JP2002279697A - 光ディスク基板及び光ディスク原盤の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プラズマエッチングとアッシングプロセスを
用いて、深さが異なるピットとグル−ブを同一原盤内に
形成する際に、ランドブリピット（ＬＰＰ）及びその隣
接グル−ブがグル−ブ記録品質に影響を与えることない
形状の光ディスク基板および光ディスク原盤の製造方法
を提供する。 【解決手段】 ＬＰＰを浅いグル−ブ間、もしくは浅い
ピット間に形成する際、ＬＰＰは浅いグル−ブ間、もし
くは浅いピット間に存在するランドに形成され、かつラ
ンドの中心線から半径方向に所定量変位した位置に形成
される。またＬＰＰに近接する浅いグル−ブ、もしくは
浅いピットを形成するレ−ザパワ−は、通常のレ−ザパ
ワ−よりも小さくする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク基板及
び光ディスク基板を作成するための光ディスク原盤の製
造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクには再生専用型、追記型、書
き換え可能型などがあるが、その応用として同一基板内
に再生専用領域と、ユ−ザが記録できる記録可能領域を
設けた光ディスクが提案、実用化されている。通常、再
生専用領域となるピット領域と記録可能領域となるグル
−ブ領域とを有する光ディスクでは、ピットの深さは再
生信号である和信号の振幅が最大となるλ／４ｎ（λ：
記録、再生レ−ザ波長、ｎ：基板の屈折率）に設定さ
れ、グル−ブの深さはトラッキング信号である差信号の
振幅が最大となるλ／８ｎに設定される。すなわち同一
面内で深さの異なる深いピットと浅いグル−ブとを形成
しなければならず、そのような光ディスク基板を得るに
は、この光ディスク基板を作成する元になる光ディスク
原盤を製造する一過程であるフォトレジストパタ−ン形
成において、ピットとグル−ブとでその深さを変える必
要がある。

【０００３】一般にこうしたフォトレジストパタ−ン形
成過程において、同一基板内でピットとグル−ブとの各
深さを変える手段として強度の強いレ−ザによってピッ
トを形成し、強度の弱いレ−ザによってグル−ブを形成
する方法が用いられる。ここで、ピットの深さは基板表
面に塗布されたフォトレジストの膜厚で決定されるが、
グル−ブの深さはレ−ザの強度に依存し、レ−ザ強度の
変動やフォ−カス信号の変動によってグル−ブ深さに変
動が生じやすい。また同様にグル−ブの幅もレ−ザ強度
に依存するため任意の幅のグル−ブを得ることは非常に
困難である。また、得られる断面形状もＶ字型に近いも
のとなるため、断面形状が矩形のものに比べ安定したト
ラッキング信号が得られないばかりか、グル−ブに信号
を記録する際の記録パワ−も矩形の底のあるグル−ブに
比べさらにパワ−が必要となり、高線速記録にも不向き
な形状である。

【０００４】このような問題を解決するために提案され
ている技術としては、上記のような深さの異なるレジス
トパタ−ンを用い、プラズマエッチングとアッシングを
用いて深さの異なるピットとグル−ブを得る方法がある
（特願２０００−３９７１９８）。

【０００５】図２は光ディスク原盤を製造する工程の概
略図を示す。まず図２（ａ）に示すように、ガラス基板
１上にフォトレジスト２を塗布し、強度の強いレ−ザＰ
１によって再生専用領域を構成する多数のピットｐの原
型となるピット部ｐ’を形成し、強度の弱いレ−ザＰ２
によって記録領域を構成するグル−ブｇの原型となるグ
ル−ブ部ｇ’を形成する。このときピット部ｐ’はガラ
ス基板１の表面に達するまで露光されているが、グル−
ブ部ｇ’はそれよりも浅く、断面Ｖ字型の形状をしてい
る。このようにフォトレジスト２をレーザで露光した後
に、現像し、形状析出させ、ピット部ｐ’、グルーブ部
ｇ’を形成する。

【０００６】次にＣＦ₄もしくはＣＨＦ₃等のガス雰囲気
中で１回目のプラズマエッチングを行う。その結果ガラ
ス基板１の表面が露出しているピット部ｐ’のみエッチ
ングが進行するが、グル−ブ部ｇ’はフォトレジスト２
がマスクとなりエッチングはされず、図２（ｂ）のよう
な形状を得る。

【０００７】次に図２（ｃ）に示すように、グル−ブ部
ｇ’の底面がガラス基板１の表面に達するところまでフ
ォトレジストをＯ₂アッシングする。

【０００８】次に図２（ｄ）に示すように、ＣＦ₄もし
くはＣＨＦ₃等のガス雰囲気中で２回目のプラズマエッ
チングを行う。その結果グル−ブ部ｇ’を所定の深さエ
ッチングすると、同時にピット部ｐ’もエッチングされ
るため、グル−ブ部ｇ’よりも深いピット部ｐ’が得ら
れる。このときのグル−ブ部ｇ’の形状はプラズマエッ
チングで得られたものであるから、断面Ｖ字型ではなく
矩形の底のある形状が得られる。

【０００９】最後に図２（ｅ）に示すように、Ｏ₂アッ
シングにより完全にフォトレジストを除去することによ
り深さの違うピットｐとグル−ブｇを有したガラス基板
１が得られる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで記録型光ディ
スクでは繰り返し記録型デジタル多用途ディスク（以下
ＤＶＤ−ＲＷと記す）のように、前記したグル−ブｇか
ら構成される記録領域部のアドレス（セクタアドレス）
を規定するために、グル−ブ間ｇ−ｇのランドｌにピッ
トを設けるランドプリピット（以下ＬＰＰと記す）と呼
ばれる、アドレス方式を採用しているものがある。図３
はＬＰＰの模式図を示す。

【００１１】例えばＤＶＤ−ＲＷの場合の記録方式は、
図３に示すように、グル−ブ３（ｇ）に信号を記録する
グル−ブ記録方式であるが、アドレスの検出にはレ−ザ
スポットがランド４（ｌ）に設けられたＬＰＰ５の横
（半径方向）を通過する際に得られる（ＬＰＰ５の有無
による）差信号の振幅変化を検出することによりアドレ
ス情報を得ている。

