KR100570706B1 - 두께 균일도 및 접착력 향상을 위한 도포 장치 및 도포방법, 그리고 이에 사용되는 노즐 모듈 - Google Patents

두께 균일도 및 접착력 향상을 위한 도포 장치 및 도포방법, 그리고 이에 사용되는 노즐 모듈 Download PDF

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Abstract

본 발명은 도포 장치에 관한 것으로, 장치는 기판이 놓여지는 지지부재와 그 상부에 배치되는 노즐 모듈을 가진다. 노즐 모듈은 일방향으로 이동되며 감광액을 공급하는 도포 노즐과, 도포 노즐보다 앞서서 도포 노즐과 일정간격으로 유지하면서 이동되며 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 공급하는 세정 노즐을 가진다.
도포, 세정, 라디칼, 노즐 모듈

Description

두께 균일도 및 접착력 향상을 위한 도포 장치 및 도포 방법, 그리고 이에 사용되는 노즐 모듈{COATING APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVEMENT OF ADHESIVE STRENGHT AND COATING UNIFORMITY AND NOZZLE MODULE USED IN THE APPARATUS}
도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 도포 장치를 개략적으로 보여주는 평면도;
도 2는 도 1의 장치의 노즐 모듈의 사시도;
도 3은 도 2의 선 Ⅰ-Ⅰ을 따라 절단한 단면도;
도 4는 도 2의 선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도;
도 5는 도 1의 장치를 사용하여 공정이 수행되는 과정을 개략적으로 보여주는 도면; 그리고
도 6은 노즐 모듈의 변형된 예를 보여주는 도 2와 같은 사시도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 지지부재 20 : 이동부재
30 : 노즐 모듈 40 : 기판
100 : 도포 노즐 200 : 세정 노즐
220 : 몸체 242 : 제 1전극판
244 : 제 2전극판 246 : 전력 공급원
300 : 연결부재
본 발명은 기판을 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판 상으로 포토레지스트를 도포하는 장치 및 방법, 그리고 이에 사용되는 노즐 모듈에 관한 것이다.
최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하기 위해 디스플레이 장치를 가진다. 지금까지 디스플레이 장치로는 주로 브라운관(cathode ray tube) 모니터가 사용되었으나, 최근에는 반도체 기술의 급속한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 평판 디스플레이(flat panel display) 사용이 증대되고 있다.
평판 디스플레이에 소자를 제조하기 위해 다양한 공정들이 수행된다. 이들 공정 중 도포공정은 노광 광원에 반응하는 포토레지스트와 같은 감광액을 기판 상에 도포하는 공정이다. 한국공개특허 2003-78666와 한국공개특허 2004-10071 등에는 상술한 도포공정을 수행하는 장치들의 일 예가 개시되어 있다. 상술한 공개특허에 개시된 바와 같이 일반적으로 도포 장치는 기판의 일단에서 타단까지 직선이동되는 슬릿노즐을 가지며, 슬릿노즐로부터 기판으로 포토레지스트가 토출되면서 공정이 수행된다.
그러나 기판의 표면이 소수성을 가지거나 기판의 표면에 유기물이 파티클이 부착되어 있는 경우, 기판의 표면에서 포토레지스트의 접착력이 저하되고, 기판 상의 영역에 따라 도포되는 막의 두께 균일도가 낮아진다.
본 발명은 도포공정 수행시 기판에 포토레지스트의 접착력 향상 및 도포되는 두께의 균일도를 향상시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명인 도포 장치는 기판이 놓여지는 지지부재를 가진다. 상기 지지부재 상에는 상기 기판 상으로 세정 가스를 분사하여 상기 기판을 세정하는 세정 노즐과 상기 세정 노즐에 의해 세정이 이루어진 상기 기판 상의 영역으로 감광액을 토출하는 도포 노즐이 설치되고, 상기 지지부재 또는 상기 세정 노즐 및 상기 도포 노즐은 이동부재에 의해 구동되어 상기 기판과 상기 세정 노즐 및 상기 도포 노즐의 상대 위치가 변화된다.
일 예에 의하면, 상기 세정 노즐은 상기 기판 상의 영역에서 도포 공정이 진행되는 방향으로 상기 도포 노즐보다 전방에 상기 도포 노즐과 나란히 배치되고, 상기 세정 공정과 상기 도포 공정은 동시에 진행된다. 상기 세정 노즐과 상기 도포 노즐은 상기 지지판의 일단에서 이와 마주보는 타단을 향하는 방향으로 직선 이동되고, 상기 세정 노즐과 상기 도포 노즐이 일정간격을 유지하면서 이동되도록 상기 세정 노즐과 상기 도포 노즐을 결합하는 연결부재가 제공될 수 있다. 또한, 상기 세정 노즐은 도포 공정이 진행되는 방향으로 상기 도포 노즐과 나란하게 상기 도포 노즐의 양측에 각각 배치될 수 있다. 상기 세정 노즐은 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 상기 기판 상으로 공급할 수 있다.
상기 세정 노즐은 내부에 세정 가스가 유입되는 공간이 형성되며 절연재질로 이루어진 몸체를 가진다. 상기 몸체에는 상기 세정 가스가 상기 공간 내로 유입되는 유입구 및 이온 또는 라디칼 상태의 상기 세정 가스가 상기 공간으로부터 유출되는 유출구가 형성된다. 상기 몸체 내 공간에는 제 1전극판이 삽입되고, 상기 몸체의 외측벽에는 제 2전극판이 배치된다. 상기 기 제 1전극판 및 상기 제 2전극판에는 전력공급원에 의해 에너지가 인가된다.
상기 세정 가스는 산소, 질소, 그리고 공기로 이루어진 그룹 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한, 상기 기판은 평판 표시 소자 제조에 사용되는 기판일 수 있다.
또한, 본 발명의 노즐 모듈은 감광액을 토출하는 도포 노즐과 상기 도포 노즐과 나란히 위치되며 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 공급하는 세정 노즐을 가진다. 상기 도포 노즐과 상기 세정 노즐은 연결부재에 의해 결합되어 일정간격을 유지한다. 일 예에 의하면, 상기 세정 노즐은 내부에 세정 가스가 유입되는 공간이 제공된 몸체와 상기 몸체 내로 유입된 세정 가스를 이온 또는 라디칼 상태로 변환하는 에너지를 공급하는 에너지원을 포함한다. 상기 에너지원은 상기 몸체의 공간에 삽입되는 제 1전극판, 상기 몸체의 외측에 배치되는 제 2전극판, 그리고 상기 제 1전극판 및 상기 제 2전극판에 전력을 인가하는 전력 공급부를 포함한다. 상기 몸체는 절연재질로 이루어지며, 상기 세정 가스는 상압에서 이온 또는 라디칼 상태 로 변환된다. 상기 세정 노즐은 상기 도포 노즐의 양측에 각각 배치될 수 있다.
또한, 본 발명의 도포 방법은 기판 상으로 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 공급하여 기판의 표면을 세정하는 세정 단계와 상기 세정이 이루어진 상기 기판 상의 영역으로 감광액을 공급하여 상기 기판 상에 감광액을 도포하는 도포 단계를 포함한다. 상기 세정 단계는 세정 노즐이 상기 기판의 표면을 따라 직선이동되면서 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 상기 기판으로 공급하는 단계를 포함하고, 상기 도포 단계는 도포 노즐이 상기 기판의 표면을 따라 직선이동되면서 상기 기판으로 감광액을 공급하는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 세정 단계는 세정 노즐이 상기 기판의 표면을 따라 직선이동되면서 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 상기 기판으로 공급하는 단계를 포함하고, 상기 도포 단계는 상기 세정 노즐이 직선이동되는 동안 상기 도포 노즐이 상기 세정 노즐을 뒤따르도록 직선이동되면서 상기 기판으로 감광액을 공급하는 단계를 포함할 수 있다. 상기 도포 방법은 상기 도포 단계 이후에 상기 도포 노즐을 뒤따르며 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 상기 기판 상으로 공급하는 세정 단계를 더 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 6을 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
본 실시예에서는 평판 디스플레이(Flat Panel Display)를 제조에 사용되는 유리 기판(40)을 예로 들어 설명한다. 평판 디스플레이는 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panal), 진공 형광 디스플레이(Vacuum Fluorescent Display), 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display)일 수 있다. 그러나 이는 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상은 반도체 웨이퍼와 같은 실리콘 기판(40) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정에도 적용가능하다.
도 1은 본 발명의 도포 장치(1)를 개략적으로 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 도포 장치(1)는 지지부재(10), 노즐 모듈(30), 그리고 이동부재(20)를 가진다. 지지부재(10)는 대체로 직육면체 형상을 가지며, 지지부재(10)의 상부면 중앙에는 기판(40)이 놓여진다. 기판(40)은 지지부재(10)의 상부면에 직접 놓여질 수 있으며, 선택적으로 지지부재(10)의 상부면에 기판(40)을 지지하기 위한 지지판이 설치될 수 있다.
노즐 모듈(30)은 기판(40)의 상부에 배치된다. 노즐 모듈(30)의 사시도인 도 2를 참조하면, 노즐 모듈(30)은 도포 노즐(100)과 세정 노즐(200)을 가진다. 세정 노즐(200)은 기판(40) 상으로 세정 가스를 공급하여 기판(40)의 표면에 부착된 이물질, 파티클, 그리고 잔여수분을 제거한다. 도포 노즐(100)은 기판(40) 상으로 포토레지스트와 같은 감광액을 공급하여 기판(40)에 포토레지스트를 도포한다. 도포 노즐(100)과 세정 노즐(200) 각각은 기판(40)의 일측변(42)과 유사한 길이를 가 진다. 도포 노즐(100)과 세정 노즐(200)은 일정거리 이격되어 나란히 배열되며 연결부재(300)에 의해 결합된다. 도포 노즐(100) 및 세정 노즐(200)은 이동부재(20)에 의해 기판(40)의 일단으로부터 타단까지 직선이동된다.
이동부재(20)는 가이드레일들(22a, 22b), 브라켓들(24a, 24b), 그리고 구동부(26)를 가진다. 도포 노즐(100) 및 세정 노즐(200)의 길이 방향과 수직한 지지부재(10)의 일측 가장자리에는 제 1가이드레일(22a)이 설치되고, 이와 마주보는 타측 가장자리에는 제 2가이드레일(22b)이 설치된다. 제 1가이드레일(22a)과 제 2가이드레일(22b)은 직선으로 형성되며 서로 평행하게 배치된다. 도포 노즐(100)의 일측에는 제 1가이드레일(22a)을 따라 이동가능하게 장착되는 제 1브라켓(24a)이 결합되고, 도포 노즐(100)의 타측에는 제 2가이드레일(22b)을 따라 이동가능하게 장착되는 제 2브라켓(24b)이 결합된다. 선택적으로 제 1브라켓(24a) 및 제 2브라켓(24b)은 세정 노즐(200)과 결합될 수 있다. 또한, 노즐 모듈(30)이 보다 안정적으로 이동되도록 도포 노즐(100)과 세정 노즐(200) 각각에 브라켓들이 결합될 수 있다. 구동부(26)는 브라켓들(24a, 24b)을 가이드레일들(22a, 22b)을 따라 직선시키는 동력을 제공한다. 구동부(26)로는 모터, 벨트, 그리고 풀리 등으로 이루어진 어셈블리가 사용되거나, 모터와 스크류 등으로 이루어진 어셈블리가 사용될 수 있다.
도 3은 도 2의 선 Ⅰ-Ⅰ을 따라 절단한 단면도로, 도포 노즐(100)의 내부 구조를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2와 도 3을 참조하면, 도포 노즐(100)은 기판(40)의 일측변(42)과 유사한 길이를 가지는 직육면체 형상의 몸체부(120) 및 이로부터 아래로 갈수록 폭이 점진적으로 줄어들도록 연장되고 몸체부(120)와 유사 한 길이로 형성된 토출부(140)를 가진다. 몸체부(120)의 상단에는 포토레지스트 공급관(도시되지 않음)이 결합된다. 몸체부(120) 내에는 포토레지스트가 일시적으로 머무르는 버퍼 공간(122)이 형성되고, 토출부(140)에는 버퍼 공간(122)으로부터 이보다 좁은 폭으로 연장되는 토출라인(142)이 형성된다. 토출라인(142)을 통해 흐르는 포토레지스트는 토출라인(142)의 끝단에 형성된 슬릿 형상의 토출구(142a)를 통해 아래로 토출된다.
세정 노즐(200)은 공정 진행시 노즐 모듈(30)이 이동되는 방향으로 도포 노즐(100)보다 전방에 위치된다. 세정 노즐(200)은 포토레지스트가 도포되기 전에 기판(40) 상으로 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 공급하여 기판(40)의 표면을 세정한다. 이들 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스는 기판(40)의 표면에 부착된 유기물이나 파티클과 반응하여 기판(40)의 표면으로부터 이들을 제거하고, 기판(40)의 표면이 친수성을 가지도록 한다. 파티클 등의 제거는 기판(40) 상에 포토레지스트가 균일한 두께로 도포되도록 하고, 친수성 부여는 기판(40)의 표면에 포토레지스트의 접착력을 향상시킨다. 또한, 고온의 이온 또는 라디칼은 기판(40)의 표면에 잔류하는 수분을 제거한다.
도 4는 도 2의 선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 단면도로, 세정 노즐(200)의 구조를 개략적으로 보여준다. 도 2와 도 4를 참조하면, 세정 노즐(200)은 내부에 공간이 형성되는 몸체(220)를 가진다. 몸체(220)는 하단부(222b)가 상단부(222a)에 비해 안쪽으로 함입된 네 측벽(222)과 이들의 상단에 결합되는 평판 형상의 상부벽(224)을 가진다. 서로 마주보는 2개의 측벽(222)은 대략 기판(40)의 일측변(42)보다 긴 길이를 가지고, 다른 2개의 측벽(222)은 좁은 길이를 가진다. 측벽(222)들 중 적어도 어느 하나의 측벽(222)에는 유입구(223)가 제공되고, 세정 가스는 유입구(223)를 통해 몸체(220) 내 공간(280)으로 유입된다. 세정 가스로는 질소, 산소, 그리고 공기 중 어느 하나 또는 이들의 혼합 가스가 사용될 수 있다.
세정 노즐(200)에는 공간(280) 내로 유입된 세정 가스를 이온 또는 라디칼 상태로 전환시키는 에너지원(240)이 제공된다. 일 예에 의하면, 에너지원(240)은 제 1전극판(242), 제 2전극판(244), 그리고 전력 공급원(246)을 가진다. 제 1전극판(242)은 직사각의 박판 형상을 가지는 금속판이 사용된다. 제 1전극판(242)은 몸체(220)의 상부벽(224) 중앙에 슬릿 형상으로 길게 형성된 삽입홀(225)을 통해 삽입된다. 제 1전극판(242)은 대략 기판(40)의 일측변(42)의 길이와 유사한 길이를 가지고, 몸체(220)의 측벽(222)보다 높은 높이를 가진다. 제 1전극판(242)의 하단은 대체로 몸체(220)의 측벽(222) 하단과 유사한 위치까지 삽입되고, 제 1전극판(242)의 상단은 몸체(220)의 상부벽(224)으로부터 상부로 돌출된다. 상부벽(224) 상에는 제 1전극판(242)을 고정하는 고정블럭(260)이 제공될 수 있다. 고정블럭(260)에는 상부벽(224)에 형성된 삽입홀(225)과 대향되는 위치에서 상하로 관통되며 제 1전극판(242)이 삽입되는 삽입홀(262)이 형성된다. 몸체(220)의 네 측벽(222) 및 제 1전극판(242)에 의해 가스가 유입되는 공간(280)은 링 형상으로 제공된다. 제 2전극판(244)은 금속재질로 이루어지며 몸체(220)의 측벽(222) 중 하단부(222b)의 외측 상에 설치된다. 제 2전극판(244)의 몸체(220)의 네 측벽(222)을 모두 감싸도록 링 형상으로 제공된다. 선택적으로 제 2전극판(244)은 몸체(220)의 네 측벽(222)들 중 서로 대향되는 두 개의 측벽(222)에만 제공되거나, 'ㄷ'자 형상을 가져 세 개의 측벽(222)에만 제공될 수 있다. 제 1전극판(242)과 제 2전극판(244) 사이에 배치된 몸체(220)의 측벽(222)들은 절연물질로 이루어지고, 세정 가스는 상압에서 이온 또는 라디칼 상태로 전환되는 것이 바람직하다. 제 1전극판(242)과 제 2전극판(244)에는 전력 공급원(246)에 의해 라디오 주파수 또는 마이크로파와 같은 에너지가 인가된다. 제 1전극판(242)에는 고전압이 인가되고, 제 2전극판(244)에는 비교적 저전압이 인가될 수 있다.
몸체(220) 내 공간으로 유입된 산소, 질소, 또는 공기와 같은 세정가스는 몸체(220) 내로 흐르며, 제 1전극판(242)과 제 2전극판(244) 사이에서 이온 또는 라디칼 상태로 변환된다. 이들 이온 또는 라디칼은 기판(40) 상으로 공급된다. 세정 노즐(200)은 몸체(220) 내에서 형성된 산소 이온(Ox +), 산소 라디칼(Ox *), 질소 이온(Nx +), 질소 라디칼(Nx *), 그리고 산화질소 라디칼(NOx *) 등을 포함하는 가스를 기판(40) 상으로 공급한다. 이들 이온 또는 라디칼은 기판(40) 상에 부착된 유기물과 반응하여 산소(O2) 오존(O3), 일산화탄소(CO), 일산화질소(NO) 등을 생성하고, 생성된 기체는 기판(40)으로부터 증발된다.
본 실시예에 의하면, 도 5에 도시된 바와 같이 세정 노즐(200)이 기판(40)의 일단에서부터 타단까지 이동되면서 기판(40)을 세정하는 동안, 도포 노즐(100)은 세정 노즐(200)을 뒤따르면서 세정이 이루어진 기판(40)의 영역에 포토레지스트를 공급한다. 도포 노즐(100)과 세정 노즐(200)이 동시에 이동되면서 공정을 수행하므로 공정에 소요되는 시간이 단축되고, 기판(40)에 파티클 등이 재흡착될 가능성을 줄인다. 본 실시예에서 세정 노즐(200)과 도포 노즐(100)은 하나의 모듈로서 제공된다. 상술한 바와 같이 세정 노즐(200)과 도포 노즐(100)은 연결부재(300)에 의해 서로 결합된다. 연결부재(300)는 평평한 측면을 가지는 로드 형상을 가지며, 두 개가 제공된다. 각각의 연결부재(300)의 일단은 고정수단(320a)에 의해 세정 노즐(200)의 측벽(222)에 고정되고, 연결부재(300)의 타단은 고정수단(320b)에 의해 도포 노즐(100)의 측벽(222)에 고정된다. 연결부재(300)의 일단 및 타단에는 각각 홀(302)이 제공되어, 연결부재(300)는 세정 노즐(200) 및 도포 노즐(100)과 나사결합될 수 있다. 세정 노즐(200)과 도포 노즐(100)이 연결부재(300)에 의해 하나의 모듈을 이루므로, 세정 노즐(200)과 도포 노즐(100)의 간격이 항상 일정하게 유지된다. 또한, 세정 노즐(200)과 도포 노즐(100) 중 어느 하나의 노즐만을 구동하면 되므로 전체 설비 구조가 복잡하지 않다.
본 실시예에서는 세정 노즐(200)과 도포 노즐(100)이 각각 제공되고, 이들이 로드 형상의 연결부재(300)에 의해 결합되는 것으로 설명하였다. 그러나 선택적으로 세정 노즐(200)과 도포 노즐(100)은 일체를 이루도록 제조될 수 있다.
또한, 본 실시예에서 세정 노즐(200)과 도포 노즐(100)이 하나의 모듈로서 제공되고, 세정 노즐(200)과 도포 노즐(100)을 구동하기 위해 하나의 이동부재(20)가 사용되는 것으로 설명하였다. 그러나 이는 일 예에 불과하며, 세정 노즐(200)과 도포 노즐(100)이 분리되어 지지부재(10) 상부에 제공되고, 세정 노즐(200)을 직선 이동하는 이동부재와 도포 노즐(100)을 직선 이동시키는 이동부재가 각각 제공될 수 있다.
또한, 본 실시예에서는 기판(40)은 지지판에 고정되도록 놓여지고, 세정 노즐(200)과 도포 노즐(100)이 이동되는 것으로 설명하였으나, 선택적으로 세정 노즐(200)과 도포 노즐(100)이 고정 설치되고 기판(40)이 직선 이동될 수 있다.
도 6은 본 발명의 노즐 모듈(30)의 변형된 예를 보여주는 정면도이다. 도 6을 참조하면, 노즐 모듈(30)은 하나의 도포 노즐(100)과 두 개의 세정 노즐(200a, 200b)들을 가진다. 세정 노즐(200)은 노즐 모듈(30)이 이동되는 방향으로 도포 노즐(100)의 양측에 각각 배치된다. 상술한 노즐 모듈(30) 사용시 노즐 모듈(30)이 기판(40)의 일단에서 타단으로 이동될 때 뿐 만 아니라 타단에서 일단으로 이동될 때에도 도포 공정을 수행할 수 있다. 이 경우, 노즐 모듈(30)의 이동방향에 따라 2개의 세정 노즐(200)들 중 어느 하나의 노즐만이 사용될 수 있다. 선택적으로 노즐 모듈(30)의 이동방향에 무관하게 2개의 세정 노즐(200)들을 모두 사용될 수 있다.
본 발명에 의하면, 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스에 의해 기판에 친수성이 부여되고 기판 상에 부착된 파티클이 제거된 상태에서 기판에 포토레지스트가 도포된다. 따라서 포토레지스트의 도포 균일도가 우수하고, 기판에 포토레지스트의 접착력이 향상된다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 세정 노즐과 도포 노즐이 동시에 이동되면서 세정 및 도포가 이루어지므로 공정에 소요되는 시간을 단축할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 세정 노즐과 도포 노즐이 하나의 모듈로 이루어지므로 설비구성이 간단하고, 공정 수행시 세정 노즐과 도포 노즐의 간격을 일정하게 유지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 도포 노즐의 양측에 세정 노즐이 각각 배치되므로, 도포 노즐의 이동방향과 관계없이 도포 공정을 수행할 수 있다.

Claims (16)

  1. 기판 상에 감광액을 도포하는 장치에 있어서,
    기판이 놓여지는 지지부재와;
    상기 기판 상으로 세정 가스를 분사하여 상기 기판을 세정하는 세정 노즐과;
    상기 세정 노즐에 의해 세정이 이루어진 상기 기판 상의 영역으로 감광액을 토출하는 도포 노즐과; 그리고
    상기 기판과 상기 세정 노즐 및 상기 도포 노즐의 상대 위치가 변화되도록 상기 지지부재 또는 상기 세정 노즐 및 상기 도포 노즐을 구동하는 이동부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 세정 노즐은 상기 기판 상의 영역에서 도포 공정이 진행되는 방향으로 상기 도포 노즐보다 전방에 상기 도포 노즐과 나란히 배치되어, 상기 세정 공정과 상기 도포 공정은 동시에 진행되는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 세정 노즐과 상기 도포 노즐은 상기 지지판의 일단에서 이와 마주보는 타단을 향하는 방향으로 직선 이동되고,
    상기 장치는 상기 세정 노즐과 상기 도포 노즐이 일정간격을 유지하면서 이 동되도록 상기 세정 노즐과 상기 도포 노즐을 결합하는 연결부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 세정 노즐은 도포 공정이 진행되는 방향으로 상기 도포 노즐과 나란하게 상기 도포 노즐의 양측에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 세정 노즐은 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 상기 기판 상으로 공급하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 세정 노즐은,
    내부에 세정 가스가 유입되는 공간이 형성되는, 그리고 상기 세정 가스가 상기 공간 내로 유입되는 유입구 및 이온 또는 라디칼 상태의 상기 세정 가스가 상기 공간으로부터 유출되는 유출구를 가지는, 그리고 절연재질로 이루어진 몸체와;
    상기 몸체의 공간으로 삽입되는 제 1전극판과;
    상기 몸체의 외측벽에 배치되는 제 2전극판과; 그리고
    상기 제 1전극판 및 상기 제 2전극판에 에너지를 인가하는 전력 공급원을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 세정 가스는 산소, 질소, 그리고 공기로 이루어진 그룹 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 장치.
  8. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판은 평판 표시 소자 제조에 사용되는 기판인 것을 특징으로 하는 도포 장치.
  9. 기판 상에 감광액을 도포하는 장치에 사용되는 노즐 모듈에 있어서,
    감광액을 토출하는 도포 노즐과;
    상기 도포 노즐과 나란히 위치되며, 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 공급하는 세정 노즐과; 그리고
    상기 도포 노즐과 상기 세정 노즐이 일정간격을 유지하도록 상기 도포 노즐과 상기 세정 노즐을 결합하는 연결부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 모듈.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 세정 노즐은,
    내부에 세정 가스가 유입되는 공간이 제공된 몸체와;
    상기 몸체 내로 유입된 세정 가스를 이온 또는 라디칼 상태로 변환하는 에너지를 공급하는 에너지원을 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 모듈.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 에너지원은,
    상기 몸체의 공간에 삽입되는 제 1전극판과;
    상기 몸체의 외측에 배치되는 제 2전극판과;
    상기 제 1전극판 및 상기 제 2전극판에 전력을 인가하는 전력 공급부를 포함하고,
    상기 몸체는 절연재질로 이루어지며,
    상기 세정 가스는 상압에서 이온 또는 라디칼 상태로 변환되는 것을 특징으로 하는 노즐 모듈.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 세정 노즐은 상기 도포 노즐의 양측에 각각 배치되는 것을 특징으로 하는 노즐 모듈.
  13. 기판 상으로 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 공급하여 기판의 표면을 세정하는 세정 단계와;
    상기 세정이 이루어진 상기 기판 상의 영역으로 감광액을 공급하여 상기 기 판 상에 감광액을 도포하는 도포 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 세정 단계는 세정 노즐이 상기 기판의 표면을 따라 직선이동되면서 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 상기 기판으로 공급하는 단계를 포함하고,
    상기 도포 단계는 도포 노즐이 상기 기판의 표면을 따라 직선이동되면서 상기 기판으로 감광액을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 세정 단계는 세정 노즐이 상기 기판의 표면을 따라 직선이동되면서 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 상기 기판으로 공급하는 단계를 포함하고,
    상기 도포 단계는 상기 세정 노즐이 직선이동되는 동안 상기 도포 노즐이 상기 세정 노즐을 뒤따르도록 직선이동되면서 상기 기판으로 감광액을 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
  16. 제 14항에 있어서,
    상기 도포 방법은 상기 도포 단계 이후에 상기 도포 노즐을 뒤따르며 이온 또는 라디칼 상태의 세정 가스를 상기 기판 상으로 공급하는 세정 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH11128813A (ja) 1997-10-31 1999-05-18 Tokyo Electron Ltd 塗布処理方法および塗布処理装置
US6514343B1 (en) 1999-10-01 2003-02-04 Tokyo Electron Limited Coating apparatus

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