JPH06342767A - 密着露光方法 - Google Patents
密着露光方法Info
- Publication number
- JPH06342767A JPH06342767A JP5131691A JP13169193A JPH06342767A JP H06342767 A JPH06342767 A JP H06342767A JP 5131691 A JP5131691 A JP 5131691A JP 13169193 A JP13169193 A JP 13169193A JP H06342767 A JPH06342767 A JP H06342767A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photoresist film
- photoresist
- irradiation
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】信号用ピット等のパターンを有するクロムマス
クとフォトレジストを有するＳｉ基板を密着させ、紫外
線を照射する工程において、１回の照射時間を短時間と
し、これを複数回実行することにより所定の露光時間を
確保し、クロムマスクの凹凸形状を忠実に転写させる。
あるいは弱い光で長時間露光を行い、単位時間に発生す
る窒素ガスを少なくした。 【効果】Ｓｉスタンパのフォトレジスト中のＮ2 ガスの
大量発生による信号用ピット等の凹凸形状変形を防止で
き、パターンに欠陥のない光ディスク用Ｓｉスタンパが
得られる。
クとフォトレジストを有するＳｉ基板を密着させ、紫外
線を照射する工程において、１回の照射時間を短時間と
し、これを複数回実行することにより所定の露光時間を
確保し、クロムマスクの凹凸形状を忠実に転写させる。
あるいは弱い光で長時間露光を行い、単位時間に発生す
る窒素ガスを少なくした。 【効果】Ｓｉスタンパのフォトレジスト中のＮ2 ガスの
大量発生による信号用ピット等の凹凸形状変形を防止で
き、パターンに欠陥のない光ディスク用Ｓｉスタンパが
得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はフォトレジストにクロム
マスクを押し付けて露光するいわゆる密着露光方法に関
する。
マスクを押し付けて露光するいわゆる密着露光方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク用Ｓｉスタンパの製造方法を
例にとり、従来の方法を説明する。まず、Ｓｉ基板上に
スピン塗布などの手法によりフォトレジスト膜を形成し
た。その上にＣＤ−ＲＯＭパターンを有するクロムマス
クを密着させ、その後、光を照射した。この時、露光を
２秒ないし５秒間、連続して行った。その後、Ｓｉ基板
を剥離して、Ｓｉ基板上のフォトレジスト膜にＣＤ−Ｒ
ＯＭパターンを転写した。Ｓｉ基板表面は、その後エッ
チングによりパターンに従った凹凸形状に加工され、光
ディスクのスタンパが完成する。
例にとり、従来の方法を説明する。まず、Ｓｉ基板上に
スピン塗布などの手法によりフォトレジスト膜を形成し
た。その上にＣＤ−ＲＯＭパターンを有するクロムマス
クを密着させ、その後、光を照射した。この時、露光を
２秒ないし５秒間、連続して行った。その後、Ｓｉ基板
を剥離して、Ｓｉ基板上のフォトレジスト膜にＣＤ−Ｒ
ＯＭパターンを転写した。Ｓｉ基板表面は、その後エッ
チングによりパターンに従った凹凸形状に加工され、光
ディスクのスタンパが完成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この製造工程
には次のような問題点が有る。クロムマスクと表面にフ
ォトレジスト膜を塗布したＳｉ基板を密着させた後、露
光するとフォトレジスト膜からＮ2 ガスが発生し、露光
中のクロムマスクを押し上げ、クロムマスクのパターン
を忠実にフォトレジスト膜に転写することが出来ないと
いう問題があった。
には次のような問題点が有る。クロムマスクと表面にフ
ォトレジスト膜を塗布したＳｉ基板を密着させた後、露
光するとフォトレジスト膜からＮ2 ガスが発生し、露光
中のクロムマスクを押し上げ、クロムマスクのパターン
を忠実にフォトレジスト膜に転写することが出来ないと
いう問題があった。
【０００４】本発明の目的は、マスクパターンの転写不
良を改善し、パターンを忠実に転写したＳｉ基板を提供
することにある。
良を改善し、パターンを忠実に転写したＳｉ基板を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、クロムマス
クとＳｉ基板を密着させ、その後、光照射する工程で１
回の照射時間を１.０秒以下の短時間とし、露光により
発生するＮ2ガスを密着した隙間から徐々に逃がしなが
ら、これを複数回行うことで全体の露光量を確保し、合
わせてマスクと基板との密着不良を防止する手法であ
る。
クとＳｉ基板を密着させ、その後、光照射する工程で１
回の照射時間を１.０秒以下の短時間とし、露光により
発生するＮ2ガスを密着した隙間から徐々に逃がしなが
ら、これを複数回行うことで全体の露光量を確保し、合
わせてマスクと基板との密着不良を防止する手法であ
る。
【０００６】または、弱い露光を長時間行い、Ｎ2 ガス
発生と発生したガスの放出とのバランスをとることでも
密着不良を防止できる。
発生と発生したガスの放出とのバランスをとることでも
密着不良を防止できる。
【０００７】
【作用】クロムマスクと表面にフォトレジスト膜を有す
るＳｉ基板を密着させ、その後、光を照射する工程で、
１回の照射時間を１.０ 秒以下としこれを複数回行うこ
とで、Ｓｉ基板上のフォトレジスト膜中からの発生Ｎ2
ガスを少量ずつとすることが出来る。すなわち、Ｎ2 ガ
スの同時大量発生によりその逃げ場がなく、結果として
マスクが押し上げられ、密着不良が起こっていたがこれ
を防ぐことが出来る。
るＳｉ基板を密着させ、その後、光を照射する工程で、
１回の照射時間を１.０ 秒以下としこれを複数回行うこ
とで、Ｓｉ基板上のフォトレジスト膜中からの発生Ｎ2
ガスを少量ずつとすることが出来る。すなわち、Ｎ2 ガ
スの同時大量発生によりその逃げ場がなく、結果として
マスクが押し上げられ、密着不良が起こっていたがこれ
を防ぐことが出来る。
【０００８】
【実施例】以下に本発明の実施例をあげ、図１に基づい
てさらに詳細に説明する。まず、同図（ａ）に示すＳｉ
基板１にフォトレジストをスピンナ(回転数：８００rp
m）を用いて約１４０ｎｍの厚みに塗布し、８０℃雰囲
気のベーク炉中で熱処理を施して、フォトレジストをＳ
ｉ基板に定着させフォトレジスト膜２を形成した(ｂ)。
フォトレジスト膜２はシップレー社製マイクロポジット
１４００−１７を用いた。
てさらに詳細に説明する。まず、同図（ａ）に示すＳｉ
基板１にフォトレジストをスピンナ(回転数：８００rp
m）を用いて約１４０ｎｍの厚みに塗布し、８０℃雰囲
気のベーク炉中で熱処理を施して、フォトレジストをＳ
ｉ基板に定着させフォトレジスト膜２を形成した(ｂ)。
フォトレジスト膜２はシップレー社製マイクロポジット
１４００−１７を用いた。
【０００９】次に、あらかじめレーザ書き込み装置によ
って、光スポット案内溝とヘッダー信号とを明暗クロム
パターンとして書き込んでおいたクロムマスク３と、さ
きのフォトレジストを有するＳｉ基板１を密着させた
(ｃ)。この両者を密着させた状態でクロムマスクを介し
て紫外線４を照射した(ｄ)。この時、０.２〜０.６秒間
の短時間照射を続けて４回行った。また、紫外線照射と
次の照射との間に、いずれも３秒の待ち時間をおいた。
こうすることで、紫外線照射でフォトレジスト膜から発
生した窒素ガスがマスク３と基板１の密着部分から、そ
の場所以外へ流れだすことができた。なお、マスク３と
基板１を密着した状態でわずかに傾けておくと、窒素ガ
スの流れを促すことができた。その後クロムマスクから
Ｓｉ基板を剥離し(ｅ)、フォトレジストを現像処理する
と、クロムマスクの明暗パターンと同じものが得られ
た。さらにこのパターンをマスクとして、Ｓｉ基板１の
表面をエッチングする(ｆ)とＳｉスタンパ５が完成した
(ｇ)。このように紫外線照射を短時間に分割して行うこ
とにより、クロムマスクより転写されたＳｉスタンパの
信号用ピット等の明暗パターンは、パターンの欠落等の
欠陥がなく形成できた。
って、光スポット案内溝とヘッダー信号とを明暗クロム
パターンとして書き込んでおいたクロムマスク３と、さ
きのフォトレジストを有するＳｉ基板１を密着させた
(ｃ)。この両者を密着させた状態でクロムマスクを介し
て紫外線４を照射した(ｄ)。この時、０.２〜０.６秒間
の短時間照射を続けて４回行った。また、紫外線照射と
次の照射との間に、いずれも３秒の待ち時間をおいた。
こうすることで、紫外線照射でフォトレジスト膜から発
生した窒素ガスがマスク３と基板１の密着部分から、そ
の場所以外へ流れだすことができた。なお、マスク３と
基板１を密着した状態でわずかに傾けておくと、窒素ガ
スの流れを促すことができた。その後クロムマスクから
Ｓｉ基板を剥離し(ｅ)、フォトレジストを現像処理する
と、クロムマスクの明暗パターンと同じものが得られ
た。さらにこのパターンをマスクとして、Ｓｉ基板１の
表面をエッチングする(ｆ)とＳｉスタンパ５が完成した
(ｇ)。このように紫外線照射を短時間に分割して行うこ
とにより、クロムマスクより転写されたＳｉスタンパの
信号用ピット等の明暗パターンは、パターンの欠落等の
欠陥がなく形成できた。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、光照射を短時間に分割
し、多重露光を行うことにより、Ｓｉ基板上のフォトレ
ジスト膜中のＮ2 ガスを少量ずつ発生させることが出来
た。すなわち、Ｎ2 ガスの大量発生によってクロムマス
クとＳｉ基板との密着性が損なわれていたが、時間分割
・多重露光により、マスクのパターンを忠実に転写で
き、記録用ピット等の凹凸形状変形を防ぐことが出来
た。さらに別の効果としてクロムマスクより転写された
Ｓｉスタンパの信号用ピット等の凹凸パターンは、パタ
ーンの欠落，転写像のぼけ等の欠陥が少なくなる。
し、多重露光を行うことにより、Ｓｉ基板上のフォトレ
ジスト膜中のＮ2 ガスを少量ずつ発生させることが出来
た。すなわち、Ｎ2 ガスの大量発生によってクロムマス
クとＳｉ基板との密着性が損なわれていたが、時間分割
・多重露光により、マスクのパターンを忠実に転写で
き、記録用ピット等の凹凸形状変形を防ぐことが出来
た。さらに別の効果としてクロムマスクより転写された
Ｓｉスタンパの信号用ピット等の凹凸パターンは、パタ
ーンの欠落，転写像のぼけ等の欠陥が少なくなる。
【図１】本発明の露光方法手順を示す説明図。
１…Ｓｉ基板、２…フォトレジスト膜、３…クロムマス
ク、４…紫外線、５…Ｓｉスタンパ。
ク、４…紫外線、５…Ｓｉスタンパ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】ガラス基板上にクロム膜およびフォトレジ
スト膜を形成した後、この表面にレーザ光を照射して露
光，現像およびエッチングすることで、前記クロム膜の
パターンを形成したフォトマスクと、前記フォトレジス
ト膜を表面に有するＳｉ基板を密着した後、光を照射す
るを露光工程で、前記露光を複数回に分割して行うこと
を特徴とする密着露光方法。 - 【請求項２】請求項１において、１回の露光時間を１.
