JPH0536597A - 処理方法 - Google Patents
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- JPH0536597A JPH0536597A JP3187791A JP18779191A JPH0536597A JP H0536597 A JPH0536597 A JP H0536597A JP 3187791 A JP3187791 A JP 3187791A JP 18779191 A JP18779191 A JP 18779191A JP H0536597 A JPH0536597 A JP H0536597A
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウェハ等の被処理体をレジスト等の塗布
液を塗布して処理する際に、半導体ウェハの中央部と周
辺部との周速の差異等に基づくレジスト膜の厚さの不均
一を解消し、極めて均一な膜厚の塗布膜を得る。 【構成】半導体ウェハを回転させながらレジストを塗布
する際に、半導体ウェハに同心円状の温度分布を持たせ
ておく。半導体ウェハに同心円状の温度分布を持たせる
には、塗布前に半導体ウェハを冷却するとき、同心円状
に温度が分割制御された冷却プレートを用い、この冷却
プレートで予め冷却するか、塗布装置の半導体ウェハ保
持用チャックとして同心円状に温度が分割制御されたも
のを用い、塗布中に冷却する方法等がある。
液を塗布して処理する際に、半導体ウェハの中央部と周
辺部との周速の差異等に基づくレジスト膜の厚さの不均
一を解消し、極めて均一な膜厚の塗布膜を得る。 【構成】半導体ウェハを回転させながらレジストを塗布
する際に、半導体ウェハに同心円状の温度分布を持たせ
ておく。半導体ウェハに同心円状の温度分布を持たせる
には、塗布前に半導体ウェハを冷却するとき、同心円状
に温度が分割制御された冷却プレートを用い、この冷却
プレートで予め冷却するか、塗布装置の半導体ウェハ保
持用チャックとして同心円状に温度が分割制御されたも
のを用い、塗布中に冷却する方法等がある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レジスト等の処理液
を被処理体に塗布して処理する方法に関する。
を被処理体に塗布して処理する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】従来か
ら半導体ウェハ上に薄膜状の電子回路パターンを形成す
るパターン形成工程では、半導体ウェハ上に薄膜状に塗
布されたレジスト膜を所望のパターンが形成されたマス
クを通して露光し、現像してネガ型またはポジ型のレジ
ストパターンを形成する。その後、このレジストパター
ンをマスクとしてエッチングして下地の薄膜に所望の電
子回路パターンを形成した後、マスクとして使用したレ
ジストを除去している。
ら半導体ウェハ上に薄膜状の電子回路パターンを形成す
るパターン形成工程では、半導体ウェハ上に薄膜状に塗
布されたレジスト膜を所望のパターンが形成されたマス
クを通して露光し、現像してネガ型またはポジ型のレジ
ストパターンを形成する。その後、このレジストパター
ンをマスクとしてエッチングして下地の薄膜に所望の電
子回路パターンを形成した後、マスクとして使用したレ
ジストを除去している。
【０００３】ところで、このレジストの膜厚はレジスト
パターンの精度に影響するため、均一に処理することが
要求され、近年の特にパターンの高密度化に伴い、レジ
ストの膜厚の均一性の要求が高い。このレジスト塗布工
程では、通常、半導体ウェハとレジストとの密着性を高
めるために加熱下（約９０℃）でアドヒージョン（Ａ
Ｄ）処理した半導体ウェハを冷却後、いわゆるスピンコ
ータにおいて半導体ウェハの中心上にレジストを滴下
し、半導体ウェハを高速回転させて、その周辺部まで延
伸させて均一な塗布を行なっている。
パターンの精度に影響するため、均一に処理することが
要求され、近年の特にパターンの高密度化に伴い、レジ
ストの膜厚の均一性の要求が高い。このレジスト塗布工
程では、通常、半導体ウェハとレジストとの密着性を高
めるために加熱下（約９０℃）でアドヒージョン（Ａ
Ｄ）処理した半導体ウェハを冷却後、いわゆるスピンコ
ータにおいて半導体ウェハの中心上にレジストを滴下
し、半導体ウェハを高速回転させて、その周辺部まで延
伸させて均一な塗布を行なっている。
【０００４】しかし、通常、スピンコーティングにより
回転塗布する場合に、半導体ウェハの中心と周辺部とで
周速の違いにより雰囲気中へのレジスト溶媒の揮発速度
に差が生じ、その結果として中心と周辺部との膜厚に差
が生じる。この差はウェハの口径が大きくなるほど顕著
になるという傾向がある。また、半導体ウェハの温度
は、塗布の膜厚に大きな影響を与えることが知られてい
る。このため、半導体ウェハを均一に冷却する冷却プレ
ートやホルダ装置が提案され（特公平２−５３９３９
号、実開平１−１２５３５８号、実開平１−１１０４３
０号、特開昭６４−２８９１８号など）、また冷却手段
を備えたスピナーヘッドが提案されている（特開昭６２
−１９３２４８号、特開昭６２−１９３２４８号）。し
かし、このような従来の冷却方法では、半導体ウェハの
面内均一冷却、急速冷却を目的としており、部分的に面
内温度を制御するものではない。このように半導体ウェ
ハを均一に冷却した場合には、前述のような半導体ウェ
ハの中心と周辺部とにおける周速の違いに基づく膜厚の
差を解消することはできない。
回転塗布する場合に、半導体ウェハの中心と周辺部とで
周速の違いにより雰囲気中へのレジスト溶媒の揮発速度
に差が生じ、その結果として中心と周辺部との膜厚に差
が生じる。この差はウェハの口径が大きくなるほど顕著
になるという傾向がある。また、半導体ウェハの温度
は、塗布の膜厚に大きな影響を与えることが知られてい
る。このため、半導体ウェハを均一に冷却する冷却プレ
ートやホルダ装置が提案され（特公平２−５３９３９
号、実開平１−１２５３５８号、実開平１−１１０４３
０号、特開昭６４−２８９１８号など）、また冷却手段
を備えたスピナーヘッドが提案されている（特開昭６２
−１９３２４８号、特開昭６２−１９３２４８号）。し
かし、このような従来の冷却方法では、半導体ウェハの
面内均一冷却、急速冷却を目的としており、部分的に面
内温度を制御するものではない。このように半導体ウェ
ハを均一に冷却した場合には、前述のような半導体ウェ
ハの中心と周辺部とにおける周速の違いに基づく膜厚の
差を解消することはできない。
【０００５】
【目的】この発明はこのような従来の塗布方法の難点を
解消し、被処理体の面内温度を制御して、極めて均一な
膜厚とすることができる処理方法を提供することを目的
とする。
解消し、被処理体の面内温度を制御して、極めて均一な
膜厚とすることができる処理方法を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
る本発明の処理方法は、被処理体を処理液を塗布して処
理する際に、被処理体に例えば同心円状の温度分布を持
たせたものである。被処理体に同心円状の温度分布を持
たせるには、塗布前冷却において、同心円状に温度が分
割制御された冷却プレートを用い、この冷却プレートで
予め冷却する、または、塗布用の被処理体支持部材とし
て同心円状に温度が分割制御されたものを用い、塗布中
に冷却する方法等がある。
る本発明の処理方法は、被処理体を処理液を塗布して処
理する際に、被処理体に例えば同心円状の温度分布を持
たせたものである。被処理体に同心円状の温度分布を持
たせるには、塗布前冷却において、同心円状に温度が分
割制御された冷却プレートを用い、この冷却プレートで
予め冷却する、または、塗布用の被処理体支持部材とし
て同心円状に温度が分割制御されたものを用い、塗布中
に冷却する方法等がある。
【０００７】
【作用】一般に、被処理体（例えば半導体ウェハ）を回
転させながら塗布液を被処理体に塗布する場合、図１に
示すように被処理体の温度が高い程、レジスト等処理液
の溶媒の揮発速度が速くなり、膜厚が厚くなり、温度が
低い程、溶媒の揮発速度が遅くなり、膜厚が薄くなる傾
向にある。一方、被処理体の中心と周辺部とで周速の違
いにより中心と周辺部との膜厚に差が生じ、この差は用
いる処理液、回転速度、雰囲気の条件等により異なる。
従って、これら条件により周辺部の膜厚が中心部の膜厚
よりも厚くなる場合には、その度合いに応じて周辺部の
温度が中心部の温度より低くなるように、また中心部の
膜厚が周辺部の膜厚よりも厚くなる場合にはその度合い
に応じて中心部の温度が周辺部の温度より低くなるよう
に、被処理体の温度を制御することにより、均一な膜厚
とすることができる。
転させながら塗布液を被処理体に塗布する場合、図１に
示すように被処理体の温度が高い程、レジスト等処理液
の溶媒の揮発速度が速くなり、膜厚が厚くなり、温度が
低い程、溶媒の揮発速度が遅くなり、膜厚が薄くなる傾
向にある。一方、被処理体の中心と周辺部とで周速の違
いにより中心と周辺部との膜厚に差が生じ、この差は用
いる処理液、回転速度、雰囲気の条件等により異なる。
従って、これら条件により周辺部の膜厚が中心部の膜厚
よりも厚くなる場合には、その度合いに応じて周辺部の
温度が中心部の温度より低くなるように、また中心部の
膜厚が周辺部の膜厚よりも厚くなる場合にはその度合い
に応じて中心部の温度が周辺部の温度より低くなるよう
に、被処理体の温度を制御することにより、均一な膜厚
とすることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図２に本発明の処理方法が適用されるレジスト
処理装置を示す。このレジスト処理装置１０１は、主と
してローダ部１０２と処理部１０３から成る。ローダ部
１０２は、被処理体である半導体ウェハ１０４を複数枚
収納したカセット１０５を複数（図では４個）載置する
カセットエレベータ１０６と、これらのカセット１０５
から半導体ウェハ１０４を搬入出するｘ、ｙ、θ方向に
移動自在の搬送機構１０７と、半導体ウェハ１０４を載
置可能な２本のステージピン１０９と半導体ウェハ１０
４の周辺部を挟持して位置合せを行なう２個のセンタリ
ングガイド１１０とが設けられたウェハ受渡機構１０８
とを備える。このウェハ受渡機構１０８は図示しない上
下移動装置に接続され処理部１０３との間で半導体ウェ
ハ１０４の受け渡しを行なう。
明する。図２に本発明の処理方法が適用されるレジスト
処理装置を示す。このレジスト処理装置１０１は、主と
してローダ部１０２と処理部１０３から成る。ローダ部
１０２は、被処理体である半導体ウェハ１０４を複数枚
収納したカセット１０５を複数（図では４個）載置する
カセットエレベータ１０６と、これらのカセット１０５
から半導体ウェハ１０４を搬入出するｘ、ｙ、θ方向に
移動自在の搬送機構１０７と、半導体ウェハ１０４を載
置可能な２本のステージピン１０９と半導体ウェハ１０
４の周辺部を挟持して位置合せを行なう２個のセンタリ
ングガイド１１０とが設けられたウェハ受渡機構１０８
とを備える。このウェハ受渡機構１０８は図示しない上
下移動装置に接続され処理部１０３との間で半導体ウェ
ハ１０４の受け渡しを行なう。
【０００９】一方、処理部１０３は、半導体ウェハ１０
４を処理する処理ユニット１１１〜１１５及び搬送装置
１１６を備え、この搬送装置１１６の搬送路に沿って処
理ユニット１１１〜１１５が配置されている。処理ユニ
ットは、半導体ウェハ１０４の上にレジストを塗布する
塗布装置１１１、１１２と、レジスト塗布前に半導体ウ
ェハ１０４とレジストとの密着性を向上するためにＨＭ
ＤＳ等により処理するアドヒージョン（ＡＤ）処理装置
１１３と、レジスト塗布後に塗布膜中に残存する溶剤を
蒸発させために加熱を行なうプリベーク装置１１４と、
これらＡＤ処理装置１１３及びプリベーク装置１１４で
加熱された半導体ウェハを冷却するための冷却装置１１
５とから成る。
４を処理する処理ユニット１１１〜１１５及び搬送装置
１１６を備え、この搬送装置１１６の搬送路に沿って処
理ユニット１１１〜１１５が配置されている。処理ユニ
ットは、半導体ウェハ１０４の上にレジストを塗布する
塗布装置１１１、１１２と、レジスト塗布前に半導体ウ
ェハ１０４とレジストとの密着性を向上するためにＨＭ
ＤＳ等により処理するアドヒージョン（ＡＤ）処理装置
１１３と、レジスト塗布後に塗布膜中に残存する溶剤を
蒸発させために加熱を行なうプリベーク装置１１４と、
これらＡＤ処理装置１１３及びプリベーク装置１１４で
加熱された半導体ウェハを冷却するための冷却装置１１
５とから成る。
【００１０】塗布装置１１１は、図３に示すように、主
として半導体ウェハ１０４を真空吸着等により載置保持
するチャック１と、チャック１上にあって、レジスト等
の塗布液を収納した収納容器２に図示しないフィルタ、
ベローズポンプ、サックバックバルブ等を介して接続さ
れた吐出ノズル３と、チャック１を覆うように設けられ
たカップ４とから成り、チャック１には、半導体ウェハ
１０４とチャック１を所望の回転数で高速回転させるた
めのモータ５が設けられており、このモータ５の回転数
は図示しない制御装置により所定のプログラムにしたが
って制御される。また、カップ４は下部に廃液処理装置
に接続された廃液口７及び排気口７Ａを備え、塗布液を
半導体ウェハに回転させながら塗布する際に半導体ウェ
ハの周縁から振切られた塗布液が周囲に飛散するのを防
止するとともに廃液を回収、及びカップ４内を排気す
る。更にカップ４は上下動可能になっており、半導体ウ
ェハの搬出入時にチャック１がカップ４の中央上部より
露出する位置に下降し、半導体ウェハの搬出入を容易な
らしめる。
として半導体ウェハ１０４を真空吸着等により載置保持
するチャック１と、チャック１上にあって、レジスト等
の塗布液を収納した収納容器２に図示しないフィルタ、
ベローズポンプ、サックバックバルブ等を介して接続さ
れた吐出ノズル３と、チャック１を覆うように設けられ
たカップ４とから成り、チャック１には、半導体ウェハ
１０４とチャック１を所望の回転数で高速回転させるた
めのモータ５が設けられており、このモータ５の回転数
は図示しない制御装置により所定のプログラムにしたが
って制御される。また、カップ４は下部に廃液処理装置
に接続された廃液口７及び排気口７Ａを備え、塗布液を
半導体ウェハに回転させながら塗布する際に半導体ウェ
ハの周縁から振切られた塗布液が周囲に飛散するのを防
止するとともに廃液を回収、及びカップ４内を排気す
る。更にカップ４は上下動可能になっており、半導体ウ
ェハの搬出入時にチャック１がカップ４の中央上部より
露出する位置に下降し、半導体ウェハの搬出入を容易な
らしめる。
【００１１】冷却装置１１５は、同心円状に温度分布を
有する冷却プレート８を備える。同心円状に温度分布を
有する冷却プレート８としては、例えば図４に示すよう
に同心円状に複数（図では３個）の冷却管９が内蔵され
た円形の冷却プレート８が使用される。この冷却プレー
ト８では、同心円状の３個の冷却管９が、それぞれ異な
る温度に設定された水等冷媒の供給系１０ａ、１０ｂ、
１０ｃに接続されており、異なる温度の冷媒が循環する
ように構成されている。そして上述の塗布装置１１１に
おけるレジストの粘度、チャック１の回転速度、カップ
内温度等の条件により、半導体ウェハの周縁部の膜厚が
厚く形成される傾向にある場合には、その膜厚の勾配に
応じて冷却プレート８の中心から周縁にいくに従って低
温になるように冷却プレート８の温度が設定される。
有する冷却プレート８を備える。同心円状に温度分布を
有する冷却プレート８としては、例えば図４に示すよう
に同心円状に複数（図では３個）の冷却管９が内蔵され
た円形の冷却プレート８が使用される。この冷却プレー
ト８では、同心円状の３個の冷却管９が、それぞれ異な
る温度に設定された水等冷媒の供給系１０ａ、１０ｂ、
１０ｃに接続されており、異なる温度の冷媒が循環する
ように構成されている。そして上述の塗布装置１１１に
おけるレジストの粘度、チャック１の回転速度、カップ
内温度等の条件により、半導体ウェハの周縁部の膜厚が
厚く形成される傾向にある場合には、その膜厚の勾配に
応じて冷却プレート８の中心から周縁にいくに従って低
温になるように冷却プレート８の温度が設定される。
【００１２】なお、冷却プレート８に同心円状に温度分
布を持たせるには、上記冷却管９の他、電子冷却する、
熱伝導率の異なる材料を同心円状に配置するなどの方法
がある。次にこのような構成のレジスト処理装置におけ
る本発明の塗布方法を説明する。
布を持たせるには、上記冷却管９の他、電子冷却する、
熱伝導率の異なる材料を同心円状に配置するなどの方法
がある。次にこのような構成のレジスト処理装置におけ
る本発明の塗布方法を説明する。
【００１３】まず、ローダ部１０２において搬送機構１
０７によってカセット１０５から処理前の半導体ウェハ
１０４が取り出されると、ウェハ受渡機構１０８がステ
ージピン１０９とセンタリングガイド１１０とにより半
導体ウェハ１０４を受取りセンタリングを行ない、次い
で処理部１０３の搬送装置１１６により半導体ウェハ１
０４をＡＤ処理装置１１３に搬送する。ＡＤ処理装置１
１３で半導体ウェハ１０４はＨＭＤＳ雰囲気中で約８０
〜１００℃に加熱される。ＡＤ処理後、半導体ウェハ１
０４は再び搬送装置１１６により搬送され、ＡＤ処理装
置１１３で加熱された半導体ウェハを冷却するための冷
却装置１１５の冷却プレート８上に載置される。
０７によってカセット１０５から処理前の半導体ウェハ
１０４が取り出されると、ウェハ受渡機構１０８がステ
ージピン１０９とセンタリングガイド１１０とにより半
導体ウェハ１０４を受取りセンタリングを行ない、次い
で処理部１０３の搬送装置１１６により半導体ウェハ１
０４をＡＤ処理装置１１３に搬送する。ＡＤ処理装置１
１３で半導体ウェハ１０４はＨＭＤＳ雰囲気中で約８０
〜１００℃に加熱される。ＡＤ処理後、半導体ウェハ１
０４は再び搬送装置１１６により搬送され、ＡＤ処理装
置１１３で加熱された半導体ウェハを冷却するための冷
却装置１１５の冷却プレート８上に載置される。
【００１４】冷却装置１１５では、冷却プレート８が予
め供給系１０ａ、１０ｂ、１０ｃから送られるそれぞれ
異なる温度に調節された冷媒によって同心円状に温度分
布ができており、例えば周辺部ほど温度が低く設定され
ており、このような冷却プレート８に載置された半導体
ウェハ１０４には、冷却プレート８の温度分布に従った
温度分布が形成される。
め供給系１０ａ、１０ｂ、１０ｃから送られるそれぞれ
異なる温度に調節された冷媒によって同心円状に温度分
布ができており、例えば周辺部ほど温度が低く設定され
ており、このような冷却プレート８に載置された半導体
ウェハ１０４には、冷却プレート８の温度分布に従った
温度分布が形成される。
【００１５】しかる後に半導体ウェハ１０４は搬送装置
１１６により塗布装置１１１に搬送され、カップ４が下
降した状態でチャック１に真空保持される。この搬送中
に、半導体ウェハ１０４の温度は周囲雰囲気の影響を受
けて変化するが、温度分布は維持される。搬送装置１１
６が退行してカップ４が上昇した後、吐出ノズル３より
チャック上の半導体ウェハ１０４の中央にレジストが滴
下され、所定のプログラムにしたがってチャック１が所
望の回転数で高速回転し、これによりレジストが半導体
ウェハ１０４の周縁に延伸、塗布される。ここで、半導
体ウェハ１０４の中心と周辺部とでその周速の違いによ
り周辺部の膜厚が中心部の膜厚よりも厚くなる傾向があ
る場合でも、半導体ウェハ１０４自体の温度が周辺部が
中心部より低くなるように設定されているので、周速に
よる膜厚の差が生じるのを相殺し、結果として極めて均
一な膜厚とすることができる。
１１６により塗布装置１１１に搬送され、カップ４が下
降した状態でチャック１に真空保持される。この搬送中
に、半導体ウェハ１０４の温度は周囲雰囲気の影響を受
けて変化するが、温度分布は維持される。搬送装置１１
６が退行してカップ４が上昇した後、吐出ノズル３より
チャック上の半導体ウェハ１０４の中央にレジストが滴
下され、所定のプログラムにしたがってチャック１が所
望の回転数で高速回転し、これによりレジストが半導体
ウェハ１０４の周縁に延伸、塗布される。ここで、半導
体ウェハ１０４の中心と周辺部とでその周速の違いによ
り周辺部の膜厚が中心部の膜厚よりも厚くなる傾向があ
る場合でも、半導体ウェハ１０４自体の温度が周辺部が
中心部より低くなるように設定されているので、周速に
よる膜厚の差が生じるのを相殺し、結果として極めて均
一な膜厚とすることができる。
【００１６】このように均一にレジスト膜が形成された
半導体ウェハ１０４は更にプリベーク装置１１４に搬送
され、ここで塗布膜中のレジスト溶剤を蒸発させるため
に加熱された後、プロセスによっては更に冷却装置１１
５で冷却され、露光・現像装置に搬送される。この際の
冷却においても、温度分布をもたせることが可能であ
る。即ち、一般に現像装置では、図５に示すようにチャ
ック１１に保持された半導体ウェハ１０４上に、現像液
１２を載せてカップ１３内で排気を行ないながら現像を
行なう。この際、排気の気流のため半導体ウェハ周辺部
の温度が中央部より下がり、現像速度が遅くなる傾向が
ある。従って、半導体ウェハを冷却する際に予め半導体
ウェハの温度を中央部より周辺部の方が高くなるように
冷却することにより、現像の際の温度を均一化し、現像
速度を均一にすることができる。
半導体ウェハ１０４は更にプリベーク装置１１４に搬送
され、ここで塗布膜中のレジスト溶剤を蒸発させるため
に加熱された後、プロセスによっては更に冷却装置１１
５で冷却され、露光・現像装置に搬送される。この際の
冷却においても、温度分布をもたせることが可能であ
る。即ち、一般に現像装置では、図５に示すようにチャ
ック１１に保持された半導体ウェハ１０４上に、現像液
１２を載せてカップ１３内で排気を行ないながら現像を
行なう。この際、排気の気流のため半導体ウェハ周辺部
の温度が中央部より下がり、現像速度が遅くなる傾向が
ある。従って、半導体ウェハを冷却する際に予め半導体
ウェハの温度を中央部より周辺部の方が高くなるように
冷却することにより、現像の際の温度を均一化し、現像
速度を均一にすることができる。
【００１７】以上の実施例では、塗布及び現像工程に先
立って冷却装置によって半導体ウェハに同心円状の温度
分布をもたせる場合について述べたが、塗布工程中にお
いて温度分布をもたせることもでき、前者の方法と組合
せてもよい。次に塗布工程中において温度分布をもたせ
る場合について説明する。図６に示す塗布装置１１１’
は、チャック１’の周囲にリング状の冷却プレート８’
を備えている。他の構成は、図３の塗布装置１１１と同
様であるので省略する。冷却プレート８’は例えばチャ
ック１’の一部に固定されており、同心円状に複数（図
では３個）配設された冷却管９を内蔵し、この冷却管９
にそれぞれ異なる温度に設定された水等冷媒が循環する
ように構成されている。尚、冷却管９の代りに電子冷却
等の手段を採用してもよい。
立って冷却装置によって半導体ウェハに同心円状の温度
分布をもたせる場合について述べたが、塗布工程中にお
いて温度分布をもたせることもでき、前者の方法と組合
せてもよい。次に塗布工程中において温度分布をもたせ
る場合について説明する。図６に示す塗布装置１１１’
は、チャック１’の周囲にリング状の冷却プレート８’
を備えている。他の構成は、図３の塗布装置１１１と同
様であるので省略する。冷却プレート８’は例えばチャ
ック１’の一部に固定されており、同心円状に複数（図
では３個）配設された冷却管９を内蔵し、この冷却管９
にそれぞれ異なる温度に設定された水等冷媒が循環する
ように構成されている。尚、冷却管９の代りに電子冷却
等の手段を採用してもよい。
【００１８】このような塗布装置１１１’においては、
ＡＤ処理後冷却装置１１５により冷却された半導体ウェ
ハ１０４は、チャック１’に保持されることによりチャ
ック１’及び冷却プレート８’の温度分布に従って温度
分布を生じ、この状態でレジストの滴下、チャック１’
の回転によるレジスト塗布が進行する。この温度分布
は、周速による膜厚の差が生じるのを相殺し、結果とし
て極めて均一な膜厚とすることができる。
ＡＤ処理後冷却装置１１５により冷却された半導体ウェ
ハ１０４は、チャック１’に保持されることによりチャ
ック１’及び冷却プレート８’の温度分布に従って温度
分布を生じ、この状態でレジストの滴下、チャック１’
の回転によるレジスト塗布が進行する。この温度分布
は、周速による膜厚の差が生じるのを相殺し、結果とし
て極めて均一な膜厚とすることができる。
【００１９】以上の実施例においては、被処理体である
半導体ウェハに温度分布をもたせる方法として、冷却装
置あるいは塗布装置における被処理体の冷却による場合
を説明したが、加熱装置によって半導体ウェハに温度分
布をもたせることも可能である。更に、本発明はレジス
ト塗布のみならず、一般に被処理体に塗布液を塗布して
塗布膜を形成する場合、例えば現像液を塗布する現像工
程等に適用できるのはいうまでもない。また、上記実施
例では同心円状の温度分布を持たせることについて、説
明したが、温度差による処理の不均一を補償するように
温度分布を持たせればよいのであり、例えば局部的に分
布させたり、階段状に分布させる等、実際のプロファイ
ルに対応して分布させてもよい。更に被処理基板として
は、半導体ウェハの他に、フォトマスク、ＬＣＤ基板、
方形状基板などの処理に適用可能である。
半導体ウェハに温度分布をもたせる方法として、冷却装
置あるいは塗布装置における被処理体の冷却による場合
を説明したが、加熱装置によって半導体ウェハに温度分
布をもたせることも可能である。更に、本発明はレジス
ト塗布のみならず、一般に被処理体に塗布液を塗布して
塗布膜を形成する場合、例えば現像液を塗布する現像工
程等に適用できるのはいうまでもない。また、上記実施
例では同心円状の温度分布を持たせることについて、説
明したが、温度差による処理の不均一を補償するように
温度分布を持たせればよいのであり、例えば局部的に分
布させたり、階段状に分布させる等、実際のプロファイ
ルに対応して分布させてもよい。更に被処理基板として
は、半導体ウェハの他に、フォトマスク、ＬＣＤ基板、
方形状基板などの処理に適用可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上の実施例からも明らかなように、本
発明の処理方法によれば被処理体の処理ファイルに温度
分布をもたせておくことにより、処理条件によって被処
理体の部分によって膜厚の差異が生じる傾向を相殺し、
極めて均一な処理を行なうことができる。
発明の処理方法によれば被処理体の処理ファイルに温度
分布をもたせておくことにより、処理条件によって被処
理体の部分によって膜厚の差異が生じる傾向を相殺し、
極めて均一な処理を行なうことができる。
【図１】レジスト膜の膜厚と半導体ウェハ温度との関係
を示す図
を示す図
【図２】本発明の塗布方法が適用されるレジスト処理装
置を示す図。
置を示す図。
【図３】塗布装置の一実施例を示す図。
【図４】冷却装置の一実施例を示す図。
【図５】現像装置の一実施例を示す図。
【図６】塗布装置の他の実施例を示す図。
１、１’・・・・・・チャック ８・・・・・・冷却プレート ９・・・・・・冷却管 １０４・・・・・・半導体ウェハ １１１、１１１’・・・・・・塗布装置 １１５・・・・・・冷却装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 7/16 7818−2Ｈ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】被処理体に処理液を塗布して処理する際
に、前記被処理体に温度分布を持たせたことを特徴とす
る処理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187791A JPH0536597A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 処理方法 |
| KR1019920013314A KR0175071B1 (ko) | 1991-07-26 | 1992-07-24 | 도포방법 |
| US08/186,879 US5580607A (en) | 1991-07-26 | 1994-01-26 | Coating apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3187791A JPH0536597A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0536597A true JPH0536597A (ja) | 1993-02-12 |
Family
ID=16212290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3187791A Pending JPH0536597A (ja) | 1991-07-26 | 1991-07-26 | 処理方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0536597A (ja) |
| KR (1) | KR0175071B1 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068490A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Sony Corp | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
| JP2001102297A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-04-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及びその方法 |
| KR100339875B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2002-10-11 | (주) 대홍기업 | 판형 히팅 장치 |
| KR100603925B1 (ko) * | 1999-01-13 | 2006-07-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 애싱설비 |
| JP2009170623A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体。 |
| JP2011035186A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理装置、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2015092523A (ja) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| KR20220031497A (ko) | 2020-09-04 | 2022-03-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100793170B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-01-10 | 세메스 주식회사 | 베이크 장치 및 방법 |
| KR100833658B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2008-05-29 | 세메스 주식회사 | 감광액 도포 방법 |
| KR101019213B1 (ko) * | 2008-11-18 | 2011-03-04 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
| KR101780286B1 (ko) | 2015-12-09 | 2017-09-21 | 현대자동차주식회사 | Avn의 동작 방법, avn, 이를 포함하는 차량 |
-
1991
- 1991-07-26 JP JP3187791A patent/JPH0536597A/ja active Pending
-
1992
- 1992-07-24 KR KR1019920013314A patent/KR0175071B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100339875B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2002-10-11 | (주) 대홍기업 | 판형 히팅 장치 |
| KR100603925B1 (ko) * | 1999-01-13 | 2006-07-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체 제조용 애싱설비 |
| JP2001102297A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-04-13 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及びその方法 |
| JP2001068490A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Sony Corp | 回転塗布装置および回転塗布方法 |
| JP2009170623A (ja) * | 2008-01-16 | 2009-07-30 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体。 |
| JP2011035186A (ja) * | 2009-08-03 | 2011-02-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布処理装置、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2015092523A (ja) * | 2013-11-08 | 2015-05-14 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| KR20220031497A (ko) | 2020-09-04 | 2022-03-11 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 기억 매체 및 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0175071B1 (ko) | 1999-04-01 |
| KR930003263A (ko) | 1993-02-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19981117 |