JP2009224432A - プラズマ処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】処理チャンバを効率的にメンテナンスすることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、下部チャンバ１２及び上部チャンバ１３を有する処理チャンバ１１と、シリコン基板Ｋが載置される基台２０と、処理ガス供給装置２７と、コイル３２と、コイル用高周波電源３３と、貫通穴４１ａを有し、昇降自在に設けられる昇降板４１と、昇降板４１を支持して昇降させる昇降機構４２と、上部チャンバ１３を固定するための固定機構４６とを備える。固定機構４６は、固定板４７と、固定板４７により天板１６と昇降板４１とを連結，固定するための固定板４７及び第１固定ボルト４８，４９と、保持部材３２の鍔部３２ｂと環状板１４とを固定するための第２固定ボルト５０と、環状板１４と下部チャンバ１２の側壁１２ａとを固定するための第３固定ボルト５１とからなる。
【選択図】図１

Description

本発明は、処理チャンバ内に所定の処理ガスを供給してプラズマ化し、プラズマ化した処理ガスによって、処理チャンバ内に配置された基板を処理するプラズマ処理装置に関する。
従来、前記プラズマ処理装置として、例えば、特開２０００−２６８９９５号公報に開示されたものが知られている。このプラズマ処理装置は、反応室を構成する処理チャンバと、処理チャンバ内に配置され、上面に基板を保持するサセプタと、処理チャンバ内に処理ガスを供給するガス供給機構と、処理チャンバ内に供給された処理ガスをプラズマ化するためのプラズマ生成機構と、プラズマ生成機構に高周波電圧を印加する高周波電源などを備える。
前記処理チャンバは、上部が開口した下部部材と、下部部材の側壁上面に下面が当接するように設けられた環状体と、環状体の上面に下面が当接するように設けられた蓋体などから構成されており、前記環状体は、内部が中空の円筒状に形成された円筒電極と、円筒電極の上端部及び下端部にそれぞれ設けられる環状の上部絶縁材及び下部絶縁材と、上部絶縁材の上端及び下部絶縁材の下端に接続してこれらを保持する環状の保持部材とから構成される。
前記プラズマ生成機構は、前記処理チャンバの一部を構成している円筒電極と、上部絶縁材及び下部絶縁材の外周面にそれぞれ設けられる環状の永久磁石とから構成される。前記高周波電源は、円筒電極に高周波電圧を印加する。
ところで、プラズマ処理を行うと、処理チャンバの内面には各種の生成物が付着するが、この付着物は、パーティクルとなって基板に付着するなどの問題を引き起こす。このため、処理チャンバは定期的に洗浄されて付着物が除去される。尚、処理チャンバの洗浄は、例えば、処理チャンバを分解し、その各構成部品を所定の洗浄液や純水を用いて洗浄することで行なわれる。
そして、上記従来のプラズマ処理装置では、保持部材によって円筒電極，上部絶縁材及び下部絶縁材が保持され、これらが一体的に構成されているので、円筒電極，上部絶縁材及び下部絶縁材を１つずつ分解し、また、組み立てる場合に比べ、処理チャンバを分解したり、組み立てるのに好都合である。
特開２０００−２６８９９５号公報
しかしながら、上記従来のプラズマ処理装置では、例えば、下部部材のみや円筒電極のみなど構成部品の一部をメンテナンスする場合であっても、メンテナンス対象でない蓋体などを含むすべての部品を分解しなければならないので、処理チャンバの分解作業や組立作業に時間を要し、効率的にメンテナンスを行うことができないという問題があった。
本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、処理チャンバを効率的にメンテナンスすることができるプラズマ処理装置の提供をその目的とする。
上記目的を達成するための本発明は、
上部チャンバ及び下部チャンバの上下２部構成に形成され、前記下部チャンバ内に基板が配置される処理チャンバと、前記上部チャンバ内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記上部チャンバ内に供給された処理ガスをプラズマ化するためのプラズマ生成手段と、前記プラズマ生成手段に高周波電圧を印加する電圧印加手段とを備えたプラズマ処理装置であって、
前記下部チャンバは、上面に開口する内部空間を有し、前記上部チャンバは、下面に開口する内部空間を有して、これらの内部空間が相互に連通するように構成されたプラズマ処理装置において、
水平に配置されて昇降自在に設けられ、前記上部チャンバを構成する少なくとも一部の部材が取り付けられる昇降板と、
前記昇降板を支持して昇降させる昇降手段と、
前記上部チャンバを固定するための第１，第２及び第３の少なくとも３つの固定手段とを備えてなり、
前記上部チャンバは、外周側の下面が前記下部チャンバの上部に当接する環状板と、内部が中空の筒状に形成され、その下端部が前記環状板上に載置される側壁部材と、前記側壁部材の上端部に載置される天板とから少なくとも構成され、
前記昇降板は、上下に貫通し、前記天板が通過可能な大きさの貫通穴を有し、
前記プラズマ生成手段は、前記側壁部材の外方に配置されて前記昇降板の下面に固設され、
前記第１固定手段は、前記昇降板と天板とを連結，固定する一方、これらの連結，固定を解除可能に構成され、
前記第２固定手段は、前記昇降板と環状板とを連結，固定する一方、これらの連結，固定を解除可能に構成され、
前記第３固定手段は、前記下部チャンバと環状板とを固定する一方、これらの固定を解除可能に構成されてなることを特徴とするプラズマ処理装置に係る。
この発明によれば、例えば、シリコン基板やガラス基板などの処理対象基板に、エッチング処理，アッシング処理及び成膜処理などのプラズマ処理を行うときには、ガス供給手段により処理チャンバ内に処理ガスを供給するとともに、電圧印加手段によりプラズマ生成手段に高周波電圧を印加して処理ガスをプラズマ化する。これにより、処理チャンバ内に適宜搬入された基板が、プラズマ化した処理ガスによって処理される。
そして、このようなプラズマ処理を行うと、処理チャンバの内面には各種の生成物が付着するが、この付着物の除去といった処理チャンバのメンテナンスは、次のようにして行うことができる。
即ち、上部チャンバの天板をメンテナンスする際には、第１固定手段による昇降板及び天板の連結，固定を解除する。そうすると、天板のみが外れるため、これを当該プラズマ処理装置から容易に取り外してメンテナンスすることができる。メンテナンス後は、天板を側壁部材の上端部に載置した後、第１固定手段によりこの天板と昇降板とを連結，固定することで、当該プラズマ処理装置を容易に組み立てることができる。
一方、上部チャンバの側壁部材をメンテナンスする際には、まず、第２固定手段による昇降板及び環状板の連結，固定を解除した後、昇降手段により昇降板を上昇させて、この昇降板とともに天板，第１固定手段及びプラズマ生成手段を上方に移動させる。そうすると、上昇せずに留まった側壁部材のみが外れるため、これを当該プラズマ処理装置から容易に取り外してメンテナンスすることができる。メンテナンス後は、側壁部材を環状板上に載置し、昇降手段により昇降板を下降させて天板，第１固定手段及びプラズマ生成手段を下方に移動させた後、第２固定手段によりこの環状板と昇降板とを連結，固定することで、当該プラズマ処理装置を容易に組み立てることができる。
また、上部チャンバの環状板をメンテナンスする際には、側壁部材を取り外した状態で、更に、第３固定手段による下部チャンバ及び環状板の固定を解除すれば、この環状板を当該プラズマ処理装置から容易に取り外してメンテナンスすることができる。メンテナンス後は、第３固定手段により環状板と下部チャンバとを固定し、側壁部材を環状板上に載置した後、昇降手段により昇降板を下降させ、第２固定手段により環状板と昇降板とを連結，固定すれば、当該プラズマ処理装置を容易に組み立てることができる。
また、下部チャンバをメンテナンスする際には、まず、第３固定手段による下部チャンバ及び環状板の固定を解除した後、昇降手段により昇降板を上昇させて、この昇降板とともに天板，第１固定手段，プラズマ生成手段，第２固定手段，側壁部材及び環状板を上方に移動させる、即ち、上部チャンバ全体を上方に移動させる。そうすると、下部チャンバが開口し、これを容易にメンテナンスすることができる。メンテナンス後は、昇降手段により昇降板を下降させて天板，第１固定手段，プラズマ生成手段，第２固定手段，側壁部材及び環状板を下方に移動させた後、第３固定手段により環状板と下部チャンバとを固定することで、当該プラズマ処理装置を容易に組み立てることができる。
このように、本発明に係るプラズマ処理装置によれば、第１固定手段による天板の固定を解除することや、第２固定手段や第３固定手段による環状板の固定を解除して昇降手段により昇降板を上昇させることで、処理チャンバを構成する部品の内、メンテナンス対象とする部品を当該プラズマ処理装置から簡単に取り外すことができ、また、メンテナンス後の部品を元に戻す際には取り外し時とは逆の操作を行えば良いので、この対象部品を交換したり、洗浄するといったメンテナンスを容易に且つ短時間で実施することができる。
尚、前記天板及び側壁部材の上端部には、互いに係合して前記天板を前記側壁部材に対し位置決めするための係合部がそれぞれ形成されていても良く、また、前記環状板及び側壁部材の下端部には、互いに係合して前記側壁部材を前記環状板に対し位置決めするための係合部がそれぞれ形成されていても良く、また、更に、前記環状板の下面及び下部チャンバの上部には、互いに係合して前記環状板を前記下部チャンバに対し位置決めするための係合部がそれぞれ形成されていても良い。このようにすれば、一旦取り外した天板や側壁部材、環状板の取付作業の容易化を図ることができるとともに、組立精度の低下を防止することができる。
また、前記プラズマ処理装置は、前記昇降板，昇降手段及び上部チャンバを少なくとも覆うカバー体を更に有し、前記カバー体は、前記上部チャンバの側方位置で外側から内側に貫通する作業穴と、前記作業穴を開閉する戸とを備えていても良い。この場合、作業者は、戸を開け、作業穴からメンテナンスを行う。このようにすれば、昇降手段及び昇降板の動作時に作業者が負傷することや、高周波が人体に影響を与えるのを防止して作業者を保護することができる。
以上のように、本発明に係るプラズマ処理装置によれば、処理チャンバを効率的にメンテナンスすることができる。
以下、本発明の具体的な実施形態について、添付図面に基づき説明する。尚、図１は、本発明の一実施形態に係るエッチング装置の概略構成を示した断面図であり、図２は、図１における矢示Ａ−Ａ方向の断面図であり、図３は、図１における矢示Ｂ−Ｂ方向の断面図である。
図１乃至図３に示すように、本例のプラズマ処理装置たるエッチング装置１は、下部チャンバ１２及び上部チャンバ１３の上下２部構成に形成された処理チャンバ１１と、下部チャンバ１２内に昇降自在に配設され、エッチング対象であるシリコン基板Ｋが載置される基台２０と、基台２０を昇降させる昇降シリンダ２３と、処理チャンバ１１内の圧力を減圧する排気装置２４と、上部チャンバ１３内に処理ガスを供給するガス供給装置２７と、上部チャンバ１３の外部に配置された複数のコイル（プラズマ生成機構）３０と、コイル３０に高周波電圧を印加するコイル用高周波電源３３と、基台２０に高周波電圧を印加する基台用高周波電源３４と、上部チャンバ１３を昇降させる昇降装置４０と、上部チャンバ１３を固定するための固定機構４６と、処理チャンバ１１及び昇降装置４０を外側から覆うカバー体５５と、昇降シリンダ２３，排気装置２４，ガス供給装置２７，コイル用高周波電源３３，基台用高周波電源３４及び昇降装置４０の作動を制御する制御装置（図示せず）などを備える。
前記下部チャンバ１２は、上面に開口する内部空間を備え、前記上部チャンバ１３は、下面に開口する内部空間を備えており、これらの内部空間が相互に連通している。また、下部チャンバ１２は、環状の側壁１２ａを備え、この側壁１２ａの上端面には環状の係合突起１２ｂが形成されている。また、この側壁１２ａには、シャッタ１７によって開閉され、シリコン基板Ｋを搬入したり、搬出するための開口部１２ｃが形成されている。
前記上部チャンバ１３は、外周側の下面が下部チャンバ１２の側壁１２ａの上端面に当接する環状板１４と、内部が中空の円筒状に形成され、その下端が環状板１４の内周側に載置される側壁部材１５と、外周側の下面が側壁部材１５の上端面に載置される天板１６とから構成される。
前記環状板１４は、その外周側下面に形成され、下部チャンバ１２の側壁１２ａの係合突起１２ｂと係合する環状の係合溝１４ａと、内周側上面の角部に形成された環状の係合凹部１４ｂとを備え、前記天板１６は、その外周側の下面に形成された環状の係合突起１６ａを備え、前記側壁部材１５は、その下端が環状板１４の係合凹部１４ｂと係合する係合部と、その上端が天板１６の係合突起１６ａと係合する係合部となっている。
前記基台２０は、上下に配設された上部材２１及び下部材２２からなり、上部材２１上にシリコン基板Ｋが載置され、下部材２２には前記昇降シリンダ２３が接続される。
前記排気装置２４は、排気ポンプ２５と、排気ポンプ２５と下部チャンバ１２とを接続する排気管２６とから構成され、排気ポンプ２５により排気管２６を介して下部チャンバ１２内の気体を排気し、処理チャンバ１１の内部を所定圧力に減圧する。
前記ガス供給装置２７は、処理ガスとして、エッチングガス（例えば、ＳＦ６ガス）及び耐エッチング層形成ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８ガス）を供給する処理ガス供給部２８と、処理ガス供給部２８と上部チャンバ１３の天板１６とを接続する処理ガス供給管２９とから構成され、処理ガス供給部２８から処理ガス供給管２９を介して上部チャンバ１３内にエッチングガス及び耐エッチング層形成ガスを供給する。
前記プラズマ生成機構３０は、前記側壁部材１５の周囲に上下に並設された複数の環状のコイル３１と、内部が中空の円筒状に形成され、その内周面に各コイル３１を保持する保持穴３２ａを備えた保持部材３２とからなる。この保持部材３２は、下端外周面に鍔部３２ｂを備えており、下端面が環状板１４の上面に当接し、上端部が前記昇降装置４０の昇降板４１の下面に固設されている。
前記コイル用高周波電源３３は、コイル３１に高周波電圧を印加することで、上部チャンバ１３内に磁界を形成し、この磁界によって誘起される電界により、上部チャンバ１３内に供給されたエッチングガス及び耐エッチング層形成ガスをプラズマ化する。前記基台用高周波電源３４は、基台２０に高周波電圧を印加することで、基台２０とプラズマとの間に電位差（バイアス電位）を生じさせる。
前記昇降装置４０は、天板１６とほぼ同じ高さ位置に水平に配置されて昇降自在に設けられる昇降板４１と、昇降板４１を支持して昇降させる昇降機構４２とを備える。前記昇降板４１には、上下に貫通し、天板１６の外径よりも大きい貫通穴４１ａが形成される。前記昇降機構４２は、軸線が上下方向に沿うように且つ軸線中心に回転自在に配置されたボールねじ４３と、ボールねじ４３に螺合し、これに沿って移動するナット４４と、ボールねじ４３の上端部に接続し、これを軸線中心に回転させる駆動モータ４５とから構成されており、ナット４４が昇降板４１の取付穴４１ｂ内に挿入，固定されている。尚、前記ボールねじ４３，ナット４４，駆動モータ４５及び取付穴４１ｂは、円周方向等間隔で３つ設けられている。
前記固定機構４６は、環状をした固定板４７と、固定板４７により天板１６と昇降板４１とを連結，固定するための第１固定ボルト４８，４９と、保持部材３２の鍔部３２ｂと環状板１４とを固定するための第２固定ボルト５０と、環状板１４と下部チャンバ１２の側壁１２ａとを固定するための第３固定ボルト５１とからなる。尚、第１固定ボルト４８，４９、第２固定ボルト５０及び第３固定ボルト５１は、円周方向等間隔で４つ設けられる。尚、前記保持部材３２は、昇降板４１の下面と環状板１４の上面とを接続する接続部材としても機能している。
前記第１固定ボルト４８，４９は、その先端部が固定板４７に形成された貫通穴４７ａ内に上側から挿通されて、天板１６の上面に形成されたねじ穴１６ｂに螺合するもの（符合４８で示す）と、その先端部が固定板４７に形成された貫通穴４７ｂ内に上側から挿通されて、昇降板４１の上面に形成されたねじ穴４１ｃに螺合するもの（符合４９で示す）とがある。
前記第２固定ボルト５０は、その先端部が鍔部３２ｂに形成された貫通穴３２ｃ内に上側から挿通されて、環状板１４の上面に形成されたねじ穴１４ｃに螺合し、前記第３固定ボルト５１は、その先端部が環状板１４に形成された貫通穴１４ｄ内に上側から挿通されて、側壁１２ａの上端面に形成されたねじ穴１２ｄに螺合している。
前記カバー体５５は、下部チャンバ１２を覆う下カバー５６と、上部チャンバ１３及び昇降装置４０を覆う上カバー５７とからなり、上カバー５７は下部チャンバ１２の側壁１２ａの上端部から上側をカバーし、下カバー５６は、下部チャンバ１２の側壁１２ａの上端部から下側をカバーしている。
前記上カバー５７の内面には、駆動モータ４５を支持する支持板５８が昇降板４１の上方位置に配置され、また、ボールねじ４３の下端部を軸線中心に回転自在に支持する支持部材５９が配設される。また、更に、上カバー５７は、上部チャンバ１３の側方位置で外側から内側に貫通する作業穴５７ａと、この作業穴５７ａを開閉する観音開きの扉６０とを備える。
前記制御装置（図示せず）は、昇降シリンダ２３，排気装置２４，ガス供給装置２７，コイル用高周波電源３３，基台用高周波電源３４及び昇降装置４０の作動を制御する。具体的には、コイル用高周波電源３３及び基台用高周波電源３４によってコイル３１及び基台２０に高周波電圧をそれぞれ印加し、処理ガス供給部２８から処理チャンバ１１内にエッチングガスを供給し、排気ポンプ２５によって処理チャンバ１１内を所定圧力にするエッチング工程と、コイル用高周波電源３３によってコイル３１に高周波電圧を印加し、処理ガス供給部２８から処理チャンバ１１内に耐エッチング層形成ガスを供給し、排気ポンプ２５によって処理チャンバ１１内を所定圧力にする耐エッチング層形成工程とを交互に繰り返して実行する。
また、制御装置（図示せず）は、駆動モータ４５によりボールねじ４３を軸線中心に回転させてナット４４をボールねじ４３に沿って上方又は下方に移動させ、これにより、昇降板４１を昇降させる。
以上のように構成された本例のエッチング装置１によれば、エッチング工程と耐エッチング層形成工程とが交互に繰り返し実行され、エッチング工程では、エッチングガスがプラズマ化され、プラズマ中のラジカルがシリコン原子と化学反応したり、プラズマ中のイオンがバイアス電位により基台２０側に向けて移動してシリコン基板Ｋと衝突することで、シリコン基板Ｋがエッチングされる。一方、耐エッチング層形成工程では、耐エッチング層形成ガスがプラズマ化され、プラズマ中のラジカルから生成された重合物が、シリコン基板Ｋの表面（エッチングによって形成される溝や穴の側壁及び底面など）に堆積し、耐エッチング層（フロロカーボン膜）が形成される。このようにしてシリコン基板Ｋのエッチングが進行する。
そして、このようなプラズマ処理を行うと、処理チャンバ１１の内面には各種の生成物が付着するが、この付着物の除去といった処理チャンバ１１のメンテナンスは、次のようにして行うことができる。
即ち、上部チャンバ１３の天板１６をメンテナンスする際には、図４に示すように、第１固定ボルト４８，４９を外して固定板４７を外し、昇降板４１と天板１６との連結，固定を解除すると、天板１６のみが外れるため、これを当該エッチング装置１から容易に取り外してメンテナンスすることができる。メンテナンス終了後は、天板１６の係合突起１６ａ内に側壁部材１５の上端が嵌まるように天板１６を側壁部材１５の上端部に載置し、固定板４７及び第１固定ボルト４８，４９を用いて天板１６と昇降板４１とを連結，固定すれば、当該エッチング装置１を容易に組み立てることができる。
一方、上部チャンバ１３の側壁部材１５をメンテナンスする際には、図５に示すように、まず、第２固定ボルト５０を外して保持部材３２の鍔部３２ｂと環状板１４との固定を解除し、駆動モータ４５を回転させて昇降板４１とともに天板１６、第１固定ボルト４８，４９、コイル３１及び保持部材３２を上昇させると、側壁部材１５のみが外れるため、これを当該エッチング装置１から容易に取り外してメンテナンスすることができる。メンテナンス終了後は、環状板１４の係合凹部１４ｂ内に側壁部材１５の下端が嵌まるように側壁部材１５を環状板１４上に載置し、駆動モータ４５を回転させて昇降板４１とともに天板１６、第１固定ボルト４８，４９、コイル３１及び保持部材３２を下降端位置まで、即ち、天板１６が側壁部材１５の上端部に載置されるまで下降させた後、第２固定ボルト５０により保持部材３２の鍔部３２ｂと環状板１４とを固定すれば、当該エッチング装置１を容易に組み立てることができる。
また、上部チャンバ１３の環状板１４をメンテナンスする際には、側壁部材１５を取り外した状態で、更に、第３固定ボルト５１を外して環状板１４と下部チャンバ１２の側壁１２ａとの固定を解除すれば、この環状板１４を当該エッチング装置１から容易に取り外してメンテナンスすることができる。メンテナンス終了後は、環状板１４の係合溝１４ａ内に下部チャンバ１２の側壁１２ａの係合突起１２ｂが嵌まるように環状板１４を側壁１２ａの上端面に載置して第３固定ボルト５１により環状板１４と下部チャンバ１２の側壁１２ａとを固定し、側壁部材１５を環状板１４に載置した後、駆動モータ４５を回転させて昇降板４１を下降端位置（天板１６が側壁部材１５の上端部に載置される位置）まで下降させた後、第２固定ボルト５０により保持部材３２の鍔部３２ｂと環状板１４とを固定すれば、当該エッチング装置１を容易に組み立てることができる。
また、下部チャンバ１２をメンテナンスする際には、まず、第３固定ボルト５１を外して環状板１４と下部チャンバ１２の側壁１２ａとの固定を解除した後、駆動モータ４５を回転させて昇降板４１とともに天板１６、第１固定ボルト４８，４９、コイル３１、保持部材３２、環状板１４、側壁部材１５及び第２固定ボルト５０を上昇させると、即ち、上部チャンバ１３全体を上方に移動させると、下部チャンバ１２が開口し、これを容易にメンテナンスすることができる。メンテナンス終了後は、駆動モータ４５を回転させて昇降板４１とともに天板１６、第１固定ボルト４８，４９、コイル３１、保持部材３２、環状板１４、側壁部材１５及び第２固定ボルト５０を下降端位置まで、即ち、環状板１４の下面が下部チャンバ１２の側壁１２ａの上端面に当接するまで下降させ、第３固定ボルト５１により環状板１４と下部チャンバ１２の側壁１２ａとを固定すれば、当該エッチング装置１を容易に組み立てることができる。
尚、メンテナンスを行うに当たり、作業者は、扉６０を開けて作業穴５７から作業を行う。
斯くして、本例のエッチング装置１によれば、第１固定ボルト４８，４９及び固定板４７による天板１６の固定を解除することや、第２固定ボルト５０や第３固定ボルト５１による環状板１４の固定を解除して昇降機構４２により昇降板４１を上昇させることで、処理チャンバ１１を構成する部品の内、メンテナンス対象とする部品を当該エッチング装置１から簡単に取り外すことができ、また、メンテナンス後の部品を元に戻す際には取り外し時とは逆の操作を行えば良いので、この対象部品を交換したり、洗浄するといったメンテナンスを容易に且つ短時間で実施することができる。
また、メンテナンス終了後、部品を取り付ける際、天板１６の係合突起１６ａ内に側壁部材１５の上端を嵌めることで天板１６を側壁部材１５に対し位置決めすることができ、環状板１４の係合凹部１４ｂ内に側壁部材１５の下端を嵌めることで側壁部材１５を環状板１４に対し位置決めすることができ、環状板１４の係合溝１４ａ内に下部チャンバ１２の側壁１２ａの係合突起１２ｂを嵌めることで環状板１４を側壁１２ａに対し位置決めすることができるので、一旦取り外した天板１６や側壁部材１５、環状板１４の取付作業の容易化を図ることができるとともに、組立精度の低下を防止することができる。
また、処理チャンバ１１及び昇降装置４０をカバー体５５により覆っているので、昇降板４１及び昇降機構４２の動作時に作業者が負傷することや、高周波が人体に影響を与えるのを防止して作業者を保護することができる。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。
上例では、保持部材３２及び第２固定ボルト５０によって昇降板４１と環状板１４とを連結，固定するようにしたが、これに限られるものではなく、上部が昇降板４１の下面に固設された連結部材を保持部材３２とは別に設け、この連結部材の下部を第２固定ボルト５０により環状板１４に固定するようにしても良い。
また、前記上部チャンバ１３の構成は上述したものに限定されるものではなく、前記環状板１４，側壁部材１５及び天板１６の他に構成部材を備えるような形状であっても良い。また、前記エッチング装置１は、上部チャンバ１３を加熱する加熱装置や、上部チャンバ１３を冷却する冷却装置などを更に備えていても良く、この場合、加熱装置や冷却装置をそれぞれ昇降板４１に着脱自在に取り付けると、メンテナンスし易く、好ましい。
また、上例では、プラズマ処理の一例としてエッチング処理を挙げたが、これに限定されるものではなく、アッシング処理や成膜処理などにも本発明のプラズマ処理装置を適用することができる。また、プラズマ処理対象となる基板は、シリコン基板Ｋに限られず、ガラス基板など、どのような基板であっても良い。
本発明の一実施形態に係るエッチング装置の概略構成を示した断面図である。 図１における矢示Ａ−Ａ方向の断面図である。 図１における矢示Ｂ−Ｂ方向の断面図である。 天板などを取り外した状態を示す断面図である。 昇降板，天板及び保持部材などを上昇させた状態を示す断面図である。 昇降板及び上部チャンバなどを上昇させた状態を示す断面図である。
符号の説明
１ エッチング装置（プラズマ処理装置）
１１ 処理チャンバ
１２ 下部チャンバ
１３ 上部チャンバ
１４ 環状板
１５ 側壁部材
１６ 天板
２０ 基台
２４ 排気装置
２７ ガス供給装置
３１ コイル
３２ 保持部材
３３ コイル用高周波電源
３４ 基台用高周波電源
４１ 昇降板
４２ 昇降機構
４７ 固定板
４８，４９ 第１固定ボルト
５０ 第２固定ボルト
５１ 第３固定ボルト
５５ カバー体
５６ 下カバー
５７ 上カバー
６０ 扉
Ｋ シリコン基板

Claims (5)

  1. 上部チャンバ及び下部チャンバの上下２部構成に形成され、前記下部チャンバ内に基板が配置される処理チャンバと、前記上部チャンバ内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記上部チャンバ内に供給された処理ガスをプラズマ化するためのプラズマ生成手段と、前記プラズマ生成手段に高周波電圧を印加する電圧印加手段とを備えたプラズマ処理装置であって、
    前記下部チャンバは、上面に開口する内部空間を有し、前記上部チャンバは、下面に開口する内部空間を有して、これらの内部空間が相互に連通するように構成されたプラズマ処理装置において、
    水平に配置されて昇降自在に設けられ、前記上部チャンバを構成する少なくとも一部の部材が取り付けられる昇降板と、
    前記昇降板を支持して昇降させる昇降手段と、
    前記上部チャンバを固定するための第１，第２及び第３の少なくとも３つの固定手段とを備えてなり、
    前記上部チャンバは、外周側の下面が前記下部チャンバの上部に当接する環状板と、内部が中空の筒状に形成され、その下端部が前記環状板上に載置される側壁部材と、前記側壁部材の上端部に載置される天板とから少なくとも構成され、
    前記昇降板は、上下に貫通し、前記天板が通過可能な大きさの貫通穴を有し、
    前記プラズマ生成手段は、前記側壁部材の外方に配置されて前記昇降板の下面に固設され、
    前記第１固定手段は、前記昇降板と天板とを連結，固定する一方、これらの連結，固定を解除可能に構成され、
    前記第２固定手段は、前記昇降板と環状板とを連結，固定する一方、これらの連結，固定を解除可能に構成され、
    前記第３固定手段は、前記下部チャンバと環状板とを固定する一方、これらの固定を解除可能に構成されてなることを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 前記天板及び側壁部材の上端部には、互いに係合して前記天板を前記側壁部材に対し位置決めするための係合部がそれぞれ形成されてなることを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記環状板及び側壁部材の下端部には、互いに係合して前記側壁部材を前記環状板に対し位置決めするための係合部がそれぞれ形成されてなることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記環状板の下面及び下部チャンバの上部には、互いに係合して前記環状板を前記下部チャンバに対し位置決めするための係合部がそれぞれ形成されてなることを特徴とする請求項１乃至３記載のいずれかのプラズマ処理装置。
  5. 前記昇降板，昇降手段及び上部チャンバを少なくとも覆うカバー体を更に有し、
    前記カバー体は、前記上部チャンバの側方位置で外側から内側に貫通する作業穴と、前記作業穴を開閉する戸とを備えてなることを特徴とする請求項１乃至４記載の記載のいずれかのプラズマ処理装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130050946A (ko) * 2011-10-05 2013-05-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버
JP7092959B1 (ja) 2022-03-23 2022-06-28 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板処理装置
JP7245378B1 (ja) 2022-03-23 2023-03-23 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板処理装置

Families Citing this family (313)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120171002A1 (en) * 2011-01-05 2012-07-05 Electro Scientific Industries, Inc Apparatus and method for transferring a substrate
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
TWI627305B (zh) * 2013-03-15 2018-06-21 應用材料股份有限公司 用於轉盤處理室之具有剛性板的大氣蓋
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
CN105336559B (zh) * 2014-08-14 2018-01-09 北京北方华创微电子装备有限公司 一种反应腔室及半导体加工设备
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) * 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10328255B2 (en) * 2016-09-16 2019-06-25 Precision Neurotechnologies Llc Visual prosthesis employing virtual neural electrode arrays
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) * 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN110809818B (zh) * 2017-08-30 2023-07-11 株式会社国际电气 保护板、衬底处理装置及半导体器件的制造方法
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10424487B2 (en) 2017-10-24 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Atomic layer etching processes
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
TWI716818B (zh) 2018-02-28 2021-01-21 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
CN111778490B (zh) * 2020-07-14 2022-10-21 北京北方华创微电子装备有限公司 半导体设备及其下电极组件
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
JP7308330B2 (ja) 2021-05-10 2023-07-13 ピコサン オーワイ 基板処理装置及び方法
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266185A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW403959B (en) * 1996-11-27 2000-09-01 Hitachi Ltd Plasma treatment device
JPH10177996A (ja) * 1996-12-18 1998-06-30 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置
JP2000082694A (ja) 1998-06-29 2000-03-21 Sumitomo Metal Ind Ltd プラズマ処理装置
JP3476687B2 (ja) * 1998-09-21 2003-12-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2000268995A (ja) 1999-03-18 2000-09-29 Kokusai Electric Co Ltd プラズマ処理装置
TW464919B (en) * 1999-03-30 2001-11-21 Tokyo Electron Ltd Plasma processing apparatus, maintenance method thereof and setting method thereof
TW529085B (en) * 2000-09-22 2003-04-21 Alps Electric Co Ltd Method for evaluating performance of plasma treatment apparatus or performance confirming system of plasma treatment system
JP4178775B2 (ja) * 2001-08-31 2008-11-12 株式会社日立国際電気 プラズマリアクター

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007266185A (ja) * 2006-03-28 2007-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130050946A (ko) * 2011-10-05 2013-05-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버
KR101361757B1 (ko) * 2011-10-05 2014-02-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버
US9741546B2 (en) 2011-10-05 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
KR102009784B1 (ko) 2011-10-05 2019-08-12 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 대칭적인 플라즈마 프로세스 챔버
US10453656B2 (en) 2011-10-05 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US10535502B2 (en) 2011-10-05 2020-01-14 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US10546728B2 (en) 2011-10-05 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US10580620B2 (en) 2011-10-05 2020-03-03 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US10615006B2 (en) 2011-10-05 2020-04-07 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
US11315760B2 (en) 2011-10-05 2022-04-26 Applied Materials, Inc. Symmetric plasma process chamber
JP7092959B1 (ja) 2022-03-23 2022-06-28 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板処理装置
JP7245378B1 (ja) 2022-03-23 2023-03-23 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板処理装置
WO2023181486A1 (ja) * 2022-03-23 2023-09-28 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板処理装置
JP2023140597A (ja) * 2022-03-23 2023-10-05 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 基板処理装置
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