JP2023140597A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、図1を参照して本実施形態の基板処理装置100を説明する。基板処理装置100は、閉鎖空間40内にプラズマを形成して基板Wのドライエッチングを行うプラズマ処理装置であり、より具体的には、誘導結合型プラズマ(ICP)のエッチング装置である。基板Wは、たとえばシリコンにより形成されたシリコンウェハである。基板処理装置100は、下部チャンバ1と、上部チャンバ2と、昇降機構3(図2参照)と、を備える。また、基板処理装置100は、ガス供給装置4と、高周波電源5と、排気装置6と、高周波電源7とを備える。
図3に示すように、第1アセンブリ2aは、トッププレート21と、トッププレート21の上面を開放可能に覆う第1カバー22とを含む。
図3に戻り、第2アセンブリ2bは、反応室11と連結して閉鎖空間40を構成するプラズマ生成室31と、プラズマ生成室31の外周を覆う筒状の第2カバー32とを含む。また、第2アセンブリ2bには、第2カバー32の外部(後方側)に、電気回路を収容する収容部9(図1参照)が設けられている、収容部9には、たとえば高周波電源5に接続された整合器が設けられている。整合器は、高周波電源5とコイル33とのインピーダンス整合を行う。
第3アセンブリ2cは、環状部材であり、内周部が径方向内側に突出することで、プラズマ生成室31と反応室11との接続箇所の開口径を絞っている。第3アセンブリ2cは、図示しないボルトによって、支持板34に着脱可能に取り付けられている。また、第3アセンブリ2cの下面は、下部チャンバ1の上面(図1参照)に設置されている。本実施形態の構成では、この第3アセンブリ2cの下面が、上部チャンバ2の最下面となる。
3つ(図4参照)のロック機構8は、第1アセンブリ2aの第1カバー22よりも内周側(半径方向内側)の位置に設けられている。また、ロック機構8は、第2アセンブリ2bの第2カバー32よりも内周側(半径方向内側)の位置に設けられている。図5に示すように、ロック機構8は、第1カバー22の外周面および内周面よりも内側に配置され、第2カバー32の外周面および内周面32a(フランジ部32bを除く)よりも内側に配置されている。なお、3つのロック機構8は同一構成を有する。
次に、本実施形態の基板処理装置100による基板処理時の動作の概要について説明する。基板処理装置100の動作は、図示しない制御装置によって制御される。基板処理装置100の動作時は、ロック機構8は連結状態に維持される。
下部チャンバ1の内部のメンテナンスを行う場合には、図8に示すように、作業者が、3つのロック機構8を連結状態にしたままで、昇降機構3(図2参照)によって上部チャンバ2の全体を上昇させる。これにより、上部チャンバ2の全体が、下部チャンバ1から上方へ離れ、下部チャンバ1の上面が開放される。作業者は、反応室11の内部に対するメンテナンスを容易に行える。作業後、昇降機構3によって上部チャンバ2を上昇位置から下降位置へ戻して、上部チャンバ2と下部チャンバ1とを結合する。
第2アセンブリ2bの内部のメンテナンスを行う場合には、作業者が、3つのロック機構8を連結状態から解除状態に切り替えてから、昇降機構3によって上部チャンバ2を上昇させる。
第1アセンブリ2aの上面側は、昇降機構3により昇降させることなく、下降位置のまま第1カバー22を開放して行える。上記と同様に連結状態で上部チャンバ2を上昇位置へ移動させるか、解除状態で第1アセンブリ2aだけを上昇位置へ移動させてメンテナンス作業を行うこともできる。作業者は、作業後に第1カバー22に分離部22aを取り付けてメンテナンスを終了する。
本実施形態では、以下のような効果を得ることができる。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更(変形例)が含まれる。
Claims (6)
- 基板を処理する反応室を含む下部チャンバと、
前記下部チャンバの上部を覆う上部チャンバと、
前記上部チャンバを前記下部チャンバから着脱する昇降機構とを備え、
前記上部チャンバは、上側の第1アセンブリと、前記第1アセンブリの下面に配置された第2アセンブリと、前記第1アセンブリと前記第2アセンブリとを連結解除可能に連結するロック機構とを含み、
前記第1アセンブリは、トッププレートと、前記トッププレートの上面を開放可能に覆う第1カバーとを含み、前記第1カバーの外側から前記昇降機構と連結されており、
前記第2アセンブリは、前記反応室と連結して閉鎖空間を構成するプラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の外周を覆う筒状の第2カバーとを含み、
前記ロック機構は、前記第1アセンブリの前記第1カバーよりも内周側の位置に設けられている、基板処理装置。 - 前記第1アセンブリは、前記トッププレートにそれぞれ設けられた、バルブ機構、冷却機構および加熱機構を含み、
前記第2アセンブリは、前記第2カバーの内周側に、前記プラズマ生成室の内周面を構成する筒状の側壁部と、前記プラズマ生成室の天井面を構成する天板部と、前記プラズマ生成室の周囲に設けられ前記プラズマ生成室内の処理ガスをプラズマ化するための磁界を発生するコイルと、を含む、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記ロック機構は、
前記第1アセンブリおよび前記第2アセンブリの両方が前記昇降機構により前記下部チャンバから分離可能なように、前記第1アセンブリおよび前記第2アセンブリを連結した連結状態と、
前記第1アセンブリが前記昇降機構により前記第2アセンブリおよび前記下部チャンバから分離可能なように、前記第1アセンブリと前記第2アセンブリとの連結を解除した解除状態と、に切り替わるように構成されている、請求項1または2に記載の基板処理装置。 - 前記ロック機構は、前記第1カバー内で前記トッププレート上に配置された切り替えレバーを含み、前記切り替えレバーの位置に応じて、前記連結状態と前記解除状態とに切り替わるように構成されている、請求項3に記載の基板処理装置。
- 前記ロック機構は、前記第2アセンブリの前記第2カバーよりも内周側の位置に設けられ、
前記第2カバーは、前記第2カバーの内周面から内向きに突出するフランジ部を有し、
前記ロック機構は、前記トッププレートを上下に貫通する軸部と、前記軸部の下端に設けられた係合部と、前記第2カバーの前記フランジ部を上下に貫通する差込口とを含み、
前記切り替えレバーがロック位置にあるとき、前記係合部が前記差込口の縁部に係合する位置に配置されることにより前記ロック機構が前記連結状態となり、
前記切り替えレバーが解除位置にあるとき、前記係合部が前記差込口の縁部とは係合しない位置に配置されることにより前記ロック機構が前記解除状態となる、請求項4に記載の基板処理装置。 - 前記昇降機構は、前記上部チャンバの外部から前記トッププレートと連結されている、請求項1~5のいずれか1項に記載の基板処理装置。
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