TW202338979A - 基板處理裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明的基板處理裝置係具備下部腔室、上部腔室及升降機構。上部腔室係包含第一總成、第二總成及可連結第一總成與第二總成且將其連結解鎖的鎖定機構。第一總成係包含頂板及第一罩，且從第一罩的外側與升降機構連結。鎖定機構係設於比第一總成的第一罩偏靠內周側的位置。
Description
本發明係關於一種基板處理裝置，特別是關於屬於上部單元的上部腔室構成為可分離的基板處理裝置。
(技術背景的說明)
以往，已知有上部單元構成為可分離的基板處理裝置。此種基板處理裝置係例如日本專利公報特許第4896337號及日本專利公報特許第5188849號中揭示者。
上述日本專利公報特許第4896337號揭示一種基板處理裝置，其具備構成處理室的頂部的上部電極單元以及使上部電極單元升降的升降機構。其中，上部電極單元係由上部總成與下部總成構成，此上部總成與下部總成係構成為可藉由設於上部電極單元的外周面的鎖定機構而分離、結合。上述日本專利公報特許第4896337號中，基板處理裝置的保養維護之際，在鎖定機構成為鎖定的狀態下，可使上部總成與下部總成一體地上升，而在鎖定機構成為非鎖定的狀態下，可藉由升降機構僅使上部總成上升。
上述日本專利公報特許第5188849號揭示一種電漿處理裝置，其具備由上部腔室及下部腔室構成的處理腔室、供上部腔室的一部分安裝的升降
板、使升降板升降的升降手段、以及用以將上部腔室固定的複數個固定螺栓。其中，上部腔室包含環狀板、載置於環狀板上的筒狀的側壁構件、配置於側壁構件的外側且固定設置於升降板的下表面的電漿產生手段、以及載置於側壁構件上的頂板。此等升降板、升降機構、複數個固定螺栓及上部腔室係收容於具有門扉的上罩內。上述日本專利公報特許第5188849號中，藉由升降機構可使上部腔室之中藉由固定螺栓固定於升降板的構件從其他的構件分離而上升。亦即，保養維護之際，依據複數個固定螺栓的裝卸狀態，可留下上部腔室的環狀板及側壁構件而使頂板及電漿產生手段上升，亦可使頂板、側壁構件、電漿產生手段及環狀板一體地上升。
上述日本專利公報特許第4896337號及日本專利公報特許第5188849號雖未揭示，惟基板的處理中，基板處理裝置的腔室的側壁等會成為高溫，故會要求安全規格等以使作業者不會接觸到高溫部。再者，就上述日本專利公報特許第4896337號公報中的鎖定機構、上述日本專利公報特許第5188849號公報中的固定螺栓等作業者可操作的部分且為用以使基板處理裝置正常地運作的重要部分而言，例如，對於升降中解除鎖定而有重物落下的風險等情形，亦會要求安全規格等以使作業者不會非經意地接觸到。
上述日本專利公報特許第4896337號中，並未特別考量到對於此種高溫部的保護、對於鎖定機構的保護等，故實際上要依據安全規格來構成裝置時，必須在上部總成及下部總成之中會成為高溫的部分的周圍、鎖定機構的周圍等另外設置用以防止接觸的保護罩等構件。因此，不僅裝置構成複雜化，且因保護罩等的設置而致使裝置的外形尺寸增大。
另一方面，上述日本專利公報特許第5188849號中，由於以固定
螺栓固定的上部腔室的各要素、升降手段等收容於具有門扉的上罩內，故認為已考量了藉由此罩體來確保對於高溫部的保護、對於鎖定機構的保護等。然而，此情形下，由於設有用以覆於上部腔室及升降手段整體之較大的罩體，故裝置的外形尺寸變大。再者，保養維護時，作業者是經由上罩的門將手伸入罩內以進行固定螺栓等的裝卸，然而，由於上罩內設有升降機構等，故必須在升降機構等各要素之間的間隙進行固定螺栓的裝卸，鎖定機構的操作性尚有改善的餘地。
本發明係用以解決上述課題而完成者，其一目的係在於提供一種基板處理裝置，在確保了對高溫部、鎖定機構等的保護構造的情形下，可抑制裝置的外形尺寸，而且可改善鎖定機構的操作性。
為了達成上述目的，依據第一發明構成的基板處理裝置係具備：下部腔室，係包含用以處理基板的反應室；上部腔室，係覆於下部腔室的上部；及升降機構，係對於下部腔室裝卸上部腔室；上部腔室係包含：上側的第一總成；配置於第一總成的下面的第二總成；及可連結第一總成與第二總成且將其連結解鎖的鎖定機構；第一總成係包含：頂板；及覆於頂板的上面且可使其上面開放的第一罩，且第一總成係從第一罩的外側與升降機構連結；第二總成係包含：與反應室連結而構成封閉空間的電漿產生室；及覆於電漿產生室的外周的筒狀的第二罩；鎖定機構係設於比第一總成的第一罩偏靠內周側的位置。
依據第一發明構成的基板處理裝置中，如上所述，由於構成上部
腔室的第一總成與第二腔室分別設置第一罩與第二罩，且將鎖定機構設於比第一總成的第一罩偏靠內周側的位置，故可藉由第一罩及第二罩保護高溫部，且藉由第一罩實現鎖定機構的保護。如此，由於鎖定機構不會露出於第一罩的外表面而不必另外設置鎖定機構的保護罩，故裝置構成不會複雜化，且可抑制裝置的外形尺寸變大。再者，相較於上部腔室將升降機構全收容於罩內的構成，藉由分別設置第一罩及第二罩且第一總成從第一罩的外側與升降機構連結的構成，可縮小罩內應確保的空間，故可抑制第一罩及第二罩的尺寸(容積)。再者，由於升降機構未配置於罩內，故不必在各升降機構等各要素之間的間隙操作鎖定機構，因而可改善罩內的鎖定機構的操作性。結果，依據本發明，在確保了對高溫部、鎖定機構的保護構造的情形下，可抑制裝置的外形尺寸，且可改善鎖定機構的操作性。
依據第二發明構成的基板處理裝置係具備：下部腔室，係包含用以處理基板的反應室；上部腔室，係覆於下部腔室的上部；及升降機構，係對於下部腔室裝卸上部腔室；上部腔室係包含：上側的第一總成；配置於第一總成的下面的第二總成；及可連結第一總成與第二總成且將其連結解鎖的鎖定機構；第一總成係包含：頂板；覆於頂板的上面且可使其上面開放的第一罩；及作為與反應室連結而構成封閉空間的電漿產生室的頂面的頂板部，且第一總成係從第一罩的外側與升降機構連結；第二總成係包含：構成電漿產生部的內周面的筒狀的側壁部；及覆於電漿產生室的外周的筒狀的第二罩；鎖定機構係設於比第一總成的第一罩偏靠內周側的位置。
依據第二發明構成的基板處理裝置中，如上所述，由於構成上部腔室的第一總成與第二腔室分別設置第一罩與第二罩，且將鎖定機構設於比第
一總成的第一罩偏靠內周側的位置，故可藉由第一罩及第二罩保護高溫部，且藉由第一罩實現鎖定機構的保護。如此，由於鎖定機構不會露出於第一罩的外表面而不必另外設置鎖定機構的保護罩，故裝置構成不會複雜化，且可抑制裝置的外形尺寸變大。再者，相較於上部腔室將升降機構全收容於罩內的構成，藉由分別設置第一罩及第二罩且第一總成從第一罩的外側與升降機構連結的構成，可縮小罩內應確保的空間，故可抑制第一罩及第二罩的尺寸(容積)。再者，由於升降機構未配置於罩內，故不必在各升降機構等各要素之間的間隙操作鎖定機構，因而可改善罩內的鎖定機構的操作性。結果，依據本發明，在確保了對高溫部、鎖定機構的保護構造的情形下，可抑制裝置的外形尺寸，且可改善鎖定機構的操作性。
依據第三發明構成的基板處理裝置係具備：下部腔室，係包含用以處理基板的反應室；上部腔室，係覆於下部腔室的上部；及升降機構，係對於下部腔室裝卸上部腔室；上部腔室係包含：上側的第一總成；配置於第一總成的下面的第二總成；及可連結第一總成與第二總成且將其連結解鎖的鎖定機構；第一總成係包含：頂板；及覆於頂板的上面且可使其上面開放的第一罩，且第一總成係從第一罩的外側與升降機構連結；第二總成係包含筒狀的第二罩，該第二罩係覆於與反應室連結而構成封閉空間的電漿產生部的外周；鎖定機構係設於比第一總成的第一罩偏靠內周側的位置。
依據第三發明構成的基板處理裝置中，如上所述，由於構成上部腔室的第一總成與第二腔室分別設置第一罩與第二罩，且將鎖定機構設於比第一總成的第一罩偏靠內周側的位置，故可藉由第一罩及第二罩保護高溫部，且藉由第一罩實現鎖定機構的保護。如此，由於鎖定機構不會露出於第一罩的外表面
而不必另外設置鎖定機構的保護罩，故裝置構成不會複雜化，且可抑制裝置的外形尺寸變大。再者，相較於上部腔室將升降機構全收容於罩內的構成，藉由分別設置第一罩及第二罩且第一總成從第一罩的外側與升降機構連結的構成，可縮小罩內應確保的空間，故可抑制第一罩及第二罩的尺寸(容積)。再者，由於升降機構未配置於罩內，故不必在各升降機構等各要素之間的間隙操作鎖定機構，因而可改善罩內的鎖定機構的操作性。結果，依據本發明，在確保了對高溫部、鎖定機構的保護構造的情形下，可抑制裝置的外形尺寸，且可改善鎖定機構的操作性。
依據上述第一至第三發明之任一發明構成的基板處理裝置中，較佳為第一總成包含分別設於頂板的閥機構、冷卻機構及加熱機構，第二總成包含線圈，該線圈係在第二罩的內周側設於電漿產生室的周圍，產生用以將電漿產生室內的處理氣體電漿化的磁場。依據此種構成，使第一總成上升時，可一併使搭載於第一總成的各機構(閥機構、冷卻機構及加熱機構)從第二總成分離，另一方面，可使電漿產生室的線圈留在第二總成側。
依據上述第一至第三發明之任一發明構成的基板處理裝置中，較佳為鎖定機構構成為可切換連結狀態與解鎖狀態；該連結狀態係將第一總成與第二總成連結，以使第一總成及第二總成雙方可藉由升降機構而從下部腔室分離；該解鎖狀態係使第一總成與第二總成的連結解鎖，以使第一總成可藉由升降機構而從第二總成及下部腔室分離。依據此種構成，僅操作鎖定機構就可切換連結狀態與解鎖狀態。
此情形下，較佳為鎖定機構包含在第一罩內配置於頂板上的切換桿，且構成為依據切換桿的位置而切換連結狀態與解鎖狀態。依據此種構成，與
藉由螺栓等來進行鎖定的構成不同地，可藉由切換桿的操作而極簡單且迅速地將鎖定機構的狀態切換為連結狀態或解鎖狀態。
此情形下，較佳為鎖定機構設於比第二總成的第二罩偏靠內周側的位置，且第二罩具有從第二罩的內周面向內突出的凸緣部，鎖定機構包含：沿上下方向貫穿頂板的軸部；設於軸部的下端的卡合部；及沿上下方向貫穿第二罩的凸緣部的插入口；切換桿位於鎖定位置時，藉由卡合部配置在卡合於插入口的緣部的位置，使得鎖定機構成為連結狀態；切換桿位於解鎖位置時，藉由卡合部配置在不與插入口的緣部卡合的位置，使得鎖定機構成為解鎖狀態。依據此種構成，能夠僅以使軸部插通於插入口且使卡合部與插入口的緣部的卡合狀態變化的簡單構成而實現鎖定機構。再者，由於鎖定機構整體可成為上下方向延伸的細長的軸狀構造，故即使將鎖定機構設於第一罩及第二罩的內周側，也可有效地抑制第一罩及第二罩的外形尺寸變大。
依據上述第一至第三發明之任一發明構成的基板處理裝置中，較佳為升降機構係從上部腔室的外部與頂板連結。在此，例如將第一罩與升降機構連結時，必須確保第一罩有可支持重量的剛性，為了確保剛性，容易導致第一罩大型化。相對於此，上述構成中，由於以頂板作為確保第一總成的剛構件而發揮功能，故可將第一罩小型、輕量地形成。
1:下部腔室
2:上部腔室
2a:第一總成
2b:第二總成
2c:第三總成
3:升降機構
3a:安裝架
3b:升降軸
4:氣體供給裝置
4a:供給管
5:高頻電源
6:排氣裝置
6a:真空泵
6b:排氣管
7:高頻電源
8:鎖定機構
8a:切換桿
8b:軸部
8c:卡合部
8d:插入口
8e:套筒
8f:誤動作防止構件
9:收容部
11:反應室
12:基板載置部
12a:升降汽缸
13:出入口
21:頂板
21a:突出部
21b:插通孔
21c:安裝部
22:第一罩
22a:分離部
22b:通氣孔
22c:缺口部
23:閥機構
23a:附件
24:冷卻機構
25:加熱機構
31:電漿產生室
31a:側壁部
31b:頂板部
31c:密封構件
31d:開口
32:第二罩
32a:內周面
32b:凸緣部
33:線圈
34:支持板
35:分配構件
40:封閉空間
100:基板處理裝置
200:搬送裝置
A1:中心軸
A2:水平軸
C11:鎖定機構
C12:罩體
C13:罩構件
C21:上部罩
C22:升降機構
C23:上部罩
C24:鎖定機構
P1:第一角度
P2:第二角度
圖1係顯示基板處理裝置的概略構成的示意剖視圖。
圖2係顯示已使上部腔室移動到上升位置的狀態的示意剖視圖。
圖3係用以說明上部腔室的構造的示意剖視圖。
圖4係顯示第一總成的第一罩內的示意剖視圖。
圖5係用以說明鎖定機構的構造的示意剖視圖。
圖6係用以說明插入口的配置的第二罩的示意俯視圖。
圖7(A)係用以說明切換鎖定機構的狀態之際的切換桿的操作的示意圖，(B)係用以說明解鎖狀態的卡合部的示意圖，(C)係用以說明連結狀態的卡合部的示意圖。
圖8係顯示在連結狀態下使上部腔室成為上升狀態的示意剖視圖。
圖9係顯示在解鎖狀態下使第一總成成為上升狀態的示意剖視圖。
圖10係鎖定機構設於裝置外表面的比較例1的示意圖。
圖11係上部腔室將升降機構全收容於罩內的比較例2的示意圖。
圖12係顯示變形例中使第一總成與第二總成成為分離狀態的示意剖視圖。
圖13係顯示另一變形例中使第一總成與第二總成成為分離狀態的示意剖視圖。
以下根據圖式來說明本發明的實施型態。
(基板處理裝置)
首先，參照圖1來說明本實施型態的基板處理裝置。基板處理裝置100係於封閉空間40內形成電漿以進行基板W的乾式蝕刻的電漿處理裝置，更具體而言，係感應耦合式電漿(ICP)的蝕刻裝置。基板W係例如由矽形成的矽晶圓。基板處理裝置100係具有下部腔室1、上部腔室2及升降機構3(參照圖2)。並且，
基板處理裝置100係具有氣體供給裝置4、高頻電源5、排氣裝置6及高頻電源7。
下部腔室1係包含處理基板W的反應室11。下部腔室1的上部係由上部腔室2遮覆。上部腔室2中的後述電漿產生室31與反應室11連結(連通)而構成為閉鎖的空間之封閉空間40。
反應室11內設置有基板載置部12。基板載置部12上可載置被處理對象的基板W。下部腔室1設有基板W的出入口13，基板W係藉由搬送裝置200(參照圖2)搬送。基板載置部12係設置成為藉由升降汽缸12a而在封閉空間40內自由升降。基板載置部12中設有內部配管(未圖示)，藉由使冷媒循環的冷卻裝置(未圖示)使冷媒流通於內部配管，在電漿處理的執行中，藉由冷媒冷卻基板載置部12。
高頻電源7係對基板載置部12供給高頻電力。藉由高頻電源7供給高頻電力而對基板載置部12與電漿之間賦予偏壓電位。
反應室11係連接有要將封閉空間40內的壓力減壓的排氣裝置6。排氣裝置6的真空泵6a係經由排氣管6b將封閉空間40內的氣體排氣，使封閉空間40內成為真空狀態。在此，基板處理裝置100中，封閉空間40以外的區域為大氣區域。
上部腔室2係包含上側的第一總成2a、配置在第一總成2a的下面的第二總成2b、以及將第一總成2a與第二總成2b連結成為其連結可解鎖的鎖定機構。第一總成2a與第二總成2b可藉由鎖定機構而分離、結合地連結。上部腔室2更包含設於第二總成2b的下面的第三總成2c。
如圖2所示，升降機構3可對於下部腔室1裝卸上部腔室2。升
降機構3係設置成為藉由一對的升降軸3b從兩側支持上部腔室2。升降機構3係將上部腔室2支持成為至少可朝上下方向移動。升降機構3可使上部腔室2沿升降軸3b移動至下部腔室1的上面之上的下降位置(參照圖1)以及從下部腔室1往上方離開的上升位置(參照圖2)。在此，相對於上部腔室2及下部腔室1，將搬送裝置200一側設為前方，將後述收容部9一側設為後方，將水平面內與前後方正交的方向設為左右方向，此情況下，一對的升降軸3b係相對於上部腔室2及下部腔室1設於向後方隔離的位置。因此，作業者從左右方向對上部腔室2及下部腔室1進行保養維護作業時，升降機構3的升降軸3b不會造成干擾不便。
回到圖1，鎖定機構係構成為可切換連結狀態與解鎖狀態。連結狀態(參照圖1、圖2、圖8)係將第一總成2a與第二總成2b連結的狀態，以使第一總成2a及第二總成2b雙方可藉由升降機構3從下部腔室1分離。解鎖狀態(參照圖9)係將第一總成2a與第二總成2b的連結解鎖的狀態，以使第一總成2a可藉由升降機構3從第二總成2b及下部腔室1分離。
(第一總成)
如圖3所示，第一總成2a係包含頂板21以及覆於頂板21的上面且可使頂板21的上面開放的第一罩22。
頂板21係構成第一總成2a的基部的平板狀構件。構成第一總成2a的各構件係直接或間接地組裝於頂板21。第一罩22係設於頂板21上。第一罩22係具有沿頂板21的外周上下延伸的側面部、以及從側面部的上端起水平地延伸的上表面部，而圍繞覆於頂板21的上面。第一罩22的至少一部分可從頂板21裝卸(或可開閉)。本實施型態中，第一罩22的側面部的一部分固定於頂板21。包含第一罩22的上表面部的大部分的分離部22a(參照圖2)係安裝成為可相
對於固定在頂板21的部分裝卸。
第一總成2a係包含分別設於頂板21的閥機構23、冷卻機構24及加熱機構25。
閥機構23係包含用以對供給至電漿產生室31內的處理氣體進行供給控制的閥。閥機構23(參照圖1)係藉由供給管4a而連接設置於第一總成2a的外部的氣體供給裝置4。並且，閥機構23係經由虛線表示的管構件連接於附件23a，再以此附件23a對於第二總成2b的後述分配構件35裝卸。閥機構23係經由附件23a及分配構件35將氣體供給裝置4與電漿產生室31的內部連接。藉此，氣體供給裝置4可經由閥機構23將處理氣體(蝕刻氣體)供給至封閉空間40內。
冷卻機構24係具有將伴隨著基板處理而產生的熱予以散熱的功能。冷卻機構24係內建冷卻風扇，將上部腔室2的大氣區域中溫度上升的空氣從形成於第一罩22的上表面的通氣孔22b排出外部。加熱機構25係設於頂板21的下面側的加熱器，且構成為將第二總成2b的電漿產生室31的構成構件(頂板部31b、側壁部31a)加熱。頂板21的下面設有供安裝加熱機構25的突出部21a。突出部21a係與頂板部31b的上表面抵接。加熱機構25係設於突出部21a的下面側且與設於頂板部31b的上面的分配構件35抵接，將熱傳導至頂板部31b。
如圖2所示，第一總成2a係從第一罩22的外側與升降機構3連結。具體而言，升降機構3係從上部腔室2的外部與頂板21連結。亦即，如圖4所示，頂板21的兩側部(圖4的上下兩側)各設有一個用以與升降機構3的安裝架3a連接的安裝部21c。升降機構3的安裝架3a(參照圖2)係藉由螺栓而固定於
安裝部21c。在此，第一罩22係設有用以供安裝架3a插入安裝部21c的缺口部22c(參照圖2)。
再者，頂板21設有鎖定機構。如圖4所示，鎖定機構8係沿第一總成2a的周方向間隔略相等角度設於頂板21的三個部位。基板處理裝置100係具有三個相同構成的鎖定機構。
(第二總成)
回到圖3，第二總成2b係包含與反應室11連結而構成封閉空間40的電漿產生室31、以及覆於電漿產生室31的外周的筒狀的第二罩32。並且，第二總成2b的第二罩32的外部的後方側設有用以收容電路的收容部9(參照圖1)。收容部9中設有例如與高頻電源5連接的匹配器，以此匹配器進行高頻電源5與線圈33的阻抗匹配。
第二總成2b係在第二罩32的內周側包含構成電漿產生室31的內周面的筒狀的側壁部31a、構成電漿產生室31的頂面的頂板部31b、以及設於電漿產生室31的周圍的線圈33，以此線圈33產生磁場將電漿產生室31內的處理氣體電漿化。第二總成2b係包含支持該等構件的支持板34，此支持板34係中央形成開口的平板而呈圓環狀。
側壁部31a係由介電體(氧化鋁)構成的圓筒構件。側壁部31a的下端部係由支持板34所支持。頂板部31b係載置於側壁部31a的上端的圓板構件。頂板部31b與側壁部31a的上端面的交界係藉由密封構件31c而密封。頂板部31b的下表面(電漿產生室31的內面)沿周方向設有複數個引導氣體用的開口31d，頂板部31b的上表面設有分配構件35。經由閥機構23供給來的處理氣體係通過形成於分配構件35與頂板部31b的氣體流路(未圖示)而從開口31d導入
電漿產生室31。
線圈33係沿側壁部31a的外周面捲繞成螺旋狀。支持板34的上表面沿側壁部31a的全周設有複數根絕緣性的柱狀的保持構件(未圖示)，線圈33係固定於此等保持構件。如圖1所示，線圈33係經由收容部9內的匹配器(電路)而連接於高頻電源5。藉由高頻電源5將高頻電力供給至線圈33，藉此，將供給至電漿產生室31內的處理氣體電漿化。
如圖3所示，第二罩32係包圍頂板部31b及側壁部31a的外周。第二罩32係與電漿產生室31及線圈33分離而呈非接觸狀態。第二罩32係於下端部形成螺牙孔(未圖示)，藉由從支持板34的下面側插通貫穿孔(未圖示)的螺栓(未圖示)螺合於螺牙孔而鎖固於支持板34的外周部。
此外，上述頂板21的突出部21a係在第二罩32的內側與頂板部31b抵接。頂板21的外周部的下表面係設置在第二罩32的上端面。並且，第二罩32係具有從第二罩32的內周面32a向內突出的凸緣部32b。凸緣部32b係形成於第二罩32的上端且順沿於頂板21的下表面。
此種構成的上部腔室2中，基板W(參照圖1)的處理中成為高溫的高溫部主要為電漿產生室31(側壁部31a及頂板部31b)、線圈33及加熱機構25。此等高溫部的周圍係由第二罩32包圍以防止作業者非經意地接觸。
再者，鎖定機構8係使用者可操作的部分，且為用以使基板處理裝置100正常地運作的重要的部分。由於鎖定機構8位於第一罩22及第二罩32的內側，故可防止作業者非經意地接觸。
(第三總成)
第三總成2c係環狀構件，其內周部朝徑向內側突出而縮小電漿產生室31與
反應室11的連接部位的開口徑。第三總成2c係藉由未圖示的螺栓而可裝卸地安裝於支持板34。並且，第三總成2c的下表面係設置於下部腔室1的上面(參照圖1)。本實施型態的構成中，此第三總成2c的下表面成為上部腔室2的最下方的面。
(鎖定機構)
三個鎖定機構8(參照圖4)係設於比第一總成2a的第一罩22偏靠內周側(徑向內側)的位置。並且，鎖定機構8係設於比第二總成2b的第二罩32偏靠內周側(徑向內側)的位置。如圖5所示，鎖定機構8係配置於比第一罩22的外周面及內周面偏靠內側，且配置於比第二罩32的外周面及內周面32a(凸緣部32b除外)偏靠內側。在此，三個鎖定機構8係具有相同的構成。
各鎖定機構8係包含配置在第一罩22內且配置在頂板21上的切換桿8a(參照圖4)，且構成為依據切換桿8a的位置來切換連結狀態與解鎖狀態。並且，各鎖定機構8係包含沿上下方向貫穿頂板21的軸部8b、設於軸部8b的下端的卡合部8c、以及沿上下方向貫穿第二罩32的凸緣部32b的插入口8d。
軸部8b係通過頂板21的插通孔21b及插入口8d。軸部8b係設置成插入圓筒狀的套筒8e內而可繞中心軸A1的周圍旋轉。軸部8b的上端係比頂板21露出於上側且將切換桿8a安裝成可旋轉。切換桿8a亦可繞與軸部8b的中心軸A1正交的水平軸A2的周圍轉動，而可切換成順沿於頂板21的方向的平躺狀態以及從頂板21朝上方豎立的立起狀態。如此，扭轉立起狀態的切換桿8a時，可使軸部8b繞中心軸A1的周圍旋轉，而在切換桿8a的平躺狀態下，切換桿8a及軸部8b無法繞中心軸A1的周圍旋轉而可將繞中心軸A1的周圍的旋轉位置固定。
軸部8b的下端係通過插入口8d而突出於第二罩32的下方。並且，卡合部8c係固定於軸部8b之中突出於凸緣部32b的下方側的位置。切換桿8a係構成為隨著與繞水平軸A2的周圍的角度連動而使軸部8b上下移動。切換桿8a的平躺狀態下，軸部8b及卡合部8c往上方移動，以卡合部8c對於凸緣部32b的下表面朝上方推壓，而將頂板21與凸緣部32b夾於切換桿8a的基座與卡合部8c之間，結果，致使第一總成2a與第二總成2b連結。切換桿8a的立起狀態下，軸部8b及卡合部8c往下方移動，卡合部8c從凸緣部32b的下表面向下方分離而可使軸部8b及卡合部8c自由地繞中心軸A1的周圍旋轉。
如圖6所示，三個鎖定機構8各自的插入口8d係在第二罩32的凸緣部32b沿周方向間隔略相等角度設於三個部位。
如圖7(B)所示，凸緣部32b的插入口8d係呈縱橫的長度不同的長方形。再者，卡合部8c亦呈略小於插入口8d的長方形的外形形狀。卡合部8c的長邊的長度係大於插入口8d的短邊的長度。因此，將切換桿8a扭轉到朝向頂板21的徑向內側的第一角度P1(參照圖7(A)的二點鎖鍊線)時，如圖7(B)所示，軸部8b轉動成為卡合部8c的長邊方向對向插入口8d的長邊方向，成為卡合部8c可通過插入口8d的狀態，而可使軸部8b插入插入口8d或從插入口8d拔出軸部8b。在軸部8b插入插入口8d的狀態下，如圖7(C)所示，將切換桿8a扭轉到朝向頂板21的周方向的第二角度P2(參照圖7(A)的實線)時，軸部8b轉動成為卡合部8c的長邊方向對向插入口8d的短邊方向，成為卡合部8c卡在插入口8d的邊緣而無法通過的狀態。
要將鎖定機構8從連結狀態切換成解鎖狀態時，首先，將切換桿8a從平躺狀態切換成立起狀態。藉此，卡合部8c從凸緣部32b的下表面分離而
變得可轉動。接著，將立起狀態的切換桿8a從第二角度P2扭轉至第一角度P1。藉此，卡合部8c可通過插入口8d。此切換桿8a朝向第一角度P1的狀態為鎖定機構8的解鎖狀態。解鎖狀態下，不論是切換桿8a的立起狀態或是平躺狀態，由於卡合部8c皆不與凸緣部32b卡合故任一狀態皆可通過插入口8d。
要將鎖定機構8從解鎖狀態切換成連結狀態時，在切換桿8a的立起狀態下，從第一角度P1扭轉至第二角度P2。藉此，卡合部8c成為無法通過插入口8d的朝向。接著，將朝向第二角度P2的切換桿8a從立起狀態切換成平躺狀態。藉此，卡合部8c向上移動而卡在插入口8d的緣部，將頂板21與凸緣部32b夾於切換桿8a的基座與卡合部8c之間，結果，成為連結狀態。切換桿8a朝向第二角度P2且切換桿8a於平躺狀態為鎖定機構8的連結狀態。
僅以切換桿8a切換平躺狀態與立起狀態的動作以及使切換桿8a在圖7(A)所示的第一角度P1與第二角度P2之間轉動約90度(從插入口8d的短邊方向至長邊方向)的動作的組合，就可容易且迅速地進行切換操作。在連結狀態下，卡合部8c被推壓至凸緣部32b的下表面，故只要不抬起切換桿8a(軸部8b)就無法旋轉而可維持連結狀態。
依據此種構成，切換桿8a位於鎖定位置時，藉由卡合部8c配置在卡合於插入口8d的緣部的位置，使得鎖定機構8成為連結狀態。切換桿8a位於解鎖位置時，藉由卡合部8c配置於不與插入口8d的緣部卡合的位置，使得鎖定機構8成為解鎖狀態。鎖定位置係指切換桿8a朝向第二角度P2，且使切換桿8a成為平躺狀態時的切換桿8a的位置。解鎖位置係指切換桿8a朝向第一角度P1時的切換桿8a的位置。
此外，如圖7(A)所示，對於鎖定機構8，在頂板21的周方向的一
側設有誤動作防止構件8f。誤動作防止構件8f係在切換桿8a朝第二角度P2的方向平躺後，亦即鎖定機構8成為連結狀態後，可卡合切換桿8a的上表面的鉤狀的構件。將誤動作防止構件8f從切換桿8a的上表面移動到退避位置時可使切換桿8a從鎖定狀態(平躺狀態)切換成立起狀態。因此，誤動作防止構件8f可防止非經意地將切換桿8a從平躺狀態切換成立起狀態。
(基板處理裝置的處理動作)
接著說明藉由本實施型態的基板處理裝置100進行基板處理時的動作的概要。基板處理裝置100的動作係由未圖示的控制裝置控制。基板處理裝置100動作時，鎖定機構8維持於連結狀態。
如圖1所示，藉由搬送裝置200將基板W配置於基板載置部12。藉由基板載置部12具備的靜電吸盤(未圖示)將基板W吸附於載置面。
接著，將處理氣體導入封閉空間40內並施加高頻電力以形成電漿。首先，從氣體供給裝置4經由閥機構23對電漿產生室31內供給處理氣體，並且從高頻電源5對線圈33供給高頻電源。藉此，以高頻電力將處理氣體激發成電漿。
再者，藉由高頻電源7對基板載置部12施加高頻電力。藉此，在基板載置部12與封閉空間40中的電漿之間產生電位差(偏壓電位)。結果，可藉由電漿中的離子因偏壓電位而朝向基板W衝擊而蝕刻基板W，或可藉由電漿中的自由基與基板W的預定蝕刻部位化學反應而蝕刻基板W。
接著說明基板處理裝置100的保養維護的概要。
(下部腔室的保養維護)
要進行下部腔室1的內部的保養維護時，如圖8所示，作業者在三個鎖定機
構8保持於連結狀態的情形下，藉由升降機構3(參照圖2)使上部腔室2整體上升。藉此，上部腔室2的整體從下部腔室1往上方分離，使得下部腔室1的上面開放。藉此，作業者可容易地對於反應室11進行內部的保養維護。作業後，藉由升降機構3將上部腔室2從上升位置回復到下降位置，將上部腔室2與下部腔室1結合。
在此，由於上部腔室2設有第三總成2c，故在第二總成2b的支持板34與第三總成2c藉由螺栓的裝設而連接的狀態下，如圖8所示，不僅可將上部腔室2整體從下部腔室1分離，將連接支持板34與第三總成2c的螺栓拆除時，還可將第一總成2a及第二總成2b從第三總成2c及下部腔室1分離。
(第二總成的保養維護)
要進行第二總成2b的內部的保養維護時，作業者將三個鎖定機構8從連結狀態切換成解鎖狀態之後，藉由升降機構3使上部腔室2上升。
如圖9所示，作業者拆開第一罩22的分離部22a(參照圖2)而使頂板21上的各鎖定機構8(切換桿8a)露出。作業者使各鎖定機構8的誤動作防止構件8f從切換桿8a的上表面移動到退避位置後，把持各鎖定機構8的切換桿8a，將切換桿8a分別從鎖定位置切換成解鎖位置。結果，鎖定機構8切換成解鎖狀態，使得第一總成2a與第二總成2b成為可分離的狀態。
作業者藉由升降機構3(參照圖2)使第一總成2a上升。此時，由於第一總成2a與第二總成2b的連結解鎖，所以僅第一總成2a從第二總成2b向上方分離。藉此，使得第二罩32的上面開放露出電漿產生室31的頂板部31b。
作業者使頂板部31b從側壁部31a拆開之後分離。藉此，使電漿產生室31(側壁部31a)的內部開放，因而可容易地對於電漿產生室31的內部進
行保養維護。作業後，作業者將頂板部31b安裝於側壁部31a的上端。作業者可不利用升降機構3的升降移動而僅將頂板部31b直接安裝於側壁部31a的上端。
其後，藉由升降機構3(參照圖2)將第一總成2a從上升位置回復到下降位置，將第一總成2a設置於第二總成2b之上。此時，頂板21的突出部21a從上方推壓於頂板部31b的上表面，藉此提升頂板部31b與側壁部31a之間的密封性，並且，藉由此推壓也確保附件23a與分配構件35之間的密封。
再者，由於第一總成2a成為設置於第二總成2b之上，鎖定機構8的軸部8b及卡合部8c因而通過凸緣部32b的插入口8d的內部，且卡合部8c成為配置於凸緣部32b的下表面側。作業者把持鎖定機構8的切換桿8a從解鎖位置切換成鎖定位置。結果，各鎖定機構8切換成連結狀態，使得第一總成2a與第二總成2b相互固定。最後，作業者關閉第一罩22而結束保養維護。此外，在此說明了在鎖定機構8的軸部8b及卡合部8c裝設於第一總成2a的狀態下，使第一總成2a上升、下降的情形，然而，也可在使第一總成2a上升之前先從第一總成2a拆下軸部8b及卡合部8c，而在第一總成2a下降而於第二總成2b之上設置第一總成2a之後，再從第一總成2a插入軸部8b及卡合部8c。
(第一總成的保養維護)
第一總成2a的上面側不須藉由升降機構3升降即可在保持於下降位置的狀態下開放第一罩22而進行保養維護。與上述同樣地，亦可在連結狀態下使上部腔室2移動到上升位置而進行保養維護，或可在解鎖狀態下僅使第一總成2a移動到上升位置而進行保養維護。作業者在作業後將分離部22a安裝於第一罩22而結束保養維護。
(本實施型態的功效)
依據本實施型態可獲得以下所述的功效。
本實施型態的基板處理裝置100係如上所述，構成上部腔室2的第一總成2a與第二總成2b分別設置第一罩22與第二罩32，且將鎖定機構8設於比第一總成2a的第一罩22偏靠內周側的位置，因而可藉由第一罩22及第二罩32保護高溫部，且可藉由第一罩22實現鎖定機構8的保護。如此，鎖定機構8不露出於第一罩22的外表面，因而無須另外設置鎖定機構8的保護罩等。亦即，如圖10所示的比較例1，鎖定機構C11露出於罩體C12的外周面的構成的情形下，為了防止非經意地接觸到此鎖定機構C11，必須另外設置以二點鎖鍊線表示的罩構件C13。因此，因罩構件C13的設置而致使裝置的外形尺寸大型化、裝置構成複雜化。依據本實施型態，由於第一罩22也作為鎖定機構8的遮罩的功能，故相較於圖10所示的比較例，本實施型態的裝置構成不會複雜化，且可抑制裝置的外形尺寸變大。
並且，本實施型態係如上所述，分別設置第一罩22及第二罩32，且第一總成2a從第一罩22的外側與升降機構3連結，故相較於圖11所示的比較例2中之上部罩C21將升降機構C22全收容於上部罩C23內的構成，本實施型態可縮小罩體(第一罩22、第二罩32)內應確保的空間，可抑制第一罩22及第二罩32的尺寸(容積)。如此，在保養維護時，可藉由操作鎖定機構8將第一總成2a與第二總成2b連結或將連結解鎖。此情形下，相對於圖11的比較例中之收容於上部罩C23內的升降機構C22等容易造成上部罩C23內的鎖定機構C24的解鎖作業及連結作業的阻礙，本實施型態則由於升降機構3未配置於第一罩22內，故可不必在各升降機構等各要素之間的間隙操作鎖定機構8，因此，升降機構3不會造成鎖定機構8的操作的阻礙。藉此，可特別地改善第一罩22內的
鎖定機構8的操作性。結果，依據本實施型態，在確保了對高溫部、鎖定機構8的保護構造的情形下，可抑制裝置的外形尺寸，且可改善鎖定機構8的操作性。
再者，本實施型態係如上所述，第一總成2a包含分別設於頂板21的閥機構23、冷卻機構24及加熱機構25，第二總成2b於第二罩32的內周側包含：構成電漿產生室31的內周面的筒狀的側壁部31a、構成電漿產生室31的頂面的頂板部31b、以及設於電漿產生室31的周圍，產生用以將電漿產生室31內的處理氣體電漿化的磁場的線圈33。藉此，使第一總成2a上升時，可使搭載於第一總成2a的各機構(閥機構23、冷卻機構24及加熱機構25)一併從第二總成2b分離。再者，使第一總成2a從第二總成2b分離時，構成電漿產生室31的頂板部31b與側壁部31a以及線圈33係留在第二總成2b側。在此假設頂板部31b設於第一總成2a的情形，在藉由升降機構3進行第一總成2a與第二總成2b的分離、結合之際，必須進行頂板部31b與側壁部31a的密封(氣密封閉)，故對於升降機構3進行的升降動作有較高的位置精度要求。相對於此，本實施型態中，可在頂板部31b安裝於側壁部31a之後，使第一總成2a與第二總成2b結合。因此，不必為了確保頂板部31b與側壁部31a的密封(氣密封閉)的位置對準而對升降機構3要求較高的位置精度。
再者，本實施型態係如上所述，鎖定機構8構成為可切換連結狀態與解鎖狀態，該連結狀態係將第一總成2a與第二總成2b連結，以使第一總成2a及第二總成2b雙方可藉由升降機構3從下部腔室1分離，該解鎖狀態係使第一總成2a與第二總成2b的連結解鎖，以使第一總成2a可藉由升降機構3從第二總成2b及下部腔室1分離。藉此，僅操作鎖定機構8就可切換連結狀態與解鎖狀態。
再者，本實施型態係如上所述，鎖定機構8包含在第一罩22內配置於頂板21上的切換桿8a，且構成為依據切換桿8a的位置而切換連結狀態與解鎖狀態。藉此，與藉由螺栓等來進行鎖定的構成不同地，可藉由切換桿8a的操作而極簡單且迅速地將鎖定機構8的狀態切換為連結狀態或解鎖狀態。
再者，本實施型態係如上所述，鎖定機構8設於比第二總成2b的第二罩32偏靠內周側的位置；第二罩32具有從第二罩32的內周面32a向內突出的凸緣部32b，鎖定機構8包含：沿上下方向貫穿頂板21的軸部8b；設於軸部8b的下端的卡合部8c；及沿上下方向貫穿第二罩32的凸緣部32b的插入口8d；切換桿8a位於鎖定位置時，藉由卡合部8c配置在卡合於插入口8d的緣部的位置，使得鎖定機構8成為連結狀態；切換桿8a位於解鎖位置時，藉由卡合部8c配置在不與插入口8d的緣部卡合的位置，使得鎖定機構8成為解鎖狀態。藉此，能夠僅以使軸部8b插通於插入口8d且使卡合部8c與插入口8d的緣部的卡合狀態變化的簡單構成而實現鎖定機構8。再者，由於鎖定機構8整體可成為上下方向延伸的細長的軸狀構造，故即使將鎖定機構8設於第一罩22及第二罩32的內周側，也可有效地抑制第一罩22及第二罩32的外形尺寸變大。
再者，本實施型態係如上所述，升降機構3係從上部腔室2的外部與頂板21連結。在此，例如將第一罩22與升降機構3連結時，必須確保第一罩22有可支持重量的剛性，為了確保剛性，容易導致第一罩22大型化。相對於此，上述構成中，由於以頂板21係作為確保第一總成2a的剛性構件而發揮功能，故可將第一罩22小型、輕量地形成。
[變形例]
此外，應理解在此揭示的所有實施型態僅為例示而非限制性的內容。本發明
的範圍並非依據上述實施型態的說明而為申請專利範圍所示者，且亦包含與申請專利範圍均等意義者及範圍內的所有的變化實施(變形例)。
例如，上述實施型態例示了使設於軸部8b的卡合部8c與插入口8d的緣部卡合的型態的鎖定機構8，然而本發明不限於此。本發明中，以鎖定機構將第一總成2a與第二總成2b連結的構造也可為例如螺栓(鎖固手段)、插銷、楔鍵、扣件(卡合手段)等。再者，鎖定機構8也可不為操作切換桿8a的型態者。
再者，上述實施型態例示了升降機構3與頂板21連結的例子，然而本發明也可為升降機構3與第一罩22連結。
再者，上述實施型態例示了閥機構23、冷卻機構24及加熱機構25設於頂板21(第一總成2a)，而構成電漿產生室31的側壁部31a與頂板部31b設於第二總成2b的例子，然而，本發明不限於此，本發明也可如圖12所示，建構成頂板部31b設於第一總成2a(頂板21)側，隨著第一總成2a從第二總成2b分離，頂板部31b從側壁部31a分離。
具體而言，圖12所示的變形例中，第一總成2a包含頂板21、第一罩22、以及構成電漿產生室31的頂面的頂板部31b。此變形例中，頂板部31b係藉由螺栓(未圖示)而固定於頂板21的突出部21a的下表面。此外，第二總成2b包含構成電漿產生室31的內周面的側壁部31a以及覆於電漿產生室31的外周的第二罩32，此第二總成2b並未設置頂板部31b。依據此變形例構成的基板處理裝置100的其他構成係與上述實施型態相同。
此變形例中，將鎖定機構8切換成解鎖狀態並藉由升降機構3(參照圖2)使第一總成2a從第二總成2b上升(分離)時，頂板部31b係與第一總成2a一同上升，使電漿產生室31的內部開放。若藉由升降機構3使第一總成2a從上
升位置回到下降位置，則成為頂板部31b設置於側壁部31a上而藉由頂板部31b關閉電漿產生室31。因此，僅以升降機構3使第一總成2a升降移動，除了第一總成2a與第二總成2b的分離、結合之外，還可進行電漿產生室31的開閉。再者，頂板部31b未因製程髒污而不須要洗淨時，不須要將頂板部31b單體拆下而僅使第一總成2a整體升降即可，此亦有助於保養維護作業效率的改善。此外，依據此變形例構成的基板處理裝置100的其他功效係與上述實施型態相同。
如此，本發明中，基板處理裝置100可構成為第二總成2b包含構成電漿產生室31的內周面的側壁部31a，且構成電漿產生室31的頂面的頂板部31b設於第一總成2a(參照圖12)或第二總成2b(參照圖9)。此外，如圖13所示，側壁部31a及頂板部31b亦可皆設於第一總成2a。換言之，本發明中，基板處理裝置100亦可構成為構成電漿產生室31的側壁部31a及頂板部31b皆設於第一總成2a及第二總成2b之其中一者(參照圖9、圖13)，或是分別設於第一總成2a及第二總成2b之一者與另一者(參照圖12)。
此外，本發明中側壁部31a及頂板部31b亦可為其中一者設於第一總成2a及第二總成2b之其中一者，而另一者設於第一總成2a及第二總成2b以外的其他構件。再者，電漿產生室31的側壁部31a及頂板部31b亦可不設於第一總成2a及第二總成2b，而是設於第一總成2a及第二總成2b以外的其他構件。例如，也可將側壁部31a或側壁部31a及頂板部31b雙方設於第三總成2c。
再者，上述實施型態例示了將第三總成2c設於上部腔室2的例子，然而本發明不限於此，本發明也可不設置第三總成2c而以第一總成2a與第二總成2b構成上部腔室2。
再者，上述實施型態例示了第二罩32的凸緣部32b設為繞第二罩
32的全周而呈環狀的例子(參照圖6)，惟，凸緣部32b也可僅設於插入口8d的周圍的部分。此情形下，由於可提升第二罩32的內側的大氣區域與第一罩22的內部的通氣性，故可有效地以冷卻機構24進行散熱。
再者，上述實施型態例示了冷卻機構24為氣冷式的冷卻機構的例子，然而冷卻機構24也可為使用冷卻水的水冷式者，也可併用氣冷式者與水冷式者作為冷卻機構24。
再者，上述實施型態例示了鎖定機構8設於比第二總成2b的第二罩32偏靠內周側的位置的例子，然而不限於此，例如鎖定機構也可為將第一總成2a與第二總成2b連結的螺栓，將此螺栓從形成於頂板21的插通孔插入，對設於第二罩32的螺牙孔或螺帽以螺栓的螺牙部螺合而鎖固。此時，可於第二罩32的外壁形成橫溝而將螺帽從外側埋入第二罩32內，且將螺帽設置成於比第二罩32的內周面偏靠外側的位置露出第二罩32的外部的樣態。即使是使用螺帽的方式，螺帽在升降時也不會意外地接觸，且即使接觸也不是在鎖定機構的操作側，故鎖定不會被解鎖，惟由於上述實施型態的構成可更確實地防止誤操作且不會如螺帽方式般地在鎖定解鎖時會有插入於溝中的螺帽掉落的風險，因而較佳。
此外，本發明的基板處理裝置也可為蝕刻裝置以外的基板處理裝置，例如可為成膜裝置。
2:上部腔室
2a:第一總成
2b:第二總成
2c:第三總成
8:鎖定機構
8a:切換桿
8b:軸部
8c:卡合部
8d:插入口
21:頂板
21a:突出部
22:第一罩
22a:分離部
22b:通氣孔
23:閥機構
23a:附件
24:冷卻機構
25:加熱機構
31:電漿產生室
31a:側壁部
31b:頂板部
31c:密封構件
31d:開口
32:第二罩
32a:內周面
32b:凸緣部
33:線圈
34:支持板
35:分配構件
Claims (8)
- 一種基板處理裝置，係具備：下部腔室，係包含用以處理基板的反應室；上部腔室，係覆於前述下部腔室的上部；及升降機構，係對於前述下部腔室裝卸前述上部腔室；前述上部腔室係包含：上側的第一總成；配置於前述第一總成的下面的第二總成；及可連結前述第一總成與前述第二總成且將其連結解鎖的鎖定機構；前述第一總成係包含：頂板；及覆於前述頂板的上面且可使其上面開放的第一罩，且該第一總成係從前述第一罩的外側與前述升降機構連結；前述第二總成係包含：與前述反應室連結而構成封閉空間的電漿產生室；及覆於前述電漿產生室的外周的筒狀的第二罩；前述鎖定機構係設於比前述第一總成的前述第一罩偏靠內周側的位置。
- 一種基板處理裝置，係具備：下部腔室，係包含用以處理基板的反應室；上部腔室，係覆於前述下部腔室的上部；及升降機構，係對於前述下部腔室裝卸前述上部腔室；前述上部腔室係包含：上側的第一總成；配置於前述第一總成的下面的第二總成；及可連結前述第一總成與前述第二總成且將其連結解鎖的鎖定機構；前述第一總成係包含：頂板；覆於前述頂板的上面且可使其上面開放的第一罩；及作為與前述反應室連結而構成封閉空間的電漿產生室的頂面的頂板部，且該第一總成係從前述第一罩的外側與前述升降機構連結；前述第二總成係包含：構成前述電漿產生部的內周面的筒狀的側壁部；及覆於前述電漿產生室的外周的筒狀的第二罩；前述鎖定機構係設於比前述第一總成的前述第一罩偏靠內周側的位置。
- 一種基板處理裝置，係具備：下部腔室，係包含用以處理基板的反應室；上部腔室，係覆於前述下部腔室的上部；及升降機構，係對於前述下部腔室裝卸前述上部腔室；前述上部腔室係包含：上側的第一總成；配置於前述第一總成的下面的第二總成；及可連結前述第一總成與前述第二總成且將其連結解鎖的鎖定機構；前述第一總成係包含：頂板；及覆於前述頂板的上面且可使其上面開放的第一罩，且該第一總成係從前述第一罩的外側與前述升降機構連結；前述第二總成係包含筒狀的第二罩，該第二罩係覆於與前述反應室連結而構成封閉空間的電漿產生部的外周；前述鎖定機構係設於比前述第一總成的前述第一罩偏靠內周側的位置。
- 如請求項1至3中任一項所述之基板處理裝置，其中，前述第一總成係包含分別設於前述頂板的閥機構、冷卻機構及加熱機構；前述第二總成係包含線圈，該線圈係在前述第二罩的內周側設於前述電漿產生室的周圍，產生用以將前述電漿產生室內的處理氣體電漿化的磁場。
- 如請求項1至4中任一項所述之基板處理裝置，其中，前述鎖定機構係構成為可切換連結狀態與解鎖狀態；該連結狀態係將前述第一總成與前述第二總成連結，以使前述第一總成及前述第二總成雙方可藉由前述升降機構從前述下部腔室分離；該解鎖狀態係使前述第一總成與前述第二總成的連結解鎖，以使前述第一總成可藉由前述升降機構從前述第二總成及前述下部腔室分離。
- 如請求項5所述之基板處理裝置，其中，前述鎖定機構係包含在前述第一罩內配置於前述頂板上的切換桿，且構成為依據前述切換桿的位置而切換前述連結狀態與前述解鎖狀態。
- 如請求項6所述之基板處理裝置，其中，前述鎖定機構係設於比前述第二總成的前述第二罩偏靠內周側的位置；前述第二罩係具有從前述第二罩的內周面向內突出的凸緣部；前述鎖定機構係包含：沿上下方向貫穿前述頂板的軸部；設於前述軸部的下端的卡合部；及沿上下方向貫穿前述第二罩的凸緣部的插入口；前述切換桿位於鎖定位置時，藉由前述卡合部配置在卡合於前述插入口的緣部的位置，使得前述鎖定機構成為前述連結狀態；前述切換桿位於解鎖位置時，藉由前述卡合部配置在不與前述插入口的緣部卡合的位置，使得前述鎖定機構成為前述解鎖狀態。
- 如請求項1至7中任一項所述之基板處理裝置，其中，前述升降機構係從前述上部腔室的外部與前述頂板連結。
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