KR20090005654A - 플라즈마 화학기상 증착장비 - Google Patents

플라즈마 화학기상 증착장비 Download PDF

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Abstract

본 발명은 플라즈마 화학기상 증착장비에 관한 것으로서, 특히 기판을 지지하는 리프트 핀의 형상을 변경하여 플라즈마 화학기상 증착장비의 구동 시에 리프트 핀이 파손되는 것을 방지하기 위한 것이다. 이러한 본 발명은, 증착 물질을 확산하는 샤워헤드; 상기 샤워헤드와 소정 간격 이격되어 대향하며, 다수 개의 제 1 홀이 형성된 서셉터; 상기 제 1 홀에 체결되며, 기둥 형상을 가지는 본체부 및 상기 본체부의 하부에 형성되고 상기 본체부의 직경보다 큰 직경을 가지는 무게중심 조절부로 구성된 리프트 핀; 에 의해 달성된다.
플라즈마 화학기상 증착장비, 리프트 핀, 서셉터

Description

플라즈마 화학기상 증착장비{PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS}
본 발명은 플라즈마 화학기상 증착장비에 관한 것으로서, 특히 기판을 지지하는 리프트 핀의 형상을 변경함으로써 리프트 핀이 파손되는 것이 방지된 플라즈마 화학기상 증착장비에 관한 것이다.
본 발명은 플라즈마 화학기상 증착장비에 관한 것으로서, 특히 기판을 지지하는 리프트 핀의 형상을 변경함으로써 리프트 핀이 파손되는 것이 방지된 플라즈마 화학기상 증착장비에 관한 것이다.
일반적으로 액정표시장치는 경량, 박형, 저소비 전력구동 등의 특징으로 인해 그 응용범위가 점차 넓어지고 있는 추세에 있다. 이에 따라 액정표시장치는 노트북 PC와 같은 휴대용 컴퓨터, 사무 자동화 기기, 오디오/비디오 기기 등으로 널리 이용되고 있다.
이러한 액정표시장치(Liquid Crystal Display)는 상부기판인 컬러필터(color filter)기판과 하부기판인 박막트랜지스터 어레이(Thin film Transistor Array)기판이 서로 대향하고 그 사이에는 액정층이 충진된 액정패널과, 상기 액정패널에 주 사신호 및 화상정보를 공급하여 액정패널을 동작시키는 구동부를 포함하여 구성된다.
상기 액정패널에는 복수의 게이트라인과 데이터라인이 종횡으로 배치되어 복수의 화소를 정의하며, 각각의 화소에는 스위칭소자가 구비되어 상기 게이트라인 및 데이터라인과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 박막 트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터 기판에는 각각 화소전극과 공통전극이 구비되어, 화상신호가 인가됨에 따라 화소전극과 공통전극 사이에 형성되는 전계에 의해 액정이 구동되어 화상을 표시하게 된다.
이러한 액정패널의 박막트랜지스터 어레이 기판과 컬러필터 기판은 각각 유리 등의 재질로 이루어진 기판상에 수차례에 걸친 박막의 증착, 패터닝 및 식각 공정을 통해 제조된다.
일반적으로, 기판상에 박막을 증착하는 방법은 스퍼터링(sputtering)법과 같이 물질적인 충돌을 이용하여 박막을 형성하는 PVD(physical vapor deposition)법과 화학반응을 이용하여 박막을 형성하는 CVD(chemical vapor deposition)법으로 구분된다. 그러나, PVD법은 CVD법에 비하여 조성이나 두께의 균일도 및 계단도포성(step coverage)이 좋지 못하므로 CVD 법이 흔히 사용된다.
이와 같은 CVD법에는 APCVD(atmospheric pressure chemical vapor deposition ; 대기압 화학기상 증착)과, PECVD(plasma enhanced chemical vapor deposition ; 이하, 플라즈마 화학기상 증착) 등이 있다. 특히, 플라즈마 화학 기상 증착법은 플라즈마 화학기상 증착장비의 챔버 내로 주입된 반응가스에 RF 파워 를 인가하여 반응가스를 플라즈마 상태로 만들고, 상기 플라즈마 내에 존재하는 이온들이 기판상에 증착하도록 하는 방법으로서, 저온 증착이 가능하고 박막의 형성속도가 빠른 장점 때문에 최근 많이 사용되고 있는 추세에 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 종래의 일반적인 플라즈마 화학기상 증착장비에 대하여 설명하겠다.
