JP2008293839A - ワーク処理装置 - Google Patents

ワーク処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008293839A
JP2008293839A JP2007139174A JP2007139174A JP2008293839A JP 2008293839 A JP2008293839 A JP 2008293839A JP 2007139174 A JP2007139174 A JP 2007139174A JP 2007139174 A JP2007139174 A JP 2007139174A JP 2008293839 A JP2008293839 A JP 2008293839A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma
plasma generator
workpiece
work
installation frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007139174A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4629068B2 (ja
Inventor
Ryuichi Iwasaki
龍一 岩崎
Hiroshi Mankawa
宏史 萬川
Shigeru Masuda
滋 増田
Hiroshi Hayashi
博史 林
Masaaki Mike
正明 三毛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Noritsu Koki Co Ltd
Original Assignee
Noritsu Koki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Noritsu Koki Co Ltd filed Critical Noritsu Koki Co Ltd
Priority to JP2007139174A priority Critical patent/JP4629068B2/ja
Priority to TW097113932A priority patent/TW200847854A/zh
Priority to KR1020080041243A priority patent/KR100996620B1/ko
Priority to US12/152,039 priority patent/US20080289577A1/en
Priority to CN2008100997039A priority patent/CN101312122B/zh
Publication of JP2008293839A publication Critical patent/JP2008293839A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4629068B2 publication Critical patent/JP4629068B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431Constructional details of the reactor
    • H01J37/32733Means for moving the material to be treated
    • H01J37/32752Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
    • H01J37/32761Continuous moving
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192Microwave generated discharge
    • H01J37/32311Circuits specially adapted for controlling the microwave discharge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】プラズマ発生部のメンテナンス作業を容易に行うことが可能なワーク処理装置を提供する。
【解決手段】このワーク処理装置Sは、供給される所定のガスをプラズマ化するプラズマ発生部18を有し、このプラズマ発生部18からプラズマ化したガスを放出するプラズマ発生装置6と、プラズマ発生部18の下方で処理対象であるワークWを支持する搬送装置2とを備え、ワークWに対してプラズマ化したガスを照射することにより所定の処理を施与するものであって、プラズマ発生部18がワークW上に位置するようにプラズマ発生装置6を据え付けるための据付枠4を備えている。そして、プラズマ発生装置6は、プラズマ発生部18がワークW上に配置される据付位置から水平方向に引き出し可能に据付枠4に対して取り付けられている。
【選択図】図1

Description

本発明は、被処理ワークに対してプラズマを照射して所定の処理を施与するワーク処理装置に関するものである。
従来、半導体基板等の被処理ワークに対してプラズマを照射し、その表面の有機汚染物の除去、表面改質、エッチング、薄膜形成又は薄膜除去等の処理を行うワーク処理装置が知られている。例えば、下記の特許文献1にそのようなワーク処理装置の一例が開示されている。この特許文献1に開示されたワーク処理装置は、供給される所定のガスをプラズマ化するためのプラズマ発生ノズルを有するプラズマ発生部を備えており、前記プラズマ発生ノズルでプラズマ化したガスを被処理ワークに照射してその被処理ワークに上記した各種処理を施与するように構成されている。また、このワーク処理装置では、移動機構を有するテーブルがプラズマ発生部の下方に設置されており、そのテーブル上に被処理ワークが載置されてプラズマ照射を受ける所定の位置に配置されるようになっている。
特開2003−197397号公報
ところで、上記のようなワーク処理装置では、プラズマ発生部の下方に前記テーブルが設置されていることに起因して、プラズマ発生ノズルの交換やプラズマ発生部の点検等のメンテナンスを行う際に前記テーブルが邪魔になってメンテナンス作業が行いにくいという問題点がある。
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、プラズマ発生部のメンテナンス作業を容易に行うことが可能なワーク処理装置を提供することである。
上記目的を達成するために、本発明によるワーク処理装置は、供給される所定のガスをプラズマ化するプラズマ発生部を有し、このプラズマ発生部からプラズマ化したガスを放出するプラズマ発生装置と、前記プラズマ発生部の下方で処理対象であるワークを支持する支持部とを備え、前記ワークに対して前記プラズマ化したガスを照射することにより所定の処理を施与するワーク処理装置であって、前記プラズマ発生部が前記ワーク上に位置するように前記プラズマ発生装置を据え付けるための据付枠を備え、前記プラズマ発生装置は、前記プラズマ発生部が前記ワーク上に配置される据付位置から水平方向に引き出し可能に前記据付枠に対して取り付けられている。
この構成では、プラズマ発生部がワーク上に配置される据付位置からプラズマ発生装置を水平方向に引き出すことができるので、ワークを支持する支持部上からプラズマ発生部が外れた位置にプラズマ発生装置を引き出して、支持部に邪魔されることなくプラズマ発生部のメンテナンスを行うことができる。これにより、プラズマ発生部のメンテナンス作業を容易に行うことができる。
上記ワーク処理装置において、前記据付枠は、水平方向に延びるガイドレールを有し、前記プラズマ発生装置は、前記据付位置から引き出される際に前記ガイドレール上を移動しながら当該プラズマ発生装置を前記ガイドレールに対して支える移動支持部材を有するのが好ましい。
このように構成すれば、ガイドレールと移動支持部材によりプラズマ発生装置を前記据付位置から水平方向に容易に引き出し可能な構造を構成することができる。これにより、前記ガイドレール及び移動支持部材を備えていないワーク処理装置に比べて、メンテナンス作業時にプラズマ発生装置の引き出しがより容易となるため、プラズマ発生部のメンテナンス作業をより容易に行うことができる。
この場合において、前記据付枠は、前記移動支持部材と係合することにより前記プラズマ発生装置を前記据付位置で保持する係合部を有するのが好ましい。
このように構成すれば、プラズマ発生装置が引き出し可能であっても、プラズマ発生装置が前記据付位置に配置されたときは、係合部によってプラズマ発生装置が前記据付位置から位置ずれを生じるのを防ぐことができる。従って、この構成では、プラズマ発生部のメンテナンス作業を容易に行えるようにしながら、プラズマ発生装置の据付位置からの位置ずれを防ぐことができる。
上記ワーク処理装置において、前記プラズマ発生装置には、前記プラズマ発生部にマイクロ波電力を供給する電源部が設けられている一方、前記据付枠には、前記プラズマ発生装置を制御する制御部が設けられているのが好ましい。
このように構成すれば、前記電源部及び前記制御部が両方ともプラズマ発生装置に設けられている構成に比べて、プラズマ発生装置の重量を軽減することができる。これにより、プラズマ発生装置を前記据付位置から引き出す際やプラズマ発生装置を据付枠に組み付ける際の作業負担を軽減することができる。
上記ワーク処理装置において、前記支持部は、前記ワークを支持しながら前記プラズマ発生部の下方に搬送する搬送装置からなり、前記プラズマ発生装置は、前記据付位置から前記搬送装置による前記ワークの搬送方向に対して交差する方向に引き出し可能に前記据付枠に取り付けられているのが好ましい。
この構成のように、前記支持部がプラズマ発生部の下方にワークを搬送する搬送装置からなる場合には、そのワークの搬送方向に交差する方向にプラズマ発生装置が引き出せることによって搬送装置上から外れた位置でプラズマ発生部のメンテナンスを行うことができる。従って、上記のように構成すれば、プラズマ発生部の下方にワークを搬送する搬送装置を備えたワーク処理装置において、プラズマ発生部のメンテナンスを容易に行うことができる。
以上説明したように、本発明によるワーク処理装置では、プラズマ発生部のメンテナンス作業を容易に行うことができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態によるワーク処理装置Sの全体構成を示す斜視図である。図2は、図1に示したワーク処理装置Sを構成するプラズマ発生装置6の斜視図である。図3は、図1に示したワーク処理装置Sにおいて据付枠4の係合部4eとプラズマ発生装置6のコロ部材21bとが係合した状態を示した図である。図4は、図3で示した係合部4eとコロ部材21bとが係合している部分を拡大して示した図である。図5は、据付枠4の係合部4eとプラズマ発生装置6のコロ部材21bとの係合が外れた状態を示した図3に対応する図である。なお、図1及び図2において、X−X方向を前後方向、Y−Y方向を左右方向、Z−Z方向を上下方向というものとし、−X方向を前方向、+X方向を後方向、−Yを左方向、+Y方向を右方向、−Z方向を下方向、+Z方向を上方向として説明する。
本実施形態によるワーク処理装置Sは、後述するプラズマ発生装置6のプラズマ発生部18において所定のガスをプラズマ化するとともに、そのプラズマ化したガスを処理対象であるワークWに照射して各種処理を施与するものである。このワーク処理装置Sは、図1に示すように、搬送装置2と、据付枠4と、プラズマ発生装置6と、制御部8と、操作部10とを備えている。
前記搬送装置2は、ワークWを支持しながら前記プラズマ発生装置6の後述するプラズマ発生部18の下方に搬送するものである。この搬送装置2は、その搬送方向が前後方向となるように設置されており、その搬送方向に沿って配置された複数の搬送ローラ2aを備えている。そして、搬送装置2は、図略の駆動手段を有しており、この駆動手段によって搬送ローラ2aを駆動することによってワークWを搬送するように構成されている。
ここで、処理対象となるワークWとしてはプラズマディスプレイパネルや半導体基板のような平型基板、電子部品が実装された回路基板等を例示することができる。また、平型形状でないパーツや組部品等も処理対象とすることができ、この場合は搬送ローラ2aに代えてベルトコンベア等を採用すればよい。
前記据付枠4は、前記プラズマ発生装置6の後述するプラズマ発生部18が前記搬送装置2に支持されたワークW上に位置するようにプラズマ発生装置6を据え付けるためのものであり、搬送装置2を幅方向(左右方向)に跨る門形に構成されている。具体的には、据付枠4は、右側脚部4aと、左側脚部4bと、一対の水平連結部4c,4cと、ガイドレール4dと、係合部4e(図3参照)とを有している。
前記右側脚部4aは搬送装置2の右側に立設されている一方、前記左側脚部4bは搬送装置2の左側に立設されており、これら右側脚部4aと左側脚部4bとによって据付枠4が設置面に対して支えられている。
そして、右側脚部4aは、底壁部4fと、前側壁部4gと、後側壁部4hと、一対の仕切壁4i,4jとを有している。底壁部4fは、右側脚部4aの下部に位置し、水平に配置されている。前側壁部4gは、底壁部4fの前端から上方に垂直に立設された部分であり、後側壁部4hは、底壁部4fの後端から上方に垂直に立設された部分である。一対の仕切壁4i,4jは、前側壁部4gと後側壁部4hの互いに対向する面間に水平に設置されているとともに、上下方向に所定の間隔をあけて配置されており、底壁部4f、前側壁部4g及び後側壁部4hによって囲まれた空間を上下に3つの空間に仕切っている。これら3つの空間は左右両側に開口している。
また、左側脚部4bは、箱型に構成されており、前後方向において前記右側脚部4aと略等しい寸法を有している。
前記一対の水平連結部4c,4cは、左右方向に水平に延びるとともに、搬送装置2の上方において右側脚部4aと左側脚部4bを相互に連結している。そして、この一対の水平連結部4c,4cは、前後方向に所定の間隔を隔てて配設されており、一方の水平連結部4cが右側脚部4aの前側壁部4gの上端部と左側脚部4bの前側の壁部の上端部とを連結している一方、他方の水平連結部4cが右側脚部4aの後側壁部4hの上端部と左側脚部4bの後側の壁部の上端部とを連結している。
前記ガイドレール4dは、前記搬送装置2に支持されたワークW上に後述するプラズマ発生部18が配置される据付位置に前記プラズマ発生装置6が配設された状態では、そのプラズマ発生装置6の前後方向における両端部を下方から支える一方、後述するようにプラズマ発生装置6が前記据付位置から引き出される際には後述のコロ部材21bがその上を転がるレールとして機能する。このガイドレール4dは、前記両水平連結部4c,4cの互いに対向する側面にそれぞれ設置されており、両ガイドレール4d,4dは等しい高さ位置に配設されている。そして、各ガイドレール4dは、水平連結部4cと平行、すなわち左右方向に水平に延びているとともに、水平連結部4cの長手方向の全域に亘って設けられている。
前記係合部4eは、図3及び図4に示すように、前記プラズマ発生装置6の後述する移動支持部材20のコロ部材21bと係合することによりプラズマ発生装置6を前記据付位置で保持するものである。この係合部4eは、左側脚部4bの前側の壁部と後側の壁部の互いに対向する面の上部にそれぞれ取り付けられている。各係合部4eは、細長い板体からなり、左右方向に水平に延びる水平部4kと、その水平部4kの右端部から上方へ垂直に突設された突出部4mとを有している。そして、各係合部4eは、突出部4mの右側面が対応するガイドレール4dの左端面に接するとともに、突出部4mの上面が対応するガイドレール4dの上面と面一になるように設置されている。
また、水平部4kの上面の前記突出部4mに近接した位置には円弧状の凹部4nが設けられている。この凹部4nは、プラズマ発生装置6が前記据付位置に配置されたときに後述する移動支持部材20のコロ部材21bの小径部21fが嵌り込む部分であり、そのコロ部材21bの小径部21fに対応した大きさに形成されている。
前記プラズマ発生装置6は、マイクロ波を利用して常温常圧でのプラズマ発生が可能な装置である。このプラズマ発生装置6は、図1に示すように、その長手方向が左右方向に一致するように配置されており、前記搬送装置2の上方に当該搬送装置2によるワークWの搬送方向と直交するように配置されている。そして、このプラズマ発生装置6は、前記据付位置から水平方向に右側へ引き出し可能に据付枠4に対して取り付けられている。
具体的には、プラズマ発生装置6は、図2に示すように、本体フレーム12と、電源部14と、一対の導波管16,16と、プラズマ発生部18と、一対の移動支持部材20,20と、引上部22とを有している。
前記本体フレーム12は、プラズマ発生装置6のフレームであり、電源収容部12aと、一対の支持枠部12b,12bと、連結桟12cとを有している。
電源収容部12aは、プラズマ発生装置6の右端部に設けられた箱型の部分であり、その内部に前記電源部14が収容されている。
一対の支持枠部12b,12bは、前記据付位置にプラズマ発生装置6が配設された状態で据付枠4のガイドレール4dに対してプラズマ発生装置6を支える部分である。各支持枠部12bは、プラズマ発生装置6の前端と後端とにそれぞれ配置されており、互いに平行で、かつ、左右方向に水平に延びている。
連結桟12cは、両支持枠部12b,12bの中間部同士を繋いで一体化している。
前記電源部14は、プラズマ発生部18にマイクロ波電力を供給するものであり、プラズマ発生装置6の右端の前記電源収容部12a内に設けられている。この電源部14は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置14aを有しており、このマイクロ波発生装置14aで発生させた所定波長のマイクロ波、例えば約2.5GHzのマイクロ波を導波管16の内部へ放出するように構成されている。
前記一対の導波管16,16は、マイクロ波発生装置14aにより発生されたマイクロ波をプラズマ発生部18へ向けて、その長手方向に伝搬させるものである。各導波管16は、例えば非磁性金属(アルミニウム等)からなり、断面矩形の長尺管状を呈している。両導波管16,16は、左右方向に水平に延びているとともに、前後方向に所定間隔をあけて互いに平行に配置されている。そして、各導波管16の右端側から前記マイクロ波発生装置14aにより放出されたマイクロ波が導入されるようになっている。
また、各導波管16の上面板には、後述するプラズマ発生ノズル18aの内部導電体を交換するための交換口16aが各プラズマ発生ノズル18aに対応する位置にそれぞれ設けられている。各交換口16aの上部は蓋部16bによって閉じられるようになっており、内部導電体の交換の際には、この蓋部16bを外して交換口16aを通じて内部導電体を交換する。
前記プラズマ発生部18は、供給される所定のガスをプラズマ化する部分であり、前記各導波管16の下面板(ワークWとの対向面)に、左右方向へ所定間隔で一列に整列して突設されたプラズマ発生ノズル18aを具備して構成されている。このプラズマ発生ノズル18aは、図略の内部導電体と外部導電体とを有している。内部導電体は、良導電性の金属から構成された棒状の導電体からなり、その上端部側が導波管16の下面板を貫通して導波管16内に突出している。この内部導電体と導波管16とは絶縁されている。また、外部導電体は、略円筒状の導電体からなり、内部導電体の周りを囲むように配置されている。この外部導電体は、導波管16と導通状態(同電位)にある。また、外部導電体と内部導電体の間の空間には、所定の処理ガス、例えば酸素ガスや空気のような酸素形の処理ガスが供給されるようになっている。
そして、内部導電体の上端部側によってマイクロ波電力が受信されて当該内部導電体に給電が行われると、内部導電体と外部導電体の下端部近傍に電界集中部が形成される。この状態で前記処理ガスが内部導電体と外部導電体の間の空間に供給されると、処理ガスが励起されて内部導電体の下端部付近においてプラズマが発生する。このようにプラズマ化された処理ガスは、供給されるガス流によりプルームとしてプラズマ発生ノズル18aの下端から放射される。このプラズマ化されて放射されたガスによりワークWに所定の処理、例えば有機物の分解や除去、レジスト除去、表面クリーニング、表面改質または薄膜形成等の処理が施与される。
前記一対の移動支持部材20,20は、プラズマ発生装置6が前記据付位置から引き出される際に前記ガイドレール4d上を長手方向に移動しながらプラズマ発生装置6をガイドレール4dに対して支えるものである。
具体的には、各移動支持部材20は、図4に示すように、前記本体フレーム12の支持枠部12b,12bの左端部にそれぞれ取り付けられている。そして、各移動支持部材20は、取付部21aとコロ部材21bを備えている。
取付部21aは、コロ部材21bを本体フレーム12に取り付けるための部材である。この取付部21aは、支持枠部12bの左端部の前記プラズマ発生装置6の幅方向における内側面に取り付けられている。そして、取付部21aは、下方に突出した基部21cと、この基部21cの下端部から前記プラズマ発生装置6の幅方向における外側へ突出する軸部21dとを有している。
コロ部材21bは、前記取付部21aの軸部21dに回転可能に取り付けられている。移動支持部材20では、プラズマ発生装置6が前記据付位置から引き出される際にこのコロ部材21bが前記ガイドレール4d上を転がりながらプラズマ発生装置6を前記ガイドレール4dに対して支えるようになっている。コロ部材21bは、大径部21eと、その大径部21eと同軸に配置された小径部21fとを一体に有している。前記小径部21fは、前記大径部21eからプラズマ発生装置6の幅方向外側へ向かって突出するように設けられている。
そして、プラズマ発生装置6が前記据付位置に配置されたときには、コロ部材21bの小径部21fが係合部4eの凹部4nに嵌り込むことによってコロ部材21bが係合部4eと係合し、プラズマ発生装置6が前記据付位置で保持されるように構成されている。すなわち、コロ部材21bの小径部21fが係合部4eの凹部4nに嵌り込むことによって、プラズマ発生装置6の水平方向への移動が規制され、プラズマ発生装置6が前記据付位置で仮固定されるようになっている。
一方、プラズマ発生装置6を前記据付位置から引き出すときには、プラズマ発生装置6の左端部を引き上げてコロ部材21bの小径部21fを係合部4eの凹部4nから離脱させ、ガイドレール4d上に小径部21fを乗せる。これにより、プラズマ発生装置6を右側へ水平に引っ張れば、コロ部材21bの小径部21fがガイドレール4d上を転がりながらプラズマ発生装置6を据付枠4に対して引き出せるようになる。
また、前記引上部22は、前記一対の取付部21a,21aの基部21c,21c間に前後方向に水平に架設された棒状の部材である。この引上部22は、前記コロ部材21bを係合部4eの凹部4nから離脱させるときに作業者が把持してプラズマ発生装置6の左端部を引き上げるためのものである。
前記制御部8は、図1に示すように、据付枠4の右側脚部4aの仕切壁4i,4j間の空間に設置されており、プラズマ発生装置6及びその他各部の制御を行うものである。例えば、制御部8は、マイクロ波発生装置14aによるマイクロ波発生の動作制御、プラズマ発生部18の各プラズマ発生ノズル18aへ供給する処理ガスの流量制御、搬送装置2の搬送ローラ2aを駆動する駆動モータの動作制御及びワーク処理装置Sを構成する各部の動作を連動させて制御する全体制御等を行う。
前記操作部10は、前記制御部8に対して所定の操作信号を与えるものである。この操作部10は、前記右側脚部4aに隣接した位置に設置されており、前記制御部8と電気的に接続されている。
次に、プラズマ発生部18のメンテナンス時に行う操作について説明する。
まず、プラズマ発生装置6が前記据付位置に配置され、図3に示すように、コロ部材21bが係合部4eの凹部4nに嵌り込んでいる状態から、作業者が引上部22を把持してプラズマ発生装置6の左端部を引き上げるとともに右側に押す。これにより、図5に示すように、コロ部材21bの小径部21f(図4参照)が係合部4eの凹部4nから離脱し、ガイドレール4d上に乗る。
この操作によって、プラズマ発生装置6の電源収容部12aが据付枠4の右側脚部4aから右側に突出するので、その突出した電源収容部12aを台車等に載せて支える。この後、プラズマ発生装置6を水平に右側へ引き出す。この際、移動支持部材20のコロ部材21bがガイドレール4d上を転がりながらプラズマ発生装置6の左端部をガイドレール4dに対して支える。このようにプラズマ発生装置6を引き出す際にコロ部材21bの転がりを利用することができるので、小さな力でプラズマ発生装置6を引き出すことができる。
そして、プラズマ発生部18が搬送装置2上から外れて作業しやすい位置までプラズマ発生装置6を引き出したところで停止させ、プラズマ発生部18のメンテナンス作業、すなわちプラズマ発生ノズル18aの交換やプラズマ発生部18の点検等を行う。
そして、メンテナンス作業が終了したら、上記と逆の操作によりプラズマ発生装置6を据付枠4に対して前記据付位置まで押し込む。そして、プラズマ発生装置6が前記据付位置まで移動すると、移動支持部材20のコロ部材21bの小径部21fがガイドレール4d上から係合部4eの突出部4mの上面を通って凹部4nに嵌り込む。これにより、係合部4eとコロ部材21bが係合し、プラズマ発生装置6が前記据付位置で保持される。
以上のようにして、ワーク処理装置Sにおけるプラズマ発生部18のメンテナンス作業が行われる。
以上説明したように、本実施形態では、搬送装置2に支持されたワークW上にプラズマ発生部18が配置される据付位置から、プラズマ発生装置6が水平方向で、かつ、搬送装置2によるワークWの搬送方向に対して直交する方向に引き出し可能に据付枠4に取り付けられているので、搬送装置2上からプラズマ発生部18が外れた位置にプラズマ発生装置6を引き出して、搬送装置2に邪魔されることなくプラズマ発生部18のメンテナンスを行うことができる。これにより、プラズマ発生部18のメンテナンス作業を容易に行うことができる。
また、本実施形態では、プラズマ発生装置6が前記据付位置から引き出される際に据付枠4のガイドレール4d上を移動しながら当該プラズマ発生装置6の左端部を前記ガイドレール4dに対して支える移動支持部材20を有するので、ガイドレール4dと移動支持部材20によりプラズマ発生装置6を前記据付位置から水平方向に容易に引き出し可能な構造を構成することができる。これにより、前記ガイドレール4d及び移動支持部材20を備えていないワーク処理装置に比べて、メンテナンス作業時にプラズマ発生装置6の引き出しが容易となるため、プラズマ発生部18のメンテナンス作業をより容易に行うことができる。
さらに、本実施形態では、移動支持部材20が、前記据付位置からプラズマ発生装置6が引き出される際にガイドレール4d上を転がりながらプラズマ発生装置6をガイドレール4dに対して支えるコロ部材21bを有するので、コロ部材21bの転がりを利用してプラズマ発生装置6を前記据付位置から小さな力で引き出すことができる。これにより、メンテナンス作業時にプラズマ発生装置6の引き出しをより容易に行うことができる。
また、本実施形態では、プラズマ発生装置6の移動支持部材20のコロ部材21bと係合することによりプラズマ発生装置6を前記据付位置で保持する係合部4eが据付枠4に設けられているので、プラズマ発生装置6が引き出し可能であっても、プラズマ発生装置6が前記据付位置に配置されたときは、係合部4eによってプラズマ発生装置6が前記据付位置から位置ずれを生じるのを防ぐことができる。従って、プラズマ発生部18のメンテナンス作業を容易に行えるようにしながら、プラズマ発生装置6の前記据付位置からの位置ずれを防ぐことができる。
また、本実施形態では、プラズマ発生部18にマイクロ波電力を供給するための電源部14がプラズマ発生装置6に設けられている一方、プラズマ発生装置6を制御する制御部8が据付枠4に設けられているので、電源部14及び制御部8が両方ともプラズマ発生装置6に設けられている構成に比べて、プラズマ発生装置6の重量を軽減することができる。これにより、プラズマ発生装置6を前記据付位置から引き出す際やプラズマ発生装置6を据付枠4に組み付ける際の作業負担を軽減することができる。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。
例えば、上記実施形態では、プラズマ発生部18の下方でワークWを支持する支持部を搬送装置2によって構成した例について説明したが、本発明はこの構成に限らない。すなわち、プラズマ発生部18の下方においてワークWを固定もしくは静止させた状態で支持する支持部を設け、この支持部で支持されたワークWに対してプラズマ照射を行う形態でも本発明を同様に適用することが可能である。
また、上記実施形態では、移動支持部材20として、ガイドレール4d上を転がりながらプラズマ発生装置6をガイドレール4dに対して支えるコロ部材21bを備えたものを用いたが、これ以外の種々の構成の移動支持部材を用いてもよい。例えば、ガイドレール4d上を長手方向に滑りながらプラズマ発生装置6をガイドレール4dに対して支えるスライド部材を備えた移動支持部材や、その他の構成の移動支持部材を用いてもよい。
本発明の一実施形態によるワーク処理装置の全体構成を示す斜視図である。 図1に示したワーク処理装置を構成するプラズマ発生装置の斜視図である。 図1に示したワーク処理装置において据付枠の係合部とプラズマ発生装置のコロ部材とが係合している状態を示した図である。 図3で示した係合部とコロ部材とが係合している部分を拡大して示した図である。 据付枠の係合部とプラズマ発生装置のコロ部材との係合が外れた状態を示した図3に対応する図である。
符号の説明
2 搬送装置(支持部)
4 据付枠
4d ガイドレール
4e 係合部
6 プラズマ発生装置
8 制御部
14 電源部
18 プラズマ発生部
20 移動支持部材
W ワーク
S ワーク処理装置

Claims (5)

  1. 供給される所定のガスをプラズマ化するプラズマ発生部を有し、このプラズマ発生部からプラズマ化したガスを放出するプラズマ発生装置と、前記プラズマ発生部の下方で処理対象であるワークを支持する支持部とを備え、前記ワークに対して前記プラズマ化したガスを照射することにより所定の処理を施与するワーク処理装置であって、
    前記プラズマ発生部が前記ワーク上に位置するように前記プラズマ発生装置を据え付けるための据付枠を備え、
    前記プラズマ発生装置は、前記プラズマ発生部が前記ワーク上に配置される据付位置から水平方向に引き出し可能に前記据付枠に対して取り付けられている、ワーク処理装置。
  2. 前記据付枠は、水平方向に延びるガイドレールを有し、
    前記プラズマ発生装置は、前記据付位置から引き出される際に前記ガイドレール上を移動しながら当該プラズマ発生装置を前記ガイドレールに対して支える移動支持部材を有する、請求項1に記載のワーク処理装置。
  3. 前記据付枠は、前記移動支持部材と係合することにより前記プラズマ発生装置を前記据付位置で保持する係合部を有する、請求項2に記載のワーク処理装置。
  4. 前記プラズマ発生装置には、前記プラズマ発生部にマイクロ波電力を供給する電源部が設けられている一方、前記据付枠には、前記プラズマ発生装置を制御する制御部が設けられている、請求項1〜3のいずれか1項に記載のワーク処理装置。
  5. 前記支持部は、前記ワークを支持しながら前記プラズマ発生部の下方に搬送する搬送装置からなり、
    前記プラズマ発生装置は、前記据付位置から前記搬送装置による前記ワークの搬送方向に対して交差する方向に引き出し可能に前記据付枠に取り付けられている、請求項1〜4のいずれか1項に記載のワーク処理装置。
JP2007139174A 2007-05-25 2007-05-25 ワーク処理装置 Expired - Fee Related JP4629068B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007139174A JP4629068B2 (ja) 2007-05-25 2007-05-25 ワーク処理装置
TW097113932A TW200847854A (en) 2007-05-25 2008-04-17 Workpiece processing apparatus
KR1020080041243A KR100996620B1 (ko) 2007-05-25 2008-05-02 워크 처리 장치
US12/152,039 US20080289577A1 (en) 2007-05-25 2008-05-12 Workpiece processing apparatus
CN2008100997039A CN101312122B (zh) 2007-05-25 2008-05-21 工件处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007139174A JP4629068B2 (ja) 2007-05-25 2007-05-25 ワーク処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008293839A true JP2008293839A (ja) 2008-12-04
JP4629068B2 JP4629068B2 (ja) 2011-02-09

Family

ID=40071218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007139174A Expired - Fee Related JP4629068B2 (ja) 2007-05-25 2007-05-25 ワーク処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20080289577A1 (ja)
JP (1) JP4629068B2 (ja)
KR (1) KR100996620B1 (ja)
CN (1) CN101312122B (ja)
TW (1) TW200847854A (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003051490A (ja) * 2001-08-03 2003-02-21 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2004148282A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
WO2004064129A1 (ja) * 2003-01-15 2004-07-29 Hirata Corporation 基板処理方法及び基板処理装置
JP2004228136A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
WO2006014862A2 (en) * 2004-07-30 2006-02-09 Amarante Technologies, Inc. Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation
JP2006035045A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5378170A (en) * 1976-12-22 1978-07-11 Toshiba Corp Continuous processor for gas plasma etching
DE69929271T2 (de) 1998-10-26 2006-09-21 Matsushita Electric Works, Ltd., Kadoma Apparat und Verfahren zur Plasmabehandlung
US6222155B1 (en) * 2000-06-14 2001-04-24 The Esab Group, Inc. Cutting apparatus with thermal and nonthermal cutters, and associated methods
JP4244176B2 (ja) 2002-10-25 2009-03-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US6827075B1 (en) * 2002-11-20 2004-12-07 Robert Bellospirito Apparatus for burning stone
JP2006134829A (ja) 2004-11-09 2006-05-25 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003051490A (ja) * 2001-08-03 2003-02-21 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP2004148282A (ja) * 2002-11-01 2004-05-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置
WO2004064129A1 (ja) * 2003-01-15 2004-07-29 Hirata Corporation 基板処理方法及び基板処理装置
JP2004228136A (ja) * 2003-01-20 2004-08-12 Sekisui Chem Co Ltd プラズマ処理装置
JP2006035045A (ja) * 2004-07-23 2006-02-09 Seiko Epson Corp プラズマ処理装置、プラズマ処理方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器
WO2006014862A2 (en) * 2004-07-30 2006-02-09 Amarante Technologies, Inc. Plasma nozzle array for providing uniform scalable microwave plasma generation

Also Published As

Publication number Publication date
US20080289577A1 (en) 2008-11-27
CN101312122A (zh) 2008-11-26
KR20080103899A (ko) 2008-11-28
CN101312122B (zh) 2010-07-21
KR100996620B1 (ko) 2010-11-25
JP4629068B2 (ja) 2011-02-09
TW200847854A (en) 2008-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW480592B (en) Vacuum processing apparatus for semiconductor process
JP2009224432A (ja) プラズマ処理装置
WO2015071951A1 (ja) 物品収納設備(article storage facility)
JP5704944B2 (ja) 基板作業装置
JP2007111586A (ja) 清掃装置
US20140332583A1 (en) Wire bonding apparatus
JP4629068B2 (ja) ワーク処理装置
JPH11220001A (ja) 半導体基板処理装置におけるロードポート及びロードポート搬送台車
JP4872634B2 (ja) 接着剤塗布機ユニット
KR20080021325A (ko) 기판 로딩/언로딩 장치 및 그 구동방법
JP2008184240A (ja) マンコンベアの制御盤装置
JP2006210767A (ja) 基板処理装置
WO2005087970A1 (ja) 真空蒸着装置
JP5970233B2 (ja) 部品実装装置
KR101441482B1 (ko) 전동식 캐리어 이송대차
JP4853262B2 (ja) 接着剤塗布機ユニット
KR20170105744A (ko) 수직형 기판 현상장치
JP2003170571A (ja) マスクの洗浄装置
WO2017077956A1 (ja) コンベア装置
JP2007284203A (ja) 搬送設備
JP4525929B2 (ja) ワーク処理装置
KR100363902B1 (ko) 표면실장장치 및 그 방법
JP2010013009A (ja) 走行車システム
JP2012035948A (ja) 搬送車システム
JP4997268B2 (ja) 仕切りパネル搬送装置及び仕切り装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100706

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100810

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100831

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101102

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20101110

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees