JPS63107116A - レジストベ−キング方法 - Google Patents
レジストベ−キング方法Info
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- JPS63107116A JPS63107116A JP25396186A JP25396186A JPS63107116A JP S63107116 A JPS63107116 A JP S63107116A JP 25396186 A JP25396186 A JP 25396186A JP 25396186 A JP25396186 A JP 25396186A JP S63107116 A JPS63107116 A JP S63107116A
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- JP
- Japan
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- resist
- wafer
- baking
- low molecular
- thermal damage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 11
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- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
半導体装置製造のウェーハ工程におけるフォトプロセス
において、溶媒或いは水を除去するためのレジストベー
クを、レジストに熱ダメージを与えないように、減圧状
態において低温度で行うレジストベーキング方法。
において、溶媒或いは水を除去するためのレジストベー
クを、レジストに熱ダメージを与えないように、減圧状
態において低温度で行うレジストベーキング方法。
本発明は、半導体装置製造のウェーハ工程のフォトプロ
セスに係り、特にレジストベーキング方法の改良に関す
るものである。
セスに係り、特にレジストベーキング方法の改良に関す
るものである。
半導体装置製造のウェーハ工程におけるフォトプロセス
において、レジストをウェーハに塗布した後、或いは現
像処理後に、レジスト膜中の過剰の溶媒或いは過剰の水
分を除去するために、大気中でホットプレートや対流式
オーブンを用いてレジストベーキングを行っている。
において、レジストをウェーハに塗布した後、或いは現
像処理後に、レジスト膜中の過剰の溶媒或いは過剰の水
分を除去するために、大気中でホットプレートや対流式
オーブンを用いてレジストベーキングを行っている。
しかしながら、最近の集積度の高い微細パターンのウェ
ーハの処理に用いるレジストは、その目的から低分子量
の樹脂を用いたものが多く、低分子量樹脂のために耐熱
性が低下している。
ーハの処理に用いるレジストは、その目的から低分子量
の樹脂を用いたものが多く、低分子量樹脂のために耐熱
性が低下している。
このような状況から、低分子量樹脂を用いたレジストに
熱ダメージを与えないレジストベーキング方法が要望さ
れている。
熱ダメージを与えないレジストベーキング方法が要望さ
れている。
従来の半導体装置製造のウェーハ工程におけるフォトプ
ロセスにおいて、溶媒或いは水を除去するためのレジス
トベークは、第２図（ａｌに示すように大気中でホット
プレート３の上にレジストを塗布したウェーハ１を乗せ
て直接に加熱する方法か、或いは第２図（ｂ）に示すよ
うに対流式オープンを用いてヒータ５にて加熱された空
気をファン４にて攪拌し、レジストを塗布したウェーハ
１を熱風で加熱してレジストベーキングする方法が取ら
れている。
ロセスにおいて、溶媒或いは水を除去するためのレジス
トベークは、第２図（ａｌに示すように大気中でホット
プレート３の上にレジストを塗布したウェーハ１を乗せ
て直接に加熱する方法か、或いは第２図（ｂ）に示すよ
うに対流式オープンを用いてヒータ５にて加熱された空
気をファン４にて攪拌し、レジストを塗布したウェーハ
１を熱風で加熱してレジストベーキングする方法が取ら
れている。
以上説明の従来のレジストベーキング方法で問題となる
のは、最近の集積度の高い微細パターンのウェーハの処
理に用いるレジストは、その目的から低分子量の樹脂を
用いたものが多く、低分子量樹脂のために耐熱性が低下
しているが、その溶媒は従来通りのＥＣＡ等の沸点が１
４０〜１５０℃のものが用いられているので、レジスト
ベーキングに必要な熱量が変わっていないことである。
のは、最近の集積度の高い微細パターンのウェーハの処
理に用いるレジストは、その目的から低分子量の樹脂を
用いたものが多く、低分子量樹脂のために耐熱性が低下
しているが、その溶媒は従来通りのＥＣＡ等の沸点が１
４０〜１５０℃のものが用いられているので、レジスト
ベーキングに必要な熱量が変わっていないことである。
本発明は以上のような状況から簡単且つ安価に行える減
圧状態での低温のレジストベーキング方法の提供を目的
としたものである。
圧状態での低温のレジストベーキング方法の提供を目的
としたものである。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点は、半導体装置製造のウェーハ工程における
フォトプロセスにおいて、ウェーハに塗布したレジスト
に熱ダメージを与えないように、レジストベークを減圧
状態において低温度で行う本発明によるレジストベーキ
ング方法によって解決される。
フォトプロセスにおいて、ウェーハに塗布したレジスト
に熱ダメージを与えないように、レジストベークを減圧
状態において低温度で行う本発明によるレジストベーキ
ング方法によって解決される。
即ち本発明においては、減圧状態にした減圧チャンバ内
でレジストベークを行うので、溶媒或いは水の沸点が低
くなり耐熱性が低下している低分子量樹脂を用いたレジ
ストに熱ダメージを与えることなくレジストベーキング
処理を行うことが可能となる。
でレジストベークを行うので、溶媒或いは水の沸点が低
くなり耐熱性が低下している低分子量樹脂を用いたレジ
ストに熱ダメージを与えることなくレジストベーキング
処理を行うことが可能となる。
以下第１図について本発明の一実施例を説明する。
図示しないロータリーポンプで排気された、図に示す減
圧チャンバ２の室内圧は、本実施例では０、ＩＴｏｒｒ
に保たれており、レジスト、例えばＴＳＭＲ−８８００
を塗布したウェーハ１はこの室内でホットプレート３に
より６０℃に加熱されて、低分子量樹脂を用いたレジス
トに含まれているＥＣＡ等の溶媒はこの温度で除去する
ことができる。
圧チャンバ２の室内圧は、本実施例では０、ＩＴｏｒｒ
に保たれており、レジスト、例えばＴＳＭＲ−８８００
を塗布したウェーハ１はこの室内でホットプレート３に
より６０℃に加熱されて、低分子量樹脂を用いたレジス
トに含まれているＥＣＡ等の溶媒はこの温度で除去する
ことができる。
減圧チャンバ２の室内圧は一気圧未満であればよいが、
特にＩ Ｔｏｒｒ以下ならばなお一層好ましい。
特にＩ Ｔｏｒｒ以下ならばなお一層好ましい。
レジストベーキング温度は２０℃〜１００”Ｃの範囲で
選択することが可能である。
選択することが可能である。
このように大気中では沸点が１４０〜１５０℃の溶媒を
、減圧状態において１００℃以下の低温で除去すること
ができるので、低分子量樹脂を用いたレジストに熱ダメ
ージを与えずにウェーハに塗布したレジストのレジスト
ベーキングを行うことが可能となる。
、減圧状態において１００℃以下の低温で除去すること
ができるので、低分子量樹脂を用いたレジストに熱ダメ
ージを与えずにウェーハに塗布したレジストのレジスト
ベーキングを行うことが可能となる。
以上説明したように本発明によれば極めて簡単な構成の
装置を使用することにより、ウェーハに塗布した低分子
量樹脂を用いたレジストに熱ダメージを与えずにレジス
トの熱処理を行うことができるので、信転性向上の効果
が期待でき工業的には極めて有用なものである。
装置を使用することにより、ウェーハに塗布した低分子
量樹脂を用いたレジストに熱ダメージを与えずにレジス
トの熱処理を行うことができるので、信転性向上の効果
が期待でき工業的には極めて有用なものである。
第１図は本発明による一実施例を示す斜視図、第２図は
従来のレジストベーキング方法を示す概要図、 である。 図において、 １はウェーハ、 ２は減圧チャンバ、 ３はホットプレート、 を示す。
従来のレジストベーキング方法を示す概要図、 である。 図において、 １はウェーハ、 ２は減圧チャンバ、 ３はホットプレート、 を示す。
Claims (1)
- 半導体装置製造のウェーハ工程におけるフォトプロセス
において、減圧状態でレジストに熱ダメージを与えない
低温度のレジストベークを行い、レジストに熱ダメージ
を与えないようにすることを特徴とするレジストベーキ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25396186A JPS63107116A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | レジストベ−キング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25396186A JPS63107116A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | レジストベ−キング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63107116A true JPS63107116A (ja) | 1988-05-12 |
Family
ID=17258359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25396186A Pending JPS63107116A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | レジストベ−キング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63107116A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217319B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-04-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing device and method of processing wafer |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021522A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS6222431A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS6352410A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および加熱処理装置 |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP25396186A patent/JPS63107116A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6021522A (ja) * | 1983-07-15 | 1985-02-02 | Toshiba Corp | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS6222431A (ja) * | 1985-07-22 | 1987-01-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPS6352410A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-05 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法および加熱処理装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6217319B1 (en) | 1997-12-03 | 2001-04-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor manufacturing device and method of processing wafer |
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