도 1 에 도시한 바와 같이 플라즈마 화학기상 증착장비는 상부커버(110)와 챔버바디(11)로 구성된다.
상기 상부커버(10)는 백킹플레이트(backing plate)(5)와 샤워 헤드(shower head)(1)로 이루어져 있다. 상기 백킹플레이트(5)에는 샤워 헤드(1)에 가스를 주입하기 위한 가스유입관(8)이 형성되며, 상기 샤워헤드(1)는 챔버 내의 상부전극을 이루고 가스유입관(8)으로부터 공급되는 가스의 흐름을 조절한다.
상기 챔버바디(11)의 내부에는 상기 샤워헤드(1)와 소정 간격 이격되어 대향하는 서셉터(2)가 설치되어 있는데, 이러한 서셉터(2)는 챔버 내의 하부전극을 이루고, 복수 개의 제 1 홀(2a)이 형성된다. 또한, 상기 서셉터(2)의 제 1 홀(2a)에는 내부에 제 2 홀(3a)이 마련된 리프트 핀 홀더(3)가 마련되며, 상기 제 2 홀(3a)에는 리프트 핀(4)이 체결된다.
상기 리프트 핀(4)은 별도의 구동장치 없이 리프트 핀 홀더(3)에 대하여 자유로이 결합되어 있는 상태이어서, 리프트 핀(4)은 리프트 핀 홀더(3)의 제 2 홀(3a) 내부에서 서셉터(2)의 상하 이동에 따라서 자연스레 상하 이동하게 된다.
여기서, 상기 리프트 핀 홀더(3)는 버싱(bushing)이라고도 불리며, 상기 리 프트 핀(4)은 골프티(golf tee)라고도 불린다.
그리고, 상기 챔버바디(11)의 내부에는 상기 서셉터(2)의 상면에 안착되는 기판(20)의 상부 가장자리와 접촉하는 섀도우 프레임(shadow frame)(6)이 설치되어 있다. 또한, 상기 서셉터(2)의 하부에는 핀 플레이트(7)가 구비된다.
이와 같은 구성을 가지는 플라즈마 화학기상 증착장비를 이용하여 기판(20)상에 박막을 증착하는 과정을 간략히 언급하면 다음과 같다.
먼저, 서셉터(2)가 하강하여 핀 플레이트(7)에 접근한다. 이에 따라, 리프트 핀(4)의 상부는 서셉터(2)의 외부로 노출된다.
그 다음, 기판(20)을 적재한 로봇암이 챔버 내부로 진입하여 기판(20)을 리프트 핀(4)의 상부에 내려놓는다.
그 다음, 도 1에 도시한 바와 같이 서셉터(2)가 1차 상승하여 상면과 리프트 핀(4)의 상면이 평면을 이룬다.
그 다음, 서셉터(2)와 섀도우 프레임(6)이 2차 상승한다. 이에 따라, 기판(20)이 샤워 헤드(1)와 소정 간격을 이룬다.
이 후, 가스가 샤워 헤드(1)를 통해 챔버 내부로 주입되며, 기판(20)에 대한 박막 증착이 이루어진다.
그 다음, 도 2에 도시한 바와 같이 서셉터(2)와 새도우 프레임(6)이 1차 하강하여 서셉터(2)의 상면과 리프트핀(4)이 상면이 평면을 이룬 후에, 서셉터(2)가 2차 하강한다. 이에 따라, 리프트 핀(4)의 상부가 서셉터(2)의 외부로 노출이 된다.
그 다음, 로봇암이 챔버 내부로 진입하여 증착 공정이 완료된 기판(20)을 적재한 후 챔버의 외부로 배출한다.
이와 같은 플라즈마 화학기상 증착장비를 통한 증착 공정 과정에서는 상기 리프트 핀(4)이 핀 플레이트(7)에 대하여 수직 상태를 유지하지 못하여 파손이 발생하기도 하는데, 이를 도 2a와 도 2b를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 2a와 도 2b에는 상기 리프트 핀(4)이 핀 플레이트(7)에 대하여 수직을 이루지 않아 리프트 핀(4)이 파손되는 과정을 도시하였다.
도 2a에 도시한 바와 같이 상기 리프트 핀(4)이 상기 핀 플레이트(7)에 대하여 수직을 이루지 않은 경우에는, 도 2b에 도시한 바와 같이 상기 서셉터(2)가 하강하여 핀 플레이트(7)에 접근할 때 상기 리프트 핀(4)이 서셉터(2) 혹은 리프트 핀 홀더(3)의 압력에 의해서 파손된다.
이와 같이 상기 리프트 핀(4)이 핀 플레이트(7)에 대하여 수직으로 놓이지 못하는 경우가 발생하는 이유는, 상기 챔버 내부에서 증착 공정이 진행되는 동안 가스 등에 의해 오염되어 표면이 거칠어진 리프트 핀(4)이 리프트 핀 홀더(3)의 제 2 홀(3a) 내부에서의 원활한 상하 이동을 하지 못하기 때문이다. 그리고, 도 1 및 도 2a와 도 2b에 도시한 바와 같이 상기 리프트 핀(4)은 서셉터(2)의 하부로 빠져나가는 현상의 방지를 위하여 상부의 직경이 하부의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는데, 이로 인해 리프트 핀(4)의 상부가 하부보다 상대적으로 무거워서 안정적이지 않으므로 중심을 잡지 못하고 좌우로 유동하기 때문이다.
이와 같은 이유로 리프트 핀(4)이 파손되면 파손된 리프트 핀(4)을 교체하기 위하여 플라즈마 화학기상 증착장비의 가동을 중단시켜야 하므로, 장비의 생산성이 저하되는 문제점이 있다. 그리고, 상기에 설명한 바와 같이 리프트 핀(4)이 파손되면, 리프트 핀(4)의 상부에 적재된 기판(20)에 치명적인 손상을 입힐 수도 있는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 증착 공정 시에 리프트 핀이 파손되는 현상이 방지된 플라즈마 화학기상 증착장비를 제공하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 증착 물질을 확산하는 샤워헤드; 상기 샤워헤드와 소정 간격 이격되어 대향하며, 다수 개의 제 1 홀이 형성된 서셉터; 상기 제 1 홀에 체결되며, 기둥 형상을 가지는 본체부 및 상기 본체부의 하부에 형성되고 상기 본체부의 직경보다 큰 직경을 가지는 무게중심 조절부로 구성된 리프트 핀; 을 포함하여 구성된다.
상기와 같은 구성을 가지는 본 발명은, 상기 리프트 핀의 하부에 무게중심 조절부를 마련함으로써 상기 리프트 핀의 무게 중심이 리프트 핀의 하부에 위치하게 된다.
따라서, 상기 리프트 핀은 핀 플레이트에 대하여 수직인 상태를 유지할 수 있으며, 리프트 핀 홀더 내부에서의 상하 이동이 흔들림 없이 원활하게 이루어지는 장점이 있다.
이에 따라, 플라즈마 화학기상 증착장비에 구비된 리프트 핀의 파손을 방지할 수 있으며, 리프트 핀의 상부에 적재된 기판이 파손된 리프트 핀에 의해 손상이 입게 되는 현상이 발생하지 않는 장점이 있다.
따라서, 플라즈마 화학기상 증착장비의 생산성을 향상할 수 있는 효과가 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정표시장치를 상세히 설명한다.
도 3에 도시한 바와 같이 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비는, 증착 물질을 확산하는 샤워헤드(101); 상기 샤워헤드(101)와 소정 간격 이격되어 대향하며, 다수 개의 제 1 홀(102a)이 형성된 서셉터(102); 상기 제 1 홀(102a)에 체결되며, 기둥 형상을 가지는 본체부(104a) 및 상기 본체부(104a)의 하부에 형성되고 상기 본체부(104a)의 직경보다 큰 직경을 가지는 무게중심 조절부(104b)로 구성된 리프트 핀(104); 을 포함하여 구성된다. 그리고, 상기 제 1 홀(102a)의 내부에는 체결홈(102b)이 형성되며, 상기 체결홈(102b)에는 리프트 핀(104)이 체결되는 제 2 홀(103a)이 형성된 리프트 핀 홀더(103)가 추가로 마련되어 체결된다.
도 3에 도시한 바와 같이 상기 플라즈마 화학기상 증착장비, 즉 챔버는 상부커버(110)와 챔버바디(111)로 이루어지는데, 상기 상부커버(110)는 백킹 플레이트(105) 및 샤워헤드(101), RF 파워(미도시)를 포함하여 구성되며, 상기 챔버바디(111)는 서셉터(102), 리프트 핀 홀더(103), 리프트 핀(104), 섀도우 프레임(106) 및 핀 플레이트(107)를 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 상부커버(110)와 챔버바디(111)로 이루어진 챔버의 내부는 진공 상태이다.
상기 백킹 플레이트(105)에는 백킹 플레이트(105)의 하부로 가스를 주입하기 위한 가스유입관(108)이 형성되는데, 이러한 가스유입관(108)은 가스가 백킹 플레이트(105)의 하부로 골고루 확산되도록 하부 방향으로 방사형으로 뻗은 형상을 갖는다. 이와 같이 백킹 플레이트(105)의 하부로 골로루 확산된 가스는 샤워 헤드(101)에 형성된 관통홀(101a)을 통해 기판(120)의 상면을 향해 균일하게 분사된다. 여기서, 상기 샤워 헤드(101)는 챔버 내의 상부전극을 이루며, RF 파워가 연결된다.
상기 서셉터(102)는 샤워 헤드(101)의 하부에 소정 간격 이격되어 대향하도록 형성된다. 그리고, 상기 서셉터(102)는 챔버 내의 하부전극을 이루며, RF 파워를 접지시키는 그라운드 전압에 연결된다. 이러한 서셉터(102)에는 복수 개의 제 1 홀(102a)이 형성되는데, 상기 제 1 홀(102a)의 내부에는 리프트 핀 홀더(103)가 체결되는 체결홈(102b)이 마련된다.
상기 제 1 홀(102a)의 내부에 마련된 체결홈(102b)에는 리프트 핀 홀더(103)의 일부가 체결되어 고정된다. 그리고, 리프트 핀 홀더(103)에는 리프트 핀(104)이 체결되는 제 2 홀(103a)이 마련된다. 상기 제 2 홀(103a)을 이루는 면은 일부가 제 2 홀(103a)의 내부로 돌출된 형상을 가지며, 이로써 상기 리프트 핀 홀더(103)의 제 2 홀(103a)을 형성하는 면의 일부, 즉 돌출된 영역만이 리프트 핀(104)과 접촉한다. 이에 따라, 상기 리프트 핀(104)이 리프트 핀 홀더(103)와 최소의 면적만 접촉하므로 리프트 핀(104)의 상하 이동이 용이하게 이루어진다.
도 3에 도시한 바와 같이 상기 리프트 핀(104)은 기둥 형상을 가지는 본체 부(104a) 및, 상기 본체부(104a)의 하부에 형성되고 상기 본체부(104a)의 직경보다 큰 직경을 가지는 무게중심 조절부(104b)로 구성된다.
상기 리프트 핀(104)의 본체부(104a)의 상부는 상기 무게 중심 조절부(104b)와 마찬가지로 본체부(104a)의 하부보다 큰 직경을 갖도록 형성되는데, 이로 인해 리프트 핀(104)이 서셉터(102)의 하부로 빠져나가는 것이 방지된다.
상기 리프트 핀(104)의 구성요소인 무게중심 조절부(104b)는 본체부(104a)의 하부에 위치하여 리프트 핀(104)의 무게 중심이 리프트 핀(104)의 하부에 설정되도록 조절하여, 상기 리프트 핀(104)은 리프트 핀 홀더(103)의 제 2 홀(103a) 내부에서 흔들림없이 원활하게 상하이동이 이루어지게 된다.
여기서, 상기 무게중심 조절부(104b)는 상기 본체부(104b)와 같은 물질로 형성될 수도 있고 다른 물질로 형성될 수도 있지만, 상기 리프트 핀(104)의 무게 중심을 리프트 핀(104)의 하부에 설정되도록 조절할 수 있는 만큼의 소정 무게를 가지는 것이 바람직할 것이다. 이러한 리프트 핀(104)에 관한 상세한 설명은 아래에서 하기로 하겠다.
도 3을 참조하면, 상기 서셉터(102)의 상부의 테두리에는 상기 서셉터(102)의 상면에 안착되는 기판(120)의 상부 가장자리와 접촉하는 섀도우 프레임(106)이 설치된다.
그리고, 상기 서셉터(102)의 하부에는 핀 플레이트(107)가 구비된다. 상기 서셉터(102)가 하강하는 경우에 리프트 핀(104)의 하부면이 상기 핀 플레이트(107)의 상면에 닿아서 리프트 핀(104)의 상부가 서셉터(102)의 외부로 노출되며, 이로 써 박막의 증착이 이루어질 기판(120)이 챔버 내부에 유입될 시에 리프트 핀(104)의 상부에 안전하게 놓이게 된다.
