KR100793170B1 - 베이크 장치 및 방법 - Google Patents

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KR100793170B1
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오창석
한기원
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 스피너 설비에 구비되어 기판을 가열 및 냉각시키는 베이크 공정을 수행하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 베이크 장치는 공정시 기판을 지지하는 지지부재, 공정시 상기 지지부재에 안착된 기판 영역들의 온도를 독립적으로 조절하는 온도조절부재, 공정시 기판의 휘어짐을 감지하는 감지부재, 그리고 상기 감지부재로부터 데이터를 전송받아, 기판의 휘어짐의 여부 및 휘어짐의 정도를 판단하여 상기 온도조절부재의 가열 또는 냉각 온도를 제어하는 제어부를 포함한다. 본 발명에 따른 베이크 장치 및 방법은 베이크 공정시 기설정된 기판의 영역들의 온도를 독립적으로 조절함으로써, 기판 전반의 온도가 균일한 온도를 갖도록 조절한다. 특히, 본 발명은 온도 불균일에 따른 기판의 휘어짐이 발생되었을 때, 그 휘어짐의 정도를 판단하여 기판 영역들의 온도를 독립적으로 조절함으로써 기판 전반의 온도를 균일하게 조절한다.
스피너, 베이크, 가열, 냉각, 온도, 휘어짐, 휨,

Description

베이크 장치 및 방법{BAKE APPARATUS AND METHOD}
도 1은 본 발명에 따른 베이크 장치를 구비하는 스피너 설비의 개략적인 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 제1 베이크 장치의 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시된 A-A'선을 절단한 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 가열부재를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가열부재를 보여주는 도면이다.
도 6는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 베이크 장치의 구성도이다.
도 7은 도 1에 도시된 제2 베이크 장치의 구성도이다.
도 8은 본 발명에 따른 제1 베이크 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 베이크 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 본 발명에 따른 제2 베이크 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 도 10의 제2 베이크 장치의 공정시 감지빔이 휘어짐이 발생된 기판에 의해 간섭되는 모습을 보여주는 확대도이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명*
1 : 스피너 설비 200 : 제2 베이크 장치
10 : 인덱서부 210 : 하우징
20 : 공정처리부 220 : 지지부재
30 : 인터페이스부 230 : 가열부재
40 : 노광 공정부 240 : 감지부재
100 : 제1 베이크 장치 250 : 제2 제어기
110 : 하우징
120 : 지지부재
130 : 가열부재
140 : 감지부재
150 : 제1 제어기
본 발명은 베이크 장치 및 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반도체 스피너 설비에 구비되어 기판을 가열 및 냉각시키는 베이크 공정을 수행하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광설비가 연결되어 도포공정, 노광공정, 그리고 현상공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 도포공정, 베이크 공정, 그리고 현상 공정을 순차적 또는 선택적으로 수행한다. 여기서, 베이크 공정은 웨이퍼 상에 형성된 감광액막을 강화시키기 위해, 또는 웨이퍼의 온도가 기설정된 온도를 만족시키기 위해 웨이퍼를 가열 및 냉각시키는 공정이다.
이러한 베이크 공정을 수행하는 장치는 내부에 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공하는 하우징과, 상기 하우징 내부에 설치되어 공정시 웨이퍼의 온도를 조절하는 온도조절부재를 포함한다. 온도조절부재는 상부에 웨이퍼가 안착되는 안착면을 제공하며, 내부에는 적어도 하나의 가열블럭 또는 냉각블럭이 설치된다. 가열블럭은 공정시 웨이퍼를 기설정된 공정 온도로 가열시키고, 냉각블럭은 공정시 웨이퍼를 기설정된 공정 온도로 냉각한다.
그러나, 상술한 베이크 장치는 베이크 공정시 온도조절부재가 웨이퍼를 가열 또는 냉각할 때 웨이퍼가 휘어지는 현상이 발생된다. 이는 웨이퍼 표면에 형성된 막질과 웨이퍼 상호간의 열팽창계수가 상이하므로, 온도조절부재에 의해 웨이퍼의 온도가 조절될 때, 웨이퍼와 막질이 서로 다른 속도로 열팽창을 하기 때문에 발생된다. 또한, 웨이퍼가 휘어지는 현상은 온도조절부재가 웨이퍼의 가열 또는 냉각시 웨이퍼 전반의 온도가 불균일하여 발생된다. 웨이퍼 전반의 온도가 불균일하면, 후속 공정에서 공정 오류가 발생되어 공정 수율이 저하된다.
