JP2001185491A - 雛壇形シャワーヘッド、及びそのシャワーヘッドを用いた真空処理装置 - Google Patents
雛壇形シャワーヘッド、及びそのシャワーヘッドを用いた真空処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】大面積基板の表面を均一に処理できるシャワー
ヘッドを提供する。 【解決手段】このシャワーヘッド１１２のシャワープレ
ート１１８は、中央部分２１aから周辺部分２１cに向
け、段階的に厚みが薄くなっている。各厚み部分には、
複数の孔１５a〜１５cが設けられており、その結果、各
孔１５a〜１５cの中央部分２１aの孔１５aのコンダクタ
ンスは小さく、周辺部分２１cの孔１５cのコンダクタン
スは大きくなっている。原料ガスの流速の大きい周辺部
分２１c程多量の原料ガスが供給されるから、基板１４
表面の原料ガスの実効的な濃度が一定になり、基板面内
での処理が均一になる。
ヘッドを提供する。 【解決手段】このシャワーヘッド１１２のシャワープレ
ート１１８は、中央部分２１aから周辺部分２１cに向
け、段階的に厚みが薄くなっている。各厚み部分には、
複数の孔１５a〜１５cが設けられており、その結果、各
孔１５a〜１５cの中央部分２１aの孔１５aのコンダクタ
ンスは小さく、周辺部分２１cの孔１５cのコンダクタン
スは大きくなっている。原料ガスの流速の大きい周辺部
分２１c程多量の原料ガスが供給されるから、基板１４
表面の原料ガスの実効的な濃度が一定になり、基板面内
での処理が均一になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空槽内にガスを
導入するシャワーヘッドの分野に係り、特に、大面積基
板に均一な処理を行えるシャワーヘッド及びそのシャワ
ーヘッドを用いた真空処理装置に関する。
導入するシャワーヘッドの分野に係り、特に、大面積基
板に均一な処理を行えるシャワーヘッド及びそのシャワ
ーヘッドを用いた真空処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造分野や液晶表示装置の
製造分野等では、従来より、ＣＶＤ装置やエッチング装
置等の、真空雰囲気中にガスを供給し、基板表面を処理
する真空処理装置が用いられている。
製造分野等では、従来より、ＣＶＤ装置やエッチング装
置等の、真空雰囲気中にガスを供給し、基板表面を処理
する真空処理装置が用いられている。
【０００３】しかしながら、ＣＶＤ装置やエッチング装
置等で、大面積のガラス基板表面を処理する場合、従来
技術の真空処理装置では、基板表面に形成される薄膜の
膜厚や、エッチング量の面内バラツキを小さくすること
が困難であると言われている。
置等で、大面積のガラス基板表面を処理する場合、従来
技術の真空処理装置では、基板表面に形成される薄膜の
膜厚や、エッチング量の面内バラツキを小さくすること
が困難であると言われている。
【０００４】それらの真空処理装置のうち、図２の不符
号１１０はＣＶＤ装置を示している。このＣＶＤ装置１
１０は、真空槽１１１を有しており、その内部の底壁上
には基板載置台１１３が配置されている。真空槽１１１
の天井側には、シャワーヘッド１１２が真空槽１１１と
は絶縁した状態で取り付けられている。シャワーヘッド
１１２は、内部中空に形成されており、その底面を構成
し、基板載置台１１３と対向するシャワープレート１１
８は平坦に形成されている。
号１１０はＣＶＤ装置を示している。このＣＶＤ装置１
１０は、真空槽１１１を有しており、その内部の底壁上
には基板載置台１１３が配置されている。真空槽１１１
の天井側には、シャワーヘッド１１２が真空槽１１１と
は絶縁した状態で取り付けられている。シャワーヘッド
１１２は、内部中空に形成されており、その底面を構成
し、基板載置台１１３と対向するシャワープレート１１
８は平坦に形成されている。
【０００５】シャワープレート１１８には、同径の孔１
１５が多数設けられており、シャワーヘッド１１２内部
の中空部分に薄膜の原料ガスを導入すると、その原料ガ
スは、各孔１１５から真空槽１１１内に噴出されるよう
になっている。
１５が多数設けられており、シャワーヘッド１１２内部
の中空部分に薄膜の原料ガスを導入すると、その原料ガ
スは、各孔１１５から真空槽１１１内に噴出されるよう
になっている。
【０００６】このＣＶＤ装置１１０を使用する場合に
は、先ず、真空槽１１１内を真空雰囲気にし、基板載置
台１１３内のヒータに通電し、基板載置台１１３を昇温
させておく。
は、先ず、真空槽１１１内を真空雰囲気にし、基板載置
台１１３内のヒータに通電し、基板載置台１１３を昇温
させておく。
【０００７】その状態で成膜対象物の基板を搬入し、基
板載置台１１３上に載置する。図２中の符号１１４は、
基板載置台１１３上の基板を示しており、基板１１４が
所定温度まで昇温した後、シャワーヘッド１１２から原
料ガスを噴出させ、シャワーヘッド１１２に高周波電圧
を印加すると、基板１１４表面に原料ガスのプラズマが
形成され、プラズマ中で活性化した原料ガスによって基
板１１４表面に薄膜が形成される。
板載置台１１３上に載置する。図２中の符号１１４は、
基板載置台１１３上の基板を示しており、基板１１４が
所定温度まで昇温した後、シャワーヘッド１１２から原
料ガスを噴出させ、シャワーヘッド１１２に高周波電圧
を印加すると、基板１１４表面に原料ガスのプラズマが
形成され、プラズマ中で活性化した原料ガスによって基
板１１４表面に薄膜が形成される。
【０００８】上記のようなシャワーヘッド１１２では、
シャワープレート１１８から放出されたガスは一旦基板
１１４表面に吹き付けられた後、基板１１４の周辺方向
に流れ、真空排気系によって真空槽外に排気される。そ
のため基板１１４の周辺部分では、基板１１４の中央付
近に吹き付けられた原料ガスも流れるため、周辺部分の
原料ガスの流速は中央部分よりも大きくなる。
シャワープレート１１８から放出されたガスは一旦基板
１１４表面に吹き付けられた後、基板１１４の周辺方向
に流れ、真空排気系によって真空槽外に排気される。そ
のため基板１１４の周辺部分では、基板１１４の中央付
近に吹き付けられた原料ガスも流れるため、周辺部分の
原料ガスの流速は中央部分よりも大きくなる。
【０００９】基板１１４表面に形成される薄膜の膜厚
は、原料ガスの濃度と大きな関係があるため、原料ガス
の流速の大きい周辺部分では、膜厚が薄くなりやすい。
は、原料ガスの濃度と大きな関係があるため、原料ガス
の流速の大きい周辺部分では、膜厚が薄くなりやすい。
【００１０】そこで従来技術でも、膜厚分布を改善する
ために、図３の符号１２２に示すようなシャワーヘッド
が提案されている。
ために、図３の符号１２２に示すようなシャワーヘッド
が提案されている。
【００１１】このシャワーヘッド１２２では、底面を構
成するシャワープレート１２８が、内部空間側に頂点を
持つ四角錐又は円錐形に成形されており、中央部分の肉
厚が厚く、周辺部分では薄くされている。
成するシャワープレート１２８が、内部空間側に頂点を
持つ四角錐又は円錐形に成形されており、中央部分の肉
厚が厚く、周辺部分では薄くされている。
【００１２】そしてこのシャワープレート１２８でも、
同径の孔１２５が多数設けられているが、上記のシャワ
ープレート１１８とは異なり、各孔１２５の深さは、形
成された部分の肉厚に応じて異なっており、中央部分で
は深く、周辺部分では浅くなっている。従って、中央部
分の孔１２５はコンダクタンスが小さいのに対し、周辺
部分のコンダクタンスは大きくなっている。
同径の孔１２５が多数設けられているが、上記のシャワ
ープレート１１８とは異なり、各孔１２５の深さは、形
成された部分の肉厚に応じて異なっており、中央部分で
は深く、周辺部分では浅くなっている。従って、中央部
分の孔１２５はコンダクタンスが小さいのに対し、周辺
部分のコンダクタンスは大きくなっている。
【００１３】このシャワーヘッド１２２を用いて基板表
面に原料ガスを噴出させる場合、シャワープレート１１
８の中央部分に比べ、周辺部分から噴出される原料ガス
の量が多くなるため、基板表面では、原料ガスは、基板
の周辺部分に多く、中央部分に少なく吹き付けられる。
面に原料ガスを噴出させる場合、シャワープレート１１
８の中央部分に比べ、周辺部分から噴出される原料ガス
の量が多くなるため、基板表面では、原料ガスは、基板
の周辺部分に多く、中央部分に少なく吹き付けられる。
【００１４】他方、基板の中央部分の原料ガスの流速は
小さく、周辺部分の流速は大きいから、基板表面での原
料ガスの実効濃度が均一になり、その結果、基板表面に
均一な膜厚の薄膜が形成されるというものである。
小さく、周辺部分の流速は大きいから、基板表面での原
料ガスの実効濃度が均一になり、その結果、基板表面に
均一な膜厚の薄膜が形成されるというものである。
【００１５】しかしながら、上記のようなシャワープレ
ート１２８は四角錐や円錐形であるため、加工が困難で
ありコスト高である。しかも、中央部分の孔１２５のコ
ンダクタンスが必要以上に小さくなりやすく、その結
果、中央部分の供給量が不足し、その部分の薄膜は膜厚
が薄くなりやすいという問題がある。
ート１２８は四角錐や円錐形であるため、加工が困難で
ありコスト高である。しかも、中央部分の孔１２５のコ
ンダクタンスが必要以上に小さくなりやすく、その結
果、中央部分の供給量が不足し、その部分の薄膜は膜厚
が薄くなりやすいという問題がある。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、加工が容易で、大面積の成膜対象物表面に均一
に薄膜を形成できるシャワーヘッド、及びそのシャワー
ヘッドを用いた真空処理装置を提供することにある。
の不都合を解決するために創作されたものであり、その
目的は、加工が容易で、大面積の成膜対象物表面に均一
に薄膜を形成できるシャワーヘッド、及びそのシャワー
ヘッドを用いた真空処理装置を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、ヘッド本体と、前記ヘッド
本体に取り付けられ、内部に中空部分を形成させるシャ
ワープレートと、前記シャワープレートに複数設けられ
た孔とを有し、前記中空部分に導入されたガスを前記各
孔から噴出させるように構成されたシャワーヘッドであ
って、前記シャワープレートは、中央部分から周辺部分
に向けて段階的に厚みが減少するように構成され、前記
孔は、前記シャワープレートの各厚み部分に複数配置さ
れたシャワーヘッドである。請求項２記載の発明は、請
求項１記載のシャワーヘッドであって、前記各厚み部分
の、前記シャワープレートの中心から外周に向かう方向
には、前記孔が複数個位置するように構成されたシャワ
ーヘッドである。請求項３記載の発明は、真空槽と、該
真空槽内に配置された請求項１又は請求項２のいずれか
１項記載のシャワーヘッドとを有し、前記シャワープレ
ートが前記真空槽内に搬入された成膜対象物に、前記ガ
スを噴出させるように構成された真空処理装置である。
に、請求項１記載の発明は、ヘッド本体と、前記ヘッド
本体に取り付けられ、内部に中空部分を形成させるシャ
ワープレートと、前記シャワープレートに複数設けられ
た孔とを有し、前記中空部分に導入されたガスを前記各
孔から噴出させるように構成されたシャワーヘッドであ
って、前記シャワープレートは、中央部分から周辺部分
に向けて段階的に厚みが減少するように構成され、前記
孔は、前記シャワープレートの各厚み部分に複数配置さ
れたシャワーヘッドである。請求項２記載の発明は、請
求項１記載のシャワーヘッドであって、前記各厚み部分
の、前記シャワープレートの中心から外周に向かう方向
には、前記孔が複数個位置するように構成されたシャワ
ーヘッドである。請求項３記載の発明は、真空槽と、該
真空槽内に配置された請求項１又は請求項２のいずれか
１項記載のシャワーヘッドとを有し、前記シャワープレ
ートが前記真空槽内に搬入された成膜対象物に、前記ガ
スを噴出させるように構成された真空処理装置である。
【００１８】本発明は上記のように構成されており、シ
ャワーヘッド内の中空部分に原料ガスを導入すると、シ
ャワープレートに設けられた複数の孔から原料ガスが噴
出されるようになっている。
ャワーヘッド内の中空部分に原料ガスを導入すると、シ
ャワープレートに設けられた複数の孔から原料ガスが噴
出されるようになっている。
【００１９】そのシャワープレートは、中央部分から周
辺部分に向けて段階的に厚みが薄くなるように構成され
ており、中央部分に形成された孔は深いため、そのコン
ダクタンスは小さく、逆に周辺部分に形成された孔は浅
いため、そのコンダクタンスは大きくなっている。従っ
て、中央部分ではガスの供給量が多いが、その周囲から
ガスが流れ込むため、実効的な濃度は周辺部分と同程度
になり、基板表面を均一に処理することが可能になる。
辺部分に向けて段階的に厚みが薄くなるように構成され
ており、中央部分に形成された孔は深いため、そのコン
ダクタンスは小さく、逆に周辺部分に形成された孔は浅
いため、そのコンダクタンスは大きくなっている。従っ
て、中央部分ではガスの供給量が多いが、その周囲から
ガスが流れ込むため、実効的な濃度は周辺部分と同程度
になり、基板表面を均一に処理することが可能になる。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図面を用い
て説明する。図１(ａ)を参照し、符号１０は本発明の一
例の真空処理装置を示している。この真空処理装置１０
はＣＶＤ装置であり、真空槽１１を有している。該真空
槽１１底面上には基板載置台１３が配置されており、真
空槽１１の天井側には、本発明の一例のシャワーヘッド
１２が配置されている。
て説明する。図１(ａ)を参照し、符号１０は本発明の一
例の真空処理装置を示している。この真空処理装置１０
はＣＶＤ装置であり、真空槽１１を有している。該真空
槽１１底面上には基板載置台１３が配置されており、真
空槽１１の天井側には、本発明の一例のシャワーヘッド
１２が配置されている。
【００２１】このシャワーヘッド１２は、容器状のヘッ
ド本体１６と、該ヘッド本体１６の蓋であって、シャワ
ーヘッド１２内部に中空部分１７を形成させるシャワー
プレート１８とを有している。
ド本体１６と、該ヘッド本体１６の蓋であって、シャワ
ーヘッド１２内部に中空部分１７を形成させるシャワー
プレート１８とを有している。
【００２２】シャワープレート１８は、中心部分から周
辺部分に向け、段階的に厚みが減少するように構成され
ており(雛壇形)、その階段状になった面はシャワーヘッ
ド１２内部の中空部分１７側に向けられ、シャワープレ
ート１８の平坦な面が、基板載置台１３側に向けられて
いる。
辺部分に向け、段階的に厚みが減少するように構成され
ており(雛壇形)、その階段状になった面はシャワーヘッ
ド１２内部の中空部分１７側に向けられ、シャワープレ
ート１８の平坦な面が、基板載置台１３側に向けられて
いる。
【００２３】このシャワープレート１８の厚さは、３段
階に変化しており、符号２１aは、シャワープレート１
８の中央部分であって、最も厚い部分を示しており、そ
の外側の中間部分２１bは、中央部分２１aよりも厚みが
薄くなっており、更にその外側であって、シャワープレ
ート１８の周辺部分２１cは、最も厚みが薄くなってい
る。
階に変化しており、符号２１aは、シャワープレート１
８の中央部分であって、最も厚い部分を示しており、そ
の外側の中間部分２１bは、中央部分２１aよりも厚みが
薄くなっており、更にその外側であって、シャワープレ
ート１８の周辺部分２１cは、最も厚みが薄くなってい
る。
【００２４】シャワープレート１８の中央部分２１aと
中間部分２１bと周辺部分２１cとには、シャワープレー
ト１８の厚み方向に円形の孔１５a、１５b、１５cがそ
れぞれ複数個ずつ形成されている。従って、シャワープ
レート１２内部の中空部分１７は、各孔１５a、１５b、
１５cによって、真空槽１１内部の空間に接続されてい
る。
中間部分２１bと周辺部分２１cとには、シャワープレー
ト１８の厚み方向に円形の孔１５a、１５b、１５cがそ
れぞれ複数個ずつ形成されている。従って、シャワープ
レート１２内部の中空部分１７は、各孔１５a、１５b、
１５cによって、真空槽１１内部の空間に接続されてい
る。
【００２５】このシャワーヘッド１２にはガス導入系１
９が接続されており、図示しないガスボンベ内に充填さ
れた原料ガスを、このガス導入系１９を通して中空部分
１７内に導入し、各孔１５a、１５b、１５cから真空槽
１１内に噴出させられるようになっている。
９が接続されており、図示しないガスボンベ内に充填さ
れた原料ガスを、このガス導入系１９を通して中空部分
１７内に導入し、各孔１５a、１５b、１５cから真空槽
１１内に噴出させられるようになっている。
【００２６】この真空処理装置１０を使用する場合、先
ず、真空槽１１内部を真空排気すると共に基板載置台１
３内に配置したヒータに通電し、基板載置台１３を昇温
させておく。その状態で基板１４を基板載置台１３上に
配置し、基板１４が所定温度まで昇温したところで、シ
ャワーヘッド１２の孔１５a〜１５cから薄膜の原料ガス
を真空槽１１内に噴出させる。
ず、真空槽１１内部を真空排気すると共に基板載置台１
３内に配置したヒータに通電し、基板載置台１３を昇温
させておく。その状態で基板１４を基板載置台１３上に
配置し、基板１４が所定温度まで昇温したところで、シ
ャワーヘッド１２の孔１５a〜１５cから薄膜の原料ガス
を真空槽１１内に噴出させる。
【００２７】シャワーヘッド１２は真空槽１１と電気的
に絶縁されており、真空槽１１を接地電位に置き、シャ
ワーヘッド１２に負電圧を印加すると、基板１４表面近
傍に原料ガスのプラズマが生成され、プラズマ中で活性
化した原料ガスにより、基板１４表面に薄膜が形成され
る。
に絶縁されており、真空槽１１を接地電位に置き、シャ
ワーヘッド１２に負電圧を印加すると、基板１４表面近
傍に原料ガスのプラズマが生成され、プラズマ中で活性
化した原料ガスにより、基板１４表面に薄膜が形成され
る。
【００２８】シャワーヘッド１２から噴出される原料ガ
スの流れ方は、シャワープレート１８に設けられた孔１
５a〜１５cの配置状態に密接な関係がある。
スの流れ方は、シャワープレート１８に設けられた孔１
５a〜１５cの配置状態に密接な関係がある。
【００２９】図１(ｂ)は、シャワープレート１８の、中
空部分１７側から見た平面図である。このシャワープレ
ート１８では、中央部分２１aの孔１５aと、中間部分２
１bの孔１５bと、周辺部分２１cの孔１５cとは、各厚み
部分に多数配置されており、シャワープレート１８の中
心Ｏから周辺方向には、最も深い孔１５aと、それより
も浅い孔１５bと、最も浅い孔１５cが複数個位置してい
る。
空部分１７側から見た平面図である。このシャワープレ
ート１８では、中央部分２１aの孔１５aと、中間部分２
１bの孔１５bと、周辺部分２１cの孔１５cとは、各厚み
部分に多数配置されており、シャワープレート１８の中
心Ｏから周辺方向には、最も深い孔１５aと、それより
も浅い孔１５bと、最も浅い孔１５cが複数個位置してい
る。
【００３０】例えば、図１(ａ)、(ｂ)は、孔１５a、１
５b、１５cの数は省略して表されているが、図１(ｂ)で
は、シャワープレート１８の中心Ｏを通り、図面水平方
向の軸線Ｈ上には、中央部分２１aでは２個、中間部分
２１bでは４個、周辺部分２１ cでは３個が配置されてお
り、垂直方向の軸線Ｖの方向には中央部分２１aでは２
個、中間部分２１b及び周辺部分２１cでは３個が配置さ
れている。
５b、１５cの数は省略して表されているが、図１(ｂ)で
は、シャワープレート１８の中心Ｏを通り、図面水平方
向の軸線Ｈ上には、中央部分２１aでは２個、中間部分
２１bでは４個、周辺部分２１ cでは３個が配置されてお
り、垂直方向の軸線Ｖの方向には中央部分２１aでは２
個、中間部分２１b及び周辺部分２１cでは３個が配置さ
れている。
【００３１】この場合、各孔１５a〜１５cから噴出され
た原料ガスは、基板１４表面上を中心Ｏから周辺方向に
向けて流れ、真空排気系から排気されるため、中心部分
２１ aの付近では、中心部分２１aに形成された各孔１５
aが供給する原料ガスだけが流れるものの、中間部分２
１bでは、中間部分２１bに形成された複数の孔１５bが
供給する原料ガスと、中央部分２１aから流れ込んだ原
料ガスとが流れる。更に、周辺部分２１cでは、周辺部
分２１cに形成された各孔１５cが供給する原料ガスの
他、中央部分２１aと中間部分２１bとから流れ込んだガ
スとが流れる。
た原料ガスは、基板１４表面上を中心Ｏから周辺方向に
向けて流れ、真空排気系から排気されるため、中心部分
２１ aの付近では、中心部分２１aに形成された各孔１５
aが供給する原料ガスだけが流れるものの、中間部分２
１bでは、中間部分２１bに形成された複数の孔１５bが
供給する原料ガスと、中央部分２１aから流れ込んだ原
料ガスとが流れる。更に、周辺部分２１cでは、周辺部
分２１cに形成された各孔１５cが供給する原料ガスの
他、中央部分２１aと中間部分２１bとから流れ込んだガ
スとが流れる。
【００３２】各孔１５a、１５b、１５cは円形であり、
その直径は同じ大きさに形成されているが、中央部分２
１aに形成された孔１５aの長さが最も長く、周辺部分２
１cに形成された孔１５cの長さが最も短くなっているた
め、各孔１５a〜１５cのコンダクタンスは、中央部分２
１aの孔１５aが最も小さく、周辺部分２１cの孔１５cが
最も大きくなっている。中間部分２１bの孔１５bはそれ
らの中間の大きさになっている。
その直径は同じ大きさに形成されているが、中央部分２
１aに形成された孔１５aの長さが最も長く、周辺部分２
１cに形成された孔１５cの長さが最も短くなっているた
め、各孔１５a〜１５cのコンダクタンスは、中央部分２
１aの孔１５aが最も小さく、周辺部分２１cの孔１５cが
最も大きくなっている。中間部分２１bの孔１５bはそれ
らの中間の大きさになっている。
【００３３】この場合、中央部分２１aの孔１５aが供給
する原料ガスの量は少なく、中間部分２１bの孔１５bは
それよりも多く、更に、周辺部分２１cの孔１５cが供給
する原料ガス量が最も多くなっている。
する原料ガスの量は少なく、中間部分２１bの孔１５bは
それよりも多く、更に、周辺部分２１cの孔１５cが供給
する原料ガス量が最も多くなっている。
【００３４】従って、原料ガス流量の少なく、流速が小
さい中央部分２１aには少量の原料ガスが供給され、原
料ガスの流量が多く、流速が大きい周辺部分２１cには
多量の原料ガスが供給されるため、基板１４表面の実効
的な原料ガス密度は、中央部分２１aから周辺部分２１c
に亘って略均一になっており、その結果、大面積の基板
１４表面に均一な膜厚の薄膜が形成されるようになって
いる。
さい中央部分２１aには少量の原料ガスが供給され、原
料ガスの流量が多く、流速が大きい周辺部分２１cには
多量の原料ガスが供給されるため、基板１４表面の実効
的な原料ガス密度は、中央部分２１aから周辺部分２１c
に亘って略均一になっており、その結果、大面積の基板
１４表面に均一な膜厚の薄膜が形成されるようになって
いる。
【００３５】このようなシャワープレート１８では、四
角錐や円錐形ではないため、加工が容易であり、また、
各段の厚みを調整することで孔１５a〜１５cの深さを変
え、コンダクタンスを調節するのが容易である。
角錐や円錐形ではないため、加工が容易であり、また、
各段の厚みを調整することで孔１５a〜１５cの深さを変
え、コンダクタンスを調節するのが容易である。
【００３６】なお、上記シャワーヘッド１２では、シャ
ワープレート１８の厚みを３段階に変えたが、２段階に
変化させてもよく、また、４段階以上に変化させてもよ
い。要するに、シャワープレートの厚みを段階的に変
え、中央部分が厚く、周辺部分が薄くなるようにし、各
厚み部分に複数の孔を設ければよい。
ワープレート１８の厚みを３段階に変えたが、２段階に
変化させてもよく、また、４段階以上に変化させてもよ
い。要するに、シャワープレートの厚みを段階的に変
え、中央部分が厚く、周辺部分が薄くなるようにし、各
厚み部分に複数の孔を設ければよい。
【００３７】また、上記の真空処理装置１０はプラズマ
ＣＶＤ装置であったが、本発明の真空処理装置には熱Ｃ
ＶＤ装置やエッチング装置も含まれる。要するに、中央
から周辺に向け、段階的に厚みが薄くなるシャワーヘッ
ドから真空槽中にガスを噴出させ、基板表面を処理する
真空処理装置を広く含むものである。
ＣＶＤ装置であったが、本発明の真空処理装置には熱Ｃ
ＶＤ装置やエッチング装置も含まれる。要するに、中央
から周辺に向け、段階的に厚みが薄くなるシャワーヘッ
ドから真空槽中にガスを噴出させ、基板表面を処理する
真空処理装置を広く含むものである。
【００３８】
【発明の効果】基板表面に供給されるガスの実効濃度が
均一になるので、基板表面を均一に処理することが出来
る。
均一になるので、基板表面を均一に処理することが出来
る。
【図１】(ａ)：本発明の真空処理装置の一例 (ｂ)：
本発明のシャワーヘッドの一例
本発明のシャワーヘッドの一例
【図２】従来技術の真空処理装置
【図３】従来技術のシャワーヘッド
１０……真空処理装置 １２……シャワーヘッド １４……基板 １５a、１５b、１５c……孔 １７……中空部分 １８……シャワープレート ２１a〜２１c……シャワープレートの厚みが異なる部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｃ 21/31 21/302 Ｂ (72)発明者 清水 康男 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 森 勝彦 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 菊池 正志 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 黒川 邦明 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 堀 英介 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 日本真空 技術株式会社内 (72)発明者 石川 道夫 千葉県山武郡山武町横田523番地 日本真 空技術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 橋本 征典 千葉県山武郡山武町横田523番地 日本真 空技術株式会社千葉超材料研究所内 Ｆターム(参考） 4K029 DA05 4K030 EA05 4K057 DD01 DG07 DG13 DM02 DM06 DM08 DM37 DN01 5F004 AA01 BA06 BB13 BB28 BD04 5F045 AA03 AA08 BB01 DP03 EE20 EF05 EF13 EH13 EK21
Claims (3)
- 【請求項１】ヘッド本体と、 前記ヘッド本体に取り付けられ、内部に中空部分を形成
させるシャワープレートと、 前記シャワープレートに複数設けられた孔とを有し、前
記中空部分に導入されたガスを前記各孔から噴出させる
ように構成されたシャワーヘッドであって、 前記シャワープレートは、中央部分から周辺部分に向け
て段階的に厚みが減少するように構成され、 前記孔は、前記シャワープレートの各厚み部分に複数配
置されたシャワーヘッド。 - 【請求項２】前記各厚み部分の、前記シャワープレート
の中心から外周に向かう方向には、前記孔が複数個位置
するように構成された請求項１記載のシャワーヘッド。 - 【請求項３】真空槽と、該真空槽内に配置された請求項
１又は請求項２のいずれか１項記載のシャワーヘッドと
を有し、 前記シャワープレートが前記真空槽内に搬入された成膜
対象物に、前記ガスを噴出させるように構成された真空
処理装置。
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|---|---|---|---|
| JP36642699A JP4327319B2 (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 雛壇形シャワーヘッド、及びそのシャワーヘッドを用いた真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36642699A JP4327319B2 (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 雛壇形シャワーヘッド、及びそのシャワーヘッドを用いた真空処理装置 |
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| JP2001185491A true JP2001185491A (ja) | 2001-07-06 |
| JP4327319B2 JP4327319B2 (ja) | 2009-09-09 |
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ID=18486763
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP36642699A Expired - Lifetime JP4327319B2 (ja) | 1999-12-24 | 1999-12-24 | 雛壇形シャワーヘッド、及びそのシャワーヘッドを用いた真空処理装置 |
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| JP (1) | JP4327319B2 (ja) |
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-
1999
- 1999-12-24 JP JP36642699A patent/JP4327319B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP4327319B2 (ja) | 2009-09-09 |
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