JPS5936341A - 溝付き基板の製造方法 - Google Patents
溝付き基板の製造方法Info
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- JPS5936341A JPS5936341A JP57145427A JP14542782A JPS5936341A JP S5936341 A JPS5936341 A JP S5936341A JP 57145427 A JP57145427 A JP 57145427A JP 14542782 A JP14542782 A JP 14542782A JP S5936341 A JPS5936341 A JP S5936341A
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- Japan
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- grooves
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- ultraviolet rays
- far
- mask
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B23/00—Record carriers not specific to the method of recording or reproducing; Accessories, e.g. containers, specially adapted for co-operation with the recording or reproducing apparatus ; Intermediate mediums; Apparatus or processes specially adapted for their manufacture
- G11B23/0057—Intermediate mediums, i.e. mediums provided with an information structure not specific to the method of reproducing or duplication such as matrixes for mechanical pressing of an information structure ; record carriers having a relief information structure provided with or included in layers not specific for a single reproducing method; apparatus or processes specially adapted for their manufacture
Landscapes
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｔよ、光メモリディスク基板あるいはそのマスク
スタンパとして用い得る溝伺き基板の製造方法に関する
。
スタンパとして用い得る溝伺き基板の製造方法に関する
。
光プ゛゛イスクの一つのタイツ０として、ディスク基板
」二に反射層としての金属層を蒸着あるいはメッキして
おき、レーザ光線の選択的照射によってその金属層を選
択的に蒸発させ、よって所望のビット情報を記憶させる
ものが知られている。このような光ディスクでは、通常
、ｌ−ラッキングのために、同心円やうず巻状の溝がつ
いだディスク基板が必要であり、代表的には、読み取シ
に使用する波長のＩ／８、すなわちＩ００ｎｍ８度の深
さで且つ１〜３μｍ程度のピッチで溝を形成する必要が
ある。
」二に反射層としての金属層を蒸着あるいはメッキして
おき、レーザ光線の選択的照射によってその金属層を選
択的に蒸発させ、よって所望のビット情報を記憶させる
ものが知られている。このような光ディスクでは、通常
、ｌ−ラッキングのために、同心円やうず巻状の溝がつ
いだディスク基板が必要であり、代表的には、読み取シ
に使用する波長のＩ／８、すなわちＩ００ｎｍ８度の深
さで且つ１〜３μｍ程度のピッチで溝を形成する必要が
ある。
まだ、このようなディスク基板を、熱）０レス・や光重
合による、マスクスタンパ４かもの転写によって製造す
る場合には、マスタスタン・や基板自体に、前述と同様
の１００ ｎｍ程度の深さと１〜３ ｔｔｍ稈度のピッ
チとを有する溝を形成する必要がある。光メモリのディ
スク基板に直接、溝を形成する方法として、基板４Ａ質
として熱可塑性プラス１−ツクを用い、レーザ光線で熱
変形させることによって溝を形成する方法も試みられて
いるが、プレス川を伴わないため、微細な溝の形成は困
佃である。マスタスタン・ぐの製造法としては、一般に
マスクスタンパ基板上にホトレノストヲコーティンクシ
、所定の溝をパターンで露光し、現像後、ｏ２プラズマ
によるエツチング処理によりフォトレノストを工、ヂン
グして段差を所定の１９さとし、この基板に表面を活性
化処理してＮｉ等のメッキ処理を行い、スタンパを製造
する。この方法によると、微細な溝を比較的正確に形成
できるが、多くの工程が必要であり時間もかかる。
合による、マスクスタンパ４かもの転写によって製造す
る場合には、マスタスタン・や基板自体に、前述と同様
の１００ ｎｍ程度の深さと１〜３ ｔｔｍ稈度のピッ
チとを有する溝を形成する必要がある。光メモリのディ
スク基板に直接、溝を形成する方法として、基板４Ａ質
として熱可塑性プラス１−ツクを用い、レーザ光線で熱
変形させることによって溝を形成する方法も試みられて
いるが、プレス川を伴わないため、微細な溝の形成は困
佃である。マスタスタン・ぐの製造法としては、一般に
マスクスタンパ基板上にホトレノストヲコーティンクシ
、所定の溝をパターンで露光し、現像後、ｏ２プラズマ
によるエツチング処理によりフォトレノストを工、ヂン
グして段差を所定の１９さとし、この基板に表面を活性
化処理してＮｉ等のメッキ処理を行い、スタンパを製造
する。この方法によると、微細な溝を比較的正確に形成
できるが、多くの工程が必要であり時間もかかる。
本発明の目的は、簡易な工程で、微細な溝を形成する方
法を提供することにあり、基板材質として遠紫外線崩壊
形アクリル系ポリマを用い、この基板に遠紫外線を選択
的に照射することによって達成したものであり、以下実
施例に沿って説明する。
法を提供することにあり、基板材質として遠紫外線崩壊
形アクリル系ポリマを用い、この基板に遠紫外線を選択
的に照射することによって達成したものであり、以下実
施例に沿って説明する。
実施例１
ポリメタクリル酸メチルのディスク基板に３μｍピッチ
のマスクを通して密着露光によシ遠紫外線を照射した。
のマスクを通して密着露光によシ遠紫外線を照射した。
遠紫外線の照射は５００ＷのＸｅ〜Ｈｇランプを用いて
４分間行った。照射後ＳＦ２Ｍ （走査型電子顕微鏡）
にて表面観察を行ったところ照射部が四部になり、ＪＯ
Ｏｎｍの深さの溝がマスク寸法通りの３μｍピンチで形
成されていることがわかった。この基板にＰｄて表面を
活性化処理後、Ｎ１の無電解メソギを行い、マスタスタ
ン・ぐを製造した。
４分間行った。照射後ＳＦ２Ｍ （走査型電子顕微鏡）
にて表面観察を行ったところ照射部が四部になり、ＪＯ
Ｏｎｍの深さの溝がマスク寸法通りの３μｍピンチで形
成されていることがわかった。この基板にＰｄて表面を
活性化処理後、Ｎ１の無電解メソギを行い、マスタスタ
ン・ぐを製造した。
作成したスタンパをＳＥＭにて観察したところ溝のピッ
チは３μｍであシ、深さは１００ ｎｍであった。
チは３μｍであシ、深さは１００ ｎｍであった。
実施例２
ヘキサフルオロブチルメタクリレートの基板を用い、２
μｍピッチのマスクを通して密着露光にまり遠紫外線ケ
照射した。遠紫外線の照射は５００ＷのＸｅ〜Ｈｇラン
プを用いて照射時間＆−ｉ ２分とした。
μｍピッチのマスクを通して密着露光にまり遠紫外線ケ
照射した。遠紫外線の照射は５００ＷのＸｅ〜Ｈｇラン
プを用いて照射時間＆−ｉ ２分とした。
照射により２μｍピッチの８０１１ｍの深さの溝が１１
）られた。その後、Ｔｅ化合物を蒸着し、光ブ゛イスク
を製造した。
）られた。その後、Ｔｅ化合物を蒸着し、光ブ゛イスク
を製造した。
本発明における基板利質としては、遠紫外線崩壊形アク
リル系ポリマを用いるととができる。寸だ、基板は可視
や赤外線でよく透過することが必要となり、又は望まし
いので、前述の、＋Ｏリメタクリル酸メチルなどのメタ
クリル酸ニスデルや−、キザフルオロブヂルメタクリレ
−１・以外では、メチルメタクリレートとグリンノルメ
タクリレートとの共重合体、メチルα−ブロムアクリレ
ート、あるいはエチルα−クロロアクリレートが望まし
い。
リル系ポリマを用いるととができる。寸だ、基板は可視
や赤外線でよく透過することが必要となり、又は望まし
いので、前述の、＋Ｏリメタクリル酸メチルなどのメタ
クリル酸ニスデルや−、キザフルオロブヂルメタクリレ
−１・以外では、メチルメタクリレートとグリンノルメ
タクリレートとの共重合体、メチルα−ブロムアクリレ
ート、あるいはエチルα−クロロアクリレートが望まし
い。
又、本発明における光源としては、前述のＸｃ −Ｈｇ
ランプの他に、重水素ランプやＨｅ−Ｆのエクツイマレ
ーザなどの遠紫外線光源を当いることができる。又、遠
紫外線のレーザを用いる場合は、マスクを用いず、ビー
ムを絞って同心円あるいはうず巻状に走査して露光する
と吉もできる。
ランプの他に、重水素ランプやＨｅ−Ｆのエクツイマレ
ーザなどの遠紫外線光源を当いることができる。又、遠
紫外線のレーザを用いる場合は、マスクを用いず、ビー
ムを絞って同心円あるいはうず巻状に走査して露光する
と吉もできる。
以上説明したように、本発明では、マスク露光やビーノ
・走査によって、基板を選択的に露光するのみで所定の
溝が形成でき、壕だ、溝のピンチや幅にｊ：マスクやビ
ーｌ、で制御でき、溝の深さは照射時間や強度で制御で
きるので、光デイスク基板・やマスタスタン・Ｐ基板に
おける微細な任意の溝が短時間・高信頼ニ１：で製造で
きる利点がある。
・走査によって、基板を選択的に露光するのみで所定の
溝が形成でき、壕だ、溝のピンチや幅にｊ：マスクやビ
ーｌ、で制御でき、溝の深さは照射時間や強度で制御で
きるので、光デイスク基板・やマスタスタン・Ｐ基板に
おける微細な任意の溝が短時間・高信頼ニ１：で製造で
きる利点がある。
特π「出願人 沖電気工業株式会利
Claims (1)
- 遠紫外線崩壊形アクリル系ポリマを材質とする基板に遠
紫夕（線を選択的に照射することにより微細な溝を形成
することを特徴とした溝付き基板の製ｊ告方法、。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57145427A JPS5936341A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 溝付き基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57145427A JPS5936341A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 溝付き基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5936341A true JPS5936341A (ja) | 1984-02-28 |
Family
ID=15384991
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57145427A Pending JPS5936341A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 溝付き基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936341A (ja) |
-
1982
- 1982-08-24 JP JP57145427A patent/JPS5936341A/ja active Pending
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