TWI421973B - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI421973B
TWI421973B TW096126666A TW96126666A TWI421973B TW I421973 B TWI421973 B TW I421973B TW 096126666 A TW096126666 A TW 096126666A TW 96126666 A TW96126666 A TW 96126666A TW I421973 B TWI421973 B TW I421973B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
processing apparatus
supply
processing chamber
processing
Prior art date
Application number
TW096126666A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200816359A (en
Inventor
Ho-Geun Choi
Heung-Kyou Kang
Yong-Woo Kim
Pal-Kon Kim
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Fns Tech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd, Fns Tech Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of TW200816359A publication Critical patent/TW200816359A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI421973B publication Critical patent/TWI421973B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

基板處理裝置
本揭示案係關於一種基板處理裝置，且更明確地說，係關於一種能夠執行諸如一基板之蝕刻、乾燥及清洗之各種處理的基板處理裝置。
顯示器設備包括(例如)液晶顯示器(LCD)、電漿顯示器面板(PDP)及有機發光顯示器(OLED)。該等顯示器設備用於諸如大尺寸TV之監視器、膝上型電腦或行動電話之電子產品。
顯示器設備包括一基板。在該基板上執行各種處理以便製造一顯示器設備。基板上之習知處理由工人手動執行。因此，可工作性劣化且存在污染及損壞基板之增加的風險。
舉例而言，一使用液晶之LCD包括彼此附著且面對之兩片透明絕緣基板。執行一減小所附著之基板之厚度的蝕刻處理。隨著基板之厚度減小，工人之手動工作變得更困難。又，在蝕刻處理期間，基板未經均勻蝕刻以致LCD之品質劣化。
本發明之實施例提供一種能夠在不損壞基板之情況下有效地執行處理之基板處理裝置。
根據本發明之一實施例，該基板處理裝置包括一處理腔室、一固定框架、一饋入單元，及一供應單元。該處理腔室容納基板，基板在該處理腔室中經處理。該固定框架支撐基板之各別側面。該饋入單元位於該處理腔室中且與該固定框架之一末端部分接觸以在一平行於該末端部分之一縱向方向之方向中輸送該固定框架。該供應單元與該等各別側面間隔開以向該基板供應一處理流體。該處理流體可根據在該基板上執行之處理而不同。該處理流體可為用於蝕刻該基板之蝕刻劑、用於清洗該基板之清洗液及用於乾燥該基板之氣體中之至少一者。
該供應單元包括一供應管及一供應部件。該處理流體通過該供應管流動。該供應部件連接至該供應管以向該基板供應該處理流體。
一種根據本發明之一實施例之基板處理裝置包括一基板安裝單元、一處理腔室，及一基板拆離單元。該基板安裝單元包括一用於支撐一基板之固定框架且將該基板安裝至該固定框架。在將該固定框架輸送至該處理腔室之後，在該處理腔室中在該基板上執行一處理。該基板拆離單元將已被執行處理之基板自該固定框架拆離。
該處理腔室包括一饋入單元及一供應單元。該饋入單元位於該處理腔室中且與該固定框架之一末端部分接觸以平行於該末端部分之一縱向方向輸送該固定框架。該供應單元與該基板之各別側面間隔開以向該基板供應該處理流體。
該處理腔室包括一用於蝕刻基板之第一處理腔室、一用於清洗基板之第二處理腔室，及一用於乾燥基板之第三處理腔室。
將參看附隨圖式更詳細說明本發明之實施例。然而，本發明可以許多不同形式具體化且不應被解釋為限於本文中所闡明之實施例。在圖式中，相同參考數字可指相同或類似組件。
圖1為說明一根據本發明之一實施例之基板處理裝置的方塊圖。
參看圖1，該基板處理裝置包括一基板安裝單元100、第一位置轉換器200及第二位置轉換器400、一處理腔室300，及一基板拆離單元500。在處理腔室300中執行一基板上之各種處理。處理腔室300包括根據其中所執行之處理加以分類的第一至第三處理腔室301、302及303。基板安裝單元100將基板安裝至一固定單元以使得當執行處理時基板可穩定地固定。在完成處理之後，基板拆離單元500將基板自固定單元拆離。第一位置轉換器200將基板之位置轉換成一適當位置以便可在處理腔室300中執行處理。第二位置轉換器400轉換基板之位置以便可將基板自固定單元拆離。
圖2A為說明圖1之基板安裝單元之平面圖。
參看圖2A，基板安裝單元包括一平臺110、一列方向位置調整器120、一行方向位置調整器130，及導引部件140。一待處理之基板1及一固定框架10定位於平臺110之不同側面上。一對導引部件140形成於沿著平臺110之列方向中且列方向位置調整器120導引於該對導引部件140之間以在列方向中移動。行方向位置調整器130形成於列方向位置調整器120之表面上，且由列方向位置調整器120導引以在行方向中移動。
相同尺寸或不同尺寸之複數個基板安裝於固定框架10上。列方向位置調整器120及行方向位置調整器130分別在列方向中及在行方向中移動，以便將基板1安裝於固定框架10中空的位置(由虛線指示的)中。可在行方向位置調整器130之表面上提供一吸附墊(未圖示)以便吸附基板1。列方向位置調整器120及行方向位置調整器130連接至一驅動功率源(未圖示)以使列方向位置調整器120及行方向位置調整器130可移動。
圖2B為說明圖2A之固定框架之剖視圖。
參看圖2B，固定框架10包括一第一部分11及一第二部分12。第一部分11具有一底部部分及一自該底部部分突出以便形成一容納空間之側面部分。第二部分12具有一對應於第一部分11之底部部分的底部部分。當基板1由列方向位置調整器120及行方向位置調整器130置放於第一部分11中時，第二部分12接納於容納空間中且基板1固定於第一部分11與第二部分12之間。
第一部分11及第二部分12具有對應於基板1之開口區域以便通過該等開口區域暴露基板1。處理流體與基板1之暴露部分起反應以便執行基板1上之各種處理。第一支撐物11a及第二支撐物12a形成於第一部分11及第二部分12中以在處理期間支撐基板1。第一及第二支撐物11a及12a可具有一最小區域以便不干擾處理流體與基板1之反應。舉例而言，第一及第二支撐物11a及12a可具有一微小突起形狀以使得第一及第二支撐物11a及12a與基板1之一小區域或一點接觸。
可在第一部分11及第二部分12中安裝有彼此面對之磁性部件。當由彼此面對之磁性部件在第一部分11與第二部分12之間施加一由磁力造成之吸引時，可更穩定地固定基板1。
圖3為說明圖1之第一位置轉換器之操作的視圖。
參看圖3，第一位置轉換器200包括一卡匣20，卡匣20中安裝有複數個固定框架10。卡匣20具有一開口側面，通過該開口側面將該複數個固定框架安裝於卡匣20中。在一方向中(例如，在水平方向中)輸送固定框架10。該等固定框架安裝於卡匣20中，彼此以一預定距離間隔開。
當該等固定框架完全安裝於卡匣20中時，將卡匣20旋轉一預定角度。舉例而言，將卡匣20旋轉90度以便將固定框架10定向於垂直方向中。此時，安裝於固定框架10中之基板1旋轉以定向於垂直方向中。執行需要將基板1定向於垂直方向中之處理必須旋轉卡匣20。若在基板1經水平放置之狀態中執行處理，則可省略第一位置轉換器200及卡匣20之旋轉操作。
圖4為說明圖1之一處理腔室之內部的視圖。
參看圖4，處理腔室包括一用於饋入固定框架10之饋入單元320及用於向安裝於固定框架10上之基板1供應處理流體之供應單元340。饋入單元320包括驅動軸321及輥子322，驅動軸321穿過輥子322。沿著一第二方向D2 且使彼此在一第三方向D3 中以一預定距離間隔開地安裝彼此面對之一對驅動軸321。雖然圖4中未加以說明，但亦安裝複數對驅動軸321，該複數對驅動軸321彼此在一第一方向D1 (一自圖式中出來之方向)中以一預定距離間隔開。
由一驅動力旋轉驅動軸321且輥子322與驅動軸321一起旋轉。輥子322具有一啞鈴形狀，且包括一中心槽323。槽323對應於固定框架10之一寬度且固定框架10插入槽323中並當輥子322旋轉時在第一方向D1 中饋入。
在饋入期間，為了防止固定框架10傾斜及脫落，安裝支撐部件330以支撐固定框架10之兩側面。支撐部件330可具有多種形狀。當固定框架10饋入時，支撐部件330可接觸固定框架10且滑動以便最小化在支撐部件330與固定框架10之間的摩擦力。舉例而言，支撐部件330可包括具有輪子之輥子。
安置供應單元340以使得兩個相鄰供應單元340介於固定框架10之間且在相對方向中面對。供應單元340包括供應管341及連接至供應管341之供應部件342。供應管341在一第三方向D3 中為狹長的且多個供應管341沿著第一方向D1 及第二方向D2 安置。或者，供應管341可在第一方向D1 中為狹長的且多個供應管341可沿著第三方向D3 安置。處理流體沿著供應管341流動且通過供應部件342供應至安裝於固定框架10上之基板1之各別側面(雖然圖4為了便利起見說明基板1安裝於固定框架10中之密封空間中，但對應於基板1之區域實際上如圖2B中所說明的為開口的)。
第一方向D1 、第二方向D2 及第三方向D3 可對應於與處理腔室300有關之各個方向。舉例而言，第三方向D3 可平行或垂直於處理腔室300之底表面。
當第三方向D3 平行於底表面時，基板1經水平定向以用於饋入。在此狀況下，可省略由第一位置轉換器200旋轉固定框架10之操作。
當第三方向D3 垂直於底表面時，基板1經垂直定向以用於饋入。在此狀況下，由第一位置轉換器200旋轉基板1之操作係必須的以便垂直定向基板1。當基板1經垂直定向時，處理流體在相同重力下自基板1之各別兩側面均勻噴射。因為處理流體到達基板1之各別兩側面且沿著基板1之表面流下，所以可收集處理流體且因此可再使用處理流體。
供應部件342中之每一者包括一具有一噴射孔之噴射噴嘴，且處理流體通過噴射噴嘴噴射且供應至基板1。處理流體可根據該等處理之類型而改變。
若一處理為一蝕刻處理，則處理流體為蝕刻劑。蝕刻劑接觸基板1之表面以造成化學反應且減小基板1之厚度。舉例而言，基板1為一用於LCD中之玻璃基板，且蝕刻劑包括用於與玻璃中之矽反應之氫氟酸液體。在LCD中，基板1可為單個薄片或彼此結合為彼此面對且具有一形成於其中之液晶層之兩薄片。
若處理為一清洗處理，則處理流體為清洗液。可使用去離子(DI)水作為清洗液，且DI水藉由噴射至基板1之表面上而自基板1之表面移除雜質。
若處理為一乾燥處理，則處理流體為氣體。空氣或惰性氮氣可用作氣體且氣體噴射至基板1之表面上以自基板1之表面蒸發濕氣。
可循序執行蝕刻、清洗及乾燥處理。舉例而言，可在第一處理腔室301中執行蝕刻，可在第二處理腔室302中執行清洗，且可在第三處理腔室303中執行乾燥。
供應部件342以一預定噴射角度噴射處理流體。供應管341可在一相對於第三方向D3 之預定角度範圍內振盪以使得可將處理流體供應至基板1之寬區域。
圖5為說明振盪圖4之一供應管之處理的視圖。
參看圖5，供應管341相對於預定參考軸振盪。舉例而言，可使供應管341相對於一參考狀態(其中噴射噴嘴面對基板1)自向左45度振盪至向右45度。因此，噴射噴嘴之一噴射區域得以擴展。因為供應部件342具有一預定噴射角度，所以該噴射區域擴展為比供應管341之振盪範圍稍大。
圖6A為說明圖4之供應單元之一噴射方法的一實例之視圖。
參看圖6A，可使供應管341相對於固定框架10以一預定角度傾斜。當處理流體為蝕刻劑時，在蝕刻劑與基板1之表面化學反應之後，產生一諸如污泥之反應副產物且該反應副產物可被引入供應部件342之噴射孔中。反應副產物阻塞噴射孔且中斷蝕刻劑之噴射以致不可執行蝕刻。
當供應管341傾斜時，引入之反應副產物經通過供應管341排出而不阻塞噴射孔。當基板1在處理期間垂直定向時，可獲得藉由傾斜供應管341排出反應副產物獲得之效應。傾斜角度為大約3度至大約10度。
圖6B至圖6C為說明圖6A之基板的噴射有處理流體之噴射區域的視圖。
參看圖6B至圖6C，由虛線圓描繪固定框架10之被單個噴射噴嘴噴射了處理流體之噴射區域。配置於與固定框架10成斜角之方向中之圓表示形成於相同供應管341中之噴射噴嘴。被單個噴射噴嘴噴射了處理流體之噴射區域根據指示處理流體可噴射之範圍的噴射角度而不同。
隨著噴射角度增加，被單個噴嘴噴射了處理流體之區域得以擴展。圖6B說明50度之噴射角度且圖6C說明75度之噴射角度。噴射角度為(例如)大約30度至大約75度。
供應單元340可向基板1供應處理流體，不僅藉由使用噴射噴嘴噴射，而且藉由以下方法。
圖7為說明根據本發明之一實施例之圖1的處理腔室之內部的視圖。
參看圖7，處理腔室300包括用於饋入固定框架10之饋入單元320及用於向安裝於固定框架10中之基板1供應處理流體之供應單元350。饋入單元320包括驅動軸321及輥子322。處理腔室300可進一步包括用於在饋入固定框架10時支撐固定框架10之支撐部件330。饋入單元320及支撐部件330具有與參看圖4所描述之彼等結構相同之結構。
供應單元350中之每一者包括一供應管351及一供應部件352。供應部件352使用刀切方法向基板1供應處理流體。供應部件352包括一與上述噴射噴嘴有區別之狹縫噴嘴。該狹縫噴嘴包括彼此間隔開之第一及第二本體，且處理流體自一在第一與第二本體之間的空間排出至基板。與結合噴射噴嘴所描述之一點噴射方法對比，狹縫噴嘴採用一管線排出方法，藉此沿著一預定方向管線均勻供應處理流體。
圖8為說明一使用圖7之狹縫噴嘴供應處理流體之方法的透視圖。
參看圖7，供應管351可平行或垂直於固定框架10配置。當採用狹縫噴嘴時，排出處理流體所通過之部分彼此連接且整體形成。在此狀況下，即使當供應部件352之一特定區域被污泥阻塞時，自鄰近於被阻塞區域之其他區域供應至基板1的處理流體可補償具有被阻塞部分之區域。
因為處理流體在一預定方向中自供應部件352均勻排出且供應至基板1，所以施加於基板1之各別區域之處理流體的量為均勻的。舉例而言，當處理流體為蝕刻劑時，將蝕刻劑塗覆於基板1之各別區域以便可將基板1之總區域蝕刻至一均勻厚度。
可移動供應單元350以便通過單個供應單元將處理流體供應至基板1之一較寬區域。在狹縫噴嘴方法中，例如，供應管351如圖8中由一箭頭所指示的相對於固定框架10線性移動。固定框架10相對於供應管351線性移動或可由一相對於彼此之相對線性運動同時驅動固定框架10與供應管351。
圖9A為說明根據本發明之一實施例之圖1的處理腔室之內部的平面圖。
參看圖9A，處理腔室包括一用於饋入固定框架10之饋入單元320、用於向安裝於固定框架10中之基板1供應處理流體之供應單元360，及用於支撐固定框架10之支撐部件330。饋入單元320及支撐部件330具有與參看圖4所描述之彼等結構相同之結構。
供應單元360包括供應管361及連接至供應管361之供應部件362。供應部件362使用狹縫噴嘴方法向基板1供應處理流體。
圖9B為說明圖9A之供應單元之透視圖。
參看圖9B，複數個管線362a自供應管361分枝且各別分枝管線362a連接至各別對對稱狹縫噴嘴362b。各別對狹縫噴嘴362b由於處理流體之排出力而以與排出處理流體之方向相反的方向旋轉。如上，因為該等對狹縫噴嘴362b旋轉且排出處理流體，所以可在基板1之一較寬區域上提供處理流體。此外，如圖9A中所說明的，因為該等對狹縫噴嘴362a交替配置於相鄰供應管361中，所以處理流體可均勻供應至基板1之總區域，從而沒有未被供應處理流體之任何區域。
可由處理腔室300個別地或共同使用噴射噴嘴方法及狹縫噴嘴方法。如上述所提及的，可能在第一處理腔室301中執行蝕刻，在第二處理腔室302中執行清洗，且在第三處理腔室303中執行乾燥。亦可能在蝕刻中使用噴射噴嘴且在清洗及乾燥中使用狹縫噴嘴。
圖10A至圖10C說明根據本發明之實施例之圖7或圖9A的狹縫噴嘴之橫截面。
參看圖10A，狹縫噴嘴372中之每一者包括彼此間隔開以彼此面對之一第一本體372a及一第二本體372b。第一本體372a與第二本體372b對稱且處理流體通過一形成於第一本體372a及第二本體372b之末端處之開口排出。如圖10A中所說明的，狹縫噴嘴372可供應處理流體，以使該等噴嘴之開口與基板1成一預定傾斜角度定位。
參看圖10B，狹縫噴嘴382中之每一者包括彼此間隔開以彼此面對之一第一本體382a及一第二本體382b。第一本體382a與與第二本體382b對稱(除關於一突起383之外)，且處理流體通過一形成於第一本體382a及第二本382b之末端處之開口排出。
第一本體382a包括自其之末端朝著開口突出之突起383。突起383可調整供應處理流體之方向。舉例而言，如圖10B中所說明的，在一朝著基板1之一特殊區域之方向中供應處理流體。突起83可當處理流體將集中於基板1之一所要區域上時存在。
雖然不限於圖10B中所說明的，但對第一本體382a及第二本體382b之末端應用不對稱結構，以便可調整供應處理流體之方向。
參看圖10C，狹縫噴嘴392中之每一者包括彼此間隔開以彼此面對之一第一本體392a及一第二本體392b且處理流體通過一形成於第一本體392a及第二本體392b之末端處之開口供應。
突出物393形成於第一本體392a及第二本體392b之末端處，朝著本體392a與392b之間的空間。在第一本體392a中形成與一形成於第二本體392b中之突出物393不對準之至少一個突出物393。因為第一本體392a及及第二本體392b之表面由於突出物393而不平坦，所以處理流體之流動受到延遲。此可適用於防止基板1由於處理流體之強烈排出而受損壞的狀況。
突出物393之形狀不限於圖10C中所描繪之形狀。此外，突出物393可僅形成於第一本體392a及第二本體392b之一者中。或者，突出物393可形成於具有彼此對稱之形狀之第一本體392a及第二本體392b中。
可以各種方式調整第一本體392a及第二本體392b中之突出物393之配置、形狀及數目，且因此可視需要以各種方式調整處理流體之排出強度。
為了同時調整處理流體之排出強度與基板1之供應有處理流體之區域，可使用具有突起383之結構及具有突出物393之結構。
圖11為說明圖1之一第二位置轉換器之操作的視圖。
參看圖11，第二位置轉換器40o包括一卡匣20，卡匣20中安裝有複數個固定框架。固定框架10中之每一者包括安裝於其中之基板，在該等基板上執行處理。卡匣20具有一開口側面，通過該開口側面將該複數個固定框架安裝於卡匣20中。在一方向中(例如，在垂直方向中)輸送固定框架10且將固定框架10朝著水平方向旋轉90度。因此，安裝於固定框架10中之基板1與固定框架10一起旋轉。因此，第一位置轉換器200之操作被逆轉且基板1經水平定向以自固定框架10拆離。此外，若在基板1水平定向於處理腔室300中時執行處理，則可省略第二位置轉換器400及與第二位置轉換器400相關聯之旋轉操作。
圖12為說明圖1之一基板拆離單元之平面圖。
參看圖12，基板拆離單元包括一平臺510、一列方向位置調整器520、一行方向位置調整器530，及導引部件540。經處理之基板1及一固定框架10定位於平臺510之橫向側面上。
固定框架10具有與圖2B中所說明之結構相同之結構。列方向位置調整器520及行方向位置調整器530分別在列方向及在行方向中移動以拆離基板1。除已自其拆離基板1之一空位置(由虛線指示)之外，自固定框架10上之位置連續拆離基板1。拆離所有基板且將固定框架10輸送至基板安裝單元100。
在上述所提及之操作中，有可能將基板安裝於固定框架中而不需要工人直接處理基板，因為用於基板之處理自動執行。因此，可由於不需要工人之直接處理而防止基板受到損壞。此外，可使用噴射噴嘴方法或狹縫噴嘴方法將蝕刻劑均勻地噴射在基板上，以使基板可蝕刻至一均勻厚度。
根據本發明之實施例，一基板上之損失可得以減少且用於基板之處理可有效地執行。
雖然已描述本發明之例示性實施例，但應瞭解，本發明應不限於此等例示性實施例，而可由一般熟習此項技術者在如下文中所主張的本發明之精神及範疇內作出各種改變及修改。
1．．．基板
10．．．固定框架
11．．．第一部分
11a．．．第一支撐物
12．．．第二部分
12a．．．第二支撐物
20．．．卡匣
100．．．基板安裝單元
110．．．平臺
120．．．列方向位置調整器
130．．．行方向位置調整器
140．．．導引部件
200．．．第一位置轉換器
300．．．處理腔室
301．．．第一處理腔室
302．．．第二處理腔室
303．．．第三處理腔室
320．．．饋入單元
321．．．驅動軸
322．．．輥子
323．．．中心槽
330．．．支撐部件
340．．．供應單元
341．．．供應管
342．．．供應部件
350．．．供應單元
351．．．供應管
352．．．供應部件
360．．．供應單元
361．．．供應管
362．．．供應部件
362a．．．管線
362b．．．狹縫噴嘴
372．．．狹縫噴嘴
372a．．．第一本體
372b．．．第二本體
382．．．狹縫噴嘴
382a．．．第一本體
382b．．．第二本體
383．．．突起
392．．．狹縫噴嘴
392a．．．第一本體
392b．．．第二本體
393．．．突出物
400．．．第二位置轉換器
500．．．基板拆離單元
510．．．平臺
520．．．列方向位置調整器
530．．．行方向位置調整器
540．．．導引部件
D1 ．．．第一方向
D2 ．．．第二方向
D3 ．．．第三方向
圖1為說明一根據本發明之一實施例之基板處理裝置的方塊圖；圖2A為說明根據本發明之一實施例之圖1的一基板安裝單元之平面圖；圖2B為說明根據本發明之一實施例之圖2A的固定框架之剖視圖；圖3為說明根據本發明之一實施例之圖1的一第一位置轉換器之操作的視圖；圖4為說明根據本發明之一實施例之圖1的一處理腔室之內部的視圖；圖5為說明振盪根據本發明之一實施例之圖4的一供應管之處理的視圖；圖6A為說明根據本發明之一實施例之圖4的供應單元之一噴射方法之一實例的視圖；圖6B至圖6C為說明圖6A之基板的噴射有處理流體之噴射區域的視圖；圖7為說明根據本發明之一實施例之圖1的一處理腔室之內部的視圖；圖8為說明一根據本發明之一實施例的由圖7之狹縫噴嘴供應處理流體之方法的透視圖；圖9A為說明根據本發明之一實施例之圖1的處理腔室之內部的平面圖；圖9B為說明根據本發明之一實施例之圖9A的供應單元之透視圖；圖10A至圖10C說明根據本發明之實施例之圖7或圖9A的狹縫噴嘴之橫截面；圖11為說明根據本發明之一實施例之圖1的一第二位置轉換器之操作的視圖；及圖12為說明根據本發明之一實施例之圖1的一基板拆離單元之平面圖。
100．．．基板安裝單元
200．．．第一位置轉換器
300．．．處理腔室
301．．．第一處理腔室
302．．．第二處理腔室
303．．．第三處理腔室
400．．．第二位置轉換器
500．．．基板拆離單元

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其包含：一基板安裝單元，其包括用於支撐一基板之一固定框架，該基板具有兩個表面；一處理腔室，該固定框架被輸送至該處理腔室且用於該基板之一處理在該處理腔室中執行；及一基板拆離單元，其用於將該基板自該固定框架拆離；其中該處理腔室包含：一饋入單元，其與該固定框架之一末端部分接觸以在平行於該末端部分之一縱向方向之一方向中輸送該固定框架；及一供應單元，其與該基板之該兩個表面間隔開以向該基板供應一處理流體。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其進一步包含一支撐部件，該支撐部件在垂直於該基板之該兩個表面之一方向中支撐該固定框架。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中該固定框架包含：一第一部分，其包括一第一底表面及垂直於該第一底表面之一側表面，其中該第一部分包括一容納空間；及一第二部分，其包括對應於該第一底表面且容納於該容納空間中之一第二底表面。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中該饋入單元包含一輥子，該輥子具有對應於該側表面之一寬度之一槽。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中該處理流體包含一蝕 刻劑、一清洗液及一氣體中之至少一者。
  6. 如請求項1之基板處理裝置，其中該基板之該兩個表面垂直於該處理腔室之一底表面。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中該基板之該兩個表面平行於該處理腔室之一底表面。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其中該供應單元包含：一供應管，該處理流體通過該供應管流動；及一供應部件，該供應部件連接至該供應管以向該基板供應該處理流體。
