JPH07326077A - マスターによらずに光ディスクを生産するためのマトリックスの製造方法 - Google Patents

マスターによらずに光ディスクを生産するためのマトリックスの製造方法

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JPH07326077A
JPH07326077A JP7025440A JP2544095A JPH07326077A JP H07326077 A JPH07326077 A JP H07326077A JP 7025440 A JP7025440 A JP 7025440A JP 2544095 A JP2544095 A JP 2544095A JP H07326077 A JPH07326077 A JP H07326077A
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photoresist
film
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 時間サイクルが短縮し、エラーの数が減少
し、生産量が増大し、そして化学薬品の使用を減らすこ
とができる、光ディスク生産用のマトリックスをマスタ
ー抜きで製造するための方法を提供する。 【構成】 この方法は、ホトレジスト膜２を構造化され
ていないマトリックスプレート１に塗布し、このホトレ
ジスト膜２を選択的に露光し次いで現像する工程を含む
処理で構造化して構造化ホトレジスト膜３にする方法で
あり、当該ホトレジスト膜２を構造化されていないマト
リックスプレート１に塗布するのにネガ型ホトレジスト
を使用することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ホトレジスト膜を構造
化されていない（unstructured）マトリックスプレート
に塗布し、塗布したホトレジスト膜を構造化し、そして
この塗布したホトレジスト膜の構造化（structuring)は
塗布したホトレジスト膜を選択的に露光する工程と引き
続き現像する工程を含む、光ディスクを生産するための
マトリックスを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】この種
の方法は、G. Bouwhuis 編の刊行物 "Principles of op
tical disk systems", Adam Hilger Ltd., Bristol(198
5)から知られており、これには、レプリカとも呼ばれ
る、光ディスクを大量生産する慣用的な方法が記載され
ている。この方法は射出成形法と、マスターによって製
造されるマトリックスとを利用する。すなわち、最初に
マスターを作り、そして次にこのマスターを用いてマト
リックスが作られる。
【０００３】光ディスクには、幾何学的な構造体に記録
された情報が入っている。もっと詳しく言うと、この幾
何学的な構造体はピットとランドからなり、ピットはそ
れぞれの光ディスクの表面に同心円状に又は渦巻き状に
設けられる。時には、光ディスクの構造体を形成するた
めに溝（グルーブ）も用いられる。一般に、これは、例
えば追記型ＣＤや光磁気ディスクのような、書込むこと
ができる媒体（メディア）に関係している。このタイプ
の光ディスクを大量生産する既に知られている方法は、
三つの段階に細分することができる。
【０００４】第一の段階では、情報キャリヤ、特に磁気
テープに記憶された情報を、一連の電気パルスに変え
る。これらのパルスは、露光装置の強度を制御し、この
装置内で、ホトレジストを施した基板、例えばガラスの
基板が回転する。こうして、ホトレジストの小さな領域
が露光され、それらは次の処理で塩基性水溶液でもって
溶解される。その結果得られるのがピットの構造体であ
り、これはまた最終の光ディスクのために所望されるも
のでもある。この中間製品はマスターと呼ばれる。
【０００５】第二の段階では、マスターの片面に薄い金
属膜がめっきされる。この金属膜は、相対的に厚い金属
膜、特にニッケルを、直流電気で成長させるのに役立
つ。基板と厚い金属膜とを物理的に分離後には、上述の
情報構造体がこの厚い金属膜に位置を逆転して存在して
いる。次に、この厚い金属膜又はシートあるいはシェル
を洗浄していずれの残留ホトレジストも取除き、所定の
大きさに切断し、そしてこの後で説明する第三の段階に
おいていわゆるマトリックスとして使用する。第一及び
第二の段階で行われる処理は、例えば本願出願人のAMS
100 のような完全に自動化された装置で実施してもよ
い。
【０００６】第三の最後の段階では、マトリックスを射
出成形機の金型に入れて、それにより光ディスク、例え
ばオーディオディスク及び／又はビデオディスクのよう
なものを製造する。最後に、これらの光ディスクに金属
被覆を施し、そして保護被覆を施して、ラベルを貼り又
は印刷をする。この第三の段階は完全に自動化された生
産プロセスである。
【０００７】上記の既に知られている方法は世界的に使
用されており、それによればポジ型ホトレジストが使用
されていて、これの主な特徴は、このポジ型ホトレジス
トの露光された膜の露光領域を現像により除去し、その
一方露光されなかった領域はそのまま残ることである。
【０００８】先に述べた第二の段階における直流電気に
よる成長処理工程の欠点は、たくさんの手動操作を行わ
なくてはならないこと、及び比較的大量の化学薬品を使
用しなくてはならないことである。これらの操作は自動
化されたプロセスではハンドリング装置で行われるとは
言っても、この装置の要求する大変な複雑さは高い経費
と信頼性の問題を招きかねない。電気めっきの時間サイ
クルは典型的に約１時間であり、これは長いものであ
る。
【０００９】いわゆる「ファミリー生産（family makin
g)」法によって、マトリックス自体を情報キャリヤとし
て使用しそして直流電気法を利用して、一つのマスター
当たりに２以上のマトリックスを製造することが可能で
はあるが、この方法は、正しく上述の欠点のために、工
業的に応用されるのがますます少なくなっている。例え
ばＣＤ−ＲＯＭディスクについてのように、ディスクの
バッチがより小さくなっていることも、「ファミリー」
を作ることの終局に寄与している。
【００１０】本発明の目的は、上述の既に知られている
方法の欠点を軽減又は克服して、その結果として時間サ
イクルが短縮し、エラーの数が減少し、生産量が増大
し、そして化学薬品の使用を減らすことができるように
することであり、また完成した生産設備を購入するため
の資本経費を低減することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、この目
的を達成するために、ネガ型ホトレジストを使用して、
構造化されていないマトリックスプレートにホトレジス
ト膜を塗布することを特徴とする、先に言及した種類の
方法が提案される。
【００１２】同じ目的のために、本発明によれば、ポジ
型ホトレジストを使って構造化されていないマトリック
スプレートにホトレジスト膜を塗布し、この構造化され
ていないマトリックスプレートに塗布した構造化したホ
トレジスト膜をマスクとして使用して、構造化されてい
ないマトリックスプレートに金属膜を適用し、その後こ
の構造化したホトレジスト膜を除去してマトリックスを
製造する方法であって、当該金属膜を、当該構造化され
ていないマトリックスプレートのみに、当該構造化した
ホトレジストの厚さより小さい厚さで適用することを特
徴とする、先に言及した種類の方法が提案される。
【００１３】少なくとも目下のところは、ネガ型ホトレ
ジストがより良好な結果を生じるように見え、そのため
今のところはこれらの方が好ましい。
【００１４】
【発明の具体的説明】以下において、図面を参照して本
発明をもっと詳しく説明する。
【００１５】図１では、ネガ型ホトレジストが使用され
る。ネガ型ホトレジストの膜の露光された領域は現像後
に残り、その一方、露光されなかった領域は現像により
除去される。ネガ型ホトレジスト膜を、原則としては射
出成形機内に直接配置されていてもよい、構造化されて
いないマトリックスプレートに本発明に従って塗布又は
適用し、そしてこのネガ型ホトレジスト膜を構造化する
と、金属被覆工程も電気めっき工程も省くことが可能に
なる。必要であるかあるいは有利であるならば、ネガ型
ホトレジストを構造化しそして安定化させるためのいく
つかの新しい工程が代わりに導入される。後に説明する
ように、それらの新しい工程は短くて且つ簡単な処理工
程であり、それらでは化学薬品は使用されない。
【００１６】「構造化されていないマトリックスプレー
ト」という用語は、トラッキングを目的とするいわゆる
プレグルーブのような１又は２以上の溝を有する構造化
されていないマトリックスプレートも包含する。
【００１７】図２の変形によれば、同じようにネガ型ホ
トレジストが用いられるが、二つの更に別の工程が追加
される。それによれば、構造化されたネガ型ホトレジス
ト膜は構造化されていないマトリックスプレートを構造
化するためのエッチングマスクとして使用され、このネ
ガ型ホトレジスト膜はその後で除去される。この変形に
あっては湿式法が再導入されるとは言うものの、マトリ
ックスの作業面の幾何学的構造の安定性はより良好にな
ろう。このことは、より大きなバッチの光ディスクを生
産すべき場合に有利であろう。とは言え、この変形は既
