JPH117662A - 光ディスク用スタンパの製造方法 - Google Patents
光ディスク用スタンパの製造方法Info
- Publication number
- JPH117662A JPH117662A JP15690997A JP15690997A JPH117662A JP H117662 A JPH117662 A JP H117662A JP 15690997 A JP15690997 A JP 15690997A JP 15690997 A JP15690997 A JP 15690997A JP H117662 A JPH117662 A JP H117662A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pit
- resist
- forming
- master
- groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Abandoned
Links
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 高密度大容量の光ディスク用スタンパを歩留
りよく製造する。 【解決手段】 ガラス原盤上にスピンコートにより化学
増幅タイプのフォトレジストの膜を形成し、波長が１８
０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ光でピット又はグルーブ
状パターンを描画する。このレジスト原盤を加熱して露
光後ベーキングを行い、その後アルカリ現像液に浸積
し、ピット又はグルーブ状パターンを形成する。さら
に、レジスト８表面上にスパッタ法により金属薄膜９を
積層し、この薄膜からなる導電膜を陰極側に導通させＮ
ｉ電解メッキを行い、レジスト原盤のレプリカであるス
タンパを作製する。これにより、最短ピット長が０．１
〜０．３μｍ、トラックピッチが０．１〜０．５μｍの
ピット又はグルーブ状パターンを描画できる。また、レ
ジスト表面上にスパッタリング圧力０．５〜２．０Ｐａ
の成膜条件で膜厚３０〜１００ｎｍのＮｉ薄膜を積層し
た。
りよく製造する。 【解決手段】 ガラス原盤上にスピンコートにより化学
増幅タイプのフォトレジストの膜を形成し、波長が１８
０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ光でピット又はグルーブ
状パターンを描画する。このレジスト原盤を加熱して露
光後ベーキングを行い、その後アルカリ現像液に浸積
し、ピット又はグルーブ状パターンを形成する。さら
に、レジスト８表面上にスパッタ法により金属薄膜９を
積層し、この薄膜からなる導電膜を陰極側に導通させＮ
ｉ電解メッキを行い、レジスト原盤のレプリカであるス
タンパを作製する。これにより、最短ピット長が０．１
〜０．３μｍ、トラックピッチが０．１〜０．５μｍの
ピット又はグルーブ状パターンを描画できる。また、レ
ジスト表面上にスパッタリング圧力０．５〜２．０Ｐａ
の成膜条件で膜厚３０〜１００ｎｍのＮｉ薄膜を積層し
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク用スタ
ンパの製造方法に関するものである。
ンパの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＤ、及び最近登場したＤＶＤ等
の量産に用いるスタンパ（成形用金型）の元となる光デ
ィスク用スタンパの製造においては、先ず０．１〜０．
２μｍ膜厚の紫外線感光性フォトレジストが均一にスピ
ンコートされた厚さ数ｍｍのガラス円盤を回転させなが
ら、この円盤上に青色又は近紫外域で発振するガスレー
ザ（Ａｒ，Ｋｒレーザなど；波長３５０〜４６０ｎｍ）
からの光を対物レンズで集光させ、レーザ光をオン、オ
フさせてレジストをスポット露光し、その後レジストを
現像することにより、ピットまたはグルーブ状の微細パ
ターンを形成しレジスト原盤としている。
の量産に用いるスタンパ（成形用金型）の元となる光デ
ィスク用スタンパの製造においては、先ず０．１〜０．
２μｍ膜厚の紫外線感光性フォトレジストが均一にスピ
ンコートされた厚さ数ｍｍのガラス円盤を回転させなが
ら、この円盤上に青色又は近紫外域で発振するガスレー
ザ（Ａｒ，Ｋｒレーザなど；波長３５０〜４６０ｎｍ）
からの光を対物レンズで集光させ、レーザ光をオン、オ
フさせてレジストをスポット露光し、その後レジストを
現像することにより、ピットまたはグルーブ状の微細パ
ターンを形成しレジスト原盤としている。
【０００３】そしてこのレジスト原盤からＮｉメッキに
よりレプリカを取ることにより厚さ数１００μｍのＮｉ
製スタンパを作製する。そこでＮｉ電解溶液中でのメッ
キ工程の前にレジスト原盤の表面の導通を取るためにレ
ジスト表面に金属薄膜を堆積する必要があるが、従来は
ＮｉやＡｇ原子の導電膜を無電解メッキプロセス（金属
を還元剤で還元析出させる方法）を用いて５０〜１００
ｎｍの膜厚で形成していた。その後Ｎｉ電解溶液中にお
いて、この導電膜を陰極側に導通させ対向するＮｉ製陽
極との間にＤＣ電流を通電し、Ｎｉメッキ（電鋳）を行
いＮｉスタンパを作製していた。
よりレプリカを取ることにより厚さ数１００μｍのＮｉ
製スタンパを作製する。そこでＮｉ電解溶液中でのメッ
キ工程の前にレジスト原盤の表面の導通を取るためにレ
ジスト表面に金属薄膜を堆積する必要があるが、従来は
ＮｉやＡｇ原子の導電膜を無電解メッキプロセス（金属
を還元剤で還元析出させる方法）を用いて５０〜１００
ｎｍの膜厚で形成していた。その後Ｎｉ電解溶液中にお
いて、この導電膜を陰極側に導通させ対向するＮｉ製陽
極との間にＤＣ電流を通電し、Ｎｉメッキ（電鋳）を行
いＮｉスタンパを作製していた。
【０００４】例えばＤＶＤ（ＲＯＭ）の情報信号ピット
は、スタンパ上に最短ピット長０．４μｍ、トラックピ
ッチ０．７４μｍのピット列がスパイラル状に描画され
ており、このスタンパを金型としてプラスチック樹脂の
射出成形で作製された１２ｃｍΦディスク（片面）は
４．７ＧＢの情報容量を持つ。このＤＶＤ密度のレーザ
ー描画（カッティング）には例えば波長４１３ｎｍのＫ
ｒ（イオン）レーザーが用いられる。
は、スタンパ上に最短ピット長０．４μｍ、トラックピ
ッチ０．７４μｍのピット列がスパイラル状に描画され
ており、このスタンパを金型としてプラスチック樹脂の
射出成形で作製された１２ｃｍΦディスク（片面）は
４．７ＧＢの情報容量を持つ。このＤＶＤ密度のレーザ
ー描画（カッティング）には例えば波長４１３ｎｍのＫ
ｒ（イオン）レーザーが用いられる。
【０００５】この場合カッティング可能な最短ピット長
Ｐ、即ち解像力は、一般にレーザ波長λ、対物レンズの
ＮＡ（開口数）、及びプロセスファクタＫ（レジスト特
性等に依存し０．８〜０．９の値をとる）から、Ｐ＝Ｋ
・（ＮＡ／λ）の式で近似される。これにλ＝４１３
（ｎｍ）、ＮＡ＝０．９、Ｋ＝０．８を代入すると、Ｐ
＝０．３７（μｍ）となりＤＶＤの最短ピット長０．４
μｍが解像されることになる。
Ｐ、即ち解像力は、一般にレーザ波長λ、対物レンズの
ＮＡ（開口数）、及びプロセスファクタＫ（レジスト特
性等に依存し０．８〜０．９の値をとる）から、Ｐ＝Ｋ
・（ＮＡ／λ）の式で近似される。これにλ＝４１３
（ｎｍ）、ＮＡ＝０．９、Ｋ＝０．８を代入すると、Ｐ
＝０．３７（μｍ）となりＤＶＤの最短ピット長０．４
μｍが解像されることになる。
【０００６】近年の情報通信及び画像処理技術の急速な
発展に伴い、光ディスク容量も近い将来現在の数倍のも
のが要求される可能性が高いが、例えばＤＶＤの延長線
上において１２ｃｍΦディスク（片面）で２０ＧＢ容量
を現在と同様の信号処理方式により達成するには、最短
ピット長を０．２μｍ、トラックピッチを０．３５μｍ
まで微細化する必要がある。このような微細ピット形成
のためには、上述の式からわかるようにレーザ波長の短
波長化と対物レンズＮＡの増大が求められるが、対物の
ＮＡ値はレンズの設計製作精度の面から現状の０．９と
いう値がほぼ限界である。
発展に伴い、光ディスク容量も近い将来現在の数倍のも
のが要求される可能性が高いが、例えばＤＶＤの延長線
上において１２ｃｍΦディスク（片面）で２０ＧＢ容量
を現在と同様の信号処理方式により達成するには、最短
ピット長を０．２μｍ、トラックピッチを０．３５μｍ
まで微細化する必要がある。このような微細ピット形成
のためには、上述の式からわかるようにレーザ波長の短
波長化と対物レンズＮＡの増大が求められるが、対物の
ＮＡ値はレンズの設計製作精度の面から現状の０．９と
いう値がほぼ限界である。
【０００７】従って今後はレーザの短波長化が必要不可
欠であり、例えばλ＝２５０ｎｍの遠紫外レーザ光を用
いれば、上述の式にＫ＝０．８を代入するとＰ＝０．２
３（μｍ）になる。上記の最短ピット長にかなり接近す
るが未だ若干の解像力不足であり、高解像力レジストの
適用等によってプロセスファクターＫ値を減少させる手
段が必要である。
欠であり、例えばλ＝２５０ｎｍの遠紫外レーザ光を用
いれば、上述の式にＫ＝０．８を代入するとＰ＝０．２
３（μｍ）になる。上記の最短ピット長にかなり接近す
るが未だ若干の解像力不足であり、高解像力レジストの
適用等によってプロセスファクターＫ値を減少させる手
段が必要である。
【０００８】ところでこのような遠紫外域波長のレーザ
適用において、従来広く使用されてきたフェノールノボ
ラック樹脂をベースレンジとし、ナフトキノンジアジド
を感光剤とする所謂ノボッラック系レジストを適用する
のは極めて困難である。
適用において、従来広く使用されてきたフェノールノボ
ラック樹脂をベースレンジとし、ナフトキノンジアジド
を感光剤とする所謂ノボッラック系レジストを適用する
のは極めて困難である。
【０００９】図１にノボラック樹脂とナフトキノンジア
ジドの化学構造式を示すが、この樹脂及び感光剤の光吸
収率が３００ｎｍ以下の波長で急激に増大し、レジスト
中での内部吸収により解像力を決めるレジストのγ値
（コントラスト）を著しく劣化させ、エッヂの切り立ち
が悪いピット形状となってしまうからである。またレジ
ストの感度も同様の理由により低下し、カッティングの
生産性を著しく損なわせる可能性がある。
ジドの化学構造式を示すが、この樹脂及び感光剤の光吸
収率が３００ｎｍ以下の波長で急激に増大し、レジスト
中での内部吸収により解像力を決めるレジストのγ値
（コントラスト）を著しく劣化させ、エッヂの切り立ち
が悪いピット形状となってしまうからである。またレジ
ストの感度も同様の理由により低下し、カッティングの
生産性を著しく損なわせる可能性がある。
【００１０】以上述べたように今後必須となる遠紫外線
レーザをカッティング光源とした場合には、従来のノボ
ラック系レジストをパターン形成に用いるのは実用上極
めて困難であり、この波長域でノボラック系レジストに
比較して高感度、高解像力の特性を持つ化学増幅タイプ
のフォトレジストの適用が有効であると考えられる。
レーザをカッティング光源とした場合には、従来のノボ
ラック系レジストをパターン形成に用いるのは実用上極
めて困難であり、この波長域でノボラック系レジストに
比較して高感度、高解像力の特性を持つ化学増幅タイプ
のフォトレジストの適用が有効であると考えられる。
【００１１】図２に典型的な化学増幅タイプのフォトレ
ジストのベース樹脂であるポリヒドロキシスチレンと感
光剤（スルフォニウム塩）の化学構造式を示す。このタ
イプのレジストは半導体用リソグラフィーでＫｒＦエキ
シマレーザ・ステッパ（λ＝２４８ｎｍ）対応のレジス
トとして開発が進められており、３００ｎｍ以下の遠紫
外域におけるレジスト内部吸収がノボラック系レジスト
に比較して格段に小さく、また図３に示すような、感光
剤が露光により発生するプロトン酸（Ｈ+ ）を露光後ベ
ーキング（ＰＥＢ；Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａ
ｋｉｎｇ）により触媒的に反応させる光化学反応メカニ
ズムを採用しているため感度も格段に高い。従って化学
増幅タイプのフォトレジストは遠紫外域における高解像
力、高感度レジストとしてカッティング用途においても
非常に有望なレジストであると考えられる。
ジストのベース樹脂であるポリヒドロキシスチレンと感
光剤（スルフォニウム塩）の化学構造式を示す。このタ
イプのレジストは半導体用リソグラフィーでＫｒＦエキ
シマレーザ・ステッパ（λ＝２４８ｎｍ）対応のレジス
トとして開発が進められており、３００ｎｍ以下の遠紫
外域におけるレジスト内部吸収がノボラック系レジスト
に比較して格段に小さく、また図３に示すような、感光
剤が露光により発生するプロトン酸（Ｈ+ ）を露光後ベ
ーキング（ＰＥＢ；Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａ
ｋｉｎｇ）により触媒的に反応させる光化学反応メカニ
ズムを採用しているため感度も格段に高い。従って化学
増幅タイプのフォトレジストは遠紫外域における高解像
力、高感度レジストとしてカッティング用途においても
非常に有望なレジストであると考えられる。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら化学増幅
タイプのフォトレジストは図１と図２に示される樹脂の
化学構造から推測されるように、最表面の性質（親水
性、或いは疎水性）が従来のノボラック系レジストとは
かなり異なり、レジスト表面の特性に非常に敏感な無電
解メッキプロセスに重大な影響を及ぼす。
タイプのフォトレジストは図１と図２に示される樹脂の
化学構造から推測されるように、最表面の性質（親水
性、或いは疎水性）が従来のノボラック系レジストとは
かなり異なり、レジスト表面の特性に非常に敏感な無電
解メッキプロセスに重大な影響を及ぼす。
【００１３】図１のノボラック樹脂では全てのベンゼン
環骨格からＯＨ基が外に出ているのち対して、図２に示
すベース樹脂であるポリヒドロキシスチレンのＯＨ基
は、そのかなりの割合が保護基（ｔ−ＢＯＣ）で覆われ
ているため、未露光部の最表面が親水性か或いは疎水性
かを決めるＯＨ基の表面上の密度はノボラック系と化学
増幅タイプのフォトレジストでは大きく異なるからであ
る。
環骨格からＯＨ基が外に出ているのち対して、図２に示
すベース樹脂であるポリヒドロキシスチレンのＯＨ基
は、そのかなりの割合が保護基（ｔ−ＢＯＣ）で覆われ
ているため、未露光部の最表面が親水性か或いは疎水性
かを決めるＯＨ基の表面上の密度はノボラック系と化学
増幅タイプのフォトレジストでは大きく異なるからであ
る。
【００１４】実際に従来採用されてきた無電解メッキプ
ロセスは、親水性が強いノボラックタイプのフォトレジ
ストの表面特性に適合するような表面処理、界面活性剤
等を用いているため、これをそのまま化学増幅タイプの
フォトレジストに適用すると、やや疎水性が強いレジス
ト表面上に殆ど無電解メッキ膜（Ｎｉ，Ａｇ等）が付着
しないという重大な問題が生じた。
ロセスは、親水性が強いノボラックタイプのフォトレジ
ストの表面特性に適合するような表面処理、界面活性剤
等を用いているため、これをそのまま化学増幅タイプの
フォトレジストに適用すると、やや疎水性が強いレジス
ト表面上に殆ど無電解メッキ膜（Ｎｉ，Ａｇ等）が付着
しないという重大な問題が生じた。
【００１５】また、化学増幅レジストの組成は、その多
くが図２に示すような基本構造を有するが、ベース樹脂
（ポリヒドロキシスチレン）のＯＨ基が保護基（ｔ−Ｂ
ＯＣ）により置換されている割合は、多種に渡りまちま
ちであり、また保護基の役割を果たすｔ−ＢＯＣ等のア
ルカリ溶解阻止剤がベース樹脂と結合していないタイプ
のレジストもある。このようにレジストの最表面の特性
は、化学構造式に対応してかなり異なり、これら全ての
レジストタイプに無電解メッキプロセスを対応させるの
は非常に困難かつ繁雑であるという問題があった。
くが図２に示すような基本構造を有するが、ベース樹脂
（ポリヒドロキシスチレン）のＯＨ基が保護基（ｔ−Ｂ
ＯＣ）により置換されている割合は、多種に渡りまちま
ちであり、また保護基の役割を果たすｔ−ＢＯＣ等のア
ルカリ溶解阻止剤がベース樹脂と結合していないタイプ
のレジストもある。このようにレジストの最表面の特性
は、化学構造式に対応してかなり異なり、これら全ての
レジストタイプに無電解メッキプロセスを対応させるの
は非常に困難かつ繁雑であるという問題があった。
【００１６】本発明はこのような課題に鑑みてなされた
ものであり、高密度大記録容量の光ディスク用スタンパ
を、高い品質において、安定して歩留り良く製造する方
法を提供することを目的とする。
ものであり、高密度大記録容量の光ディスク用スタンパ
を、高い品質において、安定して歩留り良く製造する方
法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の光ディスク用ス
タンパの製造方法は、ガラス原盤の上に、スピンコート
により化学増幅タイプのフォトレジストの膜を形成する
工程と、波長が１８０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ光
を、対物レンズによりフォトレジスト上に集光し、ピッ
ト又はグルーブ状パターンを描画する工程と、ピット又
はグルーブ状パターンを描画されたレジスト原盤を、加
熱して露光後ベーキングを行う工程と、露光後ベーキン
グの後、レジスト原盤をアルカリ現像液に浸積させ、ピ
ット又はグルーブ状パターンをレジスト原盤に形成する
工程と、レジスト原盤のレジスト表面上に、スパッタ法
により、金属薄膜を積層する工程と、この金属薄膜から
なる導電膜を陰極側に導通させ、Ｎｉ電解メッキを行
い、レジスト原盤のレプリカであるのスタンパを作製す
る工程とを有するものである。
タンパの製造方法は、ガラス原盤の上に、スピンコート