상술한 문제점을 해결하기 위해 본 발명은 베이크 공정을 효율적으로 수행하는 베이크 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 베이크 공정시 기판이 휘어지는 현상을 방지하는 베이크 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 베이크 공정시 웨이퍼의 온도가 불균일하여 기판의 휘어짐이 발생되었을 때, 기판 전반의 온도를 균일하게 조절하는 베이크 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 베이크 장치는 공정시 기판을 지지하는 지지부재, 공정시 상기 지지부재에 안착된 기판 영역들의 온도를 독립적으로 조절하는 온도조절부재, 공정시 기판의 휘어짐을 감지하는 감지부재, 그리고 상기 감지부재로부터 데이터를 전송받아, 기판의 휘어짐의 여부 및 휘어짐의 정도를 판단하여 상기 온도조절부재의 가열 또는 냉각 온도를 제어하는 제어부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 온도조절부재는 상기 지지부재에 제공되며, 공정시 상기 영역들 각각을 가열시키는 복수의 가열블럭들을 포함하고, 상기 제어부는 공정시 상기 데이터를 판단하여 상기 기판의 휘어짐이 발생되면, 상기 기판의 중앙영역보다 가장자리영역이 더 가열되도록 상기 가장자리 영역을 가열하는 가열블럭들의 가열 온도를 제어한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 온도조절부재는 상기 지지부재에 제공되 며, 공정시 상기 영역들 각각을 냉각시키는 복수의 냉각블럭들을 포함하고, 상기 제어부는 공정시 상기 데이터를 판단하여 상기 기판의 휘어짐이 발생되면, 상기 기판의 가장자리영역보다 중앙영역이 더 냉각되도록 상기 중앙영역을 냉각하는 냉각블럭들의 냉각 온도를 제어한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 감지부재는 공정시 기판의 처리면 상부를 수평으로 가로지르는 감지빔을 방출하는 발광센서 및 상기 발광센서가 방출하는 감지빔을 수신하는 수광센서를 포함하되, 상기 감지빔은 공정시 휘어짐이 발생된 기판의 영역에 의해 일정 부분이 간섭된 후 일부가 상기 수광센서에 도달되도록 일정한 폭과 높이를 가지며, 상기 제어부는 상기 수광센서가 수신하는 상기 감지빔의 수신량에 의해 상기 기판의 휘어짐의 여부 및 휘어짐의 정도를 판단한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 감지부재는 공정시 상기 기판의 처리면과 대향되는 위치에서 상기 기판의 영역들과의 거리를 감지하는 복수의 거리감지센서들을 포함하고, 상기 제어부는 상기 거리감지센서들이 감지한 데이터들을 전송받아, 상기 거리감지센서가 감지하는 상기 영역들의 온도를 제어하도록 상기 온도조절부재를 제어한다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 베이크 방법은 공정시 기판의 영역들을 독립적으로 가열시키되, 각각의 상기 영역들의 휘어짐을 감지하여, 상기 휘어짐의 여부 및 상기 휘어짐의 정도에 따라 상기 영역들의 가열 온도를 변화시켜, 상기 기판 전반이 균일한 온도를 갖도록 하되, 상기 기판의 휘어짐이 발생되면, 상기 기판의 가장자리 영역의 가열 온도를 상승시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 휘어짐의 감지는 공정시 상기 기판의 처리면과 대향되는 위치에서 각각의 상기 영역들과의 거리를 감지하여 상기 거리가 기설정된 거리를 벗어나는지 여부를 판단함으로서 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 휘어짐의 감지는 공정시 상기 기판의 측방향에서 상기 기판의 처리면 상부를 수평으로 가로지며 상하로 일정 높이를 가지는 감지빔을 수광센서로 전송하는 발광센서 및 상기 수광센서로부터 상기 감지빔의 수신량의 변화를 감지하여 이루어진다.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 베이크 방법은 공정시 기판의 영역들을 독립적으로 냉각시키되, 각각의 상기 영역들의 휘어짐을 감지하여, 상기 휘어짐의 여부 및 상기 휘어짐의 정도에 따라 상기 영역들의 냉각 온도를 변화시켜, 상기 기판 전반이 균일한 온도를 갖도록 하되, 상기 기판의 휘어짐이 발생되면, 상기 기판의 중앙 영역의 냉각 온도를 감소시킨다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 휘어짐의 감지는 공정시 상기 기판의 처리면과 대향되는 위치에서 각각의 상기 영역들과의 거리를 감지하여 상기 거리가 기설정된 거리를 벗어나는지 여부를 판단함으로서 이루어진다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상기 휘어짐의 감지는 공정시 상기 기판의 측방향에서 상기 기판의 처리면 상부를 수평으로 가로지며 상하로 일정 높이를 가지는 감지빔을 수광센서로 전송하는 발광센서 및 상기 수광센서로부터 상기 감지빔의 수신량의 변화를 감지하여 이루어진다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설 명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
또한, 본 실시예에서는 스피너 설비에 구비되어 반도체 기판의 온도를 조절하는 베이크 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였으나, 본 발명은 다양한 종류의 기판을 가열 및 냉각시키는 모든 반도체 및 평판 디스플레이 제조 장치에 적용이 가능할 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 기판의 온도를 조절하는 온도조절부재(temperature control member)가 기판의 가열하는 가열부재(heating member) 및 기판을 냉각하는 냉각부재(cooling member)를 포함하고, 이들의 설명은 가열부재를 구비하는 제1 베이크 장치와 냉각부재(cooling member)를 구비하는 제2 베이크 장치를 나뉘어 설명한다.
(실시예)
도 1은 본 발명에 따른 처리액 도포 방법이 적용되는 스피너 설비의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 제1 베이크 장치의 구성도이다. 그리고, 도 3은 도 2에 도시된 A-A'선을 절단한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 스피너 설비(spinner facility)(1)는 인덱 서부(10), 공정 처리부(20), 인터페이스부(30), 그리고 노광 처리부(40)를 포함한다. 인덱서부(10)는 복수의 반도체 기판(W)을 수용하는 카세트(C)와 공정 처리부(20) 상호간에 기판(W)을 이송시킨다. 인덱서부(10)에는 카세트(C)로부터 공정 처리부(20)의 각각의 모듈(module)(100)들 상호간에 기판(W)을 이송 및 반송시키는 이송 유닛(12)이 설치된다. 공정 처리부(20)는 복수의 공정 모듈(process module)들을 가진다. 일 실시예로서, 공정 모듈들은 도포 모듈(Coater Module)(22), 현상 모듈(Develop module)(24), 그리고 베이크 모듈(Bake Module)을 포함한다. 각각의 도포 모듈(22) 및 현상 모듈(24), 그리고 베이크 모듈 각각은 서로 상하및 좌우로 복수개가 나란히 배치될 수 있다. 여기서, 베이크 모듈은 본 발명의 제1 베이크 장치(100) 및 제2 베이크 장치(200)를 포함한다. 공정 처리부(20)에는 각각의 모듈들(22, 24, 26, 100) 및 인덱서부(10), 그리고 인터페이스부(30) 상호간에 기판(W)을 이송하는 이송 유닛(22)이 설치된다. 인터페이스부(30)는 공정 처리부(20)와 노광 처리부(40) 사이의 인터페이스 기능을 수행하고, 노광 처리부(40)는 기판(W)상에 패턴(pattern)을 형성시키는 노광 공정을 수행한다.
제1 베이크 장치(100)는 공정시 기판(W)을 기설정된 공정온도로 가열한다. 도 1를 참조하면, 제1 베이크 장치(100)는 하우징(housing)(110), 지지부재(support member)(120), 가열부재(heating member)(130) 감지부재(sensing member)(140), 그리고 제1 제어기(first controller)를 포함한다. 하우징(110)은 내부에 베이크 공정(bake process)을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(110) 내 공간은 공정시 온도 및 압력 등의 공정 조건을 만족한다. 하우징(110)의 일측에는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 기판 출입구(112)가 제공된다.
지지부재(120)는 공정시 기판(W)을 지지한다. 지지부재(120)는 몸체(122), 기판 가이드(124), 지지돌기(126)를 포함한다. 몸체(122)는 대체로 원통형상을 가진다. 몸체(122)의 상부에는 공정시 기판(W)을 지지하기 위한 기판 가이드(124) 및 지지돌기(126)가 설치된다. 기판 가이드(124)는 공정시 기판(W)의 가장자리 일부를 안착시킨다. 기판 가이드(124)는 복수개가 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 환형으로 배치된다. 지지돌기(126)는 공정시 기판 가이드(124)에 안착된 기판(W)의 피처리면을 지지한다. 지지돌기(126)는 복수개가 몸체(122)의 상부면으로 돌출되어, 공정시 기판 가이드(124)에 기판(W)이 안착되었을 때 기판(W)의 피처리면을 지지한다.
가열부재(130)는 공정시 기판(W)을 기설정된 공정온도로 가열한다. 가열부재(130)는 복수개의 가열블럭(heating block)을 포함한다. 이때, 각각의 가열블럭들은 공정시 기판(W)의 중앙 영역을 가열하는 중앙부 가열블럭들(center-section heating block)과 기판(W)의 가장자리 영역을 가열하는 가장자리부 가열블럭들(edge-section heating block)을 포함한다. 일 실시예로서, 도 3을 참조하면, 가열부재(130)는 제1 내지 제3 가열블럭(132, 134, 136)을 포함한다. 제1 내지 제3 가열블럭(132, 134, 136)은 몸체(122)에 설치된다. 제1 가열블럭(132)은 몸체(122)의 제1 영역(a1)에 배치되고, 제2 가열블럭(134)은 제1 영역(a2)을 외부에서 환형으로 감싸는 제2 영역(a2)에 배치된다. 그리고, 제3 가열블럭(136)은 제2 영역(a2)을 외부에서 환형으로 감싸는 제3 영역(a3)에 배치된다. 상술한 구조로 인해, 제1 가열블럭(132)은 기판(W)의 중앙영역을 가열하고, 제2 가열블럭(134)은 제1 가열블럭(132)이 가열하는 기판(W)의 중앙영역의 외부 영역을 가열한다. 그리고, 제3 가열블럭(136)은 기판(W)의 가장자리 영역을 가열한다. 각각의 제1 내지 제3 가열블럭(132, 134, 136)은 복수의 가열블럭들을 구비할 수 있으며, 각각의 가열블럭들은 몸체(122) 상부면의 중심을 기준으로 균등한 각도로 환형으로 배치되는 것이 바람직하다.
여기서, 특히 제1 가열블럭(132) 및 제3 가열블럭(136) 각각은 공정시 기판(W)의 중앙영역과 가장자리 영역이 독립적으로 균등한 온도로 가열되는 것이 바람직하다. 즉, 베이크 공정시에는 기판(W) 표면에 형성된 막질과 기판(W)의 열팽창계수의 차이로 인해 기판(W)이 휘어지는 현상이 발생될 수 있으며, 휘어진 기판(W)의 온도 보정을 위해서는 기판(W)의 중앙영역과 가장자리 영역의 온도를 균일한 온도로 변화시키는 것이 바람직하다. 따라서, 제1 가열블럭(132)에 구비되는 가열블럭들은 서로 동일한 온도로 기판(W)의 중앙영역을 가열하는 것이 바람직하고, 제3 가열블럭(136)에 구비되는 가열블럭들은 서로 동일한 온도로 기판(W)의 가장자리 영역을 가열하는 것이 바람직하다. 그러나, 선택적으로 제1 및 제3 가열블럭(132, 136)들에 구비되는 각각의 가열블럭들은 각각의 가열블럭들에 할당된 영역들을 서로 다른 온도로 가열할 수도 있다.
본 실시예에서는 가열부재(130)가 제1 내지 제3 가열블럭(132, 134, 136)을 포함하여 기판(W)의 전반을 가열하는 구조를 예로 들어 설명하였으나, 가열블럭들의 개수 및 배치, 그리고 구비방식 등의 조건은 다양하게 응용될 수 있다. 예컨대, 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 가열부재(130')는 보다 많은 개수의 가열블럭들(H)을 구비하여 기판(W)의 각각의 영역들을 독립적으로 가열할 수 있다. 상술한 구조의 가열부재(130')는 기판(W)의 세분화된 영역들의 온도를 독립적으로 제어할 수 있어, 공정시 기판(W)의 온도 조절을 정밀하게 제어한다. 또는, 도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 가열부재(130'')는 서로 다른 가열 세기를 가지는 복수의 가열블럭들(H)을 기판(W)의 각각의 영역들을 독립적으로 가열할 수 있다. 상술한 실시예에서는 가열블럭들(H)이 규칙적인 배열로 설치되는 경우를 예로 들어 설명하였으나, 가열블럭들(H)의 배치는 선택적으로 불규칙적일 수도 있다.
감지부재(140)는 베이크 공정시 기판(W)의 휘어짐을 감지한다. 일 실시예로서, 감지부재(140)는 발광센서(142) 및 수광센서(144)를 포함한다. 발광센서(142) 및 수광센서(144)는 몸체(122)에 서로 마주보도록 고정설치된다. 발광센서(142)는 공정시 지지부재(120)의 기판 가이드(122a)에 안착된 기판(W)의 상부를 수평으로 가로지르는 감지빔(B)을 발광하고, 수광센서(144)는 상기 감지빔(B)을 수신한다. 발광센서(142) 및 수광센서(144)는 한 세트씩 구비되며, 이때, 발광센서(142) 및 수광센서(144)는 복수의 세트가 설치될 수도 있다.
여기서, 감지빔(B)은 상하로 높이를 가지는 감지신호이다. 예컨대, 감지빔(B)은 상하 높이가 일정 높이를 가지는 빔 형상의 감지신호이다. 상술한 감지빔(B)의 이동 경로 상에 특정 대상물이 간섭되면, 간섭되는 감지빔(B)을 제외한 나머지 부분만이 통과된 후 수광센서(144)로 이동하게 된다. 따라서, 수광센서(144) 는 감지빔(B)의 수신량의 변화에 따른 상기 특정 대상물의 간섭 여부 정도를 파악할 수 있다. 여기서, 상기 특정 대상물은 반도체 기판(W)이다. 감지부재(140)의 기판(W)의 휘어짐을 감지하는 과정은 후술하겠다.
본 실시예에서는 감지부재(140)가 적어도 하나의 발광센서 및 수광센서를 구비하여 기판(W)의 휘어짐을 감지하는 방식을 예로 들어 설명하였으나, 감지부재(140)가 공정시 기판(W)의 휘어짐을 감지하는 방식은 다양한 기술이 적용될 수 있다. 예컨대, 도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 감지부재(140')는 복수개의 거리감지센서들을 포함한다. 일 실시예로서, 감지부재(140')는 제1 내지 제3 거리감지센서들(142, 144, 146)을 포함한다. 제1 내지 제3 거리감지센서들(142, 144, 146)들은 하우징(110)의 내측벽에 고정설치된다. 제1 거리감지센서(142)는 적어도 하나의 거리감지센서들을 구비하여, 공정시 기판(W)의 중앙 영역과의 거리를 감지하고, 제3 거리감지센서(146)는 적어도 하나의 거리감지센서들을 구비하여, 공정시 기판(W)의 가장자리 영역과의 거리를 감지한다. 그리고, 제2 거리감지센서(144)는 적어도 하나의 거리감지센서들을 구비하여, 기판(W)의 중앙영역과 가장자리영역 사이의 영역과의 거리를 감지한다.
제1 제어기(150)는 감지부재(140)가 감지한 데이터를 전송받아, 기판(W)의 영역별로 휘어짐의 여부 및 휘어짐의 정도를 판단하여, 각각의 영역들을 가열하는 가열부재(120)의 가열 온도를 제어한다. 즉, 제1 제어기(150)는 수광센서(144)가 수신한 감지빔(B)의 수신량을 판단하여, 기판(W) 영역들 중 휘어짐이 발생한 영역을 판단하여, 그 휘어짐이 발생된 영역을 가열하는 가열블럭(H)의 가열온도를 조절 한다.
계속해서, 본 발명에 따른 제2 베이크 장치(200)의 구성을 상세히 설명한다.도 7은 도 1에 도시된 제2 베이크 장치의 구성도이다. 도 2를 참조하면, 제2 베이크 장치(200)는 공정시 기판(W)을 기설정된 공정온도로 냉각(cooling)한다. 여기서, 기설정된 공정온도는 대략 23℃ 내지 25℃일 수 있다. 제2 베이크 장치(200)는 하우징(210), 지지부재(220), 냉각부재(cooling member)(230), 감지부재(240), 그리고 제2 제어기(second controller)(250)를 포함한다. 하우징(210)은 내부에 기판(W)의 온도를 냉각시키는 베이크 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 하우징(210)의 일측에는 공정시 기판(W)의 출입이 이루어지는 기판 출입구(212)가 제공된다. 하우징(210) 내 공간은 공정시 기판(W)을 냉각하기 위한 온도 및 압력 조건을 만족한다. 지지부재(220)는 공정시 기판(W)을 지지한다. 지지부재(220)는 제1 베이크 장치(100)의 지지부재(120)의 구조와 동일한 구성을 가진다. 냉각부재(230)는 공정시 기판(W)을 기설정된 공정온도로 냉각한다. 냉각부재(230)는 다수의 냉각블럭(C)을 포함한다. 각각의 냉각블럭(C)들은 상술한 가열블럭(H)들과 동일한 구조 및 구성, 그리고 배치를 가지며, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 즉, 냉각블럭들(C)은 가열블럭들(H)과 동일한 구성을 가지며, 가열블럭들(H)의 가열 온도보다 상대적으로 낮은 온도로 기판(W)을 냉각한다. 또한, 감지부재(240)는 상술한 감지부재(140, 140')와 동일한 구성 및 기능을 가진다.
제2 제어기(250)는 감지부재(240)로부터 데이터를 전송받아, 냉각부재(230)의 기판 냉각 온도를 조절한다. 즉, 제2 제어기(250)는 감지부재(240)의 수광센 서(244)가 감지하는 감지빔(B)의 수신량에 따라, 기판(W)의 영역들 중 휘어짐이 발생된 영역을 냉각하는 냉각블럭(C)의 온도를 조절하여, 기판(W)의 휘어짐을 감소시킨다.
본 발명에서는 제2 베이크 장치(200)의 지지부재(220) 및 냉각부재(230)가 제1 베이크 장치(100)의 지지부재(120) 및 가열부재(130)와 동일한 구조 및 구성, 그리고 배치를 가지는 것을 예로 들어 설명하였으나, 제2 베이크 장치(200)의 지지부재(220) 및 냉각부재(240)의 구체적인 구조, 구성, 그리고 구비 방식은 제1 베이크 장치(100)의 지지부재(120) 및 가열부재(130)와 상이할 수 있다.
이하, 상술한 구성을 가지는 제1 및 제2 베이크 장치(100, 200)의 공정 과정을 상세히 설명한다. 여기서, 상술한 구성들과 동일한 구성에 대한 참조번호는 동일하게 병기하고, 그 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 8은 본 발명에 따른 제1 베이크 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이고, 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 베이크 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이다. 그리고, 도 10은 본 발명에 따른 제2 베이크 장치의 공정 과정을 설명하기 위한 도면이고, 도 11은 도 10의 제2 베이크 장치의 공정시 감지빔이 휘어짐이 발생된 기판에 의해 간섭되는 모습을 보여주는 확대도이다.
스피너 설비(1)의 기판처리공정이 개시되면, 복수의 기판(W)을 수납한 카세트(C)는 인덱서부(10)에 안착되고, 이송 유닛(12)은 카세트(C) 내 기판(W)을 순차적으로 공정 처리부(20)로 이송한다. 공정 처리부(2)의 이송 유닛(22)은 기판(W)을 순차적 또는 선택적으로 각각의 베이크 모듈들로 이송한다.
여기서, 베이크 공정은 기판(W)을 가열하는 베이크 공정(이하, '제1 베이크 공정') 및 기판(W)을 냉각하는 베이크 공정(이하, '제2 베이크 공정')을 포함한다. 제1 베이크 공정은 감광액의 도포 전 단계(예컨대, 어드히젼 공정(adhesion process)), 감광액의 도포 후 단계(예컨대, 소프트 베이크 공정(soft bake process)), 노광 공정 후 베이크 공정, 그리고 현상 공정 후 하드 베이크 공정(hard bake process) 등으로 나뉜다. 그리고, 제2 베이크 공정은 상술한 베이크 공정들을 수행하는 과정에서 기판(W)의 온도 냉각하기 위해 부가되는 공정이다. 예컨대, 제2 베이크 공정은 기판처리공정을 완료한 기판(W)을 스피너 설비(1)로부터 반출시키기 전에 기판(W)을 상온으로 냉각하는 공정을 포함한다.
제1 베이크 장치(100)로 이송된 기판(W)은 기판 출입구(112)를 통해 하우징(110) 내 공간으로 인입된 후 지지부재(120)의 기판(W) 가이드(122a)에 안착된다. 기판(W)이 기판 가이드(122a)에 안착되면, 가열부재(130)는 기판(W)을 기설정된 공정온도로 가열한다. 이때, 기판(W)의 제1 베이크 공정시에는 기판(W) 표면에 생성된 막질과 기판(W)과의 열팽창률의 차이에 따른 웨이퍼(W)가 휘어지는 현상이 발생된다. 특히, 기판(W)의 가열시에는 대부분 기판(W)이 아래로 볼록한 형상으로 휘어진다. 기판(W) 표면에 형성된 막질과 기판(W)의 열팽창률의 다르고, 기판(W)의 중앙 영역과 가장자리 영역의 면적이 다르므로, 기판(W)의 중앙영역이 가장자리영역보다 효과적으로 가열되어 높은 온도를 갖기 때문이다. 따라서, 제1 제어기(150)는 휘어진 기판(W)을 원상태로 복귀하도록 가열부재(130)의 가열 온도를 조절한다. 제1 제어기(150)가 기판(W) 전반의 온도를 균일하게 하는 과정은 다음과 같다.
도 8을 참조하면, 기판(W)이 지지부재(120)에 안착되어 가열되면, 발광센서(142)는 수광센서(144)로 감지빔(B)을 방출한다. 이때, 기판(W)의 휘어짐이 발생된 영역에 의해 감지빔(B)의 상하 높이(X) 중 일부(X1)는 휘어짐이 발생된 기판(W)의 영역과 간섭되므로, 감지빔(B) 중 간섭이 이루어지지 않은 나머지 부분(X2)만이 수광 센서(144)로 전송된다. 제1 제어기(150)는 수광 센서(144)로 전송된 감지빔(B)의 수신량을 판단하여, 기판(W)의 휘어짐 여부 및 휘어짐의 정도를 판단한 후 이에 비례하여 제3 가열블럭(136)의 가열 온도를 상승시킨다. 제3 가열블럭(136)의 가열 온도가 상승되면, 기판(W) 전반의 온도가 균일하게 된다.
또한, 도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 베이크 장치(100)의 감지부재(140')는 기판(W)의 제1 베이크 공정시, 거리감지센서(142, 144, 146)들 각각은 기판(W)의 할당된 영역들과의 거리를 감지하고, 감지한 데이터를 제1 제어기(150)로 전송한다. 제1 제어기(150)는 전송받은 데이터를 판단하여, 감지부재(140')가 감지한 기판(W)과의 거리가 기설정된 거리를 벗어나는지 여부를 판단한다. 만약, 기판(W)이 아래로 볼록한 형상으로 휘어지면, 거리감지센서(146)가 감지한 거리가 기설정된 거리보다 짧게 된다. 따라서, 제1 제어기(150)는 제3 가열블럭(136)의 가열온도를 상승시켜, 기판(W) 전반에 균일한 온도를 갖도록 한다.
본 실시예에서는 제1 베이크 공정시 기판(W)의 아래로 볼록한 형상으로 휘어지는 경우에 기판(W) 전반의 온도를 균일한 온도로 조절시키는 경우를 예로 들어 설명하였다. 그러나, 기판(W)이 휘어지는 형상은 다양하게 변경될 수 있으므로, 이 에 따른 기판(W)의 영역별 가열은 다양한 방식으로 적용될 수 있다.
상술한 제1 베이크 공정이 완료되면, 기판(W)은 제1 베이크 장치(100)로부터 도포 모듈(22)로 이송되고, 도포 모듈(22)은 기판(W)상에 감광액을 균일하게 도포한다. 감광액이 도포된 기판(W)은 이송 유닛(26)에 의해 인터페이스부(30)로 이송되고, 인터페이스부(30)는 다시 기판(W)은 노광 공정부(40)로 이송한다. 노광 공정부(40)는 노광 공정을 수행하여, 기판(W) 상이 공정상 요구되는 패턴(pattern)을 전사한다. 노광 공정이 완료된 기판(W)은 인터페이스부(30)에 의해 공정 처리부(20)의 현상 모듈(24)로 이송된다. 현상 모듈(24)은 현상 공정을 수행한다. 현상 공정이 완료된 기판(W)은 제2 베이크 장치(200)로 이송된다. 제2 베이크 장치(200)는 기판(W)을 기설정된 공정 온도로 냉각한다. 제2 베이크 장치(200)의 공정 과정음 다음과 같다.
제2 베이크 장치(200)로 이송된 기판(W)은 지지부재(220)의 기판 가이드(222)에 안착된다. 기판 가이드(222)에 기판(W)이 안착되면, 냉각부재(230)는 기판(W)을 기설정된 공정 온도, 예컨대, 23℃로 냉각한다. 이때, 기판(W)의 제2 베이크 공정시에는 기판(W) 표면에 생성된 막질과 기판(W)과의 열팽창률의 차이에 따른 웨이퍼(W)가 휘어지는 현상이 발생된다. 특히, 기판(W)의 가열시에는 대부분 기판(W)이 위로 볼록한 형상으로 휘어진다. 이는 기판(W)의 중앙영역이 기판(W)의 가장자리보다 높은 온도를 가지기 때문이다. 따라서, 제2 제어기(250)는 기판(W) 전반의 온도가 균일한 온도를 갖도록 냉각부재(230)의 냉각 온도를 조절한다. 제2 제어기(250)가 기판(W)의 온도를 균일하게 조절하는 과정은 다음과 같다.
도 10을 참조하면, 기판(W)이 지지부재(220)에 안착되어 가열되면, 발광센서(242)는 수광센서(244)로 감지빔(B)을 전송한다. 이때, 도 11을 참조하면, 기판(W)의 휘어짐이 발생된 영역에 의해 감지빔(B)의 상하 높이(X) 중 일부(X1)와 간섭되므로, 감지빔(B) 중 간섭이 이루어지지 않은 나머지 부분(X2)만이 수광 센서(244)로 전송된다. 제2 제어기(250)는 수광 센서(244)로 전송된 감지빔(B)의 수신량을 판단하여, 기판(W)의 휘어짐 여부를 판단한 후 휘어짐의 정도에 따라 제1 냉각판(232)의 냉각 온도를 감소시킨다. 제1 가열판(232)의 냉각 온도가 감소되면, 기판(W) 전반의 열이 균일하게 보상되어 기판(W) 전반의 온도가 균일한 온도를 갖는다.
기판(W)의 제2 베이크 공정이 완료되면, 이송 유닛(26)은 제2 베이크 장치(200)로부터 인덱서부(10)로 기판(W)을 이송하고, 인덱서부(10)의 이송 유닛(12)은 공정 처리부(20)로부터 카세트(C)로 기판(W)을 이송한다. 카세트(C)에 기판처리공정이 완료된 기판(W)들이 모두 회수되면, 카세트(C)는 후속 공정이 수행되는 설비(미도시됨)로 반송된다.
상술한 베이크 장치 및 방법은 기판(W)을 가열 및 냉각하는 베이크 공정시, 기설정된 기판(W)의 영역들을 독립적으로 가열 및 냉각함으로써, 베이크 공정시 기판(W) 전반의 온도로 균일하게 가열 및 냉각되도록 하여 기판(W)의 휘어짐을 방지한다.
