JPH08279468A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents

処理装置及び処理方法

Info

Publication number
JPH08279468A
JPH08279468A JP10699095A JP10699095A JPH08279468A JP H08279468 A JPH08279468 A JP H08279468A JP 10699095 A JP10699095 A JP 10699095A JP 10699095 A JP10699095 A JP 10699095A JP H08279468 A JPH08279468 A JP H08279468A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
processing
processed
substrate
gas supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10699095A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3432636B2 (ja
Inventor
Shunji Kawakami
俊二 川上
Yoji Mizutani
洋二 水谷
Yutaka Miura
豊 三浦
Takahiro Shimoda
高広 下田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Tohoku Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Tohoku Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Tohoku Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP10699095A priority Critical patent/JP3432636B2/ja
Priority to US08/626,454 priority patent/US5704981A/en
Priority to KR1019960009959A priority patent/KR100283833B1/ko
Priority to TW085104040A priority patent/TW353803B/zh
Publication of JPH08279468A publication Critical patent/JPH08279468A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3432636B2 publication Critical patent/JP3432636B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45578—Elongated nozzles, tubes with holes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 被処理基板へ高い均一性をもって処理ガスを
供給することができ、特に広い面積の被処理基板に対し
て、高い面内均一性で処理すること。 【構成】 処理室２内に保持されたガラス基板Ｇの被処
理面側に、上面にバッファ板５１が設けられた区画部材
５を配設し、この中に先端に向うにつれて断面積が小さ
くなるように形成されたインジェクタ４を配置する。こ
のようなインジェクタ４ではその長さ方向に沿って孔径
及びピッチを揃えて多数のガス吹き出し孔４２を形成す
ると、長さ方向について高い均一性でガスが吹き出し、
区画部材５内に拡散する。そして、バッファ板５１に形
成された通気孔５３から均一にガスが通気していくの
で、ガラス基板Ｇの被処理面に均一にガスが供給され、
形成される薄膜の膜厚の面内均一性が高められる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、処理装置及び処理方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）−ＬＣＤ
（液晶ディスプレイ）は、軽量、薄型、低消費電力、高
画質といった優れた利点があるため、パソコン、テレ
ビ、遊戯用ディスプレイなどの用途として広く普及しつ
つある。ＴＦＴ−ＬＣＤの製造については、先ずガラス
基板上にＴＦＴを形成し、次いでＴＦＴと画素電極との
接続、ＩＣチップの装着などの工程を経た後、ＴＦＴ基
板とカラーフィルタ基板とを貼り合わせて、液晶を封入
することによって行われる。
【０００３】このような製造工程において、ガラス基板
上にＴＦＴを形成するためには、半導体ウエハの場合と
同様に成膜やエッチングなどの処理が必要であるが、ガ
ラス基板が大型化しているため成膜やエッチングなどの
処理装置では、面内均一性の高い処理を行うため種々の
工夫、試行錯誤がなされている。ここで従来のＬＣＤ基
板の成膜処理の一例を説明すると、この成膜処理では、
真空容器内に搬入されたガラス基板Ｇは、被処理面を下
側にして支持されると共に、図８に示すように、真空容
器の底部に設けられたインジェクタ１１から処理ガスが
前記被処理面に供給され、ガラス基板Ｇとインジェクタ