이와 같은 구성을 가지는 플라즈마 화학기상 증착장비를 이용하여 기판(120)상에 박막을 증착하는 과정을 첨부한 도 3을 비롯하여 도 4a와 도 4b를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 4a와 도 4b는 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비를 구동하는 모습을 도시한 단면도로서, 도 4a에는 기판이 리프트 핀(104)의 상부에 적재된 후의 모습을 도시하였으며, 도 4b에는 서셉터(102)와 섀도우 프레임(106)의 2차 상승 후의 모습을 도시하였다. 참고로, 도 3은 기판(120)이 리프트 핀(104)에 적재되고 서셉터(102)가 1차 상승한 후의 모습 혹은 기판(120)에 대한 박막의 증착이 이루어지고 서셉터(102)가 1차 하강한 후의 모습을 도시한 도면이다.
먼저, 서셉터(102)가 하강하여 핀 플레이트(107)에 접근한다. 이에 따라, 리프트 핀(104)의 하부는 핀 플레이트(107)의 상면에 접촉하게 되며, 리프트 핀(104)의 상부는 서셉터(102)의 외부로 노출이 된다. 만약, 상기 서셉터(102)와 섀도우 프레임(106) 사이에 기판(120)이 적재될 공간이 마련된 경우, 즉 서셉터(102)의 상면과 섀도우 프레임(106)의 내부 상면 사이가 충분히 이격된 경우에는 아래의 단계부터 수행해도 무방할 것이다.
그 다음, 기판(120)을 적재한 로봇암이 챔버 내부로 진입하여 기판(120)을 리프트 핀(104)의 상부에 내려놓는다. 따라서, 도 4a에 도시한 바와 같이 기판(120)이 리프트 핀(104)의 상부에 안착된다.
그 다음, 도 3에 도시한 바와 같이 서셉터(102)가 1차 상승한다. 이에 따라, 서셉터(102)의 상면과 리프트 핀(104)의 상면이 평면을 이루고, 기판(120)이 상기 리프트 핀(104)의 상면을 비롯하여 서셉터(102)의 상면과도 접촉하게 된다.
그 다음, 도 4b에 도시한 바와 같이 서셉터(102)와 섀도우 프레임(106)이 2차 상승한다. 이에 따라 샤워 헤드(101)와 기판(120)이 소정의 간격을 두고 배치된다. 여기서, 상기 샤워 헤드(101)와 기판(120) 사이의 소정 간격은 기판(120)상에 박막의 증착이 효율적으로 이루어질 수 있는 범위 내에서 설계된 후 적용되는 것이 바람직할 것이다.
이후, 가스가 샤워 헤드(101)를 통해 챔버 내부로 주입되며, 기판(120)에 대한 박막의 증착이 이루어진다.
그 다음, 도 3에 도시한 바와 같이 서셉터(102)와 섀도우 프레임(106)이 1차 하강한다. 이에 따라, 서셉터(102)의 상면과 리프트 핀(104)의 상면이 평면을 이룬다.
그 다음, 도 4a에 도시한 바와 같이 서셉터(102)가 2차 하강한다. 이에 따라, 리프트 핀(104)의 하부는 핀 플레이트(107)의 상면에 접촉하게 되며, 리프트 핀(104)의 상부는 서셉터(102)의 외부로 노출이 된다. 즉, 상기 기판(120)과 서셉터(102)는 소정 간격만큼 이격 된다.
그 다음, 로봇암이 챔버 내부로 진입하여 증착 공정이 완료된 기판(120)을 적재한 후에 챔버의 외부로 빠져나간다.
이하, 상기에 설명한 바와 같은 박막의 증착 과정 및 도 3, 도 5를 참고하 여, 본 발명에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비에 구비된 상기 리프트 핀(104)에 대하여 더욱 상세히 설명하겠다.
도 3에는 리프트 핀(104)과, 리프트 핀 홀더(103), 서셉터(102), 핀 플레이트(107)의 일부 단면을 추가로 확대하여 도시하였으며, 도 5는 리프트 핀(104)의 구성요소인 본체부(104a)와 무게중심 조절부(104b)가 체결되는 방법의 일예를 도시하였다.
도 3에 도시한 바와 같이 상기 리프트 핀(104)은 기둥 형상을 가지는 본체부(104a) 및, 상기 본체부(104a)의 하부에 형성되고 상기 본체부(104a)의 직경보다 큰 직경을 가지는 무게중심 조절부(104b)로 구성된다. 그리고, 상기 본체부(104a)의 상부는 본체부(104a)의 하부보다 큰 직경을 가지는데, 이로 인해 서셉터(102)가 상승하였을 때 상기 리프트 핀(104)이 서셉터(102)의 하부로 빠져나가는 것이 방지된다. 즉, 상기 본체부(104a) 상부 및 무게중심 조절부(104b)의 직경은 본체부(104a) 하부의 직경보다 크다.
상기 무게중심 조절부(104b)는 본체부(104a)의 하부에 위치하여 리프트 핀(104)의 무게 중심이 리프트 핀(104)의 하부에 설정되도록 조절한다. 이러한 무게중심 조절부(104b)는 상기 본체부(104b)와 같은 물질로 형성될 수도 있고 다른 물질로 형성될 수도 있지만, 상기 리프트 핀(104)의 무게 중심을 리프트 핀(104)의 하부에 설정되도록 조절할 수 있는 만큼의 소정 무게를 가지는 것이 바람직할 것이다.
상기 리프트 핀(104)은 별도의 구동장치가 마련되지는 않으며, 리프트 핀 홀 더(103)의 제 2 홀(103a)에 자유로이 결합되어 상하 이동이 가능하며, 이로써 리프트 핀(104)은 리프트 핀 홀더(103)의 제 2 홀(103a)의 내부에서 서셉터(102)의 상하 이동에 따라서 자연스레 상하 이동하게 된다. 즉, 상기의 박막의 증착 과정에 대한 설명에서 언급한 바와 같이 상기 서셉터(102)가 상승하면 상기 리프트 핀(104)의 하부가 핀 플레이트(107)로부터 이격되므로 리프트 핀 홀더(103)의 제 2 홀(103a) 내부에서 하부로 이동하여 리프트 핀(104)의 하부가 서셉터(102)의 외부로 노출되고, 서셉터(102)가 하강하면 리프트 핀(104)의 하부가 핀플레이트(107)에 접촉하여 리프트 핀 홀더(103)의 제 2 홀(103a) 내부에서 상부로 이동하여 리프트 핀(104)의 상부가 서셉터(102)의 외부로 노출된다. 이때, 상기 리프트 핀(104)은 무게중심 조절부(104b)에 의해서 무게중심이 하부에 위치하므로 리프트 핀 홀더(103)의 제 2 홀(103a) 내부에서 흔들림 없이 원활하게 상하 이동한다.
그리고, 도 5에 도시한 바와 같이 상기 리프트 핀(104)은 서셉터(102) 및 리프트 핀 홀더(103)와의 체결의 용이성을 위하여 본체부(104a)와 무게중심 조절부(104b)가 나사결합 등의 방법에 의해 체결될 수 있다.
이에 대하여 더욱 상세히 설명하면, 도 5에 도시한 바와 같이 상기 리프트 핀(104)의 본체부(104a)의 하부에 돌출된 나사산(104c)을 형성하고 상기 무게중심 조절부(104b)의 상부에 나사홈(104d)을 형성하여, 상기 나사산(104c)과 나사홈(104d)을 체결함으로써 상기 리프트 핀(104)의 본체부(104a)와 무게중심 조절부(104b)를 결합할 수 있을 것이다.
즉, 상기 리프트 핀(104)은 서셉터(102) 내부에 체결된 리프트 핀 홀더(103) 에 본체부(104a)가 먼저 체결된 후에 본체부(104a) 하부의 나사산(104c)과 무게중심 조절부(104b)의 나사홈(104d)이 체결됨으로써 형성될 수 있다.
상기의 설명과 도면에서 상기 리프트 핀(104)은 본체부(104a)에 나사산(104c)이 형성되고 무게중심 조절부(104b)에 나사홈(104d)이 형성되어 상기 나사산(104c)과 나사홈(104d)이 체결됨으로써 형성된 것을 그 예로 하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 상기 리프트핀(104)은 본체부(104a)에 나사홈이 형성되고 무게중심 조절부(104b)에 나사산이 형성되어 이 나사홈과 나사산이 체결됨으로써 형성되는 등 다양한 체결 예가 가능하다.
도 1은 일반적인 플라즈마 화학기상 증착장비를 도시한 단면도.
도 2a와 도 2b는 리프트 핀이 핀플레이트에 대하여 수직을 이루지 않아 리프트 핀이 파손되는 과정을 도시한 단면도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 플라즈마 화학기상 증착장비를 도시한 단면도.
도 4a와 도 4b는 도 3의 플라즈마 화학기상 증착장비를 구동하는 모습을 도시한 단면도.
도 5는 도 3의 리프트 핀의 구성요소인 본체부와 무게중심 조절부가 체결되는 방법의 일예를 도시한 단면도.
**도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명**
101:샤워헤드 102:서셉터 102a:제 1 홀
103:리프트 핀 홀더 103a:제 2 홀
104:리프트 핀 104a:본체부 104b:무게중심 조절부
105:백킹 플레이트 106:섀도우 프레임
107:핀 플레이트 108:가스유입관

Claims (15)

  1. 증착 물질을 확산하는 샤워헤드;
    상기 샤워헤드와 소정 간격 이격되어 대향하며, 다수 개의 제 1 홀이 형성된 서셉터;
    상기 제 1 홀에 체결되며, 기둥 형상을 가지는 본체부 및 상기 본체부의 하부에 형성되고 상기 본체부의 직경보다 큰 직경을 가지는 무게중심 조절부로 구성된 리프트 핀;
    을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 홀의 내부에는 체결홈이 형성되며,
    상기 체결홈에는 리프트 핀이 체결되는 제 2 홀이 형성된 리프트 핀 홀더가 추가로 마련되어 체결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기장 증착장비.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 리프트 핀 홀더의 제 2 홀을 형성하는 면은 일부가 제 2 홀의 내부로 돌출되어 상기 리프트 핀과 접촉하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 리프트 핀의 본체부의 하부에는 나사산이 형성되고, 상기 무게중심 조절부의 상부에는 나사홈이 형성되며,
    상기 리프트 핀의 본체부와 무게중심 조절부는 상기 나사산과 나사홈의 체결에 의해 결합된 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 리프트 핀의 본체부의 하부에는 나사홈이 형성되고, 상기 무게중심 조절부의 상부에는 나사산이 형성되며,
    상기 리프트 핀의 본체부와 무게중심 조절부는 상기 나사홈과 나사산의 체결에 의해 결합된 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 리프트 핀의 본체부의 상부의 직경은 하부의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 리프트 핀의 무게중심 조절부의 직경은 본체부의 하부의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  8. 증착 물질을 확산하는 샤워헤드;
    상기 샤워헤드와 소정 간격 이격되어 대향하며, 다수 개의 제 1 홀이 형성된 서셉터;
    상기 제 1 홀에 체결되며, 기둥 형상을 가지는 본체부 및 상기 본체부의 무게 중심을 본체부의 하부에 위치하도록 조절하는 무게중심 조절부로 구성된 리프트핀;
    을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 무게중심 조절부는 상기 본체부의 하부에 형성되며, 본체부의 직경보다 큰 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 홀의 내부에는 체결홈이 형성되며,
    상기 체결홈에는 리프트 핀이 체결되는 제 2 홀이 형성된 리프트 핀 홀더가 추가로 마련되어 체결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 리프트 핀 홀더의 제 2 홀을 형성하는 면은 일부가 제 2 홀의 내부로 돌출되어 상기 리프트 핀과 접촉하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  12. 제 8 항에 있어서, 상기 리프트 핀의 본체부의 하부에는 나사산이 형성되고, 상기 무게중심 조절부의 상부에는 나사홈이 형성되며,
    상기 리프트 핀의 본체부와 무게중심 조절부는 상기 나사산과 나사홈의 체결에 의해 결합된 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  13. 제 8 항에 있어서, 상기 리프트 핀의 본체부의 하부에는 나사홈이 형성되고, 상기 무게중심 조절부의 상부에는 나사산이 형성되며,
    상기 리프트 핀의 본체부와 무게중심 조절부는 상기 나사홈과 나사산의 체결에 의해 결합된 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  14. 제 8 항에 있어서, 상기 리프트 핀의 본체부의 상부의 직경은 하부의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
  15. 제 14 항에 있어서, 상기 리프트 핀의 무게중심 조절부의 직경은 본체부의 하부의 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 플라즈마 화학기상 증착장비.
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