により化学増幅タイプのフォトレジストの膜を形成する
工程と、波長が１８０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ光
を、対物レンズによりフォトレジスト上に集光し、ピッ
ト又はグルーブ状パターンを描画する工程と、ピット又
はグルーブ状パターンを描画されたレジスト原盤を、加
熱して露光後ベーキングを行う工程と、露光後ベーキン
グの後、レジスト原盤をアルカリ現像液に浸積させ、ピ
ット又はグルーブ状パターンをレジスト原盤に形成する
工程と、レジスト原盤のレジスト表面上に、スパッタ法
により、金属薄膜を積層する工程と、この金属薄膜から
なる導電膜を陰極側に導通させ、Ｎｉ電解メッキを行
い、レジスト原盤のレプリカであるのスタンパを作製す
る工程とを有するものである。
【００１８】本発明によれば、レジスト原盤のレジスト
表面上に、スパッタ法により、金属薄膜を積層すること
により、異なる表面特性を有する種々の化学増幅タイプ
のフォトレジストを用いたレジスト原盤から、そのレジ
ストの種類に影響されることなく、全ての種類のレジス
トに対して常に安定して高品質のＮｉスタンパを製造す
ることが出来る。
表面上に、スパッタ法により、金属薄膜を積層すること
により、異なる表面特性を有する種々の化学増幅タイプ
のフォトレジストを用いたレジスト原盤から、そのレジ
ストの種類に影響されることなく、全ての種類のレジス
トに対して常に安定して高品質のＮｉスタンパを製造す
ることが出来る。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光ディスク用
スタンパの製造方法の実施例について図１〜図６を参照
しながら説明する。
スタンパの製造方法の実施例について図１〜図６を参照
しながら説明する。
【００２０】先ず光ディスク原盤として、例えば外形２
２０Φ、板厚６ｔの表面が充分研磨されたガラスを用
い、その上に化学増幅タイプのフォトレジスト（図２に
示す化学構造式を有するもの）を０．１μｍの膜厚でス
ピンコートして均一なフォトレジストの膜を形成する。
２０Φ、板厚６ｔの表面が充分研磨されたガラスを用
い、その上に化学増幅タイプのフォトレジスト（図２に
示す化学構造式を有するもの）を０．１μｍの膜厚でス
ピンコートして均一なフォトレジストの膜を形成する。
【００２１】続いて図４に示すように、遠紫外レーザ光
として例えばＹＡＧ４倍波レーザ（波長２６６ｎｍ）を
カッティング光源として、ＡＯＭ（音響光学素子）等に
よりデジタル信号でパルス変調されたレーザ光を、ＮＡ
が０．９前後の対物レンズにより０．２５μｍ以下のス
ポットサイズでフォトレジスト上に集光し、ピット又は
グルーブ状パターンをスパイラル状に描画する。この時
フォトレジストが塗布された原盤は図に示されるよう
に、例えば線速一定の等速度回転モード（ＣＬＶ；Ｃｏ
ｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）で回
転させ、対物レンズは内周から外周に向かって一定のト
ラックピッチを保つように半径方向にスライドする。
として例えばＹＡＧ４倍波レーザ（波長２６６ｎｍ）を
カッティング光源として、ＡＯＭ（音響光学素子）等に
よりデジタル信号でパルス変調されたレーザ光を、ＮＡ
が０．９前後の対物レンズにより０．２５μｍ以下のス
ポットサイズでフォトレジスト上に集光し、ピット又は
グルーブ状パターンをスパイラル状に描画する。この時
フォトレジストが塗布された原盤は図に示されるよう
に、例えば線速一定の等速度回転モード（ＣＬＶ；Ｃｏ
ｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ）で回
転させ、対物レンズは内周から外周に向かって一定のト
ラックピッチを保つように半径方向にスライドする。
【００２２】また、レーザ光学系はＡＯＭ素子にレーザ
光を一旦集光させその後再び平行光に戻すようなレンズ
と、対物レンズの入射瞳径と同程度又はそれ以上にビー
ム径を拡大するためのビームエキスパンダーから主に構
成される。
光を一旦集光させその後再び平行光に戻すようなレンズ
と、対物レンズの入射瞳径と同程度又はそれ以上にビー
ム径を拡大するためのビームエキスパンダーから主に構
成される。
【００２３】このようなカッティングマシンにより、レ
ーザ描画されたレジスト原盤は、次に露光後ベーキング
（ＰＥＢ）を行うホットプレート・オーブンにより均一
に加熱され、レジスト露光部に発生したプロトン酸を活
性化させ、触媒的反応により露光部のみアルカリ現像可
能な化学構造に変化させる。この時ＰＥＢ条件はプロト
ン酸による反応を十分に促進させるため９０℃程度の温
度にして数分間加熱する。
ーザ描画されたレジスト原盤は、次に露光後ベーキング
（ＰＥＢ）を行うホットプレート・オーブンにより均一
に加熱され、レジスト露光部に発生したプロトン酸を活
性化させ、触媒的反応により露光部のみアルカリ現像可
能な化学構造に変化させる。この時ＰＥＢ条件はプロト
ン酸による反応を十分に促進させるため９０℃程度の温
度にして数分間加熱する。
【００２４】ＰＥＢによる加熱後、レジスト原盤が十分
冷却された後にアルカリ現像液に浸積させ、露光部のレ
ジストのみ溶解させ、ピット又はグルーブ状パターンを
レジスト原盤上に形成する。
冷却された後にアルカリ現像液に浸積させ、露光部のレ
ジストのみ溶解させ、ピット又はグルーブ状パターンを
レジスト原盤上に形成する。
【００２５】本実施例によれば、最短ピット長が０．１
〜０．３μｍの範囲にあり、またトラックピッチが０．
１〜０．５μｍの範囲にある、ピット又はグルーブ状パ
ターンを形成することができる。
〜０．３μｍの範囲にあり、またトラックピッチが０．
１〜０．５μｍの範囲にある、ピット又はグルーブ状パ
ターンを形成することができる。
【００２６】以上述べた方法によりレジストにピット又
はグルーブ状パターンが形成されたレジスト原盤上にお
いて、図５に示すように、膜厚３０〜１００ｎｍのＮｉ
薄膜をスパッタリング時圧力０．５〜２Ｐａの条件で直
流（ＤＣ）方式スパッタ成膜装置によりレジスト表面上
に積層する。
はグルーブ状パターンが形成されたレジスト原盤上にお
いて、図５に示すように、膜厚３０〜１００ｎｍのＮｉ
薄膜をスパッタリング時圧力０．５〜２Ｐａの条件で直
流（ＤＣ）方式スパッタ成膜装置によりレジスト表面上
に積層する。
【００２７】次に、従来例で述べたようにＮｉ薄膜を導
電膜として、図６に示すようにＮｉ電解メッキ装置によ
るＮｉメッキ（電鋳）によりこのレジスト原盤のレプリ
カである厚さ３００μｍのＮｉスタンパを作製する。
電膜として、図６に示すようにＮｉ電解メッキ装置によ
るＮｉメッキ（電鋳）によりこのレジスト原盤のレプリ
カである厚さ３００μｍのＮｉスタンパを作製する。
【００２８】そして最後にこのＮｉスタンパを原盤から
剥離し、裏面研磨、端面処理等を施し、プラスチック製
光ディスクを量産するためのスタンパ（成形金型）が出
来上がる。
剥離し、裏面研磨、端面処理等を施し、プラスチック製
光ディスクを量産するためのスタンパ（成形金型）が出
来上がる。
【００２９】なお、本実施例では遠紫外レーザ光として
は波長２６６ｎｍのものを用いたが、この波長に限るわ
けではなく、波長が１８０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ
光を用いることができる。現状の光学材料の特性から、
波長１８０ｎｍ以上であることが望ましいからである。
は波長２６６ｎｍのものを用いたが、この波長に限るわ
けではなく、波長が１８０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ
光を用いることができる。現状の光学材料の特性から、
波長１８０ｎｍ以上であることが望ましいからである。
【００３０】また、本実施例では、膜厚３０〜１００ｎ
ｍのＮｉ薄膜をスパッタリング時圧力０．５〜２Ｐａの
条件で直流（ＤＣ）方式スパッタ成膜装置によりレジス
ト表面上に積層したが、用いる金属はＮｉに限るわけで
はなく、このほかの金属例えば、Ａｇ，Ａｕ等の金属原
子の真空中スパッタにより形成することもできる。
ｍのＮｉ薄膜をスパッタリング時圧力０．５〜２Ｐａの
条件で直流（ＤＣ）方式スパッタ成膜装置によりレジス
ト表面上に積層したが、用いる金属はＮｉに限るわけで
はなく、このほかの金属例えば、Ａｇ，Ａｕ等の金属原
子の真空中スパッタにより形成することもできる。
【００３１】以上のことから、本実施例によれば、Ｎｉ
電解メッキ用のレジスト上の導電膜形成にスパッタ法を
利用するため、レジスト原盤のカッティングに適用する
化学増幅タイプのフォトレジストの種類の違いに依存す
ることなく、常に安定してＮｉスタンパを作製すること
が出来る。
電解メッキ用のレジスト上の導電膜形成にスパッタ法を
利用するため、レジスト原盤のカッティングに適用する
化学増幅タイプのフォトレジストの種類の違いに依存す
ることなく、常に安定してＮｉスタンパを作製すること
が出来る。
【００３２】従って遠紫外レーザ光を用いることによる
カッティング用レーザビームの極めて高い集光特性と、
化学増幅タイプのフォトレジストの特長である高解像性
を活用して極めて微細なピット、或いはグルーブ構造を
有する光ディスク用スタンパを製造することが出来る。
カッティング用レーザビームの極めて高い集光特性と、
化学増幅タイプのフォトレジストの特長である高解像性
を活用して極めて微細なピット、或いはグルーブ構造を
有する光ディスク用スタンパを製造することが出来る。
【００３３】これにより、将来の高密度大記録容量の光
ディスク用スタンパ（成形金型）を安定して歩留り良く
製造することができる。
ディスク用スタンパ（成形金型）を安定して歩留り良く
製造することができる。
【００３４】なお、本発明は上述の実施例に限らず本発
明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採り得
ることはもちろんである。
明の要旨を逸脱することなくその他種々の構成を採り得
ることはもちろんである。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
レジスト原盤のカッティングに適用する化学増幅タイプ
のフォトレジストの種類の違いに依存することなく、常
に安定してＮｉスタンパを製造することが出来る。
レジスト原盤のカッティングに適用する化学増幅タイプ
のフォトレジストの種類の違いに依存することなく、常
に安定してＮｉスタンパを製造することが出来る。
【００３６】また、遠紫外レーザ光を用いることによる
カッティング用レーザビームの極めて高い集光特性と、
化学増幅タイプのフォトレジストの特長である高解像性
を活用して極めて微細なピット、又はグルーブ構造を有
する光ディスク用スタンパを製造することが出来る。
カッティング用レーザビームの極めて高い集光特性と、
化学増幅タイプのフォトレジストの特長である高解像性
を活用して極めて微細なピット、又はグルーブ構造を有
する光ディスク用スタンパを製造することが出来る。
【００３７】また、高密度大記録容量の光ディスク用ス
タンパ（成形金型）を安定して歩留り良く製造すること
ができる。
タンパ（成形金型）を安定して歩留り良く製造すること
ができる。
【図１】従来用いられていた、ノボラック系のフォトレ
ジストと感光剤の化学構造を示す図である。
ジストと感光剤の化学構造を示す図である。
【図２】本発明に用いた、化学増幅タイプのフォトレジ
ストと感光剤の化学構造を示す図である。
ストと感光剤の化学構造を示す図である。
【図３】本発明に用いた、化学増幅タイプのフォトレジ
ストの光化学反応メカニズムを示す図である。
ストの光化学反応メカニズムを示す図である。
【図４】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法にお
ける、カッティング（露光）方法を示す概念図である。
ける、カッティング（露光）方法を示す概念図である。
【図５】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法にお
ける、Ｎｉスパッタ成膜による導電膜形成の方法を示す
図である。
ける、Ｎｉスパッタ成膜による導電膜形成の方法を示す
図である。
【図６】本発明の光ディスク用スタンパの製造方法にお
ける、Ｎｉメッキ（電鋳）とＮｉスタンパ剥離の方法を
示す図である。
ける、Ｎｉメッキ（電鋳）とＮｉスタンパ剥離の方法を
示す図である。
１ ＹＡＧ４倍波レーザ、２ ＡＯＭ、３ エキスパン
ダ、４ 対物レンズ、５ 化学増幅タイプのフォトレジ
スト、６ ガラス原盤、７ 描画がされたピット又はグ
ルーブ状パターン、８ フォトレジスト、９ Ｎｉスパ
ッタ膜、１０ Ｎｉメッキ膜、１１ スタンパ、１２
レジスト原盤
ダ、４ 対物レンズ、５ 化学増幅タイプのフォトレジ
スト、６ ガラス原盤、７ 描画がされたピット又はグ
ルーブ状パターン、８ フォトレジスト、９ Ｎｉスパ
ッタ膜、１０ Ｎｉメッキ膜、１１ スタンパ、１２
レジスト原盤
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年８月７日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
Claims (8)
- 【請求項１】 ガラス原盤の上に、スピンコートにより
化学増幅タイプのフォトレジストの膜を形成する工程
と、 波長が１８０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ光を、対物レ
ンズによりフォトレジスト上に集光し、ピット又はグル
ーブ状パターンを描画する工程と、 ピット又はグルーブ状パターンを描画されたレジスト原
盤を、加熱して露光後ベーキングを行う工程と、 露光後ベーキングの後、レジスト原盤をアルカリ現像液
に浸積させ、ピット又はグルーブ状パターンをレジスト
原盤に形成する工程と、 レジスト原盤のレジスト表面上に、スパッタ法により、
金属薄膜を積層する工程と、 この金属薄膜からなる導電膜を陰極側に導通させ、Ｎｉ
電解メッキを行い、レジスト原盤のレプリカであるのス
タンパを作製する工程とを有することを特徴とする光デ
ィスク用スタンパの製造方法。 - 【請求項２】 ガラス原盤の上に、スピンコートにより
化学増幅タイプのフォトレジストの膜を形成する工程
と、 波長が１８０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ光をフォトレ
ジスト上に集光し、最短ピット長が０．１〜０．３μｍ
の範囲にある、ピット又はグルーブ状パターンを描画す
る工程と、 ピット又はグルーブ状パターンを描画されたレジスト原
盤を、加熱して露光後ベーキングを行う工程と、 露光後ベーキングの後、レジスト原盤をアルカリ現像液
に浸積させ、ピット又はグルーブ状パターンをレジスト
原盤に形成する工程と、 レジスト原盤のレジスト表面上に、スパッタ法により、
金属薄膜を積層する工程と、 この金属薄膜からなる導電膜を陰極側に導通させ、Ｎｉ
電解メッキを行い、レジスト原盤のレプリカであるのス
タンパを作製する工程とを有することを特徴とする光デ
ィスク用スタンパの製造方法。 - 【請求項３】 ガラス原盤の上に、スピンコートにより
化学増幅タイプのフォトレジストの膜を形成する工程
と、 波長が１８０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ光をフォトレ
ジスト上に集光し、トラックピッチが０．１〜０．５μ
ｍの範囲にある、ピット又はグルーブ状パターンを描画
する工程と、 ピット又はグルーブ状パターンを描画されたレジスト原
盤を、加熱して露光後ベーキングを行う工程と、 露光後ベーキングの後、レジスト原盤をアルカリ現像液
に浸積させ、ピット又はグルーブ状パターンをレジスト
原盤に形成する工程と、 レジスト原盤のレジスト表面上に、スパッタ法により、
金属薄膜を積層する工程と、 この金属薄膜からなる導電膜を陰極側に導通させ、Ｎｉ
電解メッキを行い、レジスト原盤のレプリカであるのス
タンパを作製する工程とを有することを特徴とする光デ
ィスク用スタンパの製造方法。 - 【請求項４】 ガラス原盤の上に、スピンコートにより
化学増幅タイプのフォトレジストの膜を形成する工程
と、 波長が１８０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ光をフォトレ
ジスト上に集光し、最短ピット長が０．１〜０．３μｍ
の範囲にあり、かつトラックピッチが０．１〜０．５μ
ｍの範囲にある、ピット又はグルーブ状パターンを描画
する工程と、 ピット又はグルーブ状パターンを描画されたレジスト原
盤を、加熱して露光後ベーキングを行う工程と、 露光後ベーキングの後、レジスト原盤をアルカリ現像液
に浸積させ、ピット又はグルーブ状パターンをレジスト
原盤に形成する工程と、 レジスト原盤のレジスト表面上に、スパッタ法により、
金属薄膜を積層する工程と、 この金属薄膜からなる導電膜を陰極側に導通させ、Ｎｉ
電解メッキを行い、レジスト原盤のレプリカであるのス
タンパを作製する工程とを有することを特徴とする光デ
ィスク用スタンパの製造方法。 - 【請求項５】 ガラス原盤の上に、スピンコートにより
化学増幅タイプのフォトレジストの膜を形成する工程
と、 波長が１８０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ光を、対物レ
ンズによりフォトレジスト上に集光し、ピット又はグル
ーブ状パターンを描画する工程と、 ピット又はグルーブ状パターンを描画されたレジスト原
盤を、加熱して露光後ベーキングを行う工程と、 露光後ベーキングの後、レジスト原盤をアルカリ現像液
に浸積させ、ピット又はグルーブ状パターンをレジスト
原盤に形成する工程と、 レジスト原盤のレジスト表面上に、スパッタリング圧力
０．５〜２．０Ｐａの成膜条件でスパッタ法により、膜
厚３０〜１００ｎｍの範囲のＮｉ薄膜を積層する工程
と、 このＮｉ薄膜からなる導電膜を陰極側に導通させ、Ｎｉ
電解メッキを行い、レジスト原盤のレプリカであるのス
タンパを作製する工程とを有することを特徴とする光デ
ィスク用スタンパの製造方法。 - 【請求項６】 ガラス原盤の上に、スピンコートにより
化学増幅タイプのフォトレジストの膜を形成する工程
と、 波長が１８０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ光をフォトレ
ジスト上に集光し、最短ピット長が０．１〜０．３μｍ
の範囲にある、ピット又はグルーブ状パターンを描画す
る工程と、 ピット又はグルーブ状パターンを描画されたレジスト原
盤を、加熱して露光後ベーキングを行う工程と、 露光後ベーキングの後、レジスト原盤をアルカリ現像液
に浸積させ、ピット又はグルーブ状パターンをレジスト
原盤に形成する工程と、 レジスト原盤のレジスト表面上に、スパッタリング圧力
０．５〜２．０Ｐａの成膜条件でスパッタ法により、膜
厚３０〜１００ｎｍの範囲のＮｉ薄膜を積層する工程
と、 このＮｉ薄膜からなる導電膜を陰極側に導通させ、Ｎｉ
電解メッキを行い、レジスト原盤のレプリカであるのス
タンパを作製する工程とを有することを特徴とする光デ
ィスク用スタンパの製造方法。 - 【請求項７】 ガラス原盤の上に、スピンコートにより
化学増幅タイプのフォトレジストの膜を形成する工程
と、 波長が１８０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ光をフォトレ
ジスト上に集光し、トラックピッチが０．１〜０．５μ
ｍの範囲にある、ピット又はグルーブ状パターンを描画
する工程と、 ピット又はグルーブ状パターンを描画されたレジスト原
盤を、加熱して露光後ベーキングを行う工程と、 露光後ベーキングの後、レジスト原盤をアルカリ現像液
に浸積させ、ピット又はグルーブ状パターンをレジスト
原盤に形成する工程と、 レジスト原盤のレジスト表面上に、スパッタリング圧力
０．５〜２．０Ｐａの成膜条件でスパッタ法により、膜
厚３０〜１００ｎｍの範囲のＮｉ薄膜を積層する工程
と、 このＮｉ薄膜からなる導電膜を陰極側に導通させ、Ｎｉ
電解メッキを行い、レジスト原盤のレプリカであるのス
タンパを作製する工程とを有することを特徴とする光デ
ィスク用スタンパの製造方法。 - 【請求項８】 ガラス原盤の上に、スピンコートにより
化学増幅タイプのフォトレジストの膜を形成する工程
と、 波長が１８０〜３００ｎｍの遠紫外レーザ光をフォトレ
ジスト上に集光し、最短ピット長が０．１〜０．３μｍ
の範囲にあり、かつトラックピッチが０．１〜０．５μ
ｍの範囲にある、ピット又はグルーブ状パターンを描画
する工程と、 ピット又はグルーブ状パターンを描画されたレジスト原
盤を、加熱して露光後ベーキングを行う工程と、 露光後ベーキングの後、レジスト原盤をアルカリ現像液
に浸積させ、ピット又はグルーブ状パターンをレジスト
原盤に形成する工程と、 レジスト原盤のレジスト表面上に、スパッタリング圧力
０．５〜２．０Ｐａの成膜条件でスパッタ法により、膜
厚３０〜１００ｎｍの範囲のＮｉ薄膜を積層する工程
と、 このＮｉ薄膜からなる導電膜を陰極側に導通させ、Ｎｉ
電解メッキを行い、レジスト原盤のレプリカであるのス
タンパを作製する工程とを有することを特徴とする光デ
ィスク用スタンパの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15690997A JPH117662A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 光ディスク用スタンパの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15690997A JPH117662A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 光ディスク用スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH117662A true JPH117662A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15638044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15690997A Abandoned JPH117662A (ja) | 1997-06-13 | 1997-06-13 | 光ディスク用スタンパの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH117662A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635408B2 (en) * | 2000-02-25 | 2003-10-21 | Tdk Corporation | Resist pattern forming method, frame plating method and manufacturing method of thin-film magnetic head |
| US6706465B1 (en) * | 1999-09-01 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical disk stamper mastering method and apparatus |
| WO2015084011A1 (ko) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | (주)아모레퍼시픽 | 미세 패턴이 형성된 화장품 케이스 제조장치와 그 제조 방법 |
-
1997
- 1997-06-13 JP JP15690997A patent/JPH117662A/ja not_active Abandoned
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6706465B1 (en) * | 1999-09-01 | 2004-03-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical disk stamper mastering method and apparatus |
| US6635408B2 (en) * | 2000-02-25 | 2003-10-21 | Tdk Corporation | Resist pattern forming method, frame plating method and manufacturing method of thin-film magnetic head |
| WO2015084011A1 (ko) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | (주)아모레퍼시픽 | 미세 패턴이 형성된 화장품 케이스 제조장치와 그 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5051340A (en) | Master for optical element replication | |
| JP2005196953A (ja) | Ｃｄ及びｄｖｄにパターンを作成するためのスタンパを製造する方法及び装置 | |
| US6030556A (en) | Optical disc stampers and methods/systems for manufacturing the same | |
| JPH07326077A (ja) | マスターによらずに光ディスクを生産するためのマトリックスの製造方法 | |
| EP1505588A2 (en) | Method for manufacturing a photoresist-coated glass board, method for manufacturing a stamper and method for manufacturing a recording medium | |
| JPH11296918A (ja) | 光情報記録媒体用スタンパの製造方法 | |
| JPH117662A (ja) | 光ディスク用スタンパの製造方法 | |
| JP2006338844A (ja) | 光ディスク作製用スタンパとその製造方法 | |
| US20060290018A1 (en) | Process for produicng stamper for direct mastering, and stamper produced by such process and optical disc | |
| JP2003085829A (ja) | 光情報媒体用スタンパの製造方法およびこれに用いるフォトレジスト原盤、ならびに、光情報媒体用スタンパおよび光情報媒体 | |
| JPWO2003088235A1 (ja) | スタンパ原盤及びその製造方法、スタンパ及びその製造方法、並びに光ディスク | |
| US20060246378A1 (en) | Photolithographic process, stamper, use of said stamper and optical data storage medium | |
| JP3187067B2 (ja) | 光ディスク製造方法 | |
| US7067238B2 (en) | Method for manufacturing a substrate for use in a stamper manufacturing process, as well as a substrate obtained by using such a method | |
| JPH11102541A (ja) | 光ディスク用原盤の製造方法 | |
| JPS6055534A (ja) | 光学記録媒体の製造方法 | |
| JP3136759B2 (ja) | スタンパ、その製造方法、及び光記録媒体 | |
| JPH10255337A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
| JPH06302018A (ja) | 凸型パターンを有するスタンパーの製造方法 | |
| JP2003217187A (ja) | 光ディスク用基盤、光ディスク用スタンパ、光ディスク、および光ディスク用原盤の製造方法 | |
| JP3235620B2 (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JPH02137914A (ja) | 情報記憶ディスク用原板および情報記憶ディスク用基板の製造方法 | |
| JPS60182031A (ja) | 情報記録原盤とその製造方法 | |
| JP2002245687A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
| JP2001243662A (ja) | 記録媒体の製造方法、および記録媒体製造用原盤の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040108 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050801 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050809 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20050928 |