또한, 본 발명에 따른 따른 베이크 장치 및 방법은 기판(W)의 온도 불균일에 의해 기판(W)이 휘어지는 현상이 발생되었을 때, 휘어짐의 정도를 감지한 후 휘어 짐이 발생된 기판(W)의 영역의 가열 및 냉각 온도를 변화시켜 기판(W) 전반의 온도가 균일한 온도를 갖도록 한다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내고 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉, 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위 내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예들은 본 발명을 실시하는데 있어 최선의 상태를 설명하기 위한 것이며, 본 발명과 같은 다른 발명을 이용하는데 당업계에 알려진 다른 상태로의 실시, 그리고 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서, 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 베이크 장치 및 방법은 베이크 공정시 기설정된 기판의 영역들을 독립적으로 가열 및 냉각하여, 기판의 온도를 균일한 온도로 가열 및 냉각시켜 기판의 휘어짐을 방지한다.
또한, 본 발명은 베이크 공정시 기판의 영역들 중 휘어짐이 발생된 영역의 가열 및 냉각 온도를 조절함으로써, 기판 전반의 온도가 균일한 온도를 갖도록 하여, 후속 공정시 기판의 온도가 불균일하여 공정 수율이 저하되는 것을 방지한다.

Claims (9)

  1. 베이크 공정을 수행하는 장치에 있어서,
    공정시 기판을 지지하는 지지부재와,
    공정시 상기 지지부재에 안착된 기판 영역들의 온도를 독립적으로 조절하는 온도조절부재와,
    공정시 기판의 휘어짐을 감지하는 감지부재와,
    상기 감지부재로부터 데이터를 전송받아, 기판의 휘어짐의 여부 및 휘어짐의 정도를 판단하여 상기 온도조절부재의 가열 또는 냉각 온도를 제어하는 제어부를 포함하되,
    상기 감지부재는,
    공정시 기판의 처리면 상부를 수평으로 가로지르는 감지빔을 방출하는 발광센서와,
    상기 발광센서가 방출하는 감지빔을 수신하는 수광센서를 포함하고,
    상기 감지빔은,
    공정시 휘어짐이 발생된 기판의 영역에 의해 일정 부분이 간섭된 후 일부가 상기 수광센서에 도달되도록 일정한 폭과 높이를 가지는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 온도조절부재는,
    상기 지지부재에 제공되며, 공정시 상기 영역들 각각을 가열시키는 복수의 가열블럭들을 포함하고,
    상기 제어부는,
    공정시 상기 데이터를 판단하여 상기 기판의 휘어짐이 발생되면, 상기 기판의 중앙영역보다 가장자리영역이 더 가열되도록 상기 가장자리 영역을 가열하는 가열블럭들의 가열 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  3. 베이크 공정을 수행하는 장치에 있어서,
    공정시 기판을 지지하는 지지부재와,
    공정시 상기 지지부재에 안착된 기판 영역들의 온도를 독립적으로 조절하는 온도조절부재와,
    공정시 기판의 휘어짐을 감지하는 감지부재와,
    상기 감지부재로부터 데이터를 전송받아, 기판의 휘어짐의 여부 및 휘어짐의 정도를 판단하여 상기 온도조절부재의 가열 또는 냉각 온도를 제어하는 제어부를 포함하되,
    상기 온도조절부재는,
    상기 지지부재에 제공되며, 공정시 상기 영역들 각각을 냉각시키는 복수의 냉각블럭들을 포함하고,
    상기 제어부는,
    공정시 상기 데이터를 판단하여 상기 기판의 휘어짐이 발생되면, 상기 기판의 가장자리영역보다 중앙영역이 더 냉각되도록 상기 중앙영역을 냉각하는 냉각블럭들의 냉각 온도를 제어하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 수광센서가 수신하는 상기 감지빔의 수신량에 의해 상기 기판의 휘어짐의 여부 및 휘어짐의 정도를 판단하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  5. 베이크 공정을 수행하는 장치에 있어서,
    공정시 기판을 지지하는 지지부재와,
    공정시 상기 지지부재에 안착된 기판 영역들의 온도를 독립적으로 조절하는 온도조절부재와,
    공정시 기판의 휘어짐을 감지하는 감지부재와,
    상기 감지부재로부터 데이터를 전송받아, 기판의 휘어짐의 여부 및 휘어짐의 정도를 판단하여 상기 온도조절부재의 가열 또는 냉각 온도를 제어하는 제어부를 포함하되,
    상기 감지부재는,
    공정시 상기 기판의 처리면과 대향되는 위치에서 상기 기판의 영역들과의 거리를 감지하는 복수의 거리감지센서들을 포함하고,
    상기 제어부는,
    상기 거리감지센서들이 감지한 데이터들을 전송받아, 상기 거리감지센서가 감지하는 상기 영역들의 온도를 제어하도록 상기 온도조절부재를 제어하는 것을 특징으로 하는 베이크 장치.
  6. 기판을 가열하는 베이크 공정을 수행하는 방법에 있어서,
    공정시 기판의 영역들을 독립적으로 가열시키되, 각각의 상기 영역들의 휘어짐을 감지하여, 상기 휘어짐의 여부 및 상기 휘어짐의 정도에 따라 상기 영역들의 가열 온도를 변화시켜, 상기 기판 전반이 균일한 온도를 갖도록 하되, 상기 기판의 휘어짐이 발생되면, 상기 기판의 가장자리 영역의 가열 온도를 상승시키되,
    상기 휘어짐의 감지는,
    공정시 상기 기판의 처리면과 대향되는 위치에서 각각의 상기 영역들과의 거리를 감지하여 상기 거리가 기설정된 거리를 벗어나는지 여부를 판단함으로서 이루어지는 것을 특징으로 하는 베이크 방법.
  7. 기판을 냉각하는 베이크 공정을 수행하는 방법에 있어서,
    공정시 기판의 영역들을 독립적으로 냉각시키되, 각각의 상기 영역들의 휘어짐을 감지하여, 상기 휘어짐의 여부 및 상기 휘어짐의 정도에 따라 상기 영역들의 냉각 온도를 변화시켜, 상기 기판 전반이 균일한 온도를 갖도록 하되, 상기 기판의 휘어짐이 발생되면, 상기 기판의 중앙 영역의 냉각 온도를 감소시키되,
    상기 휘어짐의 감지는,
    공정시 상기 기판의 처리면과 대향되는 위치에서 각각의 상기 영역들과의 거리를 감지하여 상기 거리가 기설정된 거리를 벗어나는지 여부를 판단함으로서 이루어지는 것을 특징으로 하는 베이크 방법.
  8. 기판을 가열하는 베이크 공정을 수행하는 방법에 있어서,
    공정시 기판의 영역들을 독립적으로 가열시키되, 각각의 상기 영역들의 휘어짐을 감지하여, 상기 휘어짐의 여부 및 상기 휘어짐의 정도에 따라 상기 영역들의 가열 온도를 변화시켜, 상기 기판 전반이 균일한 온도를 갖도록 하되, 상기 기판의 휘어짐이 발생되면, 상기 기판의 가장자리 영역의 가열 온도를 상승시키되,
    상기 휘어짐의 감지는,
    공정시 상기 기판의 측방향에서 상기 기판의 처리면 상부를 수평으로 가로지며 상하로 일정 높이를 가지는 감지빔을 수광센서로 전송하는 발광센서 및 상기 수광센서로부터 상기 감지빔의 수신량의 변화를 감지하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 베이크 방법.
  9. 기판을 냉각하는 베이크 공정을 수행하는 방법에 있어서,
    공정시 기판의 영역들을 독립적으로 냉각시키되, 각각의 상기 영역들의 휘어짐을 감지하여, 상기 휘어짐의 여부 및 상기 휘어짐의 정도에 따라 상기 영역들의 냉각 온도를 변화시켜, 상기 기판 전반이 균일한 온도를 갖도록 하되, 상기 기판의 휘어짐이 발생되면, 상기 기판의 중앙 영역의 냉각 온도를 감소시키되,
    상기 휘어짐의 감지는,
    공정시 상기 기판의 측방향에서 상기 기판의 처리면 상부를 수평으로 가로지며 상하로 일정 높이를 가지는 감지빔을 수광센서로 전송하는 발광센서 및 상기 수광센서로부터 상기 감지빔의 수신량의 변화를 감지하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 베이크 방법.
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012051289A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Platen control
KR101610269B1 (ko) 2008-05-16 2016-04-07 맷슨 테크놀로지, 인크. 워크피스 파손 방지 방법 및 장치
KR20190034725A (ko) * 2017-09-25 2019-04-03 세메스 주식회사 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
KR20190042854A (ko) * 2017-10-17 2019-04-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101992692B1 (ko) * 2019-03-28 2019-06-25 이영식 대면적 디스플레이 기판 포토레지스트 공정용 베이크 오븐의 기판 적재 장치
KR20190124679A (ko) * 2017-10-17 2019-11-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20200137286A (ko) * 2019-05-29 2020-12-09 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
WO2023173605A1 (zh) * 2022-03-15 2023-09-21 长鑫存储技术有限公司 晶圆的弯曲程度确定装置和控温系统

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0175071B1 (ko) * 1991-07-26 1999-04-01 이노우에 아키라 도포방법
KR20050020405A (ko) * 2003-08-22 2005-03-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 베이크 시스템 및 그 동작 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR0175071B1 (ko) * 1991-07-26 1999-04-01 이노우에 아키라 도포방법
KR20050020405A (ko) * 2003-08-22 2005-03-04 삼성전자주식회사 웨이퍼 베이크 시스템 및 그 동작 방법

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101610269B1 (ko) 2008-05-16 2016-04-07 맷슨 테크놀로지, 인크. 워크피스 파손 방지 방법 및 장치
WO2012051289A1 (en) * 2010-10-12 2012-04-19 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Platen control
US9012337B2 (en) 2010-10-12 2015-04-21 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Platen control
KR20190034725A (ko) * 2017-09-25 2019-04-03 세메스 주식회사 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
KR102403200B1 (ko) * 2017-09-25 2022-05-27 세메스 주식회사 기판 지지 유닛, 기판 처리 장치, 기판 처리 방법
KR20190124679A (ko) * 2017-10-17 2019-11-05 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102046872B1 (ko) * 2017-10-17 2019-11-20 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR102295573B1 (ko) * 2017-10-17 2021-08-31 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20190042854A (ko) * 2017-10-17 2019-04-25 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101992692B1 (ko) * 2019-03-28 2019-06-25 이영식 대면적 디스플레이 기판 포토레지스트 공정용 베이크 오븐의 기판 적재 장치
KR20200137286A (ko) * 2019-05-29 2020-12-09 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
KR102628919B1 (ko) * 2019-05-29 2024-01-24 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법
WO2023173605A1 (zh) * 2022-03-15 2023-09-21 长鑫存储技术有限公司 晶圆的弯曲程度确定装置和控温系统

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