JP2591360B2 - フォトレジストの塗布方法 - Google Patents
フォトレジストの塗布方法Info
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- JP2591360B2 JP2591360B2 JP3102509A JP10250991A JP2591360B2 JP 2591360 B2 JP2591360 B2 JP 2591360B2 JP 3102509 A JP3102509 A JP 3102509A JP 10250991 A JP10250991 A JP 10250991A JP 2591360 B2 JP2591360 B2 JP 2591360B2
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- JP
- Japan
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- photoresist
- temperature
- substrate
- wafer
- coating
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はウェット処理装置、特に
被加工面上にフォトレジスト膜を形成させるのに好適な
フォトレジスト塗布装置およびその塗布方法に関するも
のである。
被加工面上にフォトレジスト膜を形成させるのに好適な
フォトレジスト塗布装置およびその塗布方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体素子、液晶表示素子および
磁気バブルメモリ素子等の基板上に形成するパターン
等、高精度の寸法が要求される微細パターンは写真処理
方法で形成される。例えば、ウエーハ表面にフォトマス
クのパターンを転写する場合、ウエーハ上にフォトレジ
ストを塗布乾燥し、そのフォトレジスト膜をフォトマス
クにより選択的に露光することが行われる。
磁気バブルメモリ素子等の基板上に形成するパターン
等、高精度の寸法が要求される微細パターンは写真処理
方法で形成される。例えば、ウエーハ表面にフォトマス
クのパターンを転写する場合、ウエーハ上にフォトレジ
ストを塗布乾燥し、そのフォトレジスト膜をフォトマス
クにより選択的に露光することが行われる。
【０００３】ここでウエーハ上に形成するフォトレジス
ト膜は、図２に示すようなフォトレジスト塗布装置を用
いて形成される。すなわち、同図において、スピンモー
タ１の回転軸先端部に設けられた真空チャック２にウエ
ーハ３を吸着保持させ、このスピンモータ１を高速回転
させながら、その上方に配置されたフォトレジストノズ
ル４からフォトレジスト５を一定量滴下させ、スピンモ
ータ１の遠心力によりウエーハ３の表面に膜厚の均一な
フォトレジスト膜７を形成するとともに余分なフォトレ
ジストを振り切り、第１、第２の回収カップ６ａ、６ｂ
に回収する。
ト膜は、図２に示すようなフォトレジスト塗布装置を用
いて形成される。すなわち、同図において、スピンモー
タ１の回転軸先端部に設けられた真空チャック２にウエ
ーハ３を吸着保持させ、このスピンモータ１を高速回転
させながら、その上方に配置されたフォトレジストノズ
ル４からフォトレジスト５を一定量滴下させ、スピンモ
ータ１の遠心力によりウエーハ３の表面に膜厚の均一な
フォトレジスト膜７を形成するとともに余分なフォトレ
ジストを振り切り、第１、第２の回収カップ６ａ、６ｂ
に回収する。
【０００４】通常、このウエーハ３上にフォトレジスト
膜７を形成する、いわゆるフォトレジスト塗布は次のよ
うに行なわれる。まず最初にウエーハ３のフォトレジス
トに対する接着性を向上するため化学的に脱水を行なう
前処理を行った後、ウエーハ３に吸着されている水分を
完全に除去するため、約２００℃程度に加熱し脱水を行
なう前ベーク（脱水ベーク）処理を行う。次いで常温ま
で冷却した後に前述したようにフォトレジスト膜７を形
成し、さらにこのフォトレジスト膜７を約２００℃程度
に加熱し乾燥を行なうプリベーク処理工程を経て常温ま
で冷却させる工程を経る。これらの工程はフォトレジス
ト一貫塗布・現像機内で一枚ずつ自動的に処理される。
膜７を形成する、いわゆるフォトレジスト塗布は次のよ
うに行なわれる。まず最初にウエーハ３のフォトレジス
トに対する接着性を向上するため化学的に脱水を行なう
前処理を行った後、ウエーハ３に吸着されている水分を
完全に除去するため、約２００℃程度に加熱し脱水を行
なう前ベーク（脱水ベーク）処理を行う。次いで常温ま
で冷却した後に前述したようにフォトレジスト膜７を形
成し、さらにこのフォトレジスト膜７を約２００℃程度
に加熱し乾燥を行なうプリベーク処理工程を経て常温ま
で冷却させる工程を経る。これらの工程はフォトレジス
ト一貫塗布・現像機内で一枚ずつ自動的に処理される。
【０００５】なお、本出願人は本出願の審査請求に際し
先行技術調査を行ったので、その結果を次の通り記述し
ておく。フォトレジスト・スピンナー塗布装置は特開昭
51-39737号公報等数多くの公開公報で知られている。フ
ォトレジスト等の処理液を温度調整したウェット処理装
置は本出願人による出願の公開（特開昭51-39737号公
報）で公知となっている。フォトレジストのウエハー裏
面への回り込みを防ぐ目的でウエハーの裏面から気体を
吹き付ける技術が特開昭52-144971号公報、同57-54321
及び同58-139440で知られている。
先行技術調査を行ったので、その結果を次の通り記述し
ておく。フォトレジスト・スピンナー塗布装置は特開昭
51-39737号公報等数多くの公開公報で知られている。フ
ォトレジスト等の処理液を温度調整したウェット処理装
置は本出願人による出願の公開（特開昭51-39737号公
報）で公知となっている。フォトレジストのウエハー裏
面への回り込みを防ぐ目的でウエハーの裏面から気体を
吹き付ける技術が特開昭52-144971号公報、同57-54321
及び同58-139440で知られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなフォトレジスト塗布装置およびその塗布方法による
と、ポジ形のフォトレジストを使用してフォトレジスト
膜７を形成した場合、図３に示すようにウエーハ３の中
心部３ａ、周辺部３ｂとで微細な形状は異なるが、スト
リエーション（striation）と称する放射状の微小な塗
布むら７ａが発生していた。この塗布むら７ａの発生
は、露光、現像後の素子パターンの寸法精度に大きな悪
影響を与えるため、フォトレジストの溶剤として、蒸発
しにくいものを使用したり、溶媒雰囲気中で塗布するな
どの方法が用いられているが、いずれも効果はあるもの
の、完全に対策するには至らなかった。
うなフォトレジスト塗布装置およびその塗布方法による
と、ポジ形のフォトレジストを使用してフォトレジスト
膜７を形成した場合、図３に示すようにウエーハ３の中
心部３ａ、周辺部３ｂとで微細な形状は異なるが、スト
リエーション（striation）と称する放射状の微小な塗
布むら７ａが発生していた。この塗布むら７ａの発生
は、露光、現像後の素子パターンの寸法精度に大きな悪
影響を与えるため、フォトレジストの溶剤として、蒸発
しにくいものを使用したり、溶媒雰囲気中で塗布するな
どの方法が用いられているが、いずれも効果はあるもの
の、完全に対策するには至らなかった。
【０００７】本発明の一つの目的は製造コストの低減が
可能なフォトレジストの塗布方法を提供することであ
る。本発明の他の目的は品質の向上が可能なフォトレジ
ストの塗布方法を提供することにある。本発明の他の目
的は歩留りの向上が可能なフォトレジストの塗布方法を
提供することにある。本発明の更に他の目的はストリエ
ーションの発生を抑制できるフォトレジストの塗布方法
を提供することにある。
可能なフォトレジストの塗布方法を提供することであ
る。本発明の他の目的は品質の向上が可能なフォトレジ
ストの塗布方法を提供することにある。本発明の他の目
的は歩留りの向上が可能なフォトレジストの塗布方法を
提供することにある。本発明の更に他の目的はストリエ
ーションの発生を抑制できるフォトレジストの塗布方法
を提供することにある。
【０００８】このような目的を達成するために、本発明
者等は、種々実験および検討を繰返し行なった結果、図
４に示すようにフォトレジスト膜の膜厚およびそのバラ
ツキ幅が曲線Ｉで示すようにウエーハの温度に大きな影
響を受け、さらにストリエーションも同様に同図に曲線
IIで示すようにウエーハの温度により大きく変化し、あ
る温度以下となると全く発生しなくなるという現象を発
見した。
者等は、種々実験および検討を繰返し行なった結果、図
４に示すようにフォトレジスト膜の膜厚およびそのバラ
ツキ幅が曲線Ｉで示すようにウエーハの温度に大きな影
響を受け、さらにストリエーションも同様に同図に曲線
IIで示すようにウエーハの温度により大きく変化し、あ
る温度以下となると全く発生しなくなるという現象を発
見した。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この現象に着目し、本発
明は、基板上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジ
ストの塗布方法において、上記フォトレジストは該フォ
トレジストをノズルに供給する管と、該管を温度調整す
る手段により温度調節され、上記基板を加熱することに
よりベーク処理を行った後、上記基板を該基板を保持す
る台と該台の温度を調整する装置よりなる冷却ユニット
上に移動させ、配置し、フォトレジスト塗布部における
上記フォトレジスト塗布時に、所定の温度になるよう
に、上記基板を冷却し、その後、上記基板を上記フォト
レジスト塗布部の回転台に移動させ、該回転台に固定
し、上記基板上に上記ノズルより上記温度調節されたフ
ォトレジストを滴下し、その後上記回転台を回転させて
上記フォトレジストを上記基板上に塗布し、上記フォト
レジストは塗布前に上記基板のフォトレジスト塗布時の
温度と同等の温度に温度調節されていることを特徴とす
る。また、上記所定の温度は溶媒蒸発温度以下であるこ
とを特徴とする。また、上記所定の温度は２０℃以下で
あることを特徴とする。また、上記所定の温度は５℃な
いし２０℃の範囲であることを特徴とする。また、上記
所定の温度は５℃ないし１８℃の範囲であることを特徴
とする。また、上記所定の温度は１０℃ないし１５℃の
範囲であることを特徴とする。
明は、基板上にフォトレジスト膜を形成するフォトレジ
ストの塗布方法において、上記フォトレジストは該フォ
トレジストをノズルに供給する管と、該管を温度調整す
る手段により温度調節され、上記基板を加熱することに
よりベーク処理を行った後、上記基板を該基板を保持す
る台と該台の温度を調整する装置よりなる冷却ユニット
上に移動させ、配置し、フォトレジスト塗布部における
上記フォトレジスト塗布時に、所定の温度になるよう
に、上記基板を冷却し、その後、上記基板を上記フォト
レジスト塗布部の回転台に移動させ、該回転台に固定
し、上記基板上に上記ノズルより上記温度調節されたフ
ォトレジストを滴下し、その後上記回転台を回転させて
上記フォトレジストを上記基板上に塗布し、上記フォト
レジストは塗布前に上記基板のフォトレジスト塗布時の
温度と同等の温度に温度調節されていることを特徴とす
る。また、上記所定の温度は溶媒蒸発温度以下であるこ
とを特徴とする。また、上記所定の温度は２０℃以下で
あることを特徴とする。また、上記所定の温度は５℃な
いし２０℃の範囲であることを特徴とする。また、上記
所定の温度は５℃ないし１８℃の範囲であることを特徴
とする。また、上記所定の温度は１０℃ないし１５℃の
範囲であることを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記フォトレジストの塗布方法によれば、ウエ
ーハの温度を適切な値に設定できるので、フォトレジス
トの膜厚の均一性がよくなり、またそのバラツキ幅も小
さくできる。また、塗布時のフォトレジストの温度も基
板と同等の温度に制御されているので塗布むらのないフ
ォトレジスト膜が得られる。
ーハの温度を適切な値に設定できるので、フォトレジス
トの膜厚の均一性がよくなり、またそのバラツキ幅も小
さくできる。また、塗布時のフォトレジストの温度も基
板と同等の温度に制御されているので塗布むらのないフ
ォトレジスト膜が得られる。
【００１１】
【実施例】次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
【００１２】図１は本発明によるフォトレジスト塗布装
置およびフォトレジスト塗布方法の一例を説明するため
のフォトレジスト塗布装置の要部模式図であり、同図
（ａ）は要部断面構成図、同図（ｂ）はその平面図で図
２におけると同一な部分および相当する部分は同一符号
を付す。
置およびフォトレジスト塗布方法の一例を説明するため
のフォトレジスト塗布装置の要部模式図であり、同図
（ａ）は要部断面構成図、同図（ｂ）はその平面図で図
２におけると同一な部分および相当する部分は同一符号
を付す。
【００１３】同図において、８はフォトレジストノズル
４およびこのフォトレジストノズル４内のポジ形フォト
レジスト（以下フォトレジストと称する）を冷却させる
ウォータジャケット、９は冷却水循環形の温度調整装置
である。１０はウォータジャケット８と温度調整装置９
との間を結合させかつウォータジャケット８に冷却水を
巡回させる循環パイプであり、ノズル４内のフォトレジ
ストはこのフォトレジストの溶媒蒸発温度（約２０℃）
以下の温度に冷却されている。
４およびこのフォトレジストノズル４内のポジ形フォト
レジスト（以下フォトレジストと称する）を冷却させる
ウォータジャケット、９は冷却水循環形の温度調整装置
である。１０はウォータジャケット８と温度調整装置９
との間を結合させかつウォータジャケット８に冷却水を
巡回させる循環パイプであり、ノズル４内のフォトレジ
ストはこのフォトレジストの溶媒蒸発温度（約２０℃）
以下の温度に冷却されている。
【００１４】１１は真空チャックを備えたウエーハ３の
冷却ユニット、１２は冷却水循環形の温度調整装置であ
る。１３は冷却ユニット１１と温度調整装置１２との間
を結合させかつ冷却ユニット１１に冷却水を巡回させる
循環パイプであり、ウエーハ３は真空チャックに吸着保
持されて冷却ユニット１１上に配置され、フォトレジス
トの溶媒蒸発温度（約２０℃）以下の温度に冷却されて
いる。
冷却ユニット、１２は冷却水循環形の温度調整装置であ
る。１３は冷却ユニット１１と温度調整装置１２との間
を結合させかつ冷却ユニット１１に冷却水を巡回させる
循環パイプであり、ウエーハ３は真空チャックに吸着保
持されて冷却ユニット１１上に配置され、フォトレジス
トの溶媒蒸発温度（約２０℃）以下の温度に冷却されて
いる。
【００１５】このような構成において、フォトレジスト
塗布前には、ウエーハ３は冷却ユニット１１上に配置さ
れ、この冷却ユニット１１によりフォトレジストの溶媒
蒸発温度以下に冷却され、塗布直前にはスピンモータ１
の真空チャック２上に矢印方向に移動して吸着保持され
る。従って、フォトレジスト塗布時には、ウエーハ３が
冷却された低温状態で、フォトレジスト５がウエーハ上
に滴下され、スピンモータ１が回転してフォトレジスト
膜が形成される。
塗布前には、ウエーハ３は冷却ユニット１１上に配置さ
れ、この冷却ユニット１１によりフォトレジストの溶媒
蒸発温度以下に冷却され、塗布直前にはスピンモータ１
の真空チャック２上に矢印方向に移動して吸着保持され
る。従って、フォトレジスト塗布時には、ウエーハ３が
冷却された低温状態で、フォトレジスト５がウエーハ上
に滴下され、スピンモータ１が回転してフォトレジスト
膜が形成される。
【００１６】このような方法によれば、前述の塗布むら
のないフォトレジスト膜が得られる。このとき、ウエー
ハ３上に滴下するフォトレジスト５も同時にほぼ同等の
低温に冷却されているので、さらにその効果が大であ
る。すなわち、フォトレジスト滴下時のフォトレジスト
とウエーハ間の温度差が小さいので、フォトレジスト滴
下点とウエーハ周辺でのフォトレジスト膜の膜厚に差を
生じることが防止できる。また、フォトレジスト塗布前
からウエーハ３が冷却されているので、フォトレジスト
膜の膜厚のバラツキ（絶対値）が小さくなる。
のないフォトレジスト膜が得られる。このとき、ウエー
ハ３上に滴下するフォトレジスト５も同時にほぼ同等の
低温に冷却されているので、さらにその効果が大であ
る。すなわち、フォトレジスト滴下時のフォトレジスト
とウエーハ間の温度差が小さいので、フォトレジスト滴
下点とウエーハ周辺でのフォトレジスト膜の膜厚に差を
生じることが防止できる。また、フォトレジスト塗布前
からウエーハ３が冷却されているので、フォトレジスト
膜の膜厚のバラツキ（絶対値）が小さくなる。
【００１７】なお、前述した実施例において、ウエーハ
３を冷却させる温度を、フォトレジストの溶媒蒸発温度
（約２０℃）以下としたが、この温度を４℃以下とする
と、ウエーハ３に結露が発生し、フォトレジストの接着
性が低下するので好ましくない。また、２１℃を超え室
温近傍となると、前述したようにストリエーションと称
する放射状の微小な塗布むらが発生する。したがって、
冷却温度範囲は５℃ないし２０℃の範囲が良く、また、
フォトレジストの種類あるいはウエーハ３の冷却機能発
生手段の構成の差による熱容量のばらつき等を考慮して
５℃ないし１８℃の温度範囲が好ましく、特に１０℃な
いし１５℃の温度範囲では極めて良好な効果が得られ
た。
３を冷却させる温度を、フォトレジストの溶媒蒸発温度
（約２０℃）以下としたが、この温度を４℃以下とする
と、ウエーハ３に結露が発生し、フォトレジストの接着
性が低下するので好ましくない。また、２１℃を超え室
温近傍となると、前述したようにストリエーションと称
する放射状の微小な塗布むらが発生する。したがって、
冷却温度範囲は５℃ないし２０℃の範囲が良く、また、
フォトレジストの種類あるいはウエーハ３の冷却機能発
生手段の構成の差による熱容量のばらつき等を考慮して
５℃ないし１８℃の温度範囲が好ましく、特に１０℃な
いし１５℃の温度範囲では極めて良好な効果が得られ
た。
【００１８】このようなフォトレジスト塗布装置および
そのフォトレジスト塗布方法により形成されたフォトレ
ジスト膜は、従来ストリエーションが長さ数１０ないし
１００Åで発生していたものが、完全に零となり、この
結果、パターンの寸法精度を著しく向上させることがで
きた。また、固体撮像素子に適用した場合には、従来ス
トリエーションの発生のために固定パターンノイズが発
生していたが、ストリエーションの発生を零とすること
により、この固定パターンノイズの発生を皆無とするこ
とができた。さらにウエーハを冷却することにより、ス
トリエーションの発生を皆無とするのみならず、フォト
レジスト膜厚のばらつきを約半分に抑えることができ
た。
そのフォトレジスト塗布方法により形成されたフォトレ
ジスト膜は、従来ストリエーションが長さ数１０ないし
１００Åで発生していたものが、完全に零となり、この
結果、パターンの寸法精度を著しく向上させることがで
きた。また、固体撮像素子に適用した場合には、従来ス
トリエーションの発生のために固定パターンノイズが発
生していたが、ストリエーションの発生を零とすること
により、この固定パターンノイズの発生を皆無とするこ
とができた。さらにウエーハを冷却することにより、ス
トリエーションの発生を皆無とするのみならず、フォト
レジスト膜厚のばらつきを約半分に抑えることができ
た。
【００１９】なお、前述した実施例においては、フォト
レジストにポジ形のフォトレジストを用いた場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、ネガ形のフォトレジストを用いても同様の効果が得
られることは言うまでもない。
レジストにポジ形のフォトレジストを用いた場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるものではな
く、ネガ形のフォトレジストを用いても同様の効果が得
られることは言うまでもない。
【００２０】
【発明の効果】以上説明した本発明の実施例によれば、
ストリエーションの発生を皆無とすることができるの
で、品質および歩留りを大幅に向上させ、製造コストを
大幅に低減できるなどの極めて優れた効果が得られる。
ストリエーションの発生を皆無とすることができるの
で、品質および歩留りを大幅に向上させ、製造コストを
大幅に低減できるなどの極めて優れた効果が得られる。
【図１】（ａ）、（ｂ）は本発明によるフォトレジスト
塗布装置およびその塗布方法の一実施例を説明するため
の図。
塗布装置およびその塗布方法の一実施例を説明するため
の図。
【図２】従来のフォトレジスト塗布装置およびそのフォ
トレジスト塗布方法の一例を説明する図。
トレジスト塗布方法の一例を説明する図。
【図３】従来の塗布方法により発生する塗布むらを示す
図。
図。
【図４】ウエーハの温度に対するフォトレジスト膜厚お
よびストリエーションの関係を示す図。
よびストリエーションの関係を示す図。
【符号の説明】 １・・・スピンモータ、２、２′・・・真空チャック、
３・・・ウエーハ、３ａ・・・中央部、３ｂ・・・周辺
部、４・・・フォトレジストノズル、５・・・フォトレ
ジスト、６ａ、６ｂ・・・回収カップ、７・・・フォト
レジスト膜、７ａ・・・塗布むら、８・・・ウオータジ
ャケット、９・・・温調装置、１０・・・循環パイプ、
１１・・・冷却ユニット、１２・・・温調装置。
３・・・ウエーハ、３ａ・・・中央部、３ｂ・・・周辺
部、４・・・フォトレジストノズル、５・・・フォトレ
ジスト、６ａ、６ｂ・・・回収カップ、７・・・フォト
レジスト膜、７ａ・・・塗布むら、８・・・ウオータジ
ャケット、９・・・温調装置、１０・・・循環パイプ、
１１・・・冷却ユニット、１２・・・温調装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 晴夫 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日 立製作所茂原工場内 (56)参考文献 特開 昭59−48981（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−78981（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−70869（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−166721（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−16543（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−7826（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−32132（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−143866（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】基板上にフォトレジスト膜を形成するフォ
トレジストの塗布方法において、 上記フォトレジストは該フォトレジストをノズルに供給
する管と、該管を温度調整する手段により温度調節さ
れ、 上記基板を加熱することによりベーク処理を行った後、
上記基板を該基板を保持する台と該台の温度を調整する
装置よりなる冷却ユニット上に移動させ、配置し、フォ
トレジスト塗布部における上記フォトレジスト塗布時
に、所定の温度になるように、上記基板を冷却し、その
後、上記基板を上記フォトレジスト塗布部の回転台に移
動させ、該回転台に固定し、上記基板上に上記ノズルよ
り上記温度調節されたフォトレジストを滴下し、その後
上記回転台を回転させて上記フォトレジストを上記基板
上に塗布し、上記フォトレジストは塗布前に上記基板の
フォトレジスト塗布時の温度と同等の温度に温度調節さ
れていることを特徴とするフォトレジストの塗布方法。 - 【請求項２】上記所定の温度は溶媒蒸発温度以下である
ことを特徴とする請求項１記載のフォトレジストの塗布
方法。 - 【請求項３】上記所定の温度は２０℃以下であることを
特徴とする請求項１記載のフォトレジストの塗布方法。 - 【請求項４】上記所定の温度は５℃ないし２０℃の範囲
であることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト
の塗布方法。 - 【請求項５】上記所定の温度は５℃ないし１８℃の範囲
であることを特徴とする請求項１記載のフォトレジスト
の塗布方法。 - 【請求項６】上記所定の温度は１０℃ないし１５℃の範
囲であることを特徴とする請求項１記載のフォトレジス
トの塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3102509A JP2591360B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | フォトレジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3102509A JP2591360B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | フォトレジストの塗布方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59090901A Division JPH0646303B2 (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | フォトレジストの塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04363169A JPH04363169A (ja) | 1992-12-16 |
| JP2591360B2 true JP2591360B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=14329363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3102509A Expired - Lifetime JP2591360B2 (ja) | 1991-05-08 | 1991-05-08 | フォトレジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2591360B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5828070A (en) * | 1996-02-16 | 1998-10-27 | Eaton Corporation | System and method for cooling workpieces processed by an ion implantation system |
| JP5900370B2 (ja) * | 2013-02-06 | 2016-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布膜形成方法、塗布膜形成装置及び記憶媒体 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5478981A (en) * | 1977-12-07 | 1979-06-23 | Hitachi Ltd | Photo resist coating unit |
| JPS5670869A (en) * | 1979-11-14 | 1981-06-13 | Hitachi Ltd | Spinner coating apparatus |
| JPS587826A (ja) * | 1981-07-07 | 1983-01-17 | Toshiba Corp | レジスト塗布装置 |
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-
1991
- 1991-05-08 JP JP3102509A patent/JP2591360B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04363169A (ja) | 1992-12-16 |
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