KR102628919B1 - 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판 표면에 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것이다.
본 발명은 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 기판처리를 위한 공정가스 및 상기 공정챔버(100) 내부를 클리닝하기 위한 챔버클리닝가스(CCG)를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 하나 이상의 기판(10)이 안착되는 기판지지부(300)를 포함하는 기판처리장치를 개시한다.

Description

기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법{Substrate processing apparatus and method using the same}
본 발명은 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판 표면에 기판처리를 수행하는 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법에 관한 것이다.
기판처리장치란 밀폐된 내부공간을 형성하는 진공챔버와, 진공챔버 내에 설치되어 기판이 안착되는 기판지지부를 포함하여 구성되며, 내부공간에 처리가스를 주입하면서 전원을 인가하여 기판의 표면을 식각하거나 증착하는 장치를 말한다.
상기 기판처리장치에 의하여 처리되는 기판은 반도체용 웨이퍼, LCD패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등이 있다.
그런데, 기판처리과정에서 기판 상면에 증착되는 박막의 레이어 수가 증가되고 기판에 높은 열이 가해짐에 따라 기판 상면의 영역별로 가해지는 스트레스가 상이해질 수 있고, 결과적으로 기판지지부의 안착면에 안착된 기판의 가장자리가 상측으로 들리는 뒤틀림(warpage) 현상이 발생될 수 있다.
기판이 기판지지부 상에서 뒤틀림에 따라 플라즈마 공정에서 기판과 기판지지부 사이에 형성되는 공간에 아크(Arc)가 발생하고 박막두께의 균일도(THK uniformity)가 떨어져 기판의 품질 및 생산성이 저하되는 문제점이 있다.
기판 상면에 누적되는 기판처리에도 불구하고 기판의 뒤틀림 현상을 방지하기 위하여 정전기력을 이용하여 안착된 기판을 척킹하는 정전척을 적용할 수 있으나, 정전척의 경우에도 기판이 교환되는 시간과 같이 기판이 정전척에 안착되지 않는 시간에 진공챔버 내부에 잔류하는 잔류가스에 의해 정전척의 안착면에 박막이 형성될 수 있고, 그에 따라 기판에 대한 척킹력이 약화되어 기판의 뒤틀림 현상이 발생되는 것을 막을 수 없는 문제점이 있다.
(특허문헌 1) KR 10-0306407 B1
(특허문헌 2) KR 10-2018-0087269 A
본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 정전기력을 이용해 기판을 척킹하는 기판지지부의 상면에 대한 클리닝을 수행함으로써 기판지지부의 상면에 형성되는 박막에 의해 기판에 대한 척킹력이 저하되어 기판이 뒤틀리는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법을 제공하는 데 있다.
본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 창출된 것으로서, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 기판처리를 위한 공정가스 및 상기 공정챔버(100) 내부를 클리닝하기 위한 챔버클리닝가스(CCG)를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 하나 이상의 기판(10)이 안착되는 기판지지부(300)를 포함하는 기판처리장치로서, 상기 기판지지부(300)는, 기판(10)이 상면에 안착되는 베이스부(310)와, 상기 베이스부(310)의 상면에 돌출형성되어 기판(10)을 지지하는 복수의 돌출부(320)들과, 상기 베이스부(310)의 상면과 상기 복수의 돌출부(320)들에 지지된 기판(10) 사이 공간과 연통되도록 상기 베이스부(310)를 관통하여 형성되는 가스유로부(330)와, 상기 가스유로부(330)에 연결되며 상기 복수의 돌출부(320)들 사이로 표면클리닝가스(SCG)가 흐르도록 상기 가스유로부(330)를 통해 표면클리닝가스(SCG)를 공급하기 위한 표면클리닝가스공급부를 포함하며, 상기 기판처리장치는, 상기 챔버클리닝가스(CCG)를 이용하여 상기 공정챔버(100) 내부를 클리닝하는 메인클리닝공정 사이에 상기 가스유로부(330)를 통한 상기 표면클리닝가스(SCG)의 공급을 제어하기 위한 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치를 개시한다.
상기 기판지지부(300)는, 정전기력에 의해 기판(10)을 척킹하기 위하여 상기 베이스부(310)에 전극이 내장되는 정전척일 수 있다.
상기 기판지지부(300)는, 상기 가스유로부(330)를 통해 공급된 퍼지가스(PG) 및 표면클리닝가스(CCG) 중 적어도 하나가 상기 베이스부(310)의 상면과 상기 돌출부(320)에 지지된 기판(10) 사이 공간을 통해 확산되도록 상기 베이스부(310)의 상면에 형성되는 그루브(340)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 기판지지부(300)는, 상기 베이스부(310)의 상면 가장자리 둘레를 따라 상기 돌출부(320)의 높이와 같거나 또는 더 높은 높이로 형성되는 댐부(350)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 베이스부(310)의 상면에는, 상기 가스유로부(330)와 연통되는 복수의 가스홀(312)들이 형성될 수 있다.
상기 가스유로부(330)는, 상기 복수의 가스홀(312)들과 각각 연통되도록 상기 기판지지부(300) 내부에서 분기될 수 있다.
상기 기판지지부(300)는, 상기 가스유로부(330)에 연결되며 상기 복수의 돌출부(320)들 사이로 퍼지가스(PG)가 흐르도록 상기 가스유로부(330)를 통해 퍼지가스(PG)를 공급하기 위한 퍼지가스공급부를 추가로 포함할 수 있다.
상기 제어부는, 기판처리공정 중 상기 가스유로부(330)를 통해 상기 퍼지가스(PG)가 지속적으로 공급되도록 제어할 수 있다.
상기 기판처리장치는, 상기 기판지지부(300)에 처킹된 기판(10)의 뒤틀림(warpage) 정도를 감지하기 위한 뒤틀림감지부를 추가로 포함할 수 있다.
상기 제어부는, 상기 뒤틀림 정도가 미리 설정된 기준 이상이 경우, 상기 가스유로부(330)를 통해 상기 표면클리닝가스(CCG)를 공급되도록 제어할 수 있다.
다른 측면에서 본 발명은, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 기판처리를 위한 공정가스 및 상기 공정챔버(100) 내부를 클리닝하기 위한 챔버클리닝가스(CCG)를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 하나 이상의 기판(10)이 안착되는 기판지지부(300)를 포함하는 기판처리장치에서 수행되는 기판처리방법을 개시한다.
상기 기판처리방법은, 상기 기판처리를 복수 회 수행한 후, 상기 가스분사부(200)를 통해 챔버클리닝가스(CCG)를 공급하여 상기 공정챔버(100) 내부 전체를 클리닝하기 위하여 간격을 두고 반복 수행되는 메인클리닝단계와; 상기 기판지지부(300)를 통해 상기 기판지지부(300)와 상기 기판지지부(300)에 지지된 기판(10) 사이 공간으로 표면클리닝가스(SCG)를 공급하여 상기 기판지지부(300)를 클리닝하는 기판지지부클리닝단계를 포함할 수 있다.
상기 기판지지부클리닝단계는, 상기 메인클리닝단계 사이에 또는 상기 메인클리닝단계와 함께 수행될 수 있다.
상기 기판지지부클리닝단계는, 상기 공정챔버(100)로 도입되어 상기 기판지지부(300)에 척킹된 기판(10)의 뒤틀림(wargage) 정도가 미리 설정된 기준 이상인 경우 수행될 수 있다.
상기 기판지지부클리닝단계는, 상기 공정챔버(100)로 더미기판을 도입하는 더미기판도입단계와, 상기 더미기판을 상기 기판지지부(300)에 척킹하는 더미기판척킹단계와, 상기 기판지지부(300)의 상면과 상기 더미기판 사이 공간으로 표면클리닝가스(SCG)를 공급하는 클리닝가스공급단계를 포함할 수 있다.
상기 클리닝가스공급단계는, 불활성의 퍼지가스(PG)를 상기 표면클리닝가스(SCG)와 함께 상기 기판지지부(300)의 상면과 상기 더미기판 사이 공간으로 공급할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법은, 정전기력을 이용해 기판을 척킹하는 기판지지부의 상면에 대한 클리닝을 수행함으로써 기판지지부의 상면에 형성되는 박막에 의해 기판에 대한 척킹력이 저하되어 기판이 뒤틀리는 것을 방지할 수 있는 이점이 있다.
보다 구체적으로, 본 발명은, 기판지지부 내부에 형성되는 가스유로부를 통해 기판지지부의 상면과 기판 사이로 표면클리닝가스를 공급함으로써 기판지지부의 상면에 증착된 박막을 효과적으로 제거할 수 있고, 그에 따라 기판에 대한 기판지지부의 척킹력을 일정 수준 이상으로 유지할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명은, 공정챔버에 대한 메인클리닝단계 사이에 기판지지부의 표면에 대한 기판지지부클리닝단계를 추가로 수행함으로써, 메인클리닝단계가 수행되는 클리닝주기를 극대화할 수 있고, 그에 따라 기판처리장치의 생산량을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명은, 기판처리 시 기판의 저면에 기판처리가 이루어지는 것을 방지하기 위하여 기판지지부를 통해 기판지지부의 상면과 기판 사이에 퍼지가스를 공급하는 가스유로부 및 가스홀을 표면클리닝가스 공급을 위해 그대로 활용할 수 있어 종래의 설비에 대한 변경 없이 기판지지부에 대한 클리닝효과를 얻을 수 있는 이점이 있다.
도 1은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는, 도 1의 기판처리장치의 기판지지부를 확대하여 보여주는 평면도이다.
도 3은, 도 2의 A-A방향 단면도이다.
도 4는, 도 3의 일부의 단면을 확대하여 보여주는 확대도이다.
도 5는 도 1의 기판지지부의 상면과 기판 사이에 흐르는 퍼지가스의 유량을 나타내는 그래프이다.
도 6은, 반복되는 기판처리과정에서 수행되는 메인클린닝 및 기판지지부클리닝의 주기 및 소요시간을 보여주는 그래프이다.
도 7은, 도 3의 기판지지부에서 기판지지부의 상면과 기판 사이 공간을 따라 흐르는 퍼지가스와 표면클리닝가스의 흐름을 보여주는 도면이다.
도 8은, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 수행되는 기판처리방법을 보여주는 순서도이다.
도 9는, 도 8의 기판처리방법에서 기판지지부를 세정하는 기판지지부세정단계를 설명하는 순서도이다.
이하 본 발명에 따른 기판처리장치에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 기판처리장치는, 도 1 내지 도 6에 도시된 바와 같이, 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 공정챔버(100) 상측에 설치되어 기판처리를 위한 가스를 분사하는 가스분사부(200)와; 공정챔버(100)에 설치되어 하나 이상의 기판(10)이 안착되는 기판지지부(300)를 포함할 수 있다.
여기서 기판처리의 대상인 기판(10)은, 증착, 식각 등의 공정이 수행될 필요가 있는 기판이면, 반도체용 웨이퍼, 디스플레이 패널용 유리기판, 태양전지용 기판 등 어떠한 기판도 가능하다.
상기 기판처리장치는, 증착, 식각 등 다양한 기판처리 공정을 수행할 수 있으며, 예로서, 플라즈마를 이용하여 기판(10) 상에 막을 형성하는 등의 증착공정을 수행하는 CVD, ALD와 같은 증착장치일 수 있다.
상기 공정챔버(100)는, 기판처리를 하기 위한 밀폐된 내부공간을 형성하기 위한 구성으로서 기판처리공정에 따라 다양한 구성이 가능하며, 도 1에 도시된 바와 같이, 상측이 개구되며 하나 이상의 게이트가 형성된 챔버본체(110) 및 챔버본체(110)와 서로 탈착가능하게 결합되어 처리공간(S)을 형성하는 상부리드(120)를 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 공정챔버(100)의 챔버본체(110) 및 상부리드(120)중 적어도 하나는, 전기적으로 접지될 수 있다.
상기 챔버본체(110)의 일 측면에는 기판(10)의 출입을 위한 게이트(111)가 형성될 수 있다.
그리고 상기 공정챔버(100)에는, 가스공급장치(미도시)로부터 공급받아 내부공간(S)으로 처리가스를 분사하는 가스분사부(200) 및 기판(10)이 안착되는 기판지지부(300), 내부공간(S) 내의 압력조절 및 배기를 위한 배기시스템 등 진공처리공정을 수행하기 위한 장치들이 설치될 수 있다.
상기 가스분사부(200)는, 처리공간(S)의 상측에 설치되며, 기판처리의 수행을 위한 가스를 분사하는 구성으로, 분사되는 가스의 종류, 숫자 등에 따라서 다양한 구조를 가질 수 있다.
예로서, 상기 가스분사부(200)는, 기판처리를 위한 공정가스와 공정챔버(100) 내부를 클리닝하기 위한 챔버클리닝가스(CCG)를 분사할 수 있다.
한편, 상기 가스분사부(200)는, 상부리드(120)에 설치되며 상부리드(120)와 절연체(121)를 통해 절연되며 RF전원이 인가될 수 있다. 이때, 후술하는 기판지지부(300)는 접지될 수 있다.
반대로, 도시하지는 않았으나, 상기 가스분사부(200)는, 상부리드(120)와 함께 전기적으로 접지될 수 있고, 이때 후술하는 기판지지부(300)는 공정챔버(100)와 절연된 상태로 하나 또는 두개의 RF전원이 인가될 수 있다.
상기 기판지지부(300)는, 하나 이상의 기판(10)이 안착되어 지지되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
일 실시예에서, 상기 기판지지부(300)는, 기판(10)이 상면에 안착되는 베이스부(310)와, 베이스부(310)의 상면에 돌출형성되어 기판(10)을 지지하는 복수의 돌출부(320)들과, 베이스부(310)의 상면과 복수의 돌출부(320)들에 지지된 기판(10) 사이 공간과 연통되도록 베이스부(310)를 관통하여 형성되는 가스유로부(330)와, 가스유로부(330)에 연결되며 복수의 돌출부(320)들 사이로 표면클리닝가스(SCG)가 흐르도록 가스유로부(330)를 통해 표면클리닝가스(SCG)를 공급하기 위한 표면클리닝가스공급부를 포함할 수 있다.
상기 베이스부(310)는, 기판(10)이 상면에 안착되는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 베이스부(310)는, 기판처리의 종류에 따라 결정되는 공정온도로 안착된 기판(10)을 가열시키는 히터를 내장할 수 있다.
상기 베이스부(310)의 하측에는 공정챔버(100)의 챔버벽을 관통하여 기판상하구동부(미도시)와 결합되어 상하이동되는 샤프트부가 결합될 수 있다.
이때, 상기 베이스부(310)는, 샤프트부를 중심으로 회전가능하게 설치될 수 있다.
또한, 상기 베이스부(310)에는, 기판(10)의 도입 또는 배출이 가능하도록 기판(10)을 상하로 이동시키기 위한 하나 이상의 리프트핀(미도시)이 상하로 이동가능하도록 설치될 수 있다.
상기 복수의 돌출부(320)들은, 베이스부(310)의 상면에 돌출형성되어 기판(10)을 지지하는 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 기판지지부(300)는 정전기력에 의해 기판(10)을 척킹하는 정전척(ESC)으로 구성될 수 있다.
이때, 상기 베이스부(310)에는 상면에 안착된 기판(10)을 정전기력에 의해 기판(10)을 척킹하기 위한 전극이 내장될 수 있다.
상기 전극은, 정전기력에 의해 기판(10)을 베이스부(310)의 상면에 흡착 및 유지시킬 수 있도록 형성되는 흡착 전극으로 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 베이스부(310)는, 세라믹 소결체로 형성되며, 기판(10)을 정전기력을 통해 척킹하여 흡착 및 유지시킬 수 있도록 공정챔버(100)의 내부 공간에 구비될 수 있다.
이때, 상기 복수의 돌출부(320)들은, 세라믹재질로 다양한 공법으로 형성될 수 있으며, 예로서 베이스부(310)의 상면에 대한 플라즈마용사와 같은 세라믹코팅을 통해 형성될 수 있다.
상기 복수의 돌출부(320)들은, 베이스부(310) 상면에 형성되어 기판(10)을 지지하며 다양한 돌출패턴을 가지고 미리 설정된 간격만큼 이격되어 형성될 수 있다.
상기 복수의 돌출부(320)들에 지지된 기판(10)은 돌출패턴에 의해 기판(10)의 저면과 베이스부(310) 상면 사이에 가스가 흐를 수 있는 공간이 형성될 수 있다.
보다 구체적으로, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 돌출부(320)들은, 베이스부(310)의 중심영역에서 기판(10)을 지지할 수 있도록 중심영역에 형성된 돌출패턴이 베이스부(310)의 상면에 제1지름(D1)을 가지는 원통형상으로 제1간격(S1)으로 이격 배치되게 형성되는 복수의 제1엠보싱들, 및 베이스부(310)의 테두리영역에서 기판(10)을 지지할 수 있도록 테두리영역에 형성된 돌출패턴이 베이스부(310)의 상면에 복수개의 제1엠보싱을 둘러싸는 형상으로 배치되고 제2지름(D2)을 가지는 원통형상으로 제2간격(S2)으로 이격 배치되게 형성되는 복수의 제2엠보싱들을 포함할 수 있다.
이때, 상기 제2엠보싱이 제1엠보싱보다 촘촘하게 형성되어 복수개의 제2 엠보싱의 간격간 넓이가 복수개의 제1엠보싱의 간격간 넓이 보다 작게 형성될 수 있도록, 제1엠보싱의 제1지름(D1)과 제2엠보싱의 제 2 지름(D2)은 동일한 크기로 형성되고, 상기 제2엠보싱의 제 2 간격(S2)은 제1엠보싱의 제1간격 보다 작게 형성될 수 있다.
더욱 구체적으로, 상기 제1엠보싱은, 베이스부(310) 상면의 중심 영역에 복수개가 19mm 내지 20mm의 제1간격(S1)을 가지고 삼각형 또는 격자형으로 배치될 수 있다.
또한, 상기 제2엠보싱은, 베이스부(310)의 중심을 기준으로 방사상으로 5도만큼의 제2간격(S2)으로 등각 배치되어, 복수개의 제1엠보싱을 둘러싸는 링 형상으로 배치될 수 있다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제2엠보싱이 제1엠보싱 보다 촘촘하게 형성되어 복수개의 제2엠보싱의 간격간 넓이가 복수개의 제1엠보싱의 간격간 넓이 보다 작게 형성될 수 있도록, 제1엠보싱의 제1간격(S1)과 제2엠보싱의 제2간격(S2)은 동일한 간격으로 형성되고, 제1엠보싱의 제1지름(D1)은 제2엠보싱의 제2지름(D2) 보다 작게 형성될 수도 있다.
보다 구체적으로, 상기 제1엠보싱은, 2.5mm 내지 2.6mm의 제1지름(D1)의 원통형상으로 형성되고, 제2엠보싱은, 2.95mm 내지 3.05mm의 제2지름(D2)의 원통형상으로 형성될 수 있다. 이에 따라, 복수의 제1엠보싱 보다 복수의 제2엠보싱이 더욱 조밀한 간격으로 배치되어 테두리영역을 형성할 수 있다.
이때, 베이스부(310)의 상면과 기판(10) 저면의 접촉 면적을 효과적으로 줄여, 파티클 등의 오염물이나 공정 가스 잔류물에 의해 기판(10)의 저면이 오염되는 것을 방지할 수 있도록, 제1엠보싱 및 제2엠보싱과 기판(10) 저면의 접촉 면적은 기판(10) 전체 면적의 20% 내지 24%가 바람직할 수 있다.
상기 가스유로부(330)는, 베이스부(310)의 상면과 돌출부(320)에 지지된 기판(10) 사이 공간과 연통되도록 베이스부(310)를 관통하여 형성되는 유로로 다양한 구성이 가능하다.
이때, 상기 베이스부(310)의 상면에는, 가스유로부(330)와 연통되는 하나 이상의 가스홀(312)이 형성될 수 있다.
이때, 상기 가스홀(312)은, 돌출부(320)와 중첩되지 않는 영역에 형성될 수 있으며, 베이스부(310)의 중심영역에 형성됨이 바람직하다.
한편, 상기 베이스부(310)의 상면에 복수의 가스홀(312)들이 형성되는 경우, 상기 가스유로부(330)는 복수의 가스홀(312)들과 각각 연통되도록 기판지지부(300) 내부에서 분기되는 분기구조를 가지거나 또는 각 가스홀(312)에 대응되는 상호 독립적인 유로구조를 가질 수 있다.
상기 표면클리닝가스공급부는, 가스유로부(330)에 연결되며 복수의 돌출부(320)들 사이로 표면클리닝가스(SCG)가 흐르도록 가스유로부(330)를 통해 표면클리닝가스(SCG)를 공급하기 위한 구성으로 다양한 구성이 가능하다.
상기 표면클리닝가스공급부를 통해 가스유로부(330)로 공급되는 표면클리닝가스(SCG)는 가스홀(312)을 통해 베이스부(310)의 상면에서 분사될 수 있고, 가스홀(312)에서 분사된 표면클리닝가스(SCG)는 복수의 돌출부(320)들 사이를 통해 베이스부(310)의 상면과 기판(10)의 저면 사이에서 확산될 수 있다.
베이스부(310)의 상면과 기판(10)의 저면 사이에서 확산된 표면클리닝가스(SCG)는 도 7에 도시된 바와 같이 기판(10)의 가장자리를 통해 외측으로 배출될 수 있다.
따라서, 가스홀(312)을 통해 분사되는 표면클리닝가스(SCG)에 의해 베이스부(310)의 상면에 증착물이 효과적으로 제거되어 기판지지부(300)에 대한 클리닝이 달성될 수 있다.
이때, 상기 기판지지부(300)는, 가스유로부(330)에 연결되며 복수의 돌출부(320)들 사이로 퍼지가스(PG)가 흐르도록 가스유로부(330)를 통해 퍼지가스(PG)를 공급하기 위한 퍼지가스공급부를 추가로 포함할 수 있다.
상기 퍼지가스공급부를 통해 가스유로부(330)로 공급되는 퍼지가스(PG)는 가스홀(312)을 통해 베이스부(310)의 상면에서 분사될 수 있고, 가스홀(312)에서 분사된 퍼지가스(PG)는 복수의 돌출부(320)들 사이를 통해 베이스부(310)의 상면과 기판(10)의 저면 사이에서 확산될 수 있다.
베이스부(310)의 상면과 기판(10)의 저면 사이에서 확산된 퍼지가스(PG)는 도 7에 도시된 바와 같이 기판(10)의 가장자리를 통해 외측으로 배출될 수 있다.
따라서, 가스홀(312)을 통해 분사되는 퍼지가스(PG)에 의해 베이스부(310)의 상면과 기판(10)의 저면 사이에 공정가스가 유입되는 것을 방지할 수 있고, 베이스부(310)의 상면과 기판(10)의 저면 사이에 잔류 공정 가스가 유입되어 파티클이 생성되는 것을 방지할 수 있다.
이에 따라, 파티클이 기판(10)의 저면에 부착되어 기판(10)을 오염시키거나, 베이스부(310)가 기판(10)을 척킹하는 정전기력이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 퍼지가스(PG) 및 표면클리닝가스(SCG)는 서로 동일한 가스홀(312)에서 분사되는 것뿐만 아니라, 각각 서로 다른 가스홀(312)을 통해 분사되는 예도 가능함은 물론이다.
또한, 상기 표면클리닝가스(SCG)는 불활성의 캐리어가스와 혼합된 상태로 공급될 수 있으며, 하나의 가스홀(312)에서 퍼지가스(PG)와 표면클리닝가스(SCG)가 함께 분사되는 경우 퍼지가스(PG)는 표면클리닝가스(SCG)의 캐리어가스로 기능할 수 있다.
한편, 상기 가스홀(312)을 통한 퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)의 공급을 제어하기 위하여, 상기 기판지지부(300)는, 가스유로부(330)와 퍼지가스공급부 사이에 설치되는 퍼지가스밸브와, 가스유로부(330)와 표면클리닝가스공급부 사이에 설치되는 표면클리닝가스밸브를 추가로 포함할 수 있다.
이때, 상기 기판처리장치는, 가스유로부(330)를 통한 표면클리닝가스(SCG)의 공급을 제어하기 위한 제어부를 추가로 포함할 수 있다.
상기 제어부는, 표면클리닝가스(SCG)의 공급과 함께 가스유로부(330)를 통한 퍼지가스(PG) 공급도 제어하도록 구성될 수 있음은 물론이다.
예로서, 상기 제어부는, 퍼지가스밸브 및 표면클리닝가스밸브의 개폐동작을 제어하여 가스홀(312)을 통해 분사되는 퍼지가스(PG) 및 표면클리닝가스(SCG)의 공급을 제어할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 제어부는, 상기 챔버클리닝가스(CCG)를 이용하여 상기 공정챔버(100) 내부를 클리닝하는 메인클리닝공정 사이에 상기 가스유로부(330)를 통한 상기 표면클리닝가스(SCG)의 공급을 제어할 수 있다.
상기 제어부를 통한 퍼지가스(PG) 및 표면클리닝가스(SCG)의 공급제어를 위하여, 상기 기판처리장치는, 기판지지부(300)에 처킹된 기판(10)의 뒤틀림(warpage) 정도를 감지하기 위한 뒤틀림감지부를 추가로 포함할 수 있다.
상기 뒤틀림감지부는, 기판지지부(300)에 처킹된 기판(10)의 뒤틀림(warpage) 정도를 감지하기 위한 센서로 다양한 구성이 가능하다.
예로서, 상기 뒤틀림감지부는, 기판지지부(300)의 기판(10)에 대한 척킹력을 측정하는 센서로, 기판(10)의 가장자리영역에 대해 측정되는 척킹력이 정상범위보다 떨어지는 경우 기판(10)의 가장자리가 상측으로 뒤틀린 상태인 것으로 판단할 수 있고, 측정된 척킹력을 기준으로 기판(10)의 뒤틀림 정도를 판단할 수 있다.
상기 제어부는, 뒤틀림 정도가 미리 설정된 기준 이상이 경우, 기판지지부(300)에 대한 클리닝이 필요한 것으로 판단하여, 가스유로부(330)를 통해 표면클리닝가스(SCG)를 공급되도록 제어할 수 있다.
상기 제어부의 동작은, 후술하는 기판처리방법과 함께 다시 설명한다.
한편, 상기 기판지지부(300)는, 가스유로부(330)를 통해 공급된 퍼지가스(PG) 및 표면클리닝가스(SCG) 중 적어도 하나가 베이스부(310)의 상면과 돌출부(320)에 지지된 기판(10) 사이 공간을 통해 확산되도록 베이스부(310)의 상면에 형성되는 그루브(340)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 그루브(340)는, 가스홀(312)을 통해 분사되어 베이스부(310)의 상면과 기판(10)의 저면 사이에서 흐르는 퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)의 흐름을 효과적으로 제어할 수 있도록, 베이스부(310)의 상면에 형성되는 홈으로 다양한 형상이 가능하다.
예로서, 상기 그루브(440)는, 베이스부(310)의 상면과 기판(10)의 저면 사이로 공정가스가 유입되는 것을 차단할 수 있도록, 베이스부(310)의 상면에 오목한 유로형상으로 형성되어 가스홀(312)을 통해 공급되는 퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)가 베이스부(310)의 중심영역에서 테두리영역으로 일정한 유량으로 균일하게 확산되도록 유도할 수 있다.
더욱 구체적으로, 상기 그루브(340)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 베이스부(310) 상면의 중심영역에 원호 형상 또는 링 형상으로 형성되어, 가스홀(312)과 제1연결그루브(340d)로 연결되는 제1중심그루브(340c)와, 베이스부(310) 상면의 중심영역에 제1중심그루브(340c)를 둘러싸는 링 형상으로 형성되는 제2중심그루브(340b) 및 베이스부(310) 상면의 테두리영역에 제2중심그루브(340b)를 둘러싸는 링 형상으로 형성되는 테두리그루브(340a)를 포함할 수 있다.
더불어, 베이스부(310) 중심부에 형성된 가스홀(312)로부터 제1연결 그루브(340d)를 통해서 제1중심그루브(340c)로 진입된 퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)가, 베이스부(310)의 중심을 기준으로 방사상으로 균일하게 제2중심그루브(340b) 방향으로 퍼지게 유도할 수 있도록, 상기 그루브(340)는, 베이스부(310)의 중심을 기준으로 방사상으로 등각 배치되어 제1중심그루브(340c)와 제2중심그루브(340b)를 연결하는 복수의 제2연결그루브(340e)를 포함할 수 있다.
예를 들어, 상기 가스홀(312)을 통해서 베이스부(310)의 중심으로 공급된 퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)는, 제1연결그루브(340d) 및 베이스부(310) 상면의 제1엠보싱 사이의 공간을 통해서 제1중심그루브(340c)로 제1유량으로 확산되고, 제1중심그루브(340c)로 확산된 퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)는, 제2연결그루브(340e) 및 베이스부(310) 상면의 제1엠보싱 사이의 공간을 통해서 제2중심그루브(340b)로 제2유량으로 확산되고, 제2중심그루브(340b)로 확산된 퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)는, 베이스부(310) 상면의 제1엠보싱 사이의 공간을 통해서 테두리그루브(340a)로 제3유량으로 확산될 수 있다.
이때, 상기 퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)는, 상술한 바와 같은 그루브(340) 구조로 인하여 제1유량과, 제2유량 및 제3유량이 동일한 유량 값을 가짐으로써, 퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)가 베이스부(310)의 중심영역에서 테두리영역을 향해 일정한 유량으로 방사상으로 균일하게 확산되도록 유도될 수 있다.
더불어, 상기 퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)가 베이스부(310)의 중심을 기준으로 방사상으로 균일하게 확산될 수 있도록, 베이스부(310)의 중심을 기준으로 방사상으로 등각 배치되는 복수개의 제2연결그루브(340e)의 간격(α)은 30도 내지 60도가 바람직할 수 있다.
또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1중심그루브(340c), 제2중심그루브(340b), 테두리그루브(340a)를 포함하는 그루브(340)는, 그 횡단면의 폭(W)이 2mm 내지 4mm로 형성되고, 깊이(H)가 50㎛ 내지 100㎛으로 형성되는 것이 바람직할 수 있다.
도 5는, 도 2 및 도 3의 기판지지부(300)의 베이스부(310) 상면과 돌출부(320)에 의해 지지되는 기판(10)의 저면 사이 공간에 흐르는 가스(퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG))의 유량을 나타내는 그래프이다.
도 5의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 첫 번째 디자인과 같이 가스홀(312)을 통해 공급되는 가스가 연결유로를 통해 바로 테두리영역의 테두리 그루브(340a)로 퍼질 경우, 베이스부(310)의 중심에서 테두리영역으로 흐르는 가스의 유량이 베이스부(310)의 위치에 따라 많은 편차가 발생하는 것으로 나타났다.
또한, 세 번째 디자인과 같이, 제1중심그루브(340c)와 제2중심그루브(340b)가 베이스부(310)의 중심을 기준으로 방사상으로 등각 배치되는 복수의 제2연결그루브(340e)로 연결되고, 제2중심그루브(340b)와 테두리그루브(340a) 또한 베이스부(310)의 중심을 기준으로 방사상으로 등각 배치되는 복수의 제2연결그루브(340e)로 연결될 경우, 첫 번째 디자인과 같이, 베이스부(310)의 중심에서 테두리영역으로 흐르는 가스의 유량이 베이스부(310)의 위치에 따라 편차가 발생하는 것으로 나타났다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판지지부(300)과 유사한 두 번째 디자인과 네 번째 디자인과 같이, 제1중심그루브(340c)와 제2중심그루브(340b)가 베이스부(310)의 중심을 기준으로 방사상으로 등각 배치되는 복수의 제2연결그루브(340e)로 연결되고, 테두리그루브(340a)가 별도의 연결그루브로 연결되지 않을 경우, 베이스부(310)의 중심에서 테두리영역으로 흐르는 가스의 유량이 베이스부(310)의 위치에 관계없이 매우 일정한 것으로 나타났다.
즉, 본 발명은, 가스홀(312)을 통해 베이스부(310)의 상면과 돌출부(320)에 의해 지지되는 기판(10)의 저면 사이에 퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)를 공급하고, 베이스부(310)의 상면에 퍼지가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)를 베이스부(310)의 테두리영역으로 일정한 유량으로 균일하게 확산 하기 위한 그루브(340) 및 돌출부(320)을 형성함으로써, 테두리영역의 메탈 박막 증착을 방지할 수 있고, 기판교환 시나 공정 사이에 잔류가스가 베이스부(310)의 상면에 증착되는 것을 방지할 수 있다.
그러므로, 누적되는 기판처리에도 베이스부(310)의 척킹력을 전체적으로 균일하고 양호하게 유지하여 기판(10)을 안정적으로 척킹할 수 있고, 기판(10)의 뒤틀림(Warpage)에 의해 기판(10)의 저면에 아킹이 발생하는 것을 방지하여 기판처리의 불량 발생을 감소시키는 효과를 가질 수 있다.
또한, 상기 기판지지부(300)는, 베이스부(310)의 상면 가장자리 둘레를 따라 돌출부(320)의 높이와 같거나 또는 더 높은 높이로 형성되는 댐부(350)를 추가로 포함할 수 있다.
상기 댐부(350)는, 베이스부(310)의 가장자리 둘레를 둘러싸는 링형상의 벽체로서, 기판처리 시, 베이스부(310)의 상면과 기판(10)의 저면 사이로 공정 가스가 유입되는 것을 차단하는 역할을 하면서, 가스홀(312)로 공급되는 퍼지 가스(PG) 또는 표면클리닝가스(SCG)가 베이스부(310)의 상면과 기판(10)의 저면 사이의 공간에 머무르도록 유도하는 역할을 할 수 있다.
이하, 도 8 및 도 9를 참조하여, 상술한 구성을 포함하는 기판처리장치에서 수행되는 기판처리방법을 자세히 설명한다.
상기 기판처리방법은, 가스분사부(200)를 통해 챔버클리닝가스(CCG)를 공급하여 공정챔버(100) 내부 전체를 클리닝하기 위하여 간격을 두고 반복 수행되는 메인클리닝단계와; 기판지지부(300)를 통해 기판지지부(300)와 기판지지부(300)에 지지된 기판(10) 사이 공간으로 표면클리닝가스(SCG)를 공급하여 기판지지부(300)를 클리닝하는 기판지지부클리닝단계를 포함할 수 있다.
상기 메인클리닝단계는, 기판처리를 복수 회 수행한 후, 가스분사부(200)를 통해 챔버클리닝가스(CCG)를 공급하여 공정챔버(100) 내부 전체를 클리닝할 수 있다.
상기 챔버클리닝가스(CCG)는 원격플라즈마에 의해 활성화된 활성종 상태로 공정챔버(100)로 공급되거나 또는 공정챔버(100) 내부에서 인시츄(In-situ) 방식으로 활성화 되어 공정챔버(100) 내부 전체를 클리닝할 수 있다.
상기 메인클리닝단계는, 도 6에 도시된 바와 같이, 일정간격을 두고 반복 수행되는데, 누적 기판처리 매수가 미리 설정된 값에 도달할 때마다 수행될 수 있다. 예로서, 상기 메인클리닝단계는 6000매의 기판처리가 누적될 때마다 한번씩 수행될 수 있다.
상기 메인클리닝단계를 통해, 누적된 기판처리과정에서 공정챔버(100) 내부 가스분사부(200)나 챔버 내측벽 또는 기판지지부(300)에 증착되는 불필요한 증착물질이 제거될 수 있다.
상기 메인클리닝단계가 완료되면, 다시 기판(10)에 대한 기판처리가 복수회 수행될 수 있다.
기판처리단계에서 상기 제어부는, 기판처리공정 중 가스유로부(330)를 통해 상기 퍼지가스(PG)가 지속적으로 공급되도록 가스공급을 제어할 수 있다.
상기 기판지지부클리닝단계는, 기판지지부(300)를 통해 기판지지부(300)와 기판지지부(300)에 지지된 기판(10) 사이 공간으로 표면클리닝가스(SCG)를 공급하여 기판지지부(300)를 클리닝할 수 있다.
상기 기판지지부클리닝단계는, 메인클리닝단계 사이에 또는 메인클리닝단계와 함께 수행될 수 있다.
예로서, 상기 기판지지부클리닝단계는, 도 6 및 도 8에 도시된 바와 같이, 메인클리닝단계 사이에 수행될 수 있으며, 간격을 두고 반복 수행되는 것도 가능하다.
도 6 내지 도 8은, 기판지지부클리닝단계가 메인클리닝단계 사이에서 간격을 두고 복수회 수행되는 실시예를 도시한 것이나, 기판지지부클리닝단계가 메인클리닝단계와 동시에 수행되는 실시예도 가능함은 물론이다.
상기 기판지지부클리닝단계는, 공정챔버(100)로 도입되어 기판지지부(300)에 척킹된 기판(10)의 뒤틀림(wargage) 정도가 미리 설정된 기준 이상인 경우 수행되거나 또는 미리 설정된 기판처리 누적매수 마다(예를들어, 2000매의 기판처리가 누적될 때마다) 수행될 수 있다.
상기 메인클리닝단계나 기판지지부클리닝단계가 수행되지 않을 때는, 공정챔버(100) 내에서 기판처리가 이루어지는 기판처리단계가 누적하여 반복 수행될 수 있다.
상기 기판처리단계에서 상술한 제어부는, 기판처리 중 기판(10)의 저면에 기판처리가 이루어지지 않도록, 가스홀(312)을 통해 베이스부(310)와 기판(10) 사이 공간으로 퍼지가스(PG)가 공급되도록 퍼지가스밸브 및 크리닝가스밸브의 동작을 제어할 수 있다.
기판처리단계 사이 기판(10)이 교환되는 시간과 같이 기판(10)이 베이스부(310)에 안착되지 않은 시간에 공정챔버(100) 내에 잔류하는 반응성 가스가 베이스부(310)의 상면에 증착되고 이러한 기판처리단계가 반복 수행됨에 따라 베이스부(310)의 척킹력이 약해져 기판지지부(300), 특히 베이스부(310)의 상면의 박막을 제거하는 클리닝이 필요해질 수 있다.
베이스부(310)의 척킹력이 약해짐에 따라 기판(10)이 공정챔버(100)로 도입되어 기판지지부(300)에 척킹된 기판(10)의 뒤틀림(wargage) 정도가 미리 설정된 기준 이상이 되는 등 기판지지부클리닝이 수행되어야할 시점이 되면, 기판지지부클리닝단계가 수행될 수 있다.
상기 기판지지부클리닝단계에서, 제어부는 가스홀(312)을 통해 베이스부(310)와 기판(10) 사이 공간으로 표면클리닝가스(SCG) 또는 표면클리닝가스(SCG)와 불활성의 퍼지가스(PG)가 함께 공급되도록 퍼지가스밸브 및 표면크리닝가스밸브의 동작을 제어할 수 있다.
보다 구체적으로, 상기 기판지지부클리닝단계는, 공정챔버(100)로 더미기판을 도입하는 더미기판도입단계와, 더미기판을 기판지지부(300)에 척킹하는 더미기판척킹단계와, 기판지지부(300)의 상면과 더미기판 사이 공간으로 표면클리닝가스(SCG)를 공급하는 클리닝가스공급단계를 포함할 수 있다.
상기 더미기판은, 상술한 기판(10)과 동일한 구성으로 기판지지부클리닝단계에서 활용되는 클리닝용 기판일 수 있다.
즉, 상기 기판지지부클리닝단계는, 기판지지부(300)의 상면과 더미기판 사이 공간에서의 표면클리닝가스(SCG)가 기판지지부(300)의 중앙에서 외곽측으로 효과적으로 확산되도록 하기 위하여 더미기판(10)을 기판지지부(300)가 척킹한 상태로 수행될 수 있다.
상기 클리닝가스공급단계는, 불활성의 퍼지가스(PG)를 표면클리닝가스(SCG)와 함께 기판지지부(300)의 상면, 보다 구체적으로는 베이스부(310)의 상면과 더미기판 사이 공간으로 공급할 수 있다.
상기 베이스부(310)의 상면과 더미기판 사이 공간으로 공급된 표면클리닝가스(SCG)는 베이스부(310)의 상면의 박막을 제거한 후 부산물과 함께 공정챔버(100) 외측으로 배기되고 더미기판이 공정챔버(100)에서 배출됨으로써 기판지지부클리닝단계가 완료될 수 있다.
상기 기판지지부클리닝단계는 기판지지부(300)의 상면에 대응되는 매우 적은 영역에 대한 클리닝만을 수행하므로, 도 6에 도시된 바와 같이, 1일 정도의 시간이 소요되는 메인클리닝단계와 달리, 30분 내외의 짧은 시간을 수행하는 것 만으로도 충분한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은, 공정챔버(100) 전체를 클리닝하는 메인클리닝단계 이외에도 짧은 시간간격동안 기판지지부(300)의 상면에 증착되는 박막을 제거하는 기판지지부클리닝단계를 메인클리닝단계 사이에 1회 이상 추가로 수행함으로써, 누적되는 기판처리횟수 증가에도 불구하고 기판(10)에 대한 기판지지부(300)의 양호한 척킹력을 계속 유지할 수 있어 아킹이나 기판처리 불량을 야기할 수 있는 기판(10)의 뒤틀림현상(Warpage)를 방지할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명은 공정챔버(100)에 대한 메인클리닝단계 사이에 기판지지부(300)의 표면에 대한 기판지지부클리닝단계를 추가로 수행함으로써, 메인클리닝단계가 수행되는 클리닝주기를 극대화 할 수 있는 이점도 있다.
예로서, 종래 기판(10) 400매에 대한 기판처리 반복 후 주기적으로 메인클리닝을 진행했다고 가정할 때, 본 발명은 기판지지부클리닝단계를 포함함으로써 400매 이상(예를 들어, 600매)의 기판처리를 주기로 메인클리닝을 수행해도 충분히 클리닝 효과를 얻을 수 있다.
즉, 본 발명은 긴 시간이 소요되는 메인클리닝이 수행되는 주기를 극대화 함으로써 기판처리장치의 생산량을 크게 향상시킬 수 있다.
이상은 본 발명에 의해 구현될 수 있는 바람직한 실시예의 일부에 관하여 설명한 것에 불과하므로, 주지된 바와 같이 본 발명의 범위는 위의 실시예에 한정되어 해석되어서는 안 될 것이며, 위에서 설명된 본 발명의 기술적 사상과 그 근본을 함께하는 기술적 사상은 모두 본 발명의 범위에 포함된다고 할 것이다.
10: 기판 100: 공정챔버
200: 가스분사부 300: 기판지지부

Claims (12)

  1. 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 기판처리를 위한 공정가스 및 상기 공정챔버(100) 내부를 클리닝하기 위한 챔버클리닝가스(CCG)를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 하나 이상의 기판(10)이 안착되는 기판지지부(300)를 포함하는 기판처리장치로서,
    상기 기판지지부(300)는, 기판(10)이 상면에 안착되는 베이스부(310)와, 상기 베이스부(310)의 상면에 돌출형성되어 기판(10)을 지지하는 복수의 돌출부(320)들과, 상기 베이스부(310)의 상면과 상기 복수의 돌출부(320)들에 지지된 기판(10) 사이 공간과 연통되도록 상기 베이스부(310)를 관통하여 형성되는 가스유로부(330)와, 상기 가스유로부(330)에 연결되며 복수의 돌출부(320)들 사이로 표면클리닝가스(SCG)가 흘러 상기 베이스부(310)의 상면에 증착물을 제거하도록, 상기 가스유로부(330)를 통해 표면 클리닝가스(SCG)를 공급하기 위한 표면클리닝가스공급부를 포함하며,
    상기 기판처리장치는, 상기 챔버클리닝가스(CCG)를 이용하여 상기 공정챔버(100) 내부를 클리닝하는 메인클리닝공정 사이에 상기 가스유로부(330)를 통한 상기 표면클리닝가스(SCG)의 공급을 제어하기 위한 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판지지부(300)는, 정전기력에 의해 기판(10)을 척킹하기 위하여 상기 베이스부(310)에 전극이 내장되는 정전척인 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판지지부(300)는,
    상기 가스유로부(330)를 통해 공급된 퍼지가스(PG) 및 표면클리닝가스(CCG) 중 적어도 하나가 상기 베이스부(310)의 상면과 상기 돌출부(320)에 지지된 기판(10) 사이 공간을 통해 확산되도록 상기 베이스부(310)의 상면에 형성되는 그루브(340)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판지지부(300)는, 상기 베이스부(310)의 상면 가장자리 둘레를 따라 상기 돌출부(320)의 높이와 같거나 또는 더 높은 높이로 형성되는 댐부(350)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 베이스부(310)의 상면에는, 상기 가스유로부(330)와 연통되는 복수의 가스홀(312)들이 형성되며,
    상기 가스유로부(330)는, 상기 복수의 가스홀(312)들과 각각 연통되도록 상기 기판지지부(300) 내부에서 분기되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 있어서.
    상기 기판지지부(300)는, 상기 가스유로부(330)에 연결되며 상기 복수의 돌출부(320)들 사이로 퍼지가스(PG)가 흐르도록 상기 가스유로부(330)를 통해 퍼지가스(PG)를 공급하기 위한 퍼지가스공급부를 추가로 포함하며,
    상기 제어부는, 기판처리공정 중 상기 가스유로부(330)를 통해 상기 퍼지가스(PG)가 지속적으로 공급되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 기판처리장치는,
    상기 기판지지부(300)에 처킹된 기판(10)의 뒤틀림(warpage) 정도를 감지하기 위한 뒤틀림감지부를 추가로 포함하며,
    상기 제어부는, 상기 뒤틀림 정도가 미리 설정된 기준 이상이 경우, 상기 가스유로부(330)를 통해 상기 표면클리닝가스(CCG)를 공급되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 밀폐된 처리공간(S)을 형성하는 공정챔버(100)와; 상기 공정챔버(100) 상측에 설치되어 기판처리를 위한 공정가스 및 상기 공정챔버(100) 내부를 클리닝하기 위한 챔버클리닝가스(CCG)를 분사하는 가스분사부(200)와; 상기 공정챔버(100)에 설치되어 하나 이상의 기판(10)이 안착되는 기판지지부(300)를 포함하는 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 하나의 항에 따른 기판처리장치에서 수행되는 기판처리방법으로서,
    상기 기판처리를 복수 회 수행한 후, 상기 가스분사부(200)를 통해 챔버클리닝가스(CCG)를 공급하여 상기 공정챔버(100) 내부 전체를 클리닝하기 위하여 간격을 두고 반복 수행되는 메인클리닝단계와;
    상기 기판지지부(300)를 통해 상기 기판지지부(300)와 상기 기판지지부(300)에 지지된 기판(10) 사이 공간으로 표면클리닝가스(SCG)를 공급하여 상기 기판지지부(300)를 클리닝하는 기판지지부클리닝단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 기판지지부클리닝단계는, 상기 메인클리닝단계 사이에 또는 상기 메인클리닝단계와 함께 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 기판지지부클리닝단계는,
    상기 공정챔버(100)로 도입되어 상기 기판지지부(300)에 척킹된 기판(10)의 뒤틀림(wargage) 정도가 미리 설정된 기준 이상인 경우 수행되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  11. 청구항 8에 있어서,
    상기 기판지지부클리닝단계는,
    상기 공정챔버(100)로 더미기판을 도입하는 더미기판도입단계와, 상기 더미기판을 상기 기판지지부(300)에 척킹하는 더미기판척킹단계와, 상기 기판지지부(300)의 상면과 상기 더미기판 사이 공간으로 표면클리닝가스(SCG)를 공급하는 클리닝가스공급단계를 포함하는 기판처리방법.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 클리닝가스공급단계는, 불활성의 퍼지가스(PG)를 상기 표면클리닝가스(SCG)와 함께 상기 기판지지부(300)의 상면과 상기 더미기판 사이 공간으로 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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