板1の表面
に達するまで露光されているが、グルーブ部g'はそれよ
りも浅く、V字型の形状をしている。
【０００６】次にCF4もしくはCHF3等のガス雰囲気中で
１回目のプラズマエッチングを行う。その結果ガラス基
板1の表面が露出しているピット部p'のみエッチングが
進行し、グルーブ部g'はフォトレジスト2がマスクとな
りエッチングはされず、図２(b)のような形状を得る。
１回目のプラズマエッチングを行う。その結果ガラス基
板1の表面が露出しているピット部p'のみエッチングが
進行し、グルーブ部g'はフォトレジスト2がマスクとな
りエッチングはされず、図２(b)のような形状を得る。
【０００７】次に図２(c)に示すように、グルーブ部g'
の底面がガラス基板1の表面に達するところまでフォト
レジストをO2アッシングする。
の底面がガラス基板1の表面に達するところまでフォト
レジストをO2アッシングする。
【０００８】次に図２(d)に示すように、CF4もしくはCH
F3等のガス雰囲気中で２回目のプラズマエッチングを行
う。その結果グルーブ部g'を所定の深さエッチングする
と、同時にピット部p'もエッチングされるためグルーブ
部g'よりも深いピット部p'が得られる。このときのグル
ーブ部g'の形状はプラズマエッチングで得られたもので
あるからV字型ではなく矩形の底のある形状が得られ
る。
F3等のガス雰囲気中で２回目のプラズマエッチングを行
う。その結果グルーブ部g'を所定の深さエッチングする
と、同時にピット部p'もエッチングされるためグルーブ
部g'よりも深いピット部p'が得られる。このときのグル
ーブ部g'の形状はプラズマエッチングで得られたもので
あるからV字型ではなく矩形の底のある形状が得られ
る。
【０００９】最後に図２(e)に示すように、O2アッシン
グにより完全にフォトレジストを除去することにより深
さの違うピットpとグルーブgを有したガラス基板1が得
られる。
グにより完全にフォトレジストを除去することにより深
さの違うピットpとグルーブgを有したガラス基板1が得
られる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで記録型光ディ
スクでは繰り返し記録型デジタル多用途ディスク（以下
DVD-RWと記す）のように、記録領域部（グルーブ領域）
のアドレス（セクタアドレス）を規定するために、グル
ーブ間g-gのランドにピットを設けるランドプリピット
（以下LPPと記す）と呼ばれる、アドレス方式を採用し
ているものがある。図3はランドプリピットの模式図を
示す。
スクでは繰り返し記録型デジタル多用途ディスク（以下
DVD-RWと記す）のように、記録領域部（グルーブ領域）
のアドレス（セクタアドレス）を規定するために、グル
ーブ間g-gのランドにピットを設けるランドプリピット
（以下LPPと記す）と呼ばれる、アドレス方式を採用し
ているものがある。図3はランドプリピットの模式図を
示す。
【００１１】例えばDVD-RWの場合の記録方式は、図３に
示すように、グルーブ3(g)に信号を記録するグルーブ記
録方式であるが、アドレスの検出にはレーザスポットが
ランド4に設けられたLPP5の横（半径方向）を通過する
際に得られる差信号の振幅変化を検出することによりア
ドレス情報を得ている。
示すように、グルーブ3(g)に信号を記録するグルーブ記
録方式であるが、アドレスの検出にはレーザスポットが
ランド4に設けられたLPP5の横（半径方向）を通過する
際に得られる差信号の振幅変化を検出することによりア
ドレス情報を得ている。
【００１２】さてこのようなLPP5の形状を上記図２で述
べたエッチングを用いて形成する場合、図2(a)のレジス
トパターンの形成過程において、グルーブ部g'と共にグ
ルーブ間g-gのランド部lにLPP部lpも形成するのである
が(図４に図示)、このときグルーブ部g'を露光するレー
ザパワーと同じパワーでLPP部lpを露光すると、こうし
て形成されたLPP部lpの深さ及びこのLPP部lpに隣接する
グルーブ部g'の深さはそれぞれ、このLPP部lpが隣接し
て形成されていないグルーブ部g'の深さよりも深いもの
となる。図４はレジストパターン形成過程におけるラン
ドプリピット周辺を説明するための断面図を示す。
べたエッチングを用いて形成する場合、図2(a)のレジス
トパターンの形成過程において、グルーブ部g'と共にグ
ルーブ間g-gのランド部lにLPP部lpも形成するのである
が(図４に図示)、このときグルーブ部g'を露光するレー
ザパワーと同じパワーでLPP部lpを露光すると、こうし
て形成されたLPP部lpの深さ及びこのLPP部lpに隣接する
グルーブ部g'の深さはそれぞれ、このLPP部lpが隣接し
て形成されていないグルーブ部g'の深さよりも深いもの
となる。図４はレジストパターン形成過程におけるラン
ドプリピット周辺を説明するための断面図を示す。
【００１３】その理由はグルーブg'及びLPP部lpの露光
に用いるレーザの強度分布がガウス分布となっているた
めであり、LPP部lp及びその隣接グルーブ部g'において
露光部のかぶりが生じるためである。換言すれば、LPP
部lp を形成すべきランド部l上の特定位置を露光する際
に、この露光に要するスポット光がこのランド部lに隣
接するグルーブ部g'に対しても再度露光する状態になっ
てしまうために、グルーブ部g'が所定の深さよりも更に
深く掘れてしまうからである。
に用いるレーザの強度分布がガウス分布となっているた
めであり、LPP部lp及びその隣接グルーブ部g'において
露光部のかぶりが生じるためである。換言すれば、LPP
部lp を形成すべきランド部l上の特定位置を露光する際
に、この露光に要するスポット光がこのランド部lに隣
接するグルーブ部g'に対しても再度露光する状態になっ
てしまうために、グルーブ部g'が所定の深さよりも更に
深く掘れてしまうからである。
【００１４】なおDVD-RWのようにトラックピッチが狭い
場合はこのようなかぶり現象は顕著に現れることにな
る。さて図４のようなレジストパターンを用いて、図２
に示したようなエッチング、アッシングの各工程を行う
と、多くの問題が生じる。例えば図４のレジストパター
ンでLPP部lpがガラス基板１表面まで露光された場合
は、LPP部lpとピット部p'との深さが同じになるため、
図2(e)の最終段階でもピット部p'とLPP部lpとの深さが
同じになる。これはLPP部lpの隣接グルーブ部g'でも同
様であり、図４のレジストパターンでLPP部lpの隣接グ
ルーブ部g'がガラス基板１表面まで露光された場合は、
その隣接グルーブ部g'とピット部p'との深さが同じにな
るため、図2(e)の最終段階でもピットpとLPP 5の隣接グ
ルーブg(3)の深さが同じになる。
場合はこのようなかぶり現象は顕著に現れることにな
る。さて図４のようなレジストパターンを用いて、図２
に示したようなエッチング、アッシングの各工程を行う
と、多くの問題が生じる。例えば図４のレジストパター
ンでLPP部lpがガラス基板１表面まで露光された場合
は、LPP部lpとピット部p'との深さが同じになるため、
図2(e)の最終段階でもピット部p'とLPP部lpとの深さが
同じになる。これはLPP部lpの隣接グルーブ部g'でも同
様であり、図４のレジストパターンでLPP部lpの隣接グ
ルーブ部g'がガラス基板１表面まで露光された場合は、
その隣接グルーブ部g'とピット部p'との深さが同じにな
るため、図2(e)の最終段階でもピットpとLPP 5の隣接グ
ルーブg(3)の深さが同じになる。
【００１５】また図４のレジストパターンでLPP部lp及
びその隣接グルーブ部g'がガラス基板１表面まで露光さ
れないまでも、周辺グルーブ部g'よりもその部分が深く
なると、例えば、エッチングにおいて選択比（=ガラス
エッチング量/レジスト減少量）が小さくなると、同様
に図2(e)の最終段階でもその部分の深さは周辺グルーブ
に比べ深い形状となる。
びその隣接グルーブ部g'がガラス基板１表面まで露光さ
れないまでも、周辺グルーブ部g'よりもその部分が深く
なると、例えば、エッチングにおいて選択比（=ガラス
エッチング量/レジスト減少量）が小さくなると、同様
に図2(e)の最終段階でもその部分の深さは周辺グルーブ
に比べ深い形状となる。
【００１６】また図４のレジストパターンでグルーブ部
幅g'-g'を広げようとすると、LPP部lpとのかぶりの面積
が大きくなり、上記の問題は更に深刻となり、また都合
上レジスト厚を薄くする必要に迫られたときでも、同様
のことが言える。
幅g'-g'を広げようとすると、LPP部lpとのかぶりの面積
が大きくなり、上記の問題は更に深刻となり、また都合
上レジスト厚を薄くする必要に迫られたときでも、同様
のことが言える。
【００１７】さてこのように、LPP 5もしくはLPP 5に隣
接するグルーブg(3)が周辺グルーブg(3)より深くなって
いる光ディスクに信号を記録し再生を行った場合、その
深くなっている部分で変調された信号が再生信号である
和信号に重畳され非常にエラーレートが高くなるといっ
た重大な問題を生じる。
接するグルーブg(3)が周辺グルーブg(3)より深くなって
いる光ディスクに信号を記録し再生を行った場合、その
深くなっている部分で変調された信号が再生信号である
和信号に重畳され非常にエラーレートが高くなるといっ
た重大な問題を生じる。
【００１８】本発明は上述の問題を解決するためになさ
れたものであり、プラズマエッチングとアッシングプロ
