JPH0550850B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0550850B2 JPH0550850B2 JP17743884A JP17743884A JPH0550850B2 JP H0550850 B2 JPH0550850 B2 JP H0550850B2 JP 17743884 A JP17743884 A JP 17743884A JP 17743884 A JP17743884 A JP 17743884A JP H0550850 B2 JPH0550850 B2 JP H0550850B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- ultraviolet rays
- resist pattern
- deep ultraviolet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はレジストの処理方法に関する。
従来のレジスト処理方法においては、現像後の
レジストパターンをガラス転移温度（Tg）以上
の温度でベークするとレジストフローが発生しそ
の結果レジストパターンの寸法制御が不可能であ
つた。
レジストパターンをガラス転移温度（Tg）以上
の温度でベークするとレジストフローが発生しそ
の結果レジストパターンの寸法制御が不可能であ
つた。
レジストフローを抑制する為の対策として現像
のレジストパターンをTg以下の温度でベークす
る方法がある。しかしこの場合、ベーク温度が低
い為基板との密着性が悪くなるという問題があつ
た。一方現像後のレジストパターンに対し遠紫外
線によるキユアリングを施すことによりレジスト
表面を架橋させ耐熱性を強化しTg以上の温度に
おけるベークに対してレジストフローを抑制する
ことが知られている。しかしながらレジスト架橋
が表面層である場合には、酸素プラズマによるレ
ジストパターンのスカム除去の時表面層を削り取
つてしまう結果、後工程であるRIE加工時の基板
の温度上昇によりレジストフローが発生しレジス
トパターンの寸法制御が極めて困難であつた。
のレジストパターンをTg以下の温度でベークす
る方法がある。しかしこの場合、ベーク温度が低
い為基板との密着性が悪くなるという問題があつ
た。一方現像後のレジストパターンに対し遠紫外
線によるキユアリングを施すことによりレジスト
表面を架橋させ耐熱性を強化しTg以上の温度に
おけるベークに対してレジストフローを抑制する
ことが知られている。しかしながらレジスト架橋
が表面層である場合には、酸素プラズマによるレ
ジストパターンのスカム除去の時表面層を削り取
つてしまう結果、後工程であるRIE加工時の基板
の温度上昇によりレジストフローが発生しレジス
トパターンの寸法制御が極めて困難であつた。
本発明の目的は、下地基板のRIE加工時に発生
する基板の温度上昇に対しレジストの耐熱性を強
化させレジストフローを抑制しレジストパターン
の寸法制御を可能にする方法を提供することにあ
る。
する基板の温度上昇に対しレジストの耐熱性を強
化させレジストフローを抑制しレジストパターン
の寸法制御を可能にする方法を提供することにあ
る。
本発明の主眼は、現像後のレジストパターンに
対し酸素プラズマによるスカム除去を行なつた
後、該レジストに対し遠紫外線によるキユアリン
グを施すものである。
対し酸素プラズマによるスカム除去を行なつた
後、該レジストに対し遠紫外線によるキユアリン
グを施すものである。
本発明によりレジストパターンの耐熱効果が向
上し、RIE時における基板の温度上昇によるレジ
ストフローが抑制され、その結果高精度なパター
ン加工が可能になる。
上し、RIE時における基板の温度上昇によるレジ
ストフローが抑制され、その結果高精度なパター
ン加工が可能になる。
本発明の一実施例としてレジスト処理方法のフ
ローチヤートを第１図に示すこの実施例では被処
理基板上に電子線レジストを0.5μｍの厚さに塗布
形成した。次いでこのレジスト膜のベーク（一般
にプリベークと称す）を所定時間行ないその後上
記レジスト膜に対して所定照射条件にて選択的に
照射した。これを現像処理しベーク（一般にポス
トベークと称す）を所定時間行なつた後、酸素プ
ラズマ条件200W×0.9Torrにより１分間レジス
トパターンのスカム除去を行ない300〜400Åの表
面層が削られた。その後該レジストに対し200W
低圧水銀灯により遠紫外線を15分間照射しキユア
リングを施したこの結果レジストパターンの耐熱
効果が向上し、RIE時における基板の温度上昇に
よるレジストフローが抑制され、寸法制御された
レジストパターンをマスクに下地基板を高精度に
加工することができた。上記実施例では酸素プラ
ズマによるレジストパターンのスカム除去後、該
レジストに対し遠紫外線によるキユアリングを施
す場合を述べたが、現像工程直後、遠紫外線によ
るキユアリングを施し、ベーク（一般にポストベ
ークと称す）、酸素プラズマ処理（スカム除去）
を施したレジストでは表面層が削り取られる為レ
ジストフローが生じ易いことがあるが、その様な
レジストにも本発明によるキユアリングを適用す
ることにより、RIE時における基板の温度上昇に
よるレジストフローを抑制することができた。上
記実施例では遠紫外に感応する電子線レジストに
ついて述べたが、本発明は遠紫外線キユアリング
が可能なレジストならば如何なるレジストに対し
ても適用できる。
ローチヤートを第１図に示すこの実施例では被処
理基板上に電子線レジストを0.5μｍの厚さに塗布
形成した。次いでこのレジスト膜のベーク（一般
にプリベークと称す）を所定時間行ないその後上
記レジスト膜に対して所定照射条件にて選択的に
照射した。これを現像処理しベーク（一般にポス
トベークと称す）を所定時間行なつた後、酸素プ
ラズマ条件200W×0.9Torrにより１分間レジス
トパターンのスカム除去を行ない300〜400Åの表
面層が削られた。その後該レジストに対し200W
低圧水銀灯により遠紫外線を15分間照射しキユア
リングを施したこの結果レジストパターンの耐熱
効果が向上し、RIE時における基板の温度上昇に
よるレジストフローが抑制され、寸法制御された
レジストパターンをマスクに下地基板を高精度に
加工することができた。上記実施例では酸素プラ
ズマによるレジストパターンのスカム除去後、該
レジストに対し遠紫外線によるキユアリングを施
す場合を述べたが、現像工程直後、遠紫外線によ
るキユアリングを施し、ベーク（一般にポストベ
ークと称す）、酸素プラズマ処理（スカム除去）
を施したレジストでは表面層が削り取られる為レ
ジストフローが生じ易いことがあるが、その様な
レジストにも本発明によるキユアリングを適用す
ることにより、RIE時における基板の温度上昇に
よるレジストフローを抑制することができた。上
記実施例では遠紫外に感応する電子線レジストに
ついて述べたが、本発明は遠紫外線キユアリング
が可能なレジストならば如何なるレジストに対し
ても適用できる。
第１図は本発明のレジスト処理方法を概略的に
示すフローチヤートである。
示すフローチヤートである。
Claims (1)
- １ 現像後のレジストパターンのスカムを酸素プ
ラズマによつて除去後前記レジストに対して遠紫
外線によるキユアリングを施すことを特徴とする
レジスト処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17743884A JPS6155923A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | レジスト処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17743884A JPS6155923A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | レジスト処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6155923A JPS6155923A (ja) | 1986-03-20 |
| JPH0550850B2 true JPH0550850B2 (ja) | 1993-07-30 |
Family
ID=16030943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17743884A Granted JPS6155923A (ja) | 1984-08-28 | 1984-08-28 | レジスト処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6155923A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232330A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPS63234527A (ja) * | 1987-03-24 | 1988-09-29 | Ushio Inc | レジスト処理方法 |
| JPH0740546B2 (ja) * | 1987-03-24 | 1995-05-01 | ウシオ電機株式会社 | レジスト処理方法 |
| KR100687858B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2007-02-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 패터닝 방법 |
-
1984
- 1984-08-28 JP JP17743884A patent/JPS6155923A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6155923A (ja) | 1986-03-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4307176A (en) | Method of forming a pattern | |
| US4403151A (en) | Method of forming patterns | |
| JPH0550850B2 (ja) | ||
| US4259369A (en) | Image hardening process | |
| JP2604573B2 (ja) | 微細パターン形成方法 | |
| JP2506967B2 (ja) | 光ディスク原盤の製造方法 | |
| JP2506637B2 (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6013432B2 (ja) | Ａｌ又はＡｌ合金パタ−ンの形成方法 | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| JP2894772B2 (ja) | Ｘ線窓の製造方法 | |
| JPH06342767A (ja) | 密着露光方法 | |
| JP3061037B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2000091309A (ja) | 半導体パターン形成装置及び半導体パターン形成方法 | |
| JPH04327912A (ja) | 微細凹凸パターン成形用成形型の製造方法 | |
| KR920002025B1 (ko) | 원자외선을 이용한 감광성 내식막 경화방법 | |
| JPS6156867B2 (ja) | ||
| JPS612326A (ja) | レジストパタ−ンの形成方法 | |
| JPS6145823B2 (ja) | ||
| JPS6222431A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH0833655B2 (ja) | フォトマスク修正方法 | |
| JPH01137634A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS61209442A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH03269533A (ja) | フォトマスクの製造方法およびそれに使用する基板 | |
| JPS613405A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS5968744A (ja) | フオトマスクの製造方法 |