JPH11279778A - エッチング装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
エッチング装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH11279778A JPH11279778A JP8464598A JP8464598A JPH11279778A JP H11279778 A JPH11279778 A JP H11279778A JP 8464598 A JP8464598 A JP 8464598A JP 8464598 A JP8464598 A JP 8464598A JP H11279778 A JPH11279778 A JP H11279778A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】反応室の周辺部のエッチングガス密度が中央部
よりも高くなって、基板の周辺部の方が基板の中央部に
比べてエッチング速度が速くなり、その結果、基板の中
央部にとって最適な条件でエッチングを行なうと周辺部
では過剰エッチングとなり、基板の周辺部にとって最適
な条件でエッチングを行なうと中央部ではエッチング不
良となる問題点があった。 【解決手段】 ドライエッチング装置のシャワーヘッド
に設けられる単位面積当たりのガス噴出孔の開口面積が
基板中央部よりも周辺部の方が小さくなるようにした。
よりも高くなって、基板の周辺部の方が基板の中央部に
比べてエッチング速度が速くなり、その結果、基板の中
央部にとって最適な条件でエッチングを行なうと周辺部
では過剰エッチングとなり、基板の周辺部にとって最適
な条件でエッチングを行なうと中央部ではエッチング不
良となる問題点があった。 【解決手段】 ドライエッチング装置のシャワーヘッド
に設けられる単位面積当たりのガス噴出孔の開口面積が
基板中央部よりも周辺部の方が小さくなるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
技術、特に大型基板に対する反応性イオンエッチングを
行なう装置に適用して有効な技術に関し、例えば液晶パ
ネルを構成する基板のプロセスに使用するエッチング装
置に利用して有効な技術に関する。
技術、特に大型基板に対する反応性イオンエッチングを
行なう装置に適用して有効な技術に関し、例えば液晶パ
ネルを構成する基板のプロセスに使用するエッチング装
置に利用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体集積回路や液晶パネルの製
造プロセスにおいては、半導体基板やガラス基板上に形
成された絶縁膜へのコンタクトホールないしはスルーホ
ールの形成や導電層のパターニングに関し、反応性イオ
ンエッチングに代表されるドライエッチング技術が使用
されている。
造プロセスにおいては、半導体基板やガラス基板上に形
成された絶縁膜へのコンタクトホールないしはスルーホ
ールの形成や導電層のパターニングに関し、反応性イオ
ンエッチングに代表されるドライエッチング技術が使用
されている。
【０００３】例えば、アクティブマトリクス型液晶表示
装置のプロセスにおいては、ガラス基板上にマトリック
ス状に画素電極を形成すると共に、各画素電極に対応し
てアモルファスシリコンやポリシリコンを用いたＴＦＴ
を１対１で形成して、各画素電極にＴＦＴにより電圧を
印加して液晶を駆動する回路を基板上に形成するように
されており、一般にこれらの基板は複数のパネル分が１
枚のガラス基板に形成された後、各パネルごとに切断さ
れる。
装置のプロセスにおいては、ガラス基板上にマトリック
ス状に画素電極を形成すると共に、各画素電極に対応し
てアモルファスシリコンやポリシリコンを用いたＴＦＴ
を１対１で形成して、各画素電極にＴＦＴにより電圧を
印加して液晶を駆動する回路を基板上に形成するように
されており、一般にこれらの基板は複数のパネル分が１
枚のガラス基板に形成された後、各パネルごとに切断さ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のような液晶パネ
ル用のＴＦＴが形成される基板（以下、ＴＦＴ基板と称
する）のプロセスでは、ＴＦＴの動作層となるポリシリ
コン層の上に形成された酸化シリコン膜のような絶縁膜
に対して、ソース、ドレインのコンタクトのためのコン
タクトホールの形成に、反応室内にエッチングされる基
板を載置して真空にしてからシャワーヘッドよりエッチ
ングガスを導入して基板に高周波を印加することでプラ
ズマを発生させて、このプラズマでエッチングを行なう
反応性イオンエッチング技術が使用されている。
ル用のＴＦＴが形成される基板（以下、ＴＦＴ基板と称
する）のプロセスでは、ＴＦＴの動作層となるポリシリ
コン層の上に形成された酸化シリコン膜のような絶縁膜
に対して、ソース、ドレインのコンタクトのためのコン
タクトホールの形成に、反応室内にエッチングされる基
板を載置して真空にしてからシャワーヘッドよりエッチ
ングガスを導入して基板に高周波を印加することでプラ
ズマを発生させて、このプラズマでエッチングを行なう
反応性イオンエッチング技術が使用されている。
【０００５】ところが、ＴＦＴ基板は大型であるため、
エッチング装置の反応室も大型となり、特に反応室内部
でプラズマを発生させてエッチングを行なう反応性イオ
ンエッチングでは、エッチング速度が基板の位置によっ
て異なってしまう。具体的には、図５に示すように、反
応室の周辺部のエッチングガス密度が中央部よりも高く
なって、基板の周辺部の方が基板の中央部に比べてエッ
チング速度が速くなるという現象が生じる。その結果、
基板の中央部にとって最適な条件でエッチングを行なう
と周辺部では過剰エッチングとなり、基板の周辺部にと
って最適な条件でエッチングを行なうと中央部ではエッ
チング不良となり、歩留まりが低下したりデバイス間の
特性がばらついたりするという問題点があった。
エッチング装置の反応室も大型となり、特に反応室内部
でプラズマを発生させてエッチングを行なう反応性イオ
ンエッチングでは、エッチング速度が基板の位置によっ
て異なってしまう。具体的には、図５に示すように、反
応室の周辺部のエッチングガス密度が中央部よりも高く
なって、基板の周辺部の方が基板の中央部に比べてエッ
チング速度が速くなるという現象が生じる。その結果、
基板の中央部にとって最適な条件でエッチングを行なう
と周辺部では過剰エッチングとなり、基板の周辺部にと
って最適な条件でエッチングを行なうと中央部ではエッ
チング不良となり、歩留まりが低下したりデバイス間の
特性がばらついたりするという問題点があった。
【０００６】この発明の目的は、液晶パネル用基板の製
造プロセスにおいて基板全面にわたって均一性の高いエ
ッチングを行なえるドライエッチング技術を提供し、こ
れによって歩留まりの向上およびデバイス間特性の安定
化を図ることにある。
造プロセスにおいて基板全面にわたって均一性の高いエ
ッチングを行なえるドライエッチング技術を提供し、こ
れによって歩留まりの向上およびデバイス間特性の安定
化を図ることにある。
【０００７】この発明の他の目的は、比較的簡単な構造
変更で均一性の高いエッチングを行なえるドライエッチ
ング装置を提供することにある。
変更で均一性の高いエッチングを行なえるドライエッチ
ング装置を提供することにある。
【０００８】この発明のさらに他の目的は、基板の大き
さが変更になってもエッチング速度の均一性を容易に達
成することができるドライエッチング装置を提供するこ
とにある。
さが変更になってもエッチング速度の均一性を容易に達
成することができるドライエッチング装置を提供するこ
とにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、ドライエッチング装置のシャワーヘッドに
設けられる単位面積当たりのガス噴出孔の開口面積が基
板中央部よりも周辺部の方が小さくなるようにしたもの
である。
成するため、ドライエッチング装置のシャワーヘッドに
設けられる単位面積当たりのガス噴出孔の開口面積が基
板中央部よりも周辺部の方が小さくなるようにしたもの
である。
【００１０】シャワーヘッドの単位面積当たりのガス噴
出孔の開口面積を基板中央部よりも周辺部の方を小さく
する具体的な方法としては、各ガス噴出孔の開口面積を
基板周辺部ほど小さくする方法と、ガス噴出孔の数を基
板周辺部ほど少なくする方法とがある。
出孔の開口面積を基板中央部よりも周辺部の方を小さく
する具体的な方法としては、各ガス噴出孔の開口面積を
基板周辺部ほど小さくする方法と、ガス噴出孔の数を基
板周辺部ほど少なくする方法とがある。
【００１１】さらに、シャワーヘッドの単位面積当たり
のガス噴出孔の開口面積を基板の位置に応じて変える代
わりに、シャワーヘッドの形状を基板中央部ほどシャワ
ーヘッドと基板との距離が小さくなるコーン形状とした
り、ガス噴出孔の端面形状を基板の位置に応じて変える
ようにしてもよい。
のガス噴出孔の開口面積を基板の位置に応じて変える代
わりに、シャワーヘッドの形状を基板中央部ほどシャワ
ーヘッドと基板との距離が小さくなるコーン形状とした
り、ガス噴出孔の端面形状を基板の位置に応じて変える
ようにしてもよい。
【００１２】上記した手段によれば、エッチング装置の
反応室内のエッチングガス密度を全体的に均一にして、
基板全面にわたってエッチング速度を均一にさせること
ができ、これによって歩留まりの向上を図るという上記
目的を達成することができる。
反応室内のエッチングガス密度を全体的に均一にして、
基板全面にわたってエッチング速度を均一にさせること
ができ、これによって歩留まりの向上を図るという上記
目的を達成することができる。
【００１３】また、基板上に薄膜が形成されてなる半導
体装置の製造方法であって、前記基板上に形成されてな
る前記薄膜に前記基板の周辺部よりも基板の中央部分に
エッチングガスを供給し、前記薄膜をパターニングする
ことを特徴とする。このような製造方法とすることによ
り、基板の周辺部と中心部とでの薄膜の膜厚に差がなく
なりほぼ均一な膜厚の薄膜を形成することができる。
体装置の製造方法であって、前記基板上に形成されてな
る前記薄膜に前記基板の周辺部よりも基板の中央部分に
エッチングガスを供給し、前記薄膜をパターニングする
ことを特徴とする。このような製造方法とすることによ
り、基板の周辺部と中心部とでの薄膜の膜厚に差がなく
なりほぼ均一な膜厚の薄膜を形成することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を図
面に基づいて説明する。
面に基づいて説明する。
【００１５】図１は、本発明をドライエッチング装置の
一例として反応性イオンエッチングに適用した場合の反
応室（チャンバー）内に配置されるシャワーヘッドの第
１の実施例を示す。図１（Ａ）に示すように、この実施
例においては、シャワーヘッド１０の周辺部に設けられ
たガス噴出孔１１ａの開口面積の方が中央部に設けられ
たガス噴出孔１１ｂの開口面積よりも小さくなるように
形成されている。具体的には、周辺部に設けられたガス
噴出孔１１ａの径が０．５ｍｍの場合、中央部に設けら
れた噴出孔１１ｂの径は１．０〜１．５ｍｍのような大
きさとされる。
一例として反応性イオンエッチングに適用した場合の反
応室（チャンバー）内に配置されるシャワーヘッドの第
１の実施例を示す。図１（Ａ）に示すように、この実施
例においては、シャワーヘッド１０の周辺部に設けられ
たガス噴出孔１１ａの開口面積の方が中央部に設けられ
たガス噴出孔１１ｂの開口面積よりも小さくなるように
形成されている。具体的には、周辺部に設けられたガス
噴出孔１１ａの径が０．５ｍｍの場合、中央部に設けら
れた噴出孔１１ｂの径は１．０〜１．５ｍｍのような大
きさとされる。
【００１６】なお、反応室内のガス密度は、ガスの種類
によってそれほど差異はないが、基板に高周波を印加す
る装置のパワーや反応室の大きさ、真空度等に大きく依
存するので、それらの大きさに応じて周辺部のガス噴出
孔１１ａの径と中央部のガス噴出孔１１ｂの径の比率を
決定してやるのが望ましい。また、具体的な数値は実験
的に決定すればよい。シャワーヘッド１０の構成材料は
エッチングガスによってエッチングされないものであれ
ばどのような材料であっても良い。一般的には、表面処
理を施したアルミ合金製のものが使用される。
によってそれほど差異はないが、基板に高周波を印加す
る装置のパワーや反応室の大きさ、真空度等に大きく依
存するので、それらの大きさに応じて周辺部のガス噴出
孔１１ａの径と中央部のガス噴出孔１１ｂの径の比率を
決定してやるのが望ましい。また、具体的な数値は実験
的に決定すればよい。シャワーヘッド１０の構成材料は
エッチングガスによってエッチングされないものであれ
ばどのような材料であっても良い。一般的には、表面処
理を施したアルミ合金製のものが使用される。
【００１７】図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のシャワーヘッ
ドの単位面積当たりのガス噴出孔の開口面積を基板の位
置を横軸にとって示したものである。この実施例では、
シャワーヘッドの単位面積当たりのガス噴出孔の開口面
積を図１（Ｂ）のような分布に形成することにより、エ
ッチング装置の反応室内のエッチングガス密度を全体的
に均一にして、基板全面にわたってエッチング速度を均
一にさせることができる。
ドの単位面積当たりのガス噴出孔の開口面積を基板の位
置を横軸にとって示したものである。この実施例では、
シャワーヘッドの単位面積当たりのガス噴出孔の開口面
積を図１（Ｂ）のような分布に形成することにより、エ
ッチング装置の反応室内のエッチングガス密度を全体的
に均一にして、基板全面にわたってエッチング速度を均
一にさせることができる。
【００１８】上記シャワーヘッド１０より噴出孔１１
ａ，１１ｂより噴出されるエッチングガスは、エッチン
グしようとする絶縁膜や導電層の材料によって変更され
るもので、例えば二酸化シリコン膜の場合にはＣＨＦ3
等のフッ素系ガスが、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）層の
場合にはＣＨ4とＨ2の混合ガス、Ａｌ系導電層の場合に
はＣｌ2とＢＣｌ3の混合ガス、Ｔａ系導電層の場合には
ＣＦ4とＯ2の混合ガスが用いられる。
ａ，１１ｂより噴出されるエッチングガスは、エッチン
グしようとする絶縁膜や導電層の材料によって変更され
るもので、例えば二酸化シリコン膜の場合にはＣＨＦ3
等のフッ素系ガスが、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）層の
場合にはＣＨ4とＨ2の混合ガス、Ａｌ系導電層の場合に
はＣｌ2とＢＣｌ3の混合ガス、Ｔａ系導電層の場合には
ＣＦ4とＯ2の混合ガスが用いられる。
【００１９】図２は、本発明をドライエッチング装置の
一例として反応性イオンエッチングに適用した場合の反
応室内に配置されるシャワーヘッドの第２の実施例を示
す。図２（Ａ）に示すように、この実施例においては、
シャワーヘッド１０の周辺部に設けられたガス噴出孔１
１ａの密度（単位面積当たりの孔の数）の方がシャワー
ヘッド中央部に設けられた噴出孔１１ｂの密度よりも小
さくなるように形成されている。図２（Ｂ）は、図２
（Ａ）のシャワーヘッドのガス噴出孔の数すなわち単位
面積当たりのガス噴出孔の開口面積を基板の位置を横軸
にとって示したものであり、図１の実施例の分布と同一
である。
一例として反応性イオンエッチングに適用した場合の反
応室内に配置されるシャワーヘッドの第２の実施例を示
す。図２（Ａ）に示すように、この実施例においては、
シャワーヘッド１０の周辺部に設けられたガス噴出孔１
１ａの密度（単位面積当たりの孔の数）の方がシャワー
ヘッド中央部に設けられた噴出孔１１ｂの密度よりも小
さくなるように形成されている。図２（Ｂ）は、図２
（Ａ）のシャワーヘッドのガス噴出孔の数すなわち単位
面積当たりのガス噴出孔の開口面積を基板の位置を横軸
にとって示したものであり、図１の実施例の分布と同一
である。
【００２０】従って、第１の実施例と同様に、エッチン
グ装置の反応室内のエッチングガス密度を全体的に均一
にして、基板全面にわたってエッチング速度を均一にさ
せることができる。
グ装置の反応室内のエッチングガス密度を全体的に均一
にして、基板全面にわたってエッチング速度を均一にさ
せることができる。
【００２１】図３は、本発明をドライエッチング装置の
一例として反応性イオンエッチングに適用した場合の反
応室内に配置されるシャワーヘッドの第３の実施例を示
す。この実施例は、シャワーヘッド１０の形状を基板中
央部ほどシャワーヘッドと基板との距離が小さくなるコ
ーン形状としたものである。ガス噴出孔の開口面積と単
位面積当たりの噴出孔の数はシャワーヘッド全体に均一
になるように設定されている。
一例として反応性イオンエッチングに適用した場合の反
応室内に配置されるシャワーヘッドの第３の実施例を示
す。この実施例は、シャワーヘッド１０の形状を基板中
央部ほどシャワーヘッドと基板との距離が小さくなるコ
ーン形状としたものである。ガス噴出孔の開口面積と単
位面積当たりの噴出孔の数はシャワーヘッド全体に均一
になるように設定されている。
【００２２】ガス噴出孔の開口面積と単位面積当たりの
噴出孔の数がシャワーヘッド全体にわたって均一な従来
のシャワーヘッドを用いた装置では反応室内のエッチン
グガス密度は図５のような分布となっていたので、図３
のシャワーヘッドを使用した場合には反応室内のエッチ
ングガス密度は、図５の破線のように基板全体にわたっ
て均一な分布となる。
噴出孔の数がシャワーヘッド全体にわたって均一な従来
のシャワーヘッドを用いた装置では反応室内のエッチン
グガス密度は図５のような分布となっていたので、図３
のシャワーヘッドを使用した場合には反応室内のエッチ
ングガス密度は、図５の破線のように基板全体にわたっ
て均一な分布となる。
【００２３】従って、第１の実施例や第２の実施例と同
様に、基板全面にわたってエッチング速度を均一にさせ
ることができる。
様に、基板全面にわたってエッチング速度を均一にさせ
ることができる。
【００２４】図４は、本発明をドライエッチング装置の
一例として反応性イオンエッチングに適用した場合の反
応室内に配置されるシャワーヘッドの第４の実施例を示
す。この実施例は、シャワーヘッド１０のガス噴出孔１
１の端面の形状を、同図（Ａ）または（Ｂ）のようにそ
れぞれ異ならしめることにより、中央部の噴出孔にはガ
スが流出し易い方の端面形状を使用し、周辺部の噴出孔
にはガスが流出し難い方の端面形状を使用するようにし
たものである。なお、中央部と周辺部の中間に配置され
る噴出孔の端面形状は直角にすれば良い。さらに、中央
部から周辺部に向かうに従って端面の角度θが徐々に変
化するように噴出孔を形成することも可能である。
一例として反応性イオンエッチングに適用した場合の反
応室内に配置されるシャワーヘッドの第４の実施例を示
す。この実施例は、シャワーヘッド１０のガス噴出孔１
１の端面の形状を、同図（Ａ）または（Ｂ）のようにそ
れぞれ異ならしめることにより、中央部の噴出孔にはガ
スが流出し易い方の端面形状を使用し、周辺部の噴出孔
にはガスが流出し難い方の端面形状を使用するようにし
たものである。なお、中央部と周辺部の中間に配置され
る噴出孔の端面形状は直角にすれば良い。さらに、中央
部から周辺部に向かうに従って端面の角度θが徐々に変
化するように噴出孔を形成することも可能である。
【００２５】次に、前記実施例のシャワーヘッド１０が
用いられる反応性イオンエッチング装置について図６を
用いて説明する。
用いられる反応性イオンエッチング装置について図６を
用いて説明する。
【００２６】図６において、２０は開閉可能かつ密閉可
能に構成された反応室で、この反応室２０の上部にシャ
ワーヘッド１０が設けられており、このシャワーヘッド
１０にはエッチングガスを供給するガス導入管２１が接
続されている。そして、シャワーヘッド１０の下方に上
面が平坦な試料台２２が設置され、この試料台２２の上
にエッチングされる基板２３が載置可能にされている。
また、反応室２０には真空ポンプ２４がパイプを介して
接続されており、反応室２０内を真空に引くことができ
るように構成されている。
能に構成された反応室で、この反応室２０の上部にシャ
ワーヘッド１０が設けられており、このシャワーヘッド
１０にはエッチングガスを供給するガス導入管２１が接
続されている。そして、シャワーヘッド１０の下方に上
面が平坦な試料台２２が設置され、この試料台２２の上
にエッチングされる基板２３が載置可能にされている。
また、反応室２０には真空ポンプ２４がパイプを介して
接続されており、反応室２０内を真空に引くことができ
るように構成されている。
【００２７】さらに、反応室２０の外側には、エッチン
グされる前の基板を収納しておく第１収納カセット２５
とエッチング後の基板を収納する第２収納カセット２６
とが設けられているとともに、これらの収納カセット２
５，２６と前記反応室２０との間にはそれぞれローディ
ング装置２７およびアンローディング装置２８が設けら
れ、ローディング装置２７によって第１収納カセット２
５内の基板２３が反応室２０内の試料台２２上に搬送さ
れて載置され、エッチング終了後にアンローディング装
置２８によって試料台２２上の基板２３が第２収納カセ
ット２６へ搬送されて収納されるように構成されてい
る。
グされる前の基板を収納しておく第１収納カセット２５
とエッチング後の基板を収納する第２収納カセット２６
とが設けられているとともに、これらの収納カセット２
５，２６と前記反応室２０との間にはそれぞれローディ
ング装置２７およびアンローディング装置２８が設けら
れ、ローディング装置２７によって第１収納カセット２
５内の基板２３が反応室２０内の試料台２２上に搬送さ
れて載置され、エッチング終了後にアンローディング装
置２８によって試料台２２上の基板２３が第２収納カセ
ット２６へ搬送されて収納されるように構成されてい
る。
【００２８】また、前記ローディング装置２７およびア
ンローディング装置２８は各々一対の扉２７ａ，２７ｂ
と２８ａ，２８ｂを有する密閉可能な反応室に構成され
るとともに、真空ポンプ２９によって真空可能にされて
おり、エッチング前の基板がローディング装置２７内に
取り込まれた状態で一旦反応室内が真空にされてから、
エッチング前の基板は反応室２０内の試料台２２上へ、
またエッチング後の基板は試料台２２上からアンローデ
ィング装置２８内へ搬送される。
ンローディング装置２８は各々一対の扉２７ａ，２７ｂ
と２８ａ，２８ｂを有する密閉可能な反応室に構成され
るとともに、真空ポンプ２９によって真空可能にされて
おり、エッチング前の基板がローディング装置２７内に
取り込まれた状態で一旦反応室内が真空にされてから、
エッチング前の基板は反応室２０内の試料台２２上へ、
またエッチング後の基板は試料台２２上からアンローデ
ィング装置２８内へ搬送される。
【００２９】なお、３０は試料台２２を介して基板に高
周波を印加して反応室２０内のエッチングガスをプラズ
マ化させる高周波電源、３１は整合器、３２はプラズマ
の発光波長を検出することでエッチングの終了時期を検
出するための終点検出装置で、この終点検出装置３１は
反応室２０の側壁等に設けられたのぞき窓２０ａに対向
して配置されている。
周波を印加して反応室２０内のエッチングガスをプラズ
マ化させる高周波電源、３１は整合器、３２はプラズマ
の発光波長を検出することでエッチングの終了時期を検
出するための終点検出装置で、この終点検出装置３１は
反応室２０の側壁等に設けられたのぞき窓２０ａに対向
して配置されている。
【００３０】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である反応性
イオンエッチング装置について説明したが、この発明は
それに限定されるものでなく、ドライエッチング装置一
般に利用することができる。
なされた発明をその背景となった利用分野である反応性
イオンエッチング装置について説明したが、この発明は
それに限定されるものでなく、ドライエッチング装置一
般に利用することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
エッチング装置の反応室内のガス密度をほぼ均一にする
ことができ、均一性の高いエッチングを行なうことがで
き、これによって歩留まりおよびデバイス間の特性を安
定化させることができるという効果がある。
エッチング装置の反応室内のガス密度をほぼ均一にする
ことができ、均一性の高いエッチングを行なうことがで
き、これによって歩留まりおよびデバイス間の特性を安
定化させることができるという効果がある。
【００３２】しかも、本発明は、ガス噴出孔を有するシ
ャワーヘッドのみ改良すれば良いので、比較的簡単な構
造変更で均一性の高いエッチングを行なうことができる
とともに、基板の大きさが変更になってもエッチング速
度の均一性を容易に達成することができるドライエッチ
ング装置が得られるという効果がある。
ャワーヘッドのみ改良すれば良いので、比較的簡単な構
造変更で均一性の高いエッチングを行なうことができる
とともに、基板の大きさが変更になってもエッチング速
度の均一性を容易に達成することができるドライエッチ
ング装置が得られるという効果がある。
【図１】本発明を適用した反応性イオンエッチング装置
の反応室内に配置されるシャワーヘッドの第１の実施例
を示す平面図および噴出孔の開口面積分布を示す分布曲
線図。
の反応室内に配置されるシャワーヘッドの第１の実施例
を示す平面図および噴出孔の開口面積分布を示す分布曲
線図。
【図２】本発明を適用した反応性イオンエッチング装置
の反応室内に配置されるシャワーヘッドの第２の実施例
を示す平面図および噴出孔の開口面積分布を示す分布曲
線図。
の反応室内に配置されるシャワーヘッドの第２の実施例
を示す平面図および噴出孔の開口面積分布を示す分布曲
線図。
【図３】本発明を適用した反応性イオンエッチング装置
の反応室内に配置されるシャワーヘッドの第３の実施例
を示す側面図。
の反応室内に配置されるシャワーヘッドの第３の実施例
を示す側面図。
【図４】本発明を適用した反応性イオンエッチング装置
の反応室内に配置されるシャワーヘッドの第４の実施例
を示す噴出孔の端面図。
の反応室内に配置されるシャワーヘッドの第４の実施例
を示す噴出孔の端面図。
【図５】従来の反応性イオンエッチング装置の反応室内
のガス密度の分布を示す分布曲線図。
のガス密度の分布を示す分布曲線図。
【図６】実施例のシャワーヘッドを使用して好適な反応
性イオンエッチング装置の一例のを示す概略構成図。
性イオンエッチング装置の一例のを示す概略構成図。
１０ シャワーヘッド １１ａ 噴出孔 １１ｂ 噴出孔 ２０ 反応室 ２１ ガス導入管 ２２ 試料台 ２３ 基板 ２４ 真空ポンプ ２５ 第１収納カセット ２６ 第２収納カセット ２７ ローディング装置 ２８ アンローディング装置 ２７ａ，２７ｂ，２８ａ，２８ｂ 扉 ２９ 真空ポンプ ３０ 高周波電源 ３１ 整合器 ３２ 終点検出装置
Claims (5)
- 【請求項１】 反応室と、該反応室内にエッチングガス
を導入する複数のガス噴出孔を有するシャワーヘッドと
を備えたエッチング装置において、上記シャワーヘッド
は、単位面積当たりのガス噴出孔の開口面積が反応室中
央部よりも周辺部の方が小さくなるように形成されてい
ることを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項２】 上記複数のガス噴出孔は、その開口部の
径が反応室周辺部ほど小さくなるように形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載のエッチング装置。 - 【請求項３】 上記複数のガス噴出孔は、反応室周辺部
ほど形成数が少なくなるように形成されていることを特
徴とする請求項１に記載のエッチング装置。 - 【請求項４】 該反応室内にエッチングガスを導入する
複数のガス噴出孔を有するシャワーヘッドを備えたエッ
チング装置において、上記シャワーヘッドはそのガス噴
出孔の端面形状が反応室周辺部と中央部とで異なるよう
に形成されていることを特徴とするエッチング装置。 - 【請求項５】 基板上に薄膜が形成されてなる半導体装
置の製造方法であって、前記基板上に形成されてなる前
記薄膜に前記基板の周辺部よりも基板の中央部分にエッ
チングガスを供給し、前記薄膜をパターニングすること
を特徴とする半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8464598A JPH11279778A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | エッチング装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8464598A JPH11279778A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | エッチング装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11279778A true JPH11279778A (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=13836444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8464598A Withdrawn JPH11279778A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | エッチング装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11279778A (ja) |
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1998
- 1998-03-30 JP JP8464598A patent/JPH11279778A/ja not_active Withdrawn
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