JPS6045956A - 光ディスク原盤作成方法 - Google Patents
光ディスク原盤作成方法Info
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- JPS6045956A JPS6045956A JP15224183A JP15224183A JPS6045956A JP S6045956 A JPS6045956 A JP S6045956A JP 15224183 A JP15224183 A JP 15224183A JP 15224183 A JP15224183 A JP 15224183A JP S6045956 A JPS6045956 A JP S6045956A
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- film
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/32—Non-oxide glass compositions, e.g. binary or ternary halides, sulfides or nitrides of germanium, selenium or tellurium
- C03C3/321—Chalcogenide glasses, e.g. containing S, Se, Te
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
- C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
- C03C2218/32—After-treatment
- C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
- C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光デイスク原盤、とくにビデオディスクな
どの製作に使用される再生（読取り）専用の光デイスク
原盤の作成方法の改良に関するものである。
どの製作に使用される再生（読取り）専用の光デイスク
原盤の作成方法の改良に関するものである。
光検出方式のビデオディスクは、プラスチック円板上に
多くの信号ピプトを、たとえばピ・ブチ幅０．７μｍ，
トラックピッチ１．６６μｒｎ，深さ０．１μ四ピット
間ピッチ３．４〜１．３μｍで、音声、輝度１色などの
パターンに対応する信号によーてピプト長さを種々に変
化させて作りこんだもので、フォトレジストへのレーザ
露光％ＮＩ電鋳等の微細加工技術によって原盤（マスク
）を作成し、それからＮｉ電鋳によりマザーを、さらに
マザーから同じ＜ Ｎｉ ＩＥ鋳により型押しスタンパ
を作成し、ついで音声レコード製作とほとんど同じ手法
でグラヌチブク円板にスタンパを型押しすることによっ
て製作されている。
多くの信号ピプトを、たとえばピ・ブチ幅０．７μｍ，
トラックピッチ１．６６μｒｎ，深さ０．１μ四ピット
間ピッチ３．４〜１．３μｍで、音声、輝度１色などの
パターンに対応する信号によーてピプト長さを種々に変
化させて作りこんだもので、フォトレジストへのレーザ
露光％ＮＩ電鋳等の微細加工技術によって原盤（マスク
）を作成し、それからＮｉ電鋳によりマザーを、さらに
マザーから同じ＜ Ｎｉ ＩＥ鋳により型押しスタンパ
を作成し、ついで音声レコード製作とほとんど同じ手法
でグラヌチブク円板にスタンパを型押しすることによっ
て製作されている。
この場合もっとも精度を要求されろのは、マスクすなわ
ち再生専用光デイスク原盤であり、１μｍ台のピ雫ドパ
ターンを±０．１μｒｎの精度で、かつ深さも０．１μ
ｒｎ：Ｉｌ：０．０２μｍという寸法精度にて形成する
とともに、スタンピングに対しての強度ならびに耐久性
をもつことが要求される。
ち再生専用光デイスク原盤であり、１μｍ台のピ雫ドパ
ターンを±０．１μｒｎの精度で、かつ深さも０．１μ
ｒｎ：Ｉｌ：０．０２μｍという寸法精度にて形成する
とともに、スタンピングに対しての強度ならびに耐久性
をもつことが要求される。
このような要求にこたえるべく、再生専用光デイスク原
盤は従来第１図に示す手順によ−て作成されている。ま
ずオグティカルフヲづト程度に研１ぽ仕上げされ、かつ
完全に清浄化されたガラス長板１１］１を作成しく工程
Ａ）、この表面に有１１Ｊ フｔ トレジスト液をたと
えばスピナーによる回転塗布法にて塗布し、その後乾燥
固化させ、全面にわたってできる限り均一に所定の厚さ
をもつフォトレジスト薄膜りを形成しく工程Ｂ）。
盤は従来第１図に示す手順によ−て作成されている。ま
ずオグティカルフヲづト程度に研１ぽ仕上げされ、かつ
完全に清浄化されたガラス長板１１］１を作成しく工程
Ａ）、この表面に有１１Ｊ フｔ トレジスト液をたと
えばスピナーによる回転塗布法にて塗布し、その後乾燥
固化させ、全面にわたってできる限り均一に所定の厚さ
をもつフォトレジスト薄膜りを形成しく工程Ｂ）。
このフォトレジスト薄膜０２にレーザ露光を前記記録信
号に応じて行い、フォトレジスト薄膜−に前記ピヴトパ
ターンを直接記録させる（工程Ｃ）。
号に応じて行い、フォトレジスト薄膜−に前記ピヴトパ
ターンを直接記録させる（工程Ｃ）。
この場合、フォトレジストは、溶剤型で、露光された部
分が所定の溶剤によって溶出するポジーポジ型のものを
用いる。これは露光された部分が硬化するネガ−ポジ型
よりも前記ポジーポジ型の方が解像力が高いからである
。
分が所定の溶剤によって溶出するポジーポジ型のものを
用いる。これは露光された部分が硬化するネガ−ポジ型
よりも前記ポジーポジ型の方が解像力が高いからである
。
ついでスピナーにより所定の現像液をスプレーすること
により前記露光部分を溶出させ、ピづドパターンを食刻
する現像処理を行ない（工程１））、さらに水洗乾燥し
、図示さねでいないが、上表面全体に銀鏡処理を施して
からニプケＩｖ電鋳によＪＮｉ金属膜（１３）を形成す
る（工程Ｅ）。
により前記露光部分を溶出させ、ピづドパターンを食刻
する現像処理を行ない（工程１））、さらに水洗乾燥し
、図示さねでいないが、上表面全体に銀鏡処理を施して
からニプケＩｖ電鋳によＪＮｉ金属膜（１３）を形成す
る（工程Ｅ）。
しかる後このＮｉ金属膜（ｌ（をはかれ易いヨウ化銀の
薄膜を介してガラス基板（１１１から剥ν＋ＩＦオる（
工程Ｆ）。この剥離されたＮｉ金机膜（＋３）がディス
ク原ｇ（マスタ）である。
薄膜を介してガラス基板（１１１から剥ν＋ＩＦオる（
工程Ｆ）。この剥離されたＮｉ金机膜（＋３）がディス
ク原ｇ（マスタ）である。
前記したグロセスによりディスク原盤（１３）が作成さ
れるが、この原盤１９からの再生１７用デイスクの製作
は、原盤（１３１に合成樹脂４Ｉν（１４）を咥ｔｌｉ
“成形しく工程Ｇ）、それを原盤ｆ１３１から剥離しく
］工程Ｈ）、それにＡＪなどの金属薄膜からなる金属反
射膜（１５１を蒸着などにより形成しく工程ｉＬさらに
それに合成樹脂材からなる逓明な保護膜（１６１を形成
することによって完成する（工程Ｊ）。
れるが、この原盤１９からの再生１７用デイスクの製作
は、原盤（１３１に合成樹脂４Ｉν（１４）を咥ｔｌｉ
“成形しく工程Ｇ）、それを原盤ｆ１３１から剥離しく
］工程Ｈ）、それにＡＪなどの金属薄膜からなる金属反
射膜（１５１を蒸着などにより形成しく工程ｉＬさらに
それに合成樹脂材からなる逓明な保護膜（１６１を形成
することによって完成する（工程Ｊ）。
ところで、Ｎｉ金属膜からなる原盤（１３１を前記した
精度にて作成するには、０ｉ■記工程Ｂにおいて有機レ
ジヌト薄膜ｕ２１を、その厚さが再生時の光の波長のτ
程度で、しかも全体にわたって均一になるように形成し
なければならないが、仁のことは前記回転塗布法では非
常に困難であり、また前記工程Ｆでの］ＩＪｉ金属膜１
１３１の剥離に際して損傷り間々生じ、そのために歩留
りが低下することは 従来の再生専用光デイスク原盤の
作成方法における重大な欠点であ−た。
精度にて作成するには、０ｉ■記工程Ｂにおいて有機レ
ジヌト薄膜ｕ２１を、その厚さが再生時の光の波長のτ
程度で、しかも全体にわたって均一になるように形成し
なければならないが、仁のことは前記回転塗布法では非
常に困難であり、また前記工程Ｆでの］ＩＪｉ金属膜１
１３１の剥離に際して損傷り間々生じ、そのために歩留
りが低下することは 従来の再生専用光デイスク原盤の
作成方法における重大な欠点であ−た。
この発明は従来の再生専用光ディスク原盤作成方法がか
かえている前記欠点を除去するためになされたもので、
力μコゲナイドアモルファス材が、光の照射により相転
位をおこし、アルカリ溶液中での溶解速度が増大する光
化学効果をあられすことによって、従来のポジ型の有機
フォトレジストにまさる特性を有していることを積極的
に利用し、精度ならびに歩留りの向上をはかることがで
きる再生専用光デイスク原盤の作成方法を提供すること
を目的とする。
かえている前記欠点を除去するためになされたもので、
力μコゲナイドアモルファス材が、光の照射により相転
位をおこし、アルカリ溶液中での溶解速度が増大する光
化学効果をあられすことによって、従来のポジ型の有機
フォトレジストにまさる特性を有していることを積極的
に利用し、精度ならびに歩留りの向上をはかることがで
きる再生専用光デイスク原盤の作成方法を提供すること
を目的とする。
以下、この発明にかかる光デイスク原盤作成方法の実施
例について第２図を参照しながら説明する。
例について第２図を参照しながら説明する。
まず、従来の方法と同様にガラス基板＋１１！を、研磨
し・てオグティカｌレフラット程度に仕上げ、かつ完全
に清浄化しく工程Ａ）、ついでこの基板（１１）の表面
に５ｅ−ＧｅｌまたはＡ ｓ −８ｅ−Ｇｅ合金からな
るカルコゲナイド材を非品費状聾で均−ｆ、ｃ所定の厚
さの簿膜面に形成する（工程Ｐ）。
し・てオグティカｌレフラット程度に仕上げ、かつ完全
に清浄化しく工程Ａ）、ついでこの基板（１１）の表面
に５ｅ−ＧｅｌまたはＡ ｓ −８ｅ−Ｇｅ合金からな
るカルコゲナイド材を非品費状聾で均−ｆ、ｃ所定の厚
さの簿膜面に形成する（工程Ｐ）。
このカルコゲナイドアモルファス薄膜０γｉは、５ｅ−
Ｇｅ、 Ａｓ −８ｅ−Ｑｅ等のカルコゲナイド合金を
真空蒸着もしくは室温でのアルゴン雰囲気中におけるス
パーＶタリングによりガラス基板（１１１面に急冷しな
がら付着させることにより、たとえばＳｅ：Ｇｅ ＝８
０：２０． Ａｓ：８ｅ：Ｇｅ＝４（１：５０：１０（
いずれも百分比）の組成をもち、非晶質で、かつ全体に
わたって均一な所定の厚さのものとして容易に形成でき
る。
Ｇｅ、 Ａｓ −８ｅ−Ｑｅ等のカルコゲナイド合金を
真空蒸着もしくは室温でのアルゴン雰囲気中におけるス
パーＶタリングによりガラス基板（１１１面に急冷しな
がら付着させることにより、たとえばＳｅ：Ｇｅ ＝８
０：２０． Ａｓ：８ｅ：Ｇｅ＝４（１：５０：１０（
いずれも百分比）の組成をもち、非晶質で、かつ全体に
わたって均一な所定の厚さのものとして容易に形成でき
る。
つぎにこのカルコゲナイドアモルファス薄膜（１７１に
従来と同様にピ噌ドパターンを＋／・−ザ ビ１−ム露
光により直接記録させる（工程Ｃ）。このレーザビーム
露光に際しては、前記薄膜材料の吸収喘以上の光エネル
ギーを持たせたレーザ光を用いる。このレーザビームに
よ−て照射されたピットパターン領域は熱反応により相
転位を生じ、アルカリ溶液に対して良好な樗食性をもつ
ようになる。
従来と同様にピ噌ドパターンを＋／・−ザ ビ１−ム露
光により直接記録させる（工程Ｃ）。このレーザビーム
露光に際しては、前記薄膜材料の吸収喘以上の光エネル
ギーを持たせたレーザ光を用いる。このレーザビームに
よ−て照射されたピットパターン領域は熱反応により相
転位を生じ、アルカリ溶液に対して良好な樗食性をもつ
ようになる。
また前記薄膜材料は、高い光吸収係数を有しているため
、薄膜（１７１が十分に薄くともパターンの微細な輪郭
を精度高くうつしとることができ、この感度はその組成
におけるＳｅ濃度が増加するにしたがって高くなる。
、薄膜（１７１が十分に薄くともパターンの微細な輪郭
を精度高くうつしとることができ、この感度はその組成
におけるＳｅ濃度が増加するにしたがって高くなる。
ついでヌビナーによりＮａＯＨなどのアルカリ化学反応
をスプレーすることによシ前記露光領域を溶出させ、ピ
づドパターンを食刻する現像処理を行ない、さらに水洗
乾燥処理を行うことにより、再生専用光ディスク原型α
秒かえられる（工程Ｄ）。
をスプレーすることによシ前記露光領域を溶出させ、ピ
づドパターンを食刻する現像処理を行ない、さらに水洗
乾燥処理を行うことにより、再生専用光ディスク原型α
秒かえられる（工程Ｄ）。
この原盤（１８１にピットパターンを形成する力μコゲ
ナイドアモルファス薄膜（１７１は、一般に硬’Ｊｔ（
モース硬度で４〜５）であるために、そのまま合成樹脂
板（１４Ｉの圧着成形に用いられる（工程Ｇ）、そして
少量の再生専用ディスクの製作は前記した従来と同じ方
法により工程Ｉ−１，１，Ｊにてなされる。
ナイドアモルファス薄膜（１７１は、一般に硬’Ｊｔ（
モース硬度で４〜５）であるために、そのまま合成樹脂
板（１４Ｉの圧着成形に用いられる（工程Ｇ）、そして
少量の再生専用ディスクの製作は前記した従来と同じ方
法により工程Ｉ−１，１，Ｊにてなされる。
なお工程りにおける現像処理を上述の方法によって行う
場合には、サイドニーフチおよびアンダカットが生じ、
切れの悪いビーノドパターンとなるおそれがあるので、
スパづ４作用とアルカリ化学反応の両者を結合した反応
性スパッタ法などの方法によって行うことが望ましい。
場合には、サイドニーフチおよびアンダカットが生じ、
切れの悪いビーノドパターンとなるおそれがあるので、
スパづ４作用とアルカリ化学反応の両者を結合した反応
性スパッタ法などの方法によって行うことが望ましい。
また、図示は雀略したが工程Ｂにおいてカルコゲナイド
アモルファス薄膜（１１）が形成されたガラス基１（１
１１を常温のＡｇＮＯ３の水溶液に過当な時間浸漬し、
前記薄膜ａ７１の表面にたとえはｔｏｏＡ程度の厚さの
Ａｇ薄膜を形成すると、この薄膜（１７＋はネガ型のフ
ォトレジストと同様に、露光されたピットパターン領域
がアルカリ溶液に対して不溶解性となるから、露光され
なか−た領域に残されて−いるＡｇ薄膜を酸性溶液で除
去し、ついで、その下の前記８１１％ ｔ１７１の部分
をＮ ａＯＨ１ＮＨ４０）１などの水溶液によって除去
することにより、又はＡｇ薄膜層上から露光した後プラ
ズマエヅチングにより、賽は未露光部をエッチオフする
ことにより、露光されたパターン領域はそのまま残され
、ピットパターンを反転させた浮き彫状のバＩ−ンをも
つ原盤を作成することも可能である。
アモルファス薄膜（１１）が形成されたガラス基１（１
１１を常温のＡｇＮＯ３の水溶液に過当な時間浸漬し、
前記薄膜ａ７１の表面にたとえはｔｏｏＡ程度の厚さの
Ａｇ薄膜を形成すると、この薄膜（１７＋はネガ型のフ
ォトレジストと同様に、露光されたピットパターン領域
がアルカリ溶液に対して不溶解性となるから、露光され
なか−た領域に残されて−いるＡｇ薄膜を酸性溶液で除
去し、ついで、その下の前記８１１％ ｔ１７１の部分
をＮ ａＯＨ１ＮＨ４０）１などの水溶液によって除去
することにより、又はＡｇ薄膜層上から露光した後プラ
ズマエヅチングにより、賽は未露光部をエッチオフする
ことにより、露光されたパターン領域はそのまま残され
、ピットパターンを反転させた浮き彫状のバＩ−ンをも
つ原盤を作成することも可能である。
以上の説明によって明らかなように、この発明にかかる
光デイスク原盤作成方法においては、従来の方法におけ
るフォトレジストの塗布による有機フォトレジスト薄膜
の形成が力μコゲナイド合金の蒸着もしくはスパツタリ
ングによる無機フォトレジスト薄膜の形成に置き換えら
れているため、前記原盤の精度を左右するフォトレジス
ト層の膜厚コントロールが容易となり、すぐれた均一性
を膜厚にもたせることができ、従来の方法におけるＮｉ
電鋳膜からなる原盤を剥離する際の歩留りの低下を完全
に排除しうるようにされていることから、精度ならびに
歩留りの向上とともに工程の簡略化に大いに効を奏する
。
光デイスク原盤作成方法においては、従来の方法におけ
るフォトレジストの塗布による有機フォトレジスト薄膜
の形成が力μコゲナイド合金の蒸着もしくはスパツタリ
ングによる無機フォトレジスト薄膜の形成に置き換えら
れているため、前記原盤の精度を左右するフォトレジス
ト層の膜厚コントロールが容易となり、すぐれた均一性
を膜厚にもたせることができ、従来の方法におけるＮｉ
電鋳膜からなる原盤を剥離する際の歩留りの低下を完全
に排除しうるようにされていることから、精度ならびに
歩留りの向上とともに工程の簡略化に大いに効を奏する
。
第１図は従来の方法による光デイスク原盤ならびに光デ
ィスクの作成プロセスを工程順に示した説明図、第２図
はこの発明の方法による前記同様の作成プロセスの説明
図である。 Ｔ１１）・・・ガラス基板（１２１・・・有機フォトレ
ジスト薄膜（１３１・・・Ｎｉ金属膜（原盤） （１４
１・・・合成樹脂板（１５１・・・金属反射膜 （ｌ［
ｉｌ・・・透明保護膜（１７１・・・力μコゲナイドア
モルファヌ薄膜（１８１・・・原盤 代理人 弁理士 間 宮 武 雄 第１図 第２図
ィスクの作成プロセスを工程順に示した説明図、第２図
はこの発明の方法による前記同様の作成プロセスの説明
図である。 Ｔ１１）・・・ガラス基板（１２１・・・有機フォトレ
ジスト薄膜（１３１・・・Ｎｉ金属膜（原盤） （１４
１・・・合成樹脂板（１５１・・・金属反射膜 （ｌ［
ｉｌ・・・透明保護膜（１７１・・・力μコゲナイドア
モルファヌ薄膜（１８１・・・原盤 代理人 弁理士 間 宮 武 雄 第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガラス基板面に記録再生時に使用する光波長の略１／４
の厚みの力μコゲナイドアモルファス薄膜を、カルコゲ
ナイド合金の真空蒸着もしくはスパーｖ４１リングによ
って形成し、この形成された前記薄膜に所定のパターン
を前記薄膜材料の吸収端以上の光エネμギーを有するレ
ーザビームノ照射によ−て直接記録させ、ついで前記照
射領域もしくはそれ以外の領域における前記薄膜をウェ
ットエヴチングもしくはドライエヅチングにより除去す
ることによって所定のパターンを前記ガラス基板面上の
カルコゲナイドアモルファス デイスク原盤作成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15224183A JPS6045956A (ja) | 1983-08-20 | 1983-08-20 | 光ディスク原盤作成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15224183A JPS6045956A (ja) | 1983-08-20 | 1983-08-20 | 光ディスク原盤作成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6045956A true JPS6045956A (ja) | 1985-03-12 |
Family
ID=15536170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15224183A Pending JPS6045956A (ja) | 1983-08-20 | 1983-08-20 | 光ディスク原盤作成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6045956A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0667608A1 (en) * | 1994-02-14 | 1995-08-16 | ODME International B.V. | A method of manufacturing a matrix for producing optical disks without the medium of a master |
| EP1492102A2 (en) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing stamper for optical information recording medium |
-
1983
- 1983-08-20 JP JP15224183A patent/JPS6045956A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0667608A1 (en) * | 1994-02-14 | 1995-08-16 | ODME International B.V. | A method of manufacturing a matrix for producing optical disks without the medium of a master |
| NL9400225A (nl) * | 1994-02-14 | 1995-09-01 | Od & Me Bv | Werkwijze voor het zonder tussenkomst van een master vervaardigen van een stamper voor het voortbrengen van optische schijven. |
| EP1492102A2 (en) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing stamper for optical information recording medium |
| EP1492102A3 (en) * | 2003-06-23 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for producing stamper for optical information recording medium |
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