０ 秒以下とし、これを複数回露光し、合計の露光時間
が６０秒以内とする密着露光方法。 - 【請求項３】ガラス基板上にクロム膜およびフォトレジ
スト膜を形成した後、この表面にレーザ光を照射して露
光，現像およびエッチングすることで、前記クロム膜の
パターンを形成したフォトマスクと、前記フォトレジス
ト膜を表面に有するＳｉ基板を密着した後、光を照射す
るを露光工程において、露光時間を１２０秒以上とする
ことを特徴とする密着露光方法。 - 【請求項４】請求項１，２または３において、前記フォ
トマスクと前記フォトレジスト膜を表面に有するＳｉ基
板を密着した後、両者を傾けた密着露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5131691A JPH06342767A (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 密着露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5131691A JPH06342767A (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 密着露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06342767A true JPH06342767A (ja) | 1994-12-13 |
Family
ID=15063958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5131691A Pending JPH06342767A (ja) | 1993-06-02 | 1993-06-02 | 密着露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06342767A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008026474A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Ono Sokki Co Ltd | 露光装置 |
| CN100383932C (zh) * | 2005-07-05 | 2008-04-23 | 华中科技大学 | 一种硅湿法刻蚀工艺 |
| CN105699429A (zh) * | 2016-01-08 | 2016-06-22 | 平高集团有限公司 | 一种微米级半导体传感器及其制备方法 |
-
1993
- 1993-06-02 JP JP5131691A patent/JPH06342767A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100383932C (zh) * | 2005-07-05 | 2008-04-23 | 华中科技大学 | 一种硅湿法刻蚀工艺 |
| JP2008026474A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Ono Sokki Co Ltd | 露光装置 |
| CN105699429A (zh) * | 2016-01-08 | 2016-06-22 | 平高集团有限公司 | 一种微米级半导体传感器及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100248442B1 (ko) | 광디스크의 제조방법 | |
| JPS6126952A (ja) | 情報記録担体の製造法 | |
| JP3188673B2 (ja) | 基板の製造方法 | |
| JPH06342767A (ja) | 密着露光方法 | |
| JP2727942B2 (ja) | 光ディスクマスタリング用露光原盤 | |
| JP3276084B2 (ja) | 微細凹凸パターン成形用成形型の製造方法 | |
| JPH06119661A (ja) | スタンパー及びスタンパーの製造方法 | |
| JPH04259937A (ja) | 情報記録媒体製作用スタンパの製作方法 | |
| JPS5841765B2 (ja) | フオトマスク材の傷修復方法 | |
| JPS60226042A (ja) | 情報ガラス基板およびその製造方法 | |
| JPH0550850B2 (ja) | ||
| JPH02173285A (ja) | スタンパの製造方法 | |
| JP2511102B2 (ja) | 光ディスクの製造方法 | |
| JPH02235229A (ja) | 情報記録媒体製造用マスク | |
| JPH01300443A (ja) | 情報記録媒体用基板の製造方法およびこの方法により得られた基板 | |
| JPH06150393A (ja) | 光ディスク用原盤の製造方法 | |
| JP3662305B2 (ja) | 露光パターンの形成方法及びその装置 | |
| JPS6156867B2 (ja) | ||
| JP2702723B2 (ja) | 光メモリ素子の製造方法 | |
| JP2001216690A (ja) | ダイレクトマスタリング方法とその装置 | |
| JPH07121913A (ja) | 光ディスク製造用スタンパ及びその製造方法 | |
| JPS63301519A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH01143035A (ja) | 情報記録原盤及びその製造方法 | |
| JPS6266444A (ja) | 光メモリ素子用フオトマスク | |
| JP2000298839A (ja) | 露光方法及び装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |