JP2022022142A - 支持ユニット、これを含む基板処理装置 - Google Patents

支持ユニット、これを含む基板処理装置 Download PDF

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Abstract

【課題】基板を効率的に処理することができる支持ユニット、及びこれを含む基板処理装置を提供する。【解決手段】本発明は支持ユニットを提供する。基板を支持する支持ユニットは、加熱部材及び反射板を含み、前記反射板は、前記加熱部材が発生させる熱エネルギーを前記基板の縁領域に反射させる曲面を含むことができる。【選択図】図４

Description

本発明は支持ユニット、そして基板処理装置に関り、より詳細には基板処理工程の中で基板を加熱しながら、工程を遂行する支持ユニット、そして基板処理装置に係る。
一般的に平板表示素子製造や半導体製造工程でガラス基板やウエハを処理する工程には感光液塗布工程（ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ｃｏａｔｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、現象工程（ｄｅｖｅｌｏｐｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、蝕刻工程（ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）、アッシング工程（ａｓｈｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）等の様々な工程が遂行される。各工程には基板に付着された各種汚染物を除去するために、薬液（ｃｈｅｍｉｃａｌ）又は純水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）を利用した洗浄工程（ｗｅｔ ｃｌｅａｎｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）と基板表面に残留する薬液又は純水を乾燥させるための乾燥（ｄｒｙｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ）工程が遂行される。
最近には硫酸やリン酸のような高温で使用されるケミカルが利用してシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を選択的に除去する蝕刻工程を進行している。高温のケミカルが利用した基板処理装置では蝕刻率を改善するために基板を加熱する基板処理装置が利用されている。特許文献１には上述した基板処理装置の一例が開示されている。特許文献１によれば、基板処理装置はスピンヘッド内に基板を加熱するランプとランプが輻射する熱を反射させる反射板を有する。しかし、特許文献１の装置を利用して基板を処理する場合、基板の縁領域に対する処理効率を相対的に低下される。具体的に基板の中央領域を加熱するのに寄与するランプの数より基板の縁領域を加熱するのに寄与するランプの数が少ないためである。即ち、特許文献１の装置を利用して基板を処理する場合、基板の縁領域に対する処理効率が基板の中央領域に対する処理効率より低く、結果的に基板の全般に対する処理の均一性（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）が低くなる。基板の全般に対する処理の均一性（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）は収率側面で非常に重要な要素であるので、基板の縁領域に対する加熱処理改善が要求される。また、基板の縁領域に対する加熱処理を改善するために基板の縁領域に熱エネルギーを供給する別の熱源（例えば、レーザー照射部材）を具備する方案も考慮することができるが、これは設備原価を上昇させ、空間的な制約等にその効率性が非常に低下される。
米国公開特許２０１６／００１３０７９ 号公報
本発明の目的は基板を効率的に処理することができる支持ユニット、及びこれを含む基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の目的は基板に対する処理均一性を向上させることができる支持ユニット、これを含む基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の目的は基板の縁領域に対する処理効率を改善することができる支持ユニット、これを含む基板処理装置を提供することにある。
また、本発明の目的は基板の縁領域に対するエッチングレートを改善することができる支持ユニット、これを含む基板処理装置を提供することにある。
本発明の目的はここに制限されなく、言及されないその他の目的は下の記載から通常の技術者が明確に理解理解されるべきである。
本発明は支持ユニットを提供する。基板を支持する支持ユニットは、加熱部材及び反射板を含み、前記反射板は、前記加熱部材が発生させる熱エネルギーを前記基板の縁領域に反射させる曲面を含むことができる。
一実施形態によれば、前記曲面は、前記支持ユニットを正断面から見る時、仮想の楕円の一部を構成することができる。
一実施形態によれば、前記仮想の楕円は、第１焦点、そして第２焦点を有し、前記正断面から見た前記加熱部材は前記第１焦点、そして前記第２焦点の中でいずれか１つと重畳されるように位置されることができる。
一実施形態によれば、前記正断面から見た前記基板の縁領域は前記第１焦点、そして前記第２焦点の中で他の１つと重畳されることができる。
一実施形態によれば、前記加熱部材は、前記基板を加熱する光を照射する少なくとも１つ以上のランプを含むことができる。
一実施形態によれば、前記ランプの中で少なくとも一部は、リング形状を有し、互いに異なる半径を有し、その中心が互いに一致するように離隔されて配列されることができる。
一実施形態によれば、前記反射板は、前記加熱部材の下に配置されるベース部と、前記ベース部から上方向に突出される突出部と、を含み、前記ベース部及び／又は前記突出部は前記曲面を含むことができる。
一実施形態によれば、前記突出部は、上部から見る時、前記ランプの中で最外側に配置されるランプ、そして前記最外側に配置されるランプと隣接するランプの間に配置されることができる。
一実施形態によれば、前記突出部は、前記基板の縁領域の中で第１位置に前記熱エネルギーを反射させる第１曲面を含む第１突出部と、前記基板の縁領域の中で前記第１位置と異なる位置である第２位置に前記熱エネルギーを反射させる第２曲面を含む第２突出部と、を含むことができる。
一実施形態によれば、前記第１曲面は、前記正断面から見る時、第１仮想の楕円の一部を構成し、前記第２曲面は、前記正断面から見る時、前記第１仮想の楕円と異なる焦点を有する第２仮想の楕円の一部を構成することができる。
一実施形態によれば、前記ユニットは、前記基板を支持するチャックと、前記チャックを回転させるスピン駆動部と、をさらに含むことができる。
一実施形態によれば、前記反射板、そして前記加熱部材は前記記チャックの回転から独立的であり得る。
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、基板を支持する支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板に処理液を供給する液供給ユニットと、を含み、前記支持ユニットは、基板を支持するチャックと、前記チャックに支持された基板を加熱する光を照射する加熱部材と、前記加熱部材の下に配置される反射板と、を含み、前記反射板は、前記光を前記チャックに支持された基板の縁領域に反射させる曲面を含むことができる。
一実施形態によれば、前記曲面は、前記支持ユニットの正断面から見る時、仮想の楕円の一部を構成することができる。
一実施形態によれば、前記仮想の楕円は、第１焦点、そして第２焦点を有し、前記正断面から見た前記加熱部材の中心は前記第１焦点、そして第２焦点の中でいずれか１つと互いに重畳され、前記正断面から見た前記チャックに支持された基板の縁領域は前記第１焦点、そして前記第２焦点の中で他の１つと重畳されることができる。
一実施形態によれば、前記反射板は、前記加熱部材の下に配置されるベース部と、前記ベース部から上方向に突出される突出部と、を含み、前記ベース部及び／又は前記突出部は各々前記曲面を含み、前記曲面は各々前記支持ユニットに支持された基板の異なる位置に前記光を反射させることができる。
一実施形態によれば、前記処理液は、基板上の膜を蝕刻するためのケミカルが含み、前記反射板は、アルミニウム、銅、クォーツ、金、銀の中で少なくともいずれか１つを含む材質で提供されることができる。
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、基板を支持する支持ユニットと、前記支持ユニットに支持された基板に処理液を供給する液供給ユニットと、を含み、前記支持ユニットは、基板を支持するチャックと、前記チャック内に提供され、前記チャックに支持された基板を加熱する光を照射するランプと、前記光を前記基板の縁領域に反射させる反射板と、を含み、前記反射板は、前記支持ユニットの正断面から見る時、第１焦点及び第２焦点を有する仮想の楕円の一部を構成する曲面を含み、前記第１焦点は、前記正断面から見る時、前記ランプの中心と一致し、前記第２焦点は、前記正断面から見る時、前記チャックに支持された基板の縁領域と重畳されることができる。
一実施形態によれば、前記反射板は、前記ランプの下に配置されるベース部と、前記ベース部から上方向に突出され、前記ベース部と共に前記曲面を含む突出部と、を含み、前記突出部の各々は、大体に弧形状を有し、前記突出部は、上部から見る時、大体に円形状をなすように互いに離隔されて提供されることができる。
一実施形態によれば、前記曲面は各々前記支持ユニットに支持された基板の異なる位置に前記光を反射させることができる。
本発明の一実施形態によれば、基板を効率的に処理することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、基板に対する処理均一性を向上させることができる。
また、本発明の一実施形態によれば、基板の縁領域に対する処理効率を改善することができる。
また、本発明の一実施形態によれば、基板の縁領域に対するエッチングレートを改善することができる。
本発明の効果が上述した効果によって限定されることではなく、言及されない効果は本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に明確に理解されるべきである。
本発明の一実施形態による基板処理装置が提供された基板処理設備を概略的に示した平面図である。 図１の基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の断面図である。 図３の支持ユニットの一実施形態を示す断面図である。 図４の支持ユニットの一部分を拡大して示す図面である。 図５の仮想の楕円を示す図面である。 図６の加熱部材が基板を加熱する形状を示す図面である。 一般的な基板処理装置が基板を処理する時、基板の中心からの距離に応じるエッチングレートを示す図面である。 本発明の一実施形態による基板処理装置が基板を処理する時、基板の中心からの距離に応じるエッチングレートを示す図面である。 本発明の他の実施形態による支持ユニットの一部分を拡大して示す図面である。 本発明の他の実施形態による支持ユニットの一部分を拡大して示す図面である。 本発明の他の実施形態による支持ユニットの一部分を拡大して示す図面である。 図１０乃至図１２の突出部によって反射された光が基板上に到達する位置を示す図面である。 図１０乃至図１２の突出部によって反射された光が基板の縁領域に到達されて基板の縁領域を加熱する形状を示す図面である。
以下では添付した図面を参考として本発明の実施形態に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は様々な異なる形態に具現されることができ、ここで説明する実施形態に限定されない。また、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明することにおいて、関連された公知機能又は構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曖昧にすることができていると判断される場合にはその詳細な説明を省略する。また、類似な機能及び作用をする部分に対しては図面の全体に亘って同一な符号を使用する。
ある構成要素を‘含む’ということは、特別に反対になる記載がない限り、他の構成要素を除外することではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。具体的に、“含む”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることがであり、１つ又はそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、又はこれらを組み合わせたものの存在又は付加可能性を予め排除しないことと理解されなければならない。
単数の表現は文脈の上に明確に異なりに表現しない限り、複数の表現を含む。また、図面で要素の形状及びサイズ等はより明確な説明のために誇張されることができる。
図１は本発明の一実施形態による基板処理装置が提供された基板処理設備を概略的に示した平面図である。図１を参照すれば、基板処理設備１はインデックスモジュール１０００と工程処理モジュール２０００を含む。インデックスモジュール１０００はロードポート１２００及び移送フレーム１４００を含む。ロードポート１２００、移送フレーム１４００、及び工程処理モジュール２０００は順次的に一列に配列される。以下、ロードポート１２００、移送フレーム１４００、そして工程処理モジュール２０００が配列された方向を第１の方向１２とする。そして、上部から見る時、第１の方向１２と垂直になる方向を第２方向１４とし、第１の方向１２と第２方向１４を含む平面に垂直である方向を第３方向１６とする。
ロードポート１２００には基板Ｗが収納されたキャリヤー１３００が安着される。ロードポート１２００は複数が提供され、これらは第２方向１４に沿って一列に配置される。図１では４つのロードポート１２００が提供されたことと図示した。しかし、ロードポート１２００の数は工程処理モジュール２０００の工程効率及びフットプリント等の条件に応じて増加するか、又は減少してもよい。キャリヤー１３００には基板Ｗの縁を支持するように提供されたスロット（図示せず）が形成される。スロットは第３方向１６に複数が提供される。基板Ｗは第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるようにキャリヤー１３００内に位置される。キャリヤー１３００としては前面開放一体型ポッド（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ；ＦＯＵＰ）が使用されることができる。
工程処理モジュール２０００はバッファユニット２２００、移送チャンバー２４００、そして工程チャンバー２６００を含む。移送チャンバー２４００はその長さ方向が第１方向１２と平行に配置される。第２方向１４に沿って移送チャンバー２４００の一側及び他側には各々工程チャンバー２６００が配置される。移送チャンバー２４００の一側に位置した工程チャンバー２６００と移送チャンバー２４００の他側に位置した工程チャンバー２６００は移送チャンバー２４００を基準に互いに対称になるように提供される。工程チャンバー２６００の中で一部は移送チャンバー２４００の長さ方向に沿って配置される。また、工程チャンバー２６００の中で一部は互いに積層されるように配置される。即ち、移送チャンバー２４００の一側には工程チャンバー２６００がＡＸＢ（ＡとＢは各々１以上の自然数）の配列に配置されることができる。ここで、Ａは第１の方向１２に沿って一列に提供された工程チャンバー２６００の数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された工程チャンバー２６００の数である。移送チャンバー２４００の一側に工程チャンバー２６００が４つ又は６つ提供される場合、工程チャンバー２６００は２Ｘ２又は３Ｘ２の配列に配置されることができる。工程チャンバー２６００の数は増加するか、或いは減少してもよい。上述したことと異なりに、工程チャンバー２６００は移送チャンバー２４００の一側のみに提供されることができる。また、上述したことと異なりに、工程チャンバー２６００は移送チャンバー２４００の一側及び両側に単層に提供されることができる。
バッファユニット２２００は移送フレーム１４００と移送チャンバー２４００との間に配置される。バッファユニット２２００は移送チャンバー２４００と移送フレーム１４００との間に基板Ｗが搬送される前に基板Ｗが留まる空間を提供する。バッファユニット２２００はその内部に基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が提供され、スロット（図示せず）は相互間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数提供される。バッファユニット２２００で移送フレーム１４００と対向する面と移送チャンバー２４００と対向する面の各々が開放される。
移送フレーム１４００はロードポート１２００に安着されたキャリヤー１３００とバッファユニット２２００との間に基板Ｗを搬送する。移送フレーム１４００にはインデックスレール１４２０とインデックスロボット１４４０が提供される。インデックスレール１４２０はその長さ方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４０はインデックスレール１４２０上に設置され、インデックスレール１４２０に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４０はベース１４４１、本体１４４２、そしてインデックスアーム１４４３を有する。ベース１４４１はインデックスレール１４２０に沿って移動可能するように設置される。本体１４４２はベース１４４１に結合される。本体１４４２はベース１４４１上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体１４４２はベース１４４１上で回転可能するように提供される。インデックスアーム１４４３は本体１４４２に結合され、本体１４４２に対して前進及び後進移動できるように提供される。インデックスアーム１４４３は複数が提供されて各々個別駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４３は第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。インデックスアーム１４４３の中で一部は工程処理モジュール２０００からキャリヤー１３００に基板Ｗを搬送する時に使用され、他の一部はキャリヤー１３００から工程処理モジュール２０００に基板Ｗを搬送する時に使用されることができる。これはインデックスロボット１４４０が基板Ｗを搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板Ｗから発生されたパーティクルが工程処理後の基板Ｗに付着されることを防止することができる。
移送チャンバー２４００はバッファユニット２２００と工程チャンバー２６００との間に、そして工程チャンバー２６００の間に基板Ｗを搬送する。移送チャンバー２４００にはガイドレール２４２０とメーンロボット２４４０が提供される。ガイドレール２４２０はその長さ方向が第１の方向１２と並んで配置される。メーンロボット２４４０はガイドレール２４２０上に設置され、ガイドレール２４２０上で第１の方向１２に沿って直線移動される。メーンロボット２４４０はベース２４４１、本体２４４２、そしてメーンアーム２４４３を有する。ベース２４４１はガイドレール２４２０に沿って移動可能するように設置される。本体１４４２はベース１４４１に結合される。本体１４４２はベース１４４１上で第３方向１６に沿って移動可能するように提供される。また、本体１４４２はベース１４４１上で回転可能するように提供される。メーンアーム２４４３は本体２４４２に結合され、これは本体２４４２に対して前進及び後進移動できるように提供される。メーンアーム２４４３は複数が提供されて各々個別駆動されるように提供される。メーンアーム２４４３は第３方向１６に沿って互いに離隔された状態に積層されるように配置される。バッファユニット２２００から工程チャンバー２６００に基板Ｗを搬送する時に使用されるメーンアーム２４４３と工程チャンバー２６００からバッファユニット２２００に基板Ｗを搬送する時に使用されるメーンアーム２４４３は互いに異なることができる。
工程チャンバー２６００内には基板Ｗに対して洗浄工程を遂行する基板処理装置１０が提供される。各々の工程チャンバー２６００内に提供された基板処理装置１０は遂行する洗浄工程の種類に応じて異なる構造を有することができる。選択的に各々の工程チャンバー２６００内の基板処理装置１０は同一な構造を有することができる。選択的に工程チャンバー２６００は複数のグループに区分されて、同一なグループに属する工程チャンバー２６００に提供された基板処理装置１０は互いに同一な構造を有し、異なるグループに属する工程チャンバー２６００に提供された基板処理装置１０は互いに異なる構造を有することができる。例えば、工程チャンバー２６００が２つのグループに分けられる場合、移送チャンバー２４００の一側には第１グループの工程チャンバー２６００が提供され、移送チャンバー２４００の他側には第２グループの工程チャンバー２６００が提供されることができる。選択的に移送チャンバー２４００の一側及び他側の各々で下層には第１グループの工程チャンバー２６００が提供され、上層には第２グループの工程チャンバー２６００が提供されることができる。第１グループの工程チャンバー２６００と第２グループの工程チャンバー２６００は各々使用されるケミカルの種類や、洗浄方式の種類に応じて区分されることができる。
下の実施形態では高温の硫酸、アルカリ性薬液、酸性薬液、リンス液、そして乾燥ガスのような処理流体を使用して基板ｗを洗浄する装置を例として説明する。しかし、本発明の技術的思想はこれに限定されなく、蝕刻工程等のように基板ｗを回転させながら、工程を遂行する多様な種類の装置に全て適用されることができる。
図２は図１の基板処理装置の平面図であり、図３は図１の基板処理装置の断面図である。図２と図３を参照すれば、基板処理装置１０はチャンバー１００、ボウル２００、支持ユニット３００、液供給ユニット４００、排気ユニット５００、そして昇降ユニット６００を含む。
チャンバー１００は密閉された内部空間を提供する。上部には気流供給部材１１０が設置される。気流供給部材１１０はチャンバー１００の内部に下降気流を形成する。気流供給部材１１０は高湿度の外気をフィルタリングしてチャンバー１００の内部に供給する。高湿度の外気は気流供給部材１１０を通過してチャンバー１００の内部に供給され、下降気流を形成する。下降気流は基板Ｗの上部に均一な気流を提供し、処理流体によって基板Ｗ表面が処理される過程で発生される汚染物質を空気と共にボウル２００の回収筒２１０、２２０、２３０を通じて排気ユニット５００に排出させる。
チャンバー１００の内部空間は水平隔壁１０２によって工程領域１２０とメンテナンス領域１３０に分けられる。工程領域１２０にはボウル２００と支持ユニット３００が位置する。メンテナンス領域１３０にはボウル２００と連結される回収ライン２４１、２４３、２４５、排気ライン５１０の外にも昇降ユニット６００の駆動部と、処理液供給ユニット３００の駆動部、供給ライン等が位置する。メンテナンス領域１３０は工程領域１２０から隔離される。
ボウル２００は上部が開放された円筒形状を有し、基板Ｗを処理するための処理空間を有する。ボウル２００の開放された上面は基板Ｗの搬出及び搬入通路として提供される。処理空間には支持ユニット３００が位置される。支持ユニット３００は工程進行する時、基板Ｗを支持した状態で基板Ｗを回転させる。
ボウル２００は強制排気が行われるように下端部に排気ダクト２９０が連結された下部空間を提供する。ボウル２００には回転される基板Ｗ上で飛散される処理液と気体を流入及び吸入する第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０が多段に配置される。
環状の第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０は１つの共通の環状空間と通じる排気口Ｈを有する。具体的に、第１乃至第３回収筒２１０、２２０、２３０は各々環状のリング形状を有する底面及びその底面から上方向に延長されて円筒形状を有する側壁を含む。第２回収筒２２０は第１回収筒２１０を囲み、第１回収筒２１０から離隔される。第３回収筒２３０は第２回収筒２２０を囲み、第２回収筒２２０から離隔される。
第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０は基板Ｗから飛散された処理液及びヒューム（Ｆｕｍｅ）が含まれた気流が流入される第１回収空間ＲＳ１、第２回収空間ＲＳ２、そして第３回収空間ＲＳ３を提供することができる。第１回収空間ＲＳ１は第１回収筒２１０によって定義され、第２回収空間ＲＳ２は第１回収筒１１０と第２回収筒２２０との間の離隔空間によって定義され、第３回収空間ＲＳ３は第２回収筒１２０と第３回収筒２３０との間の離隔空間によって定義される。
第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０の各上面は中央部が開放される。第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０は連結された側壁から開放部に行くほど、対応する底面との距離がだんだん遠くなる傾斜面になる。基板Ｗから飛散された処理液は第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０の上面に沿って第１回収空間ＲＳ１、第２回収空間ＲＳ２、及び／又は第３回収空間ＲＳ３内に流れる。
第１回収空間ＲＳ１に流入された第１処理液は第１回収ライン２４１を通じて外部に排出される。第２回収空間ＲＳ２に流入された第２処理液は第２回収ライン１４３を通じて外部に排出される。第３回収空間ＲＳ３に流入された第３処理液は第３回収ライン１４５を通じて外部に排出される。
液供給ユニット４００は基板Ｗに処理液を供給して基板Ｗを処理することができる。液供給ユニット４００は基板Ｗに加熱された処理液を供給することができる。処理液は基板Ｗ表面を処理（例えば、蝕刻）するための高温のケミカルであり得る。一例として、ケミカルは硫酸、リン酸、又は硫酸とリン酸の混合液であり得る。液供給ユニット４００は液ノズル部材４１０、そして供給部４２０を含むことができる。
液ノズル部材４１０はノズル４１１、ノズルアーム４１３、支持ロード４１５、ノズル駆動器４１７を含むことができる。ノズル４１１は供給部４２０から処理液が供給されることができる。ノズル４１１は処理液を基板Ｗ表面に吐出することができる。ノズルアーム４１３は一方向に長さが長く提供されるアームであって、先端にノズル４１１が装着される。ノズルアーム４１３はノズル４１１を支持する。ノズルアーム４１３の後段には支持ロード４１５が装着される。支持ロード４１５はノズルアーム４１３の下部に位置する。支持ロード４１５はノズルアーム４１３に垂直に配置される。ノズル駆動器４１７は支持ロード４１５の下端に提供される。ノズル駆動器４１７は支持ロード４１５の長さ方向軸を中心に支持ロード４１５を回転させる。支持ロード４１５の回転によってノズルアーム４１３とノズル４１１が支持ロード４１５を軸にスイング移動する。ノズル４１１はボウル２００の外側と内側との間をスイング移動することができる。そして、ノズル４１１は基板Ｗの中央領域と縁領域との間の区間をスイング移動し、処理液を吐出することができる。
排気ユニット５００はボウル１００の内部を排気することができる。一例として、排気ユニット５００は工程の時、第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０の中で処理液を回収する回収筒に排気圧力（吸引圧力）を提供することができる。排気ユニット５００は排気ダクト２９０と連結される排気ライン５１０、ダンパー５２０を含むことができる。排気ライン５１０は排気ポンプ（図示せず）から排気圧が提供され、半導体生産ラインの底面空間に埋め込まれたメーン排気ラインと連結される。
一方、ボウル２００はボウル２００の垂直位置を変更させる昇降ユニット６００と結合される。昇降ユニット６００はボウル２００を上下方向に直線移動させる。ボウル２００が上下に移動されることによって支持ユニット３００に対するボウル２００の相対高さが変更される。
昇降ユニット６００はブラケット６１２、移動軸６１４、そして駆動器６１６を含む。ブラケット６１２は処理容器１００の外壁に固定設置される。ブラケット６１２には駆動器６１６によって上下方向に移動される移動軸６１４が固定結合される。基板Ｗが支持ユニット３００にローディング又はアンローディングされる時、支持ユニット３００がボウル２００の上部に突出されるようにボウル２００は下降する。また、工程が進行する時には基板Ｗに供給された処理液の種類に応じて処理液が既設定された回収筒２１０、２２０、２３０に流入されるようにボウル２００の高さが調節される。ボウル２００は前記各回収空間ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３別に回収される処理液と汚染ガスの種類を異なりにすることができる。
図４は図３の支持ユニットの一実施形態を示す断面図であり、図５は図４の支持ユニットの一部分を拡大して示す図面である。図４、そして図５を参照すれば、支持ユニット３００は工程進行のうちに基板Ｗを支持し、工程が進行される間に基板Ｗを回転させることができる。
支持ユニット３００はチャック３１０、スピン駆動部３２０、バックノズル部３３０、加熱部材３４０、冷却部材３５０、反射板３６０、そして放熱板３７０を含むことができる。
チャック３１０はチャックステージ３１２、そして石英ウインドー３１４を含む。チャックステージ３１２、そして石英ウインドー３１４は互いに組み合わせて内部空間を形成することができる。例えば、チャックステージ３１２は上部が開放された筒形状を有することができる。また、石英ウインドー３１４はチャックステージ３１２を覆うカバー形状を有することができる。したがって、チャックステージ３１２、そして石英ウインドー３１４は互いに組み合わせて内部空間を形成することができる。
チャックステージ３１２はスピン駆動部３２０に結合されて回転されることができる。チャックステージ３１２の縁にはチャッキングピン３１６が設置されることができる。チャッキングピン３１６は石英ウインドー３１４を貫通して石英ウインドー３１４の上側に突出されるように提供される。チャッキングピン３１６は多数の支持ピン３１８によって支持された基板Ｗが正位置に置かれるように基板Ｗを整列することができる。工程を進行する時、チャッキングピン３１６は基板Ｗの側部と接触されて基板Ｗが正位置から離脱されることを防止することができる。
石英ウインドー３１４は基板Ｗとチャックステージ２１０の上部に位置する。石英ウインドー３１４は加熱部材３４０を保護するために提供される。石英ウインドー３１４は透明に提供されることができる。石英ウインドー３１４はチャックステージ３１２と共に回転されることができる。石英ウインドー３１４は支持ピン３１８を含む。支持ピン３１８は石英ウインドー３１４の上部面の縁部に所定の間隔離隔されて配置される。支持ピン３１８は石英ウインドー３１４から上側に突出されるように提供される。支持ピン３１８は基板Ｗの下面を支持して基板Ｗが石英ウインドー３１４から上側方向に離隔された状態で支持されるようになる。
スピン駆動部３２０は中空形の形状を有し、チャックステージ３１２と結合してチャックステージ３１２を回転させる。チャックステージ３１２が回転される場合、石英ウインドー３１４はチャックステージ３１２と共に回転されることができる。また、チャック３１０内に提供される構成はチャック３１０の回転から独立に位置されることができる。例えば、後述する加熱部材３４０、反射板３６０、放熱板３７０はチャック３１０の回転から独立に位置されることができる。
バックノズル部３３０は基板Ｗの背面に薬液を噴射するために提供される。バックノズル部３３０はノズル本体３３２及び薬液噴射部３３４を含む。薬液噴射部３３４はチャックステージ３１２と石英ウインドー３１４の中央上部に位置される。ノズル本体３３２は中空形のスピン駆動部３２０内に貫通軸設され、ノズル本体３３２の内部には薬液移動ライン、ガス供給ライン、及びパージガス供給ラインが提供されることができる。薬液移動ラインは基板Ｗの背面を蝕刻処理するための蝕刻液を薬液噴射部３３４に供給し、ガス供給ラインは基板Ｗの背面に蝕刻均一度を調節するための窒素ガスを供給し、パージガス供給ラインは石英ウインドー３１４とノズル本体３３２との間に蝕刻液が浸透されることを防止するように窒素パージガスを供給する。
加熱部材３４０は工程進行のうち、基板Ｗを加熱することができる。加熱部材３４０はチャック３１０内に配置されることができる。例えば、加熱部材３４０はチャックステージ３１２、そして石英ウインドー３１４が互いに組み合わせて定義するチャック３１０の内部空間に配置されることができる。加熱部材３４０はランプ３４２、そして温度制御部（図示せず）を含む。
ランプ３４２はチャックステージ３１２の上部に設置される。ランプ３４２は支持ユニット３００に支持された基板Ｗを加熱する熱エネルギーを発生させることができる。ランプ３４２は支持ユニット３００に支持された基板Ｗに光を照射して基板Ｗを加熱することができる。ランプ３４２は大体にリング形状に提供されることができる。ランプ３４２は複数に提供されることができる。ランプ３４２は互いに異なる直径に提供されることができる。各ランプ３４２には温度制御部が構成されているので、各々の温度制御が可能することができる。また、ランプ３４２は赤外線ランプ（ＩＲ Ｌａｍｐ）であり得る。したがって、ランプ３４２赤外線光を照射して基板Ｗを加熱することができる。
加熱部材３４０は同心の多数の区域に細分されることができる。各々の区域には各々の区域を個別的に加熱させることができるランプ３４２が提供されることができる。ランプ３４２の中で少なくとも一部は、リング形状を有することができる。また、ランプ３４２はチャックステージ３１２の中心に対して互いに異なる半径を有し、その中心が互いに一致するように離隔されて配列されることができる。本実施形態では６つのランプ３４２が図示されているが、これは１つの例に過ぎず、ランプ３４２の数は望む温度制御された程度に依存して加減されることができる。加熱部材３４０は各々の個別的な区域の温度を制御することによって、工程進行の間に基板Ｗの半径に応じて温度を連続的に増加又は減少するように制御することができる。
冷却部材３５０はチャック３１０内に冷却流体を供給することができる。例えば、冷却部材３５０は後述する放熱板３７０内に形成される流路３７２に冷却流体を供給することができる。冷却流体はガスであり得る。冷却流体は非活性ガスであり得る。例えば、冷却流体は窒素を含む非活性ガスであり得る。
反射板３６０は加熱部材３４２が発生させる熱エネルギーを基板Ｗに反射させることができる。反射板３６０は加熱部材３４２が発生させる熱エネルギーを基板Ｗの縁領域及び／又は基板Ｗの中央領域に反射させることができる。反射板３６０は加熱部材３４０が発生させる熱エネルギーに対する反射効率が高い材質で提供されることができる。反射板３６０はランプ３４２が照射する光に対する反射効率が高い材質で提供されることができる。例えば、反射板３６０は金、銀、銅、及び／又はアルミニウムを含む材質で提供されることができる。反射板３６０はクォーツに金、銀、銅、及び／又はアルミニウムでコーティングされた材質で提供されることができる。反射板３６０はクォーツに金、銀、銅、及び／又はアルミニウムを物理的気相蒸着法（ＰＶＤ）方式にコーティングした材質で提供されることができる。
放熱板３７０はチャック３１０内に配置されることができる。放熱板３７０はチャックステージ３１２、そして石英ウインドー３１４が形成する内部空間に配置されることができる。放熱板３７０は上部から見る時、大体に円板形状を有することができる。放熱板３７０内には冷却部材３５０が供給する冷却流体が流れることができる冷却流路が形成されることができる。また、放熱板３７０は加熱部材３４０が発生させる熱がスピン駆動部３２０の温度を上昇させることを最小化できるように熱伝導率が高い材質で提供されることができる。放熱板３７０が熱伝導率が高い材質で提供されるようになれば、放熱板３７０は熱を速く支持ユニット３００の外部に放熱することができるようになる。これはスピン駆動部３２０の温度が過度に高くなれば、スピン駆動部３２０が適切に駆動しないことを防止することためである。放熱板３７０はアルミニウムを含む材質で提供されることができる。また、放熱板３７０は後述する反射板３６０より熱伝導率が高い材質で提供されることができる。
反射板３６０はチャック３１０内に配置されることができる。反射板３８０はチャックステージ３１２、そして石英ウインドー３１４が互いに組み合わせて形成する内部空間に配置されることができる。反射板３６０は上部から見る時、大体に円板形状を有することができる。例えば、反射板３６０は上部から見る時、その中央領域に開口が形成された円板形状を有することができる。
反射板３６０はベース部３６２、そして突出部３６４を含むことができる。ベース部３６２は加熱部材３４０の下に配置されることができる。ベース部３６２はランプ３４２の下に配置されることができる。突出部３６４はベース部３６２から上方向に突出されることができる。突出部３６４はランプ３４２の中でいずれか１つ、そしていずれか１つのランプ３４２と隣接するランプ３４２との間に配置されることができる。例えば、突出部３６４は上部から見る時、ランプ３４２の中で最外側に配置されるランプ３４２、そして最外側に配置されるランプ３４２と最も隣接するランプ３４２との間に配置されることができる。また、突出部３６４は上部から見る時、弧形状を有することができる。また、突出部３６４は複数に提供されることができる。上部から見た突出部３６４は互いに組み合わせて大体にリング形状をなすように提供されることができる。
また、ベース部３６２及び／又は突出部３６４の少なくとも一部の表面は屈曲になることができる。例えば、ベース部３６２及び／又は突出部３６４の表面の中で加熱部材３４０と対向する表面は屈曲になることができる。例えば、ベース部３６２及び／又は突出部３６４の表面はランプ３４２が照射する光を基板Ｗの縁領域に反射させる曲面Ｒを含むことができる。例えば、ベース部３６２及び突出部３６４の表面は互いに組み合わせて曲面Ｒを形成することができる。曲面Ｒは支持ユニット３００の正断面から見る時、仮想の円の一部を構成することができる。例えば、曲面Ｒは支持ユニット３００の正断面から見る時、仮想の楕円Ｅの一部を構成することができる。
図６は図５の仮想の楕円を示す図面である。図６を参照すれば、仮想の楕円Ｅは２つの焦点を有することができる。例えば、仮想の楕円Ｅは第１焦点Ｆ１、そして第２焦点Ｆ２を含むことができる。仮想の楕円Ｅは仮想の楕円Ｅが有する焦点Ｆ１、Ｆ２の中でいずれか１つで照射される光が仮想の楕円Ｅの一部を構成する反射面によって反射されれば、反射された光は焦点Ｆ１、Ｆ２の中で他の１つに必ず向かう光学的性質を有する。例えば、第１焦点Ｆ１で放出された光が仮想の楕円Ｅの一部を構成する反射面によって反射されれば、反射された光は第２焦点Ｆ２に必ず向かうようになる。本発明の一実施形態による反射板３６０はこのような楕円Ｅの光学的性質を利用して基板Ｗの縁領域に対する加熱効率を高める。
例えば、図７を参照すれば、仮想の楕円Ｅは第１焦点Ｆ１、そして第２焦点Ｆ２を有することができる。支持ユニット３００の正断面から見る時、加熱部材３４０は第１焦点Ｆ１、そして第２焦点Ｆ２の中でいずれか１つと重畳されるように位置されることができる。例えば、加熱部材３４０が有するランプ３４２の中心Ｃは支持ユニット３４０の正断面から見る時、第１焦点Ｆ１と互いに一致されることができる。また、支持ユニット３００に支持された基板Ｗの縁領域は第１焦点Ｆ１、そして第２焦点Ｆ２の中で他の１つと互いに重畳されることができる。例えば、支持ユニット３００の正断面から見た基板Ｗの縁領域は第２焦点Ｆ２と互いに重畳されることができる。図７では第２焦点Ｆ２と基板Ｗの縁領域が互いに重畳される位置を加熱位置Ｐとして定義する。
ランプ３４２で基板Ｗを加熱させる光を照射するようになれば、ランプ３４２が照射する光は基板Ｗに直接的に照射されることと共に、反射板３６０が有する反射面によって反射されて基板Ｗに間接的に照射されることができる。上述したうに反射板３６０のベース部３６２及び突出部３６４が有する曲面Ｒは仮想の楕円Ｅを構成するようになる。したがって、ランプ３４２が照射する光が曲面Ｒによって反射されれば、反射された光は必ず第２焦点Ｆ２、具体的に加熱位置Ｐに向かうようになる。即ち、本発明は第１焦点Ｆ１にランプ３４２が位置され、第２焦点Ｆ２を基板Ｗの縁領域と重畳されるようにする仮想の楕円Ｅの一部を構成する曲面Ｒを含む。したがって、第１焦点Ｆ１の位置でランプ３４２が照射する光は反射板３６０によって反射されて第２焦点Ｆ２に向かうようになり、これは結果的に基板Ｗの縁領域に対する熱集中を図ることができるようにする。
図８は一般的な基板処理装置が基板を処理する時、基板の中心からの距離に応じるエッチングレートを示す図面であり、図９は本発明の一実施形態による基板処理装置が基板を処理する時、基板の中心からの距離に応じるエッチングレートを示す図面である。図８を参照すれば、一般的な基板処理装置が基板を処理する時、基板の縁領域に近いほどエッチングレート（Ｅｔｃｈｉｎｇ Ｒａｔｅ）が若干低下されることが分かる。これは基板の縁領域に対する加熱に寄与するランプの数が基板の中央領域に対する加熱に寄与するランプの数字より少ないためである。反面、図９に図示されたように本発明の一実施形態による基板処理装置が基板を処理する時、基板Ｗの縁領域に対する熱集中を図ることができるようになって基板Ｗの縁領域でエッチングレートが低下されることを防止する。これは最外側に位置されたランプ３４２が照射する赤外線光が反射板３６０が有する曲面Ｒによって反射されて基板Ｗの縁領域に対する熱集中を図るためである。即ち、本発明の一実施形態による基板処理装置は基板Ｗの処理に対する均一性（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）を効果的に改善することができるようになる。
図１０乃至図１２は本発明の他の実施形態による支持ユニットの一部分を拡大して示す図面である。図１０乃至図１２を参照すれば、本発明の他の実施形態による反射板３６０は複数の突出部３６４ａ、３６４ｂ、３６４ｃを含むことができる。例えば、突出部３６４ａ、３６４ｂ、３６４ｃは第１突出部３６４ａ、第２突出部３６４ｂ、そして第３突出部３６４ｃを含むことができる。
第１突出部３６４ａは支持ユニット３００の正断面から見る時、第１仮想の楕円Ｅ１の一部を構成する第１曲面Ｒを含むことができる。第２突出部３６４ｂは支持ユニット３００の正断面から見る時、第２仮想の楕円Ｅ２の一部を構成する第２曲面Ｒ２を含むことができる。第３突出部３６４ｃは支持ユニット３００の正断面から見る時、第３仮想の楕円Ｅ３の一部を構成する第３曲面Ｒ３を含むことができる。また、第１曲面乃至第３曲面Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３の一部はベース部３６２の表面の中で一部によって定義されることができる。
また、第１仮想の楕円Ｅ１、第２仮想の楕円Ｅ２、そして第３仮想の楕円Ｅ３は互いに異なる焦点（形状）を有することができる。例えば、第１仮想の楕円Ｅ１は第１－１焦点Ｆ１１、そして第１－２焦点Ｆ１２を含むことができる。第２仮想の楕円Ｅ２は第２－１焦点Ｆ２１、そして第２－２焦点Ｆ２２を含むことができる。第３仮想の楕円Ｅ３は第３－１焦点Ｆ３１、そして第３－２焦点Ｆ３２を含むことができる。また、ランプ３４２の中心Ｃは第１－１焦点Ｆ１１、第２－１焦点Ｆ２１、そして第３－１焦点Ｆ３１と互いに一致することができる。
第１突出部３６４ａが有する第１曲面Ｒ１によって反射された光は第１－２焦点Ｆ１２と基板Ｗが重畳される第１加熱位置Ｐ１に集中されることができる。また、第２突出部３６４ｂが有する第２曲面Ｒ２によって反射された光は第２－２焦点Ｆ２２と基板Ｗが重畳される第２加熱位置Ｐ２に集中されることができる。また、第３突出部３６４ｃが有する第３曲面Ｒ３によって反射された光は第３－２焦点Ｆ３２と基板Ｗが重畳される第３加熱位置Ｐ３に集中されることができる。
第１加熱位置Ｐ１、第２加熱位置Ｐ２、そして第３加熱位置Ｐ３は基板Ｗの縁領域の中で互いに異なる位置であり得る。例えば、図１３に図示されたように第１加熱位置Ｐ１は基板Ｗの縁端部からのギャップ（Ｇａｐ）が第１間隔Ｇ１である位置であり得る。第２加熱位置Ｐ２は基板Ｗの縁端部からのギャップが第２間隔Ｇ２である位置であり得る。第３加熱位置Ｐ３は基板Ｗの縁端部からのギャップが第３間隔Ｇ３である位置であり得る。第１間隔Ｇ１は１ｍｍであり得る。第２間隔Ｇ２は２ｍｍであり得る。第３間隔Ｇ３は４ｍｍであり得る。また、図１３を参照すれば分かるように、第１突出部３６４ａ、第２突出部３６４ｂ、そして第３突出部３６４ｃは各々大体に弧形状を有することができ、上部から見る時、互いに離隔されて提供されることができる。また、第１突出部３６４ａ、第２突出部３６４ｂ、そして第３突出部３６４ｃは、上部から見る時、互いに組み合わせて大体に円形状をなすように互いに離隔されて提供されることができる。例えば、上部から見る時、第１突出部３６４ａ、第２突出部３６４ｂ、そして第３突出部３６４ｃは互いに同一の中心を有し、互いに異なる直径を有する円の切断された一部である弧形状を有することができる。
本発明の他の実施形態によれば第１突出部３６４ａ、第２突出部３６４ｂ、そして第３突出部３６４ｃによって反射される光は基板Ｗの互いに異なる位置に到達することができる。また、図１４に図示されたように基板Ｗを加熱しながら、基板Ｗを回転させれば、反射板３６０によって基板Ｗの縁領域に熱が集中されるヒーティング領域ＨＺはより広くなる。これは基板Ｗの縁領域に対する基板処理効率をより高めることができる。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の好ましい実施形態を例として説明することであり、本発明は多様な他の組合、変更、及び環境で使用することができる。即ち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、前述した開示内容と均等な範囲、及び／又は当業界の技術又は知識の範囲内で変更又は修正が可能である。前述した実施形態は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される様々な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態に本発明を制限しようとする意図ではない。添付された請求の範囲は他の実施状態も含むことと解析されなければならない。
３００ 支持ユニット
３１０ チャック
３１２ チャックステージ
３１４ 石英ウインドー
３１６ チャッキングピン
３１８ 支持ピン
３２０ スピン駆動部
３３０ バックノズル部
３４０ 加熱部材
３５０ 冷却部材
３６０ 反射板
３６２ ベース部
３６４ 突出部
Ｒ 曲面
Ｐ 加熱位置
Ｃ 加熱部材中心
３７０ 放熱板

Claims (20)

  1. 基板を支持する支持ユニットにおいて、
    加熱部材及び反射板を含み、
    前記反射板は、
    前記加熱部材が発生させる熱エネルギーを前記基板の縁領域に反射させる曲面を含む支持ユニット。
  2. 前記曲面は、
    前記支持ユニットを正断面から見る時、仮想の楕円の一部を構成する請求項１に記載の支持ユニット。
  3. 前記仮想の楕円は、
    第１焦点、そして第２焦点を有し、
    前記正断面から見た前記加熱部材は、前記第１焦点、そして前記第２焦点の中でいずれか１つと重畳されるように位置される請求項２に記載の支持ユニット。
  4. 前記正断面から見た前記基板の縁領域は、前記第１焦点、そして前記第２焦点の中で他の１つと重畳される請求項３に記載の支持ユニット。
  5. 前記加熱部材は、
    前記基板を加熱する光を照射する少なくとも１つ以上のランプを含む請求項２乃至請求項４のいずれかの一項に記載の支持ユニット。
  6. 前記ランプの中で少なくとも一部は、
    リング形状を有し、
    互いに異なる半径を有し、その中心が互いに一致するように離隔されて配列される請求項５に記載の支持ユニット。
  7. 前記反射板は、
    前記加熱部材の下に配置されるベース部と、
    前記ベース部から上方向に突出される突出部と、を含み、
    前記ベース部及び／又は前記突出部は、前記曲面を含む請求項６に記載の支持ユニット。
  8. 前記突出部は、
    上部から見る時、前記ランプの中で最外側に配置されるランプと、そして前記最外側に配置されるランプに隣接するランプの間に配置される請求項７に記載の支持ユニット。
  9. 前記突出部は、
    前記基板の縁領域の中で第１位置に前記熱エネルギーを反射させる第１曲面を含む第１突出部と、
    前記基板の縁領域の中で前記第１位置と異なる位置である第２位置に前記熱エネルギーを反射させる第２曲面を含む第２突出部と、を含む請求項７に記載の支持ユニット。
  10. 前記第１曲面は、
    前記正断面から見る時、第１仮想の楕円の一部を構成し、
    前記第２曲面は、
    前記正断面から見る時、前記第１仮想の楕円と異なる焦点を有する第２仮想の楕円の一部を構成する請求項９に記載の支持ユニット。
  11. 前記ユニットは、
    前記基板を支持するチャックと、
    前記チャックを回転させるスピン駆動部と、をさらに含む請求項１０に記載の支持ユニット。
  12. 前記反射板、そして前記加熱部材は、前記記チャックの回転から独立的である請求項１１に記載の支持ユニット。
  13. 基板を処理する装置において、
    基板を支持する支持ユニットと、
    前記支持ユニットに支持された基板に処理液を供給する液供給ユニットと、を含み、
    前記支持ユニットは、
    基板を支持するチャックと、
    前記チャックに支持された基板を加熱する光を照射する加熱部材と、
    前記加熱部材の下に配置される反射板と、を含み、
    前記反射板は、
    前記光を前記チャックに支持された基板の縁領域に反射させる曲面を含む基板処理装置。
  14. 前記曲面は、
    前記支持ユニットの正断面から見る時、仮想の楕円の一部を構成する請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 前記仮想の楕円は、
    第１焦点、そして第２焦点を有し、
    前記正断面から見た前記加熱部材の中心は、前記第１焦点、そして第２焦点の中でいずれか１つと互いに重畳され、
    前記正断面から見た前記チャックに支持された基板の縁領域は、前記第１焦点、そして前記第２焦点の中で他の１つと重畳される請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 前記反射板は、
    前記加熱部材の下に配置されるベース部と、
    前記ベース部から上方向に突出される突出部と、を含み、
    前記ベース部及び／又は前記突出部は、各々前記曲面を含み、
    前記曲面は、各々前記支持ユニットに支持された基板の異なる位置に前記光を反射させる請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記処理液は、
    基板の上の膜を蝕刻するためのケミカルを含み、
    前記反射板は、
    アルミニウム、銅、クォーツ、金、銀の中で少なくともいずれか１つを含む材質で提供される請求項１５又は請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 基板を処理する装置において、
    基板を支持する支持ユニットと、
    前記支持ユニットに支持された基板に処理液を供給する液供給ユニットと、を含み、
    前記支持ユニットは、
    基板を支持するチャックと、
    前記チャック内に提供され、前記チャックに支持された基板を加熱する光を照射するランプと、
    前記光を前記基板の縁領域に反射させる反射板と、を含み、
    前記反射板は、
    前記支持ユニットの正断面から見る時、第１焦点及び第２焦点を有する仮想の楕円の一部を構成する曲面を含み、
    前記第１焦点は、
    前記正断面から見る時、前記ランプの中心と一致し、
    前記第２焦点は、
    前記正断面から見る時、前記チャックに支持された基板の縁領域と重畳される基板処理装置。
  19. 前記反射板は、
    前記ランプの下に配置されるベース部と、
    前記ベース部から上方向に突出され、前記ベース部と共に前記曲面を含む突出部と、を含み、
    前記突出部の各々は、
    大体に弧形状を有し、
    前記突出部は、
    上部から見る時、大体に円形状をなすように互いに離隔されて提供される請求項１８に記載の基板処理装置。
  20. 前記曲面は、各々前記支持ユニットに支持された基板の異なる位置に前記光を反射させる請求項１９に記載の基板処理装置。
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