に知られている方法よりは時間が短くて且つ安上がりで
あり、それによりインラインプロセスが相変わらず可能
である。更に、エッチングすべき材料を、最終的な構造
体の厚さと等しい厚さで構造化されていないマトリック
スプレートに適用することができる。
【００１８】図１では、構造化されていないマトリック
スプレートは参照数字の１で示されており、塗布又は適
用されたホトレジスト膜は２で示されており、そして構
造化されたホトレジスト膜は３で示されている。図１に
更に示されているように、一連の工程は次のとおりでよ
い。すなわちそれらは、構造化されていないマトリック
スプレート１を準備する工程、準備した構造化されてい
ないマトリックスプレート１にネガ型ホトレジストを塗
布又は適用する工程、塗布したホトレジストをホトレジ
スト膜２を得るために乾燥させる工程、このホトレジス
ト膜２をレーザー光で選択的に露光する工程、選択的に
露光したホトレジスト膜２を加熱する工程、全体的に露
光したホトレジスト膜２を現像して、構造化したホトレ
ジスト膜３を得る工程、そしてこの構造化したホトレジ
スト膜３を加熱する工程、である。
【００１９】構造化されていないマトリックスプレート
１の準備工程は、清浄にし、またことによっては、これ
から塗布するホトレジストのための下塗りを適用するこ
とを含む。
【００２０】乾燥工程では、ホトレジストの溶媒を除去
する。
【００２１】構造化されていないマトリックスプレート
１を準備するときには、ＭＩＢＫですすぐと縞が生じる
ようであった。この問題は、ＭＩＢＫの代わりに酢酸エ
チルを使って解決することができた。
【００２２】ネガ型ホトレジストを選択的に露光するこ
とによって、露光された領域で酸が生成される。
【００２３】この選択的露光の後にネガ型ホトレジスト
を加熱することで、露光された領域ではネガ型ホトレジ
ストが架橋し、その際に酸が触媒作用を及ぼす。
【００２４】全体的に露光することの結果として、非露
光領域でも酸が生成され、この酸がある結果として、選
択的に露光されておらず従って架橋されていない領域が
現像処理の間により速く溶解されることになる。
【００２５】現像処理に続く加熱工程の結果として、露
光して架橋した領域はポリマー鎖が更に架橋することに
より強化される。
【００２６】図２では、図１と同じ工程が行われるが、
但し最後の加熱工程は湿式エッチング工程及びホトレジ
スト除去工程に替えられ、また金属膜４をその上に備え
た構造化されていないマトリックスプレート１が用いら
れる。そのほかのものについては、同じ参照数字を使用
する。参照数字７は構造化された金属膜を示している
が、原則としてこれは構造化されていないマトリックス
プレートの構造化された表面でもよい。
【００２７】図３は、充填法を例示している。選択的露
光工程と現像工程まで（これらを含む）は、図１の方法
と似ているが、もちろんこれの特色は、ネガ型ホトレジ
ストの代わりにポジ型ホトレジストを使用するため図３
の構造化されたホトレジスト膜３の構造が逆になってい
ることである。現像工程に続く工程は、金属８を選択的
に適用すること、すなわち充填工程と、構造化されたホ
トレジスト３を除去することを含む。図３において、図
１と一致する部分には同じ参照数字が用いられており、
その一方、選択的に適用された金属膜は８で示されてい
る。
【００２８】図１による方法の結果得られるものはホト
レジストの柱３を含むマトリックスである一方、図２、
３による方法の結果得られるものは金属の柱７を含むマ
トリックスである。図１によるマトリックスが用意でき
たら、射出成形工程におけるマトリックスの寿命を延ば
すため、それに薄い金属膜、例えばクロム、ニッケル又
はアルミニウムの膜を施してもよい。
【００２９】図面を参照して説明される態様の共通の特
徴は、ホトレジスト膜２を構造化されていないマトリッ
クスプレート１に塗布又は適用すること、及び塗布した
ホトレジスト膜２を構造化することである。取扱い上の
目的から、構造化されていないマトリックスプレート１
はホトレジスト膜２を塗布する前に基板、例えばガラス
の基板（図示せず）上に配置してもよい。塗布したホト
レジスト膜２の構造化はホトリトグラフィー法で行うこ
とができ、それによれば適用したホトレジスト膜２は選
択エッチングと現像を続けて施される。ネガ型ホトレジ
ストを使用して構造化されていないマトリックスプレー
ト１にホトレジスト膜２を塗布する場合には、選択的に
露光した塗布ホトレジスト膜２及び／又は全体的に露光
した当該ホトレジスト膜２を現像前に加熱することが有
利なことがあり、両方の処置とも熱的に安定な構造化し
たホトレジスト膜を得ようというものである。
【００３０】ネガ型ホトレジストを使用することは、図
１を参照して説明されるように、ここに提案された方法
を用いてマトリックスを直接得ることを可能にする。こ
の場合には、現像した塗布ホトレジスト膜２を、構造化
したホトレジスト膜３を更に熱的に安定化させるために
加熱することがなお一層好ましい。別法として、ネガ型
ホトレジストを使用すれば更に、図２を参照して説明さ
れるように、構造化されていないマトリックスプレート
１を、これに塗布した構造化したホトレジスト膜をマス
クとして使用してエッチングすることができ、そしてそ
うしたら、構造化したホトレジスト膜３を除去してマト
リックスを製造することができる。図２に示されるよう
に、構造化されていないマトリックスプレート１にホト
レジスト膜２を塗布する前に、マトリックスに所望され
る構造体の高さと実質的に等しい厚さの金属膜４をその
構造化されていないマトリックスプレート１に適用して
もよい。これはエッチング処理を簡単にすることができ
る。
【００３１】構造化されていないマトリックスプレート
１にホトレジスト膜２を塗布又は適用するのにポジ型ホ
トレジストを使用する場合には、その一態様が図３を参
照して記載されるここに提案された方法の共通の特徴
は、構造化されていないマトリックスプレート１に塗布
された構造化したホトレジスト膜３をマスクとして使用
して金属膜８をこの構造化されていないマトリックスプ
レート１に適用することと、その構造化したホトレジス
ト膜３を後に除去してマトリックスを得ることである。
図３に示される充填法によれば、この場合金属膜８は構
造化されていないマトリックスプレート１に、構造化し
たホトレジスト膜３の厚さよりも小さい厚さで適用され
るだけである。
【００３２】次に、ここに提案された方法の態様を図１
に示した態様により説明する。ネガ型ホトレジストとし
てAZ RAY-PRO（製造業者ヘキスト社）を使用した。この
ホトレジストを、実験のために標準的な８インチ（約２
０cm）のＣＤガラス基板に接着した厚さ３００μｍのブ
ランクのニッケルシェルの上へ、回転塗布法により塗布
した。最後の工程では、このシェルは、例えばソールプ
レートのような平らなキャリヤへ、減圧を用いて取付け
てもよい。１２０nmという初めの膜厚について言えば、
このホトレジストと希釈剤としての酢酸エチルの１０：
１の比率の溶液を、２０秒間７００rpm の回転速度と組
み合わせて使用した。
【００３３】このニッケルシェル／ガラス基板集成体を
１５３０rpm で２００秒間回転乾燥後に、保護ボックス
に入れたこの集成体を、塗布したネガ型ホトレジスト膜
を乾燥させるため再循環オーブンでもって８０℃の一定
温度で３０分間加熱した。
【００３４】冷却後、ＥＦＭ信号源と８インチ（約２０
cm）レーザービームレジストレーション装置（ＬＢＲ）
とからなるマスターレジストレーション装置（ＭＲＳ）
を用いて、この集成体を露光した。波長４５９nmのＥＭ
Ｆ変調レーザー光を、開口数０．４５で、ＬＢＲの対物
レンズの下で１．４m/s の接戦速度で回転しているニッ
ケルシェル／ガラス基板に収束させた。公称の書込み容
量は約４mWであった。
【００３５】この露光工程の直後に、集成体と保護ボッ
クスカバーを自由対流オーブン内に水平に配置して、１
２０℃の温度で６０分間加熱した。
【００３６】キャビネット内で下降流により冷却後、集
成体をそのために特別に構成したライトボックス内に入
れ、それにより全体的な露光を４分間行った。この結果
として、ニッケルシェル上に施したネガ型ホトレジスト
膜のそれまで露光されなかった部分を露光した。
【００３７】その後、集成体を８インチ（約２０cm）の
現像装置で現像した。それによれば、集成体を脱イオン
水で１５秒間すすいでから、現像剤と脱イオン水との比
率を１：２．５にした希釈した現像液溶液でもって２０
０rpm の回転速度で現像した。使用したこの塩基性の現
像剤は、水酸化ナトリウムと二リン酸四ナトリウムの緩
衝溶液であった。脱イオン水で１５秒間すすいでから、
集成体を１５３０rpmで２００秒間回転乾燥させた。
【００３８】再加熱と冷却は露光後と同じように行った
が、唯一の違いはオーブン温度の設定が１４０℃であっ
たことである。
【００３９】最後に、ニッケルシェルをガラス基板から
分離し、そして通常の処理操作、例えば背面を研摩して
中央に孔をあけるといったような操作により処理して、
ＣＤレプリカを大量生産するため射出成形機の金型に配
置すべき標準的な８インチ（約２０cm）のマトリックス
にした。
【００４０】製造したＣＤレプリカについて透過次数
（オーダー）の測定と一緒に行った信号の測定から、マ
トリックスのふくれの形状がレプリカの直接複製特性に
関してどのような克服し難い問題も提起しなかったこと
が示された。
【００４１】この測定及び別の目視の測定、なかでもア
トミック・フォース・メジャーメント（ＡＦＭ）から、
プロセスパラメーターを更に最適化して、マトリックス
の品質、なかでも信号特性と特定の成形条件下での耐久
性を高めることができることが明らかになった。この枠
内で行った実験を以下で説明する。
【００４２】ネガ型ホトレジストの塗布のために１２０
〜１８０nmの膜厚範囲を採用し、それによれば膜厚が１
８０nmのときに最良の結果が得られることが明らかにな
った。
【００４３】加熱温度に関しては、６０〜１１０℃の範
囲内で２０〜４０分の範囲の間試験を行って、それによ
れば８０℃の温度を使用したときに最良の結果が得られ
た。
【００４４】開口数に関する限りは、０．３〜０．５を
使用して、それによれば大きな開口数を選んだときに信
号特性がわずかだけ上昇した。
【００４５】露光工程後の加熱のための温度範囲は８５
〜１２５℃で、２５〜６０分間であったが、それによれ
ば温度は重要なようであって、１１５℃の温度で最良の
結果が得られた。
【００４６】希釈ＮａＯＨでの現像については、試験を
３０〜５０秒間行い、それによれば４０〜５０秒の現像
時間が好ましかった。
【００４７】現像後の加熱工程のために使用した温度と
時間の範囲については、それぞれ１２０〜１６０℃と１
５〜４５分を使用して、それによればこの範囲内の温度
のうちの１６０℃とこの時間の範囲内のより短い値の時
間で最良の結果が得られた。
【００４８】それらの結果は次に示すとおりであった。 ＪＩＴＴＥＲ １７ns ＸＴ １８％ Ｉ１ ４．５％ Ｉ２ ４５％
【００４９】選ばれた範囲内の上述の最適な値を用い
て、但し現像後の加熱については１８５℃の温度を用い
て、実験を行うと、提案されたマトリックスを用いて射
出成形機で２０００枚のディスクを製造することができ
ることが明らかになり、マトリックスはそれにより少し
の劣化も示さなかった。
【００５０】加熱工程は別のやり方で、例えばいわゆる
「ホットプレート」を用いて行ってもよいことは自明で
ある。
【００５１】再現性の理由から、オーダーに応じて現像
することが必要なことがある。マスターを製造する場合
に用いられる現像工程と比較すると、提案されたマトリ
ックスの現像工程中にランドが除去されるので、現像曲
線は全く異なって見える。通常のプロセスでは、基材が
透明であるために、レーザービームの透過（ゼロ次及び
一次）を測定するが、ところが一方ここに提案された方
法にあっては、レーザービームの反射により回折された
光の強さが測定され、それによれば回折光の測定された
強度は一次光（the first order)で最高になる。現像の
ための停止の判定基準は、現像中に測定した回折光の強
度が前もって定められた最高値に関して一定の割合ま
で、例えば１０〜２０％まで低下することにより構成さ
れる。これはまた、強度の測定のために二つのダイオー
ドに代わって一つのダイオードが使用されることを意味
し、また書込み工程のためにより多くの光を使用する場
合には、これはより短い現像時間が必要とされることを
意味せず、このことは通常の方法と対照的であって、そ
れどころかより長い現像時間が必要とされることを意味
している。通常の方法にあっては、停止の判断基準は一
次の値とゼロ次の値との比で決定される。
【００５２】更に注目すべきことは、現像後の加熱に関
して、低温には短時間が付随し、また高温には長時間が
付随することが当てはまることである。これは、ポジ型
ホトレジストの代わりにネガ型ホトレジストを使用する
ことに基づく唯一の表面上の差異である。
【００５３】最後に、プラスチックの柱を備えたニッケ
ルマトリックスの場合におけるマトリックス再生装置で
の読出しは、構造化されたニッケルマトリックスプレー
トを含むマトリックスの場合とは異なると言うことが注
目される。
【図面の簡単な説明】
【図１】ネガ型ホトレジストを使用する本発明の方法の
一態様を説明する図である。
【図２】図１の方法の変形を説明する図である。
【図３】ポジ型ホトレジストを使用する本発明の方法の
もう一つの態様（充填法）を説明する図である。
【符号の説明】
１…構造化されていないマトリックスプレート ２…塗布したホトレジスト膜 ３…構造化したホトレジスト膜 ４…金属膜 ７…構造化された金属膜 ８…金属

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ホトレジスト膜を構造化されていないマ
    トリックスプレートに塗布し、塗布したこのホトレジス
    ト膜を構造化し、この塗布したホトレジスト膜の構造化
    が当該塗布したホトレジスト膜を選択的に露光する工程
    と引続き現像する工程を含む、光ディスクを生産するた
    めのマトリックスを製造する方法であって、当該ホトレ
    ジスト膜を当該構造化されていないマトリックスプレー
    トに塗布するのにネガ型ホトレジストを使用することを
    特徴とする方法。
  2. 【請求項２】 前記構造化されていないマトリックスプ
    レートを、前記ホトレジスト膜を塗布する前に平らなキ
    ャリヤ上で準備することを特徴とする、請求項１記載の
    方法。
  3. 【請求項３】 前記塗布したホトレジスト膜の構造化
    が、選択的に露光したホトレジスト膜を加熱することを
    更に含むことを特徴とする、請求項１又は２記載の方
    法。
  4. 【請求項４】 前記塗布したホトレジスト膜の構造化
    が、当該ホトレジスト膜を現像する前にそのホトレジス
    ト膜を全体的に露光する工程を更に含むことを特徴とす
    る、請求項１、２又は３記載の方法。
  5. 【請求項５】 現像をオーダーに応じて行って、用いら
    れるレーザービームの反射により回折された光の強度を
    測定し、この回折光の測定された強度の一次光における
    最大値を決定し、そして現像の停止の判定基準を、現像
    中に測定された回折光の強度が当該予め決められた最高
    値に関してある割合まで低下することにより構成するこ
    とを特徴とする、請求項１から４までのいずれか一つに
    記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記塗布したホトレジスト膜の構造化
    が、当該ホトレジスト膜の現像後にそのホトレジスト膜
    を加熱することを更に含むことを特徴とする、請求項１
    から５までのいずれか一つに記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記塗布したホトレジスト膜を含むマト
    リックスの表面をその塗布したホトレジスト膜の構造化
    後に金属メッキすることを特徴とする、請求項１から６
    までのいずれか一つに記載の方法。
  8. 【請求項８】 当該方法の直接の結果として、前記構造
    化したホトレジスト膜を含む、当該マトリックスが得ら
    れることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか
    一つに記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記構造化されていないマトリックスプ
    レートを、これに塗布した前記構造化したホトレジスト
    膜をマスクとしてエッチングし、そしてその後この構造
    化したホトレジスト膜を除去して当該マトリックスを製
    造することを特徴とする、請求項１から７までのいずれ
    か一つに記載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記ホトレジスト膜を前記構造化され
    ていないマトリックスプレートに塗布する前に、金属膜
    を当該マトリックスにおいて所望される構造体の高さに
    実質的に等しい厚さまで適用することを特徴とする、請
    求項９記載の方法。
  11. 【請求項１１】 ホトレジスト膜を構造化されていない
    マトリックスプレートに塗布し、塗布したこのホトレジ
    スト膜を構造化し、この塗布したホトレジスト膜の構造
    化が当該塗布したホトレジスト膜を選択的に露光する工
    程と引続き現像する工程を含み、そして当該構造化され
    ていないマトリックスプレートに当該ホトレジスト膜を
    塗布するのにポジ型ホトレジストを使用し、当該構造化
    されていないマトリックスプレートの上に施された当該
    構造化したホトレジスト膜をマスクとして使用して、金
    属膜を当該構造化されていないマトリックスプレートに
    適用して、その後当該構造化したホトレジスト膜を除去
    してマトリックスを製造する、光ディスクを生産するた
    めのマトリックスを製造する方法であって、当該金属膜
    を当該構造化されたホトレジスト膜の厚さよりも小さい
    厚さで当該構造化されていないマトリックスプレートに
    適用するだけであることを特徴とする方法。
  12. 【請求項１２】 当該マトリックスが請求項１から１１
    までのいずれか一つに記載の方法を使用して得られてい
    ることを特徴とする、光ディスクを生産するためのマト
    リックス。
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