１１との間の空間の側方に設けられた排気口から真空排
気される。そして図示しない電極により例えば電界を形
成してプラズマを発生させながらガラス基板Ｇ上に成膜
が行われる。
【０００４】前記インジェクタ１１は、ガス供給管１０
の先端部に設けられると共に先端面が閉じたパイプに、
その長さ方向に沿って多数のガス吹き出し孔１２を間隔
をおいて形成し、ガス吹き出し孔１２から吹き出した処
理ガスをガラス基板Ｇに供給するように構成されてい
る。
【０００５】
【発明が解決しようとしている課題】ここでガラス基板
Ｇに成膜される膜厚について高い面内均一性を得るため
には、処理ガスをガラス基板Ｇに均一に供給することが
必要である。ところで上述のインジェクタ１１に、同じ
ピッチで同じ大きさ（孔径）のガス吹き出し孔１２を形
成すると、処理ガスは、インジェクタ１１の内部を、手
前側のガスガス吹き出し孔１２から順次吹き出されなが
ら先端側へ向って流れていくので、インジェクタ１１内
部の処理ガスの流量はガスの流れ方向即ち先端側へ向う
につれて少なくなり、このためインジェクタ１１内部の
処理ガスの圧力分布は先端側へ向うにつれて負の勾配を
有するようになる。従ってこのままではインジェクタ１
１の長さ方向について処理ガスの流量が均一とならず、
ガラス基板Ｇの表面に均一に供給することはできない。
【０００６】このため従来では、ガス吹き出し孔１２の
ピッチや径を変えることによって、各ガス吹き出し孔１
２からのガスの吹き出し量の均一化を図っていた。しか
しながらこのガス吹き出し孔１２のピッチや大きさはイ
ンジェクタ１１内の圧力分布に応じて設定されるもので
あるが、この圧力分布は１つのガスガス吹き出し孔１２
の位置や大きさにより変化するものであるので、インジ
ェクタ１１の長さ方向の全面に亘って、複数形成される
ガスガス吹き出し孔１２のピッチや径を設定することは
非常に困難であった。
【０００７】またインジェクタ１１に異なるピッチ、異
なる径で複数のガス吹き出し孔１２を穿設する加工作業
は、面倒であると共に労力を要し、その上に、上述のよ
うにピッチや径の設定が困難であると、ガス供給の均一
性を得るためには試行錯誤が必要であって、その都度イ
ンジェクタ１１の加工を繰り返さなければならないた
め、全体として非常に繁雑な作業となり、しかもコスト
が高くなってしまうという問題もあった。
【０００８】更にまた従来の成膜装置では、排気口から
真空排気しながら、真空容器内にインジェクタ１１によ
り処理ガスを供給すると、排気口に近い側では処理ガス
の流速が速く、排気口に遠い側では処理ガスの流速が遅
くなってガス溜まりができてしまう。この結果ガスの流
れが不均一になってしまい、ガラス基板Ｇに成膜される
膜厚について高い面内均一性を得ることが困難であると
いう問題があった。本発明はこのような事情の下になさ
れたものであり、その目的は、被処理基板に処理ガスを
均一に供給することができ、面内均一性の高い処理を行
うことができる処理装置及び処理方法を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、処理
容器内にて保持された被処理基板に、この被処理基板と
対向するように設けられたガス供給手段より処理ガスを
供給して処理する処理装置において、前記ガス供給手段
は、ガス供給管の先端部に設けられると共に先端に向う
につれて断面積が小さくなるように形成された中空部材
に、長さ方向に沿って複数のガス吹き出し孔を形成した
ガス吹き出し部を含むことを特徴とする。
【００１０】請求項２の発明は、処理容器内にて保持さ
れた被処理基板に、この被処理基板と対向するように設
けられたガス供給手段より処理ガスを供給して処理する
処理装置において、前記ガス供給手段は、ガス供給管の
先端部に設けられると共に先端に向うにつれて断面積が
小さくなるように形成された中空部材に、長さ方向に沿
って複数のガス吹き出し孔を形成したガス吹き出し部
と、前記ガス吹き出し部と被処理基板との間に空間を介
して対向する、多数の通気孔が形成された拡散板を含
み、当該ガス吹き出し部を囲むように設けられた区画部
材と、有することを特徴とする。
【００１１】請求項３の発明は、処理容器内にて保持さ
れた被処理基板に処理ガスを供給して処理する処理装置
において、前記被処理基板の被処理面に臨む領域の側方
に、前記被処理面に沿って処理ガスを供給するようにガ
ス供給口が設けられた第１のガス供給手段と、前記被処
理基板の被処理面と対向するように排気口が設けられた
第２のガス供給手段と、前記第１のガス供給手段と前記
被処理面に臨む領域を介して対向するように設けられた
排気手段と、を含むことを特徴とする。
【００１２】請求項４の発明は、請求項３記載の発明に
老いて、前記第２のガス供給手段は、ガス供給管の先端
部に設けられると共に先端に向うにつれて断面積が小さ
くなるように形成された中空部材に、長さ方向に沿って
複数のガス吹き出し孔を形成したガス吹き出し部を含む
ことを特徴とする。
【００１３】請求項５の発明は、請求項４記載の発明に
おいて、前記第２のガス供給手段は、ガス供給管の先端
部に設けられると共に先端に向うにつれて断面積が小さ
くなるように形成された中空部材に、長さ方向に沿って
複数のガス吹き出し孔を形成したガス吹き出し部と、前
記ガス吹き出し部と被処理基板との間に空間を介して対
向する、多数の通気孔が形成された拡散板を含み、当該
ガス吹き出し部を囲むように設けられた区画部材と、有
することを特徴とする。
【００１４】請求項６の発明は、処理容器内にて被処理
基板に処理ガスを供給して処理する方法において、前記
被処理基板の被処理面に臨む領域の左右の一方側から前
記被処理面に沿って処理ガスを供給し、かつ前記被処理
面と対向する位置から被処理面に処理ガスを供給しなが
ら、前記被処理面に臨む領域の左右の他方側から排気し
て被処理基板を処理することを特徴とする。
【００１５】
【作用】請求項１の発明では、ガス吹き出し部を、先端
部に向うにつれて断面積が小さくなるように形成するこ
とにより、ガス吹き出し部の流路自体にガスの流れ方向
に沿って正の圧力勾配を形成している。このためガス吹
き出し部の長さ方向に沿って、孔径及びピッチを揃えて
ガス吹き出し孔を形成すると、前記流路自体の圧力勾配
を緩和するように働くので、ガス吹き出し部内部の圧力
分布はほぼ均一になり、各ガス吹き出し孔からのガス吹
き出し量を容易に均一にすることができる。
【００１６】請求項２の発明では、ガス吹き出し部を周
囲から区画する区画部材を設けたので、区画部材の内部
へガス吹き出し部の長さ方向に沿って均一に吹き出され
たガスは、一旦区画部材内に拡散した後拡散板に形成さ
れた通気孔から流出していく。従って被処理基板の被処
理面にガスを広い範囲で均一に供給することができる。
【００１７】請求項３〜６の発明では、第一のガス供給
手段と第二のガス供給手段とにより、被処理基板に対し
て２方向からガスを供給しているので、排気により生じ
る被処理基板近傍での各方向毎の面内におけるガス流速
の違いが互いに補償され、ガス流れの均一性が確保され
る。
【００１８】
【実施例】以下本発明の実施例について説明する。図１
は本発明の実施例に係る処理装置例えばプラズマＣＶＤ
装置の全体構成を示す概略断面図、図２はこの処理装置
の要部を示す斜視図である。図中２は処理容器をなす気
密構造の処理室（真空容器）であり、この処理室２の一
側壁面には被処理基板例えばガラス基板Ｇの搬出入口２
１、２２が形成されている。
【００１９】処理室２内の上方側には、接地された一方
の電極３が配設されており、この一方の電極３の上面に
は、外部に設けられた昇降機構３２により昇降可能な昇
降軸３１が設けられている。処理室２内の底面中央部に
は、ガス供給手段４０が設けられており、このガス供給
手段４０は、ガス吹き出し部をなすインジェクタ４と、
このインジェクタ４を取り囲んで処理室２の内部空間か
ら気密に区画する、箱状体からなる区画部材５とを備え
ている。
【００２０】前記インジェクタ４は例えば図３に示すよ
うに、平面形状が先端に向かう程幅狭な縦長の台形状で
かつ長手方向と直交する横断面が四角形状の角筒体より
なる石英製の中空部材４１と、この中空部材４１の両側
壁面に中空部材４１の長さ方向に沿って形成された複数
のガス吹き出し孔４２とにより構成されており、この中
空部材４１の基端面（手前側端面）にはガス供給管４３
の一端側が接続されると共に、このガス供給管４３の他
端側は図示しない処理ガス供給源に接続されている。
【００２１】このようなインジェクタ４は、ガス供給管
４３により供給された処理ガスを各ガス吹き出し孔４２
から略均一に所定の量で吹き出すように、中空部材４１
の形状や大きさ、ガス吹き出し孔４２のピッチや孔径が
設定されている。即ちこの実施例においては、中空部材
４１は例えば長さが３６０ｍｍ、手前側端面の一辺の長
さＬ１が２１ｍｍ、先端面の一辺の長さＬ２が７ｍｍに
設定され、ガス吹き出し孔４２は孔径が１ｍｍ、ピッチ
が３５ｍｍに設定されている。
【００２２】また区画部材５はインジェクタ４の上面と
空間を介して設けられた、例えば４５０ｍｍ×４５０ｍ
ｍの四角形状の板状体からなるバッファ板５１と、イン
ジェクタ４の置かれている空間の側面を囲むようにバッ
ファ板５１の周縁に沿って設けられた側壁板５２とから
構成されており、バッファ板５１には多数の通気孔５３
が穿設されている。バッファ板５１は、インジェクタ４
の各ガス吹き出し孔４１から略均一に吹き出されたガス
を、広い面に亘って均一に供給するために設けられてい
る。そしてこのバッッファ板５１は、例えばアルミニウ
ム板により作られて他方の電極を兼用しており、例えば
５０ｋＨｚ〜２００ＭＨｚの高周波電源例えば１３．５
６ＭＨｚ電源の一端側に接続されている。また通気孔５
３は孔径、ピッチが共にガス吹き出し孔４１より小さい
ように、例えば孔径が０．５ｍｍであって、ピッチ２０
ｍｍで縦横に配列されている。
【００２３】処理室２内のこの区画部材５の両外側に
は、図２に示すように、先端をＬ字状に屈曲して構成さ
れた互に対向する一対の載置板６１、６２が設けられて
いて、この載置板６１、６２の屈曲面の面上に被処理面
を下側に向けてガラス基板Ｇが載置される。このときガ
ラス基板Ｇの下面とバッファ板５１の上面との距離は例
えば１０ｍｍに設定される。
【００２４】さらにガラス基板Ｇとバッファ板５１との
間の空間の側部に臨む位置に横長の排気口７１を有する
排気管７が設けられており、この排気管７は処理室２の
底壁を貫通して下方方向に延びていて、他端側は図示し
ない排気手段例えば真空ポンプに接続されている。
【００２５】次に上述実施例の作用について述べる。先
ず一方の電極３を上方側へ退避させておいて被処理基板
であるガラス基板Ｇを図示しない搬送機構により搬入口
２１を介して処理室２内の載置板６１、６２上に搬送
し、この後一方の電極３を昇降機構３２によりガラス基
板Ｇの近傍まで降下させる。そしてガス供給管４３よ
り、インジェクタ４及びバッファ板５１を介して、処理
室２内に例えばＳｉＨ4 ガス、ＮＨ3 ガス及びＮ2 ガス
からなる処理ガスを所定の流量で供給すると共に、排気
管７を介して図示しない真空ポンプにより排気し、処理
室２内を所定の真空度に維持しながら電極３とバッファ
板５１との間に高周波電圧を印加し、これによりプラズ
マを発生させ、ガラス基板Ｇの被処理面上にＳｉＮ膜を
形成する。
【００２６】このとき、後で詳述するが、インジェクタ
４内部の圧力は長さ方向に沿ってほぼ均一であるため、
ガス供給管４３からインジェクタ４内部へ供給された処
理ガスは、各ガス吹き出し孔４２からインジェクタ４の
長さ方向に沿ってほぼ均一の量で区画部材５の内部空間
へ吹き出す。この区画部材５はバッファ板５１の通気孔
５２以外は気密に構成されているので、次第に内部の処
理ガス量が増加し、その増加に伴い内部の圧力も高くな
り、区画部材５内の処理ガスはインジェクタ４の全体の
ガス流出量とバッファ板５１の通気孔５３の全体の開口
面積とに応じた圧力で各通気孔５３を介して処理室２内
へ流出していく。
【００２７】従ってこの実施例ではインジェクタ４より
インジェクタ４の長さ方向に沿って処理ガスが均一に吹
き出し、区画部材５内に拡散して横にも広がり、広い面
積を有するバッファ板５１の全面に形成された各通気孔
５３から通気して行くのでバッファ５１の全面に亘って
処理ガスがほぼ均一に吹き出し、ガラス基板Ｇの被処理
面に高い均一性で供給される。
【００２８】この結果、大型のガラス基板Ｇの被処理面
にほぼ均一に処理ガスが供給されるため、ガラス基板Ｇ
上に膜厚の面内均一性が極めて高い薄膜を成膜すること
ができる。またインジェクタ４におけるガスの吹き出し
の均一性は、上述のようにインジェクタ４の形状と、ガ
ス吹き出し孔４１とにより確保されるものであるが、こ
の実施例ではガス吹き出し孔４１の孔径及びピッチは全
て同じ大きさで設定されるものであるため、ガス吹き出
し孔４１の設定や加工が極めて容易でありながらガスの
吹き出し量の均一性を得ることができる。
【００２９】ここでその理由について、図４の中空部材
の圧力分布を示す説明図により説明すると、図中曲線Ａ
はガス吹き出し孔を形成しない中空部材にガスを通流さ
せた場合の長さ方向の圧力分布を概念的に示すものであ
るが、この場合には、中空部材の長さ方向に沿って先端
部へ向う程圧力は高くなる。一方図中曲線Ｂは断面積が
長さ方向に亘って変化しない中空部材に同じ孔径のガス
吹き出し孔を同ピッチで形成した場合の圧力分布を概念
的に示すものであるが、この場合には、ガスはガス吹き
出し孔より吹き出されながら先端部へ向って流れるの
で、中空部材内の圧力は長さ方向に沿って先端部へ向う
程低くなる。
【００３０】従って、断面積が先端部へ向うほど小さく
なるように中空部材を構成すれば、孔径及びピッチを揃
えてガス吹き出し孔を形成すると、中空部材自体が有す
る圧力勾配とガス吹き出し孔によってもたらされる圧力
勾配とが相殺されて、ガスの吹き出し圧力がインジェク
タ４の長さ方向に沿ってほぼ均一になる。
【００３１】次に本発明の第２実施例について説明す
る。本実施例は図５に示すように、上述の第１実施例の
プラズマＣＶＤ装置において、ガラス基板Ｇと前記バッ
ファ板５１との間の空間の側方であって前記排気口７１
に対向する位置にガスの吹き出し口、例えば図６に示す
ように幅方向に多数のガスの吹き出し孔８１を備えた幅
広の角型のガス供給管よりなるガス供給手段８が設けら
れている。即ちガラス基板Ｇとバッファ板５１との間の
空間の左右の一方の側部に臨む位置に排気口７１が、ま
た他方の側部に臨む位置にガス供給手段８が設けられて
いる。この実施例では、このガス供給手段８が第１のガ
ス供給手段に相当し、ガラス基板Ｇに対向する、インジ
ェクタ４及び区画部材５を含む既述のガス供給手段が第
２のガス供給手段に相当する。
【００３２】このようなプラズマＣＶＤ装置において
は、成膜処理の際、処理ガスは、図７に示すようにガラ
ス基板Ｇの被処理面にその下方側から第２のガス供給手
段４０により処理ガスが供給されると共に、ガラス基板
Ｇの例えば左側から第１のガス供給手段８により処理ガ
スが被処理面に沿って供給され、これら処理ガスは例え
ば右側の排気口７１より排気される。
【００３３】このように二方向から処理ガスを供給すれ
ば、側方側及び下方側の一方向から処理ガスを供給した
場合における被処理面上のガスの流速のばらつきが、他
方向から処理ガスを供給することによって補償され、こ
れによりガスの流れが均一になってガスの溜まりが抑え
られる。従ってガラス基板Ｇの被処理面上に形成される
薄膜の膜厚の面内均一性がより高められる。
【００３４】そしてこのようにガラス基板に対して二方
向から供給するにあたっては、図７に示すように第１及
び第２のガス供給手段８、４０に夫々設けられた流量調
整部８Ａ、４０Ａにより互いの流量をコントロールし
て、例えば流量比を種々設定し、各条件で予め成膜処理
を行って膜厚のデータを求め、最適な流量比を決定して
その流量比で実プロセスを行えばよい。
【００３５】以上において本発明では、区画部材を設け
ることなくインジェクタのみによりガス供給手段を構成
してもよいし、複数のインジェクタを並列して配設する
ようにしてもよく、また第２実施例の第２のガス供給手
段は第１実施例の構成のものに限定されるものではな
い。更にまた処理の種類については成膜処理に限らず、
エッチングやアッシングなどであってもよいし、被処理
基板についてもガラス基板に限定されるものではない。
【００３６】
【発明の効果】請求項１の発明では、先端部に向うにつ
れて断面積が小さくなるように形成された中空部材にガ
ス吹き出し孔を形成しているため、ガス吹き出し孔の設
定を容易にして均一なガスの吹き出しを確保することが
でき、これにより被処理基板に対して高い面内均一性で
処理することができる。
【００３７】請求項２の発明では、ガス拡散板を備えた
区画部材の内部へガス吹き出し部を設けているため、請
求項１の効果に加え、被処理面にガスを広い範囲で均一
に供給することができ、より一層高い面内均一性で処理
することができる。
【００３８】請求項３〜６の発明では、被処理基板に対
して２方向からガスを供給しているので、既述したよう
に、ガス流れの均一性が確保され、特に広い面積の被処
理基板の処理に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る処理装置を示す断面図で
ある。
【図２】区画部材、保持部材、排気管とを示す斜視図で
ある。
【図３】インジェクタとバッファ板とを示す斜視図であ
る。
【図４】インジェクタ内部の圧力分布を示す説明図であ
る。
【図５】本発明の他の実施例を示す断面図である。
【図６】本発明の他の実施例に用いられるガス供給手段
を示す斜視図である。
【図７】本発明の他の実施例における処理ガスの流れを
示す説明図である。
【図８】従来のガス供給部をなすインジェクタを示す斜
視図である。
【符号の説明】
１０、４３、８ ガス供給管 １１ ガスインジェクタ ２ 処理室 ３ 電極 ４０ ガス供給手段 ４ インジェクタ ４１ 中空部材 ４２ １１２ ガス吹き出し孔 ５ 区画部材 ５１ バッファ板 ５２ 支持部材 ５３ 通気孔 ６ 保持部材 ７ 排気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水谷 洋二 東京都港区赤坂５丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 三浦 豊 東京都港区赤坂５丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内 (72)発明者 下田 高広 東京都港区赤坂５丁目３番６号 東京エレ クトロン株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 処理容器内にて保持された被処理基板
    に、この被処理基板と対向するように設けられたガス供
    給手段より処理ガスを供給して処理する処理装置におい
    て、 前記ガス供給手段は、ガス供給管の先端部に設けられる
    と共に先端に向うにつれて断面積が小さくなるように形
    成された中空部材に、長さ方向に沿って複数のガス吹き
    出し孔を形成したガス吹き出し部を含むことを特徴とす
    る処理装置。
  2. 【請求項２】 処理容器内にて保持された被処理基板
    に、この被処理基板と対向するように設けられたガス供
    給手段より処理ガスを供給して処理する処理装置におい
    て、 前記ガス供給手段は、ガス供給管の先端部に設けられる
    と共に先端に向うにつれて断面積が小さくなるように形
    成された中空部材に、長さ方向に沿って複数のガス吹き
    出し孔を形成したガス吹き出し部と、 前記ガス吹き出し部と被処理基板との間に空間を介して
    対向する、多数の通気孔が形成された拡散板を含み、当
    該ガス吹き出し部を囲むように設けられた区画部材と、
    有することを特徴とする処理装置。
  3. 【請求項３】 処理容器内にて保持された被処理基板に
    処理ガスを供給して処理する処理装置において、 前記被処理基板の被処理面に臨む領域の側方に、前記被
    処理面に沿って処理ガスを供給するように設けられた第
    １のガス供給手段と、 前記被処理基板の被処理面と対向するようにガス供給口
    が設けられた第２のガス供給手段と、 前記第１のガス供給手段と前記被処理面に臨む領域を介
    して対向するように排気口が設けられた排気手段と、 を含むことを特徴とする処理装置。
  4. 【請求項４】 前記第２のガス供給手段は、ガス供給管
    の先端部に設けられると共に先端に向うにつれて断面積
    が小さくなるように形成された中空部材に、長さ方向に
    沿って複数のガス吹き出し孔を形成したガス吹き出し部
    を含むことを特徴とする請求項３記載の処理装置。
  5. 【請求項５】 前記第２のガス供給手段は、ガス供給管
    の先端部に設けられると共に先端に向うにつれて断面積
    が小さくなるように形成された中空部材に、長さ方向に
    沿って複数のガス吹き出し孔を形成したガス吹き出し部
    と、 前記ガス吹き出し部と被処理基板との間に空間を介して
    対向する、多数の通気孔が形成された拡散板を含み、当
    該ガス吹き出し部を囲むように設けられた区画部材と、
    有することを特徴とする請求項４記載の処理装置。
  6. 【請求項６】 処理容器内にて被処理基板に処理ガスを
    供給して処理する方法において、 前記被処理基板の被処理面に臨む領域の左右の一方側か
    ら前記被処理面に沿って処理ガスを供給し、かつ前記被
    処理面と対向する位置から被処理面に処理ガスを供給し
    ながら、前記被処理面に臨む領域の左右の他方側から排
    気して被処理基板を処理することを特徴とする処理方
    法。
JP10699095A 1995-04-05 1995-04-05 処理装置及び処理方法 Expired - Fee Related JP3432636B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10699095A JP3432636B2 (ja) 1995-04-05 1995-04-05 処理装置及び処理方法
US08/626,454 US5704981A (en) 1995-04-05 1996-04-02 Processing apparatus for substrates to be processed
KR1019960009959A KR100283833B1 (ko) 1995-04-05 1996-04-03 성막처리장치
TW085104040A TW353803B (en) 1995-04-05 1996-04-05 Processing apparatus for substrates to be processed

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10699095A JP3432636B2 (ja) 1995-04-05 1995-04-05 処理装置及び処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH08279468A true JPH08279468A (ja) 1996-10-22
JP3432636B2 JP3432636B2 (ja) 2003-08-04

Family

ID=14447686

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10699095A Expired - Fee Related JP3432636B2 (ja) 1995-04-05 1995-04-05 処理装置及び処理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5704981A (ja)
JP (1) JP3432636B2 (ja)
KR (1) KR100283833B1 (ja)
TW (1) TW353803B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004018904A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Sekisui Chem Co Ltd リモート型ガス供給装置
JP2009272034A (ja) * 2009-08-17 2009-11-19 Canon Anelva Corp 情報記録ディスク用成膜装置、及び、情報記録ディスクの製造方法
JP2013201421A (ja) * 2012-02-22 2013-10-03 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
KR20160054521A (ko) * 2013-09-09 2016-05-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 극자외선 광원을 위한 이송 시스템
JP2016169402A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5868898A (en) * 1996-11-21 1999-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Fluid dispensing device for wet chemical process tank and method of using
JP3343200B2 (ja) * 1997-05-20 2002-11-11 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP3582330B2 (ja) * 1997-11-14 2004-10-27 東京エレクトロン株式会社 処理装置及びこれを用いた処理システム
US6217937B1 (en) 1998-07-15 2001-04-17 Cornell Research Foundation, Inc. High throughput OMVPE apparatus
JP2001274107A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Nec Kyushu Ltd 拡散炉
US6911097B1 (en) 2000-07-31 2005-06-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Photoresist stripper using nitrogen bubbler
US6902622B2 (en) * 2001-04-12 2005-06-07 Mattson Technology, Inc. Systems and methods for epitaxially depositing films on a semiconductor substrate
KR101033123B1 (ko) * 2004-06-30 2011-05-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 제조를 위한 챔버형 장치
US20060096622A1 (en) * 2004-11-11 2006-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Dry cleaning apparatus used to manufacture semiconductor devices
US8512509B2 (en) * 2007-12-19 2013-08-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate with radially distributed path splitting manifold
US20090162261A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Kallol Baera Plasma reactor gas distribution plate having a vertically stacked path splitting manifold
US20090162262A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Applied Material, Inc. Plasma reactor gas distribution plate having path splitting manifold side-by-side with showerhead
US20090159002A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Kallol Bera Gas distribution plate with annular plenum having a sloped ceiling for uniform distribution
US20090159213A1 (en) * 2007-12-19 2009-06-25 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate having a path splitting manifold immersed within a showerhead
US8377213B2 (en) * 2008-05-05 2013-02-19 Applied Materials, Inc. Slit valve having increased flow uniformity
CN102002675B (zh) * 2009-08-28 2013-07-03 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 真空溅镀设备的进气装置
JP5432686B2 (ja) * 2009-12-03 2014-03-05 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
TW201139712A (en) * 2010-05-12 2011-11-16 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Sputtering device
CN103295935B (zh) * 2012-02-22 2017-06-20 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
KR20140038070A (ko) * 2012-09-20 2014-03-28 삼성코닝정밀소재 주식회사 가스 분사 장치 및 이에 사용되는 인젝터 파이프

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60130126A (ja) * 1983-12-16 1985-07-11 Nec Corp 光気相成長法
JPS6280271A (ja) * 1985-10-02 1987-04-13 Applied Materials Japan Kk 気相成長方法
JPS62291923A (ja) * 1986-06-12 1987-12-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 分離溝形成装置
EP0255454A3 (en) * 1986-07-26 1991-11-21 Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha Apparatus for chemical vapor deposition
JP2781814B2 (ja) * 1987-11-20 1998-07-30 東京エレクトロン株式会社 縦形気相成長装置
JPH0732137B2 (ja) * 1988-02-29 1995-04-10 東京エレクトロン東北株式会社 熱処理炉
JPH02174224A (ja) * 1988-12-27 1990-07-05 Tel Sagami Ltd 熱処理装置
JP2729238B2 (ja) * 1989-12-22 1998-03-18 東京エレクトロン株式会社 縦型処理装置
JPH03214723A (ja) * 1990-01-19 1991-09-19 Nec Corp プラズマｃｖｄ装置
JPH06274400A (ja) * 1993-03-18 1994-09-30 Olympus Optical Co Ltd 縫製処理管理用の電子情報処理装置
JPH06346485A (ja) * 1993-06-07 1994-12-20 Komatsu Ltd ブルドーザの車速感応作業機コントロール装置
JPH08115883A (ja) * 1994-10-12 1996-05-07 Tokyo Electron Ltd 成膜装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004018904A (ja) * 2002-06-13 2004-01-22 Sekisui Chem Co Ltd リモート型ガス供給装置
JP2009272034A (ja) * 2009-08-17 2009-11-19 Canon Anelva Corp 情報記録ディスク用成膜装置、及び、情報記録ディスクの製造方法
JP2013201421A (ja) * 2012-02-22 2013-10-03 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
KR20160054521A (ko) * 2013-09-09 2016-05-16 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 극자외선 광원을 위한 이송 시스템
JP2016534409A (ja) * 2013-09-09 2016-11-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 極端紫外光源用搬送システム
JP2020016894A (ja) * 2013-09-09 2020-01-30 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 極端紫外光源用搬送システム
JP2016169402A (ja) * 2015-03-11 2016-09-23 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR960038443A (ko) 1996-11-21
US5704981A (en) 1998-01-06
KR100283833B1 (ko) 2001-03-02
JP3432636B2 (ja) 2003-08-04
TW353803B (en) 1999-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3432636B2 (ja) 処理装置及び処理方法
US8366828B2 (en) Shower head and substrate processing apparatus
TWI393801B (zh) 氣體注射器及包含該注射器之裝置
JP2003282533A (ja) 処理装置及び処理方法
JP2006199483A (ja) ステージ装置および塗布処理装置
JP3349953B2 (ja) 基板処理装置
JP2003051490A (ja) プラズマ処理装置
JP3629862B2 (ja) 基板周縁の不要物除去方法およびその装置
KR101033123B1 (ko) 액정표시장치의 제조를 위한 챔버형 장치
KR20110052451A (ko) 기판 처리 장치
KR101025192B1 (ko) 기판처리장치
KR100442580B1 (ko) 반도체 제조용 챔버의 배기시스템
JP3724436B2 (ja) 整流ウォール及びドライエッチング装置並びに該装置を用いた電気光学装置の製造方法
JP2002329711A (ja) 平行平板型電極プラズマ処理装置
JP3485505B2 (ja) 処理装置
JP3374894B2 (ja) 基板処理装置
JP2000208492A (ja) タングステンプラズマエッチング方法とタングステンプラズマエッチング装置
KR101016921B1 (ko) 샤워헤드
JPH11186240A (ja) 基板処理装置
JP3305215B2 (ja) ガス処理方法および装置
JP7412111B2 (ja) レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法
KR100570706B1 (ko) 두께 균일도 및 접착력 향상을 위한 도포 장치 및 도포방법, 그리고 이에 사용되는 노즐 모듈
CN107154348A (zh) 准分子激光退火工序用脱氧装置
JP3261877B2 (ja) プラズマ装置
KR101317333B1 (ko) 기판 변형 방지용 보트

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees