JP7092959B1 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7092959B1 JP7092959B1 JP2022046507A JP2022046507A JP7092959B1 JP 7092959 B1 JP7092959 B1 JP 7092959B1 JP 2022046507 A JP2022046507 A JP 2022046507A JP 2022046507 A JP2022046507 A JP 2022046507A JP 7092959 B1 JP7092959 B1 JP 7092959B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- assembly
- cover
- chamber
- top plate
- plasma generation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 222
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 36
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 38
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 38
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 4
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 17
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 8
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Abstract
Description
まず、図1を参照して本実施形態の基板処理装置100を説明する。基板処理装置100は、閉鎖空間40内にプラズマを形成して基板Wのドライエッチングを行うプラズマ処理装置であり、より具体的には、誘導結合型プラズマ(ICP)のエッチング装置である。基板Wは、たとえばシリコンにより形成されたシリコンウェハである。基板処理装置100は、下部チャンバ1と、上部チャンバ2と、昇降機構3(図2参照)と、を備える。また、基板処理装置100は、ガス供給装置4と、高周波電源5と、排気装置6と、高周波電源7とを備える。
図3に示すように、第1アセンブリ2aは、トッププレート21と、トッププレート21の上面を開放可能に覆う第1カバー22とを含む。
図3に戻り、第2アセンブリ2bは、反応室11と連結して閉鎖空間40を構成するプラズマ生成室31と、プラズマ生成室31の外周を覆う筒状の第2カバー32とを含む。また、第2アセンブリ2bには、第2カバー32の外部(後方側)に、電気回路を収容する収容部9(図1参照)が設けられている、収容部9には、たとえば高周波電源5に接続された整合器が設けられている。整合器は、高周波電源5とコイル33とのインピーダンス整合を行う。
第3アセンブリ2cは、環状部材であり、内周部が径方向内側に突出することで、プラズマ生成室31と反応室11との接続箇所の開口径を絞っている。第3アセンブリ2cは、図示しないボルトによって、支持板34に着脱可能に取り付けられている。また、第3アセンブリ2cの下面は、下部チャンバ1の上面(図1参照)に設置されている。本実施形態の構成では、この第3アセンブリ2cの下面が、上部チャンバ2の最下面となる。
3つ(図4参照)のロック機構8は、第1アセンブリ2aの第1カバー22よりも内周側(半径方向内側)の位置に設けられている。また、ロック機構8は、第2アセンブリ2bの第2カバー32よりも内周側(半径方向内側)の位置に設けられている。図5に示すように、ロック機構8は、第1カバー22の外周面および内周面よりも内側に配置され、第2カバー32の外周面および内周面32a(フランジ部32bを除く)よりも内側に配置されている。なお、3つのロック機構8は同一構成を有する。
次に、本実施形態の基板処理装置100による基板処理時の動作の概要について説明する。基板処理装置100の動作は、図示しない制御装置によって制御される。基板処理装置100の動作時は、ロック機構8は連結状態に維持される。
下部チャンバ1の内部のメンテナンスを行う場合には、図8に示すように、作業者が、3つのロック機構8を連結状態にしたままで、昇降機構3(図2参照)によって上部チャンバ2の全体を上昇させる。これにより、上部チャンバ2の全体が、下部チャンバ1から上方へ離れ、下部チャンバ1の上面が開放される。作業者は、反応室11の内部に対するメンテナンスを容易に行える。作業後、昇降機構3によって上部チャンバ2を上昇位置から下降位置へ戻して、上部チャンバ2と下部チャンバ1とを結合する。
第2アセンブリ2bの内部のメンテナンスを行う場合には、作業者が、3つのロック機構8を連結状態から解除状態に切り替えてから、昇降機構3によって上部チャンバ2を上昇させる。
第1アセンブリ2aの上面側は、昇降機構3により昇降させることなく、下降位置のまま第1カバー22を開放して行える。上記と同様に連結状態で上部チャンバ2を上昇位置へ移動させるか、解除状態で第1アセンブリ2aだけを上昇位置へ移動させてメンテナンス作業を行うこともできる。作業者は、作業後に第1カバー22に分離部22aを取り付けてメンテナンスを終了する。
本実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更(変形例)が含まれる。
Claims (6)
- 基板を処理する反応室を含む下部チャンバと、
前記下部チャンバの上部を覆う上部チャンバと、
前記上部チャンバを前記下部チャンバから着脱する昇降機構とを備え、
前記上部チャンバは、上側の第1アセンブリと、前記第1アセンブリの下面に配置された第2アセンブリと、前記第1アセンブリと前記第2アセンブリとを連結解除可能に連結するロック機構とを含み、
前記第1アセンブリは、トッププレートと、前記トッププレートの上面を開放可能に覆う第1カバーとを含み、前記第1カバーの外側から前記昇降機構と連結されており、
前記第2アセンブリは、前記反応室と連結して閉鎖空間を構成するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の外周を覆う筒状の第2カバーとを含み、
前記ロック機構は、前記第1アセンブリの前記第1カバーよりも内周側の位置に設けられている、基板処理装置。 - 前記第1アセンブリは、前記トッププレートにそれぞれ設けられた、バルブ機構、冷却機構および加熱機構を含み、
前記第2アセンブリは、前記第2カバーの内周側に、前記プラズマ生成室の内周面を構成する筒状の側壁部と、前記プラズマ生成室の天井面を構成する天板部と、前記プラズマ生成室の周囲に設けられ前記プラズマ生成室内の処理ガスをプラズマ化するための磁界を発生するコイルと、を含む、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記ロック機構は、
前記第1アセンブリおよび前記第2アセンブリの両方が前記昇降機構により前記下部チャンバから分離可能なように、前記第1アセンブリおよび前記第2アセンブリを連結した連結状態と、
前記第1アセンブリが前記昇降機構により前記第2アセンブリおよび前記下部チャンバから分離可能なように、前記第1アセンブリと前記第2アセンブリとの連結を解除した解除状態と、に切り替わるように構成されている、請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記ロック機構は、前記第1カバー内で前記トッププレート上に配置された切り替えレバーを含み、前記切り替えレバーの位置に応じて、前記連結状態と前記解除状態とに切り替わるように構成されている、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記ロック機構は、前記第2アセンブリの前記第2カバーよりも内周側の位置に設けられ、
前記第2カバーは、前記第2カバーの内周面から内向きに突出するフランジ部を有し、
前記ロック機構は、前記トッププレートを上下に貫通する軸部と、前記軸部の下端に設けられた係合部と、前記第2カバーの前記フランジ部を上下に貫通する差込口とを含み、
前記切り替えレバーがロック位置にあるとき、前記係合部が前記差込口の縁部に係合する位置に配置されることにより前記ロック機構が前記連結状態となり、
前記切り替えレバーが解除位置にあるとき、前記係合部が前記差込口の縁部とは係合しない位置に配置されることにより前記ロック機構が前記解除状態となる、請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記昇降機構は、前記上部チャンバの外部から前記トッププレートと連結されている、請求項1~5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022046507A JP7092959B1 (ja) | 2022-03-23 | 2022-03-23 | 基板処理装置 |
JP2022097031A JP7245378B1 (ja) | 2022-03-23 | 2022-06-16 | 基板処理装置 |
PCT/JP2022/041217 WO2023181486A1 (ja) | 2022-03-23 | 2022-11-04 | 基板処理装置 |
TW112104627A TW202338979A (zh) | 2022-03-23 | 2023-02-09 | 基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022046507A JP7092959B1 (ja) | 2022-03-23 | 2022-03-23 | 基板処理装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022097031A Division JP7245378B1 (ja) | 2022-03-23 | 2022-06-16 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP7092959B1 true JP7092959B1 (ja) | 2022-06-28 |
JP2023140597A JP2023140597A (ja) | 2023-10-05 |
Family
ID=82196196
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022046507A Active JP7092959B1 (ja) | 2022-03-23 | 2022-03-23 | 基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7092959B1 (ja) |
TW (1) | TW202338979A (ja) |
WO (1) | WO2023181486A1 (ja) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004311887A (ja) | 2003-04-10 | 2004-11-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 基板処理装置及びそのメンテナンス方法 |
JP2007525798A (ja) | 2003-11-19 | 2007-09-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 局所的に効果的な誘導プラズマ結合を備えたプラズマ処理システム |
JP2008306042A (ja) | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
JP2009224432A (ja) | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2011253842A (ja) | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 蓋体保持治具 |
JP2013084602A (ja) | 2011-10-05 | 2013-05-09 | Applied Materials Inc | 対称プラズマ処理チャンバ |
JP2015503247A (ja) | 2012-01-04 | 2015-01-29 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | 処理ユニットを含む基板処理装置 |
JP2017143186A (ja) | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
JP2021174952A (ja) | 2020-04-30 | 2021-11-01 | Sppテクノロジーズ株式会社 | 処理装置、開閉機構およびリンク機構 |
-
2022
- 2022-03-23 JP JP2022046507A patent/JP7092959B1/ja active Active
- 2022-11-04 WO PCT/JP2022/041217 patent/WO2023181486A1/ja unknown
-
2023
- 2023-02-09 TW TW112104627A patent/TW202338979A/zh unknown
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004311887A (ja) | 2003-04-10 | 2004-11-04 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 基板処理装置及びそのメンテナンス方法 |
JP2007525798A (ja) | 2003-11-19 | 2007-09-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 局所的に効果的な誘導プラズマ結合を備えたプラズマ処理システム |
JP2008306042A (ja) | 2007-06-08 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | プラズマ処理装置 |
JP2009224432A (ja) | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2011253842A (ja) | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Tokyo Electron Ltd | 蓋体保持治具 |
JP2013084602A (ja) | 2011-10-05 | 2013-05-09 | Applied Materials Inc | 対称プラズマ処理チャンバ |
JP2015503247A (ja) | 2012-01-04 | 2015-01-29 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド | 処理ユニットを含む基板処理装置 |
JP2017143186A (ja) | 2016-02-10 | 2017-08-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
JP2021174952A (ja) | 2020-04-30 | 2021-11-01 | Sppテクノロジーズ株式会社 | 処理装置、開閉機構およびリンク機構 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2023140597A (ja) | 2023-10-05 |
WO2023181486A1 (ja) | 2023-09-28 |
TW202338979A (zh) | 2023-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4230556B2 (ja) | 遠隔マイクロ波プラズマ源モジュール | |
KR100429581B1 (ko) | 플라즈마 생성원, 진공 펌핑 장치 및/또는 외팔보형기판지지체와같은장비모듈을구비하는만능진공챔버 | |
US7883579B2 (en) | Substrate processing apparatus and lid supporting apparatus for the substrate processing apparatus | |
JP5214832B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4554824B2 (ja) | プラズマ処理装置,そのメンテナンス方法およびその施工方法 | |
US20130286530A1 (en) | Methods and apparatus toward preventing esc bonding adhesive erosion | |
JP5597891B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP3205312B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のメンテナンス方法 | |
WO2002004691A9 (en) | Systems and methods for remote plasma clean | |
JP5396256B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2019519931A5 (ja) | ||
US20020179245A1 (en) | Plasma processing apparatus and maintenance method therefor | |
JP7092959B1 (ja) | 基板処理装置 | |
JP7245378B1 (ja) | 基板処理装置 | |
US20070240979A1 (en) | Shield Body and Vacuum Processing Apparatus | |
WO2021025276A1 (ko) | 오븐 | |
TWI712340B (zh) | 基板處理裝置 | |
JP3363405B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置システム | |
KR102225657B1 (ko) | 배플 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
TWI654702B (zh) | Substrate processing device | |
CN111383888B (zh) | 等离子体刻蚀机 | |
KR200189004Y1 (ko) | 후드겸용 전자레인지의 과열장치장치 | |
JP2003068710A (ja) | 部材冷却システムおよびプラズマ処理装置 | |
TW202310684A (zh) | 具有電感耦合電漿源的反應器 | |
JP2021153138A (ja) | 上部電極アセンブリ及び基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20220328 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220428 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220428 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220517 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220616 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7092959 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |