CN101266916A - 基板处理装置 - Google Patents

基板处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101266916A
CN101266916A CNA2007101861690A CN200710186169A CN101266916A CN 101266916 A CN101266916 A CN 101266916A CN A2007101861690 A CNA2007101861690 A CN A2007101861690A CN 200710186169 A CN200710186169 A CN 200710186169A CN 101266916 A CN101266916 A CN 101266916A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
fixed frame
board treatment
substrate board
process chamber
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2007101861690A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101266916B (zh
Inventor
崔浩根
姜兴圭
金龙佑
金八坤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
FNS Technology Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
FNS Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd, FNS Technology Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN101266916A publication Critical patent/CN101266916A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101266916B publication Critical patent/CN101266916B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers

Abstract

一种基板处理装置包括处理腔、固定框架、进料单元和供给单元。基板安装在固定框架上，供给单元从基板的各个侧面间隔分开以向基板供给处理流体，以及进料单元向与基板纵向平行的方向传送固定框架。自动进行处理可减少基板损耗和对基板进行有效处理。

Description

基板处理装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2006年7月20日提交的韩国专利申请No.2006-68074的优先权，这里引用其所有内容作为参考。
发明背景
1.技术领域
本发明公开的内容涉及一种基板处理装置，更具体地，涉及一种能够进行各种处理例如基板蚀刻、干燥以及清洗的基板处理装置。
2.相关技术讨论
显示器包括例如液晶显示器(LCD)、等离子显示面板(PDP)和有机发光显示器(OLED)。这些显示器用于如大尺寸电视机、膝上型计算机或移动电话的监视器这样的电子产品。
所述显示器包括基板。为了制造显示器，在基板上进行各种处理。基板上的常规处理由工人人工进行。结果，可操作性恶化并且污染和损坏基板的风险增加。
例如，使用液晶的LCD包括两片互相连接并且彼此面对的透明绝缘基板。进行蚀刻处理，减小连接的基板厚度。当基板的厚度减小时，工人的人工操作变得更加困难。同样，在蚀刻处理过程中，基板没有被均匀地蚀刻，导致LCD质量恶化。
发明内容
本发明实施例提供一种基板处理装置，能够不损坏基板而有效地进行工艺处理。
根据本发明实施例，基板处理装置包括处理腔、固定框架、进料单元和供给单元。处理腔容纳在那里处理的基板。固定框架支撑基板的各个侧面。进料单元位于处理腔内，并与固定框架的端部接触，以沿与端部纵向平行的方向传送固定框架。供给单元与各个侧面间隔开，向基板供给处理流体。根据基板上进行的处理，处理流体可不相同。处理流体至少为蚀刻基板的蚀刻剂、清洗基板的清洗液和干燥基板的气体中的一个。
