KR100332713B1 - 피처리체의표면세정장치및방법 - Google Patents

피처리체의표면세정장치및방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100332713B1
KR100332713B1 KR1019970003738A KR19970003738A KR100332713B1 KR 100332713 B1 KR100332713 B1 KR 100332713B1 KR 1019970003738 A KR1019970003738 A KR 1019970003738A KR 19970003738 A KR19970003738 A KR 19970003738A KR 100332713 B1 KR100332713 B1 KR 100332713B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
lamp
ultraviolet
ozone
exhaust
Prior art date
Application number
KR1019970003738A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970062748A (ko
Inventor
겐고 미조사키
마사아키 요시다
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR970062748A publication Critical patent/KR970062748A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100332713B1 publication Critical patent/KR100332713B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/1303Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • B08B7/0057Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like by ultraviolet radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83009Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
    • H01L2224/8301Cleaning the layer connector, e.g. oxide removal step, desmearing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
처리장치 및 처리방법
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
오존을 유효하게 이용하여 피처리체에 부착한 유기오염물을 제거하는 처리장치 및 처리방법을 제공함
3. 발명의 해결방법의 요지
피처리체를 유치하는 피처리체 유지수단과, 피처리체 및 피처리체 유지수단을 수용하는 처리실과, 피처리체에 대하여 자외선을 조사하는 자외선 조사수단과, 자외선 조사수단을 수용하는 자외선 조사수단실과, 처리실과 자외선 조사수단실을 연이어 통하는 개구를 개폐하는 개폐수단과, 자외선 조사수단의 자외선 조사에 의하여 생성되고, 처리실 내에 존재하는 오존을 배기하는 제 1 의 배기수단과, 자외선 조사 수단실에 발생하는 오존을 배기하는 제 2 의 배기수단을 가진 처리장치 및 이것을 사용하는 처리방법.
4. 발명의 중요한 용도
LCD기판 등의 피처리체를 도포처리하기 전공정에 사용됨.

Description

피치리체의 표면 세정 장치 및 방법{PROCESSING APPARATUS AND METHOD}
본 발명은, 예를 들어 LCD기판 등의 피처리체를 도포처리하기 전공정의 처리장치 및 처리방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치(Liquids Crystal Display)의 제조공정에 있어서는, LCD기판(유리기판)상에 예컨대 ITO(Indium Tin Oxide)의 박막이나 전극패턴 등을 형성하기 위하여, 반도체제조공정에 있어서 사용되는 포토리소그래피기술이 채용되고 있다. 즉, 피처리막을 가진 LCD기판상에 포토레지스트막윽 형성하고, 이 포토레지스트막에 회로패턴 등을 전사하고, 현상처리에 의하여 포토레지스트막을 부분적으로 제거하는 일련의 처리(소위 레지스트처리)가 시행된다.
예를 들면, LCD기판을 세정장치로 세정한 후, 이 LCD기판에 어드히젼처리장치로 소수화처리(疎水化處理)를 시행하고, 이것을 냉각처리장치로 냉각한다. 이어서, 레지스트도포장치로 이 LCD기판상에 포토레지스트막 즉 감광막을 도포형성한다. 그리고, 포토레지스트막을 가진 LCD기판을 열처리장치로 가열하여서 베이킹처리(프리베이크)를 시행한 후, 노광장치로 노광함으로써 소정의 패턴을 포토레지스트막에 전사한다. 이어서, 현상장치로 노광후의 LCD기판에 현상처리를 시행하여서 소정의 레지스트패턴을 형성한 후에, 베이킹처리(포스트베이크)를 시행하여 포토레지스트막을 고분자화시킴과 동시에, LCD기판과 레지스트패턴과의 사이의 밀착성을 강화한다.
상기 처리가 시행될 LCD기판은, 레지스트도포처리가 시행되기 전에 각종 성막(成膜)처리가 시행된다. 이 때문에, 처리중에 LCD기판을 일시적으로 보존하거나, 반송할 때에, LCD기판이 대기에 노출되고, LCD기판에 파티클이나 유기오염물이 부착하는 수가 있다. 이 파티클이나 유기오염물을 제거하기 위하여, 레지스트처리전의 공정에서 브러시나 세정액을 사용한 세정처리를 시행하여, LCD기판의 표면을 청정하게 하고 있다. 또, LCD기판으로의 레지스트막의 밀착성을 양호하게 하기 위하여, 어드히젼처리를 시행하고 있다.
또한, 유기오염물을 제거하는 수단으로서는, 유기오염물이 부착한 피처리체, 예컨대 반도체웨이퍼에 자외선을 조사함으로써 발생하는 오존을 이용하여서 유기오염물을 분해하는 기술이 알려져 있다(일본국 특공평 4-9373 호 공보). 이 기술에 의하면, 자외선 램프 예를 들어 저압수은램프를 점등하면, 주로 파장이 254nm 인 수은공명선(水銀共鳴線)의 자외선이 외부로 방출되고, 부수적으로 185nm의 자외선이, 또한 다른 파장의 것이 약간 방출된다. 따라서, 이 생성기구를 이용하여 유기오염물을 분해한다. 즉, 이들 자외선 중 파장 185nm의 자외선에 의하여 오존이 생성되고, 이 오존이 파장 254nm의 자외선에 의하여 분해되어 발생기의 산소가 생성한다. 이 발생기의 산소가 유기오염물을 분해하여서 가스상태로 비산시킨다.
그런데, 상기 세정처리에 있어서도, LCD기판에 부착한 유기오염물을 완전히 제거할 수 없고, 다음 공정의 레지스트처리에 있어서 균일한 레지스트막을 형성할 수 없으며, 생산수율의 저하를 가져온다고 하는 문제가 있다.
또, 이 기술에 있어서는, 유기오염물의 분해제거는 가능하지만, 자외선조사수단으로부터 발생하는 오존을 유효하게 이용하기 위한 연구가 되어 있지 않고, 충분한 청정화를 도모하는 데에는 이르고 있지 않다. 또, 자외선조사수단으로부터 발생되는 오존이 피처리체 이외의 다른 장치, 기기류에 미치는 악영향이나 장치 외부로의 누설을 방지할 필요가 있다.
본 발명은 상기 사정에 비추어서 이루어진 것으로서, 오존을 유효하게 이용하여 피처리체에 부착한 유기오염물을 제거하는 처리장치 및 처리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
제 1 도는 본 발명의 처리장치를 적용한 LCD기판의 도포처리시스템의 개략평면도,
제 2 도는 본 발명에 관계된 처리 장치의 제 1 실시형태를 나타낸 개략단면도,
제 3 도는 본 발명에 있어서의 유지수단을 나타낸 개략측면도,
제 4 도 A는 피처리체의 유지전의 상태를 나타낸 개략측면도,
제 4 도 B는 피처리체의 유지상태를 나타낸 개략측면도,
제 5 도는 본 발명의 처리장치의 제 2 실시형태의 요부를 나타낸 개략단면도,
제 6 도는 본 발명의 처리장치의 제 3 실시형태의 요부를 나타낸 개략단면도,
제 7 도는 본 발명의 처리장치의 제 4 실시형태의 요부를 나타낸 개략단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
1 : 로우더부 2 : 전처리부
3, 5 : 중계부 3a : 지지핀
4 : 도포처리부 6 : 현상처리부
7, 7a : 카세트 10,10a : 메인아암
11, 11a : 반송로 12 : 브러시 세정장치
13 : 제트수 세정장치 14 : 가열장치
15 : 어드히젼 처리장치 16 : 냉각장치
17 : 가열장치 18 : 레지스트 도포장치
19 : 도포막 제거장치 20 : 처리장치
21 : 처리실
22 : 자외선 램프 (자외선 조사수단)
23 : 램프실 (자외선 조사수단실) 23a : 상부실
23b : 하부실 23c : 간막이판
24 : 개구 25 : 램프셔터 (개폐수단)
26 : 반입ㆍ반출구 27 : 실린더
28 : 유니트셔터
30 : 유지수단 (피처리체 유지수단) 31 : 얹어놓는대
32 : 지지핀 32a : 지주
33 : 지지봉 34 : 지지판
35 : 얹어놓는대 이동용 실린더 36a : 수직봉
36b : 판자부재 36c : 위치결정부재
37 : 고정판 38 : 유지판
39a : 리니어가이드 39b : 스테핑모우터
39c : 풀리 40 : 배기팬
41 : 제 1 의 배기수단 42 : 제 2 의 배기수단
43 : 측부커버 43a : 수직하부편
44 : 배기구 44a : 하부배기구
45 : 컵 45a : 기립편
46 : 하부커버 47 : 제 1 의 배기관
48 : 제 2 의 배기관 49 : 틈새
50 : 유량조정기 51 : 필터
52 : 관로 53 : 공기공급원
54 : 촉매 55 : 제 3 의 배기관
56 : 댐퍼 57 : 공기공급구
58 : 상부 배기구 59 : 제 4 의 배기관
60 : 가열히터 61 : 순환통로
62 : 냉매공급원 63 : 열전대
71 :, 72, 73 : 개폐용 댐퍼 (배기개폐기구)
G : 기판
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 처리장치는, 피처리체를 유지하는 피처리체 유지수단과, 상기 피처리체 및 상기 피처리체유지수단을 수용하는 처리실과, 상기 피처리체에 대하여 자외선을 조사하는 자외선 조사수단과, 상기 자외선조사수단을 수용하는 자외선 조사수단실과, 상기 처리실과 상기 자외선 조사수단실을 연이어 통하는 개구를 개패하는 개폐수단과, 상기 자외선 조사수단의 자외선 조사에 의하여 생성되고, 상기 처리실내에 존재하는 오존을 배기하는 제 1의 배기수단과, 상기 자외선 조사수단실에 발생하는 오존을 배기하는 제 2의 배기수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 처리장치에 있어서는, 피처리체유치수단과 자외선 조사수단이 상대적으로 평행이동 가능하게 설치되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 피처리체유지수단과 자외선조사수단이 상대적으로 접근ㆍ이격 가능하게 설치되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 피처리체 유지수단과 자외선조사수단이 상대적으로 평행이동 가능함과 동시에 상대적으로 접근ㆍ이격 가능하게 설치되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 피처리체유지수단과 자외선조사수단은 소정의 위치에 대향하여서 설치되어 있으면, 양자를 고정하여도 좋다.
본 발명의 처리장치에 있어서는, 피처리체유지수단이 가열수단 및/또는 냉각수단을 갖는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 처리장치에 있어서는, 제 1의 배기수단이 배기의 정지ㆍ개시를 행하는 개폐기구를 갖는 것이 바람직하고, 제 2의 배기수단은 배기의 정지ㆍ개시를 행하는 개폐기구를 갖는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 처리장치에 있어서는, 자외선조사수단실내의 열을 외계로 배출하는 열배기수단을 갖는 것이 바람직하다.
본 발명의 처리방법은, 피처리체를 처리실내의 피처리체유지수단에 얹어놓는 공정과, 상기 피처리체유지수단과 상기 자외선조사수단의 적어도 한편을 자외선조사시의 위치로 이동하는 공정과, 상기 피처리체에 자외선을 조사하는 공정과, 상기 피처리체유지수단과 상기 자외선조사수단의 적어도 한편을 상기 자외선조사시의 위치로부터 빼내는 공정과, 상기 자외선조사수단의 자외선조사에 의하여 생성되고, 상기 처리실내에 존재하는 오존을 제 1의 배기수단에 의하여 배기하는 공정과, 상기 자외선조사수단을 수용하는 자외선조사수단실에 발생하는 오존을 제 2의 배기수단에 의하여 배기하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 처리방법에 있어서는, 피처리체에 자외선을 조사하는 공정이, 처리실과 자외선조사수단실을 연이어 통하는 개구를 개폐수단에 의하여 닫아두고, 그 상태로 자외선조사수단을 작동시키고, 상기 개폐2수단에 의하여 개구를 엶으로써 행하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 처리방법에 있어서는, 자외선처리수단실내의 열을 열배기수단에 의하여 밖으로 배출하는 것이 바람직하고, 열배기수단에 의한 방열을 처리중 항상 행하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 처리방법에 있어서는, 피처리체에 자외선을 조사하는 공정에 있어서, 자외선조사수단을 피처리체의 표면에 대하여 평행으로 이동시키는 것이 바람직하고, 피처리체유지수단과 자외선조사수단과의 거리를 변화시키는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 처리방법에 있어서는, 피치리체에 자외선을 조사하는 공정에 있어서, 자외선조사수단의 자외선조사에 의하여 생성되고, 상기 처리실내에 존재하는 오존의 배기를 정지하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 처리방법에 있어서는, 개폐수단에 의하여 개구를 닫은 상태로 자외선조사수단실내에 존재하는 오존의 배기를 행하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 유기오염물이 부착한 피처리체를 처리실내의 피처리체유지수단에 얹어놓은 후, 처리실을 외기와 차단하고, 피처리체유지수단을 작동하여서 피처리체를 자외선 조사시의 위치로 이동하고, 그리고, 피처리체에 자외선을 소정시간 조사하는 것으로, 자외선조사수단으로부터 발생되는 오존을 유효하게 이용하여서 피처리체에 부착하는 유기오염물을 분해제거할 수 있다. 또, 유기오염물을 제거함으로써, 피처리체 표면의 표면에너지를 작게 하여서 접촉각을 내릴 수 있고, 소위 " 유성(濡性:wettability)" 을 높일 수 있다. 따라서, 다음 공정의 세정처리, 도포처리 등의 처리의 향상을 도모할 수 있다.
또, 상기 처리실내의 처리에 제공된 오존 및 자외선조사수단으로부터 발생한 기타의 오존을 외부로 배기함으로써, 오존의 외부로의 누설을 방지할 수 있음과 동시에, 오존에 의한 장치, 기기류의 악영향을 방지할 수 있다.
(실시예)
다음에, 본 발명의 실시형태를 첨부한 도면에 의거하여 상세히 설명한다. 이 실시예에서는, 본 발명에 관계된 처리장치를 LCD기판의 도포처리시스템에 적용한 경우에 대하여 설명한다.
상기 도포처리시스템은, 제 1 도에 도시한 바와 같이, 피처리체로서 LCD기판(G)(이하, 단순히 "기판"이라고 함. 본 명세서에 있어서 기판이라 함은, LCD기판 그자체인 경우와, LCD기판상에 각종 막이 형성되고 있는 경우를 포함함)을 반입ㆍ반출하는 로우더부(1)와, 기판(G)의 전처리부(2)와, 중계부(3)를 개재하여서 전처리부(2)에 연이어 설치되는 도포처리부(4)로 주로 구성되어 있다. 또한, 도포처리부(4)에는 중계부(5)를 개재하여서 현상처리부(6)가 연이어 설치되고, 또, 현상처리부(6)에는 주고받기부를 개재하여서 레지스트막에 소정의 미세패턴을 노광하기 위한 노광장치(도시하지 않음)가 연이어 설치 가능하게 되어 있다.
상기 로우더부(1)는, 미처리의 기판(G)을 수용하는 카세트(7)와, 처리가 끝난 기판(G)을 수용하는 카세트(7a)를 얹어놓는 카세트 얹어놓는대(8)와, 이 카세트 얹어놓는대(8)상의 카세트(7,7a)와의 사이에서 기판(G)의 반출입을 행하기 위한 수평(X,Y)방향과 수직(Z)방향의 이동 및 회전(θ) 가능한 기판 반출입 핀세트(9)로 구성되어 있다.
상기 전처리부(2)는 X,Y,Z 방향의 이동 및θ회전 가능한 메인아암(10)의 반송로(11)의 한편쪽에, 기판(G)을 브러시 세정하는 브러시세정장치(12)와, 기판(G)을 고압제트수로 세정하는 제트수세정장치(13)를 배치하고, 반송로(11)의 다른편쪽에, 기판(G)의 가열장치(14)와, 오존조사수단을 구비하는 본 발명에 관계된 처리장치(20)가 배치되어 있다.
한편, 상기 도포처리부(4)는, 전처리부(2)와 마찬가지로, X,Y,Z 방향의 이동 및θ회전 가능한 메인아암(10a)을 가지며, 이 메인아암(10a)의 반송로(11a)의 한편쪽에, 기판(G)의 표면을 소수화처리하는 어드히젼처리장치(15)와, 기판(G)을 소정온도로 냉각하는 냉각장치(16)와, 기판(G)을 소정온도로 가열하는 가열장치(17)를 배치하고, 반송로(11a)의 다른편쪽에 레지스트도포장치(18) 및 도포막제거장치(19)를 배치하여서 이루어진다.
또, 상기 중계부(3)는, 기판(G)을 지지하는 지지핀(3a)을 세워 설치하는 주고받기대(3b)를 가진 상자체(3c)의 바닥면에 캐스터(도시하지 않음)을 구비한 구조로 되어 있으며, 필요에 따라서 이 중계부(3)를 전처리부(2) 및 도포처리부(4)로부터 분리하여 빼내서 스페이스를 확보하고, 전처리부(2) 또는 도포처리부(4)내에 작업원이 들어가서 보수나 점검등을 용이하게 할 수 있도록 되어 있다.
또한, 현상처리부(6)에 있어서도, 도시하지는 않았으나 상기 전처리부(2) 및 도포처리부(4)와 마찬가지로 반송로 및 메인아암을 가진 반송기구가 설치치어 있고, 이 반송기구의 반송로를 끼고 현상전후에 프리베이크 또는 포스트베이크를 행하는 가열장치와, 현상장치(도시하지 않음)가 배치되어 있다.
상기와 같이 구성되는 도포처리시스템에 있어서, 카세트(7)내에 수용된 미처리의 기판(G)은 로우더부(1)의 반출입핀세트(9)에 의하여 꺼내진 뒤에, 전처리부(2)의 메인아암(10)에 받아넘겨지고, 그리고, 처리장치(20)로 반송된다. 처리장치(20)에서는 기판(G)에 자외선조사수단에 의하여 자외선이 조사됨에 따른 오존에 의하여, 기판(G)에 부착하는 유기오염물이 제거된 후, 기판(G)은 브러시세정장치(12)내로 반송된다. 이 브러시세정장치(12)내에서 브러시세정된 기판(G)은 필요에 따라서 제트수세정장치(13)내에서 고압제트수에 의하여 세정된다. 그 뒤에, 기판(G)은, 어드히젼처리장치(15)로 소수화처리가 시행되고, 냉각장치(16)로 냉각된후, 레지스트도포장치(18)로 포토레지스트막 즉 감광막이 도포형성되고, 이어서 도포막제거장치(19)에 의하여 기판(G)의 주변부의 불필요한 레지스트막이 제거된다. 그리고, 이 포토레지스트막이 가열장치(17)로 가열되어서 베이킹처리가 시행된후, 노광장치로 소정의 패턴이 노광된다. 그리고, 노광후의 기판(G)은 현상처리부(6)의 현상장치내로 반송되고, 현상액에 의하여 현상된 후에 린스액에 의하여 현상액을 씻어내고, 현상처리를 완료한다.
다음에, 본 발명의 처리장치에 대하여 설명한다.
제 1실시형태
제 2도는 본 발명의 처리장치를 나타낸 개략단면도이다.
상기 처리장치(20)는, 기판(G)을 처리하는 처리실(21)과, 이 처리실(21)의 상부에 설치되고, 자외선조사수단 예컨대 자외선램프(22)를 수용하는 램프실(자외선조사수단실)(23)과, 처리실(21)과 램프실(23)과의 사이에 설치된 개구(24)를 개폐하는 램프셔터(개폐수단)(25)와, 처리실(21)에 접속되는 제 1의 배기수단(41)과, 램프실(23)에 접속되는 제 2의 배기수단(42)을 구비하여서 이루어진다.
처리실(21)의 측면에는, 기판(G)의 반입ㆍ반출구(26)가 형성되어 있고, 이 반입ㆍ반출구(26)는, 제 3 도에 나타낸 바와 같이 실린더(27)에 의하여 수직방향으로 작동하는 유니트셔터(28)에 의하여 개폐가능하게 되어 있다. 또, 처리실(21)내에는, 상기 메인아암(10)에 의하여 반입ㆍ반출구(26)로부터 처리실(21)내로 반입되는 기판(G)을 유지하는 유지수단(피처리체유지수단)(30)이 배설되어 있다.
유지수단(30)에는, 제 3 도 및 제 4 도에 도시한 바와 같이, 기판(G)을 얹어놓는 예를 들면 터프레임(Tuframe)처리가 실시된 알루미늄 합금제의 얹어놓는대(31)와, 이 얹어놓는대(31)에 형성된 복수개 예를 들면 4개의 관통구멍(도시하지 않음)에 각각 느슨하게 끼워지는 지지핀(32)과, 지지봉(33)을 개재하여서 얹어놓는대(31)를 지지하는 지지판(34)에 연결되어서 얹어놓는대(31)를 상하방향으로 이동하는 얹어놓는대 이동용 실린더(35)가 설치되어 있다. 이 경우, 지지판(34)은 지지핀(32)의 하부를 지지하는 지주(32a)에 미끄럼운동 가능하게 끼워져 있다. 이와 같이 구성함으로써, 얹어놓는대 이동용 실린더(35)가 구동하여서, 얹어놓는대(31)가 하강하고 지지핀(32)이 얹어놓는대(31)로부터 돌출한 상태로 지지핀(32)상에 기판(G)을 받고, 얹어놓는데(31)가 상승하여서 지지핀(32)보다 위편으로 이동한 상태로 기판(G)을 얹어놓음과 동시에, 기판(G)을 자외선램프(22)로부터 발생되는 오존의 조사최적위치로 이동할 수 있도록 되어 있다.
또한, 이 경우, 지지판(34)의 하면에는 2개의 수직봉(36a)이 매달려 있고,이들 수직봉(36a)의 하단부 사이에 가설된 판자부재(36b)에 위치결정부재(36c)가 부착되어 있다. 이 위치결정부재(36c)는, 얹어놓는대(31)와 함께 이동되고, 얹어놓는대(31)의 아래편에 배치된 고정판(37)의 아래면에 맞닿은 상태에서 얹어놓는대(31)의 상승을 정지하도록, 즉 기판(G)을 오존의 조사가 최적인 자외선램프(22)에 가장 가까운 위치에 정지할 수 있도록 되어 있다. 이때의 자외선램프(22)와 기판(G)와의 최소거리는 약 10mm이다. 또한, 위치결정부재(36c)는 나사등에 의하여 미세조정가능하게 형성되어 있다.
상기 설명에서는, 지지핀(32)에 대하여 얹어놓는대(31)가 상하로 이동하도록 구성하는 경우에 대하여 설명하였으나, 얹어놓는대(31)를 고정하고, 지지핀(32)을 상하로 이동하도록 구성하는 것도 가능하다.
또, 상기 지지핀(32)을 지지하는 지주(32a)와 얹어놓는대 이동용 실린더(35)는, 유지판(38)상에 설치되어 있고, 유지판(38)은 고정판(37)의 상면에 리니어가이드(39a)를 개재하여 수평방향으로 이동가능하게 부착되어 있다. 그리고, 유지판(38)은 무단벨트(도시하지 않음)를 개재하여서 정역회전 가능한 스테핑모우터(39b)에 의하여 회전되는 풀리(39c)에 연결되어 있고, 스테핑모우터(39b)의 구동에 의하여 유지판(311)이 수평방향으로 이동 되도록 되어 있다. 따라서, 유지판(38)의 수평방향의 이동에 의하여 지지핀(32), 얹어놓는 대 이동용 실린더(35) 및 얹어놓는대(31)가 수평이동함과 동시에, 얹어놓는대(31)상에 유지된 기판(G)이 자외선펌프(22)에 대하여 평행방향으로 이동(요동)할 수 있다. 이 기판(G)의 요동에 의하여, 기판(G) 표면에 균일하게 자외선램프(22)로부터 발생되는 오존을 조사할 수 있다. 또한, 기판(G)의 요동시의 속도는 모우터의 가속도를 고려하면, 모우터의 자기 기동속도 정도인 것이 바람직하고, 기판(G)의 요동시의 이동거리는 조도분포를 고려하면, 램프피치의 절반인 것이 바람직하다.
또, 상기 처리실(21)의 내주면에는, 얹어놓는대(31)의 외주부 근접을 향해서 뻗은 단면이 대략 가로 L자형의 측부커버(43)가 부착되어 있고, 얹어놓는대(31)의 아래편 위치에는, 중앙에 배기구(44)를 가지며, 둘레에 측부커버(43)의 수직하부편(43a)에 겹치도록 배치된 기립편(起立片)(45a)을 가진 컵(45)이 부착되어 있다. 또, 처리실(21)의 하부에는, 하부커버(46)에 의하여 상기 얹어놓는대 이동용 실린더(35)나 스테핑모우터(39b)등의구동제어부가, 처리실(21)과 구획되어서 배치되어 있다. 배기구(44)에는 제 1의 배기관(47)이 접속되고, 처리실(21)의 하부측면에 설치된 측부배기구(44a)에는 제 2의 배기관(48)이 접속되고, 이들 제 1 및 제 2의 배기관(47),(48)과 제 1및 제 2의 배기관(47),(48) 사이에 설치된 배기팬(40)으로 제 1의 배기수단(41)이 구성되어 있다. 또한, 측부커버(43)와 컵(45)을 기체밀폐적으로 연이어 설치하여 오존의 누출을 해소할 수 있으면, 제 1의 배기수단(41)을 제 1의 배기관(47)과 배기팬(40)으로 구성하여도 좋다.
이와 같이 구성함으로써, 배기팬을 구동하면, 얹어놓는대(31)상의 기판(G)의 상면에 조사된 오존이 기판(G)의 표면으로부터 주변으로 흘러서 아래편으로 흐르고, 그 후, 오존은 중앙의 배기구(44)로부터 제 1의 배기관(47)으로 흐르는 한편, 측부커버(43)의 수직하부편(43a)과 컵(45)의 기립편(45a)과의 틈새(49)로부터 새나오는 오존은, 측부배기구(44a)로부터 제 2의 배기관(48)으로 흘러서 배기된다.
한편, 상기 램프실(23)내에는, 복수개 예를 들면 7개의 자외선램프(22)(예컨대 저압수은등)가 수평으로 서로 평행으로 배열되어 있다. 이 자외선램프(22)는, 유량조정기(50) 및 필터(51)를 사이에 설치한 관로(52)를 개재하여서 공기공급원(53)에 접속되어 있고, 공기공급원(53)으로부터 공급된 청정공기를 개구(24)를 개재하여서 기판(G) 표면에 공급함과 동시에, 발생한 오존을 효율적으로 사용할 수 있도록 구성되어 있다. 이 에어퍼지라인은, 분위기의 혼란을 극력 피하고자 하는 경우는, 설치하지 않는 것이 바람직하다.
또, 램프실(23)은 다수의 작은 구멍을 가진 간막이판(23c)에 의하여 상부실(23a)과 하부실(23b)로 구획되어 있다. 하부실(23b)에는, 측면에 하부배기구(58a)가 형성되어 있고, 이 하부배기구(58a)에 촉매(54)를 개재하여 제 3의 배기관(55)이 접속되어 있다. 이 제 3의 배기관(55)은 상기 제 1 및 제 2의 배기관(47),(48)과 합류함과 동시에, 배기팬(40)이 사이에 설치되어서, 램프실(23)내에 발생하는 오존을 외부로 배기하도록 구성되어 있다. 제 1 및 제 2의 배기관(47),(48)에는, 각각 오존배기의 개폐용 댐퍼(71),(72)(배기개폐기구)가 사이에 설치되어 있고, 이 댐퍼(71),(72)를 개폐조작함으로써 처리실(21)내의 오존의 배기를 선택적으로 행할 수 있도록 되어 있다. 즉, 처리실(21)과 램프실(23)과의 사이에 형성된 개구(24)를 개폐하는 램프셔터(25)를 도시하지 않은 실린더에 의하여 개방한 상태(자외선조사처리중)에 있어서는, 댐퍼(71),(72)를 엶으로써, 자외선램프(22)로부터 발생한 오존을 밖으로 배기한다.
또, 램프셔터(25)가 폐색하고 있는 상태에서는, 댐퍼(71),(72)를 닫는다.
또, 제 3의 배기관(55)에는, 오존배기의 개폐용 댐퍼(56)(배기개폐기구)가 사이에 설치되어 있고, 이 댐퍼(56)를 개폐조작함으로써 램프실(23)내의 오존의 배기를 선택적으로 행할 수 있도록 되어 있다, 즉, 처리실(21)과 램프실(23)과의 사이에 형성된 개구(24)를 개폐하는 램프셔터(25)를 도시하지 않은 실린더에 의하여 개방한 상태에 있어서는, 댐 퍼(56)를 담음으로써, 자외선램프(22)로부터 발생한 오존을 기판(G)쪽에 효율적으로 공급시키도록 한다. 또, 램프셔터(25)가 폐색하고 있는 상태에서는 댐퍼(56)를 엶으로써, 램프실(23)내에 존재하는 오존을 외부로 배기한다.
상부실(23a)의 대향하는 측면의 한편에는 공기공급구(57)가 형성되어 있고, 반대쪽에는 상부배기구(58)가 형성되어 있다. 이 경우, 공기공급구(57)에 에어필터를 달아도 좋다. 상부배기구(58)에는 제 4의 배기관(59)이 접속되어 있다. 제 4의 배기관(59)에는, 열배기의 개폐용 댐퍼(73)(배기개폐기구)가 사이에 설치되어 있고, 이 댐퍼(73)를 개폐조작함으로써 램프실(23)내의 열배기를 행할 수 있도록 되어 있다. 이 제 4의 배기관(59)은 상기 제 1 및 제 2의 배기관(47),(48)과 합류함과 동시에, 배기팬이 사이에 설치되어서, 램프실(23)내에 발생하는 가열공기를 항상 외부로 배기하여서 램프실(23)내를 냉각하도록 되어 있다.
상기 제 3의 배기관(55)과 제 4의 배기관(59)으로 제 2의 배기수단(42)이 구성되어 있다. 이 제 2 의 배기수단(42)에 의하여, 램프실(23)내에 발생하는 오존을 외부로 배기하여서 오존으로부터 전장품등을 보호함과 동시에, 램프실(23)을 항상 냉각한 열적손상을 방지할 수 있다.
또한, 댐퍼(56), (71)∼(73)로서는, 밀폐식, 수동가변식등의 것을 적당히 사용할 수 있다.
다음에, 상기와 같이 구성된 처리장치를 사용하여서 기판(G)의 표면에 부착된 유기오염물의 제거순서에 대하여 설명한다.
먼저, 제 3도 및 제 4도 A에 도시한 바와 같이, 유니트셔터(28)을 하강하여서 반입ㆍ반출구(26)를 개구한 상태로, 전처리부(2)의 메인아암(10)에 의하여 반송된 기판(G)을 얹어놓는대(31)상에 돌출하는 지지핀(32)에 받아넘긴다. 이어서, 제 4 도B에 도시한 바와 같이, 기판(G)을 지지핀(32)에 받아넘긴 메인아암(10)이 처리실(21)밖으로 후퇴한 후, 유니트셔터(28)가 상승하여서 반입ㆍ반출구(26)를 폐색함과 동시에, 얹어놓는대 이동용 실린더(35)의 구동에 의하여 상승하는 얹어놓는대(31)에 의하여 기판(C)을 유지하여서 기판(G)을 자외선조사위치로 이동한다.
기판(G)이 자외선조사위치로 이동된 상태로, 도시하지 않은 실린더의구동에 의하여 램프셔터(25)가 개방되면, 자외선 램프(22)로부터 발생한 오존이 개구(24)를 통하여 기판(G)의 표면에 조사되어서 기판(G)표면에 부착하고 있는 유기오염물을 분해제거한다. 유기오염물을 분해제거한 오존은 제 1의 배기수단(41)에 의하여 오존은 기판(G)의 둘레로부터 아래편으로 흐르고, 배기구(44) 및 측부배기구(44)를 통하여 외부로 배기된다. 또한, 램프셔터(25)가 개방하고 있는 상태에서는 제 2의 배기수단(42)의 댐퍼(56)는 닫혀 있으므로, 자외선램프(22)로부터 발생한 오존을 효율적으로 기판(C)쪽에 공급할 수 있다. 또, 기판(G)에 오존이 조사되고 있는 동안, 스테핑모우터(39b)의 구동에 의하여 얹어놓는대(31) 및 기판(G)이 수평방향으로 이동(요동)함으로써, 기판(G)의 표면 전체에 오존이 균등하게 조사되고, 유기오염물의 제거를 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 오존의 조사중에 필요에 따라서 기판(G)을 자외선램프(22)에 대하여 근접ㆍ이격 이동시키도록 하여도 좋다.
램프셔터(25)를 소정시간 개방하여서 오존을 기판(C)에 조사한 후, 유리트셔터(28)를 하강하여서 반입ㆍ반출구(26)를 개방함과 동시에, 얹어놓는대(31)를 하강한다. 그 후, 램프셔터(25)를 닫고 기판(G)을 지지핀(32)으로 지지한다. 그리고, 전처리부(2)의 메인아암(10)이 처리실(21)내에 침입하여서 기판(G)을 받고, 처리실(21)의 외부에 반출하여서 처리가 완료한다. 또한 유니트셔터(28)가 개방한 상태에 있어서도, 처리실(21)내에 잔존하는 오존은 제 1 의 배기수단(41)에 의하여 외부로 배기되기 때문에, 전처리부(2)내에는 오존이 누설할 염려는 없다. 또, 램프셔터(25)가 닫힌 상태에서는, 제 2의 배기수단(42)의 댐퍼(56)가 개방하고 있으므로 램프실(23)내에 발생하는 오존은 제 3의 배기관(55)으로부터 외부로 배기된다.
상기와 같이 구성되는 처리장치에 의하면, 세정장치(12),(13)및 어드히젼처리장치(15)로 세정 혹은 소수화처리되는 기판(G)에 오존을 조사하여서, 기판(G)에 부착하는 유기오염물을 제거할 수 있으므로, 기판(G)의 접촉각을 작게, 즉 기판(G)의 " 유성" 을 높일 수 있다. 따라서, 세정장치(12),(13)에 의한 세정효과를 향상시 킬 수 있음과 동시에, 어드히젼 처리후의 레지스트도포에 있어서, 레지스트액의 튀김을 억제하여서 레지스트막을 균일화하게 하고, 생산수율의 향상을 도모할 수 있다.
제 2 실시형태
제 5 도는 본 발명의 처리장치의 제 2 실시형태를 나타낸 개략단면도이다. 제 2 실시형태는 자외선 램프(22)로부터 발생하는 오존을 더욱 활성화하여서, 기판(G)에 부착하는 유기오염물을 더욱 효율적으로 제거하도록 한 경우이다. 즉, 상기 얹어놓는대(31)의 내부에 가열수단 예를 들어 가열히터(60)를 내장하고, 얹어놓는대(31)상에 유지된 기판(G)에, 자외선램프(22)로부터 오존이 조사되고 있는 동안, 이 가열히터(60)를 작동하여서 기판(G)을 가열함으로써, 오존으로부터 분해되는 산소를 더욱 활성화하여서 유기오염물의 분해제거를 보다 효율적으로 행할 수 있도록 한 경우이다. 상기 가열수단은 반드시 가열히터(60)일 필요는 없고, 가열히터(60)이외에 예컨대 얹어놓는대(31)에 형성된 순환통로에 열매체를 유통시키도록 하여도 좋다.
또한, 제 2 실시형태에 있어서, 기타의 부분은 상기 제 1 실시형태와 같으므로, 동일부분에는 동일부호를 붙여서 그 설명은 생략한다.
제 3 실시형태
제 6 도는 본 발명의 처리장치의 제 3 실시형태를 나타낸 개략단면도이다. 제 3 실시형태는, 자외선랜프(22)로부터 발생하는 열에 의하여 기판(G)이 악영향을 받는 것을 방지하도록 한 경우이다. 즉, 상기 얹어놓는대(31)의 내부에 순환통로(61)를 형성함과 동시에, 이 순환통로(61)에 냉매공급원(62)을 접속하여, 순환통로(61)내에 소정온도의 냉매액을 유통시켜서, 얹어놓는대(31)상의 기판(G)을 일정한 온도로 유지시키도록 한 경우이다. 이와 같이 얹어놓는대(31)상의 기판(G)을 냉각함으로써, 자외선램프(22)의 열에 의하여 고온하에 쬐게 되는 기판(G)의 온도를 소정의 일정온도로 유지할 수 있으므로, 안정된 상태로 기판(G)에 오존을 조사할 수 있다.
또한, 제 3 실시형태에 있어서, 기타의 부분은 상기 제 1 실시형태와 같으므로, 동일부분에는 동일부호를 붙여서, 그 설명은 생략한다.
제 4 실시형태
제 7 도는 본 발명의 처리장치의 제 4 실시형태를 나타낸 개략단면도이다. 제 4 실시형태는, 자외선램프(22)로부터 발생하는 오존을 더욱 활성화하여서, 기판(G)에 부착하는 유기오염물을 더욱 효율적으로 제거함과 동시에, 기판(G)의 온도를 일정하게 유지하여서 처리의 안정화를 도모할 수 있도록 한 경우이다. 즉, 상기 얹어놓는대(31)의 내부에 가열수단 예컨대 가열히터(60)를 내장함과 동시에, 냉매액의 순환통로(61)를 형성하고, 또한, 순환통로(61)에 냉매공급원(62)을 접속하고, 얹어놓는대(31)의 온도를 검출하는 온도검지수단 예컨대 열전대(63)로부터의 검출신호를 도시하지 않은 제어수단 예컨대 CPU로 제어처리하여서 가열히터(60)혹은 냉매공급원(62)에 전달하고, 가열히터(60)혹은 냉매공급원(62)으로부터의 냉매공급을 선택적으로 행할 수 있도록 한 경우이다.
이와 같이 구성함으로써, 예컨대 가열히터(60)를 작동하여서 기판(G)을 가열할 수 있고, 이에 의하여, 오존으로부터 분해되는 산소를 더욱 활성화하여서 유기오염물의 분해제거를 보다 효율적으로 행할 수 있다. 또, 순환통로(61)내에 소정온도의 냉매액을 유통시켜서, 얹어놓는대(31)상의 기판(G)을 일정한 온도로 유지시켜서, 안정된 상태로 기판(G)에 오존을 조사할 수 있다.
또한, 제 4 실시형태에 있어서, 기타의 부분은 상기 제 1 실시형태와 같으므로, 동일부분에는 동일부호를 붙여서, 그 설명은 생략한다.
기타의 실시형태
상기 실시형태에서는, 자외선램프(22)에 대하여 얹어놓는대(31)를 근접ㆍ이격이동시키는 경우에 대하여 설명하였으나, 반드시 얹어 놓는대(31)를 이동시킬 필요는 없고, 자외선램프(22)를 얹어놓는대(31)즉 기판(G)쪽에 근접ㆍ이격 이동시키도록 하여도 좋고, 혹은 양자를 서로 근접ㆍ이격이동가능하게 형성하여도 좋다.
또, 상기 실시형태에서는, 자외선램프(22)에 대하여 얹어놓는대(31)를 수평이동가능하게 형성하여서 기판(G)을 요동시키도록 한 경우에 대하여 설명하였으나, 반드시 얹어놓는대(31)를 수평이동시킬 필요는 없고, 자외선램프(22)를 얹어놓는대(31) 즉, 기판(G)에 대하여 수평이동가능하게 하든가, 혹은 양자를 상대적으로 수평이동가능하게 형성하여도 좋다.
본 발명에 있어서는, 댐퍼(56),(71)∼(73)의 개폐를 제어장치(도시하지 않음)에 전기적으로 접속하고, 개폐수단의 개폐동작에 의거하여서 댐퍼(56),(71)∼(73)의 개폐를 제어하여도 좋다. 또, 근접ㆍ이격 이동수단 및/또는 수평이동수단을 제어장치에 전기적으로 접속하고, 자외선조사처리의 조건이나 상태에 의하여 근접ㆍ이격 이동수단 및/또는 수평이동수단을 피드백제어하여도 좋다.
상기 실시형태에서는, 피처리체가 LCD기판인 경우에 대하여 설명하였으나, LCD기판 이외의 예컨대 반도체 웨이퍼, 유기기판, CD등에 대하여도 마찬가지로 처리할 수 있다.
이상에 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하여 유기오염물이 부착한 피처리체를 자외선 조사위치로 이동하여서, 피처리체에 자외선을 소정시간 조사함으로써, 자외선조사수단으로부터 발생되는 오존을 유효하게 이용하여서 피처리체에 부착하는 유기오염물을 분해제거할수 있음과 동시에, 피처리체의 접촉각을 내릴 수 있고, 소위 " 유성" 을 높일 수 있으므로, 다음 공정의 세정처리, 도포처리등의 처리의 향상을 도모할 수 있다.
또, 처리실내의 처리에 제공된 오존 및 자외선 조사수단으로부터 발생한 기타의 오존을 외부로 배기함으로써, 오존의 외부로의 누설을 방지할 수 있음과 동시에, 오전에 의한 장치, 기기류의 악영향을 방지할 수 있으므로서, 장치의 수명의 증대를 도모할 수 있다.

Claims (31)

  1. 피처리체를 제 1 실내의 유지 부재 상에 피처리체를 배치하는 단계,
    자외선 램프 및 피처리체가 서로 밀접하게 이동하도록 상기 지지부재 및 자외선 램프 중 최소한 하나를 자외선 조사위치로 이동하는 단계,
    자외선 램프로부터 상기 피처리체에 자외선을 조사하는 단계,
    자외선 램프 및 피처리체가 서로 멀리 이동하도록 상기 지지부재 및 자외선 램프 중 최소한 하나를 자외선 조사 위치로부터 이동된 위치로 이동하는 단계,
    제 1 배기 수단이 상기 자외선 램프에 의해 자외선의 조사시 발생되어 상기 제 1 실에 존재하는 오존을 배기하도록 하고, 상기 제 1 실에 제공하는 단계, 및
    제 2 배기 수단이 상기 자외선 램프에 결합하여 제 2 챔버내에서 발생된 오존을 배기하게 하는 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리될 피처리체의 표면을 세정하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 피처리체에 자외선을 조사하는 단계는, 상기 제 1 실이 상기 제 2 실과 통신하기 위한 개구가 셔터에 의해 폐쇄될 때, 수행되고, 이 상태에서, 상기 자외선 램프는 상기 셔터에 의해 개구를 개방하도록 동작되는 것을 특징으로 하는 처리될 피처리체의 표면을 세정하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 방열 수단이 상기 제 2 실로부터 방열시키는 단계를 더포함하는 것을 특징으로 하는 처리될 피처리체의 표면을 세정하는 방법.
  4. 제 3 항에 있어서, 방열 수단이 열을 방열시키는 단계는 상기 방열 수단이 피처리체의 처리 중에 항상 열을 방열하게 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리될 피처리체의 표면을 세정하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 피처리체에 자외선을 조사하는 단계는, 상기 자외선 램프를 상기 피처리체의 표면에 평행하게 이동시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리될 피처리체의 표면을 세정하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 피처리체에 자외선을 조사하는 단계는, 상기 피처리체와 상기 자외선 램프사이의 거리를 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리될 피처리체의 표면을 세정하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 피처리체에 자외선을 조사하는 단계는, 상기 자외선 램프에 의해 자외선 조사시 생성되고, 상기 제 1 처리실 내에 존재하는 오존의 배기를 정지하는 단계를 포함하는 특징으로 하는 처리될 피처리체의 표면을 세정하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 실내에 존재하는 오존을 배기하는 동시에 상기제 1 실이 상기 제 2 실과 통하게 하는 개구가 셔터에 의해 폐쇄되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리될 피처리체의 표면을 세정하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 실이 상기 제 2 실 보다 낮게 배치되고, 상기 제 2 실내에 발생된 상기 오존은 상기 제 2 실로부터 제 1 실로 아래로 흐르는 것을 특징으로 하는 처리될 피처리체의 표면을 세정하는 방법.
  10. 피처리체를 유치하는 피처리체 유치수단과,
    상기 피처리체 유지수단에 의해 유지된 상기 피처리체가 배열되는 처리실과,
    자외선을 조사하는 자외선 램프가 배열되는 램프실과,
    적어도 상기 램프실로 오존원인 가스를 도입하는 가스공급원과,
    상기 처리실과 상기 램프실이 연이어 통하는 개구와,
    상기 개구를 통해 상기 처리실로부터 상기 처리실내로 발생된 오존가스의 공급을 허용 또는 차단하기 위해 상기 개구를 개폐하는 램프 셔터와,
    상기 처리실을 배기하는 제 1 의 배기수단과,
    상기 램프실을 배기하는 제 2 의 배기수단을 구비하고,
    처리가 수행될 때, 상기 램프 셔터는 상기 개구를 개방시키고, 상기 제 2 배기수단을 폐쇄시켜, 상기 발생된 오존이 상기 램프실로부터 상기 처리실로 도입되고, 상기 피처리체의 표면에 부착한 유기물질을 분해하며, 그 다음, 상기 제 1 배기 수단이 분해에 의해 발생된 물질이 존재하는 상기 처리실을 배기하기 위해 개방되고,
    처리가 수행되지 않을 때, 상기 램프셔터는 폐쇄되고, 상기 제2 배기수단이 개방되어, 상기 발생된 오존이 상기 램프실의 외부 영역으로 방출되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 피처리체 유지수단과 상기 자외선 램프가 상대적으로 평행이동 가능한 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  12. 제 10 항에 있어서, 상기 피처리체 유지수단과 상기 자외선 램프가 상대적으로 접근ㆍ이격 가능하게 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 피처리체 유지수단과 상기 자외선 램프가 상대적으로 평행이동 가능함과 동시에 서로 상대적으로 접근ㆍ이격 가능하게 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  14. 제 10 항에 있어서, 상기 피처리체 유지수단은 상기 피처리체를 가열하는 히터를 포함하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  15. 제 10 항에 있어서, 상기 피처리체 유지수단은 상기 피처리체를 냉각하는 냉각수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  16. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 의 배기수단은 가스 배기의 정지·개시를 행하는 2개의 개폐기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  17. 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 배기수단은 가스의 배기를 정지·개시하는 개폐 기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  18. 제 10 항에 있어서, 상기 제 1 배기 수단 과 제 2 배기수단은 단일 배기 팬과 통하는 포함하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  19. 제 10 항에 있어서, 상기 가스 공급원은 오존 발생 가스로서 공기를 상기 램프실내로 공급하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  20. 제 10 항에 있어서, 상기 피처리체는 LCD로서 사용하기 위해 설계된 직사각형 유리판이고, 복수의 자외선 램프는 상기 피처리체의 표면을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  21. 제 10 항에 있어서, 상기 램프실 위에 배열된 상부실과,
    가스를 상기 상부실내로 도입하는 가스 공급원과,
    상기 상부실로 도입된 가스 및 열을 방열 수단을 더욱 포함하고,
    상기 방열 수단이 상기 제 2 배기 수단과 통신하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    구멍을 갖고, 상기 상부실과 상기 램프실 사이를 분리하는 간막이판과,
    상기 상부실을 배기하기 위해 상기 제 2 배기 수단과 통하는 방열수단을 더욱 포함하고, 상기 램프실내에 발생된 열은, 가스를 상기 상부실내로 공급함과 동시에 상기 상부실의 상기 가스를 배기함으로써, 외측영역으로 배기되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 장치.
  23. (a) 피처리체 유지수단과, 자외선 램프와, 개구를 통해 서로 통하는 처리실 및 램프실과, 가스를 도입하는 가스공급원과, 개구를 개폐하는 램프 셔터와, 상기 처리실을 배기하는 제 1 배기수단과, 상기 램프실을 배기하는 제 2 의 배기수단을 준비하는 단계,
    (b) 처리될 피처리체를 상기 처리실내로 운반하여, 상기 피처리체가 상기 피처리체 유지수단에 의해 유지되도록 하는 단계,
    (c) 오존원인 가스를 상기 램프실내로 도입하여, 오존을 발생시키기 위해 자외선으로 상기 가스를 조사하는 단계,
    (d) 상기 램프실이, 처리 시점에서, 상기 개구를 개방하고, 상기 제 2 배기수단을 폐쇄하도록 구동하여, 상기 발생된 오존이 상기 램프실로부터 상기 처리실로 도입되고, 상기 피처리체의 표면에 부착한 유기물질을 분해하며, 그 다음, 분해에 의해 발생된 처리실의 물질을 배기하기 위해 개방하는 단계,
    (e) 상기 램프셔터를 폐쇄하고, 상기 제2 배기 수단을 개방하여, 상기 발생된 오존이 상기 램프실의 외부 영역으로 방출되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 방법.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 단계(c)중에는 오존을 발생시키기 위해 상기 램프셔터는 폐쇄된 상태로 유지되고, 상기 램프는 온으로 유지되며,
    상기 단계(d)중에는 발생된 오존을 상기 램프실로부터 상기 처리실로 공급하기 위해 상기 개구가 개방상태를 유지하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 방법.
  25. 제 23 항에 있어서, 상기 단계(c)중에는 상기 자외선 램프가 상기 피처리체의 표면과 평행하게 이동되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 방법.
  26. 제 23 항에 있어서, 상기 단계(c)중에서는 상기 자외선 램프와 상기 피처리체의 표면사이의 거리는 변화하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 방법.
  27. 제 23 항에 있어서, 상기 단계(c)는, 상기 처리실이 상기 자외선의 조사중에는 배기되지 않도록 수행되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 방법.
  28. 제 23 항에 있어서, 상기 가스 공급원은, 단계(c)중에는 공기를 오존 가스로서 상기 램프실내로 공급하는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 방법.
  29. 제 23 항에 있어서, 상기 피처리체는 LCD로서 사용하기 위해 설계된 직사각형 유리판이고, 복수의 자외선 램프는 상기 피처리체의 표면을 따라 배열되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 방법.
  30. 제 27 항에 있어서, 가스는 상기 램프실 위에 배치된 영역내로 도입된 다음, 단계(d)중에 상기 영역으로부터 배기되며,
    상기 램프실에서 발생된 열은 상기 가스가 상기 램프실 위의 상기 영역으로부터 배기됨에 따라 외측 영역으로 배기되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 방법.
  31. 제 30 항에 있어서, 가스는 상기 램프실 위의 상기 영역으로 도입되어 유지되고, 동시에 상기 단계(d) 전반에 걸쳐서 배기되는 것을 특징으로 하는 피처리체의 표면 세정 방법.
KR1019970003738A 1996-02-08 1997-02-06 피처리체의표면세정장치및방법 KR100332713B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-45613 1996-02-08
JP04561396A JP3166065B2 (ja) 1996-02-08 1996-02-08 処理装置及び処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970062748A KR970062748A (ko) 1997-09-12
KR100332713B1 true KR100332713B1 (ko) 2002-12-18

Family

ID=12724234

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970003738A KR100332713B1 (ko) 1996-02-08 1997-02-06 피처리체의표면세정장치및방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5998766A (ko)
JP (1) JP3166065B2 (ko)
KR (1) KR100332713B1 (ko)
TW (1) TW315496B (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170000871U (ko) * 2015-08-31 2017-03-08 주식회사 광수헌 광학시트용 광 세정 챔버
KR20180004827A (ko) * 2015-06-02 2018-01-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 스핀-온-카본 평탄화 기술

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7025831B1 (en) 1995-12-21 2006-04-11 Fsi International, Inc. Apparatus for surface conditioning
US6465374B1 (en) 1997-10-21 2002-10-15 Fsi International, Inc. Method of surface preparation
US6165273A (en) 1997-10-21 2000-12-26 Fsi International Inc. Equipment for UV wafer heating and photochemistry
US6222161B1 (en) * 1998-01-12 2001-04-24 Tokyo Electron Limited Heat treatment apparatus
US6248671B1 (en) 1998-08-19 2001-06-19 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing apparatuses, and methods of forming antireflective coating materials over substrates
JP2000133736A (ja) * 1998-10-26 2000-05-12 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体レーザ素子の気密封止方法及び気密封止装置
KR100525730B1 (ko) * 1999-12-11 2005-11-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 습식 식각 장비 및 습식 식각 방법
JP3910821B2 (ja) 2000-10-26 2007-04-25 東京エレクトロン株式会社 基板の処理装置
US6715316B2 (en) * 2001-05-08 2004-04-06 Corning Incorporated Water-removable coatings for LCD glass
JP2003007579A (ja) 2001-06-19 2003-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 有機薄膜形成方法
KR100741893B1 (ko) * 2001-07-05 2007-07-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정패널 이송장치
KR100788389B1 (ko) * 2001-12-29 2007-12-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 배기 장치
JP4038557B2 (ja) * 2002-04-16 2008-01-30 リアライズ・アドバンストテクノロジ株式会社 レジスト除去装置及びレジスト除去方法
KR100505061B1 (ko) * 2003-02-12 2005-08-01 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈
JP2004259734A (ja) * 2003-02-24 2004-09-16 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US8536492B2 (en) * 2003-10-27 2013-09-17 Applied Materials, Inc. Processing multilayer semiconductors with multiple heat sources
JPWO2007116752A1 (ja) * 2006-04-05 2009-08-20 株式会社ニコン ステージ装置、露光装置、ステージ制御方法、露光方法、およびデバイス製造方法
JP5999625B2 (ja) * 2012-03-23 2016-09-28 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法
KR101925173B1 (ko) 2012-03-23 2018-12-04 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 히터 세정 방법
CA2843276A1 (en) * 2013-02-20 2014-08-20 Hartford Steam Boiler Inspection And Insurance Company Dynamic outlier bias reduction system and method
TWI512374B (zh) * 2013-11-05 2015-12-11 Au Optronics Corp 光配向設備與光配向方法
US9368378B2 (en) * 2013-12-31 2016-06-14 Sophia Wen Semiconductor wafer cleaning system
JP6323141B2 (ja) * 2014-04-18 2018-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN109641419B (zh) 2016-08-18 2021-07-27 Agc株式会社 层叠体、电子设备的制造方法、层叠体的制造方法
CN113331169B (zh) * 2021-06-04 2022-08-09 海南浙江大学研究院 针对水下设备的防污防生物附着设备

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2532783A1 (fr) * 1982-09-07 1984-03-09 Vu Duy Phach Machine de traitement thermique pour semiconducteurs
US4654509A (en) * 1985-10-07 1987-03-31 Epsilon Limited Partnership Method and apparatus for substrate heating in an axially symmetric epitaxial deposition apparatus
IL95975A (en) * 1989-10-24 1997-06-10 Takeda Chemical Industries Ltd N-benzyl- 2-alkylbenzimidazole derivatives, their production and pharmaceutical compositions containing them
US5127365A (en) * 1990-02-27 1992-07-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Vertical heat-treatment apparatus for semiconductor parts
JPH0613361A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
JPH06151395A (ja) * 1992-11-10 1994-05-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd Si清浄表面形成方法
JP3380988B2 (ja) * 1993-04-21 2003-02-24 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US5433791A (en) * 1994-05-26 1995-07-18 Hughes Aircraft Company MBE apparatus with photo-cracker cell

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180004827A (ko) * 2015-06-02 2018-01-12 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 스핀-온-카본 평탄화 기술
KR102538281B1 (ko) * 2015-06-02 2023-05-30 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 스핀-온-카본 평탄화 기술
KR20170000871U (ko) * 2015-08-31 2017-03-08 주식회사 광수헌 광학시트용 광 세정 챔버
KR200483391Y1 (ko) * 2015-08-31 2017-05-10 주식회사 다비스 광학시트용 광 세정 챔버

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09219356A (ja) 1997-08-19
TW315496B (ko) 1997-09-11
JP3166065B2 (ja) 2001-05-14
KR970062748A (ko) 1997-09-12
US5998766A (en) 1999-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100332713B1 (ko) 피처리체의표면세정장치및방법
KR100354547B1 (ko) 레지스트 처리방법
KR100624292B1 (ko) 기판 처리방법 및 기판 처리장치
TWI613702B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
US7404407B2 (en) Substrate processing apparatus
KR102433558B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2006030775A1 (ja) 塗布処理方法及び塗布処理装置
KR100379649B1 (ko) 기판처리방법및기판처리장치
JP2002329661A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法
US20230176485A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
KR102136128B1 (ko) 기판 처리 장치 및 노즐 유닛
JP3382836B2 (ja) 処理装置および処理方法
JP2702697B2 (ja) 処理装置および処理方法
KR102225958B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP3027686B2 (ja) 紫外線照射装置
KR20220095258A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2002175975A (ja) 処理装置の汚れを除去する方法及び処理装置
KR20210043048A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR20220096025A (ko) 지지 유닛, 기판 처리 장치 및 방법
JP2023059250A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2702699B2 (ja) 処理装置
JP2023158709A (ja) 基板処理装置及び方法
JP2656232B2 (ja) 処理装置
JP2004179671A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法及び基板の製造方法
JP2002158203A (ja) 基板の紫外線処理方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120322

Year of fee payment: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee