JPS6222431A - レジストパタ−ン形成方法 - Google Patents
レジストパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6222431A JPS6222431A JP60160341A JP16034185A JPS6222431A JP S6222431 A JPS6222431 A JP S6222431A JP 60160341 A JP60160341 A JP 60160341A JP 16034185 A JP16034185 A JP 16034185A JP S6222431 A JPS6222431 A JP S6222431A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- solvent
- resist pattern
- decompression
- forming method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は半導体装置製造工程におけるホトレジストパ
ターン形成方法に関するものである。
ターン形成方法に関するものである。
（従来の技術）
第２図（ａ）〜（ｅ）はホトリソグラフィ工程において
一般に用いられているホトレジストパターン形成方法を
、ポジレジストを例に採り工程順に表したものである。
一般に用いられているホトレジストパターン形成方法を
、ポジレジストを例に採り工程順に表したものである。
図中、１は下地、２はホトリソ工程後にエツチングされ
る被エツチング膜である。
る被エツチング膜である。
まず（ａ）図に示すように、被エツチング膜２上にポジ
レジスト３をスピンコード法により塗布する。
レジスト３をスピンコード法により塗布する。
次に、一般にプリベークと称する熱処理を、通常９０℃
前後の温度で行い、ポジレジスト３中に含まれる溶剤を
除去する。このとき溶剤蒸発により、ポジレジスト３は
わずかに膜厚が減少する（（ｂ）図）。
前後の温度で行い、ポジレジスト３中に含まれる溶剤を
除去する。このとき溶剤蒸発により、ポジレジスト３は
わずかに膜厚が減少する（（ｂ）図）。
続いて（０）図に示すように、反射プロジェクシ重ンｉ
または縮小プロジェクシ璽ン法を用いて回路パターンに
合わせ、紫外光４をポジレジスト３に照射する。３ａは
ポジレジスト３の感光された箇所を示す。その後、現像
処理を施しくｄ）図に示すようなレジストパターンを形
成する。さらに、ボストベークと称する熱処理を、通常
１２０℃前後の温度で行い、（ｅ）図に示すような安定
化したレジストパターン３ｂを得て、このレジストパタ
ーン３ｂをエツチングマスクとして次工程のエツチング
へ進む。
または縮小プロジェクシ璽ン法を用いて回路パターンに
合わせ、紫外光４をポジレジスト３に照射する。３ａは
ポジレジスト３の感光された箇所を示す。その後、現像
処理を施しくｄ）図に示すようなレジストパターンを形
成する。さらに、ボストベークと称する熱処理を、通常
１２０℃前後の温度で行い、（ｅ）図に示すような安定
化したレジストパターン３ｂを得て、このレジストパタ
ーン３ｂをエツチングマスクとして次工程のエツチング
へ進む。
（発明が解決しようとする問題点）
しかし上記の従来方法においては、次の如き問題点があ
った。まず、ポジレジスト中に含まれる感光基は、通常
１００℃を超える熱処理により熱分解反応が進み、熱に
よる感光が進行していく。
った。まず、ポジレジスト中に含まれる感光基は、通常
１００℃を超える熱処理により熱分解反応が進み、熱に
よる感光が進行していく。
例えば、１４０℃、６０分°間の熱処理によって約１μ
ｍ厚のレジストはほぼ完全に感光されてしまう。よって
プリベークを、１）０℃以上の温度で行うことｊよ好ま
しくない。
ｍ厚のレジストはほぼ完全に感光されてしまう。よって
プリベークを、１）０℃以上の温度で行うことｊよ好ま
しくない。
また、ポジレジストは通常９０℃前後の熱処理によゆ、
除々に表面硬化が始まり、これに伴って溶剤のレジスト
表面からの蒸発性も低化してくる。
除々に表面硬化が始まり、これに伴って溶剤のレジスト
表面からの蒸発性も低化してくる。
例えば、約１３０℃の熱処理において、熱分解によって
生じた窒素ガスでも硬化したレジスト表面を通過するこ
とが困難になり、硬化で生じたレジスト表面膜の内部に
トラップされてしまう。
生じた窒素ガスでも硬化したレジスト表面を通過するこ
とが困難になり、硬化で生じたレジスト表面膜の内部に
トラップされてしまう。
従って、プリベークは９０℃前後に濃度制御された条件
で行われるが、この条件下ではレジスト中の溶剤が充分
に蒸発せず、またレジストの表面硬化も同時に進行し始
めているため、レジストの厚さ方向に上記溶剤が不均一
に分布し残留してしまう。この残留した溶剤は、レジス
ト自身の不規則なＷＩ！潤や現像速度の部分的相異を誘
発し、結果としてレジストパターンの段面プロファイル
（第１図（ｄｌのポジレジスト３の矢印部分）の形状悪
化を招く。
で行われるが、この条件下ではレジスト中の溶剤が充分
に蒸発せず、またレジストの表面硬化も同時に進行し始
めているため、レジストの厚さ方向に上記溶剤が不均一
に分布し残留してしまう。この残留した溶剤は、レジス
ト自身の不規則なＷＩ！潤や現像速度の部分的相異を誘
発し、結果としてレジストパターンの段面プロファイル
（第１図（ｄｌのポジレジスト３の矢印部分）の形状悪
化を招く。
レジスト中に溶剤が不均一に残留する問題を解決するの
みであれば、レジスト塗布後、常温放置を行うことが考
えられる。しかし、レジスト中の溶剤を均一に蒸発させ
るためには長時間の放置が必要となり、作業性を併せて
考えると現実性に欠ける。
みであれば、レジスト塗布後、常温放置を行うことが考
えられる。しかし、レジスト中の溶剤を均一に蒸発させ
るためには長時間の放置が必要となり、作業性を併せて
考えると現実性に欠ける。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、上述の如くレジスト中に残留した溶剤に基因
する問題点をＭ消すべくなされたものである。
する問題点をＭ消すべくなされたものである。
即ち本発明は、半導体装置製造時のホトリソグラフィ工
程において、レジスト中に含まれる溶剤の除去処理を、
１ＯＴｏｒｒｊＪ下の減圧雰囲気下で、プリベーク前あ
るいはプリベークと同時に行うことを特徴とするレジス
トパターン形成方法である。
程において、レジスト中に含まれる溶剤の除去処理を、
１ＯＴｏｒｒｊＪ下の減圧雰囲気下で、プリベーク前あ
るいはプリベークと同時に行うことを特徴とするレジス
トパターン形成方法である。
（作 用）
被エツチング膜上に塗布されたレジストを減圧雰囲気下
に置くことにより、レジスト中に含まれる溶剤の蒸発が
促進される。従ってレジスト中に残留する溶剤の量が少
なくなり、プリベークの段階においては熱処理温度を１
０℃程度低くして行うことが可能となり、熱処理に基因
するレジスト感光基の熱分解及びレジスト表面の硬化現
象も抑制される。
に置くことにより、レジスト中に含まれる溶剤の蒸発が
促進される。従ってレジスト中に残留する溶剤の量が少
なくなり、プリベークの段階においては熱処理温度を１
０℃程度低くして行うことが可能となり、熱処理に基因
するレジスト感光基の熱分解及びレジスト表面の硬化現
象も抑制される。
また、レジスト中に含まれる溶剤が短時間で均一に除去
されるため、現像後のレジストパターンは良好な段面プ
ロファイルを持つこととなる。
されるため、現像後のレジストパターンは良好な段面プ
ロファイルを持つこととなる。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例を示す工程図である。
図中「減圧処理」とは、減圧雰ＩＩＩＩ気下で行われる
溶剤の除去処理を示す。ここで減圧時の圧力及び処理時
間は、レジスト中のレジンの分子量、溶剤の沸点、およ
びレジスト膜厚によって最適条件が定められる。
溶剤の除去処理を示す。ここで減圧時の圧力及び処理時
間は、レジスト中のレジンの分子量、溶剤の沸点、およ
びレジスト膜厚によって最適条件が定められる。
減圧処理後、プリベーク、露光、現像を施きれたレジス
トパターンにおいては、従来の方法に比べより改善され
た段面プロファイルが得られた。
トパターンにおいては、従来の方法に比べより改善され
た段面プロファイルが得られた。
（発明の効果）
以上のように本発明では、減圧処理によりレジスト中の
溶剤の蒸発が促進され、現像時におけるレジストの溶解
性が均一となり、精度の高いレジストパターンが得られ
る。
溶剤の蒸発が促進され、現像時におけるレジストの溶解
性が均一となり、精度の高いレジストパターンが得られ
る。
また本発明は、通常のポジレジストの他にも、プリベー
クに１８０℃程度と高い温度設定を必要としポリメチル
メタアクリレート（ＰＭＭＡ ）を主成分とする電子線
ポジレジスト、あるいは１６０℃程度で±１℃以内の温
度＃御を必要とし露光用紫外光を吸収する染料を含むポ
リイミドを主成分とする低反射剤においても同様な効果
を奏する。
クに１８０℃程度と高い温度設定を必要としポリメチル
メタアクリレート（ＰＭＭＡ ）を主成分とする電子線
ポジレジスト、あるいは１６０℃程度で±１℃以内の温
度＃御を必要とし露光用紫外光を吸収する染料を含むポ
リイミドを主成分とする低反射剤においても同様な効果
を奏する。
第１図は本発明の一実施例を示す工程図、第２図はホト
レジストパターン形成方法を示す部分断面図である。 １・・・下地、２・・・被エツチング膜、３・・・ホト
レジスト、３ａ・・・露光されたホトレジスト、３ｂ・
・・ポストベーク後のホトレジスト、４・・・紫外光。 第１図
レジストパターン形成方法を示す部分断面図である。 １・・・下地、２・・・被エツチング膜、３・・・ホト
レジスト、３ａ・・・露光されたホトレジスト、３ｂ・
・・ポストベーク後のホトレジスト、４・・・紫外光。 第１図
Claims (2)
- （１）半導体装置製造時のホトリソグラフィ工程で、（
イ）レジスト塗布（ロ）プリベーク（ハ）露光（ニ）現
像（ホ）ポストベークを順次施すレジストパターン形成
方法において、レジスト中に含まれる溶剤の除去処理を
減圧雰囲気下で、プリベーク前あるいはプリベークと同
時に行うことを特徴とするレジストパターン形成方法。 - （２）上記の溶剤の除去処理を１０Ｔｏｒｒ以下の減圧
雰囲気下で行うことを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載のレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160341A JPS6222431A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | レジストパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60160341A JPS6222431A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | レジストパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6222431A true JPS6222431A (ja) | 1987-01-30 |
Family
ID=15712887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60160341A Pending JPS6222431A (ja) | 1985-07-22 | 1985-07-22 | レジストパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6222431A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63107116A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Fujitsu Ltd | レジストベ−キング方法 |
| JP2009200423A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクの製造方法 |
-
1985
- 1985-07-22 JP JP60160341A patent/JPS6222431A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63107116A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Fujitsu Ltd | レジストベ−キング方法 |
| JP2009200423A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Asahi Glass Co Ltd | Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクの製造方法 |
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