  9. 如請求項8之基板處理裝置，其中該供應管傾斜安置於該固定框架之一輸送方向。
  10. 如請求項8之基板處理裝置，其中該供應管在一預定角度範圍內振盪。
  11. 如請求項8之基板處理裝置，其中該供應管在平行於該基板之該兩個表面之一平面上線性地移動。
  12. 如請求項8之基板處理裝置，其中該供應部件包含具有噴射孔之複數個噴射噴嘴。
  13. 如請求項8之基板處理裝置，其中該供應部件包含至少一個狹縫噴嘴，該至少一個狹縫噴嘴包括彼此間隔開之第一本體及第二本體，且該處理流體通過在該第一本體與該第二本體之間的一空間排出。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中該狹縫噴嘴包含對稱連接至自該供應管分枝之一管線的第一狹縫噴嘴及第二狹縫噴嘴，且該第一狹縫噴嘴及該第二狹縫噴嘴旋轉以 向該基板供應該處理流體。
  15. 如請求項13之基板處理裝置，其中該狹縫噴嘴包含形成於該第一本體及該第二本體之至少一個表面上之一突出物。
  16. 如請求項13之基板處理裝置，其中該狹縫噴嘴包含形成於該第一本體及該第二本體之至少一個表面上及一末端處之一突起。
  17. 如請求項1之基板處理裝置，其進一步包含：一第一位置轉換器，其用於將該固定框架相對於該輸送方向旋轉90度至一經旋轉之位置；及一第二位置轉換器，其將該固定框架自該經旋轉之位置旋轉90度。
  18. 如請求項1之基板處理裝置，其中該處理腔室包含：一第一處理腔室，在該第一處理腔室中蝕刻該基板；一第二處理腔室，在該第二處理腔室中清洗該基板；及一第三處理腔室，在該第三處理腔室中乾燥該基板。
TW096126666A 2006-07-20 2007-07-20 基板處理裝置 TWI421973B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060068074A KR101353490B1 (ko) 2006-07-20 2006-07-20 기판 처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200816359A TW200816359A (en) 2008-04-01
TWI421973B true TWI421973B (zh) 2014-01-01

Family

ID=38970323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096126666A TWI421973B (zh) 2006-07-20 2007-07-20 基板處理裝置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080017320A1 (zh)
JP (1) JP5479669B2 (zh)
KR (1) KR101353490B1 (zh)
CN (1) CN101266916B (zh)
TW (1) TWI421973B (zh)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080009579A (ko) * 2006-07-24 2008-01-29 삼성전자주식회사 식각 장치 및 방법
KR101387711B1 (ko) * 2007-04-10 2014-04-23 에프엔에스테크 주식회사 평판디스플레이 유리기판 에칭장치
KR100886024B1 (ko) * 2007-06-13 2009-02-26 송종호 기판 식각 장치
DE102007046279A1 (de) * 2007-09-27 2009-04-09 Siemens Ag Betriebsverfahren für eine Kühlstrecke mit zentralisierter Erfassung von Ventilcharakteristiken und hiermit korrespondierende Gegenstände
KR100889949B1 (ko) * 2008-04-10 2009-03-20 주식회사 엠엠테크 하향식 기판 박형화장치 및 이를 이용한 박형화 시스템
KR101009643B1 (ko) 2008-07-16 2011-01-19 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 에칭 장치
JP5375280B2 (ja) * 2009-04-06 2013-12-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法、製造装置
KR101145776B1 (ko) * 2010-01-11 2012-05-16 세메스 주식회사 기판 세정 장치
CN102468118B (zh) * 2010-11-12 2015-04-22 北大方正集团有限公司 治具及清洗机
KR101471096B1 (ko) * 2013-07-03 2014-12-09 주식회사 위스코하이텍 기판의 연마장치
US9443819B2 (en) 2014-02-13 2016-09-13 Apple Inc. Clamping mechanism for processing of a substrate within a substrate carrier
US9859135B2 (en) 2014-12-19 2018-01-02 Applied Materials, Inc. Substrate rinsing systems and methods
KR101696545B1 (ko) * 2015-06-03 2017-01-16 노바테크 (주) 유리 박형화용 지그
WO2018138836A1 (ja) * 2017-01-26 2018-08-02 株式会社 電硝エンジニアリング ディスプレイ用電子基板の製造方法、ディスプレイ用電子基板の研磨方法および研磨装置
WO2018230457A1 (ja) * 2017-06-13 2018-12-20 シャープ株式会社 基板処理装置
KR101854670B1 (ko) 2017-12-29 2018-05-03 브니엘 네이처 주식회사 평판 필터 세정장치
KR20190105958A (ko) * 2018-03-07 2019-09-18 (주)코텍 액정패널용 식각장치
DE102019102492A1 (de) * 2019-01-31 2020-08-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Wafern
US12027382B2 (en) * 2021-12-03 2024-07-02 Applied Materials, Inc. Surface cleaning with directed high pressure chemistry

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030209255A1 (en) * 1999-08-14 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Backside etching in a scrubber
US6673195B2 (en) * 2001-03-30 2004-01-06 Industrial Technologies Research Institute Apparatus and method for etching glass panels
TW200623231A (en) * 2004-07-19 2006-07-01 Samsung Electronics Co Ltd Substrate treating apparatus and substrate treating method using the same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3102532B2 (ja) * 1993-01-30 2000-10-23 住友金属工業株式会社 塗装装置
JP3395696B2 (ja) * 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
JP2005021894A (ja) * 1999-10-27 2005-01-27 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP4505563B2 (ja) * 2000-06-30 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US7066107B2 (en) * 2001-08-28 2006-06-27 Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc. Shielding system for plasma chamber
JP4002154B2 (ja) * 2002-08-13 2007-10-31 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示素子の製造方法およびその装置
US7771538B2 (en) * 2004-01-20 2010-08-10 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate supporting means having wire and apparatus using the same
JP4707959B2 (ja) * 2004-02-20 2011-06-22 日本エー・エス・エム株式会社 シャワープレート、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR100516849B1 (ko) * 2004-02-27 2005-09-27 고경완 습식에칭장치
JP3741708B2 (ja) * 2004-06-03 2006-02-01 株式会社テスコム フラットパネルディスプレイの製造方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の外面機械研磨装置
JP2006010947A (ja) * 2004-06-24 2006-01-12 Seiko Epson Corp 基板製造方法、基板洗浄方法及び基板洗浄装置、並びに電気光学基板、電気光学装置、及びこれを備えた電子機器
KR101387711B1 (ko) * 2007-04-10 2014-04-23 에프엔에스테크 주식회사 평판디스플레이 유리기판 에칭장치
KR20090008945A (ko) * 2007-07-19 2009-01-22 삼성전자주식회사 기판 식각 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030209255A1 (en) * 1999-08-14 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Backside etching in a scrubber
US6673195B2 (en) * 2001-03-30 2004-01-06 Industrial Technologies Research Institute Apparatus and method for etching glass panels
TW200623231A (en) * 2004-07-19 2006-07-01 Samsung Electronics Co Ltd Substrate treating apparatus and substrate treating method using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JP5479669B2 (ja) 2014-04-23
TW200816359A (en) 2008-04-01
JP2008026859A (ja) 2008-02-07
CN101266916B (zh) 2010-09-22
CN101266916A (zh) 2008-09-17
US20080017320A1 (en) 2008-01-24
KR101353490B1 (ko) 2014-01-27
KR20080008610A (ko) 2008-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI421973B (zh) 基板處理裝置
JP5322480B2 (ja) フラットパネルディスプレイガラス基板エッチング装置
TWI407522B (zh) 基板處理裝置及其清潔模組
JP2005298314A (ja) ガラス板表面のエッチング方法、ガラス板エッチング装置、フラットパネルディスプレイ用ガラス板及びフラットパネルディスプレイ
US20090107531A1 (en) High-Pressure Water Cleaning System
TWI393205B (zh) 基板搬送裝置及基板搬送方法
KR20120053319A (ko) 기판 세정 시스템 및 세정 방법
JP2007284345A (ja) フラットパネルディスプレイ用ガラス板の製造方法及びその装置
JP4453013B2 (ja) ウエット処理装置およびウエット処理方法
KR101141155B1 (ko) 기판 처리 장치
JP3866856B2 (ja) 基板処理装置
KR20080079929A (ko) 에어 나이프 및 이를 구비하는 기판 건조 장치
KR101043712B1 (ko) 기판 이송 유닛 및 이를 구비한 기판 처리 장치
US20120060870A1 (en) Cleansing Apparatus for Substrate and Cleansing Method for the Same
JP4568059B2 (ja) 基板の処理装置
JP5202400B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
KR102278073B1 (ko) 기판 처리 장치
JP2004153033A (ja) 基板処理装置
JP2014069126A (ja) 基板処理装置
KR101099551B1 (ko) 기판 건조 장치
JP2000084510A (ja) 基板用搬送除塵装置
KR100956353B1 (ko) 처리액 분사 유닛 및 그 유닛을 갖는 기판 처리 설비
JP2005123368A (ja) 基板のエッチング装置
JPH08288250A (ja) 基板の液切り装置
JP2019145632A (ja) 基板キャリア