供给单元包括供给管道和供给构件。处理流体通过供给管道流动。供给构件连接至供给管道，将处理流体供给到基板。
根据本发明实施例，基板处理装置包括基板固定单元、处理腔和基板分离单元。基板固定单元包括支撑基板并将基板固定到固定框架的固定框架。在固定框架传送到处理腔后，在处理腔内的基板上进行处理。基板分离单元将经过处理后的基板从固定框架分离。
处理腔包括进料单元和供给单元。进料单元位于处理腔内，并与固定框架的端部接触，以沿与端部纵向平行的方向传送固定框架。供给单元与基板的各个侧面间隔开，向基板供给处理流体。
处理腔包括在其内部蚀刻基板的第一处理腔、在其内部清洗基板的第二处理腔，以及在其内部干燥基板的第三处理腔。
附图说明
从下文详细描述并结合附图，能够更详细地理解本发明实施例，其中：
图1为根据本发明实施例示出基板处理装置的框图；
图2A为根据本发明实施例示出图1的基板固定单元的俯视图；
图2B为根据本发明实施例示出图2A的固定框架的截面图；
图3为根据本发明实施例示出图1的第一位置转换器的操作的视图；
图4为根据本发明实施例示出图1的处理腔内部的视图；
图5为根据本发明实施例示出摆动图4供给管的过程的视图；
图6A为根据本发明实施例示出提供图4供给单元喷射方法实例的视图；
图6B到6C为根据本发明实施例示出图6A的基板喷射区的视图，处理流体喷射于其上；
图7为根据本发明实施例示出图1的处理腔内部的视图；
图8为根据本发明实施例示出通过图7狭缝喷嘴供给处理流体的方法的透视图；
图9A为根据本发明实施例示出图1处理腔内部的俯视图；
图9B为根据本发明实施例示出图9A供给单元的透视图；
图10A到10C根据本发明实施例示出了图7或图9A的狭缝喷嘴的横截面；
图11为根据本发明实施例示出图1的第二位置转换器操作的视图；以及
图12为根据本发明实施例示出图1的基板分离单元俯视图。
具体实施例
参照附图详细说明本发明实施例。然而，本发明可以用许多不同形式实施，并且不应解释为限于这里列举的实施例。在附图中，相同的附图标记表示相同或相似的元件。
图1为根据本发明实施例示出基板处理装置的框图。
参见图1，基板处理装置包括基板固定单元100、第一和第二位置转换器200和400、处理腔300，以及基板分离单元500。在处理腔300中进行基板上的各种处理。根据其中进行的处理，处理腔300包括被分类为第一到第三的处理腔301、302和303。基板固定单元100将基板安装到固定单元，以使在进行处理过程中可以稳定地固定基板。在处理进行完毕后，基板分离单元500从固定单元分离基板。第一位置转换器200将基板转换到适当位置，使得能够在处理腔300中进行处理。第二位置转换器400转换基板位置，使得能够从固定单元分离基板。
图2A为示出图1的基板固定单元的俯视图。
参见图2A，基板固定单元包括台110、行方向位置调节器120、列方向位置调节器130，以及导向构件140。待处理的基板1和固定框架10位于台110的不同侧。沿台110的行方向形成一对导向构件140，并且在这对导向构件140之间引导行方向位置调节器120，使其沿行方向移动。在行方向位置调节器120的表面上形成列方向位置调节器130，并且行方向位置调节器120引导其沿列方向移动。
在固定框架10上安装多个尺寸相同或不同的基板。行方向位置调节器120和列方向位置调节器130分别在行方向和列方向上移动，以使基板1安装在固定框架10中的空位置(以虚线表示)中。可以在列方向位置调节器130的表面提供吸附盘(未示出)，以吸附基板1。行方向位置调节器120和列方向位置调节器130连接到驱动动力源(未示出)，以使行方向位置调节器120和列方向位置调节器130能够移动。
图2B为示出图2A的固定框架的截面图。
参见图2B，固定框架10包括第一部分11和第二部分12。第一部分11具有底部和从底部突出的侧部以形成容纳空间。第二部分12具有与第一部分11的底部对应的底部。当通过行方向位置调节器120和列方向调节器130将基板1置于第一部分11中时，第二部分12被接收到容纳空间中并且基板1在第一和第二部分11和12之间固定。
第一和第二部分11和12具有与基板1对应的的开口区，以通过开口区露出基板1。处理流体与基板1的露出部分反应以在基板1上进行各种处理。第一和第二支撑件11a和12a形成于第一和第二部分11和12中，以在处理过程中支撑基板1。第一和第二支撑件11a和12a能够具有最小的面积，使得不干扰处理流体与基板1的反应。例如，第一和第二支撑件11a和12a可以具有微小的凸起形状，以使第一和第二支撑件11a和12a与基板1的小面积或点接触。
可以在第一和第二部分11和12之间安装互相面对的磁性构件。当由互相面对的磁性构件的磁力产生吸引力应用到第一和第二部分11和12之间时，能够更稳定地固定基板1。
图3为示出图1第一位置转换器的操作的视图。
参见图3，第一位置转换器200包括在其中安装了多个固定框架10的盒子20。盒子20具有开口侧，通过开口侧在盒子20中安装多个固定框架10。沿一个方向传送固定框架10，例如，沿水平方向。固定框架安装在盒子20中，以预定距离相互间隔。
当固定框架完全安装于盒子20中时，将盒子20旋转预定角度。例如，将盒子20旋转90度，使得沿垂直方向定向固定框架10。此时，安装在固定框架10中的基板1旋转以将其定向为垂直方向。对于进行需要将基板1定向为垂直方向的处理，必须旋转盒子20。如果在水平放置基板1的状态下进行处理，可省略第一位置转换器200和对盒子20的旋转操作。
图4为示出图1的处理腔内部的视图。
参见图4，处理腔包括向固定框架10供料的进料单元320和向安装在固定框架10上的基板1供给处理流体的供给单元340。进料单元320包括驱动轴321和驱动轴321穿过的滚轮322。一对互相面对的驱动轴321沿着第二方向D2安装并且在第三方向D3以预定距离相互间隔。虽然在图4中没有示出，多对驱动轴321也沿第一方向D1(从图出去的方向)以预定距离相互间隔安装。
驱动轴321被驱动力旋转，并且滚轮322与驱动轴321一起旋转。滚轮322具有哑铃形状，并包括中心凹槽323。凹槽323与固定框架10的宽度相对应，固定框架10插入凹槽323中且当滚轮322旋转时沿第一方向D1供料。
在供料期间，为了避免固定框架10倾斜或掉落，安装支撑构件330以支撑固定框架10两侧。支撑构件330可以具有多种形状。支撑构件330能够接触固定框架10，并且在固定框架10被供料时支撑构件330可滑动，以使支撑构件330与固定框架10之间的摩擦力减到最小。例如，支撑构件330可以包括带轮子的滚轮。
配置供应单元340以将两个相邻的供给单元340插入固定框架10之间并且沿相对方向面对。供给单元340包括供给管341和连接到供给管341的供给构件342。供给管341在第三方向D3上延伸并且多个供给管341沿第一和第二方向D1和D2配置。可选择地，供给管341可沿第一方向D1延伸并且多个供给管341沿第三方向D3配置。处理流体沿供给管341流动并通过供应构件342供给到安装在固定框架10上的基板1的相应侧(虽然为方便起见，在图4中示出，将基板1安装在固定框架10中的密闭空间中，但如图2B所示，与基板1对应区域实际上是开放的)。
第一、第二和第三方向D1、D2和D3可以与处理腔300相应的不同方向相对应。例如，第三方向D3可以与处理腔300底部表面平行或垂直。
当第三方向D3平行于底部表面时，为了供给，水平定向基板1。在这种情况下，可省略通过第一位置转换器200旋转固定框架10的操作。
当第三方向D3垂直于底部表面时，为了供给，垂直定向基板1。在这种情况下，为垂直定向基板1，需要通过第一位置转换器200进行旋转基板1的操作。当基板1被垂直定向时，在同样的重力下处理流体从基板1的相应两边均匀喷出。由于处理流体到达基板1的相应两边并且沿基板1的表面流下，可以收集处理流体并重复使用。
每一个供给构件342包括具有喷射孔的喷嘴，并且处理流体通过喷嘴喷出并供给到基板1。处理流体可以根据处理类型变化。
如果是蚀刻处理，那么处理流体为蚀刻剂。蚀刻剂与基板1的表面接触以发生化学反应并减小基板1的厚度。例如，基板1为用于LCD中的玻璃衬底，并且蚀刻剂包括与玻璃中的硅反应的氢氟酸液体。在LCD中，基板1可以是单片或彼此连接以互相面对的两片，并且在两片之间形成有液晶层。
如果是清洗处理，那么处理流体为清洗液。作为清洗液，可以使用去离子(DI)水。并且通过将DI水喷到基板1的表面从基板1的表面除去外来物质。
如果是干燥处理，处理流体为气体。空气或惰性氮气可以用作所述气体且将所述气体喷到基板1的表面上以从基板1的表面蒸发湿气。
蚀刻、清洗和干燥处理可以顺序进行。例如，在第一处理腔301中进行蚀刻处理，在第二处理腔302中进行清洗处理，和在第三处理腔303中进行干燥处理。
供给构件342将处理流体以预定的喷射角喷出。供给管341相对于第三方向D3在预定角度范围内摆动以使处理流体能够供给至基板1的广大的区域。
图5为示出摆动图4的供给管的过程的视图。
参见图5，供给管341相对于预定参考轴摆动。例如，相对于喷嘴正对基板1的参考状态，供给管341可以从左侧45度到右侧45度摆动。因此，喷嘴喷射面积扩大。由于供给构件342具有预定喷射角度，因此扩大后的喷射面积稍大于供给管341的摆动范围。
图6A为示出图4的供给单元的喷射方法的实例的视图。
参见图6A，供给管341可以相对于固定框架10以预定角度倾斜。当处理流体为蚀刻剂时，在蚀刻剂与基板1表面化学反应后，将会产生反应副产品例如沉淀物并且会被引入到供给构件342的喷射孔中。反应副产品阻塞喷射孔并干扰蚀刻剂的喷射导致蚀刻不能进行。
当供给管341倾斜时，引入的反应副产品通过供给管341排出，而不会阻塞喷射孔。在处理过程中，当基板1垂直定向时，能够达到通过将供给管341倾斜获得排出反应副产品的效果。倾斜角度为大约3度到大约10度。
图6B到6C为示出图6A的基板上处理流体喷射的喷射区的视图。
参见图6B到6C，虚线圆表示固定框架10上的由单个喷嘴喷射的处理流体的喷射区域。在与固定框架10倾斜方向上布置的圆形表示形成在相同供给管341上的喷嘴。喷射角度指示出处理流体所能喷射的范围，根据此喷射角度，单个喷嘴喷出的处理流体的喷射区域有所不同。
随着喷射角度的增加，由单个喷嘴喷射的处理流体的区域扩大。图6B示出的喷射角为50度并且图6C示出的喷射角为75度。例如，喷射角为大约30度到大约75度。
供给单元340不仅能够通过使用喷嘴喷射供给处理流体到基板1，而且能够使用下面的方法。
图7为根据本发明实施例示出图1的处理腔内部的视图。
参见图7，处理腔300包括向固定框架10供料的进料单元320和向安装在固定框架10中的基板1供给处理流体的供给单元350。进料单元320包括驱动轴321和滚轮322。处理腔300可以进一步包括支撑构件330，以在向固定框架10供料时支撑固定框架10。进料单元320和支撑构件330具有与图4所描述相同的结构。
每一个供给单元350包括供给管351和供给构件352。供给构件352使用刀刃的方法(knife method)向基板1供给处理流体。供给构件352包括区别于上述喷嘴的狭缝喷嘴。该狭缝喷嘴包括相互间隔开的第一和第二主体，并且处理流体从第一和第二主体之间的空隙流出。与已经描述过的关于喷嘴的点喷射方法相比，狭缝喷嘴使用线形喷射的方法，由此处理流体沿着预定的方向线被均匀地供给。
图8为示出利用图7的狭缝喷嘴提供处理流体的方法的透视图；
参见图7，可将供给管351布置为与固定框架10平行或垂直。当使用狭缝喷嘴时，处理流体流出的部分彼此连接并且整体形成。在这种情况下，即使当供给构件352的某一区域被沉淀物阻塞，处理流体能从邻近阻塞区的其它区域供给到基板1，从而补偿具有阻塞部分的区域。
由于在预定方向上处理流体从供给构件352中均匀流出并且供给到基板1，供给到基板1相应区域的处理流体量是均匀的。例如，当处理流体是蚀刻剂时，蚀刻剂供给到基板1的相应区域使得将基板1的全部区域可被蚀刻到均匀厚度。
为使通过单个供给单元将处理流体供给到基板1的区域更大，可以移动供给单元350。例如，在狭缝喷嘴的方法中，如图8中箭头所指示，供给管351相对于固定框架10直线移动。固定框架10相对于供给管351直线移动或者固定框架10和供给管351被相对于彼此的相对线性运动同时驱动。
图9A为根据本发明实施例示出图1的处理腔的内部的俯视图；
参见图9A，处理腔包括向固定框架10供料的进料单元320、向安装在固定框架10中的基板1供给处理流体的供给单元360、以及支撑固定框架10的支撑构件330。进料单元320和支撑构件330具有与图4所描述相同的结构。
供给单元360包括供给管361和连接到供给管361的供给构件362。供给构件362使用狭缝喷嘴方法向基板1供给处理流体。
图9B为示出图9A的供给单元的透视图。
参见图9B，从供给管361分支出多个管线362a，并且各分支管线362a连接到各对对称的狭缝喷嘴362b。由于处理流体的流出力，各对狭缝喷嘴362b沿与处理流体流出相反的方向旋转。如上所述，由于所述狭缝喷嘴362b对旋转并流出处理流体，能够在基板1更大的区域上提供处理流体。此外，如图9A所示，由于所述狭缝喷嘴362a对交替布置在相邻的供给管361内，处理流体能够均匀地供给到基板1的全部区域，而不存在任何未供给处理流体的区域。
可以通过处理腔300单独或一起使用喷射喷嘴方法和狭缝喷嘴方法。如上所述，可以在第一处理腔301中进行蚀刻，在第二处理腔302中进行清洗，和在第三处理腔303中进行干燥。也可以在蚀刻中使用喷射喷嘴和在清洗和干燥中使用狭缝喷嘴。
图10A到10C根据本发明实施例示出图7或图9A的狭缝喷嘴的横截面；
参见图10A，每个狭缝喷嘴372包括相互间隔分开以相互面对的第一主体372a和第二主体372b。第一和第二主体372a和372b对称并且处理流体通过形成在第一和第二主体372a和372b末端的开口流出。如图10A中所示，狭缝喷嘴372能够供给处理流体，以使喷嘴开口的位置以预定的角度向基板1倾斜。
参见图10B，每个狭缝喷嘴382包括相互间隔分开以相互面对的第一主体382a和第二主体382b。除突出部383外，第一和第二主体382a和382b是对称的，并且处理流体通过形成在第一和第二主体382a和382b末端的开口流出。
第一主体382a包括突出部383，突出部383从其朝向开口的末端突出。突出部383能够调整处理流体供给的方向。例如，如图10B所示，沿朝向基板1的特定区域的方向供给处理流体。当处理流体要被集中在基板1所需要的区域上时，可以用突出部83。
但是不限于图10B中所示的那样，可在第一和第二主体382a和382b末端采用非对称结构，使得能够调整处理流体供给的方向。
参见图10C，每个狭缝喷嘴392包括相互间隔分开以相互面对的第一主体392a和第二主体392b，并且通过形成在第一和第二主体372a和372b末端的开口提供处理流体。
突出物393形成在第一和第二主体392a和392b的端部，朝向主体392a和392b之间的空隙。至少一个形成在第一主体392a中的突出物393与形成在第二主体392b上的突出物393不对准。由于第一和第二主体392a和392b表面因突出物393而不平整，因此延缓了处理流体的流动。这能够防止处理流体猛烈排出损坏基板。
突出物393的形状不限于图10C所描述的。另外，突出物393可以仅形成在第一和第二主体392a和392b的一个中。可选择地，突出物393可以形成在具有彼此对称的形状的第一和第二主体392a和392b中。
第一和第二主体392a和392b中突出物393的布置、形状以及数量可以通过各种方式调整，并且因此能够通过各种方式按需要调整处理流体流出的强度。
为了同时调整处理流体的流出强度和处理流体供给到基板1的区域，具有突出部383的结构和具有突出物393的结构都可以使用。
图11为示出图1的第二位置转换器的操作的视图。
参见图11，第二位置转换器400包括盒子20，其中安装有多个固定框架。每个固定框架10包括安装在其中的基板，处理在基板上进行。盒子20具有开口侧，多个固定框架通过开口侧安装在盒子20中。固定框架10沿一个方向传送，例如沿垂直方向，并且朝水平方向旋转90度。因此，安装在固定框架10中的基板1随固定框架旋转。结果，将第一位置转换器200的操作反转并且将基板1水平定向以使其从固定框架10分离。然而，如果当基板1为水平定向时在处理腔300内进行处理，则可省略第二位置转换器400和与第二位置转换器400相关的旋转操作。
图12为示出图1的基板分离单元的俯视图。
参见图12，基板分离单元包括台510、行方向位置调节器520、列方向位置调节器530、和导向构件540。处理后的基板1和固定框架10位于台510的侧部。
固定框架10具有与如图2B所示相同的结构。行方向位置调节器520和列方向位置调节器530分别在行方向和列方向移动以分离基板1。除已经将基板1分离的空区域(虚线所示)外，可从固定框架10上的区域将基板1连续分离。所有基板被分离并且将固定框架10传送到基板固定单元100。
在上述操作中，由于对基板的处理工艺自动进行，可将基板安装在固定框架中而不用工人直接对基板操作。因此，能够避免因需要工人的直接操作而损坏基板。此外，可以使用喷射喷嘴的方法或狭缝喷嘴的方法将蚀刻剂均匀喷射在基板上以使能将基板蚀刻至均匀厚度。
根据本发明实施例，能够减少基板损耗并且能有效地进行对基板的处理。
虽然已经描述了本发明的示意性实施方式，但是应该理解本发明不应当限于这些示意性实施方式，在如下文所要求权利的本发明的精神和范围内，所属领域普通技术人员可对其做出各种变形和改进。

Claims (19)

1、一种基板处理装置，包括：
容纳基板的处理腔；
支撑所述基板的固定框架；
沿与所述固定框架的端部的纵向平行的方向传送所述固定框架的进料单元，其中所述进料单元与所述固定框架端部接触；以及
从所述基板的各个侧面间隔分开以供给处理流体到所述基板的供给单元。
2、如权利要求1所述的基板处理装置，还包括沿与所述各个侧面垂直的方向支撑所述固定框架的支撑构件。
3、如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述固定框架包括：
第一部分，该第一部分包含第一底部表面和与所述第一底部表面垂直的侧表面，其中所述第一部分包含容纳空间；以及
第二部分，该第二部分包含与所述第一底部表面相应并容纳在所述容纳空间中的第二底部表面。
4、如权利要求3所述的基板处理装置，其中所述进料单元包含滚轮，该滚轮具有与所述侧表面的宽度相应的凹槽。
5、如权利要求1所述的基板处理装置，其中处理流体包括蚀刻剂、清洗液和气体中的至少一种。
6、如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述各个侧面与所述处理腔的底部表面垂直。
7、如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述各个侧面与所述处理腔的底部表面平行。
8、如权利要求1所述的基板处理装置，其中所述供给单元包括：
处理流体通过其流动的供给管；和
连接到所述供给管以供给所述处理流体到所述基板的供给构件。
9、如权利要求8所述的基板处理装置，其中所述供给管配置成向所述固定框架的传送方向倾斜。
10、如权利要求8所述的基板处理装置，其中所述供给管在预定的角度范围内摆动。
11、如权利要求8所述的基板处理装置，其中所述供给管在与所述各个侧面平行的平面上直线地移动。
12、如权利要求8所述的基板处理装置，其中所述供给构件包含多个具有喷射孔的喷射喷嘴。
13、如权利要求8所述的基板处理装置，其中所述供给构件包含至少一个狭缝喷嘴，该狭缝喷嘴包括相互间隔分离的第一主体和第二主体，且所述处理流体通过该第一主体和第二主体之间的空隙流出。
14、如权利要求13所述的基板处理装置，其中所述狭缝喷嘴包含对称连接到从所述供给管分支的管线的第一狭缝喷嘴和第二狭缝喷嘴，且所述第一狭缝喷嘴和第二狭缝喷嘴旋转以供给所述处理流体到所述基板。
15、如权利要求13所述的基板处理装置，其中所述狭缝喷嘴包含形成在所述第一主体和第二主体的至少一个表面上的突出物。
16、如权利要求13所述的基板处理装置，其中所述狭缝喷嘴包含形成在所述第一主体和第二主体至少一个表面和所述第一主体和第二主体的末端上的突出部。
17、一种基板处理装置，包括：
包括固定框架以支撑基板和将基板安装到该固定框架的基板固定单元；
所述固定框架被传送到并在其中对所述基板进行处理的处理腔；以及
从所述固定框架上分离所述基板的基板分离单元，其中
所述处理腔包括：
与所述固定框架的端部接触以沿与所述端部的纵向平行的方向传送所述固定框架的进料单元；以及
从所述基板的各个侧面间隔分开以供给处理流体到所述基板的供给单元。
18、如权利要求17所述的基板处理装置，还包括：
相对于所述传送的方向将所述固定框架旋转90度到被旋转后的位置的第一位置转换器；以及
从所述被旋转后的位置将所述固定框架旋转90度的第二位置转换器。
19、如权利要求17所述的基板处理装置，其中所述处理腔包括：
在其中蚀刻基板的第一处理腔；
在其中清洗基板的第二处理腔；和
在其中干燥基板的第三处理腔。
CN2007101861690A 2006-07-20 2007-07-20 基板处理装置 Active CN101266916B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060068074A KR101353490B1 (ko) 2006-07-20 2006-07-20 기판 처리장치
KR68074/06 2006-07-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101266916A true CN101266916A (zh) 2008-09-17
CN101266916B CN101266916B (zh) 2010-09-22

Family

ID=38970323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101861690A Active CN101266916B (zh) 2006-07-20 2007-07-20 基板处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080017320A1 (zh)
JP (1) JP5479669B2 (zh)
KR (1) KR101353490B1 (zh)
CN (1) CN101266916B (zh)
TW (1) TWI421973B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102468118A (zh) * 2010-11-12 2012-05-23 北大方正集团有限公司 治具及清洗机

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080009579A (ko) * 2006-07-24 2008-01-29 삼성전자주식회사 식각 장치 및 방법
KR101387711B1 (ko) * 2007-04-10 2014-04-23 에프엔에스테크 주식회사 평판디스플레이 유리기판 에칭장치
KR100886024B1 (ko) * 2007-06-13 2009-02-26 송종호 기판 식각 장치
DE102007046279A1 (de) * 2007-09-27 2009-04-09 Siemens Ag Betriebsverfahren für eine Kühlstrecke mit zentralisierter Erfassung von Ventilcharakteristiken und hiermit korrespondierende Gegenstände
KR100889949B1 (ko) * 2008-04-10 2009-03-20 주식회사 엠엠테크 하향식 기판 박형화장치 및 이를 이용한 박형화 시스템
KR101009643B1 (ko) * 2008-07-16 2011-01-19 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 에칭 장치
JP5375280B2 (ja) * 2009-04-06 2013-12-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法、製造装置
KR101145776B1 (ko) * 2010-01-11 2012-05-16 세메스 주식회사 기판 세정 장치
KR101471096B1 (ko) * 2013-07-03 2014-12-09 주식회사 위스코하이텍 기판의 연마장치
US9443819B2 (en) 2014-02-13 2016-09-13 Apple Inc. Clamping mechanism for processing of a substrate within a substrate carrier
US9859135B2 (en) * 2014-12-19 2018-01-02 Applied Materials, Inc. Substrate rinsing systems and methods
KR101696545B1 (ko) * 2015-06-03 2017-01-16 노바테크 (주) 유리 박형화용 지그
JP6557779B2 (ja) * 2017-01-26 2019-08-07 株式会社 電硝エンジニアリング ディスプレイ用電子基板の製造方法、ディスプレイ用電子基板の研磨方法および研磨装置
WO2018230457A1 (ja) * 2017-06-13 2018-12-20 シャープ株式会社 基板処理装置
KR101854670B1 (ko) 2017-12-29 2018-05-03 브니엘 네이처 주식회사 평판 필터 세정장치
KR20190105958A (ko) * 2018-03-07 2019-09-18 (주)코텍 액정패널용 식각장치
DE102019102492A1 (de) * 2019-01-31 2020-08-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Wafern
US20230178388A1 (en) * 2021-12-03 2023-06-08 Applied Materials, Inc. Surface cleaning with directed high pressure chemistry

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3102532B2 (ja) * 1993-01-30 2000-10-23 住友金属工業株式会社 塗装装置
JP3395696B2 (ja) * 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
JP4484339B2 (ja) * 1999-08-14 2010-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド スクラバにおける背面エッチング
JP2005021894A (ja) * 1999-10-27 2005-01-27 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP4505563B2 (ja) * 2000-06-30 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US6673195B2 (en) * 2001-03-30 2004-01-06 Industrial Technologies Research Institute Apparatus and method for etching glass panels
JP2005527965A (ja) * 2001-08-28 2005-09-15 ハイニックス セミコンダクター マニュファクチュアリング アメリカ インコーポレイテッド プラズマチャンバ用チャンバシールド
JP4002154B2 (ja) * 2002-08-13 2007-10-31 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示素子の製造方法およびその装置
US7771538B2 (en) * 2004-01-20 2010-08-10 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate supporting means having wire and apparatus using the same
JP4707959B2 (ja) * 2004-02-20 2011-06-22 日本エー・エス・エム株式会社 シャワープレート、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR100516849B1 (ko) * 2004-02-27 2005-09-27 고경완 습식에칭장치
JP3741708B2 (ja) * 2004-06-03 2006-02-01 株式会社テスコム フラットパネルディスプレイの製造方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の外面機械研磨装置
JP2006010947A (ja) * 2004-06-24 2006-01-12 Seiko Epson Corp 基板製造方法、基板洗浄方法及び基板洗浄装置、並びに電気光学基板、電気光学装置、及びこれを備えた電子機器
CN101615576B (zh) * 2004-07-19 2012-07-04 三星电子株式会社 基板处理设备及使用其的基板处理方法
KR101387711B1 (ko) * 2007-04-10 2014-04-23 에프엔에스테크 주식회사 평판디스플레이 유리기판 에칭장치
KR20090008945A (ko) * 2007-07-19 2009-01-22 삼성전자주식회사 기판 식각 장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102468118A (zh) * 2010-11-12 2012-05-23 北大方正集团有限公司 治具及清洗机

Also Published As

Publication number Publication date
JP5479669B2 (ja) 2014-04-23
JP2008026859A (ja) 2008-02-07
KR20080008610A (ko) 2008-01-24
TW200816359A (en) 2008-04-01
TWI421973B (zh) 2014-01-01
KR101353490B1 (ko) 2014-01-27
US20080017320A1 (en) 2008-01-24
CN101266916B (zh) 2010-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101266916B (zh) 基板处理装置
KR101387711B1 (ko) 평판디스플레이 유리기판 에칭장치
US7891066B2 (en) Plate material vertical processing line
US20090107531A1 (en) High-Pressure Water Cleaning System
KR20080053055A (ko) 기판식각장치 및 이를 이용한 액정표시소자 제조라인
CN1983516A (zh) 基板处理方法以及基板处理装置
JP2008117889A (ja) 基板処理装置
JP2850118B2 (ja) 搬送処理装置
JP2006256768A (ja) 基板搬送装置、基板処理装置及び平面表示装置
US6321898B1 (en) Display panel transporting apparatus and a display panel transporting unit
JP2007284345A (ja) フラットパネルディスプレイ用ガラス板の製造方法及びその装置
JP4453013B2 (ja) ウエット処理装置およびウエット処理方法
KR101965297B1 (ko) 노즐 및 이를 가지는 기판처리장치
JP2004311256A (ja) 常圧プラズマ処理装置
KR101024644B1 (ko) 유체를 이용한 유리 기판 반송 장치
JP2001102283A5 (zh)
JP2004153033A (ja) 基板処理装置
JP2004307152A (ja) 起倒可能な非接触搬送装置
JP2003176982A (ja) エアーナイフを用いた処理装置
JP4323252B2 (ja) レジスト除去装置
KR20150055655A (ko) 기판 세정 장치
KR100562724B1 (ko) 화면표시장치용 글라스의 배면 식각장치
KR102045828B1 (ko) 기판 처리장치
KR101149767B1 (ko) 기판 가공장치 및 가공방법
KR20090056486A (ko) 기판 이송 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Effective date: 20121109

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121109

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: Samsung Display Co., Ltd.

Patentee after: FNS Technology Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Electronics Co., Ltd.

Patentee before: FNS Technology Co., Ltd.