セスを用いて、深さが異なるピットとグルーブを同一原
盤内に形成する際に、LPP及びその隣接グルーブが再生
信号に影響を与えることなく、エラーの少ないLPP形
状、またその製造方法を提供することを目的とする。
れたものであり、プラズマエッチングとアッシングプロ
セスを用いて、深さが異なるピットとグルーブを同一原
盤内に形成する際に、LPP及びその隣接グルーブが再生
信号に影響を与えることなく、エラーの少ないLPP形
状、またその製造方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、次の（１），（２）の構成を有する
光ディスク原盤の製造方法を提供する。 （１） 図１、図２に示すように、深いピットを有する
ピット領域（ディスク基板内周にある領域）と浅いグル
ーブを有するグルーブ領域（ディスク基板の外周側にあ
る記録領域）とを備え、かつ前記グルーブ間に（セクタ
アドレス用の）ランドプリピットを形成してなるガラス
製の光ディスク原盤を作成する光ディスク原盤の製造方
法であって、ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、
前記ピット領域に前記ガラス基板表面まで露光する第１
のパワーのレーザを照射して、ピット部を形成し、前記
グルーブ領域に前記第１のパワーよりも小さいパワーで
ある第２のパワーのレーザを照射して前記ガラス基板表
面に到達しない浅いグルーブ部を形成し、前記グルーブ
部間に存在するランドに前記第２のパワーのレーザより
も小さいパワーである第３のパワーのレーザを照射して
ランドプリピット部を形成し、プラズマエッチングによ
り前記ピット部のみ所定の深さになるまでエッチング
し、アッシングにより前記ランドプリピット部底面が前
記ガラス基板表面に達するところまでフォトレジストを
アッシングし、プラズマエッチングにより前記グルーブ
部と前記ピット部と前記ランドプリピット部とをそれぞ
れ所定の深さになるようにエッチングを行って、前記ピ
ット、前記グルーブ、前記ランドプリピットを形成し、
アッシングにより前記フォトレジストを除去することを
特徴とする光ディスク原盤の製造方法。 （２） 深いピットを有する第１ピット領域と浅いピッ
トを有する第２ピット領域と浅いグルーブを有するグル
ーブ領域とを備え、かつ前記浅いピット間にランドプリ
ピットを形成してなるガラス製の光ディスク原盤を作成
する光ディスク原盤の製造方法であって、ガラス基板上
にフォトレジストを塗布し、前記第１ピット領域に前記
ガラス基板表面まで露光する第１のパワーのレーザを照
射して、深いピット部を形成し、前記第２ピット領域に
前記第１のパワーよりも小さいパワーである第２のパワ
ーのレーザを照射して前記ガラス基板表面に到達しない
浅いピット部を形成し、前記浅いピット部間に存在する
ランドに前記第２のパワーのレーザよりも小さいパワー
である第３のパワーのレーザを照射してランドプリピッ
ト部を形成し、プラズマエッチングにより前記深いピッ
ト部のみ所定の深さになるまでエッチングし、アッシン
グにより前記ランドプリピット部底面が前記ガラス基板
表面に達するところまでフォトレジストをアッシング
し、プラズマエッチングにより前記グルーブ部と前記浅
いピット部と前記深いピット部と前記ランドプリピット
部とをそれぞれ所定の深さになるようにエッチングを行
って、前記グルーブ、前記浅いピット、前記深いピッ
ト、前記ランドプリピットを形成し、アッシングにより
前記フォトレジストを除去することを特徴とする光ディ
スク原盤の製造方法。 ［作用］本発明ではランドプリピットを浅いグルーブ
間、もしくは浅いピット間に形成する際、そのレーザパ
ワーを浅いグルーブ、もしくは浅いピットを形成するレ
ーザパワーよりも小さくしているため、上記エッチン
グ、アッシングプロセスを経た後に、ランドプリピット
部及びその隣接グルーブ部は周辺のグルーブ部の深さと
同一の深さとなる。このような光ディスク原盤を用いる
とランドプリピット及びその隣接グルーブが再生信号に
影響を与えることのない、エラーの少ない光ディスク基
板を得ることができる。またレジストパターン形成過程
においてランド部に占めるランドプリピット部の面積は
小さいものであるが、後工程のアッシングによりその面
積は広がるため、最終的にランドプリピットを検出する
に十分な差信号が得られる。
ために、本発明は、次の（１），（２）の構成を有する
光ディスク原盤の製造方法を提供する。 （１） 図１、図２に示すように、深いピットを有する
ピット領域（ディスク基板内周にある領域）と浅いグル
ーブを有するグルーブ領域（ディスク基板の外周側にあ
る記録領域）とを備え、かつ前記グルーブ間に（セクタ
アドレス用の）ランドプリピットを形成してなるガラス
製の光ディスク原盤を作成する光ディスク原盤の製造方
法であって、ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、
前記ピット領域に前記ガラス基板表面まで露光する第１
のパワーのレーザを照射して、ピット部を形成し、前記
グルーブ領域に前記第１のパワーよりも小さいパワーで
ある第２のパワーのレーザを照射して前記ガラス基板表
面に到達しない浅いグルーブ部を形成し、前記グルーブ
部間に存在するランドに前記第２のパワーのレーザより
も小さいパワーである第３のパワーのレーザを照射して
ランドプリピット部を形成し、プラズマエッチングによ
り前記ピット部のみ所定の深さになるまでエッチング
し、アッシングにより前記ランドプリピット部底面が前
記ガラス基板表面に達するところまでフォトレジストを
アッシングし、プラズマエッチングにより前記グルーブ
部と前記ピット部と前記ランドプリピット部とをそれぞ
れ所定の深さになるようにエッチングを行って、前記ピ
ット、前記グルーブ、前記ランドプリピットを形成し、
アッシングにより前記フォトレジストを除去することを
特徴とする光ディスク原盤の製造方法。 （２） 深いピットを有する第１ピット領域と浅いピッ
トを有する第２ピット領域と浅いグルーブを有するグル
ーブ領域とを備え、かつ前記浅いピット間にランドプリ
ピットを形成してなるガラス製の光ディスク原盤を作成
する光ディスク原盤の製造方法であって、ガラス基板上
にフォトレジストを塗布し、前記第１ピット領域に前記
ガラス基板表面まで露光する第１のパワーのレーザを照
射して、深いピット部を形成し、前記第２ピット領域に
前記第１のパワーよりも小さいパワーである第２のパワ
ーのレーザを照射して前記ガラス基板表面に到達しない
浅いピット部を形成し、前記浅いピット部間に存在する
ランドに前記第２のパワーのレーザよりも小さいパワー
である第３のパワーのレーザを照射してランドプリピッ
ト部を形成し、プラズマエッチングにより前記深いピッ
ト部のみ所定の深さになるまでエッチングし、アッシン
グにより前記ランドプリピット部底面が前記ガラス基板
表面に達するところまでフォトレジストをアッシング
し、プラズマエッチングにより前記グルーブ部と前記浅
いピット部と前記深いピット部と前記ランドプリピット
部とをそれぞれ所定の深さになるようにエッチングを行
って、前記グルーブ、前記浅いピット、前記深いピッ
ト、前記ランドプリピットを形成し、アッシングにより
前記フォトレジストを除去することを特徴とする光ディ
スク原盤の製造方法。 ［作用］本発明ではランドプリピットを浅いグルーブ
間、もしくは浅いピット間に形成する際、そのレーザパ
ワーを浅いグルーブ、もしくは浅いピットを形成するレ
ーザパワーよりも小さくしているため、上記エッチン
グ、アッシングプロセスを経た後に、ランドプリピット
部及びその隣接グルーブ部は周辺のグルーブ部の深さと
同一の深さとなる。このような光ディスク原盤を用いる
とランドプリピット及びその隣接グルーブが再生信号に
影響を与えることのない、エラーの少ない光ディスク基
板を得ることができる。またレジストパターン形成過程
においてランド部に占めるランドプリピット部の面積は
小さいものであるが、後工程のアッシングによりその面
積は広がるため、最終的にランドプリピットを検出する
に十分な差信号が得られる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図面に
基づいて説明する。図１は本発明の製造方法のレジスト
パターン形成過程におけるランドプリピット周辺を説明
するための断面図、作成された光ディスク原盤を説明す
るための図である。前述したものと同一部分には同一符
号を付し、その説明を省略する。
基づいて説明する。図１は本発明の製造方法のレジスト
パターン形成過程におけるランドプリピット周辺を説明
するための断面図、作成された光ディスク原盤を説明す
るための図である。前述したものと同一部分には同一符
号を付し、その説明を省略する。
【００２１】まず図2(a)に示すように、研磨した石英ガ
ラス基板1上にフォトレジスト2を厚さ100nm塗布し、ピ
ットpが形成されるべきピット領域Paに、前記ガラス基
板1表面まで露光するパワーP1を照射しピット部p'を形
成する。このときピット部p'の深さはフォトレジスト2
のレジスト厚と同一の100nmとなる。
ラス基板1上にフォトレジスト2を厚さ100nm塗布し、ピ
ットpが形成されるべきピット領域Paに、前記ガラス基
板1表面まで露光するパワーP1を照射しピット部p'を形
成する。このときピット部p'の深さはフォトレジスト2
のレジスト厚と同一の100nmとなる。
【００２２】次にピット部p'を形成したパワーよりも小
さいパワーP2(P1＞P2)をグルーブg(3)が形成されるべき
グルーブ領域Gaに照射し、前記ガラス基板1表面に到達
しない浅いグルーブ部g'を形成する。具体的にはグルー
ブ部g'の深さが50nmとなるようなパワーでグルーブを形
成する。
さいパワーP2(P1＞P2)をグルーブg(3)が形成されるべき
グルーブ領域Gaに照射し、前記ガラス基板1表面に到達
しない浅いグルーブ部g'を形成する。具体的にはグルー
ブ部g'の深さが50nmとなるようなパワーでグルーブを形
成する。
【００２３】次にLPP部lpをグルーブ部g'-g'間に形成す
る際、LPP部 lpの隣接グルーブ部g',g'が50nmよりも深
くならないよう、グルーブg(3)を形成する際のパワーを
そのままにしておいて、グルーブg(3)を形成する際のパ
ワーよりも小さいパワーP3(P2＞P3)でLPP部lpを形成す
る。具体的にはLPP部lpの深さが40nmとなるようなパワ
ーでLPP部lpを形成する。またグルーブ部g'の深さと同
一の深さの浅いピット部p'-p'間にLPP部lpを形成する場
合も、浅いピット部p1'を50nmの深さになるようにパタ
ーンを形成し、その浅いピット部間p1'- p1'に40nmと深
さとなるようなパワーP3でLPP部lpを形成する。
る際、LPP部 lpの隣接グルーブ部g',g'が50nmよりも深
くならないよう、グルーブg(3)を形成する際のパワーを
そのままにしておいて、グルーブg(3)を形成する際のパ
ワーよりも小さいパワーP3(P2＞P3)でLPP部lpを形成す
る。具体的にはLPP部lpの深さが40nmとなるようなパワ
ーでLPP部lpを形成する。またグルーブ部g'の深さと同
一の深さの浅いピット部p'-p'間にLPP部lpを形成する場
合も、浅いピット部p1'を50nmの深さになるようにパタ
ーンを形成し、その浅いピット部間p1'- p1'に40nmと深
さとなるようなパワーP3でLPP部lpを形成する。
【００２４】次に図2(b)に示すように、CHF3ガス雰囲気
中で１回目のプラズマエッチングを行う。その結果ガラ
ス基板１の表面が露出しているピット部p'のみエッチン
グが進行し、グルーブ部g'、及びLPP部lpはフォトレジ
ストがマスクとなりエッチングはされず、図2(b)のよう
な形状を得る。このときのピット部p'でのエッチング量
は65nmとした。
中で１回目のプラズマエッチングを行う。その結果ガラ
ス基板１の表面が露出しているピット部p'のみエッチン
グが進行し、グルーブ部g'、及びLPP部lpはフォトレジ
ストがマスクとなりエッチングはされず、図2(b)のよう
な形状を得る。このときのピット部p'でのエッチング量
は65nmとした。
【００２５】次に図2(c)に示すように、グルーブ部g'の
底面及びLPP部lpの底面がガラス基板1の表面に達すると
ころまでフォトレジストをO2アッシングする。ここでの
レジストアッシング量は70nmとし、フォトレジスト2の
残留膜厚は約30nmとなっている。
底面及びLPP部lpの底面がガラス基板1の表面に達すると
ころまでフォトレジストをO2アッシングする。ここでの
レジストアッシング量は70nmとし、フォトレジスト2の
残留膜厚は約30nmとなっている。
【００２６】次に図2(d)に示すように、CHF3ガス雰囲気
中で２回目のプラズマエッチングを行う。具体的にはグ
ルーブ部g'及びLPP部lpのエッチング深さが25nmとなる
ようエッチングを行う。このとき同時にピット部p',p1'
もエッチングされるためグルーブ部g'のエッチング深さ
は１回目のエッチング深さと併せて90nmとなっている。
中で２回目のプラズマエッチングを行う。具体的にはグ
ルーブ部g'及びLPP部lpのエッチング深さが25nmとなる
ようエッチングを行う。このとき同時にピット部p',p1'
もエッチングされるためグルーブ部g'のエッチング深さ
は１回目のエッチング深さと併せて90nmとなっている。
【００２７】最後に図2(e)のに示すように、O2アッシン
グにより完全にフォトレジストを除去することにより深
さ90nmのピットpと深さ25nmのグルーブg(3)、LPP 5を有
したガラス原盤1が得られる。浅いピットパターンをレ
ジストに形成した場合には、その部分の深さも25nmとな
っている。このようにして得られたグルーブ形状はプラ
ズマエッチングで得られたものであるからV字型ではな
く矩形の底のあるグルーブ形状が得られる。このように
して得られたガラス原盤からスタンパーを作製し、射出
成形によりポリカーボネート基板を作製した。
グにより完全にフォトレジストを除去することにより深
さ90nmのピットpと深さ25nmのグルーブg(3)、LPP 5を有
したガラス原盤1が得られる。浅いピットパターンをレ
ジストに形成した場合には、その部分の深さも25nmとな
っている。このようにして得られたグルーブ形状はプラ
ズマエッチングで得られたものであるからV字型ではな
く矩形の底のあるグルーブ形状が得られる。このように
して得られたガラス原盤からスタンパーを作製し、射出
成形によりポリカーボネート基板を作製した。
【００２８】このガラス基板１又は、このガラス基板１
から作成したメタルマスターから更に作成したディスク
ススタンパにより樹脂整形してディスク基板を得た。こ
のディスク基板の溝形状は、グルーブ幅をＷｇ、ピット
幅をＷｐとしたときに、１．５Ｗｐ＞Ｗｇ＞０．７Ｗ
ｐ、更に好ましくは１．５Ｗｐ＞Ｗｇ＞０．８Ｗｐが望
ましい。またグルーブ側面を直線近似したときの最大グ
ルーブ幅に対して、グルーブ深さの５０％におけるグル
ーブ幅は７０％以上、さらに好ましくは８０％以上が望
ましい。また、グルーブ底面と、LPP底面が統計的に同
一深さにあることが望ましい。ディスク基板の溝形状を
以上のようにすることで、記録パワーを低く抑えること
が可能であり、また記録パワーマージンを広く取ること
が可能となる。さらに、このディスク基板の溝形状を実
現するには、前述のディスク原盤の製造方法を用いるこ
とができることは言うまでもない。前記したディスク基
板の例としては、図６に示すディスク基板10がある。
から作成したメタルマスターから更に作成したディスク
ススタンパにより樹脂整形してディスク基板を得た。こ
のディスク基板の溝形状は、グルーブ幅をＷｇ、ピット
幅をＷｐとしたときに、１．５Ｗｐ＞Ｗｇ＞０．７Ｗ
ｐ、更に好ましくは１．５Ｗｐ＞Ｗｇ＞０．８Ｗｐが望
ましい。またグルーブ側面を直線近似したときの最大グ
ルーブ幅に対して、グルーブ深さの５０％におけるグル
ーブ幅は７０％以上、さらに好ましくは８０％以上が望
ましい。また、グルーブ底面と、LPP底面が統計的に同
一深さにあることが望ましい。ディスク基板の溝形状を
以上のようにすることで、記録パワーを低く抑えること
が可能であり、また記録パワーマージンを広く取ること
が可能となる。さらに、このディスク基板の溝形状を実
現するには、前述のディスク原盤の製造方法を用いるこ
とができることは言うまでもない。前記したディスク基
板の例としては、図６に示すディスク基板10がある。
【００２９】図６に示すように、得られたディスク基板
10上にスパッタリングによりZnS-SiO2誘電体膜11、GeN
中間層12、AgInSbTe記録膜13、ZnS-SiO2誘電体膜14、Al
反射膜15を順次成膜し、さらに紫外線硬化樹脂をスピン
コートにより塗布してUVコート16を形成した跡、張り合
わせシート17によりダミーのポリカーボネート基板18と
張り合わせることにより、相変化記録型光ディスクを作
製した。
10上にスパッタリングによりZnS-SiO2誘電体膜11、GeN
中間層12、AgInSbTe記録膜13、ZnS-SiO2誘電体膜14、Al
反射膜15を順次成膜し、さらに紫外線硬化樹脂をスピン
コートにより塗布してUVコート16を形成した跡、張り合
わせシート17によりダミーのポリカーボネート基板18と
張り合わせることにより、相変化記録型光ディスクを作
製した。
【００３０】図４にレジストパターン形成過程でのLPP
を形成するパワーP3と本実施例で得られた光ディスクの
エラーレート、LPP出力の関係を示す。LPPを形成するパ
ワーP3を0.3P2< P3< P2の範囲で用いるとLPP出力、エラ
ーレート共に実用上問題のない信号特性がえられた。こ
こでP3=P2は従来例にあたる。P3が0.3P2以下となるとエ
ラーレートは良好であったが、LPP出力が得られなかっ
た。これはP3のパワー低下に伴い、LPP幅が小さくな
り、最終ディスク形状においてもランド幅に対しLPPが
小さくなったためである。またP3がP2以上となるとレジ
ストパターン形成過程でLPP部及びその隣接グルーブ部
分において露光部のかぶりが生じるため、その部分が周
辺グルーブより深くなり、最終ディスク形状においても
同様の形状となる。このため再生信号にこの部分が重畳
され、エラーレートが悪化している。
を形成するパワーP3と本実施例で得られた光ディスクの
エラーレート、LPP出力の関係を示す。LPPを形成するパ
ワーP3を0.3P2< P3< P2の範囲で用いるとLPP出力、エラ
ーレート共に実用上問題のない信号特性がえられた。こ
こでP3=P2は従来例にあたる。P3が0.3P2以下となるとエ
ラーレートは良好であったが、LPP出力が得られなかっ
た。これはP3のパワー低下に伴い、LPP幅が小さくな
り、最終ディスク形状においてもランド幅に対しLPPが
小さくなったためである。またP3がP2以上となるとレジ
ストパターン形成過程でLPP部及びその隣接グルーブ部
分において露光部のかぶりが生じるため、その部分が周
辺グルーブより深くなり、最終ディスク形状においても
同様の形状となる。このため再生信号にこの部分が重畳
され、エラーレートが悪化している。
【００３１】このように、作製した光ディスクのLPP及
びその隣接グルーブは周辺のグルーブ深さと同一の深さ
となっているため、LPP及びその隣接グルーブが再生信
号に影響を与えることはなく、非常にエラーの少ない光
ディスク基板を得ることができた。またアドレス信号を
検出するに十分な差信号の振幅変化が得られた。
びその隣接グルーブは周辺のグルーブ深さと同一の深さ
となっているため、LPP及びその隣接グルーブが再生信
号に影響を与えることはなく、非常にエラーの少ない光
ディスク基板を得ることができた。またアドレス信号を
検出するに十分な差信号の振幅変化が得られた。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、プ
ラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さ
が異なるピットとグルーブを同一基板内に形成する際
に、レジストパターン形成工程でLPPを浅いグルーブ
間、もしくは浅いピット間に形成する際、LPPのレーザ
パワーを浅いグルーブ、もしくは浅いピットを形成する
レーザパワーよりも小さくすることにより、エッチン
グ、アッシングプロセスを経た後に、LPP部及びその隣
接グルーブ部分は周辺のグルーブ深さと同一の深さとな
るため、このような光ディスク原盤を用いるとLPP及び
その隣接グルーブが再生信号に影響を与えることのな
い、非常にエラーの小さい光ディスク基板を得ることが
できる。
ラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さ
が異なるピットとグルーブを同一基板内に形成する際
に、レジストパターン形成工程でLPPを浅いグルーブ
間、もしくは浅いピット間に形成する際、LPPのレーザ
パワーを浅いグルーブ、もしくは浅いピットを形成する
レーザパワーよりも小さくすることにより、エッチン
グ、アッシングプロセスを経た後に、LPP部及びその隣
接グルーブ部分は周辺のグルーブ深さと同一の深さとな
るため、このような光ディスク原盤を用いるとLPP及び
その隣接グルーブが再生信号に影響を与えることのな
い、非常にエラーの小さい光ディスク基板を得ることが
できる。
【図１】 本発明の製造方法のレジストパターン形成過
程におけるランドフリピット周辺を説明するための断面
図、作成された光ディスク原盤を説明するための図
程におけるランドフリピット周辺を説明するための断面
図、作成された光ディスク原盤を説明するための図
【図２】 光ディスク原盤を製造する工程の概略図
【図３】 ランドプリピットの模式図
【図４】 レジストパターン形成過程におけるランドフ
リピット周辺を説明するための断面図
リピット周辺を説明するための断面図
【図５】 本実施例におけるLPP形成パワーP3とLPP出
力、エラーレートの関係を示す図
力、エラーレートの関係を示す図
【図６】 本発明方法により得た光ディスク原盤に基づ
いて作成されたディスク基板を用いて成るディスク構造
を説明するための図
いて作成されたディスク基板を用いて成るディスク構造
を説明するための図
１ ガラス基板 ２ フォトレジスト ３，ｇ グルーブ ４ ランド部 ５，lp LPP部 Ga グルーブ領域 p ピット p',p'1 ピット部Pa ピット領域
フロントページの続き (72)発明者 松本 勉 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 辻 史隆 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 Ｆターム(参考） 5D121 AA02 BB03 BB22 BB26 BB33 GG04
Claims (2)
- 【請求項１】 深いピットを有するピット領域と浅いグ
ルーブを有するグルーブ領域とを備え、かつ前記グルー
ブ間にランドプリピットを形成してなるガラス製の光デ
ィスク原盤を作成する光ディスク原盤の製造方法であっ
て、 ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、 前記ピット領域に前記ガラス基板表面まで露光する第１
のパワーのレーザを照射して、ピット部を形成し、 前記グルーブ領域に前記第１のパワーよりも小さいパワ
ーである第２のパワーのレーザを照射して前記ガラス基
板表面に到達しない浅いグルーブ部を形成し、 前記グルーブ部間に存在するランドに前記第２のパワー
のレーザよりも小さいパワーである第３のパワーのレー
ザを照射してランドプリピット部を形成し、 プラズマエッチングにより前記ピット部のみ所定の深さ
になるまでエッチングし、 アッシングにより前記ランドプリピット部底面が前記ガ
ラス基板表面に達するところまでフォトレジストをアッ
シングし、 プラズマエッチングにより前記グルーブ部と前記ピット
部と前記ランドプリピット部とをそれぞれ所定の深さに
なるようにエッチングを行って、前記ピット、前記グル
ーブ、前記ランドプリピットを形成し、 アッシングにより前記フォトレジストを除去することを
特徴とする光ディスク原盤の製造方法。 - 【請求項２】 深いピットを有する第１ピット領域と浅
いピットを有する第２ピット領域と浅いグルーブを有す
るグルーブ領域とを備え、かつ前記浅いピット間にラン
ドプリピットを形成してなるガラス製の光ディスク原盤
を作成する光ディスク原盤の製造方法であって、 ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、 前記第１ピット領域に前記ガラス基板表面まで露光する
第１のパワーのレーザを照射して、深いピット部を形成
し、 前記第２ピット領域に前記第１のパワーよりも小さいパ
ワーである第２のパワーのレーザを照射して前記ガラス
基板表面に到達しない浅いピット部を形成し、 前記浅いピット部間に存在するランドに前記第２のパワ
ーのレーザよりも小さいパワーである第３のパワーのレ
ーザを照射してランドプリピット部を形成し、 プラズマエッチングにより前記深いピット部のみ所定の
深さになるまでエッチングし、 アッシングにより前記ランドプリピット部底面が前記ガ
ラス基板表面に達するところまでフォトレジストをアッ
シングし、 プラズマエッチングにより前記グルーブ部と前記浅いピ
ット部と前記深いピット部と前記ランドプリピット部と
をそれぞれ所定の深さになるようにエッチングを行っ
て、前記グルーブ、前記浅いピット、前記深いピット、
前記ランドプリピットを形成し、 アッシングにより前記フォトレジストを除去することを
特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001004631A JP2002208189A (ja) | 2001-01-12 | 2001-01-12 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001004631A JP2002208189A (ja) | 2001-01-12 | 2001-01-12 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002208189A true JP2002208189A (ja) | 2002-07-26 |
Family
ID=18872788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001004631A Pending JP2002208189A (ja) | 2001-01-12 | 2001-01-12 | 光ディスク原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002208189A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294150A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Ricoh Co Ltd | 光情報記憶媒体用原盤の製造方法、光情報記憶媒体用スタンパの製造方法、スタンパ、光情報記憶媒体用成形基板の製造方法及び光情報記憶媒体用成形基板 |
-
2001
- 2001-01-12 JP JP2001004631A patent/JP2002208189A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006294150A (ja) * | 2005-04-12 | 2006-10-26 | Ricoh Co Ltd | 光情報記憶媒体用原盤の製造方法、光情報記憶媒体用スタンパの製造方法、スタンパ、光情報記憶媒体用成形基板の製造方法及び光情報記憶媒体用成形基板 |
| JP4668666B2 (ja) * | 2005-04-12 | 2011-04-13 | 株式会社リコー | 光情報記憶媒体用原盤の製造方法、光情報記憶媒体用スタンパの製造方法、スタンパ、光情報記憶媒体用成形基板の製造方法及び光情報記憶媒体用成形基板 |
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