【００１２】さて図３に示したＬＰＰ５の形状を上記図
２で述べたエッチングを用いて形成する場合、図２
（ａ）のレジストパタ−ンの形成過程において、グル−
ブ部間ｇ’−ｇ’のランド部ｌにＬＰＰ５の原型となる
図示せぬＬＰＰ部ｌＰも形成することになる（この状態
は図３のグル−ブ間ｇ−ｇ（３−３）のランド４（ｌ）
に、ＬＰＰ部ｌＰに対応したＬＰＰ５を形成することに
対応している）。このときグル−ブ部ｇ’を露光するレ
−ザパワ−と同じパワ−でＬＰＰ部ｌＰを露光すると、
こうして形成されたＬＰＰ部ｌＰの深さ及びこのＬＰＰ
部ｌＰに隣接するグル−ブ部ｇ’，ｇ’の深さはそれぞ
れ、このＬＰＰ部ｌＰに隣接して形成されていないグル
−ブ部ｇ’の深さよりも深いものとなる。ここで、図４
はレジストパタ−ン形成過程におけるランドプリピット
周辺を説明するための断面図を示す。図４においてグル
−ブ部ｇ’はグル−ブ部ｇａ’〜ｇｄ’を含んでいる。
このうちグル−ブ部ｇａ’，ｇｄ’は図３におけるＬＰ
Ｐ部ｌＰに隣接して形成されていないグル−ブｇ，ｇに
対応し、グル−ブ部ｇｂ’，ｇｃ’は図３におけるＬＰ
Ｐ部ｌＰに隣接して形成されているグル−ブｇ，ｇに対
応する。

【００１３】その理由は、図４に示すように、グル−ブ
部ｇ’及びＬＰＰ部ｌＰの露光に用いるレ−ザの強度分
布がガウス分布となっているためであり、ＬＰＰ部ｌＰ
及びその隣接グル−ブ部ｇｂ’，ｇｃ’において露光部
のかぶりが生じるためである。換言すれば、ＬＰＰ部ｌ
Ｐ を形成すべきランド部ｌ上の特定位置を露光する際
に、この露光に要するスポット光がこのランド部ｌに隣
接するグル−ブ部ｇｂ’，ｇｃ’に対しても再度露光す
る状態になってしまうために、グル−ブ部ｇｂ’，ｇ
ｃ’ の深さが所定の深さ（グル−ブ部ｇａ’，ｇｄ’
の深さ）よりも更に深く掘れてしまうからである。

【００１４】なおＤＶＤ−ＲＷのようにトラックピッチ
が狭い場合はこのようなかぶり現象は顕著に現れること
になる。さて、図４のようなレジストパタ−ンを用い
て、図２に示したエッチング、アッシングの各工程を行
うと、多くの問題が生じる。例えば図４のレジストパタ
−ンでＬＰＰ部ｌＰがガラス基板１表面まで露光された
場合は、ＬＰＰ部ｌＰとピット部ｐ’との深さが同じに
なるため、図２（ｅ）の最終段階でもピット部ｐ’とＬ
ＰＰ部ｌＰとの深さが同じになる。これはＬＰＰ部ｌＰ
の隣接グル−ブ部ｇｂ’，ｇｃ’でも同様であり、図４
のレジストパタ−ンでＬＰＰ部ｌＰの隣接グル−ブ部ｇ
ｂ’，ｇｃ’がガラス基板１表面まで露光された場合
は、その隣接グル−ブ部ｇｂ’，ｇｃ’とピット部ｐ’
との深さが同じになるため、図２（ｅ）の最終段階でも
ピットｐとＬＰＰ５の隣接グル−ブｇ（３）との深さが
同じになってしまう。

【００１５】また図４のレジストパタ−ンでＬＰＰ部ｌ
Ｐ及びその隣接グル−ブ部ｇｂ’，ｇｃ’がガラス基板
１表面まで露光されないまでも、周辺グル−ブ部ｇ
ａ’，ｇｄ’よりもその部分が深くなると、例えば、エ
ッチングにおいて選択比（＝ガラスエッチング量／レジ
スト減少量）が小さくなると、同様に図２（ｅ）の最終
段階でもその部分の深さは周辺グル−ブに比べ深い形状
となってしまう。

【００１６】また図４のレジストパタ−ンでグル−ブ部
ｇ’の幅を広げようとすると、ＬＰＰ部ｌＰとの露光か
ぶりの面積が大きくなり、上記の問題は更に深刻とな
り、また都合上レジスト厚を薄くする必要に迫られたと
きでも、同様のことが言える。

【００１７】さてこのように、ＬＰＰ５もしくはＬＰＰ
５に隣接するグル−ブ３（ｇｂ，ｇｃ）が周辺グル−ブ
３（ｇａ，ｇｄ）より深くなっている光ディスク基板を
用いた構造の光ディスクに信号を記録し再生を行った場
合、その深くなっている部分で変調された信号が再生信
号である和信号に重畳され非常にエラ−レ−トが高くな
るといった重大な問題を生じる。

【００１８】本発明は上述の問題を解決するためになさ
れたものであり、プラズマエッチングとアッシングプロ
セスを用いて、深さが異なる（断面が略矩形の）ピット
とグル−ブを同一ディスク原盤内に形成する際に、ＬＰ
Ｐ及びその隣接グル−ブ(ＬＰＰに近接するグル−ブの
部分)がグル−ブ記録信号品質に影響を与えることな
く、グル−ブ記録信号のエラ−が小さく、ＬＰＰ出力の
高いＬＰＰ形状を備えた光ディスク基板及び光ディスク
原盤の製造方法を提供することを目的とする。さらにト
ラッキング信号が安定している光ディスク基板を提供す
ることを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明は、次の（１）〜（６）の構成を有する
光ディスク基板及び光ディスク原盤の製造方法を提供す
る。 （１） 深いピットを有するピット領域と浅いグル−ブ
を有するグル−ブ領域とを同一基板内に有する光ディス
ク基板であって、前記グル−ブ間にランドプリピットを
有し、前記ランドプリピットの内周側に位置するグル−
ブ部分の深さをこのグル−ブ部分周辺の深さよりも浅く
してなり、かつ前記ランドプリピットの中心位置は半径
方向に対して内周方向に変位していることを特徴とする
光ディスク基板。 （２） 深いピットを有するピット領域と浅いグル−ブ
を有するグル−ブ領域とを同一基板内に有する光ディス
ク基板であって、前記グル−ブ間にランドプリピットを
有し、前記ランドプリピットの内周側に位置するグル−
ブ部分の深さをこのグル−ブ部分周辺の深さよりも浅く
してなり、トラック方向に対して、前記グル−ブ部分の
長さをＬｇ、前記ランドプリピットの長さをＬｌＰＰ、
トラックピッチをｔＰ、ランド幅をＬｗとしたときに、
０．２ｔＰ＜ＬｌＰＰ＜ｔＰ、０．５ＬｌＰＰ＜Ｌｇ＜
２ＬｌＰＰで、かつ前記ランドプリピットの中心位置は
半径方向に対して、ランド中心を０、内周方向を−（マ
イナス）とすると、−０．７５×Ｌｗ／２≦（前記ラン
ドプリピットの中心位置）＜０であることを特徴とする
光ディスク基板。 （３） 深いピットを有するピット領域と浅いグル−ブ
を有するグル−ブ領域とを備え、かつ前記グル−ブ間に
ランドプリピットを形成してなるガラス製の光ディスク
原盤を作成する光ディスク原盤の製造方法であって、ガ
ラス基板上にフォトレジストを塗布し、前記ピット領域
に前記ガラス基板表面まで露光する第１のパワ−のレ−
ザを照射して、ピット部を形成し、前記グル−ブ領域に
前記第１のパワ−よりも小さいパワ−である第２のパワ
−のレ−ザを照射して前記ガラス基板表面に到達しない
浅いグル−ブ部を形成すると共に、前記グル−ブ部間に
存在するランドに形成されておりかつ前記ランドの中心
線から半径方向に所定量変位した位置に前記第２のパワ
−のレ−ザを照射して、ランドプリピット部を形成し、
前記ランドプリピット部に近接する前記グル−ブ部を形
成する際には、前記第２のパワ−よりも小さいパワ−で
ある第３のパワ−レ−ザを切換照射し、現像し、プラズ
マエッチングにより前記ピット部のみ所定の深さになる
までエッチングし、アッシングにより前記ランドプリピ
ット部底面が前記ガラス基板表面に達するところまでフ
ォトレジストをアッシングし、プラズマエッチングによ
り前記グル−ブ部と前記ピット部と前記ランドプリピッ
ト部とをそれぞれ所定の深さになるようにエッチングを
行って、前記ピット、前記グル−ブ、前記ランドプリピ
ットを形成し、アッシングにより前記フォトレジストを
除去することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。 （４） 深いピットを有する第１ピット領域と浅いピッ
トを有する第２ピット領域と浅いグル−ブを有するグル
−ブ領域とを同一基板内に有する光ディスク基板であっ
て、前記浅いピット間にランドプリピットを有し、前記
ランドプリピットの内周側に位置するピット部分の深さ
をこのピット部分周辺の深さよりも浅くしてなり、かつ
前記ランドプリピットの中心位置は半径方向に対して内
周方向に変位していることを特徴とする光ディスク基
板。 （５） 深いピットを有する第１ピット領域と浅いピッ
トを有する第２ピット領域と浅いグル−ブを有するグル
−ブ領域と同一基板内に有する光ディスク基板であっ
て、前記浅いピット間にランドプリピットを有し、前記
ランドプリピットの内周側に位置するピット部分の深さ
をこのピット部分周辺の深さよりも浅くしてなり、トラ
ック方向に対して、前記ピット部分の長さをＬｇ’、前
記ランドプリピットの長さをＬｌＰＰ’、トラックピッ
チをｔＰ’、ランド幅をＬｗ’としたときに、０．２ｔ
Ｐ’＜ＬｌＰＰ’＜ｔＰ’、０．５ＬｌＰＰ’＜Ｌｇ’
＜２ＬｌＰＰ’で、かつ前記ランドプリピットの中心位
置は半径方向に対して、ランド中心を０、内周方向を−
（マイナス）とすると−０．７５×Ｌｗ’／２≦（前記
ランドプリピットの中心位置）＜０であることを特徴と
する光ディスク基板。 （６） 深いピットを有する第１ピット領域と浅いピッ
トを有する第２ピット領域と浅いグル−ブを有するグル
−ブ領域とを備え、かつ前記浅いピット間にランドプリ
ピットを形成してなるガラス製の光ディスク原盤を作成
する光ディスク原盤の製造方法であって、ガラス基板上
にフォトレジストを塗布し、前記第１ピット領域に前記
ガラス基板表面まで露光する第１のパワ−のレ−ザを照
射して、深いピット部を形成し、前記第２ピット領域に
前記第１のパワ−よりも小さいパワ−である第２のパワ
−のレ−ザを照射して前記ガラス基板表面に到達しない
浅いピット部を形成すると共に、前記浅いピット部間に
存在するランドに形成されておりかつ前記ランドの中心
線から半径方向に所定量変位した位置に前記第２のパワ
−のレ−ザを照射して、ランドプリピット部を形成し、
前記ランドプリピット部に近接する前記浅いピット部を
形成する際には、前記第２のパワ−よりも小さいパワ−
である第３のパワ−レ−ザを切換照射し、現像し、プラ
ズマエッチングにより前記深いピット部のみ所定の深さ
になるまでエッチングし、アッシングにより前記ランド
プリピット部底面が前記ガラス基板表面に達するところ
までフォトレジストをアッシングし、プラズマエッチン
グにより前記グル−ブ部と前記浅いピット部と前記深い
ピット部２と前記ランドプリピット部とをそれぞれ所定
の深さになるようにエッチングを行って、前記グル−
ブ、前記浅いピット、前記深いピット、前記ランドプリ
ピットを形成し、アッシングにより前記フォトレジスト
を除去することを特徴とする光ディスク原盤の製造方
法。 ［作用］本発明ではＬＰＰを浅いグル−ブ間、もしくは
浅いピット間に形成する際、ＬＰＰの位置をランド中心
よりも内周側に位置(内周側に偏位)させ、ＬＰＰが位置
する部分において、内周側のグル−ブもしくはピットを
形成するレ−ザパワ−を小さくすることにより、上記エ
ッチング、アッシングプロセスを経た後に、（ＬＰＰと
ピットとグル−ブが断面略矩形であり、）このＬＰＰ及
びその隣接グル−ブもしくはピットはこのＬＰＰに隣接
しない周辺のグル−ブもしくはピット深さよりも深くな
ることのない光ディスク基板が得られる。このような光
ディスク基板上に記録層、保護層等を順次積層して得た
光ディスクを再生走査すると、トラッキング信号が安定
していて、ＬＰＰ及びその隣接グル−ブがグル−ブ記録
品質に影響を与えることのない、グル−ブ記録信号のエ
ラ−が小さく、ＬＰＰ出力の高い光ディスク基板を得る
ことができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態をその
好ましい態様を用いて、図１、図６、図７を用いて説明
する。図１は本発明の光ディスク基板及び本発明の光デ
ィスク原盤の製造方法の一工程を説明するための図であ
る。図１（ａ）は本発明の光ディスク基板のグル−ブ領
域及びピット領域を説明するための部分拡大平面図であ
る。図１（ｂ）は図１（ａ）に示す光ディスク基板（光
ディスク原盤）を作成するために、ガラス基板上にフォ
トレジストを塗布して所要強度のレ−ザを所定位置に照
射して露光する１の工程を説明するための図であり、図
１（ａ）の線１上のピットｐ、グル−ブ３ａ〜３ｃ、Ｌ
ＰＰ５、グル−ブ６はそれぞれ、図１（ｂ）のピット部
ｐ’、グル−ブ部３ａ’〜３ｃ’、ＬＰＰ部５’、グル
−ブ部６’に対応する。図５は本発明のディスク基板を
用いて成る光ディスクの信号特性を示す図、図６は本発
明の光ディスク基板を用いて成る光ディスク構造を説明
するための図、図７は本発明の光ディスク原盤を製造す
る工程の概略図である。前述したものと同一部分には同
一符号を付し、その説明を省略する。

【００２１】本発明の光ディスク基板は、図１（ａ）に
示すように、深いピットｐを有するピット領域であるデ
ィスク基板内周側にある領域Ａと、ピットｐの深さより
も浅いグル−ブ３を有するグル−ブ領域でありピット領
域Ａより外周側にある領域Ｂとを同一基板内に有する光
ディスク基板１０であって、グル−ブ間３ａ−３ｂにＬ
ＰＰ５を有し、ＬＰＰ５の内周側に位置するグル−ブ部
分６の深さをこのグル−ブ部分６周辺（グル−ブ部分６
に隣接するグル−ブ部分６ａ，６ｂ）の深さよりも浅く
してなり、かつＬＰＰ５の中心位置（中心線ｌｃで示す
位置）は半径方向に対して内周方向に変位している（中
心線ｌｃとランド中心線ｃｌとは重ならない）ことを特
徴とする光ディスク基板である。

【００２２】また、本発明の光ディスク基板は、図１
（ａ）に示すように、深いピットｐを有するピット領域
Ａとピットｐの深さよりも浅いグル−ブ３を有するグル
−ブ領域Ｂとを同一基板内に有する光ディスク基板１０
であって、グル−ブ間３ａ−３ｂ にＬＰＰ５を有し、
ＬＰＰ５の内周側に位置するグル−ブ部分６の深さをこ
のグル−ブ部分６周辺（グル−ブ部分６に隣接するグル
−ブ部分６ａ，６ｂ）の深さよりも浅くしてなり、（半
径方向に直交した）トラック方向に対して、グル−ブ部
分６の長さをＬｇ、ＬＰＰ５の長さをＬｌＰＰ、トラッ
クピッチをｔＰ、ランド幅をＬｗとしたときに、０．２
ｔＰ＜ＬｌＰＰ＜ｔＰ、０．５ＬｌＰＰ＜Ｌｇ＜２Ｌｌ
ＰＰで、かつＬＰＰ５の中心位置（中心線ｌｃで示す位
置）は半径方向に対して、ランド中心（ランド中心線ｃ
ｌ）を０（ゼロ）、内周方向を−（マイナス）とする
と、−０．７５×Ｌｗ／２≦（前記ＬＰＰ５の中心位
置）＜０であることを特徴とする光ディスク基板であ
る。

【００２３】さらに、本発明の光ディスク基板は、図６
に示すように、深いピットを有する第１ピット領域（リ
−ドイン領域Ｃの外周側にある深いピットＣ２）と浅い
ピットを有する第２ピット領域（記録エリアＤの内周側
にある浅いピットＤ１）と深いピットの深さよりも浅い
グル−ブを有するグル−ブ領域（記録エリアＤの外周側
にあるグル−ブＤ２）とを同一基板内に有する光ディス
ク基板１０であって、浅いピット間にＬＰＰを有し、Ｌ
ＰＰの内周側に位置するピット部分の深さをこのピット
部分周辺の深さよりも浅くしてなり、かつＬＰＰの中心
位置は半径方向に対して内周方向に変位していることを
特徴とする光ディスク基板である。

【００２４】さらにまた、本発明の光ディスク基板は、
図６に示すように、深いピットを有する第１ピット領域
（リ−ドイン領域Ｃの外周側にある深いピットＣ２）と
浅いピットを有する第２ピット領域（記録エリアＤの内
周側にある浅いピットＤ１）と深いピットの深さよりも
浅いグル−ブを有するグル−ブ領域（記録エリアＤの外
周側にあるグル−ブＤ２）とを同一基板内に有する光デ
ィスク基板１０であって、浅いピット間にＬＰＰを有
し、ＬＰＰの内周側に位置するピット部分の深さをこの
ピット部分周辺の深さよりも浅くしてなり、トラック方
向に対して、ピット部分の長さをＬｇ’、ＬＰＰの長さ
をＬｌＰＰ’、トラックピッチをｔＰ’、ランド幅をＬ
ｗ’としたときに、０．２ｔＰ’＜ＬｌＰＰ’＜ｔ
Ｐ’、０．５ＬｌＰＰ’＜Ｌｇ’＜２ＬｌＰＰ’で、か
つＬＰＰの中心位置は半径方向に対して、ランド中心を
０（ゼロ）、内周方向を−（マイナス）とすると−０．
７５×Ｌｗ’／２≦（ＬＰＰの中心位置）＜０であるこ
とを特徴とする光ディスク基板である。

【００２５】一方、前記した図１（ａ）に示す構成の本
発明の光ディスク基板を作成する本発明の光ディスク原
盤の製造方法は、図１、図７に示すように、深いピット
ｐを有するピット領域Ａとピットｐの深さよりも浅いグ
ル−ブ３を有するグル−ブ領域Ｂとを備え、かつ前記グ
ル−ブ間３ａ−３ｂにＬＰＰ５を形成してなるガラス製
の光ディスク原盤１０を作成する光ディスク原盤の製造
方法であって、ガラス基板１上にフォトレジスト２を塗
布し、ピット領域Ａにガラス基板１表面まで露光する第
１のパワ−のレ−ザを照射して、（ピットｐに対応した
位置に）ピット部ｐ’を形成し、グル−ブ領域Ｂに第１
のパワ−よりも小さいパワ−である第２のパワ−のレ−
ザを照射してガラス基板１表面に到達しない（グル−ブ
３ａ〜３ｃに対応した位置に）浅いグル−ブ部３ａ’〜
３ｃ’を形成すると共に、グル−ブ部間３ａ’−３ｂ’
に存在するランド４に形成されておりかつランド４の中
心線ｃｌから半径方向に所定量変位した位置に第２のパ
ワ−のレ−ザを照射して、ＬＰＰ部５’を形成し、ＬＰ
Ｐ部５’に近接する（グル−ブ６に対応した位置に）グ
ル−ブ部６’を形成する際には、第２のパワ−よりも小
さいパワ−である第３のパワ−レ−ザを切換照射し、現
像し、プラズマエッチングによりピット部ｐ’のみ所定
の深さになるまでエッチングし、アッシングによりＬＰ
Ｐ部５’底面がガラス基板１表面に達するところまでフ
ォトレジスト２をアッシングし、プラズマエッチングに
よりグル−ブ部３ａ’〜３ｃ’とピット部ｐ’と前記Ｌ
ＰＰ部５’とをそれぞれ所定の深さになるようにエッチ
ングを行って、ピットｐ、グル−ブ３ａ〜３ｃ、ＬＰＰ
５を形成し、アッシングによりフォトレジスト２を除去
することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法であ
る。

【００２６】また、前記した図６に示す構成の本発明の
光ディスク基板を作成する本発明の光ディスク原盤の製
造方法は、深いピットを有する第１ピット領域と浅いピ
ットを有する第２ピット領域と深いピットの深さよりも
浅いグル−ブを有するグル−ブ領域とを備え、かつ前記
浅いピット間にＬＰＰを形成してなるガラス製の光ディ
スク原盤を作成する光ディスク原盤の製造方法であっ
て、ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、第１ピッ
ト領域にガラス基板表面まで露光する第１のパワ−のレ
−ザを照射して、深いピット部を形成し、第２ピット領
域に第１のパワ−よりも小さいパワ−である第２のパワ
−のレ−ザを照射してガラス基板表面に到達しない浅い
ピット部を形成すると共に、浅いピット部間に存在する
ランドに形成されておりかつランドの中心線から半径方
向に所定量変位した位置に前記第２のパワ−のレ−ザを
照射して、ＬＰＰ部を形成し、ＬＰＰ部に近接する浅い
ピット部を形成する際には、第２のパワ−よりも小さい
パワ−である第３のパワ−レ−ザを切換照射し、現像
し、プラズマエッチングにより深いピット部のみ所定の
深さになるまでエッチングし、アッシングによりＬＰＰ
部底面がガラス基板表面に達するところまでフォトレジ
ストをアッシングし、プラズマエッチングによりグル−
ブ部と浅いピット部と深いピット部２とＬＰＰ部とをそ
れぞれ所定の深さになるようにエッチングを行って、グ
ル−ブ、浅いピット、深いピット、ランドプリピットを
形成し、アッシングによりフォトレジストを除去するこ
とを特徴とする光ディスク原盤の製造方法である。

【００２７】

【実施例】本発明の具体的な実施例について、（１）光
ディスク原盤の製造方法、（２）光ディスク基板、の順
に説明する。

【００２８】（１）光ディスク原盤の製造方法 まず図７（ａ）に示すように、研磨した石英ガラス基板
１上にフォトレジスト２を厚さ１００ｎｍ塗布し、ピッ
トｐが形成されるべきピット領域Ａ（図１（ａ））に、
露光後の現像後に前記ガラス基板１表面までフォトレジ
スト２が現像されるに必要な第１のレ−ザパワ−を照射
し、ピット部ｐ’を形成する。このとき現像後のピット
部ｐ’の深さはフォトレジスト２のレジスト厚と同一の
１００ｎｍとなる。

【００２９】次にピット部ｐ’を形成したパワ−よりも
小さい第２のレ−ザパワ−をグル−ブ３（３ａ〜３ｃ）
が形成されるべきグル−ブ領域Ｂ（図１（ａ））に照射
し、露光後の現像後に前記ガラス基板１表面に到達しな
い浅いグル−ブ部３ａ’〜３ｃ’を形成する。具体的に
は現像後の深さが５０ｎｍとなるようなパワ−でグル−
ブ部３ａ’〜３ｃ’を形成する。

【００３０】ここでＬＰＰ ５（図１（ａ））の原型と
なるＬＰＰ部５’をグル−ブ部３ａ’−３ｂ’間に形成
する際、露光後の現像後にＬＰＰ５の外周グル−ブ３ｂ
がフォトレジスト２表面から５０ｎｍよりも深くならな
い程度まで、またＬＰＰ５の中心位置（中心線ｌｃ）を
ランド中心（ランド中心線ｃｌ） よりも内周（グル−
ブ３ａ側）に位置させる。そのとき露光後の現像後にＬ
ＰＰ５の内周グル−ブ３ａがフォトレジスト２表面から
５０ｎｍよりも深くなることを避けるために、ＬＰＰ部
５’が位置するフォトレジスト２部分において内周側の
グル−ブ部３ａ’（６’）を形成するレ−ザパワ−を小
さくし、その部分６’だけグル−ブ部３ａ’を浅くす
る。

【００３１】ここでは図示しないが、グル−ブ深さと同
一の深さの浅いピット間にＬＰＰをガラス基板１に形成
する場合も、この浅いピットの原型となる浅いピット部
（図６の浅いピットＤ１に対応）を現像後に５０ｎｍの
深さになるようにフォトレジストパタ−ンを形成し、Ｌ
ＰＰの位置はランド中心よりも内周に位置させ、露光後
の現像後にこのＬＰＰが近接する内周位置にある浅いピ
ット部を形成するのに必要なレ−ザパワ−を第２のレ−
ザパワ−よりも小さくし、その部分だけピット部の深さ
を浅くする。本実施例では現像後のＬＰＰ部５’の深さ
をフォトレジスト２表面から５０ｎｍ、ＬＰＰ部５’の
位置する内周側グル−ブ部３ａ’（６’）の深さを２０
ｎｍとした。なお、図１（ａ）におけるＬＰＰ５の内周
部側隣接グル−ブ３ａで深さを浅くした部分６における
レ−ザパワ−を完全にオフし、６の部分を露光せずこの
部分だけランドにしてもかまわない。このようにフォト
レジスト２をレーザで露光した後に現像し形成したレジ
ストパタ−ンの断面図を図１（ｂ）に示す。

【００３２】次に図７（ｂ）に示すように、ＣＨＦ₃ガ
ス雰囲気中で１回目のプラズマエッチングを行う。その
結果ガラス基板１の表面が露出しているピット部ｐ’の
みエッチングが進行するが、グル−ブ部３ａ’〜３
ｃ’、及びＬＰＰ部５’はフォトレジスト２がマスクと
なりエッチングはされず、図７（ｂ）のような形状を得
る。このときのピット部ｐ’でのエッチング量はガラス
基板１の表面から６５ｎｍの深さとした。

【００３３】次に図７（ｃ）に示すように、グル−ブ部
３ａ’〜３ｃ’の底面及びＬＰＰ部５’の底面がガラス
基板１の表面に達するところまでフォトレジスト２をＯ
₂アッシングする。ここでのレジストアッシング量は７
０ｎｍの深さとし、フォトレジスト２の残留膜厚は約３
０ｎｍとなっている。

【００３４】次に図７（ｄ）に示すように、ＣＨＦ₃ガ
ス雰囲気中で２回目のプラズマエッチングを行う。具体
的にはグル−ブ部３ａ’〜３ｃ’及びＬＰＰ部５’のエ
ッチング深さがガラス基板１の表面から２５ｎｍの深さ
となるようエッチングを行う。このとき同時にピット部
ｐ’もエッチングされるため、ピット部ｐ’のエッチン
グ深さは１回目のエッチング深さと併せてガラス基板１
の表面から9０ｎｍとなっている。

【００３５】最後に図７（ｅ）に示すように、Ｏ₂アッ
シングにより完全にフォトレジスト２を除去することに
より、深さ9０ｎｍのピットｐと深さ２５ｎｍのグル−
ブ３ａ〜３ｃ、ＬＰＰ５と深さ５ｎｍのグルーブ６を有
したガラス基板１が得られる（図１（ａ））。このグル
ーブ６の深さは２回目のプラズマエッチング時の選択比
（＝ガラスエッチング量/レジスト減少量）を適当に選
ぶことにより制御することが可能である。本実施例にお
いては２回目のプラズマエッチング時のエッチング選択
比＝２の条件を使用した。なお好ましい深さは、ピット
が８０〜１３０ｎｍ、グルーブが１５〜４０ｎｍ、ＬＰ
Ｐが１５〜４０ｎｍ、グルーブ６が０〜３９ｎｍである
(換言するならば、本発明の深いピットの深さは８０〜
１３０ｎｍ、本発明の浅いグルーブの深さは１５〜４０
ｎｍ、本発明のランドプリピットの深さは１５〜４０ｎ
ｍ、本発明のランドプリピットの内周側に位置する本発
明のグルーブ部分の深さは０〜３９ｎｍである)。前述
した浅いピットパタ−ン（図６の浅いピットＤ１に対
応）をフォトレジスト２に形成した場合には、浅いピッ
トの深さも２５ｎｍとなっている。このようにして得ら
れたグル−ブ形状はプラズマエッチングで得られたもの
であるから、断面形状はＶ字型ではなく矩形の底のある
グル−ブ形状が得られる。このようにして得られたガラ
ス基板１であるガラス原盤からディスクスタンパを作製
し、射出成形によりポリカ−ボネ−ト製の光ディスク基
板を作成することができる。なお、本発明の範囲内でエ
ッチング条件、アッシング条件などは適宜変更が可能で
あり、上記に限定されない。ここで本発明における矩形
の形状とは、底面に平坦部を有する断面形状が略矩形の
形状を意味する。

【００３６】（２） 光ディスク基板 こうして得られた光ディスク基板は、下記の２つの構成
を有するものである。即ち、図１（ａ）に示すように、
深いピットｐを有するピット領域（ディスク基板内周側
にある領域）Ａと浅いグル−ブ３（３ａ〜３ｃ）を有す
るグル−ブ領域Ｂとを同一基板内に有する光ディスク基
板１０であって、前記グル−ブ間３ａ−３ｂにＬＰＰ５
を有し、前記ＬＰＰ５の内周側に位置するグル−ブ３ａ
部分６の深さをこのグル−ブ部分周辺（部分６ａ，８
ｂ）の深さよりも浅くしてなり、かつ前記ＬＰＰ５の中
心位置（中心線ｌｃ）は半径方向に対して内周側に変位
していることを特徴とする光ディスク基板である。

【００３７】また、別の光ディスク基板は、次の構成を
有するものである。即ち、図６に示す光ディスク基板
は、内周から外周に向かってリ−ドイン領域Ｃ、記録エ
リアＤ、リ−ドアウト領域Ｅが順次形成されているディ
スク基板であり、このリ−ドイン領域Ｃは浅いグル−ブ
の内周領域Ｃ１と深いピットの外周領域（第１ピット領
域）Ｃ２とを備え、前記記録エリアＤは浅いピットの内
周領域（第２ピット領域）Ｄ１と浅いグル−ブの外周領
域Ｄ２とを備え、そして前記リ−ドアウト領域Ｅは浅い
グル−ブを有している。そして前記浅いピット間（第２
ピット領域）Ｄ１）にＬＰＰを有し、前記ＬＰＰの内周
側に位置するピット部分の深さをこのピット部分周辺の
深さよりも浅くしてなり、かつ前記ＬＰＰの中心位置は
半径方向に対して内周側に変位していることを特徴とす
る光ディスク基板である。

【００３８】前記した図１（ａ）、図６に示す光ディス
ク基板は、前記ガラス基板１から直接作成したディスク
スタンパにより、又は、前記ガラス基板１から所定のプ
ロセスを経て複製されたディスクスタンパにより、樹脂
整形してなるディスク基板である。

【００３９】こうして得られた図１（ａ）、図６に示す
光ディスク基板上に順次、誘電体層、中間層、記録層、
誘電体層、反射層、保護層、印刷層を積層形成すことに
より光ディスクを作成することができる。こうして作成
された光ディスクを図６を用いて説明するならば、ポリ
カ−ボネ−ト製のディスク基板１０上に、スパッタリン
グによりＺｎＳ−ＳｉＯ₂誘電体膜１１、ＧｅＮ中間層
１２、ＡｇＩｎＳｂＴｅ記録膜１３、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂
誘電体膜１４、Ａｌ反射膜１５を順次成膜し、さらに紫
外線硬化樹脂をスピンコ−トにより塗布してＵＶコ−ト
保護膜１６を形成した後、貼り合わせシ−ト１７により
ダミ−のポリカ−ボネ−ト基板１８と貼り合わせること
により、相変化記録型光ディスクを作製した。なお、本
発明の範囲内で、誘電体膜、中間層、記録膜、反射膜、
保護膜、基板の材料や貼り合わせ材料および記録膜の形
成方法、膜構成などは適宜変更が可能であるとは言うま
でもない。

【００４０】このようにして作製した光ディスクに信号
を記録し、再生を行った。記録、再生方法としては、波
長６５０ｎｍ、ＮＡ（レンズ開口数）０．６のピックア
ップ（記録再生用光ヘッド）によるレ−ザ光をグル−ブ
上の記録膜に照射する事で行った。なお記録時にも再生
時にもレ−ザ光がグル−ブ（具体的には図１に示すグル
−ブ領域Ｂにある３（３ａ〜３ｃ，）、図６に示す領域
Ｃ１，Ｄ２，前記リ−ドアウト領域Ｅにそれぞれある浅
いグル−ブ）上の記録膜に適切にフォ−カスするように
トラッキング・フォ−カスのサ−ボをかけながら行うこ
とは言うまでもない。記録時にはプッシュプル信号によ
るトラッキングを行うが、記録された光ディスクのＰＰ
（プッシュプル信号）の波形の振幅は一様であり、本発
明の光ディスクはトラッキング信号が安定していた。

【００４１】作成した光ディスクのＬＰＰの長さをＬｌ
ＰＰ、トラックピッチをｔＰ、ＬＰＰの位置する内周側
グル−ブ部分で周辺グル−ブ深さよりも浅く成っている
部分の長さをＬｇとしたとき（図１（ａ））、ＬｌＰＰ
とＬＰＰ出力の関係を図５（ａ）に示す。ここでＬＰＰ
出力は光ピックアップ側の４分割フォトディテクタから
の出力を信号処理して得られるもので、すなわちプッシ
ュプル信号を全光量で規格化した数値である。図５
（ａ）の横軸はｔＰに対するＬｌＰＰの比率、縦軸はＬ
ＰＰ出力を示す。この時のＬｇ／ＬｌＰＰは１、ＬＰＰ
の中心位置（Ｌｗ／２）は−０．５である。ＬｌＰＰが
０．２ｔＰ以下となるとアドレスを検出するのに充分な
ＬＰＰ出力が得られなかった。またＬｌＰＰがｔＰ以上
になるとＬＰＰ出力が飽和し、これ以上長くすることは
実用上意味がない結果となった。

【００４２】またＬｇとＬｌＰＰの関係を図５（ｂ）に
示す。横軸はＬｌＰＰに対するＬｇの比率、縦軸はグル
−ブ記録信号のＰI（inner-code parity）エラ−レ−
トを示す。この時のＬｌＰＰ／ｔＰは０．５、ＬＰＰの
中心位置（Ｌｗ／２）は−０．５である。Ｌｇの長さが
０．５ＬｌＰＰ以下となるとエラ−レ−トが上昇した。
なおＬｇ＝０が従来通りの作製方法にあたりエラ−レ−
トが大きい。これはレジストパタ−ン形成過程において
ＬＰＰと内周隣接グル−ブの境界で露光のかぶり部分が
生じ、エッチングを行った後、その部分でグル−ブ深さ
が周辺グル−ブより深くなっているため、それがグル−
ブ記録信号の再生信号に影響を与えているためである。
Ｌｇの長さが０．５ＬｌＰＰ＜ Ｌｇ＜ ２ＬｌＰＰ の
範囲ではエラ−レ−トが非常に小さくなった。Ｌｇが２
ＬｌＰＰ以上になるとグル−ブ部が浅くなっているＬｇ
の部分が変調され、グル−ブ記録信号の再生信号に影響
をあたえるためエラ−レ−トが上昇している。

【００４３】またＬＰＰの中心位置を半径方向に対しラ
ンド中心を０、内周方向を−とする。このとき、−０．
７５×Ｌｗ／２≦（ＬＰＰの中心位置）＜０ の位置に
ある場合はＬＰＰ出力、グル−ブ記録信号のエラ−レ−
トともに実用上問題はなかったが、ＬＰＰの中心位置が
−０．７５×Ｌｗ／２よりも内周側となると充分なＬＰ
Ｐ出力が得られなかった。またＬＰＰの中心位置が０よ
り大きく（ランド中心よりも外周側に）なると外周隣接
グル−ブに周辺グル−ブより深い部分が生じ、エラ−レ
−トが上昇する結果となった。その関係を図５（ｃ）に
示す。横軸はＬＰＰの中心位置、縦軸はＬＰＰ出力とグ
ル−ブ記録信号のＰIエラ−レ−トを示す。この時のＬ
ｌＰＰ／ｔＰは０．５、Ｌｇ／ＬｌＰＰは１である。

【００４４】このように、作製した光ディスクのＬＰＰ
及びその隣接グル−ブ部分は周辺のグル−ブ深さよりも
深くなることがないため、ＬＰＰ及びその隣接グル−ブ
がグル−ブ記録品質に影響を与えることはなく、非常に
グル−ブ記録信号のエラ−が小さく、ＬＰＰ出力の高い
光ディスク基板を得ることができた。またアドレス信号
を検出するに十分な差信号の振幅変化が得られた。さら
にトラッキング信号が安定している光ディスク基板を得
ることができる。なお、本発明はグル−ブが半径方向に
周期的に蛇行する、例えば単一周波数のウォブル信号を
含むことなどに何ら制約を与えるものではない。

【００４５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、プ
ラズマエッチングとアッシングプロセスを用いて、深さ
が異なるピットとグル−ブを同一基板内に形成する際
に、レジストパタ−ン形成工程でランドプリピット（Ｌ
ＰＰ）を浅いグル−ブ間、もしくは浅いピット間に形成
する際、ＬＰＰの位置をランド中心よりも内周に位置さ
せ、ＬＰＰが位置する部分において内周側のグル−ブも
しくはピットを形成するレ−ザパワ−を小さくし、また
ＬＰＰの中心位置を半径方向に対し内周方向に変位した
形状を有する光ディスク基板を用いると、ＬＰＰ及びそ
の隣接グル−ブがグル−ブ記録品質に影響を与えること
のない、非常にグル−ブ記録信号のエラ−が小さく、Ｌ
ＰＰ出力の高い光ディスク基板を得ることができる。さ
らにトラッキング信号が安定している光ディスク基板を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の光ディスク基板のＬＰＰ周辺を説明
するための図及び本発明の製造方法のレジストパタ−ン
形成過程におけるＬＰＰ周辺を説明するための断面図

【図２】 光ディスク原盤を製造する工程の概略図

【図３】 ＬＰＰの模式図

【図４】 レジストパタ−ン形成過程におけるランドフ
リピット周辺を説明するための断面図

【図５】 本発明のディスク基板を用いて成る光ディス
クの信号特性を示す図

【図６】 本発明の光ディスク基板を用いて成る光ディ
スク構造を説明するための図

【図７】 本発明の光ディスク原盤を製造する工程の概
略図

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ フォトレジスト ３，３ａ〜３ｃ，Ｃ１，Ｄ２，ｇ グル−ブ ３ａ’〜３ｃ’ グル−ブ部 ４ ランド部 ５ ランドプリピット（ＬＰＰ） ５’，ｌＰ ランドプリピット部（ＬＰＰ部） ６，６ａ，６ｂ グル−ブ部分 ６’ グル−ブ部 １０ 光ディスク基板 Ａ，Ｐａ ピット領域 Ｂ，Ｇａ グル−ブ領域 Ｃ リ−ドイン領域 ｃｌ ランド中心線 Ｄ 記録エリア ｌｃ 中心線 ｐ，Ｄ１，Ｃ２ ピット ｐ’ ピット部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 勉 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 辻 史隆 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 Ｆターム(参考） 5D029 JB09 WA27 WB11 WB20 WD22 5D121 BB26 BB33 BB34 GG04

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 深いピットを有するピット領域と浅いグ
   ル−ブを有するグル−ブ領域とを同一基板内に有する光
   ディスク基板であって、 前記グル−ブ間にランドプリピットを有し、前記ランド
   プリピットの内周側に位置するグル−ブ部分の深さをこ
   のグル−ブ部分周辺の深さよりも浅くしてなり、かつ前
   記ランドプリピットの中心位置は半径方向に対して内周
   方向に変位していることを特徴とする光ディスク基板。
2. 【請求項２】 深いピットを有するピット領域と浅いグ
   ル−ブを有するグル−ブ領域とを同一基板内に有する光
   ディスク基板であって、 前記グル−ブ間にランドプリピットを有し、前記ランド
   プリピットの内周側に位置するグル−ブ部分の深さをこ
   のグル−ブ部分周辺の深さよりも浅くしてなり、トラッ
   ク方向に対して、前記グル−ブ部分の長さをＬｇ、前記
   ランドプリピットの長さをＬｌＰＰ、トラックピッチを
   ｔＰ、ランド幅をＬｗとしたときに、０．２ｔＰ＜Ｌｌ
   ＰＰ＜ｔＰ、０．５ＬｌＰＰ＜Ｌｇ＜２ＬｌＰＰで、か
   つ前記ランドプリピットの中心位置は半径方向に対し
   て、ランド中心を０、内周方向を−（マイナス）とする
   と、−０．７５×Ｌｗ／２≦（前記ランドプリピットの
   中心位置）＜０であることを特徴とする光ディスク基
   板。
3. 【請求項３】 深いピットを有するピット領域と浅いグ
   ル−ブを有するグル−ブ領域とを備え、かつ前記グル−
   ブ間にランドプリピットを形成してなるガラス製の光デ
   ィスク原盤を作成する光ディスク原盤の製造方法であっ
   て、 ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、 前記ピット領域に前記ガラス基板表面まで露光する第１
   のパワ−のレ−ザを照射して、ピット部を形成し、 前記グル−ブ領域に前記第１のパワ−よりも小さいパワ
   −である第２のパワ−のレ−ザを照射して前記ガラス基
   板表面に到達しない浅いグル−ブ部を形成すると共に、
   前記グル−ブ部間に存在するランドに形成されておりか
   つ前記ランドの中心線から半径方向に所定量変位した位
   置に前記第２のパワ−のレ−ザを照射して、ランドプリ
   ピット部を形成し、 前記ランドプリピット部に近接する前記グル−ブ部を形
   成する際には、前記第２のパワ−よりも小さいパワ−で
   ある第３のパワ−レ−ザを切換照射し、現像し、 プラズマエッチングにより前記ピット部のみ所定の深さ
   になるまでエッチングし、 アッシングにより前記ランドプリピット部底面が前記ガ
   ラス基板表面に達するところまでフォトレジストをアッ
   シングし、 プラズマエッチングにより前記グル−ブ部と前記ピット
   部と前記ランドプリピット部とをそれぞれ所定の深さに
   なるようにエッチングを行って、前記ピット、前記グル
   −ブ、前記ランドプリピットを形成し、 アッシングにより前記フォトレジストを除去することを
   特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
4. 【請求項４】 深いピットを有する第１ピット領域と浅
   いピットを有する第２ピット領域と浅いグル−ブを有す
   るグル−ブ領域とを同一基板内に有する光ディスク基板
   であって、 前記浅いピット間にランドプリピットを有し、前記ラン
   ドプリピットの内周側に位置するピット部分の深さをこ
   のピット部分周辺の深さよりも浅くしてなり、かつ前記
   ランドプリピットの中心位置は半径方向に対して内周方
   向に変位していることを特徴とする光ディスク基板。
5. 【請求項５】 深いピットを有する第１ピット領域と浅
   いピットを有する第２ピット領域と浅いグル−ブを有す
   るグル−ブ領域と同一基板内に有する光ディスク基板で
   あって、 前記浅いピット間にランドプリピットを有し、前記ラン
   ドプリピットの内周側に位置するピット部分の深さをこ
   のピット部分周辺の深さよりも浅くしてなり、トラック
   方向に対して、前記ピット部分の長さをＬｇ’、前記ラ
   ンドプリピットの長さをＬｌＰＰ’、トラックピッチを
   ｔＰ’、ランド幅をＬｗ’としたときに、 ０．２ｔＰ’＜ＬｌＰＰ’＜ｔＰ’、０．５ＬｌＰＰ’
   ＜Ｌｇ’＜２ＬｌＰＰ’ で、かつ前記ランドプリピットの中心位置は半径方向に
   対して、ランド中心を０、内周方向を−（マイナス）と
   すると−０．７５×Ｌｗ’／２≦（前記ランドプリピッ
   トの中心位置）＜０であることを特徴とする光ディスク
   基板。
6. 【請求項６】 深いピットを有する第１ピット領域と浅
   いピットを有する第２ピット領域と浅いグル−ブを有す
   るグル−ブ領域とを備え、かつ前記浅いピット間にラン
   ドプリピットを形成してなるガラス製の光ディスク原盤
   を作成する光ディスク原盤の製造方法であって、 ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、 前記第１ピット領域に前記ガラス基板表面まで露光する
   第１のパワ−のレ−ザを照射して、深いピット部を形成
   し、 前記第２ピット領域に前記第１のパワ−よりも小さいパ
   ワ−である第２のパワ−のレ−ザを照射して前記ガラス
   基板表面に到達しない浅いピット部を形成すると共に、
   前記浅いピット部間に存在するランドに形成されており
   かつ前記ランドの中心線から半径方向に所定量変位した
   位置に前記第２のパワ−のレ−ザを照射して、ランドプ
   リピット部を形成し、 前記ランドプリピット部に近接する前記浅いピット部を
   形成する際には、前記第２のパワ−よりも小さいパワ−
   である第３のパワ−レ−ザを切換照射し、現像し、 プラズマエッチングにより前記深いピット部のみ所定の
   深さになるまでエッチングし、 アッシングにより前記ランドプリピット部底面が前記ガ
   ラス基板表面に達するところまでフォトレジストをアッ
   シングし、 プラズマエッチングにより前記グル−ブ部と前記浅いピ
   ット部と前記深いピット部２と前記ランドプリピット部
   とをそれぞれ所定の深さになるようにエッチングを行っ
   て、前記グル−ブ、前記浅いピット、前記深いピット、
   前記ランドプリピットを形成し、 アッシングにより前記フォトレジストを除去することを
   特徴とする光ディスク原盤の製造方法。