KR950034137A - 마스터의 매개가 없는 광학 디스크 생산용 매트릭스의 제조방법 - Google Patents

마스터의 매개가 없는 광학 디스크 생산용 매트릭스의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 비조직화된 매트릭스 판(unstructured matrix plate)에 광저항막(photoresist film)을 적용하고, 상기 막을 선택적으로 노출시키고(selectively exposing) 현상하여 조직화함(structuring)에 의해 광학 디스크(optical disk) 생산용 매트릭스를 제조하는 방법에 관한 것이다. 음성으로 작용하는 광저항물질(negatively acting photoresist)을 사용할 때, 매트릭스는 광저항막의 조직화(structuring) 후에 그 광저항막이 설비된 표면을 금속-도금한다. 광저항막의 조직화는 선택적으로 노출된 광저항막의 가열(heating), 현상에 앞서서 그 광저항막의 전면 노출(integral exposure) 및 현상에 뒤이은 그 광저항막의 가열을 포함한다. 비조직화된 매트릭스 판은 조직화된 광저항막을 마스크(mask)로 사용하여 에칭(etching)하고, 그런 다음 광저항막을 제거하여 매트릭스를 제조한다. 비조직화된 매트릭스 판에 광저항막을 적용하기에 앞서서, 매트릭스에서 요구되는 조직(structure)의 높이와 동일한 두께로 금속막을 적용할 수 있다. 양성으로 작용하는 광저항물질(positively acting phtoresist)을 사용할 때는, 조직화된 광저항막을 마스크로 사용하여, 금속막을 비조직화된 매트릭스판에 적용하고, 그런 다음 광저항막을 제거하여 매트릭스를 제조한다. 이때 충전 공정(filling process)이 사용될 수 있다.

Description

마스터의 매개가 없는 광학 디스크 생산용 매트릭스의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 음성으로 작용하는 광저항물질(negatively acting phtoresist)이 사용되는 바의 본 발명 제안 방법의 한 실시양태를 개략적으로 나타내며, 제2도는 제1도의 방법의 한 변형을 개략적으로 나타내며, 제3는 양성으로(positively) 작용하는 광저항물질이 사용되는 바의 본 제안 방법의 한 실시양태를 개략적으로 나타낸다.

Claims (12)

  1. 비조직화된 매트릭스 판(unstructured matrix plate)에 광저항막(photoresist film)을 적용하고, 적용된 광저항막을 조직화하고, 한편 상기 적용된 광저항 막의 조직화(structuring)는 연속으로 적용된 광저항막의 선택적 노출(selectively exposing 및) 현상(developing) 단계를 포함하는, 광학 디스크(ocptical disks) 생산용 매트릭스를 제조하는 방법에 있어서, 상기 비조직화된 매트릭스 판에 상기 광저항막을 적용하는 데 있어서 음성으로 작용하는 광저항물질(negatively acting prhotovesist)을 사용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 광저항막을 적용하기에 앞서서 상기 비조직화된 매트릭스 판을 편평한 매개체(flat carrier)위에 배치하는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1 또는 2항에서, 상기 적용된 광저항막의 조직화는 선택적으로 노출된 광저항막의 가열을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1,2 또는 3항에서, 상기 적용된 광저항막의 조직화는 상기 광저항막을 현상하기에 앞서서 상기 광저항막의 전면노출(integrally exposing) 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 전기 항 중의 어느 하나의 항에서, 현상이 차수(order)로 일어나며, 그에 따라, 사용된 레이저 빔의 반사에 의해 회절된 빛의 세기(intensity)를 측정하고, 그 회절된 빛의 세기의 측정값의 1차수(first order)에서의 최대값(maximum)을 결정하고, 현상하는 동안 측정된 회절된 빛의 세기가 예정 최대값(predetermined maximum)에 대하여 소정 백분율로 감소할 때를 현상의 종결 기준(stopping criterion)으로 결정하는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 전기 항 중의 어느 하나의 항에서, 상기 적용된 광저항막의 조직화가 상기 광저항막의 현상에 뒤이은 광저항막의 가열을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 전기 항 중의 어느 하나의 항에서, 적용된 광저항막을 포함하는 매트릭스 표면이 적용된 광저항막의 조직화에 뒤이어 금속 도금(metal-plating)되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 전기 항 중의 어느 하나의 항에서, 상기 방법이 직접적으로, 조직화된 광저항막을 포함하는 매트릭스를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제1-7항의 어느 하나의 항에서, 상기 비조직화된 매느릭스 판을, 그 위에 적용된 조직화된 광저항막을 마스크(mask)로 사용하여 에칭(etching)하고, 이어서 조직화된 광저항막을 제거하여 매트릭스를 제조하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제9항에서, 비조직화된 매트릭스 판에 광저항막을 적용하기에 앞서서, 매트릭스에 요구되는 조직(structure)의 높이와 실질적으로 같은 두께로 금속막을 적용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 비조직화된 매트릭스 판(unstructured matrix plate)에 광저항막(photoresist film)을 적용하고, 적용된 광저항막을 조직화하며, 한편 적용된 광저항막의 상기 조직화(structuring)는 연속으로 적용된 광저항막의 선택적 노출(selectively exposing) 및 현상(developing) 단계를 포함하며, 한편 상기 비조직화된 매트릭스 판에 상기 광저항막을 적용하는 데 있어서 양성으로 작용하는 광저항물질(positively acting photoresist)을 사용하며, 그 비조직화된 매트릭스 판에 입혀진 조직화된 광저항막을 마스크로 사용하여, 금속막을 비조직화된 매트릭스 판에 적용하고, 이어서 조직화된 광저항막을 제거하여 매트릭스를 제조하는 바의 광학 디스크(optical disks) 생산용 매트릭스를 제조하는 방법에 있어서, 상기 금속막을 조직화된 광저항막의 두께보다 얇게 비조직화된 매트릭스 판에 적용하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제1-11항의 어느 하나의 항의 방법을 사용하여 제조한 것을 특징으로 하는 광학 디스크 생산용 매트릭스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950002702A 1994-02-14 1995-02-14 마스터의매개가없는광학디스크생산용매트릭스의제조방법 KR100336105B1 (ko)

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