JP2002096334A - スタンパの製造方法 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ドライエッチング装置等の特殊な設備を必要と
せず、スタンパの製造に要する時間を短縮することがで
きるスタンパ製造方法を提供する。 【解決手段】スタンパ製造方法において、導電性を有す
る基板の一方の面にネガ型フォトレジスト層を形成する
工程と、フォトマスクを用いて前記ネガ型フォトレジス
ト層を露光する工程と、ネガ型フォトレジスト層を表面
側から加熱する工程と、ネガ型フォトレジスト層を現像
する工程と、未露光部のレジスト残渣及び酸化膜を除去
する工程と、基板上に電鋳体を形成する工程と、露光部
のフォトレジスト層を基板から除去する工程とを備える
ようにした。
せず、スタンパの製造に要する時間を短縮することがで
きるスタンパ製造方法を提供する。 【解決手段】スタンパ製造方法において、導電性を有す
る基板の一方の面にネガ型フォトレジスト層を形成する
工程と、フォトマスクを用いて前記ネガ型フォトレジス
ト層を露光する工程と、ネガ型フォトレジスト層を表面
側から加熱する工程と、ネガ型フォトレジスト層を現像
する工程と、未露光部のレジスト残渣及び酸化膜を除去
する工程と、基板上に電鋳体を形成する工程と、露光部
のフォトレジスト層を基板から除去する工程とを備える
ようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置等に
用いる導光板を製造するために用いるスタンパの製造方
法に関する。
用いる導光板を製造するために用いるスタンパの製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明板の側端面から光を入射し、透明板
の一表面（光出射面）から光を出射させるようにした、
いわゆるエッジライト方式の導光板が、ワードプロセッ
サ、パーソナルコンピュータ及び薄型テレビジョン等に
設けられる液晶表示装置などに使用される背面照明装置
に用いられている。このような背面照明装置は、導光板
の１つの側端面又は互いに対向する側端面に管状光源を
配置し、光を入射する側端面及び光を出射する光出射面
を除く導光板の残りの面に、導光板を透過する光の角度
または導光板で反射される光の角度を変える要素（以
下、「偏向要素」という。）が設けられて構成されてい
る。
の一表面（光出射面）から光を出射させるようにした、
いわゆるエッジライト方式の導光板が、ワードプロセッ
サ、パーソナルコンピュータ及び薄型テレビジョン等に
設けられる液晶表示装置などに使用される背面照明装置
に用いられている。このような背面照明装置は、導光板
の１つの側端面又は互いに対向する側端面に管状光源を
配置し、光を入射する側端面及び光を出射する光出射面
を除く導光板の残りの面に、導光板を透過する光の角度
または導光板で反射される光の角度を変える要素（以
下、「偏向要素」という。）が設けられて構成されてい
る。
【０００３】導光板の側端面から入射した光は、光出射
面及びこれに対向する面等でその方向を変えられて光出
射面から出射するが、光出射面と対向する導光板底面に
設けられた偏向要素により全反射されて導光板内を伝搬
する。一般に、背面照明装置の輝度が光出射面全面で均
一になるように、導光板の偏向要素の密度分布等が決定
される。
面及びこれに対向する面等でその方向を変えられて光出
射面から出射するが、光出射面と対向する導光板底面に
設けられた偏向要素により全反射されて導光板内を伝搬
する。一般に、背面照明装置の輝度が光出射面全面で均
一になるように、導光板の偏向要素の密度分布等が決定
される。
【０００４】上記の偏向要素としては、導光板表面に
光を散乱または反射する白色インクや塗料が塗布された
もの、導光板表面に光が散乱または反射されるような
凹凸部が設けられたもの、導光板中に光拡散剤が含有
されたものが挙げられる。
光を散乱または反射する白色インクや塗料が塗布された
もの、導光板表面に光が散乱または反射されるような
凹凸部が設けられたもの、導光板中に光拡散剤が含有
されたものが挙げられる。
【０００５】上記のタイプの導光板は、スクリーン印
刷等により製造されるが、白色インクや塗料の組成が変
化すると光反射能が変化し輝度が均一にならず、更に、
印刷作業時に空気中の塵埃が白色インクや塗料に混入し
たり、印刷面や塗布面に付着すると、塵埃による予期せ
ぬ光の散乱を生じて、予定した輝度の均一化がはかれな
い。また、上記のタイプの導光板は、所定の密度分布
になるように偏向要素を設けようとしても、高い再現性
で基材中に光拡散剤を分散させることは困難である。
刷等により製造されるが、白色インクや塗料の組成が変
化すると光反射能が変化し輝度が均一にならず、更に、
印刷作業時に空気中の塵埃が白色インクや塗料に混入し
たり、印刷面や塗布面に付着すると、塵埃による予期せ
ぬ光の散乱を生じて、予定した輝度の均一化がはかれな
い。また、上記のタイプの導光板は、所定の密度分布
になるように偏向要素を設けようとしても、高い再現性
で基材中に光拡散剤を分散させることは困難である。
【０００６】以上の理由により、上記の表面に光が散
乱または反射されるような凹凸部が設けられた導光板
が、多くの液晶表示用装置の背面照明装置に用いられて
いる。
乱または反射されるような凹凸部が設けられた導光板
が、多くの液晶表示用装置の背面照明装置に用いられて
いる。
【０００７】図２は、従来の表面に偏向要素としての凹
凸部を有する導光板の製造工程を示す模式図である。図
２（ａ）は、円盤状のガラス原盤２１である。ガラス原
盤２１は片面が鏡面研磨され、洗浄されている。図２
（ｂ）は、フォトレジスト層形成工程を示す。表面を研
磨した円盤状のガラス原盤２１を、図示しないスピンコ
ート装置のターンテーブル上に載置し、ポジ型フォトレ
ジストをガラス原盤２１の研磨した面上に塗布し、フォ
トレジスト層２２を形成する。
凸部を有する導光板の製造工程を示す模式図である。図
２（ａ）は、円盤状のガラス原盤２１である。ガラス原
盤２１は片面が鏡面研磨され、洗浄されている。図２
（ｂ）は、フォトレジスト層形成工程を示す。表面を研
磨した円盤状のガラス原盤２１を、図示しないスピンコ
ート装置のターンテーブル上に載置し、ポジ型フォトレ
ジストをガラス原盤２１の研磨した面上に塗布し、フォ
トレジスト層２２を形成する。
【０００８】図２（ｃ）は、露光工程を示す。長方形で
あり、偏向要素に対応する複数のパターン（以下「偏向
パターン」という。）が描写されたネガ型フォトマスク
２３を、フォトレジスト層２２の表面に密着させる。ネ
ガ型フォトマスクとは、偏向パターン部分は光を透過
し、偏向パターン部分以外の領域は光を透過しないフォ
トマスクである。ネガ型フォトマスク２３の上面からフ
ォトレジスト層２２が感光する波長の光を露光する。こ
のとき、フォトレジスト層２２のネガ型フォトマスク２
３の偏向パターンに対応する領域が感光する。
あり、偏向要素に対応する複数のパターン（以下「偏向
パターン」という。）が描写されたネガ型フォトマスク
２３を、フォトレジスト層２２の表面に密着させる。ネ
ガ型フォトマスクとは、偏向パターン部分は光を透過
し、偏向パターン部分以外の領域は光を透過しないフォ
トマスクである。ネガ型フォトマスク２３の上面からフ
ォトレジスト層２２が感光する波長の光を露光する。こ
のとき、フォトレジスト層２２のネガ型フォトマスク２
３の偏向パターンに対応する領域が感光する。
【０００９】図２（ｄ）は、現像工程を示す。露光され
たフォトレジスト層２２が形成されたガラス原盤２１を
現像装置に取り付け、フォトレジスト層２２を現像液に
より現像し、純水により現像液を洗浄する。このとき、
露光工程で感光したネガ型フォトマスク２３の偏向パタ
ーンに対応したフォトレジスト層２２の領域（露光部２
４）は除去され、ガラス原盤２１上には未露光部２５が
残る。
たフォトレジスト層２２が形成されたガラス原盤２１を
現像装置に取り付け、フォトレジスト層２２を現像液に
より現像し、純水により現像液を洗浄する。このとき、
露光工程で感光したネガ型フォトマスク２３の偏向パタ
ーンに対応したフォトレジスト層２２の領域（露光部２
４）は除去され、ガラス原盤２１上には未露光部２５が
残る。
【００１０】図２（ｅ）は、導電体膜形成工程を示す。
現像工程において現像されたフォトレジスト層２２が形
成されたガラス原盤２１をスパッタリング装置または蒸
着装置に取り付け、スパッタリング法または蒸着法によ
り、ガラス原盤２１のフォトレジスト層２２が形成され
ている面上に、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）等の
導電体膜２６を形成する。
現像工程において現像されたフォトレジスト層２２が形
成されたガラス原盤２１をスパッタリング装置または蒸
着装置に取り付け、スパッタリング法または蒸着法によ
り、ガラス原盤２１のフォトレジスト層２２が形成され
ている面上に、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）等の
導電体膜２６を形成する。
【００１１】図２（ｆ）は、電鋳工程を示す。導電体膜
２６が形成されたガラス原盤２１を、電鋳装置の陰極に
取り付け、ニッケル電鋳を施し、偏向パターンを転写し
た電鋳体２７を形成する。電鋳体２７の厚さは、約０．
１ｍｍ〜０．５ｍｍである。
２６が形成されたガラス原盤２１を、電鋳装置の陰極に
取り付け、ニッケル電鋳を施し、偏向パターンを転写し
た電鋳体２７を形成する。電鋳体２７の厚さは、約０．
１ｍｍ〜０．５ｍｍである。
【００１２】図２（ｇ）は、スタンパ加工工程を示す。
電鋳工程後、ガラス原盤２１から電鋳体２７を剥離し、
洗浄する。そして、電鋳体２７の裏面を研磨し、外周を
所望の形状に裁断加工し、スタンパ２８を得る。
電鋳工程後、ガラス原盤２１から電鋳体２７を剥離し、
洗浄する。そして、電鋳体２７の裏面を研磨し、外周を
所望の形状に裁断加工し、スタンパ２８を得る。
【００１３】図２（ｈ）は、成形工程を示す。スタンパ
２８は、射出成形機の金型内に取り付けられる。射出成
形機は、アクリル樹脂等の溶融樹脂をスタンパ２８が取
り付けられた金型内に射出し、導光板２９を成形する。
成形された導光板２９は、金型内で冷却され、取り出さ
れる。
２８は、射出成形機の金型内に取り付けられる。射出成
形機は、アクリル樹脂等の溶融樹脂をスタンパ２８が取
り付けられた金型内に射出し、導光板２９を成形する。
成形された導光板２９は、金型内で冷却され、取り出さ
れる。
【００１４】また、特開平４−２５９９３８号公報に
は、ガラス原盤の代わりにシリコンウエハ又は金属板を
用い、シリコンウエハ又は金属板上にフォトレジスト層
を形成し、パターンを露光、現像した後、この現像され
たフォトレジスト層をマスク部材としてドライエッチン
グすることにより、シリコンウエハ又は金属板にパター
ンに対応した凹部を形成し母盤を得、当該母盤に電鋳を
施しスタンパを得るスタンパ製造方法が開示されてい
る。
は、ガラス原盤の代わりにシリコンウエハ又は金属板を
用い、シリコンウエハ又は金属板上にフォトレジスト層
を形成し、パターンを露光、現像した後、この現像され
たフォトレジスト層をマスク部材としてドライエッチン
グすることにより、シリコンウエハ又は金属板にパター
ンに対応した凹部を形成し母盤を得、当該母盤に電鋳を
施しスタンパを得るスタンパ製造方法が開示されてい
る。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】図２に示す従来の導光
板用のスタンパの製造方法及び特開平４−２５９９３８
号に開示されているスタンパ製造方法においては、電鋳
工程に要する時間が長く、製造コストが高いという問題
がある。導光板用のスタンパにおいては、約０．１〜
０．５ｍｍの厚さが必要であるが、例えば、直径２００
ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの電鋳体を得るためには１時間以
上の電鋳時間を要する。対角１５インチの大型液晶表示
装置用の導光板のスタンパを作製するためには、直径５
００ｍｍのガラス原盤を用いる必要があり、この場合、
厚さ０．３ｍｍの電鋳体を得るのに４時間以上の電鋳時
間を要する。
板用のスタンパの製造方法及び特開平４−２５９９３８
号に開示されているスタンパ製造方法においては、電鋳
工程に要する時間が長く、製造コストが高いという問題
がある。導光板用のスタンパにおいては、約０．１〜
０．５ｍｍの厚さが必要であるが、例えば、直径２００
ｍｍ、厚さ０．３ｍｍの電鋳体を得るためには１時間以
上の電鋳時間を要する。対角１５インチの大型液晶表示
装置用の導光板のスタンパを作製するためには、直径５
００ｍｍのガラス原盤を用いる必要があり、この場合、
厚さ０．３ｍｍの電鋳体を得るのに４時間以上の電鋳時
間を要する。
【００１６】また、特開平４−２５９９３８号公報に開
示されているスタンパの製造方法において、大面積のシ
リコンウエハ又は金属板を用いる場合、大型のドライエ
ッチング装置が必要となり、設備コストが高くなる。
示されているスタンパの製造方法において、大面積のシ
リコンウエハ又は金属板を用いる場合、大型のドライエ
ッチング装置が必要となり、設備コストが高くなる。
【００１７】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、ドライエッチング装置等の特殊な設備
を必要とせず、スタンパの製造に要する時間を短縮する
ことができるスタンパ製造方法を提供することを目的と
する。
れたものであり、ドライエッチング装置等の特殊な設備
を必要とせず、スタンパの製造に要する時間を短縮する
ことができるスタンパ製造方法を提供することを目的と
する。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本願の請求項１記載の発明は、スタンパの製造方法
において、導電性を有する基板の一方の面にネガ型フォ
トレジスト層を形成するフォトレジスト形成工程と、フ
ォトマスクを用いて前記ネガ型フォトレジスト層を露光
する露光工程と、前記ネガ型フォトレジスト層を表面側
から加熱する加熱工程と、前記ネガ型フォトレジスト層
を現像し、未露光部のネガ型フォトレジスト層を除去す
る現像工程と、前記現像工程において前記未露光部のレ
ジスト残渣及び前記未露光部の前記基板の表面に形成さ
れた酸化膜を除去する表面処理工程と、前記未露光部で
あって前記表面処理された部分の前記基板上に電鋳体を
形成する電鋳工程と、露光部の前記フォトレジスト層を
前記基板から除去する洗浄工程とを備えることを特徴と
する。
に、本願の請求項１記載の発明は、スタンパの製造方法
において、導電性を有する基板の一方の面にネガ型フォ
トレジスト層を形成するフォトレジスト形成工程と、フ
ォトマスクを用いて前記ネガ型フォトレジスト層を露光
する露光工程と、前記ネガ型フォトレジスト層を表面側
から加熱する加熱工程と、前記ネガ型フォトレジスト層
を現像し、未露光部のネガ型フォトレジスト層を除去す
る現像工程と、前記現像工程において前記未露光部のレ
ジスト残渣及び前記未露光部の前記基板の表面に形成さ
れた酸化膜を除去する表面処理工程と、前記未露光部で
あって前記表面処理された部分の前記基板上に電鋳体を
形成する電鋳工程と、露光部の前記フォトレジスト層を
前記基板から除去する洗浄工程とを備えることを特徴と
する。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明のスタンパの製造
方法の一実施例を説明するための模式図である。図１
（ａ）は、導電性の基板としてのニッケル板１である。
導電性の基板として、ニッケル以外の金属製の基板を用
いてもよい。ニッケル板１は、両面が算術平均粗さ０．
０１μｍ以下に鏡面研磨されている。本実施例では、後
述するようにニッケル板１上にフォトレジスト層２をス
ピンコート法により形成するため、ニッケル板１として
円形のもの、例えば、直径５００ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ
に加工されたものを用いる。
方法の一実施例を説明するための模式図である。図１
（ａ）は、導電性の基板としてのニッケル板１である。
導電性の基板として、ニッケル以外の金属製の基板を用
いてもよい。ニッケル板１は、両面が算術平均粗さ０．
０１μｍ以下に鏡面研磨されている。本実施例では、後
述するようにニッケル板１上にフォトレジスト層２をス
ピンコート法により形成するため、ニッケル板１として
円形のもの、例えば、直径５００ｍｍ、厚さ０．３ｍｍ
に加工されたものを用いる。
【００２０】図１（ｂ）は、フォトレジスト形成工程を
示す。ニッケル板１をスピンコート装置に取り付け、ネ
ガ型フォトレジストを塗布し、フォトレジスト層２を形
成する。この際、フォトレジスト層２の厚さは、得よう
とする導光板の偏向要素の深さ（高さ）よりも厚くなる
ように形成する。後述するように、導光板の偏向要素に
対応するスタンパのパターンの高さは、電鋳膜がニッケ
ル板１上に積層する高さにより決まる。フォトレジスト
層２は、得ようとする導光板の偏向要素の深さ（高さ）
よりも厚く形成されればよく、精度の高いフォトレジス
ト層２の膜厚制御は不要である。
示す。ニッケル板１をスピンコート装置に取り付け、ネ
ガ型フォトレジストを塗布し、フォトレジスト層２を形
成する。この際、フォトレジスト層２の厚さは、得よう
とする導光板の偏向要素の深さ（高さ）よりも厚くなる
ように形成する。後述するように、導光板の偏向要素に
対応するスタンパのパターンの高さは、電鋳膜がニッケ
ル板１上に積層する高さにより決まる。フォトレジスト
層２は、得ようとする導光板の偏向要素の深さ（高さ）
よりも厚く形成されればよく、精度の高いフォトレジス
ト層２の膜厚制御は不要である。
【００２１】図１（ｃ）は、露光工程を示す。導光板の
偏向要素に対応する複数のパターン４が描写されたフォ
トマスク３を、フォトレジスト層２の表面に密着させ
る。フォトマスク３は、パターン４の部分は後述するＵ
Ｖ光５を透過せず、パターン４以外の領域はＵＶ光５を
透過するように設計される。そして、フォトマスク３の
上面からフォトレジスト層２が感光する波長の光（紫外
線（ＵＶ）光）５を露光する。このとき、フォトレジス
ト層２のパターン４に対応する領域以外の領域（露光部
６）が感光する。
偏向要素に対応する複数のパターン４が描写されたフォ
トマスク３を、フォトレジスト層２の表面に密着させ
る。フォトマスク３は、パターン４の部分は後述するＵ
Ｖ光５を透過せず、パターン４以外の領域はＵＶ光５を
透過するように設計される。そして、フォトマスク３の
上面からフォトレジスト層２が感光する波長の光（紫外
線（ＵＶ）光）５を露光する。このとき、フォトレジス
ト層２のパターン４に対応する領域以外の領域（露光部
６）が感光する。
【００２２】図１（ｄ）は、加熱工程を示す。ＵＶ光５
により露光されたフォトレジスト層２が形成されたニッ
ケル板１をクリーンオーブン中に設置し、フォトレジス
ト層２の表面側からフォトレジスト層２を加熱する。す
なわち、クリーンオーブンの熱源がフォトレジスト層２
の表面側に位置するようなクリーンオーブンを用いる。
そして、フォトレジスト層２を９０℃で５分間加熱（ポ
ストエクスポージャベイク）する。
により露光されたフォトレジスト層２が形成されたニッ
ケル板１をクリーンオーブン中に設置し、フォトレジス
ト層２の表面側からフォトレジスト層２を加熱する。す
なわち、クリーンオーブンの熱源がフォトレジスト層２
の表面側に位置するようなクリーンオーブンを用いる。
そして、フォトレジスト層２を９０℃で５分間加熱（ポ
ストエクスポージャベイク）する。
【００２３】ネガ型のフォトレジスト層２を加熱した場
合、露光部６は、露光により発生した触媒により架橋反
応が進み現像液に対する溶解速度が未露光部７よりも遅
くなる。図１（ｄ）に示す加熱工程では、フォトレジス
ト層２の表面側から加熱するため、フォトレジスト層２
の表面側がニッケル板１側よりも速く熱せられ、フォト
レジスト層２の架橋反応の進行がニッケル板１側よりも
早くなる。したがって、フォトレジスト層２の表面側の
方がニッケル板１側よりも多く架橋反応が進むため、後
述する図１（ｅ）に示すように、ネガ型のフォトレジス
ト層２の現像後に残った部分の断面形状は下底が上底よ
りも短い台形となる。
合、露光部６は、露光により発生した触媒により架橋反
応が進み現像液に対する溶解速度が未露光部７よりも遅
くなる。図１（ｄ）に示す加熱工程では、フォトレジス
ト層２の表面側から加熱するため、フォトレジスト層２
の表面側がニッケル板１側よりも速く熱せられ、フォト
レジスト層２の架橋反応の進行がニッケル板１側よりも
早くなる。したがって、フォトレジスト層２の表面側の
方がニッケル板１側よりも多く架橋反応が進むため、後
述する図１（ｅ）に示すように、ネガ型のフォトレジス
ト層２の現像後に残った部分の断面形状は下底が上底よ
りも短い台形となる。
【００２４】図１（ｅ）は現像工程を示す。加熱工程を
