WO2004064129A1 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

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Hiroshi Tsukida
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Hirata Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing technique in the fields of liquid crystal, semiconductor, and the like. Background art
  • a liquid such as a cleaning liquid, a resist liquid, or a developing liquid is discharged onto a substrate, and each processing such as a cleaning processing, a resist coating or a developing processing is performed.
  • each processing such as a cleaning processing, a resist coating or a developing processing is performed.
  • the liquid is discharged onto the substrate in this way, if impurities such as organic contaminants are present on the substrate, the liquid is repelled by the effect of surface tension, which hinders uniform processing.
  • UV irradiation is performed to remove impurities on the substrate before discharging the liquid.
  • This UV irradiation treatment irradiates the substrate with ultraviolet rays, and can improve the wettability of each liquid on the substrate surface.
  • the UV irradiation process applies heat to the substrate, spots may be generated, for example, when this process is performed as a pre-process of the coating process using a coating solution. Further, since the UV irradiation treatment irradiates ultraviolet rays, the coating film may be exposed to light and cannot be used as a pre-process of the development processing. Furthermore, lamps used in the ultraviolet irradiation device are expensive consumables, and cost is also an issue. Disclosure of the invention
  • a substrate processing method comprising: a liquid discharging step of discharging a predetermined liquid onto a surface of a substrate; and a surface processing step of performing a surface treatment of the substrate as a pre-treatment of the liquid discharging step.
  • a substrate processing method wherein the surface of the substrate is irradiated with atmospheric pressure plasma.
  • the liquid discharging means for discharging a predetermined liquid onto the surface of the substrate, the irradiating means for irradiating the surface of the substrate with atmospheric pressure plasma, and the liquid discharging means and the irradiating means A substrate processing apparatus is provided, comprising: moving means for moving on a substrate.
  • FIG. 1A is a diagram showing a processing flow of a substrate processing method according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 1B and FIG. 1C are diagrams showing examples of the irradiation mode of the atmospheric pressure plasma.
  • FIG. 2A is a perspective view (partially broken) schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 10 according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2B is an end view along line XX of FIG. 2A.
  • 3A to 3C are explanatory diagrams of the operation at the time of substrate processing by the substrate processing apparatus 10.
  • 4A and 4B are explanatory diagrams of a case where a part of the substrate is irradiated with atmospheric pressure plasma.
  • FIG. 5 is a perspective view (partially cut away) schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 10 in a case where only predetermined regions at both ends of the substrate are irradiated with atmospheric pressure plasma.
  • FIG. 1A is a diagram showing a processing flow of a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
  • a liquid discharge is performed to discharge a predetermined liquid onto a surface of a substrate to be processed.
  • a cleaning process (S 2), a resist coating process (S 5), and a developing process (S 9) are set as the processes.
  • a pressure plasma irradiation process (S1, S4, S8) is set.
  • the substrate processing method of the present embodiment is applicable to the manufacture of liquid crystals and semiconductors, and examples of the substrate to be processed include a glass substrate and a semiconductor substrate.
  • the atmospheric pressure plasma irradiation process improves the wettability of the substrate surface by irradiating the substrate surface with atmospheric pressure plasma.
  • Atmospheric-pressure plasma applies, for example, an AC voltage to an inert gas or a mixed gas of an inert gas and a reactive gas under an atmospheric pressure or a pressure close to the atmospheric pressure to generate an atmospheric-pressure plasma. It can be generated by excitation.
  • the surface treatment of the substrate is performed by continuously irradiating the atmospheric pressure plasma thus generated onto the substrate. According to such an atmospheric pressure plasma, the plasma is converted into a vacuum plasma.
  • cleaning and surface modification of organic contaminants can be performed at low temperatures without damaging the irradiation target.
  • the present embodiment by irradiating atmospheric pressure plasma before discharging various liquids onto the substrate, surface treatment is performed to remove organic contaminants on the substrate, and the occurrence of spots and the like that are likely to occur when the liquid is discharged is performed. For example, in a coating process by discharging a resist solution, a developing solution, or the like, a more uniform result can be obtained, and more favorable results can be obtained.
  • the wettability of the cleaning liquid on the substrate surface can be improved, and the cleaning liquid can be cleaned more effectively without being repelled on the substrate surface. Become.
  • Atmospheric pressure plasma irradiation process (Sl, S4, S8)
  • the irradiation apparatus A capable of irradiating atmospheric pressure plasma with a width corresponding to the length and width of the substrate in the transverse direction is applied to the plasma while irradiating atmospheric pressure plasma.
  • the substrate may be moved in the longitudinal direction and scanned on the substrate, and the entire surface of the substrate may be irradiated with atmospheric pressure plasma.
  • an irradiation device B capable of irradiating the entire surface of the substrate with atmospheric pressure plasma is kept on standby above the substrate, and is lowered to near the substrate surface during processing so that atmospheric pressure plasma is applied at a time. The entire surface may be irradiated.
  • the irradiation with the atmospheric pressure plasma may be performed over the entire surface of the substrate or may be performed only partially.
  • irradiation with the atmospheric pressure plasma may be performed only at the discharge start point, or at the edge of the substrate.
  • the coating film is easily disturbed, for example, the coating film is likely to bulge due to poor wettability of its surface. Therefore, the coating may be performed on at least one predetermined region at each end of the substrate.
  • the cleaning step of S2 is a step of discharging a cleaning liquid such as pure water onto the substrate surface to wash away dust and the like on the substrate surface in preparation for the resist coating step of S5.
  • the dehydration baking step of S3 is a step of drying the substrate to which the cleaning liquid has adhered in the cleaning step of S2.
  • the resist coating step of S5 is a step of discharging a resist liquid onto the substrate surface to form a uniform resist film.
  • This resist coating step includes, for example, a spin coater method in which a resist liquid is discharged to the center of the substrate while rotating the substrate, and the resist liquid is applied to the entire substrate by centrifugal force to apply the resist liquid. It is possible to adopt a slot coating method or the like in which a single or a plurality of resist solution discharge nozzles are arranged so as to cross, and the resist solution is applied by moving the discharge nozzles along the substrate.
  • the soft bake step of S6 is a step of drying the resist film formed on the substrate in the resist coating step of S5.
  • the exposure step of S7 is, for example, a step of obtaining a desired pattern or the like by exposing a resist film after arranging a predetermined mask on a substrate.
  • the development processing step of S9 is a step of developing the resist film on the substrate surface by discharging a developing solution onto the substrate surface.
  • FIG. 2A is a perspective view (partially broken) schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 10 according to one embodiment of the present invention
  • FIG. 2B is an end view along line XX in FIG. 2A.
  • the substrate processing apparatus 10 includes a liquid discharger 11 that discharges various liquids such as a cleaning liquid, a resist liquid, and a developing liquid onto the surface of the substrate placed on the mounting table 10a, and a liquid discharger 11 that discharges various liquids onto the substrate surface.
  • An irradiator 12 for irradiating atmospheric pressure plasma, a mobile unit 13 for mounting a liquid discharger 11 and an irradiator 12 and moving these on a substrate are provided. This is an apparatus that performs processing. In the present embodiment, a rectangular substrate is to be processed. ⁇
  • the liquid discharger 11 is provided with a plurality of nozzles 11a arranged at the lower end thereof in the lateral direction of the substrate so as to face the substrate surface, and discharges various liquids from the nozzles 11a at a time. It is capable of discharging liquid for one line in the lateral direction of the substrate, and is, for example, a discharge machine used in a slot-co overnight system.
  • the irradiator 12 generates atmospheric pressure plasma inside the irradiator 12 and irradiates the plasma from its lower surface toward the substrate surface.
  • the mobile unit 13 is provided on a pair of drive units 13a that move along a pair of guide rails 14 arranged on both sides of the substrate, and on a guide plate 13a 'of each drive unit 13a.
  • the lift cylinder 15 and the liquid ejector 11 and the irradiator 12 are suspended between the lift cylinder 15 and the lift cylinder 15 so as to traverse the substrate in the transverse direction (the direction perpendicular to the moving direction).
  • the drive unit 13a runs on the guide rails 14 so that the liquid ejector 1 1 and the irradiator 1 2 are positioned on the substrate in the longitudinal direction of the substrate. In the direction.
  • the elevating cylinder 15 adjusts the distance between the liquid ejector 11 and the irradiator 12 with respect to the substrate by elevating the supporting portion 13b.
  • the irradiator 12 differs from the liquid discharger 11 in the direction of movement during processing, In other words, they are arranged in the traveling direction. With this arrangement, if the mobile device 13 is moved once in the longitudinal direction of the substrate, the atmospheric pressure plasma irradiation process and the liquid discharge process can be performed in parallel, and both can be performed substantially simultaneously. You can do it. Therefore, there is an advantage that the processing time can be reduced.
  • FIG. 3A to 3C are explanatory diagrams of the operation at the time of substrate processing by the substrate processing apparatus 10.
  • FIG. 3A shows a mode in which the irradiator 12 is arranged on the processing start end of the substrate, and the irradiator 12 irradiates the atmospheric pressure plasma onto the substrate.
  • the discharger 11 has not discharged liquid yet.
  • the mobile device 13 starts moving in the direction of the arrow in the figure, and when the discharge device 11 is placed on the start end of the substrate, the irradiator 12 continues to irradiate the atmospheric pressure plasma.
  • the discharger 11 also operates to discharge the liquid.
  • FIG. 3B shows a mode in which the discharger 11 and the irradiator 12 are moving in the center of the substrate, and both of them are operating.
  • FIG. 3C shows a state in which the mobile device 13 continues to move, and the discharging device 11 reaches the end of the processing on the end of the substrate.
  • the irradiator 12 is placed on the outside of the substrate, and the irradiation of the atmospheric pressure plasma has been completed.
  • the discharging device 11 also reaches the outside of the substrate, and discharge of the liquid is completed.
  • the atmospheric pressure plasma irradiation process and the liquid discharge process can be performed in parallel in this manner, and there is an advantage that the processing time can be reduced as compared with the case where these processes are performed separately.
  • the atmospheric pressure plasma is applied to the entire surface of the substrate, but may be applied to a part of the substrate.
  • the atmospheric pressure plasma may be applied only to a certain region X1 at the start end of the processing of the substrate where the unevenness is likely to occur, or a certain region X at the end end. 2 may also be irradiated.
  • the atmospheric pressure plasma is irradiated to predetermined regions Y at both ends of the substrate along the moving direction. It may be.
  • FIG. 5 is a perspective view (partially cut away) schematically showing the configuration of the substrate processing apparatus 10 in a case where only predetermined regions at both ends of the substrate are irradiated with the atmospheric pressure plasma.
  • two irradiators 12 ′ having a predetermined width are provided corresponding to both ends of the substrate.

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Abstract

本発明は、基板の表面に液体を吐出する処理において、より好適な結果が得られる基板処理技術を提供するものである。本発明は、基板の表面に洗浄液、レジスト液、現像液等の液体を吐出する液体吐出工程（Ｓ２、Ｓ５、Ｓ９）と、液体吐出工程の前処理として基板の表面処理を行う表面処理工程（Ｓ１、Ｓ４、Ｓ８）と、を含む基板処理方法において、表面処理工程（Ｓ１、Ｓ４、Ｓ８）では、基板の表面に大気圧プラズマを照射することを特徴とする。

Description

明 細 書
基板処理方法及び基板処理装置 技術分野
本発明は、 液晶、 半導体等の分野における基板の処理技術に関するもの である。 背景技術
液晶、 或いは、 半導体の製造においては、 基板に対して洗浄液、 レジス ト液、 或いは、 現像液等の液体が吐出され、 洗浄処理、 レジストコ一ト或 いは現像処理等の各処理が行われる。 このように基板上に液体を吐出する 場合、 基板上に有機汚染物等の不純物が存在すると表面張力の影響により 液体が弾かれて、 均一な処理の妨げとなる。
このため、 液体の吐出前に基板上の不純物を除去すべく、 UV照射処理 が行われている。 この UV照射処理は、 紫外線を基板上に照射するもので、 各液体の基板表面に対する濡れ性を改善することができる。
しかし、 UV照射処理は基板に熱を与えるため、 例えば、 塗布液による コーティング処理の前工程としてこれを行った場合、 斑が発生する場合が ある。 また、 UV照射処理は紫外線を照射するので、 塗膜を感光させるお それがあり、 現像処理の前工程としては用いることができない。 更に、 紫 外線の照射装置に用いられるランプ類は高価な消耗品であり、 コストも問 題となる。 発明の開示
本発明は上記従来技術の課題を解決するためになされたものであり、 そ の目的とするところは、 基板の表面に液体を吐出する処理において、 より 好適な結果が得られる技術を提供することにある。 本発明によれば、 基板の表面に所定の液体を吐出する液体吐出工程と、 前記液体吐出工程の前処理として基板の表面処理を行う表面処理工程と、 を含む基板処理方法において、 前記表面処理工程では、 前記基板の表面に 大気圧プラズマを照射することを特徴とする基板処理方法が提供される。 また、 本発明によれば、 基板の表面に所定の液体を吐出する液体吐出手 段と、 前記基板の表面に大気圧プラズマを照射する照射手段と、 前記液体 吐出手段と前記照射手段とを前記基板上で移動させる移動手段と、 を備え たことを特徴とする基板処理装置が提供される。 図面の簡単な説明
図 1 Aは、 本発明の一実施形態に係る基板処理方法の処理の流れを示す 図である。
図 1 B及び図 1 Cは、 大気圧プラズマの照射態様の例を示す図である。 図 2 Aは、 本発明の一実施形態に係る基板処理装置 1 0の構成の概略を 示す斜視図 （一部破断） である。
図 2 Bは図 2 Aの線 X Xに沿う端面図である。
図 3 A〜3 Cは、 基板処理装置 1 0による基板処理時の動作説明図であ る。
図 4 A及び 4 Bは、 基板の一部に大気圧プラズマを照射する場合の説明 図である。
図 5は、 基板の両端の所定の領域のみについて大気圧プラズマを照射す る場合の基板処理装置 1 0の構成の概略を示す斜視図 （一部破断） である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 図面を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。 図 1 Aは、 本発明の一実施形態に係る基板処理方法の処理の流れを示す図である。 図 1の例では、 処理対象となる基板の表面に所定の液体を吐出する液体吐出 工程として、 洗浄工程 （S 2 )、 レジスト塗布工程 （S 5 ) 及び現像処理 工程 （S 9 ) とが設定されており、 また、.これらの工程の前処理にあたる 基板の表面処理工程として、 大気圧プラズマ照射処理工程 （S l、 S 4、 S 8 ) が設定されている。 本実施形態の基板処理方法は、 液晶の製造、 半 導体の製造に適用可能であり、 処理される基板としては、 例えば、 ガラス 基板、 半導体のゥェ八等を挙げることができる。
大気圧プラズマ照射処理工程 （S l、 S 4、 S 8 ) は、 基板の表面に大 気圧プラズマを照射することで、 基板表面の濡れ性を改善するものである。 大気圧プラズマは、 例えば、 大気圧若しくはその近傍の圧力の下で、 不活 性ガス又は不活性ガスと反応性ガスとの混合ガスに対して交流電圧を印加 し、 大気圧グロ一放電プラズマを励起させることで発生することができる。 本実施形態では、 このようにして発生した大気圧プラズマを、 連続して基 板上に照射することで基板の表面処理を行うものであり、 このような大気 圧プラズマによれば、 真空プラズマに比して照射対象物を損傷することな く、 有機汚染物の洗浄や表面改質を低温で行うことができる。 また、 大気 圧プラズマの場合、 UV照射装置のランプのように頻繁に交換が必要な消 耗品がなく、 更に、 現像処理前に基板上に照射しても塗膜を感光させるこ とがないため、 基板の処理に好適である。
本実施形態では、 各種の液体を基板に吐出する前に大気圧プラズマを照 射することで、 基板上の有機汚染物を除去するといつた表面処理を行い、 液体吐出時に生じ易い斑の発生等を防止し、 例えば、 レジスト液や現像液 等の吐出によるコーティング処理においては均一な塗膜を得られる等、 よ り好適な結果を得ることができる。 また、 基板の洗浄前に大気圧プラズマ を照射することで、 基板表面に対する洗浄液の濡れ性を向上することがで き、 洗浄液が基板表面上ではじかれることなく、 より効果的な洗浄が可能 となる。
大気圧プラズマ照射処理工程 （S l、 S 4、 S 8 ) における大気圧ブラ ズマの照射態様としては、 例えば、 図 1 Bに示すように、 基板の短手方向 の長さ幅に対応する幅で大気圧プラズマが照射可能な照射装置 Aを、 大気 圧プラズマを照射しつつ基板の長手方向に移動して基板上をスキャンし、 基板表面全体に大気圧プラズマを照射してもよい。 また、 図 1 Cに示すよ うに基板表面全体に大気圧プラズマを照射可能な照射装置 Bを基板上方に 待機させておき、 処理時にこれを基板表面近傍まで降下させ、 一度に大気 圧プラズマを基板表面全体に照射するようにしてもよい。
なお、 大気圧プラズマの照射は基板表面の全体に渡って行ってもよいし、 一部のみ行ってもよい。 例えば、 基板上に液体を吐出する場合、 その吐出 開始箇所において特に斑等が生じ易いため、 吐出開始箇所のみに大気圧プ ラズマの照射を行ってもよいし、 また、 基板の端部においては、 その表面 の濡れ性が悪いために塗膜の盛り上がりを生じ易い等、 塗膜が乱れ易いの で、 基板の各端の少なくともいずれかの所定の領域について行ってもよい。 以下、 他の工程について説明する。 S 2の洗浄工程は、 S 5のレジスト 塗布工程の準備として、 基板表面に純水等の洗浄液を基板表面に吐出し、 基板表面の塵等を洗い流す工程である。 S 3のデハイドべーク工程は、 S 2の洗浄工程により洗浄液が付着した基板を乾燥する工程である。 S 5の レジスト塗布工程は、 基板表面にレジスト液を吐出し、 均一なレジスト膜 を形成する工程である。 このレジスト塗布工程は、 例えば、 基板を回転さ せつつ基板の中心にレジスト液を吐出し、 遠心力にてレジスト液を基板全 体に流動させて塗布するスピンコータ方式や、 静止させた基板上を横断す るようにレジスト液の吐出ノズルを単数若しくは複数配置し、 該吐出ノズ ルを基板に沿つて移動させることでレジスト液の塗布を行うスロットコー 夕方式等を採用可能である。 また、 スロットコ一夕方式による塗布処理の 後に、 更に、 レジスト液が塗布された基板をスピンコ一夕方式の装置に搬 送してレジスト液の塗膜の均一化を行うようにしてもよい。 なお、 この場 合、 スピンコ一夕方式の装置においてはレジス卜液を吐出する必要はない。 S 6のソフトベーク工程は、 S 5のレジスト塗布工程で基板上に形成し たレジスト膜を乾燥させる工程である。 S 7の露光工程は、 例えば、 所定 のマスクを基板上に配置した上でレジスト膜を露光することで、 目的とす るパターン等を得る工程である。 S 9の現像処理工程は、 基板表面に現像 液を吐出することで基板表面のレジスト膜を現像する工程である。
次に、 本発明の基板処理装置について説明する。 図 2 Aは、 本発明の一 実施形態に係る基板処理装置 1 0の構成の概略を示す斜視図 （一部破断）、 図 2 Bは図 2 Aの線 XXに沿う端面図である。 基板処理装置 1 0は、 載置 台 1 0 a上に載置された基板の表面に洗浄液、 レジスト液、 現像液等の各 種液体を吐出する液体吐出機 1 1と、 基板の表面に大気圧プラズマを照射 する照射機 1 2と、 液体吐出機 1 1と照射機 1 2とを搭載して、 これらを 基板上で移動させる移動機 1 3と、 を備え、 基板を静止させた状態で処理 を実行する形態の装置である。 本実施形態では、 方形の基板を処理対象と している。 ·
液体吐出機 1 1は、 その下端において、 基板表面に対向するように基板 の短手方向に複数配設されたノズル 1 1 aを備え、 このノズル 1 1 aから 各種液体を吐出し、 一度に基板の短手方向の 1ライン分だけ液体の吐出が 可能なものであり、 例えば、 スロットコ一夕方式に用いられる吐出機であ る。 照射機 1 2は、 その内部で大気圧プラズマを発生し、 これをその下面 から基板表面に向けて照射するものである。
移動機 1 3は、 基板の両側に配置された一対の案内レール 1 4に沿って 移動する 1対の駆動部 1 3 aと、 各駆動部 1 3 aのガイド板 1 3 a ' 上に 設けられた昇降シリンダ 1 5と、 基板を短手方向に横断するように （移動 方向に直交する方向） 昇降シリンダ 1 5間に連結されると共に、 液体吐出 機 1 1と照射機 1 2とを吊り下げるようにして支持する支持部 1 3 bと、 からなり、 駆動部 1 3 aが案内レール 1 4を走行することで、 液体吐出機 1 1と照射機 1 2とを基板上で基板の長手方向に移動させるものである。 また、 昇降シリンダ 1 5は、 支持部 1 3 bを昇降することで、 基板に対す る液体吐出機 1 1及び照射機 1 2の間隔を調整する。
ここで、 液体吐出機 1 1と照射機 1 2との配置関係について説明すると、 本実施形態の場合、 液体吐出機 1 1に対して照射機 1 2が、 処理時におけ るこれらの移動方向、 換言すれば、 その進行方向に配置されている。 この 配置により、 移動機 1 3を、 基板の長手方向に一度移動させれば、 大気圧 プラズマ照射処理工程と液体吐出工程とを並行して行うことができ、 両者 を実質的に同時に行うことができることになる。 このため、 処理時間を短 縮できるという利点がある。
図 3 A乃至 3 Cは、 基板処理装置 1 0による基板処理時の動作説明図で ある。 図 3 Aは、 照射機 1 2が、 基板の端部のうち処理の開始端部上に配 置されている態様を示しており、 照射機 1 2により大気圧プラズマが基板 上に照射されている一方、 吐出機 1 1は未だ液体を吐出していない。 次に、 移動機 1 3が図の矢印の方向に移動を開始して、 吐出機 1 1が基板の開始 端部上に配置されると、 照射機 1 2が大気圧プラズマの照射を継続する一 方で、 吐出機 1 1も稼動して液体を吐出する。 . 図 3 Bは、 吐出機 1 1及び照射機 1 2が基板の中央を移動している態様 を示しており、 これらの双方が稼動している。 その後、 移動機 1 3が移動 を継続し、 吐出機 1 1が、 基板の端部のうち処理の終了端部上に至った態 様を示すのが図 3 Cである。 同図において、 照射機 1 2は基板外上へ配置 されており大気圧プラズマの照射を終了している。 この後、 移動機 1 3が 更に移動すると、 吐出機 1 1も基板外上へ至り、 液体の吐出を終了するこ とになる。
本実施形態では、 このように大気圧プラズマ照射処理工程と液体吐出ェ 程とを並行して行うことができ、 これらを別々に行う場合よりも処理時間 を短縮できるという利点がある。 なお、 図 3 A乃至 3 Cの例では、 基板表 面全体に渡つて大気圧プラズマを照射することにしたが、 一部でもよい。 この場合は、 例えば、 図 4 Aに示すように、 斑が生じ易い基板の処理の開 始端の一定の領域 X 1についてのみ大気圧プラズマを照射してもよいし、 終了端の一定の領域 X 2についても併せて照射してもよい。 更に、 吐出機 1 1及び照射機 1 2が基板上を移動するに際し、 図 4 Bに示すように、 そ の移動方向に沿う基板の両端の所定の領域 Yについて大気圧プラズマを照 射するようにしてもよい。
このように、 基板の両端の所定の領域について大気圧プラズマを照射す る場合、 照射機 1 2は、 基板の短手方向に渡って一様に設けられている必 要はない。 図 5は、 基板の両端の所定の領域のみについて大気圧プラズマ を照射する場合の基板処理装置 1 0の構成の概略を示す斜視図 （一部破断 ) である。 同図に示す例では、 図 2 Aの例の場合と異なり、 照射機 1 2 ' は、 基板の両端部に対応して所定幅のものが 2つ設けられている。

Claims

請求の範囲
1 . 基板の表面に所定の液体を吐出する液体吐出工程と、
前記液体吐出工程の前処理として基板の表面処理を行う表面処理工程と、 を含む基板処理方法において、
前記表面処理工程では、 前記基板の表面に大気圧プラズマを照射するこ とを特徴とする基板処理方法。
2 . 前記液体吐出工程が、
前記所定の液体として洗浄液を前記基板の表面に吐出する工程、 前記所 定の液体としてレジスト液を前記基板の表面に吐出する工程、 又は、 前記 所定の液体として現像液を前記基板の表面に吐出する工程、 の少なくとも いずれかであることを特徴とする請求項 1に記載の基板処理方法。
3 . 前記表面処理工程では、 前記基板の各端の少なくともいずれかの所 定の領域について前記大気圧プラズマを照射することを特徴とする請求項 1に記載の基板処理方法。
4. 基板の表面に所定の液体を吐出する液体吐出手段と、
前記基板の表面に大気圧プラズマを照射する照射手段と、
前記液体吐出手段と前記照射手段とを前記基板上で移動させる移動手段 と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
5 . 前記液体吐出手段と前記照射手段とは、 前記液体吐出手段に対して、 前記照射手段がその移動方向に配置されたことを特徴とする請求項 4に記 載の基板処理装置。
6 . 前記照射手段は、
前記基板の一端から他端に移動するに際し、 前記基板の一端及び他端の 所定の領域について前記大気圧プラズマを照射することを特徴とする請求 項 5に記載の基板処理装置。
7 . 前記照射手段は、
その移動方向に沿う前記基板の両端の所定の領域について前記大気圧プ ラズマを照射することを特徴とする請求項 5に記載の基板処理装置。
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