KR20080008610A - 기판 처리장치 - Google Patents

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Abstract

공정 챔버와 고정 프레임과 이송부 및 공급부를 포함하는 기판 처리장치가 제공된다. 상기 고정 프레임에는 기판이 장착되며, 상기 공급부는 상기 기판의 서로 마주보는 양면으로부터 이격되게 설치되어 상기 기판으로 공정 유체를 제공하고, 상기 이송부는 상기 고정 프레임을 상기 기판의 단부의 길이 방향과 평행하게 이송한다. 상기한 공정은 자동화로 진행되어 기판에 대한 손실을 줄이면서 효율적인 처리가 가능하다.
기판, 분사노즐, 슬릿노즐, 식각, 세정, 건조

Description

기판 처리장치 {PROCESSING APPARATUS FOR SUBSTRATE}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리장치의 구성도이다.
도 2a는 도 1의 기판 장착부에 대한 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 고정 프레임에 대한 상세 단면도이다.
도 3은 도 1의 제1 위치 변환부의 작용을 설명하는 도면이다.
도 4는 도 1에서 공정 챔버 내부를 도시한 도면이다.
도 5는 도 4에서 공급관의 요동 과정을 설명하는 도면이다.
도 6a는 도 4에서 공급부의 분사 방법의 일례를 설명하는 도면이다.
도 6b 및 도 6c는 도 6a에서 기판상의 공정 유체의 분사 영역을 도시한 도면이다.
도 7은 다른 실시예에 따른 도 1의 공정 챔버 내부를 도시한 도면이다.
도 8은 도 7에서 슬릿노즐에 의한 공정 유체의 제공 방법을 설명하는 사시도이다.
도 9a는 다른 실시예에 따른 도 1의 공정 챔버 내부를 도시한 평면도이다.
도 9b는 도 9a의 공급부에 대한 사시도이다.
도 10a 내지 도 10c는 다양한 실시예에 따라 도 7 또는 도 9a의 슬릿노즐의 단부를 도시한 도면이다.
도 11은 도 1의 제2 위치 변환부의 작용을 설명하는 도면이다.
도 12는 도 1의 기판 탈착부에 대한 평면도이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 -- 기판 10 -- 고정 프레임
100 -- 기판 장착부 200 -- 제1 위치 변환부
300 -- 공정 챔버 400 -- 제2 위치 변환부
500 -- 기판 탈착부
본 발명은 기판 처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판에 대한 식각, 건조, 세정 등의 다양한 공정이 가능한 기판 처리장치에 관한 것이다.
일반적으로 표시장치에는 액정표시장치, 플라즈마 디스플레이, 유기전계발광 디스플레이가 있다. 상기한 표시장치는 대형 TV나 노트북의 모니터 및 휴대전화와 같은 전자 제품에 사용된다.
상기 표시장치는 기판을 포함하며, 표시장치의 제조를 위해서는 상기 기판에 대한 여러가지 공정이 진행된다. 종래 상기 기판에 대한 공정은 주로 작업자의 수작업으로 처리되어 작업성이 떨어지고 기판의 오염 및 파손의 위험성이 높았다.
예컨대, 액정을 이용한 액정표시장치는 서로 마주보는 두 장의 투명한 절연 기판을 포함하며, 상기 두 장의 기판은 서로 마주보도록 합착된 후 상기 합착된 기 판의 두께를 줄이기 위한 식각 공정이 진행된다. 상기한 식각 공정에서는 공정이 진행되면서 기판의 두께가 얇아지는데, 이와 같이 기판의 두께가 얇아질수록 작업자의 수작업 처리가 더욱 어렵게 된다. 또한 식각시 기판이 균일한 두께로 식각되지 못하여, 액정표시장치의 불량을 초래한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 기판에 대한 손실을 줄이면서 효율적으로 공정을 진행할 수 있는 기판 처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리장치는 공정 챔버, 고정 프레임, 이송부, 공급부를 포함한다. 상기 공정 챔버는 기판을 수용하여 처리한다. 상기 고정 프레임은 서로 대향하는 상기 기판의 양단부에서 상기 기판의 양면을 지지하여 고정한다. 상기 이송부는 상기 공정 챔버 내부에 설치되며, 상기 고정 프레임에 작용하여 상기 고정 프레임을 상기 양단부의 길이 방향과 평행하게 이송한다. 상기 공급부는 상기 양면으로부터 이격되게 설치되어 상기 기판으로 공정 유체를 제공한다.
상기 공정 유체는 상기 기판에 대한 공정에 따라 달라질 수 있다. 상기 공정 유체는 상기 기판을 식각하기 위한 식각액이거나, 상기 기판을 세정하기 위한 세정액이거나, 상기 기판을 건조하기 위한 가스일 수 있다.
상기 공급부는 공급관과 공급부재를 포함한다. 상기 공급관으로는 상기 공정 유체가 이동한다. 상기 공급부재는 상기 공급관에 연통되며, 상기 기판에 상기 공 정 유체를 제공한다.
상기 공급부재는 분사홀이 형성된 복수의 분사노즐들을 포함할 수 있다. 또는 상기 공급부재는 서로 이격된 제1 몸체와 제2 몸체를 포함하여 상기 제1 및 제2 몸체의 단부 사이에 상기 이격된 공간으로 상기 공급 대상물이 토출되는 개구부가 형성된 적어도 하나 이상의 슬릿노즐을 포함할 수 있다. 상기 슬릿노즐은 상기 공급관으로부터 분기된 라인에 대칭적으로 연결되며, 상호 대칭이 되는 방향으로 각각 상기 기판에 상기 공정 유체를 공급하면서 회전하는 제1 슬릿노즐과 제2 슬릿노즐을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 상기 기판이 자동으로 이송되면서 식각, 세정, 건조 등의 필요한 공정이 진행될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리장치는 기판 장착부와 공정 챔버 및 기판 탈착부를 포함한다. 상기 기판 장착부는 서로 대향하는 기판의 양단부에서 상기 기판의 양면을 지지하여 고정하는 고정 프레임이 구비되어, 상기 기판을 상기 고정 프레임에 장착한다. 상기 공정 챔버는 상기 고정 프레임을 이송받아 상기 기판에 대한 공정을 진행한다. 상기 기판 탈착부는 상기 공정이 진행된 기판을 상기 고정 프레임에서 탈착한다.
상기 공정 챔버는 이송부와 공급부를 포함한다. 상기 이송부는 상기 공정 챔버 내부에 설치되며, 상기 고정 프레임에 작용하여 상기 고정 프레임을 상기 양단부의 길이 방향과 평행하게 이송한다. 상기 공급부는 상기 양면으로부터 이격되게 설치되어 상기 기판으로 공정 유체를 제공한다.
상기 공정 챔버는 상기 기판을 식각하는 제1 공정 챔버, 상기 기판을 세정하는 제2 공정 챔버 및 상기 기판을 건조하는 제3 공정 챔버를 포함한다.
본 실시예에 따르면, 상기 기판에 대한 식각, 세정, 건조의 공정이 연속적으로 진행될 수 있다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 살펴보기로 한다. 다만 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 오히려 아래의 실시예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 또한 하기 실시예와 함께 제시된 도면들에 있어서, 영역들의 크기는 명확한 설명을 강조하기 위해서 간략화되거나 다소 과장되어진 것이며, 도면상에 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리장치의 구성도이다.
도 1을 참조하면, 기판 장착부(100), 제1 및 제2 위치 변환부(200,400), 공정 챔버(300), 기판 탈착부(500)가 구비된다. 공정 챔버(300)에서는 기판에 대한 여러가지 공정이 진행되며, 상기 공정의 종류에 따라 제1 내지 제3 공정 챔버(301,302,303)를 포함한다. 기판 장착부(100)에서는 상기한 공정이 진행되는 동안 기판이 안정적으로 고정될 수 있도록 기판을 별도의 고정 수단에 장착한다. 기판 탈착부(500)에서는 공정이 완료된 기판을 상기 고정 수단으로부터 탈착한다. 제 1 위치 변환부(200)는 기판이 공정이 진행되기 용이한 상태가 되도록 그 위치를 변환하며, 제2 위치 변환부(400)는 기판이 탈착되기 용이한 상태가 되도록 그 위치를 변환한다.
도 2a는 도 1의 기판 장착부에 대한 평면도이다.
도 2a를 참조하면, 스테이지(110)와 행 방향 위치 조절기(120)와 열 방향 위치 조절기(130) 및 가이드부재(140)가 구비된다. 스테이지(110)의 양측에는 각각 공정 대상 기판(1)과 고정 프레임(10)이 놓여진다. 스테이지(110)를 따라 행 방향으로 한 쌍의 가이드부재(140)가 설치되며, 행 방향 위치 조절기(120)는 한 쌍의 가이드부재(140) 사이에서 가이드되면서 행 방향으로 이동한다. 열 방향 위치 조절기(130)는 행 방향 위치 조절기(120)의 표면에 설치되며, 행 방향 위치 조절기(120)에 의해 가이드되면서 열 방향으로 이동한다.
고정 프레임(10)에는 동일한 크기의 복수의 기판(1)들이 장착된다. 고정 프레임(10)에 장착되는 기판(1)들은 모두 동일한 크기일 필요는 없으며 상이한 크기의 기판(1)들이 동시에 장착될 수도 있다.
행 방향 위치 조절기(120)와 열 방향 위치 조절기(130)는 각각 행 방향과 열 방향으로 이동하면서, 현재 고정 프레임(10)에서 비어있는 위치(점선 표시)에 기판(1)이 장착되도록 한다. 열 방향 위치 조절기(130)에는 기판(1)이 흡착되도록 표면에 흡착 패드(미도시)가 구비될 수 있다. 행 방향 위치 조절기(120)와 열 방향 위치 조절기(130)는 각각이 이동할 수 있도록 동력원(미도시)에 연결된다.
도 2b는 도 2a의 고정 프레임에 대한 상세 단면도이다.
도 2b를 참조하면, 제1 고정 프레임(11)과 제2 고정 프레임(12)이 구비된다. 제1 고정 프레임(11)은 바닥면과 바닥면에서 상측으로 돌출된 측면을 가지며, 이를 통하여 수납공간이 형성된다. 제2 고정 프레임(12)은 제1 고정 프레임(11)의 바닥면에 대응되는 바닥면을 가지며, 상기 수납공간에 수납될 수 있다. 즉, 행 방향 위치 조절기(120)와 열 방향 위치 조절기(130)에 의해 제1 고정 프레임(11)에 기판(1)이 안착되면, 제2 고정 프레임(12)이 상기 수납공간에 수납되면서 기판(1)은 제1 및 제2 고정 프레임(11,12) 사이에 고정된다.
제1 및 제2 고정 프레임(11,12)은 기판에 대응되는 영역이 개구되며 상기 개구된 영역으로 기판(1)은 외부로 노출되어 노출된 부분으로 공정 유체가 작용하여 기판(1)에 대한 여러가지 공정이 진행된다. 상기한 공정 중, 기판(1)이 지지되도록 제1 및 제2 고정 프레임(11,12)에는 각각 제1 및 제2 지지대(11a,12a)가 형성된다. 제1 및 제2 지지대(11a,12a)는 기판(1)에 대한 상기 공정 유체의 작용을 방해하지 않도록 최소한의 면적을 갖는 것이 바람직한다. 예컨대, 기판(1)과의 접촉이 포인트 접촉 방식으로 이루어지도록 제1 및 제2 지지대(11a,12a)는 미세한 돌기 형상을 가질 수 있다.
제1 및 제2 고정 프레임(11,12)에는 서로 마주보도록 자성부재가 설치될 수 있으며, 상기 마주보는 자성부재에 의해 제1 및 제2 고정 프레임(11,12) 사이에 자기력에 의한 인력이 작용하면 기판(1)이 보다 안정적으로 고정될 수 있다.
도 3은 도 1의 제1 위치 변환부의 작용을 설명하는 도면이다.
도 3을 참조하면, 복수의 고정 프레임(10)들이 장착된 카세트(20)가 구비된 다. 카세트(20)는 일면이 개구되며 상기 개구된 면으로 복수의 고정 프레임(10)들이 장착된다. 고정 프레임(10)들은 일방향, 예컨대 수평 방향으로 이송되어 카세트(20) 내부에서 일정 간격 이격되게 장착된다.
장착이 완료되면, 카세트(20) 전체가 상기 일방향에 대해 소정 각도만큼 회전된다. 예컨대, 카세트(20)는 90° 만큼 회전되어 고정 프레임(10)들은 수직 방향으로 세워진다. 이 때, 고정 프레임(10)에 장착된 기판(1)도 회전하여 수직 방향으로 세워지게 된다. 상기한 카세트(20)의 회전 과정은 공정 챔버(300)의 구조상 기판(1)이 세워진 상태에서 공정이 진행되는 것이 유리한 경우에 필요하다. 만약 기판(1)이 수평하게 누워진 상태에서 공정이 진행된다면, 제1 위치 변환부(200)와 그에 따른 본 단계는 생략될 수 있다.
도 4는 도 1에서 공정 챔버 내부를 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 고정 프레임(10)을 이송하는 이송부(320)와 고정 프레임(10)에 장착된 기판(1)에 공정 유체를 공급하기 위한 공급부(340)가 구비된다. 이송부(320)는 구동축(321)과 구동축(321)를 관통하여 설치되는 롤러(322)를 포함한다. 구동축(321)은 서로 마주보는 한 쌍이 제2 방향(D2)을 따라 설치된다. 도 4에 도시되지는 않았지만, 상기한 한 쌍의 구동축(321)은 제1 방향(지면에서 나오는 방향)(D1)을 따라 일정 간격 이격되어 복수로 설치된다.
구동축(321)은 동력을 받아 회전하며, 롤러(322)는 구동축(321)과 함께 회전한다. 롤러(322)는 중심부에 홈(323)이 형성된 절구통 형상을 갖는다. 상기 홈(323)은 고정 프레임(10)의 폭에 대응되며, 고정 프레임(10)은 상기 홈(323)에 끼워진 상태로 롤러(322)가 회전할 때 제1 방향(D1)으로 이송된다.
상기 이송시 고정 프레임(10)이 기울어져서 쓰러지지 않도록 고정프레임(10)의 양면을 지지하는 지지부재(330)가 설치된다. 지지부재(330)는 형상에 제한은 없으나, 고정 프레임(10)에 접촉된 상태에서 고정 프레임(10)의 이송시 고정 프레임(10)과의 마찰이 최소화되도록 슬라이딩 되는 것이 바람직하다. 예컨대, 지지부재(330)는 바퀴가 달린 롤러로 형성될 수 있다.
공급부(340)는 고정 프레임(10)을 사이에 두고 그 양측에 한 쌍이 서로 마주보도록 배치된다. 공급부(340)는 공급관(341)과 공급관(341)에 연통된 공급부재(342)를 포함한다. 공급관(341)은 제3 방향(D3)으로 신장하며, 제1 방향(D1)을 따라 복수로 형성된다. 또는 공급관(341)은 제1 방향(D1)으로 신장하며, 제3 방향(D3)을 따라 복수로 형성될 수 있다. 공급관(341)을 따라 공정 유체가 공급되며 공급부재(342)를 통하여 상기 공정 유체가 고정 프레임(10)에 장착된 기판(1)의 양면으로 제공된다(도 4에서 편의상 기판(1)이 고정 프레임(10) 내부의 밀폐된 공간에 장착된 것으로 도시되어 있으나, 실제 기판(1)에 대응되는 영역은 개방되어 있다).
제1 내지 제3 방향(D1,D2,D3)은 공정 챔버(300)와 관련하여 다양한 방향으로 설정될 수 있다. 예컨대, 기판(1)이 세워진 제3 방향(D3)은 공정 챔버(300)의 바닥면에 대해 평행하거나 수직일 수 있다.
제3 방향(D3)이 상기 바닥면에 평행한 경우, 기판(1)은 수평하게 누워진 상태로 이송된다. 고정 프레임(10)의 구조상 기판 장착부(100)에서 기판(1)은 수직하게 세워진 상태 보다는 수평하게 누워진 상태에서 용이하게 장착될 수 있다. 이 경우, 기판이 장착된 상태대로 상기 공정 유체가 제공되므로, 제1 위치 변환부(200)에서 고정 프레임(10)을 회전시키는 단계가 생략될 수 있다.
제3 방향(D3)이 상기 바닥면에 수직한 경우, 기판(1)은 수직하게 세워진 상태로 이송된다. 고정 프레임(10)의 구조상 기판 장착부(100)에서 기판(1)은 수평하게 누워진 상태에서 장착되기 용이하므로, 기판(1)을 세우기 위해 제1 위치 변환부(200)에서 회전하는 단계가 필요하다. 기판(1)이 수직하게 세워지면, 상기 공정 유체가 기판(1)의 양면에서 동일한 중력을 받으면서 균일하게 분사되는 장점이 있다. 또한 상기 공정 유체는 기판(1)의 양면에 닿은 후 기판(1)의 표면을 따라 흘러 내려가게 되므로 상기 공정 유체를 용이하게 회수하여 재사용할 수 있다.
공급부재(342)는 분사홀이 형성된 분사노즐로 이루어지며, 상기 분사노즐을 통하여 상기 공정 유체가 분사되어 기판(1)에 제공된다. 상기 공정 유체는 공정의 종류에 따라 여러가지에 해당될 수 있다.
해당 공정이 기판(1)에 대한 식각 공정이라면, 상기 공정 유체는 식각액에 해당된다. 상기 식각액은 기판(1) 표면에 접촉되어 화학 반응을 일으키며 기판(1)의 두께를 감소시킨다. 예컨대, 기판(1)이 액정표시장치에 사용되는 투명 유리 기판이라면, 상기 식각액은 유리의 규소와 반응하는 불산액을 포함한다. 액정표시장 치에 있어서, 상기 기판(1)은 낱장이거나 또는 서로 마주보도록 합착되고 내부에 액정층이 형성된 두 장으로 구성될 수 있다.
해당 공정이 기판(1)에 대한 세정 공정이라면, 상기 공정 유체는 세정액에 해당된다. 상기 세정액으로 초순수(DI water)가 사용될 수 있으며, 상기 초순수가 기판(1) 표면에 분사되면서 기판(1) 표면으로부터 이물질을 제거한다.
해당 공정이 기판(1)에 대한 건조 공정이라면, 상기 공정 유체는 가스에 해당된다. 상기 가스는 공기나 불활성의 질소가 사용될 수 있으며, 상기 가스가 기판(1) 표면에 분사되면서 기판(1) 표면으로부터 수분을 증발시킨다.
기판(1)에 대한 식각 공정시 식각과 세정 및 건조가 순차적으로 진행될 수 있다. 이 경우, 제1 공정 챔버(301)에서 식각이 진행되고 제2 공정 챔버(302)에서 세정이 진행되며 제3 공정 챔버(303)에서 건조가 진행될 수 있다.
공급부재(342)는 소정 각도의 분사각의 범위내에서 상기 공정 유체를 분사한다. 공급관(341)은 제3 방향(D3)을 기준으로 하여 일정 각도 범위에서 요동하면서 기판(1)의 넓은 영역으로 공정 유체가 제공되도록 한다.
도 5는 도 4에서 공급관의 요동 과정을 설명하는 도면이다.
도 5를 참조하면, 공급관(341)은 일정한 기준선을 중심으로 대칭적으로 요동한다. 예컨대 공급관(341)은 분사노즐이 기판(1)과 서로 마주보는 상태를 기준으로 하여, 좌측으로 45°/우측으로 45° 각도 범위에서 요동할 수 있다. 그 결과, 분사노즐의 분사 대상 영역이 넓어진다. 도 5에 도시된 바와 같이, 공급부재(342) 또한 일정한 범위의 분사각을 가지므로, 상기 분사 대상 영역은 공급관(341)의 요동 범위보다 다소 확장된다.
도 6a는 도 4에서 공급부의 분사 방법의 일례를 설명하는 도면이다.
도 6a를 참조하면, 공급관(341)은 고정 프레임(10)의 테두리 부분에 대해 소정 각도 경사지게 배치될 수 있다. 상기 공정 유체가 식각액인 경우, 식각액이 기판(1) 표면에서 화학 반응을 일으킨 후 슬러지와 같은 반응 부산물이 생성되어 공급부재(342)에 형성된 분사홀로 유입될 수 있다. 상기 유입된 반응 부산물은 상기 분사홀을 막고 식각액의 분사를 차단하여 해당 분사노즐에 대응되는 기판(1)에서 식각이 진행되지 않게 될 수 있다.
공급관(341)이 기울어져 있으면, 상기 유입된 반응 부산물이 상기 분사홀을 막지 않고 상기 공급관(341)을 따라 배출될 수 있다. 다만, 공급관(341)을 기울여서 얻어지는 상기 반응 부산물의 배출 효과는 기판(1)이 수직하게 세워진 상태에서 공정이 진행될 때 얻어질 수 있다. 상기 기울어진 각도는 3 ~ 10°정도가 바람직하다.
도 6b 및 도 6c는 도 6a에서 기판상의 공정 유체의 분사 영역을 도시한 도면이다.
도 6b 및 도 6c를 참조하면, 고정 프레임(10)상에 하나의 분사노즐에 의해 상기 공정 유체가 분사되는 영역이 점선의 원으로 표시되어 있다. 고정 프레임(10)에 대해 일정하게 경사진 방향으로 배열된 원들은 동일한 공급관(341)에 형성된 분사노즐들을 나타낸다. 상기 하나의 분사노즐에 의해 분사되는 영역은 공정 유체가 분사될 수 있는 범위를 나타내는 분사각에 따라 달라진다.
분사각이 커질수록 하나의 노즐에 의해 공정 유체가 분사되는 영역이 더 넓어진다. 도 6b는 상기 분사각이 50°인 경우를 나타내며, 도 6c는 상기 분사각이75°인 경우를 나타낸다. 상기 분사각이 너무 크면, 공정 유체가 기판(1)에서 지나치게 퍼져서 분사되는 문제가 있으므로 상기 분사각은 30 ~ 75° 정도가 바람직하다.
공급부(340)에서는 상기 분사노즐을 통한 분사 방식외에도, 다음과 같이 여러가지 방식으로 기판(1)에 공정 유체를 제공할 수 있다.
도 7은 다른 실시예에 따른 도 1의 공정 챔버 내부를 도시한 도면이다.
도 7을 참조하면, 고정 프레임(10)을 이송하는 이송부(320)와 고정 프레임(10)에 장착된 기판(1)에 공정 유체를 공급하기 위한 공급부(350)가 구비된다. 이송부(320)는 구동축(321)과 롤러(322)를 포함한다. 고정 프레임(10)이 이송될 때 고정 프레임(10)을 지지하는 지지부재(330)가 더 구비될 수 있다. 이송부(320) 및 지지부재(330)는 앞서 도 4를 참조하여 살핀 실시예와 동일한 구조를 갖는다.
공급부(350)는 공급관(351)과 공급부재(352)를 포함한다. 공급부재(352)는 소위 나이프(knife) 방식으로 공정 유체를 기판(1)에 제공한다. 이러한 공급부재(352)를 앞서 살핀 분사노즐과 구분하여 슬릿노즐이라 명명한다. 슬릿노즐은 소정 방향을 따라 서로 이격된 상태로 마주보는 제1 몸체와 제2 몸체로 구성되며, 상기 제1 및 제2 몸체 사이의 이격 공간에서 공정 유체가 토출되어 기판(1)에 제공된다. 앞서 살핀 실시예에서의 분사노즐이 점분사 방식이라면, 본 실시예의 슬릿노즐은 라인 토출 방식으로 소정 방향의 라인을 따라 균일하게 공정 유체가 제공된다.
도 8은 도 7에서 슬릿노즐에 의한 공정 유체의 제공 방법을 설명하는 사시도이다.
도 8을 참조하면, 공급관(341)은 고정 프레임(10)의 테두리 부분에 대해 나란하거나 수직하게 배치된다. 슬릿노즐이 사용되면, 공정 유체가 토출되는 부분이 상호간에 연결되어 일체로 형성된다. 이 경우, 공급부재(342)의 소정 영역이 슬러지에 의해 막히더라도, 상기 막힌 소정 영역에 연속하여 인접하는 다른 영역에서 기판(1)으로 제공되는 공정 유체가 상기 막힌 부분에서 제공하지 못하는 부분까지 보상할 수 있다. 따라서 분사노즐 방식하에서 슬러지와 관련하여 공급관(341)을 기울어지게 배치하는 기술은, 슬릿노즐 방식하에서는 적용의 필요성이 상대적으로 낮아진다.
공정 유체는 공급부재(342)로부터 일 방향으로 균일하게 토출되어 기판(1)에 제공되므로, 기판(1)의 영역별로 상기 공정 유체가 도달되는 양이 균일하게 된다. 예컨대, 상기 공정 유체가 식각액인 경우, 식각액이 기판(1)의 영역별로 균일하게 도달되어 기판(1)의 전체 영역에서 기판(1)이 균일한 두께로 식각될 수 있다.
하나의 공급부(350)를 통하여 기판(1)의 보다 넓은 영역에 걸쳐 공정 유체가 제공될 수 있도록, 공급부(350)가 이동할 수 있다. 다만 슬릿노즐 방식하에서는 공급관(351)이 요동하기 보다는, 도 8의 화살표로 표시된 바와 같이, 공급관(351)이 고정 프레임(10)에 대해 상대적으로 직선 운동하는 것이 바람직하다. 마찬가지 원리로, 고정 프레임(10)을 공급관(351)에 대해 직선 운동하거나 양자를 동시에 상대적으로 직선 운동시킬 수도 있다.
도 9a는 다른 실시예에 따른 도 1의 공정 챔버 내부를 도시한 평면도이다.
도 9a를 참조하면, 고정 프레임(10)을 이송하는 이송부(320)와 고정 프레임(10)에 장착된 기판(1)에 공정 유체를 공급하기 위한 공급부(360) 및 고정 프레임(10)을 지지하는 지지부재(330)가 구비된다. 이송부(320) 및 지지부재(330)는 앞서 도 4를 참조하여 살핀 실시예와 동일한 구조를 갖는다.
공급부(360)는 공급관(361)과 이에 연통된 공급부재(362)들을 포함한다. 공급부재(362)는 슬릿노즐 방식으로 공정 유체를 기판(1)에 제공한다. 공급부재(362)는 하나의 공급관(361)에 대해 서로 대응되는 한 쌍들이 소정 간격 이격된 복수로 형성된다. 또한 인접하는 공급관(361)들에 있어서, 상기 한 쌍의 공급부재(362)는 서로 엇갈리게 배치된다.
도 9b는 도 9a의 공급부에 대한 사시도이다.
도 9b를 참조하면, 공급관(361)으로부터 복수의 라인(362a)들이 분기되며 상기 분기된 라인(362a)들 각각에는 서로 대칭적인 한 쌍의 슬릿노즐(362b)들이 연결된다. 상기 한 쌍의 슬릿노즐(362b)들은 서로 반대 방향으로 공정 유체를 토출하며, 상기 토출에 따른 반작용으로 토출 방향과 반대 방향으로 회전한다. 위와 같이 한 쌍의 슬릿노즐(362b)들이 회전하면서 공정 유체가 토출되므로, 기판(1)에 있어서 보다 넓은 범위로 공정 유체가 제공될 수 있다. 또한 도 9a에 도시된 바와 같이, 인접하는 공급관(361)들에 있어서 한 쌍의 슬릿노즐(362b)들이 서로 엇갈리게 배치되어 있으므로, 기판(1)의 전체 영역에 대해서 누락됨이 없이 균일하게 공정 유체가 제공될 수 있다.
상기의 분사노즐 방식과 슬릿노즐 방식은 공정 챔버(300)에 개별적으로 사용되거나 또는 혼용되어 사용될 수 있다. 앞서 살핀 바와 같이, 제1 공정 챔버(301)에서 식각이 진행되고 제2 공정 챔버(302)에서 세정이 진행되며 제3 공정 챔버(303)에서 건조가 진행될 수 있다. 여기서 상기 식각과 건조 및 세정 공정에 모두 슬릿노즐이 사용될 수 있다. 또는 상기 식각 공정에서는 분사노즐이 사용되고 상기 세정과 건조 공정에서는 슬릿노즐이 사용되도록 할 수 있다.
도 10a 내지 도 10c는 다양한 실시예에 따라 도 7 또는 도 9a의 슬릿노즐의 단부를 도시한 도면이다.
도 10a를 참조하면, 슬릿노즐(372)은 서로 마주보도록 이격된 제1 몸체(372a)와 제2 몸체(372b)를 포함한다. 제1 및 제2 몸체(372a,372b)는 서로 대칭적이며, 상기 이격된 공간에 따라 제1 및 제2 몸체(372a,372b)의 단부에 형성된 개구부를 통하여 공정 유체가 토출된다. 도 10a에 도시된 바와 같이, 슬릿노즐(372)은 상기 개구부가 기판(1)에 대해 일정하게 경사지도록 배치된 상태에서 공정 유체를 제공할 수 있다.
도 10b를 참조하면, 슬릿노즐(382)은 서로 마주보도록 이격된 제1 몸체(382a)와 제2 몸체(382b)를 포함한다. 제1 및 제2 몸체(382a,382b)는 그 단부를 제외하고 서로 대칭적으로 형성되며, 상기 이격된 공간에 따라 제1 및 제2 몸체(382a,382b)의 단부에 형성된 개구부를 통하여 공정 유체가 제공된다.
제1 몸체(382a)는 그 단부에 상기 개구된 부분으로 돌출된 돌기(383)를 갖는다. 돌기(383)에 의해 공정 유체가 제공되는 방향이 조절될 수 있다. 예컨대, 도 10b에 도시된 바와 같이, 공정 유체가 제공되는 방향이 기판(1)상에 특정한 영역으로 지우치게 된다. 이는 기판(1)상의 소정 영역에 집중하여 공정 유체가 제공될 필요가 있는 경우에 적용될 수 있다.
도 10b에 도시된 것에 한정하지 않더라도, 제1 및 제2 몸체(382a,382b)의 단부에 다양한 비대칭 구조를 적용함으로써 공정 유체가 제공되는 방향을 다양하게 조절할 수 있다.
도 10c를 참조하면, 슬릿노즐(392)은 서로 마주보도록 이격된 제1 몸체(392a)와 제2 몸체(392b)를 포함하며, 상기 이격된 공간에 따라 제1 및 제2 몸체(392a,392b)의 단부에 형성된 개구부를 통하여 공정 유체가 제공된다.
제1 및 제2 몸체(392a,392b)의 단부에는 상기 개구된 부분으로 요철(393)이 형성된다. 요철(393)은 적어도 하나 이상 형성되며, 제1 몸체(392a)에 형성된 것과 제2 몸체(392b)에 형성된 것은 서로 어긋나게 지그재그로 배치되어 있다. 요철(393)에 의해 제1 및 제2 몸체(392a,392b)의 단부 표면이 굴곡지므로 공정 유체의 이동이 지연된다. 이는 공정 유체가 강하게 토출되어 기판(1)에 손상을 입히는 것을 방지할 필요가 있는 경우에 적용될 수 있다.
요철(393)의 형상은 도 10c에 도시된 구조로 한정되지 않는다. 요철(393)은 제1 및 제2 몸체(392a,392b) 중 어느 하나에만 형성될 수 있다. 또는 요철(393)은제1 및 제2 몸체(392a,392b)의 양자에 동시에 형성되되 서로 대칭적인 형상을 가질 수 있다.
위와 같이, 다양한 방식으로 제1 및 제2 몸체(392a,392b)에 있어서 요 철(393)의 배치나 그 형상 및 개수를 조절할 수 있으며, 그에 따라 공정 유체가 토출되는 강도를 필요에 따라 다양하게 조절할 수 있다.
한편, 공정 유체가 토출되는 강도와 기판(1)에 공정 유체가 제공되는 영역을 동시에 조절하기 위해서, 돌기(383)를 갖는 구조와 요철(393)을 갖는 구조를 동시에 적용할 수도 있다.
도 11은 도 1의 제2 위치 변환부의 작용을 설명하는 도면이다.
도 11을 참조하면, 복수의 고정 프레임(10)들이 장착된 카세트(20)가 구비된다. 고정 프레임(10)들 각각에는 공정이 완료된 기판(1)이 장착되어 있다. 카세트(20)는 일면이 개구되며 상기 개구된 면으로 복수의 고정 프레임(10)들이 장착된다. 고정 프레임(10)들은 일방향, 예컨대 수직 방향으로 이송된 후 수평 방향으로 90° 만큼 회전된다. 따라서 고정 프레임(10)에 장착된 기판(1)도 동일하게 회전한다. 이는 제1 위치 변환부(200)와 반대로 작용하는 것으로, 기판(1)을 고정 프레임(10)으로부터 용이하게 탈착하기 위하여 기판(1)이 수평하게 누워진 상태로 만들어준다. 다만, 공정 챔버(300)에서 기판(1)이 수평하게 누워진 상태에서 공정이 진행되었다면, 제2 위치 변환부(400)와 그에 따른 본 단계는 생략될 수 있다.
도 12는 도 1의 기판 탈착부에 대한 평면도이다.
도 12를 참조하면, 스테이지(510)와 행 방향 위치 조절기(520)와 열 방향 위치 조절기(530) 및 가이드부재(540)가 구비된다. 스테이지(510)의 양측에는 각각 고정 프레임(10)과 공정 대상 기판(1)이 놓여진다.
고정 프레임(10)은 도 2b에 도시된 구조를 가지며, 제2 고정 프레임(12)이 제1 고정 프레임(11)으로부터 분리된 상태이다. 행 방향 위치 조절기(520)와 열 방향 위치 조절기(530)는 각각 행 방향과 열 방향으로 이동하면서 기판(1)을 탈착시킨다. 고정 프레임(10)에서 기판(1)이 탈착되어 비어 있는 위치(점선 표시)를 제외한 나머지 기판(1)이 계속적으로 탈착된다. 모든 기판(1)이 탈착된 후, 고정 프레임(10)은 기판 장착부(100)로 이송된다.
위와 같은 과정에 있어서, 작업자가 기판(1)을 직접 핸들링하지 않고도 기판(1)이 고정 프레임(10)에 장착된 후 자동화로 기판(1)에 대한 공정이 진행될 수 있다. 따라서 작업자의 직접 조작에 따른 기판(1)의 손상을 방지할 수 있다. 또한 분사노즐 또는 슬릿노즐 방식으로 기판(1)에 균일하게 식각액이 분사되어, 기판(1)이 균일한 두께로 식각될 수 있다.
이상 예시적인 관점에서 몇 가지 실시예를 살펴보았지만, 해당 기술 분야의 통상의 지식을 갖는 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 의하면, 기판에 대한 손실을 줄이면서 보다 효율적으로 기판에 대한 공정이 가능하다.

Claims (19)

  1. 기판을 수용하여 처리하는 공정 챔버;
    서로 대향하는 상기 기판의 양단부에서 상기 기판의 양면을 지지하여 고정하는 고정 프레임;
    상기 공정 챔버 내부에 설치되며, 상기 고정 프레임에 작용하여 상기 고정 프레임을 상기 양단부의 길이 방향과 평행하게 이송하는 이송부; 및
    상기 양면으로부터 이격되게 설치되어 상기 기판으로 공정 유체를 제공하는 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 공정 챔버 내부에 설치되며, 상기 양면에 수직한 방향에서 상기 고정 프레임을 지지하는 지지부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 고정 프레임은,
    제1 바닥면과 상기 제1 바닥면의 가장자리에서 제1 바닥면과 수직하게 형성된 측면을 포함하여 수납공간을 제공하는 제1 고정 프레임; 및
    상기 제1 바닥면과 대응되는 제2 바닥면을 포함하여 상기 수납공간에 수납되는 제2 고정 프레임을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 이송부는 상기 측면의 폭에 대응되는 홈이 형성된 롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 공정 유체는 상기 기판을 식각하는 식각액과 상기 기판을 세정하는 세정액 및 상기 기판을 건조하는 가스 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 양면은 상기 공정 챔버의 바닥면에 대해 수직한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 양면은 상기 공정 챔버의 바닥면에 대해 평행한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 공급부는,
    상기 공정 유체가 이동하는 공급관; 및
    상기 공급관에 연통되며, 상기 기판에 상기 공정 유체를 제공하는 공급부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 공급관은 상기 고정 프레임의 이송 방향에 대해 경사지게 배치된 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  10. 제 8항에 있어서,
    상기 공급관은 소정 각도 범위내에서 요동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  11. 제 8항에 있어서,
    상기 공급관은 상기 양면과 나란한 평면상의 소정 거리 범위내에서 직선 운동하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  12. 제 8항에 있어서,
    상기 공급부재는 분사홀이 형성된 복수의 분사노즐들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  13. 제 8항에 있어서,
    상기 공급부재는 서로 이격된 제1 몸체와 제2 몸체를 포함하여 상기 제1 및 제2 몸체의 단부 사이에 상기 이격된 공간으로 상기 공정 유체가 토출되는 개구부가 형성된 적어도 하나 이상의 슬릿노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 슬릿노즐은 상기 공급관으로부터 분기된 라인에 대칭적으로 연결되며, 상호 대칭이 되는 방향으로 각각 상기 기판에 상기 공정 유체를 제공하면서 회전하는 제1 슬릿노즐과 제2 슬릿노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 공정 유체의 토출압을 조절할 수 있도록, 상기 제1 및 제2 몸체의 서로 마주보는 표면 중 적어도 한 면에 요철이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 공정 유체의 토출 방향을 조절할 수 있도록, 상기 제1 및 제2 몸체의 서로 마주보는 단부 중 적어도 한 표면에 돌기가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 서로 대향하는 기판의 양단부에서 상기 기판의 양면을 지지하여 고정하는 고정 프레임이 구비되어, 상기 기판을 상기 고정 프레임에 장착하는 기판 장착부;
    상기 고정 프레임을 이송받아 상기 기판에 대한 공정을 진행하는 공정 챔버; 및
    상기 공정이 진행된 기판을 상기 고정 프레임에서 탈착하는 기판 탈착부를 포함하며,
    상기 공정 챔버는,
    상기 공정 챔버 내부에 설치되며, 상기 고정 프레임에 작용하여 상기 고정 프레임을 상기 양단부의 길이 방향과 평행하게 이송하는 이송부; 및
    상기 양면으로부터 이격되게 설치되어 상기 기판으로 공정 유체를 제공하는 공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 고정 프레임을 상기 이송 방향을 기준으로 삼아 90° 회전하여 상기 공정 챔버에 제공하는 제1 위치 변환부와, 상기 고정 프레임을 상기 이송 방향을 기준으로 90° 회전하여 상기 기판 탈착부에 제공하는 제2 위치 변환부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  19. 제 17항에 있어서,
    상기 공정 챔버는,
    상기 기판을 식각하는 제1 공정 챔버;
    상기 기판을 세정하는 제2 공정 챔버; 및
    상기 기판을 건조하는 제3 공정 챔버를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100886024B1 (ko) * 2007-06-13 2009-02-26 송종호 기판 식각 장치
KR100889949B1 (ko) * 2008-04-10 2009-03-20 주식회사 엠엠테크 하향식 기판 박형화장치 및 이를 이용한 박형화 시스템
KR101009643B1 (ko) * 2008-07-16 2011-01-19 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 에칭 장치
KR101145776B1 (ko) * 2010-01-11 2012-05-16 세메스 주식회사 기판 세정 장치
KR101471096B1 (ko) * 2013-07-03 2014-12-09 주식회사 위스코하이텍 기판의 연마장치
KR20160142905A (ko) * 2015-06-03 2016-12-14 노바테크 (주) 유리 박형화용 지그
WO2019172534A1 (ko) * 2018-03-07 2019-09-12 (주)코텍 액정패널용 식각방법 및 액정패널용 식각장치

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080009579A (ko) * 2006-07-24 2008-01-29 삼성전자주식회사 식각 장치 및 방법
KR101387711B1 (ko) * 2007-04-10 2014-04-23 에프엔에스테크 주식회사 평판디스플레이 유리기판 에칭장치
DE102007046279A1 (de) * 2007-09-27 2009-04-09 Siemens Ag Betriebsverfahren für eine Kühlstrecke mit zentralisierter Erfassung von Ventilcharakteristiken und hiermit korrespondierende Gegenstände
JP5375280B2 (ja) * 2009-04-06 2013-12-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の製造方法、製造装置
CN102468118B (zh) * 2010-11-12 2015-04-22 北大方正集团有限公司 治具及清洗机
US9443819B2 (en) 2014-02-13 2016-09-13 Apple Inc. Clamping mechanism for processing of a substrate within a substrate carrier
US9859135B2 (en) 2014-12-19 2018-01-02 Applied Materials, Inc. Substrate rinsing systems and methods
WO2018138836A1 (ja) * 2017-01-26 2018-08-02 株式会社 電硝エンジニアリング ディスプレイ用電子基板の製造方法、ディスプレイ用電子基板の研磨方法および研磨装置
WO2018230457A1 (ja) * 2017-06-13 2018-12-20 シャープ株式会社 基板処理装置
KR101854670B1 (ko) 2017-12-29 2018-05-03 브니엘 네이처 주식회사 평판 필터 세정장치
DE102019102492A1 (de) * 2019-01-31 2020-08-06 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur Bearbeitung von Wafern
US12027382B2 (en) * 2021-12-03 2024-07-02 Applied Materials, Inc. Surface cleaning with directed high pressure chemistry

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3102532B2 (ja) * 1993-01-30 2000-10-23 住友金属工業株式会社 塗装装置
JP3395696B2 (ja) * 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
JP4484339B2 (ja) * 1999-08-14 2010-06-16 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド スクラバにおける背面エッチング
JP2005021894A (ja) * 1999-10-27 2005-01-27 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
JP4505563B2 (ja) * 2000-06-30 2010-07-21 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US6673195B2 (en) * 2001-03-30 2004-01-06 Industrial Technologies Research Institute Apparatus and method for etching glass panels
US7066107B2 (en) * 2001-08-28 2006-06-27 Hynix Semiconductor Manufacturing America Inc. Shielding system for plasma chamber
JP4002154B2 (ja) * 2002-08-13 2007-10-31 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示素子の製造方法およびその装置
US7771538B2 (en) * 2004-01-20 2010-08-10 Jusung Engineering Co., Ltd. Substrate supporting means having wire and apparatus using the same
JP4707959B2 (ja) * 2004-02-20 2011-06-22 日本エー・エス・エム株式会社 シャワープレート、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
KR100516849B1 (ko) * 2004-02-27 2005-09-27 고경완 습식에칭장치
JP3741708B2 (ja) * 2004-06-03 2006-02-01 株式会社テスコム フラットパネルディスプレイの製造方法、フラットパネルディスプレイ用ガラス基板の外面機械研磨装置
JP2006010947A (ja) * 2004-06-24 2006-01-12 Seiko Epson Corp 基板製造方法、基板洗浄方法及び基板洗浄装置、並びに電気光学基板、電気光学装置、及びこれを備えた電子機器
CN101615576B (zh) * 2004-07-19 2012-07-04 三星电子株式会社 基板处理设备及使用其的基板处理方法
KR101387711B1 (ko) * 2007-04-10 2014-04-23 에프엔에스테크 주식회사 평판디스플레이 유리기판 에칭장치
KR20090008945A (ko) * 2007-07-19 2009-01-22 삼성전자주식회사 기판 식각 장치

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100886024B1 (ko) * 2007-06-13 2009-02-26 송종호 기판 식각 장치
KR100889949B1 (ko) * 2008-04-10 2009-03-20 주식회사 엠엠테크 하향식 기판 박형화장치 및 이를 이용한 박형화 시스템
KR101009643B1 (ko) * 2008-07-16 2011-01-19 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 에칭 장치
US8308894B2 (en) 2008-07-16 2012-11-13 Samsung Display Co., Ltd. Substrate etching apparatus
KR101145776B1 (ko) * 2010-01-11 2012-05-16 세메스 주식회사 기판 세정 장치
KR101471096B1 (ko) * 2013-07-03 2014-12-09 주식회사 위스코하이텍 기판의 연마장치
KR20160142905A (ko) * 2015-06-03 2016-12-14 노바테크 (주) 유리 박형화용 지그
WO2019172534A1 (ko) * 2018-03-07 2019-09-12 (주)코텍 액정패널용 식각방법 및 액정패널용 식각장치

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