経たニッケル板１を現像装置に取り付け、現像液により
露光されたフォトレジスト層２を現像し、純水により現
像液を洗浄する。このとき、露光工程でＵＶ光５に感光
しなかったパターン４に対応する領域（未露光部７）の
フォトレジスト層２は除去され、ニッケル板１上には露
光部６のフォトレジスト層２が残る。上述したように、
図１（ｄ）に示す加熱工程により、フォトレジスト層２
の表面側から加熱したため、現像により残った露光部６
に対応するフォトレジスト層２の断面形状は下底が上底
よりも短い台形となる。
経たニッケル板１を現像装置に取り付け、現像液により
露光されたフォトレジスト層２を現像し、純水により現
像液を洗浄する。このとき、露光工程でＵＶ光５に感光
しなかったパターン４に対応する領域（未露光部７）の
フォトレジスト層２は除去され、ニッケル板１上には露
光部６のフォトレジスト層２が残る。上述したように、
図１（ｄ）に示す加熱工程により、フォトレジスト層２
の表面側から加熱したため、現像により残った露光部６
に対応するフォトレジスト層２の断面形状は下底が上底
よりも短い台形となる。
【００２５】図１（ｆ）は、表面処理工程を示す。ま
ず、アッシング装置に取り付け、酸素アッシング処理や
ＵＶオゾンアッシング処理を行い、現像によりフォトレ
ジスト層２が除去されることにより露出したニッケル板
１の表面に残ったレジスト残渣を除去する。続いて、ニ
ッケル板１を希硫酸溶液中に浸し、現像によりフォトレ
ジスト層２が除去されることにより露出したニッケル板
１の表面に形成された酸化膜を除去する。このような処
理を施すことにより、後述する電鋳工程において、ニッ
ケル板１上に形成される電鋳体８とニッケル板１との密
着力が高まり、電鋳体８がニッケル板１から欠け落ちる
ことがなくなる。
ず、アッシング装置に取り付け、酸素アッシング処理や
ＵＶオゾンアッシング処理を行い、現像によりフォトレ
ジスト層２が除去されることにより露出したニッケル板
１の表面に残ったレジスト残渣を除去する。続いて、ニ
ッケル板１を希硫酸溶液中に浸し、現像によりフォトレ
ジスト層２が除去されることにより露出したニッケル板
１の表面に形成された酸化膜を除去する。このような処
理を施すことにより、後述する電鋳工程において、ニッ
ケル板１上に形成される電鋳体８とニッケル板１との密
着力が高まり、電鋳体８がニッケル板１から欠け落ちる
ことがなくなる。
【００２６】図１（ｇ）は電鋳工程を示す。表面処理工
程を経たニッケル板１を電鋳装置の陰極に取り付け、ニ
ッケル電鋳を施し、ニッケル板１のフォトレジスト層２
が除去された領域に電鋳体８を形成する。電鋳物として
はニッケル以外、例えばクロム、銅等の金属を用いるこ
とができる。本実施例では、電鋳体８が導光板の偏向要
素に対応する。一般的に、導光板の偏向要素の高さ（深
さ）は、２〜５０μｍ程度が適正である。したがって、
電鋳体８の厚さが２〜５０μｍの範囲の所望の高さとな
るまでニッケル電鋳を行う。電鋳時の電流値は、電鋳体
８の厚さを容易に制御でき、かつ、電鋳体８の表面を平
滑にするために０．１〜１Ａ程度の低電流値が好まし
い。
程を経たニッケル板１を電鋳装置の陰極に取り付け、ニ
ッケル電鋳を施し、ニッケル板１のフォトレジスト層２
が除去された領域に電鋳体８を形成する。電鋳物として
はニッケル以外、例えばクロム、銅等の金属を用いるこ
とができる。本実施例では、電鋳体８が導光板の偏向要
素に対応する。一般的に、導光板の偏向要素の高さ（深
さ）は、２〜５０μｍ程度が適正である。したがって、
電鋳体８の厚さが２〜５０μｍの範囲の所望の高さとな
るまでニッケル電鋳を行う。電鋳時の電流値は、電鋳体
８の厚さを容易に制御でき、かつ、電鋳体８の表面を平
滑にするために０．１〜１Ａ程度の低電流値が好まし
い。
【００２７】本実施例によるスタンパ製造工程では、図
１（ｆ）に示すように、現像工程後、ニッケル板１上に
残ったフォトレジスト層２の断面形状が下底が上底より
も短い台形となっているため、図１（ｇ）に示す電鋳工
程により形成される電鋳体８の断面形状は、上底が下底
よりも短い台形となる。すなわち、電鋳体８の形状がス
タンパに形成されるパターンに対応するため、導光板の
偏向要素として好ましい特性を有する形状（断面の上底
が下底より短い円柱形）のパターンが得られる。また、
断面の形状が上底が下底より短い台形であるパターンが
スタンパに形成されるため、当該スタンパを用いて導光
板を射出成形した後、スタンパから導光板を容易に剥離
することができる。
１（ｆ）に示すように、現像工程後、ニッケル板１上に
残ったフォトレジスト層２の断面形状が下底が上底より
も短い台形となっているため、図１（ｇ）に示す電鋳工
程により形成される電鋳体８の断面形状は、上底が下底
よりも短い台形となる。すなわち、電鋳体８の形状がス
タンパに形成されるパターンに対応するため、導光板の
偏向要素として好ましい特性を有する形状（断面の上底
が下底より短い円柱形）のパターンが得られる。また、
断面の形状が上底が下底より短い台形であるパターンが
スタンパに形成されるため、当該スタンパを用いて導光
板を射出成形した後、スタンパから導光板を容易に剥離
することができる。
【００２８】従来のスタンパの製造方法においては、電
鋳体の厚さが、スタンパの厚さ（一般的に０．１〜０．
５ｍｍ）となるまで電鋳を行う必要があったが、本実施
例のスタンパの製造方法によれば、電鋳体８の厚さが得
ようとする導光板の偏向要素の高さとなるまで電鋳を行
えばよく、電鋳に費やす時間は数〜数十分程度でよい。
また、本実施例のスタンパ製造方法によれば、導電体膜
を形成する工程が不要である。
鋳体の厚さが、スタンパの厚さ（一般的に０．１〜０．
５ｍｍ）となるまで電鋳を行う必要があったが、本実施
例のスタンパの製造方法によれば、電鋳体８の厚さが得
ようとする導光板の偏向要素の高さとなるまで電鋳を行
えばよく、電鋳に費やす時間は数〜数十分程度でよい。
また、本実施例のスタンパ製造方法によれば、導電体膜
を形成する工程が不要である。
【００２９】図１（ｈ）は、スタンパ洗浄工程を示す。
電鋳工程を経たニッケル板１をフォトレジストリムー
バ、アセトン、アルコール等により洗浄し、フォトレジ
スト層２を除去し、所望の形状に加工することによりス
タンパ９を得る。
電鋳工程を経たニッケル板１をフォトレジストリムー
バ、アセトン、アルコール等により洗浄し、フォトレジ
スト層２を除去し、所望の形状に加工することによりス
タンパ９を得る。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、ドライエッチング装置
等の特殊な設備を必要とせず、スタンパの製造に要する
時間を短縮することができるスタンパ製造方法を提供す
ることができる。
等の特殊な設備を必要とせず、スタンパの製造に要する
時間を短縮することができるスタンパ製造方法を提供す
ることができる。
【図１】本発明のスタンパの製造方法の一実施例を説明
するための模式図。
するための模式図。
【図２】従来の表面に偏向要素としての凹凸部を有する
導光板の製造工程を示す模式図。
導光板の製造工程を示す模式図。
１ ニッケル板 ２ フォトレジスト層 ３ フォトマスク ４ パターン ５ ＵＶ光 ６ 露光部 ７ 未露光部 ８ 電鋳体 ９ スタンパ ２１ ガラス原盤 ２２ フォトレジスト層 ２３ ネガ型フォトマスク ２４ 露光部 ２５ 未露光部 ２６ 導電体膜 ２７ 電鋳体 ２８ スタンパ ２９ 導光板
Claims (1)
- 【請求項１】導電性を有する基板の一方の面にネガ型フ
ォトレジスト層を形成するフォトレジスト形成工程と、 フォトマスクを用いて前記ネガ型フォトレジスト層を露
光する露光工程と、 前記ネガ型フォトレジスト層を表面側から加熱する加熱
工程と、 前記ネガ型フォトレジスト層を現像し、未露光部のネガ
型フォトレジスト層を除去する現像工程と、 前記現像工程において前記未露光部のレジスト残渣及び
前記未露光部の前記基板の表面に形成された酸化膜を除
去する表面処理工程と、 前記未露光部であって前記表面処理された部分の前記基
板上に電鋳体を形成する電鋳工程と、 露光部の前記フォトレジスト層を前記基板から除去する
洗浄工程とを備えることを特徴とするスタンパの製造方
法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000289897A JP2002096334A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | スタンパの製造方法 |
| TW090115005A TW522263B (en) | 2000-09-25 | 2001-06-20 | Method for manufacturing stamper |
| US09/960,492 US6699643B2 (en) | 2000-09-25 | 2001-09-24 | Stamper manufacturing method |
| KR1020010058908A KR100803795B1 (ko) | 2000-09-25 | 2001-09-24 | 스탬퍼의 제조 방법 |
| EP01308140A EP1191400A3 (en) | 2000-09-25 | 2001-09-25 | Stamper manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000289897A JP2002096334A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | スタンパの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002096334A true JP2002096334A (ja) | 2002-04-02 |
Family
ID=18773211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000289897A Pending JP2002096334A (ja) | 2000-09-25 | 2000-09-25 | スタンパの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6699643B2 (ja) |
| EP (1) | EP1191400A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002096334A (ja) |
| KR (1) | KR100803795B1 (ja) |
| TW (1) | TW522263B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8062835B2 (en) * | 2006-08-18 | 2011-11-22 | Toppan Printing Co., Ltd. | Method of manufacturing master plate, method of manufacturing microneedle patch and apparatus exposure apparatus |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI264717B (en) * | 2002-01-08 | 2006-10-21 | Tdk Corp | Manufacturing method of stamper for manufacturing data medium, the stamper, and the photoresist template |
| AU2003221338A1 (en) * | 2002-03-11 | 2003-09-22 | Tdk Corporation | Processing method for photoresist master, production method for recording medium-use mater, production method for recording medium, photoresist master, recording medium-use master and recording medium |
| US6881369B2 (en) * | 2002-04-18 | 2005-04-19 | Industrial Technology Research Institute | Microelectroforming mold using a preformed metal as the substrate and the fabrication method of the same |
| TWI298522B (en) * | 2004-01-13 | 2008-07-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | A manufacturing method of a cavity |
| US20050276914A1 (en) * | 2004-06-15 | 2005-12-15 | Liu Ming-Dah | Method for manufacturing light guide plate mold cores |
| US20060115789A1 (en) * | 2004-11-26 | 2006-06-01 | Wishart Kenneth D | Self-approximating intraoral |
| TW200619703A (en) | 2004-12-10 | 2006-06-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | Manufacturing method of a light guide plate |
| CN100389330C (zh) * | 2004-12-11 | 2008-05-21 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 导光板制造方法 |
| CN100390325C (zh) * | 2005-05-13 | 2008-05-28 | 大连理工大学 | 微电铸金属模具的制作方法 |
| KR101302402B1 (ko) * | 2011-02-01 | 2013-09-02 | 레이젠 주식회사 | 도광판 제조용 스탬퍼 및 이의 제조 방법 |
| KR101328445B1 (ko) * | 2012-06-08 | 2013-11-14 | 레이젠 주식회사 | 대면적 도광판 스탬퍼 제조 방법 |
| EP3839624B1 (fr) * | 2019-12-18 | 2023-09-13 | Nivarox-FAR S.A. | Procede de fabrication d'un composant horloger |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04259938A (ja) | 1991-02-14 | 1992-09-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録媒体製作用スタンパの製作方法 |
| JP3006199B2 (ja) * | 1991-09-03 | 2000-02-07 | 株式会社日立製作所 | 光ディスクの製造方法 |
| JPH05131457A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-05-28 | Olympus Optical Co Ltd | スタンパの製造方法 |
| JP3045856B2 (ja) * | 1991-11-13 | 2000-05-29 | 川崎製鉄株式会社 | 高靱性Ｃｕ含有高張力鋼の製造方法 |
| JPH05234153A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-10 | Hitachi Ltd | 光ディスクの成形金型とその製造方法 |
| FR2701152B1 (fr) * | 1993-02-03 | 1995-03-10 | Digipress Sa | Procédé de fabrication d'un disque maître pour la réalisation d'une matrice de pressage notamment de disques optiques, matrice de pressage obtenue par ce procédé et disque optique obtenu à partir de cette matrice de pressage. |
| JP2848200B2 (ja) * | 1993-06-30 | 1999-01-20 | 凸版印刷株式会社 | 凹版の製造方法 |
| NL9400225A (nl) * | 1994-02-14 | 1995-09-01 | Od & Me Bv | Werkwijze voor het zonder tussenkomst van een master vervaardigen van een stamper voor het voortbrengen van optische schijven. |
| JPH0845118A (ja) * | 1994-07-27 | 1996-02-16 | Sony Corp | スタンパの作成方法 |
| TW377401B (en) | 1995-06-16 | 1999-12-21 | Kuraray Co | Method of manufacturing light guide member |
| KR100262798B1 (ko) | 1996-02-02 | 2000-08-01 | 가나이 쓰도무 | 액정표시장치및배면조명부용도광판의제조방법 |
| US6036336A (en) * | 1998-05-08 | 2000-03-14 | Wu; Chen H. | Light emitting diode retrofitting lamps for illuminated traffic signs |
| NL1009106C2 (nl) * | 1998-05-08 | 1999-11-09 | Od & Me Bv | Werkwijze voor het vervaardigen van een stamper, stamper verkregen volgens een dergelijke werkwijze alsmede optische schijf verkregen onder toepassing van een dergelijke stamper. |
-
2000
- 2000-09-25 JP JP2000289897A patent/JP2002096334A/ja active Pending
-
2001
- 2001-06-20 TW TW090115005A patent/TW522263B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-09-24 US US09/960,492 patent/US6699643B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-09-24 KR KR1020010058908A patent/KR100803795B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-09-25 EP EP01308140A patent/EP1191400A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8062835B2 (en) * | 2006-08-18 | 2011-11-22 | Toppan Printing Co., Ltd. | Method of manufacturing master plate, method of manufacturing microneedle patch and apparatus exposure apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1191400A3 (en) | 2004-06-30 |
| KR20020024538A (ko) | 2002-03-30 |
| EP1191400A2 (en) | 2002-03-27 |
| US6699643B2 (en) | 2004-03-02 |
| TW522263B (en) | 2003-03-01 |
| US20020039705A1 (en) | 2002-04-04 |
| KR100803795B1 (ko) | 2008-02-14 |
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