KR20220095258A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20220095258A
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김광열
김윤상
윤도현
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 일 실시예에서, 내부 공간을 가지는 광 처리 챔버와; 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지부와; 내부 공간에서 기판으로 광을 조사하여 기판에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 램프를 가지는 조사부를 포함하되, 램프는, 지지부에 지지된 기판 상으로 심 자외선을 조사할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate processing apparatus and a substrate processing method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 증착, 사진, 식각 세정 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이 중 사진 공정은 도포 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 포함한다. 도포 공정은 기판 상에 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 도포된 포토레지스트막 위에 포토 마스크를 통해 광원의 빛을 노출시켜 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 그리고 현상 공정은 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.
현상 공정은 일반적으로 현상액 공급 단계, 린스액 공급 단계, 그리고 건조 단계를 포함한다. 건조 단계에는 기판을 지지하는 스핀척을 회전시키고, 스핀척이 기판에 가하는 원심력을 이용하여 기판에 잔류하는 현상액 또는 린스액을 건조하는 스핀 건조를 수행한다. 이와 달리, 건조 단계에는 초임계 유체를 공급하여 초임계 건조를 수행할 수 있다. 초임계 건조는 기판 상에 잔류하는 현상액 또는 린스액에 표면 장력이 낮은 유기 용제를 공급한다. 이에, 기판 상에 잔류하는 현상액 또는 린스액을 유기 용제로 치환한다. 그리고 초임계 상태의 유체를 공급하여 기판 상의 유기 용제를 건조시킨다.
그러나, 기판에 형성된 패턴과 패턴과의 거리(CD:Critical Dimension)가 미세화됨에 따라, 상술한 스핀 건조를 수행하는 경우 패턴들이 무너지거나 휘어지는 리닝(Leaning) 현상이 발생된다. 또한, 기판에 형성된 패턴과 패턴과의 거리가 미세화 됨에 따라 기판 상에 잔류하는 유기 물질을 적절히 제거하지 못한다. 이러한 유기 물질은 기판 처리의 효율을 떨어뜨린다.
본 발명은 기판 처리 효율을 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 잔류하는 유기물을 효율적으로 제거할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 일 실시예에서, 내부 공간을 가지는 광 처리 챔버와; 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지부와; 내부 공간에서 기판으로 광을 조사하여 기판에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 램프를 가지는 조사부를 포함하되, 램프는, 지지부에 지지된 기판 상으로 심 자외선을 조사할 수 있다.
일 실시예에서, 지지부는, 지지 플레이트와; 지지 플레이트 상부에 제공되어 기판을 지지하는 프록시미티 핀과; 지지 플레이트 내에 제공되어 기판을 가열하는 히터를 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 램프는, 지지부에 지지된 기판 상으로 심 자외선 및 적외선을 조사할 수 있다.
일 실시예에서, 램프는, 지지부에 지지된 기판 상으로 심 자외선, 적외선 및 가시광선을 조사할 수 있다.
일 실시예에서, 램프는, 지지부의 상부에 바(Bar) 형상으로 제공되며 복수 개가 서로 이격되어 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 램프의 길이는 기판의 직경보다 길게 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 조사부는, 램프가 조사하는 광을 지지부에 지지된 기판의 표면을 향해 반사시키는 반사판을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 반사판은, 램프의 상부에 기판과 대향되도록 위치될 수 있다.
일 실시예에서, 반사판의 외면은 알루미늄 코팅되거나 또는 알루미늄 폴리싱될 수 있다.
일 실시예에서, 램프의 외면은 합성 쿼츠로 제공될 수 있다.
일 실시예에서, 초임계 유체를 공급하여 기판을 처리하는 초임계 챔버와; 초임계 챔버, 그리고 광 처리 챔버 간에 기판을 반송하는 이송 유닛과; 제어기를 포함하되, 제어기는, 초임계 챔버에서 기판을 처리하고, 초임계 챔버에서 처리된 기판을 광 처리 챔버로 반송하도록 초임계 챔버, 이송 유닛, 그리고 광 처리 챔버를 제어할 수 있다.
일 실시예에서, 유기 용제를 공급하여 기판을 처리하는 액 처리 챔버와; 액 처리 챔버, 그리고 광 처리 챔버 간에 기판을 반송하는 이송 유닛과; 제어기를 포함하되, 제어기는, 액 처리 챔버에서 기판을 처리하고, 액 처리 챔버에서 처리된 기판을 광 처리 챔버로 반송하도록 액 처리 챔버, 이송 유닛, 그리고 광 처리 챔버를 제어할 수 있다.
일 실시예에서, 기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드 포트를 가지는 인덱스부와; 인덱스부와 연결되고 기판을 처리하는 공정 처리부를 포함하되, 광 처리 챔버는, 로드 포트에 설치될 수 있다.
일 실시예에서, 램프는 섬광 형태의 광을 조사할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 일 실시예에서, 기판을 처리하는 방법은, 기판에 광을 조사하여 기판 상에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 광 처리 단계를 포함하되, 광 처리 단계에는 조사부가 기판으로 심 자외선 영역의 광을 조사할 수 있다.
일 실시예에서, 광 처리 단계에는 조사부가 기판으로 심 자외선, 가시광선 그리고 적외선 영역의 광을 조사할 수 있다.
일 실시예에서, 광 처리 단계 이전에, 초임계 유체를 공급하여 기판을 건조 처리하는 초임계 처리 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 광 처리 단계 이전에 유기 용제를 공급하여 기판을 처리하는 액 처리 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 광 처리 단계에는, 지지부에 의해 기판이 가열될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 효율을 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상에 잔류하는 유기물을 효율적으로 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기존의 기판 처리 장치에도 손쉽게 광 처리 챔버를 장착할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 제한되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 1의 초임계 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 처리 챔버를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 조사부를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 4의 조사부의 단면도이다.
도 7은 도 4의 광 처리 챔버에서 기판으로 광을 조사하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 4의 조사부에서 광을 조사하여 기판을 처리하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 9는 기판의 각 영역에 도달된 광의 총량을 나타내는 그래프이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 인덱스부(100)와 공정 처리부(200)를 포함한다. 인덱스부(100)는 로드 포트(120), 인덱스 챔버(140) 그리고 광 처리 챔버(300)를 포함할 수 있다. 로드 포트(120), 인덱스 챔버(140), 그리고 공정 처리부(200)는 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 인덱스 챔버(140), 그리고 공정 처리부(200)가 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(C)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리부(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(C)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)으로 복수 개가 제공된다. 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(C)내에 위치된다. 캐리어(C)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
인덱스 챔버(140)는 로드 포트(120)와 로드락 챔버(220) 사이에 위치된다. 인덱스 챔버(140)는 전면 패널, 후면 패널 그리고 양측면 패널을 포함하는 직육면체의 형상을 가지며, 그 내부에는 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(C)와 로드락 챔버(220) 그리고 광 처리 챔버(300) 간에 기판(W)을 반송하기 위한 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 도시하지는 않았지만, 인덱스 챔버(140)는 내부 공간으로 입자 오염물이 유입되는 것을 방지하기 위하여, 벤트들(vents), 층류 시스템(laminar flow system)과 같은 제어된 공기 유동 시스템을 포함할 수 있다.
광 처리 챔버(300)는 인덱스 챔버(140)의 일측면에 제공될 수 있다. 광 처리 챔버(300)의 구체적인 구성은 후술한다.
공정 처리부(200)는 로드락 챔버(220), 이송 챔버(240), 액 처리 챔버(260), 그리고 초임계 챔버(280)를 포함할 수 있다.
이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)을 따라 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 액 처리 챔버(260) 또는 초임계 챔버(280)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일 측에 위치한 액 처리 챔버(260)들과 이송 챔버(240)의 타측에 위치한 초임계 챔버(280)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다.
액 처리 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치될 수 있다. 또한, 액 처리 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치될 수 있다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 액 처리 챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 액 처리 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 액 처리 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 액 처리 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 액 처리 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 액 처리 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 액 처리 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
초임계 챔버(280)는 상술한 액 처리 챔버(260)와 유사하게 제공될 수 있다. 초임계 챔버(280)는 이송 챔버(240)의 타측에서 상술한 액 처리 챔버(260)와 유사하게 배치될 수 있다. 또한, 상술한 예에서는 이송 챔버(240)의 일측에 액 처리 챔버(260)들이 제공되고, 타측에 초임계 챔버(280)가 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 액 처리 챔버(260)들과 초임계 챔버(280)들의 배치는 다양하게 변형될 수 있다.
로드락 챔버(220)는 인덱스 챔버(140)와 이송 챔버(240)사이에 배치된다. 로드락 챔버(220)는 이송챔버(240)와 인덱스 챔버(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 로드락 챔버(220)는 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 로드락 챔버(220)에서 인덱스 챔버(140)와 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된 형태로 제공될 수 있다.
이송 챔버(240)는 로드락 챔버(220), 액 처리 챔버(260)들, 그리고 초임계 챔버(280)들 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공될 수 있다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다.
이하에서는, 기판(W)을 반송하는 구성들을 이송 유닛으로 정의한다. 일 예로, 이송 유닛에는 이송 챔버(240), 그리고 인덱스 챔버(140)가 포함될 수 있다. 또한, 이송 유닛에는 이송 챔버(240)에 제공되는 메인 로봇(244), 그리고 인덱스 로봇(144)이 포함될 수 있다.
액 처리 챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다. 예컨대, 상기 세정 공정은 알콜 성분이 포함된 처리 유체들을 사용하여 기판(W) 세정, 스트립, 유기 잔여물(organic residue)을 제거하는 공정일 수 있다. 각각의 액 처리 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 액 처리 챔버(260) 내의 기판 처리 장치는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 액 처리 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 액 처리 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 액 처리 챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 액 처리 챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송 챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 액 처리 챔버(260)들이 제공되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 액 처리 챔버(260)가 제공될 수 있다. 선택적으로 이송 챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 액 처리 챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 액 처리 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 액 처리 챔버(260)와 제2그룹의 액 처리 챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다. 이하에서는 액 처리 챔버(260)에 제공되는 기판 처리 장치의 일 예에 대하여 설명한다.
도 2는 도 1의 액 처리 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 2를 참조하면, 액 처리 챔버에 제공되는 기판 처리 장치(2600)는 처리 용기(2620), 기판 지지 유닛(2640), 승강 유닛(2660), 그리고 액 공급 유닛(2680)을 포함한다. 액 처리 챔버(260)에 제공되는 기판 처리 장치(2600)는 기판(W)으로 처리액을 공급할 수 있다. 예컨대, 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 케미칼은 DSP(Diluted Sulfuric acid Peroxide) 혼합액일 수 있다. 린스액은 순수(H20)일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA) 액일 수 있다.
처리 용기(2620)는 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(2620)는 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 처리 용기(2620)는 내부 회수통(2622) 및 외부 회수통(2626)을 가진다. 각각의 회수통(2622, 2626)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(2622)은 기판 지지 유닛(2640)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(2626)은 내부 회수통(2626)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(2622)의 내측공간(2622a) 및 내부 회수통(2622)은 내부 회수통(2622)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(2622a)로서 기능한다. 내부 회수통(2622)과 외부 회수통(2626)의 사이공간(2626a)은 외부 회수통(2626)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(2626a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(2622a, 2626a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(2622, 2626)의 저면 아래에는 회수 라인(2622b, 2626b)이 연결된다. 각각의 회수통(2622, 2626)에 유입된 처리액들은 회수 라인(2622b, 2626b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
기판 지지 유닛(2640)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(2640)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 기판 지지 유닛(340)은 지지판(2642), 지지핀(2644), 척핀(2646), 그리고 회전 구동 부재를 가진다. 지지판(2642)은 대체로 원형의 판 형상으로 제공되며, 상면 및 저면을 가진다. 하부면은 상부면에 비해 작은 직경을 가진다. 상면 및 저면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다.
지지핀(2644)은 복수 개 제공된다. 지지핀(2644)은 지지판(2642)의 상면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(2642)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(2644)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(2644)은 지지판(2642)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(2646)은 복수 개 제공된다. 척핀(2646)은 지지판(2642)의 중심에서 지지핀(2644)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(2646)은 지지판(2642)의 상면으로부터 위로 돌출되도록 제공된다. 척핀(2646)은 지지판(2642)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(2646)은 지지판(2642)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 외측 위치는 내측 위치에 비해 지지판(2642)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지판(2642)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(2646)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(2646)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(2646)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(2646)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.
회전 구동 부재(2648, 2649)는 지지판(2642)을 회전시킨다. 지지판(2642)은 회전 구동 부재(2648, 2649)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(2648, 2649)는 지지축(2648) 및 구동부(2649)를 포함한다. 지지축(2648)은 제3방향(16)을 향하는 통 형상을 가진다. 지지축(2648)의 상단은 지지판(2642)의 저면에 고정 결합된다. 일 예에 의하면, 지지축(2648)은 지지판(2642)의 저면 중심에 고정 결합될 수 있다. 구동부(2649)는 지지축(2648)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지축(2648)은 구동부(2649)에 의해 회전되고, 지지판(2642)은 지지축(2648)과 함께 회전 가능하다.
승강 유닛(2660)은 처리 용기(2620)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(2620)가 상하로 이동됨에 따라 지지판(2642)에 대한 처리 용기(2620)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(2660)은 기판(W)이 지지판(2642)에 로딩되거나, 언로딩될 때 지지판(2642)이 처리 용기(2620)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(2620)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(2622, 2626)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(2620)의 높이가 조절한다. 승강 유닛(2660)은 브라켓(2662), 이동축(2664), 그리고 구동기(2666)를 가진다. 브라켓(2662)은 처리 용기(2620)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(2662)에는 구동기(2666)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(2664)이 고정결합된다. 선택적으로, 승강 유닛(2660)은 지지판(2642)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
액 공급 유닛(2680)은 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 액 공급 유닛(2680)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다. 액 공급 유닛(2680)은 이동 부재(2681) 및 노즐(2690)을 포함할 수 있다.
이동 부재(2681)는 노즐(2690)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 노즐(2690)이 기판 지지 유닛(2640)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이고, 대기 위치는 노즐(2690)이 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 전처리 위치 및 후처리 위치를 포함한다. 전처리 위치는 노즐(2690)이 제1공급 위치에 처리액을 공급하는 위치이고, 후처리 위치는 노즐(2690)이 제2공급 위치에 처리액을 공급하는 위치로 제공된다. 제1공급 위치는 제2공급 위치보다 기판(W)의 중심에 더 가까운 위치이고, 제2공급 위치는 기판의 단부를 포함하는 위치일 수 있다. 선택적으로 제2공급 위치는 기판의 단부에 인접한 영역일 수 있다.
이동 부재(2681)는 지지축(2686), 아암(2682), 그리고 구동기(2688)를 포함한다. 지지축(2686)은 처리 용기(2620)의 일측에 위치된다. 지지축(2686)은 그 길이방향이 제3방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(2686)은 구동기(2688)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(2686)은 승강 이동이 가능하도록 제공된다. 아암(2682)은 지지축(2686)의 상단에 결합된다. 아암(2682)은 지지축(2686)으로부터 수직하게 연장된다. 아암(2682)의 끝단에는 노즐(2690)이 고정 결합된다. 지지축(2686)이 회전됨에 따라 노즐(2690)은 아암(2682)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(2690)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(2682)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐(2690)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다.
도 3은 도 1의 초임계 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다. 도 3을 참조하면, 초임계 챔버(280)는 기판(W)으로 초임계 유체를 공급할 수 있다. 초임계 유체는 초임계 상태의 이산화탄소 일 수 있다. 초임계 챔버(280)에 제공되는 기판 처리 장치(2800)는 하우징(2810) 유체 공급부(2830), 그리고 배출부(2860를 포함한다. 기판(W)은 하우징(2810)내의 처리 공간에서 지지 수단(미도시)에 의해 지지된다.
하우징(2810)은 초임계 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 하우징(2810)은 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 제공하는 하부 바디(2811)와 상부 바디(2812)를 포함한다. 상부 바디(2812)는 그 위치가 고정되고, 하부 바디(2811)는 승하강 된다. 기판(W)이 하우징(2810) 내로 반입되거나 이로부터 반출될 때에는 하부 바디(2811)와 상부 바디(2812)가 서로 이격되고, 기판(W)에 대해 공정 진행시에는 하부 바디(2811)와 상부 바디(2812)가 서로 밀착된다.
유체 공급부(2830)는 하우징(2810) 내부로 초임계 유체를 공급한다. 초임계 유체는 초임계 상태의 이산화탄소일 수 있다. 배출부(2860)는 하우징(2810)으로부터 초임계 유체를 배출한다. 배출부(2860)는 하부 하우징(2811)에 제공된다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 광 처리 챔버를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 4의 조사부를 보여주는 평면도이고, 도 6 내지 도 7은 각각 도 4의 조사부의 단면도이다.
도 4 내지 도 7을 참조하면, 광 처리 챔버(300)에는 기판 처리 장치(3000)가 제공된다. 광 처리 챔버(300)는 액 처리 챔버(260)에서 처리된 기판(W)에 광을 조사할 수 있다. 또한, 광 처리 챔버(300)는 초임계 챔버(260)에서 처리된 기판(W)에 광을 조사할 수 있다. 예컨대, 광 처리 챔버(300)는 초임계 챔버(260)에서 건조 처리된 기판(W)에 광을 조사할 수 있다. 광 처리 챔버(300)는 기판(W)에 광을 조사하여 기판(W) 상에 잔류하는 유기물을 제거할 수 있다.
광 처리 챔버(300)에 제공되는 기판 처리 장치(3000)는 챔버(3100), 지지부(3200), 조사부(3300) , 가스 공급 부재(4200) 그리고 배기 부재(4100)를 포함할 수 있다.
챔버(3100)는 내부 공간을 가질 수 있다. 챔버(3100)는 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 챔버(3100)는 상부가 개방된 직육면체 형상을 가질 수 있다. 챔버(3100)의 일측면에는 개방된 개구(3110)를 가지며, 개방된 개구(3110)는 인덱스 챔버(1400)와 연결되어 기판이 반입되거나 반출되는 통로로 사용될 수 있다. 개방된 개구(3110)는 도어(3120)에 의해 개폐될 수 있다.
지지부(3200)는 챔버(3100)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지부(3200)는 챔버(3100)의 내부 공간에 제공될 수 있다. 지지부(3200)는 지지 플레이트와(3210), 프록시미티 핀(3240) 그리고 히터(3220)을 포함한다. 지지 플레이트(3210)는 기판(W)을 지지할 수 있다. 일 예에서, 지지 플레이트(3210)는 판 형상을 가질 수 잇다. 지지 플레이트(3210) 상부에는 기판(W)이 놓인다. 일 예에서, 기판(W)은 지지 플레이트(3210)에 직접 닿지 않고, 지지 플레이트(3210) 상에 제공되는 프록시미티 핀(3240) 상에 놓인다. 히터(3220)은 지지 플레이트(3210) 내에 제공되어 기판(W)을 가열한다.
일 예에서, 별도의 고정 장치 없이 기판(W)이 지지 플레이트(3210)의 안착면에 놓인다. 선택적으로, 지지 플레이트(3210)는 기판(W)을 진공 방식으로 고정할 수 있다. 이와 달리 지지 플레이트(3210)는 클램핑 방식으로 기판(W)을 고정할 수도 있다.
조사부(3300)는 지지부(3200)에 지지된 기판(W)으로 광을 조사하여, 기판(W) 상의 유기 물질을 제거한다. 일 예에서, 조사부(3300)는 챔버(3100)의 상부에 배치될 수 있다. 조사부(3300)는 하우징(3301), 광원(3310), 광원 케이스(3330) 그리고 반사판(3340)을 포함할 수 있다.
가스 공급 부재(4200)는 하우징의 내부 공간(3100)으로 가스를 공급한다. 일 예에서, 가스는 비활성 가스로 제공된다. 이에, 가스는 기판(W) 상의 물질과 반응하지 않고, 기판(W)에 수행된 공정에 영향을 주지 않는다. 예컨대, 가스는 질소로 제공된다. 가스 공급 부재(4200)는, 가스 공급원(4242), 공급 라인(4244), 공급 밸브(4246) 그리고 분사 노즐(4240)을 포함한다. 가스 공급원(4242) 가스를 저장한다. 공급 라인(4244)은 가스 공급원(4242)으로부터 분사 노즐(4240)에 가스를 공급한다. 공급 밸브(4246)는 가스 공급원(4242)으로부터 분사 노즐(4240)에 공급되는 가스의 공급 여부와 공급 유량을 조절한다. 분사 노즐(4240)은 챔버(3100)의 내부 공간으로 가스를 토출한다.
배기 부재(4100)는 하우징의 내부 공간(3100)을 배기한다. 분사 노즐(4240)로부터 공급된 가스는 배기 부재(4100)를 통해 내부 공간(3100)을 빠져나간다. 이때, 내부 공간(3100)에 존재하던 파티클도 함께 배출된다. 배기 부재(4100)는, 배기 라인(4160), 배기 밸브(4190), 감압 부재(4180)를 포함한다. 배기관(4140)은 배기 통로를 가진다. 일 예에서, 배기 라인(4160)은 도어(3120)에 연결된다. 감압 부재(4180)는 배기관(4140)을 통해 내부 공간(3100)을 감압한다. 배기 라인(4160)은 배기관(4140)에 연결되어 감압 부재(4180)의 감압력을 내부 공간(3100)에 전달한다. 배기 밸브(4190)는, 배기 라인(4160)에 설치되어 감암 부재의 감압 여부와 감압력을 조절한다. 배기관(4140)을 통해 내부 공간(3100)이 배기된다.
하우징(3301)은 내부 공간을 가질 수 있다. 하우징(3301)은 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 하우징(3301)은 하부가 개방된 직육면체 형상을 가질 수 있다. 하우징(3301)은 챔버(3100)와 대응하는 형상을 가질 수 있다. 하우징(3301)은 챔버(3100)와 조합되어 내부 공간을 형성할 수 있다. 하우징(3301)은 챔버(3100)의 상부에 제공되어 서로 조합될 수 있다. 선택적으로, 별도의 하우징(3301)이 제공되지 않을 수 있다.
광원(3310)은, 기판(W)상으로 광을 조사한다. 일 예에서, 광원(3310)은 복수 개의 램프로 제공된다. 예컨대, 광원(3310)은, 4개의 램프(3311, 3312, 3313, 3314)로 제공될 수 있다. 선택적으로 광원(3310) 이보다 적거나 많은 개수의 램프로 제공될 수 있다.
일 예에서, 각각의 램프는 바(Bar) 형상을 가질 수 있다. 제1램프(3311), 제2램프(3312), 제3램프(3313) 그리고 제4램프(3314)는 상부 또는 하부에서 바라볼 때, 서로 이격되어 배치된다. 일 예에서, 각각의 램프는 기판(W)의 직경보다 길이가 길게 제공된다. 예컨대, 기판의 길이가 300mm인 경우, 램프의 길이는 350mm 내지 450mm로 제공될 수 있다.
일 예에서, 제1램프(3311), 제2램프(3312), 제3램프(3313) 그리고 제4램프(3314)는 광원 케이스(3330) 내에 제공될 수 있다. 광원 케이스(3330)는 투명한 재질로 제공된다. 일 예에서, 광원 케이스(3330)는 제1램프(3311), 제2램프(3312), 제3램프(3313) 그리고 제4램프(3314)와 동일한 재질로 제공된다. 일 예에서, 광원 케이스(3330)는 하우징(3301)에 탈부착 가능하게 제공된다. 이에, 제1램프(3311), 제2램프(3312), 제3램프(3313) 그리고 제4램프(3314)를 교체하기 위해 광원 케이스(3330)를 하우징(3301)으로부터 탈착할 수 있다.
일 예에서, 제1램프(3311), 제2램프(3312), 제3램프(3313) 그리고 제4램프(3314)는 개별적으로 광을 조사할 수 있다. 일 예에서, 제1램프(3311), 제2램프(3312), 제3램프(3313) 그리고 제4램프(3314)는 지지부(3200)에 놓인 기판(W)으로부터 동일한 상하 거리를 가지도록 같은 높이에 배치될 수 있다. 선택적으로, 제1램프(3311), 제2램프(3312), 제3램프(3313) 그리고 제4램프(3314)는 각 램프에서 조사되는 광의 파장에 따라 서로 다른 높이로 배치될 수 있다.
일 예에서, 광원(3310)은 심 자외선 영역의 광을 기판(W) 상으로 조사한다. 예컨대, 광원(3310)에서 조사되는 광의 파장은 170nm 이상 230nm이하로 제공될 수 있다. 심 자외선은, 다른 파장을 가지는 광에 비해 유기물 분자의 결합을 용이하게 끊는다. 이에, 광원(3310)으로부터 조사된 심 자외선에 의해 기판(W) 상에 잔류하는 유기 물질의 분자 결합이 끊어지고, 가스 공급 부재(4200)와 배기 부재(4100)에 의해 형성된 내부 공간의 기류를 타고 배기 부재(4100)를 통해 챔버(3100) 외부로 배출된다. 일 예에서, 광원(3310)은 심 자외선 그리고 적외선을 조사할 수 있다. 이와 달리, 광원(3310)은 심 자외선, 적외선 그리고 가시광선을 조사할 수 있다.
일 예에서, 제1램프(3311), 제2램프(3312), 제3램프(3313) 그리고 제4램프(3314)는, 외면이 합성 쿼츠로 제공된다. 이에, 각각의 램프(3311, 3312, 3313, 3314)로부터 심 자외선이 각 램프(3311, 3312, 3313, 3314)의 외면을 투과하여 기판(W)으로 전달될 수 있다. 반사판(3340)은 조사부(3300)에서 조사하는 광을 지지부(3200)에 지지된 기판(W)의 표면으로 반사시킬 수 있다. 예컨대, 반사판(3340)은 제1램프(3311), 제2램프(3312), 제3램프(3313) 그리고 제4램프(3314)에서 조사하는 광을 기판(W)의 표면으로 반사시킬 수 있다. 반사판(3340)은 광을 반사할 수 있는 재질로 제공될 수 있다. 일 예에서, 반사판(3340)은 알루미늄 코팅되거나 또는 알루미늄 폴리싱 처리된다. 이에, 각 램프(3311, 3312, 3313, 3314)로부터 방출된 심 자외선이 반사판(3340)을 통해 반사될 수 있도록 한다. 일 예에서, 반사판(3340)은 제1램프(3311), 제2램프(3312), 제3램프(3313) 그리고 제4램프(3314)를 감싸도록 제공될 수 있다. 예컨대, 반사판(3340)은 제1램프(3311), 제2램프(3312), 그리고 제3램프(3313)의 상부 영역을 감싸는 형상을 가질 수 있다. 또한, 반사판(3340)은 측면에서 바라볼 때 기판(W)의 상면과 평행한 면을 가질 수 있다.
도 8은 도 4의 조사부에서 광을 조사하여 기판을 처리하는 모습을 보여주는 도면이고, 도 9는 기판의 각 영역에 도달된 광의 총량을 나타내는 그래프이다. 이하, 광원(3310)은 심 자외선, 적외선 그리고 가시광선 모두를 동시에 조사하는 것으로 설명한다.
제1램프(3311), 제2램프(3312), 제3램프(3313) 및 제3램프(3314)는 각각 기판(W)으로 제1광(L1), 제2광(L2) 그리고 제3광(L3)을 조사할 수 있다. 예컨대, 제1광(L1)은 적외선이고, 제2광(L2)는 가시광선이고, 제3광(L3)은 심 자외선이다. 일 예에서, 각 램프(3311, 3312, 3313, 3314)에서 조사되는 광은 섬광 형태일 수 있다. 일 예에서, 각 램프(3311, 3312, 3313, 3314)에서 조사하는 섬광은 설정 간격마다 교번되게 에너지가 변화할 수 있다. 또한, 각 램프(3311, 3312, 3313, 3314)가 조사하는 제1광(L1), 제2광(L2) 그리고 제3광(L3)의 복사열은 기판(W) 상에 부착된 유기물(D)로 전달된다. 제2광(L2)은 오존을 발생시켜 기판의 유기물(D) 분해 효율을 높일 수 있다. 또한, 제2광(L2)은 산소 또는 오존으로부터 활성 산소를 발생시킬 수 있다. 제2광(L2)이 발생시키는 활성 산소는 기판(W)에 부착된 유기물(D)과 반응할 수 있다. 활성 산소와 반응하는 유기물(D)은 분해될 수 있다. 또한, 활성 산소와 반응하는 유기물(D)은 산화될 수 있다. 이에, 유기물(D)의 입자 크기는 작아질 수 있다. 제1광(L1) 그리고 제3광(L3)은 기판(W) 상에 부착된 유기물(D)에 열을 전달할 수 있다. 제1광(L1) 그리고 제3광(L3)이 발생시키는 복사열은 기판(W) 상에 부착된 유기물(D)을 제거할 수 있다. 또한, 제1광(L1) 및 제3광(L3)을 조사하여, 기판(W)의 온도를 상승 및 유지시킬 수 있다. 예컨대, 복사열은 유기물(D)을 승화시킬 수 있다.
램프(3311, 3312, 3313, 3314)가 동일한 간격으로 이격되어 복수 개 제공되며, 기판(W)의 직경보다 긴 길이를 가지는 바, 각 램프(3311, 3312, 3313, 3314)에 의해 기판(W) 상에 도달하는 광은 도 9에 도시된 바와 같이 각 영역 별로 균일하게 제공된다. 이에, 기판(W) 상의 유기 물질은 균일하게 제거될 수 있다.
제어기(미도시)는 기판 처리 장치(10)를 제어할 수 있다. 제어기는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(10)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기는 액 처리 챔버(260)에서 기판(W)을 처리하고, 액 처리 챔버(260)에서 처리된 기판(W)을 광 처리 챔버(300)로 반송하도록 액 처리 챔버(260), 이송 유닛, 그리고 광 처리 챔버(300)를 제어할 수 있다. 또한, 제어기는 초임계 챔버(280)에서 기판(W)을 처리하고 초임계 챔버(280)에서 처리된 기판(W)을 광 처리 챔버(300)로 반송하도록 초임계 챔버(280), 이송 유닛, 그리고 광 처리 챔버(300)를 제어할 수 있다.
이하에서는, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 액 처리 단계, 초임계 처리 단계, 그리고 광 처리 단계를 포함할 수 있다.
액 처리 단계는 기판(W)에 유기 용제 등의 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 단계일 수 있다. 액 처리 단계는 액 처리 챔버(260)에서 수행될 수 있다. 초임계 처리 단계는 초임계 유체를 공급하여 기판(W)을 처리하는 단계일 수 있다. 초임계 처리 단계는 초임계 챔버(280)에서 수행될 수 있다. 광 처리 단계는 기판(W)에 광을 조사하여 기판(W) 상에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 단계일 수 있다. 광 처리 단계는 광 처리 챔버(300)에서 수행될 수 있다. 광 처리 단계는 초임계 처리 단계 이후에 수행될 수 있다. 광 처리 단계는 액 처리 단계 이후에 수행될 수 있다. 예컨대, 액 처리 단계, 초임계 처리 단계, 그리고 광 처리 단계는 순차적으로 수행될 수 있다.
광 처리 단계에서, 제1광(L1)과 제2광(L2)은 동시 또는 순차적으로 조사될 수 있다. 제1광(L1)과 제3광(L3)은 동시 또는 순차적으로 조사될 수 있다. 제2광(L2)과 제3광(L3)은 동시 또는 순차적으로 조사될 수 있다. 제1광(L1), 제2광(L2), 제3광(L3)은 동시 또는 순차적으로 조사될 수 있다. 또한, 광 처리 단계에서, 기판(W)은 히터(3420)에 의해 온도가 승온된다.
본 발명에 따르면, 기판(W) 상으로 심 자외선 영역의 광을 조사하여, 기판(W)의 온도를 빠르게 승온시키고, 오존을 생성하여 기판(W)의 세정 효율을 높일 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 복수 개의 램프가 기판(W)과 평행한 방향으로 제공되어 기판(W) 상에 광을 균일하게 조사할 수 있는 이점이 있다. 이에, 기판(W)의 세정을 고르게 할 수 있는 이점이 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기판(W)에 광을 조사하는 동안, 기판(W)을 히터(3220)를 통해 가열하여 기판(W)의 온도를 빠르게 승온시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판(W) 상으로 가시광선, 적외선 및 심 자외선 영역의 광을 조사하여 기판(W)의 온도를 빠르게 승온시킬 수 있는 이점이 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
광 처리 챔버: 300
광 처리 챔버에 제공되는 기판 처리 장치: 3000
챔버: 3100
개구: 3110
도어: 3120
지지부: 3200
조사부: 3300
하우징: 3301
램프: 3310

Claims (19)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부 공간을 가지는 광 처리 챔버와;
    상기 내부 공간에서 기판을 지지하는 지지부와;
    상기 내부 공간에서 기판으로 광을 조사하여 기판에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 램프를 가지는 조사부를 포함하되,
    상기 램프는,
    상기 지지부에 지지된 상기 기판 상으로 심 자외선을 조사하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 지지부는,
    지지 플레이트와;
    상기 지지 플레이트 상부에 제공되어 기판을 지지하는 프록시미티 핀과;
    상기 지지 플레이트 내에 제공되어 상기 기판을 가열하는 히터를 포함하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 램프는,
    상기 지지부에 지지된 상기 기판 상으로 심 자외선 및 적외선을 조사하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 램프는,
    상기 지지부에 지지된 상기 기판 상으로 심 자외선, 적외선 및 가시광선을 조사하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 램프는,
    상기 지지부의 상부에 바(Bar) 형상으로 제공되며 복수 개가 서로 이격되어 배치되는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 램프의 길이는 상기 기판의 직경보다 길게 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 조사부는,
    상기 램프가 조사하는 광을 상기 지지부에 지지된 기판의 표면을 향해 반사시키는 반사판을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 반사판은,
    상기 램프의 상부에 상기 기판과 대향되도록 위치되는 기판 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 반사판의 외면은 알루미늄 코팅되거나 또는 알루미늄 폴리싱되는 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 램프의 외면은 합성 쿼츠로 제공되는 기판 처리 장치.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    초임계 유체를 공급하여 기판을 처리하는 초임계 챔버와;
    상기 초임계 챔버, 그리고 상기 광 처리 챔버 간에 기판을 반송하는 이송 유닛과;
    제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 초임계 챔버에서 기판을 처리하고, 상기 초임계 챔버에서 처리된 기판을 상기 광 처리 챔버로 반송하도록 상기 초임계 챔버, 상기 이송 유닛, 그리고 상기 광 처리 챔버를 제어하는 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    유기 용제를 공급하여 기판을 처리하는 액 처리 챔버와;
    상기 액 처리 챔버, 그리고 상기 광 처리 챔버 간에 기판을 반송하는 이송 유닛과;
    제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 액 처리 챔버에서 기판을 처리하고, 상기 액 처리 챔버에서 처리된 기판을 상기 광 처리 챔버로 반송하도록 상기 액 처리 챔버, 상기 이송 유닛, 그리고 상기 광 처리 챔버를 제어하는 기판 처리 장치.
  13. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    기판이 수용되는 용기가 놓이는 로드 포트를 가지는 인덱스부와;
    상기 인덱스부와 연결되고 기판을 처리하는 공정 처리부를 포함하되,
    상기 광 처리 챔버는,
    상기 로드 포트에 설치되는 기판 처리 장치.
  14. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 램프는 섬광 형태의 광을 조사하는 기판 처리 장치.
  15. 제1항의 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 기판에 광을 조사하여 상기 기판 상에 잔류하는 유기 물질을 제거하는 광 처리 단계를 포함하되,
    상기 광 처리 단계에는 상기 조사부가 상기 기판으로 심 자외선 영역의 광을 조사하는 기판 처리 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 광 처리 단계에는 상기 조사부가 상기 기판으로 심 자외선, 가시광선 그리고 적외선 영역의 광을 조사하는 기판 처리 방법.
  17. 제15항에 있어서,
    상기 광 처리 단계 이전에, 초임계 유체를 공급하여 상기 기판을 건조 처리하는 초임계 처리 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 광 처리 단계 이전에 유기 용제를 공급하여 기판을 처리하는 액 처리 단계를 더 포함하는 기판 처리 방법.
  19. 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광 처리 단계에는,
    상기 지지부에 의해 상기 기판이 가열되는 기판 처리 방법.
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