KR101757813B1 - 스핀 헤드와 이를 포함하는 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 스핀 헤드와 이를 포함하는 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 스핀 헤드는 기판을 놓이는 지지판과 상기 지지판에 위치하고 기판의 측부를 지지하는 척핀을 포함하며 상기 척핀은 외체와 상기 외체에 삽입되며 상기 외체와 서로 상이한 재질로 제공되는 내체를 포함하고 상기 외체와 상기 내체는 각각 제1재질 또는 제2재질 중 어느 하나로 제공되고 상기 제1재질과 상기 제2재질 중 어느 하나는 다른 하나보다 열전도율이 높고, 내열성이 좋은 재질로 제공되는 스핀 헤드를 포함한다.

Description

스핀 헤드와 이를 포함하는 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법{Spin head, Apparatus and Method for treating a substrate including the spin head}
본 발명은 기판을 지지하는 스핀 헤드와 이를 포함하는 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.
한편, 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 과정에서 기판의 측부 또는 저면은 각각 척핀 또는 지지핀에 의해서 지지된 상태에서 공정을 진행한다. 공정에 따라 공급되는 처리액은 고온의 처리액 또는 저온의 처리액 등 다양한 온도로 공급될 수 있다.
도 1은 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 과정에서 기판의 영역별 온도 분포를 보여주는 도면이다. 도 1을 참고하면, 처리액의 공급하여 기판을 처리하는 공정 과정에서 척핀과 지지핀이 기판과 접촉되는 영역(a1~a5)은 기판의 다른 영역에 비하여 온도가 다르게 나타난다. 이에 따라, 척핀과 지지핀이 접촉되는 영역(a1~a5)은 기판의 다른 영역에 비하여 세정 효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 케미칼의 종류 또는 온도에 따라 최적화된 열전도율을 가지는 척핀 또는 지지핀을 가지는 스핀 헤드와 이를 포함하는 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판에 처리액을 공급하여 처리하는 공정에 효율을 향상시킬 수 있는 스핀 헤드와 이를 포함하는 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 척핀 또는 지지핀에 접촉되는 기판의 영역과 기판의 다른 영역을 균일하게 처리할 수 있는 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 지지하는 스핀 헤드를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 스핀 헤드는 기판을 놓이는 지지판과 상기 지지판에 위치하고 기판의 측부를 지지하는 척핀을 포함하며 상기 척핀은 외체와 상기 외체에 삽입되며 상기 외체와 서로 상이한 재질로 제공되는 내체를 포함하고 상기 외체와 상기 내체는 각각 제1재질 또는 제2재질 중 어느 하나로 제공되고 상기 제1재질과 상기 제2재질 중 어느 하나는 다른 하나보다 열전도율이 높고, 내열성이 좋은 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1재질은 세라믹 재질을 포함하고, 상기 제2재질은 수지 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 세라믹 재질은 실리콘 카바이드를 포함하고 상기 수지 재질은 퍼플루오로알콕시 (PFA: Perfluoroalkoxy)로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 외체는 측부에 기판의 단부가 접촉되는 홈이 형성되고 상기 내체는 로드 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 외체는 상기 내체의 측부 및 상부를 감싸도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 외체는 상기 내체의 측부를 감싸도록 제공되며 상기 내체의 상부는 상기 외체의 상부에 위치할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 내체의 하단은 상기 외체의 내측에 위치할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 내체의 하단은 상기 외체의 외부로 돌출되어 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 스핀 헤드는 상기 척핀과 결합되며, 상기 지지판의 내측에 위치하는 척로드와 상기 척로드는 구동하는 척핀 구동기를 더 포함하며 상기 척로드는 금속 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 외체는 상기 제1재질로 제공되며, 상기 내체는 상기 제2재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 외체는 상기 제2재질로 제공되며, 상기 내체는 상기 제1재질로 제공될 수 있다.
본 발명의 다른 실시 예에 의하면, 기판을 놓이는 지지판과 상기 지지판에 위치하고 기판의 하부를 지지하는 지지핀을 포함하며 상기 지지핀은 제1바디와 상기 제1바디와 서로 상이한 재질로 제공되는 제2바디를 포함하고 상기 제1바디와 상기 제2바디는 각각 제1재질 또는 제2재질 중 어느 하나로 제공되고 상기 제1재질과 상기 제2재질 중 어느 하나는 다른 하나보다 열전도율이 높고, 내열성이 좋은 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1재질은 세라믹 재질을 포함하고, 상기 제2재질은 수지 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 세라믹 재질은 실리콘 카바이드를 포함하고 상기 수지 재질은 퍼플루오로알콕시 (PFA: Perfluoroalkoxy)로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1바디의 상부는 기판의 하부와 접촉되고 상기 제2바디는 상기 제1바디의 하부와 결합될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1바디는 상기 제2바디의 측부 및 상부를 감싸며 상기 제2바디는 로드 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1바디는 상기 제1재질로 제공되며, 상기 제2바디는 상기 제2재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1바디는 상기 제2재질로 제공되며 상기 제2바디는 상기 제1재질로 제공될 수 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 설비를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 기판 처리 설비는 기판에 제1처리액을 공급하여 처리하는 제1챔버와 기판에 제2처리액을 공급하여 처리하는 제2챔버를 포함하되 상기 제1챔버는 기판을 측부에서 지지하는 제1척핀을 가지는 제1스핀 헤드와 상기 제1스핀 헤드에 놓인 기판으로 제1처리액을 공급하는 제1분사 유닛을 포함하며 상기 제2챔버는 기판을 측부에서 지지하는 제2척핀을 가지는 제2스핀 헤드와 상기 제2스핀 헤드에 놓인 기판으로 제2처리액을 공급하는 제2분사 유닛을 포함하되 상기 제1척핀은 서로 상이한 재질로 제공되는 제1외체와 제1내체를 포함하고 상기 제2척핀은 서로 상이한 재질로 제공되는 제2외체와 제2내체를 포함하고 상기 제1외체와 제1내체의 상관 관계와 상기 제2외체와 상기 제2내체의 상관 관계과 서로 상이하게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 상관 관계는 상기 제1외체와 상기 제1내체 간의 횡단면적의 비에 대한 관계와 상기 제2외체와 상기 제2내체 간의 횡단면적의 비에 대한 관계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 상관 관계는 상기 제1외체와 상기 제1내체 및 상기 제2외체와 상기 제2내체의 길이의 비를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 상관 관계는 상기 제1내체가 상기 제1외체의 외부로 노출되는지 여부와 상기 제2내체가 상기 제2외체의 외부로 노출되는지 여부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 상관 관계는 상기 제1외체와 상기 제1내체의 재질이 상이하게 제공되며 상기 제2외체와 상기 제2내체의 재질이 상이하게 제공되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 상관 관계는 상기 제1외체와 상기 제1내체 및 상기 제2외체와 상기 제2내체의 재질의 관계를 포함하며 상기 제1외체와 상기 제2내체는 각각 제1재질 또는 제2재질 중 어느 하나로 제공되며 상기 제2외체와 상기 제1내체는 각각 상기 제2재질 또는 상기 제1재질 중 어느 하나로 제공되며 상기 제1재질은 상기 제2재질 중 어느 하나는 다른 하나보다 열전도율이 높고, 내열성이 좋은 재질일 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1재질은 세라믹 재질을 포함하고, 상기 제2재질은 수지 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 세라믹 재질은 실리콘 카바이드를 포함하고 상기 수지 재질은 퍼플루오로알콕시 (PFA: Perfluoroalkoxy)로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1외체는 측부에 기판의 단부가 접촉되는 제1홈이 형성되고 상기 제1내체는 로드 형상으로 제공되며 상기 제2외체는 측부에 기판의 단부가 접촉되는 제2홈이 형성되고 상기 제2내체는 로드 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1외체는 상기 제1내체의 측부 및 상부를 감싸도록 제공되며 상기 제2외체는 상기 제2내체의 측부 및 상부를 감싸도록 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1외체는 상기 제1내체의 측부를 감싸도록 제공되며 상기 제1내체의 상부는 상기 제1외체의 상부에 위치하고 상기 제2외체는 상기 제2내체의 측부를 감싸도록 제공되며 상기 제2내체의 상부는 상기 제2외체의 상부에 위치할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1외체와 상기 제2내체는 상기 제1재질로 제공되며 상기 제2외체와 상기 제1내체는 상기 제2재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1외체와 상기 제2내체는 상기 제2재질로 제공되며 상기 제2외체와 상기 제1내체는 상기 제1재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1스핀 헤드는 기판을 하부에서 지지하는 제1지지핀을 더 포함하며 상기 제2스핀 헤드는 기판을 하부에서 지지하는 제2지지핀을 더 포함하며 상기 제2지지핀은 제1바디와 상기 제1바디와 서로 상이한 재질로 제공되는 제2바디를 포함하고 상기 제1바디와 상기 제2바디는 각각 제1재질 또는 제2재질 중 어느 하나로 제공되고 상기 제1재질과 상기 제2재질 중 어느 하나는 다른 하나보다 열전도율이 높고, 내열성이 좋은 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1재질은 세라믹 재질을 포함하고, 상기 제2재질은 수지 재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 세라믹 재질은 실리콘 카바이드를 포함하고, 상기 수지 재질은 퍼플루오로알콕시 (PFA: Perfluoroalkoxy)로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1바디의 상부는 기판의 하부와 접촉되고 상기 제2바디는 상기 제1바디의 하부와 결합될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1바디는 상기 제2바디의 측부 및 상부를 감싸며 상기 제2바디는 로드 형상으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1바디는 상기 제1재질로 제공되며, 상기 제2바디는 상기 제2재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1바디는 상기 제2재질로 제공되며, 상기 제2바디는 상기 제1재질로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 설비는 제1기판 처리 장치와 제2기판 처리 장치를 포함하고 상기 제1기판 처리 장치는 기판이 수납된 용기가 놓이는 제1로드포트와 상기 제1로드포트에 기판을 반송하는 제1인덱스 로봇을 포함하는 제1인덱스 모듈과 기판을 처리하는 복수의 제1공정 챔버와 상기 제1공정 챔버들로 기판을 반송하는 제1이송 유닛을 포함하는 제1공정 처리 모듈을 포함하고 상기 제2기판 처리 장치는 기판이 수납된 용기가 놓이는 제2로드포트와 상기 제2로드포트에 기판을 반송하는 제2인덱스 로봇을 포함하는 제2인덱스 모듈과 기판을 처리하는 복수의 제2공정 챔버와 상기 제2공정 챔버들로 기판을 반송하는 제2이송 유닛을 포함하는 제2공정 처리 모듈을 포함하고 상기 제1공정 챔버는 상기 제1챔버를 포함하고 상기 제2공정 챔버는 상기 제2챔버를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 설비는 제1기판 처리 장치와 제2기판 처리 장치를 포함하고 상기 제1기판 처리 장치는 기판이 수납된 용기가 놓이는 제1로드포트와 상기 제1로드포트에 기판을 반송하는 제1인덱스 로봇을 포함하는 제1인덱스 모듈과 기판을 처리하는 복수의 제1공정 챔버와 상기 제1공정 챔버들로 기판을 반송하는 제1이송 유닛을 포함하는 제1공정 처리 모듈을 포함하고 상기 제2기판 처리 장치는 기판이 수납된 용기가 놓이는 제2로드포트와 상기 제2로드포트에 기판을 반송하는 제2인덱스 로봇을 포함하는 제2인덱스 모듈과 기판을 처리하는 복수의 제2공정 챔버와 상기 제2공정 챔버들로 기판을 반송하는 제2이송 유닛을 포함하는 제2공정 처리 모듈을 포함하고 상기 제1공정 챔버는 상기 제1챔버와 상기 제2챔버를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1처리액의 온도는 상기 제2처리액의 온도보다 높을 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1기판 처리 장치는 상기 제1스핀 헤드의 내부에 위치하며, 기판을 가열하는 가열 유닛을 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 설비는 상기 제1반송 유닛과 상기 제2반송 유닛을 제어하는 제어기를 더 포함하되 상기 제어기는 상기 제1처리액으로 상기 기판을 처리시 상기 기판을 상기 제1척핀에 의해 지지되도록 상기 제1반송 유닛을 제어하며 상기 제어기는 상기 제2처리액으로 상기 기판을 처리 시 상기 기판을 상기 제2척핀에 의해 지지되도록 상기 제2반송 유닛을 제어할 수 있다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 상기 기판 처리 방법은 상기 제1척핀에 의해 지지된 상기 기판에 상기 제1처리액을 공급하여 기판을 처리하며, 상기 제2척핀에 의해 지지된 상기 기판에 상기 제2처리액을 공급하여 기판을 처리할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1처리액은 상기 제2처리액보다 온도가 높게 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제1처리액은 인산을 포함하고, 상기 제2처리액은 황산을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제2스핀 헤드는 기판을 하부에서 지지하는 제2지지핀을 더 포함하며 상기 제2지지핀은 제1재질의 제1바디와 제2재질의 제2바디를 포함하고 상기 제1재질과 상기 제2재질 중 어느 하나는 다른 하나보다 열전도율이 높고, 내열성이 좋은 재질로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 케미칼의 종류 또는 온도에 따라 최적화된 열전도율을 가지는 척핀 또는 지지핀을 제공하여 기판 처리 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 척핀 또는 지지핀의 재질, 길이, 횡단면적의 비등 다양한 변수를 이용하여 최적화된 열전도율을 가지도록 제공하여 기판 처리 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 케미칼의 종류 또는 온도에 따라 척핀 또는 지지핀이 최적화된 열전도율을 가지도록 제공하여, 기판의 전체 영역을 균일하게 처리할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 과정에서 기판의 영역별 온도 분포를 보여주는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 2의 제2기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 평면도이다.
도 5는 도 3의 제1챔버를 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 5의 제1척핀을 보여주는 단면도이다.
도 7 내지 도 11은 도 6에 제1척핀의 다른 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 12는 도 5의 제1지지핀을 보여주는 단면도이다.
도 13은 도 5의 제1스핀 헤드에 일부를 보여주는 도면이다.
도 14는 도 4의 제2챔버를 보여주는 단면도이다.
도 15는 도 14의 제2척핀을 보여주는 단면도이다.
도 16 내지 도 22는 도 15의 제2척핀의 다른 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 23은 도 14의 제2지지핀을 보여주는 단면도이다.
도 24 내지 도 31은 도 23의 제2지지핀의 다른 실시 예를 보여주는 도면이다.
도 32는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 33 내지 도 37은 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1척핀과 제2척핀을 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 기판 처리 설비(1)는 하나의 반도체 라인(3)에 제공된다.
기판 처리 설비(1)는 기판에 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 공정을 수행한다. 기판 처리 설비(1)는 제1기판 처리 장치(10)와 제2기판 처리 장치(20)를 포함한다.
도 3은 도 2의 제1기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 평면도이다. 이하, 도 2를 참고하면, 제1기판 처리 장치(10)는 제1인덱스 모듈(100)과 제1공정 처리 모듈(200)을 포함한다. 제1인덱스 모듈(100)은 제1로드포트(120) 및 제1이송프레임(140)을 가진다. 제1로드포트(120), 제1이송프레임(140), 그리고 제1공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 제1로드포트(120), 제1이송프레임(140), 그리고 제1공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하고, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 한다.
제1로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 제1캐리어(130)가 안착된다. 제1로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 제1로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 제1로드포트(120)의 개수는 제1공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 제1캐리어(130)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 제1캐리어(130) 내에 위치된다. 제1캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
제1공정 처리 모듈(200)은 제1버퍼유닛(220), 제1반송 유닛(240), 그리고 제1공정 챔버(260)를 가진다. 제1반송 유닛(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 제1반송 유닛(240)의 일측 및 타측에는 각각 제1공정 챔버들(260)이 배치된다. 제1반송 유닛(240)의 일측에 위치한 제1공정 챔버들(260)과 제1반송 유닛(240)의 타측에 위치한 제1공정 챔버들(260)은 제1반송 유닛(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 제1공정 챔버(260)들 중 일부는 제1반송 유닛(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 제1공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 제1반송 유닛(240)의 일측에는 제1공정 챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 제1공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 제1공정 챔버(260)의 수이다. 제1반송 유닛(240)의 일측에 제1공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 제1공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 제1공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 제1반송 유닛(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 제1공정 챔버(260)는 제1반송 유닛(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
제1버퍼유닛(220)은 제1이송프레임(140)과 제1반송 유닛(240) 사이에 배치된다. 제1버퍼유닛(220)은 제1반송 유닛(240)와 제1이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 제1버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 제1버퍼유닛(220)에서 제1이송프레임(140)과 마주보는 면과 제1반송 유닛(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
제1이송프레임(140)은 제1로드포트(120)에 안착된 제1캐리어(130)와 제1버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 제1이송프레임(140)에는 제1인덱스레일(142)과 제1인덱스로봇(144)이 제공된다. 제1인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 제1인덱스로봇(144)은 제1인덱스레일(142) 상에 설치되며, 제1인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 제1인덱스로봇(144)은 제1베이스(144a), 제1몸체(144b), 그리고 제1인덱스암(144c)을 가진다. 제1베이스(144a)는 제1인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 제1몸체(144b)는 제1베이스(144a)에 결합된다. 제1몸체(144b)는 제1베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 제1몸체(144b)는 제1베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 제1인덱스암(144c)은 제1몸체(144b)에 결합되고, 제1몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 제1인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 제1인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 제1인덱스암(144c)들 중 일부는 제1공정 처리 모듈(200)에서 제1캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 제1캐리어(130)에서 제1공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 제1인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
제1반송 유닛(240)는 제1버퍼유닛(220)과 제1공정 챔버(260) 간에, 그리고 제1공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 제1반송 유닛(240)에는 제1가이드레일(242)과 제1메인로봇(244)이 제공된다. 제1가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 제1메인로봇(244)은 제1가이드레일(242) 상에 설치되고, 제1가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 제1메인로봇(244)은 제1베이스(244a), 제1몸체(244b), 그리고 제1메인암(244c)을 가진다. 제1베이스(244a)는 제1가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 제1몸체(244b)는 제1베이스(244a)에 결합된다. 제1몸체(244b)는 제1베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 제1몸체(244b)는 제1베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 제1메인암(244c)은 제1몸체(244b)에 결합되고, 이는 제1몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 제1메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 제1메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 제1버퍼 유닛(220)에서 제1공정 챔버(260)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 제1메인암(244c)과 제1공정 챔버(260)에서 제1버퍼 유닛(220)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 제1메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.
제1공정 챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행할 수 있도록 제공된다. 각각의 제1공정 챔버(260) 내에는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 제1공정 챔버(260) 는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 제1공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 제1공정 챔버(260)는 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 제1공정 챔버(260)는 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 제1공정 챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 제1반송 유닛(240)의 일측에는 제1그룹의 제1공정 챔버들(260)이 제공되고, 제1반송 유닛(240)의 타측에는 제2그룹의 제1공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 제1반송 유닛(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 제1공정 챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 제1공정 챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 제1공정 챔버(260)와 제2그룹의 제1공정 챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
제1공정 챔버(260)는 후술하는 제1챔버(300)로 제공될 수 있다. 이와는 달리, 제1공정 챔버(260)는 후술하는 제1챔버(300)와 제2챔버(800)가 모두 제공될 수 있다.
도 4는 도 2의 제2기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 평면도이다. 이하, 도 2를 참고하면, 제2기판 처리 장치(20)는 제2인덱스 모듈(600)과 제2공정 처리 모듈(700)을 포함한다. 제2인덱스 모듈(600)은 제2로드포트(620) 및 제2이송프레임(640)을 가진다. 제2로드포트(620), 제2이송프레임(640), 그리고 제2공정 처리 모듈(700)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 제2로드포트(620), 제2이송프레임(640), 그리고 제2공정 처리 모듈(700)이 제1방향(12)으로 배치된다.
제2로드포트(620)에는 기판(W)이 수납된 제2캐리어(630)가 안착된다. 제2로드포트(620)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 제2로드포트(620)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 제2로드포트(620)의 개수는 제2공정 처리 모듈(700)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 제2캐리어(630)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판(W)은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 제2캐리어(630) 내에 위치된다. 제2캐리어(630)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
제2공정 처리 모듈(700)은 제2버퍼유닛(720), 제2반송 유닛(740), 그리고 제2공정 챔버(760)를 가진다. 제2반송 유닛(740)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 제2방향(14)를 따라 제2반송 유닛(740)의 일측 및 타측에는 각각 제2공정 챔버들(760)이 배치된다. 제2반송 유닛(740)의 일측에 위치한 제2공정 챔버들(760)과 제2반송 유닛(740)의 타측에 위치한 제2공정 챔버들(760)은 제2반송 유닛(740)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 제2공정 챔버(760)들 중 일부는 제2반송 유닛(740)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 제2공정 챔버(760)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 제2반송 유닛(740)의 일측에는 제2공정 챔버(760)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 제2공정 챔버(760)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 제2공정 챔버(760)의 수이다. 제2반송 유닛(740)의 일측에 제2공정 챔버(760)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 제2공정 챔버(760)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 제2공정 챔버(760)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 제2공정 챔버(760)는 제2반송 유닛(740)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 제2공정 챔버(760)는 제2반송 유닛(740)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
제2버퍼유닛(720)은 제2이송프레임(640)과 제2반송 유닛(740) 사이에 배치된다. 제2버퍼유닛(720)은 제2반송 유닛(740)와 제2이송프레임(640) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 제2버퍼유닛(720)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 제2버퍼유닛(720)에서 제2이송프레임(640)과 마주보는 면과 제2반송 유닛(740)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
제2이송프레임(640)은 제2로드포트(620)에 안착된 제2캐리어(630)와 제2버퍼유닛(720) 간에 기판(W)을 반송한다. 제2이송프레임(640)에는 제2인덱스레일(642)과 제2인덱스로봇(644)이 제공된다. 제2인덱스레일(642)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 제2인덱스로봇(644)은 제2인덱스레일(642) 상에 설치되며, 제2인덱스레일(642)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 제2인덱스로봇(644)은 제2베이스(644a), 제2몸체(644b), 그리고 제2인덱스암(644c)을 가진다. 제2베이스(644a)는 제2인덱스레일(642)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 제2몸체(644b)는 제2베이스(644a)에 결합된다. 제2몸체(644b)는 제2베이스(644a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 제2몸체(644b)는 제2베이스(644a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 제2인덱스암(644c)은 제2몸체(644b)에 결합되고, 제2몸체(644b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 제2인덱스암(644c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 제2인덱스암(644c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 제2인덱스암(644c)들 중 일부는 제2공정 처리 모듈(700)에서 제2캐리어(630)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 제2캐리어(630)에서 제2공정 처리 모듈(700)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 제2인덱스로봇(644)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
제2반송 유닛(740)는 제2버퍼유닛(720)과 제2공정 챔버(760) 간에, 그리고 제2공정 챔버(760)들 간에 기판(W)을 반송한다. 제2반송 유닛(740)에는 제2가이드레일(742)과 제2메인로봇(744)이 제공된다. 제2가이드레일(742)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 제2메인로봇(744)은 제2가이드레일(742) 상에 설치되고, 제2가이드레일(742) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 제2메인로봇(744)은 제2베이스(744a), 제2몸체(744b), 그리고 제2메인암(744c)을 가진다. 제2베이스(744a)는 제2가이드레일(742)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 제2몸체(744b)는 제2베이스(744a)에 결합된다. 제2몸체(744b)는 제2베이스(744a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 제2몸체(744b)는 제2베이스(744a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 제2메인암(744c)은 제2몸체(744b)에 결합되고, 이는 제2몸체(744b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 제2메인암(744c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 제2메인암(744c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 제2버퍼유닛(720)에서 제2공정 챔버(760)로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 제2메인암(744c)과 제2공정 챔버(760)에서 제2버퍼유닛(720)으로 기판(W)을 반송할 때 사용되는 제2메인암(744c)은 서로 상이할 수 있다.
제2공정 챔버(760) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행할 수 있도록 제공된다. 각각의 제2공정 챔버(760) 내에는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 제2공정 챔버(760) 는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 제2공정 챔버(760)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 제2공정 챔버(760)는 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 제2공정 챔버(760)는 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 제2공정 챔버(760)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 제2반송 유닛(740)의 일측에는 제1그룹의 제2공정 챔버들(760)이 제공되고, 제2반송 유닛(740)의 타측에는 제2그룹의 제2공정 챔버들(760)이 제공될 수 있다. 선택적으로 제2반송 유닛(740)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 제2공정 챔버(760)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 제2공정 챔버(760)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 제2공정 챔버(760)와 제2그룹의 제2공정 챔버(760)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
제2공정 챔버(760)는 후술하는 제2챔버(800)로 제공될 수 있다. 이와는 달리, 제2공정 챔버(760)는 후술하는 제1챔버(300)와 제2챔버(800)가 모두 제공될 수 있다.
제어기(500)는 제1반송 유닛(240)과 제2반송 유닛(240)을 제어한다. 제어기(500)는 제1처리액으로 기판을 처리시 기판을 제1척핀(340)에 의해 지지되도록 제1반송 유닛(240)을 제어한다. 제어기(500)는 제2처리액으로 기판을 처리 시 제2척핀(840)에 의해 지지되도록 제2반송 유닛(740)을 제어한다. 여기서 제1처리액은 제2처리액 보다 높은 온도 일 수 있다.
도 5는 도 3에 제1챔버를 보여주는 평면도이다. 이하, 도 5를 참고하면, 제1챔버는(300), 제1하우징(310), 제1용기(320), 제1스핀 헤드(330), 제1가열 유닛(339), 제1승강 유닛(360) 그리고 제1분사 유닛(380)을 포함한다.
제1하우징(310)은 내부에 공간을 제공한다. 제1하우징(310)의 내부에는 제1용기(320)이 위치한다.
제1용기(320)는 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 제1용기(320)는 상부가 개방된 형상으로 제공된다. 제1용기(320)는 제1내부 회수통(322), 제1중간 회수통(324), 그리고 제1외부 회수통(326)을 포함한다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 제1내부 회수통(322)은 제1스핀 헤드(330)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제1중간 회수통(324)은 제1내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제1외부 회수통(326)은 제1중간 회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제1내부 회수통(322)의 내측공간(322a), 제1내부 회수통(322)과 제1중간 회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 제1중간 회수통(324)과 제1외부 회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 제1내부 회수통(322), 제1중간 회수통(324), 그리고 제1외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
제1스핀 헤드(330)는 제1용기(320) 내에 배치된다. 제1스핀 헤드(330)는 기판 처리 공정 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 제1스핀 헤드(330)는 제1지지판(332), 제1지지핀(350), 제1척핀(350), 가열 유닛(335) 그리고 제1지지축(339)을 포함한다. 제1지지판(332)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 제1지지판(332)의 저면에는 제1모터(339)에 의해 회전가능한 제1지지축(339)이 고정결합된다. 제1지지핀(350)은 복수 개 제공된다. 제1지지핀(350)은 제1지지판(332)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 제1지지판(332)에서 상부로 돌출된다. 제1지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 제1지지핀(350)은 제1지지판(332)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
가열 유닛(335)은 제1스핀 헤드(330)의 내부에 위치한다. 가열 유닛(335)는 제1지지판(332) 내부에 위치한다. 가열 유닛(335)은 제1지지판(332)에 놓인 기판(W)을 가열한다. 일 예로 가열 유닛(335)은 열을 낼 수 있는 램프로 제공될 수 있다. 일 예로 램프는 IR 램프로 제공될 수 있다.
도 13은 도 5에 제1스핀 헤드에 일부를 보여주는 도면이다. 도 13을 참고하면, 제1척핀(340)은 척로드(348) 상에 설치된다. 제1척핀(340)은 척로드(348)의 끝단에 위치한다. 제1척핀(340)의 척로드(348)의 끝단에서 제1지지판(332))의 상부면을 향하는 방향으로 돌출되어 제공된다. 제1척핀(340)은 복수개 제공된다. 제1척핀(340)은 척로드(348)와 상응하는 개수로 제공될 수 있다. 일 예로 제1척핀(340)은 6개 제공될 수 있다. 제1척핀(350)은 제1지지판(332)의 중심에서 제1지지핀(350)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 제1척핀(350)은 제1지지판(332)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 제1척핀(350)은 제1스핀 헤드(330)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 제1척핀(350)은 제1지지판(332)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 제1지지판(332)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 제1스핀 헤드(330)에 로딩 또는 언 로딩시에는 제1척핀(350)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행 시에는 제1척핀(350)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 제1척핀(350)은 기판의 측부와 접촉된다.
제1지지판(332))의 내부에는 베이스(346)가 위치한다. 베이스(346)는 원형의 플레이트로 제공된다. 베이스(346)는 도전성 재질을 포함하는 재질로 제공된다. 일 예로 베이스(346)는 알루미늄 또는 수지로 제공될 수 있다.
캠(349)은 베이스(346) 상에 설치된다. 캠(349)은 베이스(346)의 상부에 위치한다. 캠(349)은 중심은 베이스(346)의 중심의 상부에 위치 할 수 있다. 캠(349)은 베이스(346)보다 작은 면적으로 제공될 수 있다. 캠(349)은 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상을 이룬다. 캠(349)에는 돌출부(미도시)가 형성된다. 돌출부(미도시)는 복수개 제공된다. 일 예로 돌출부는 척로드(348)의 개수와 상응하는 개수로 제공될 수 있다. 캠(349)은 캠 구동기(미도시)와 연결될 수 있다. 캠 구동기(미도시)는 캠(349)을 회전시킨다. 돌출부는 캠(349)의 회전 운동시 척로드(348)를 직선 운동하도록 척로드(348)를 베이스(346)의 외측방향으로 밀어준다.
척로드(348)는 캠(349)의 회전에 따라 직선운동한다. 척로드(348)는 베이스(346) 반경 방향이 위치한다. 척로드(348)의 길이 방향은 베이스(346)의 반경 방향일 수 있다. 척로드(348)의 일단은 캠(349)의 돌출부와 접촉할 수 있다. 캠(349)의 회전에 따라 돌출부는 척로드(348)의 일단을 밀어준다. 캠(349)의 회전에 따라 척로드(348)는 지지 위치 또는 대기 위치로 이동가능하게 제공된다. 지지 위치는 캠(349)의 회전하기 전에 척로드(348)의 위치이다. 대기 위치는 캠(349)의 회전으로 직선 운동 후 척로드(348)의 위치이다. 지지 위치는 후술한 제1척핀(340)이 기판(W)의 측부를 지지하는 위치이다. 대기 위치는 제1척핀(340)이 기판(W)을 지지하지 않는 위치이다.
척로드(348)는 복수개 제공된다. 일 예로 척로드(348)는 6개 제공될 수 있다. 복수의 척로드(348)는 베이스(346)의 반경 방향에 위치하며, 각각의 척로드(348)는 일정한 간격 이격되어 위치할 수 있다. 척로드(348)는 캠(349)과 동일한 평면에 위치한다. 척로드(348)는 베이스(346)의 상부에 위치한다.
척로드(348)는 도전성 재질을 포함하는 금속 재질로 제공된다. 일 예로 척로드(348)는 수지 또는 알루미늄 재질로 제공될 수 있다. 이와는 달리, 전도성을 가지는 도전성 재질로 제공될 수 있다.
로드 가이드(347)는 척로드(348)의 직선운동을 가이드한다. 로드 가이드(347)에는 관통홀(미도시)이 형성된다. 관통홀에는 척로드(348)가 삽입된다. 로드 가이드(347)는 상부에서 바라 볼 때, 직사각형의 형상을 가질 수 있다. 로드 가이드(347)는 그 길이 방향이 캠(349)의 접선 방향으로 위치한다. 로드 가이드(347)는 캠(349)의 외측에 위치한다. 로드 가이드(347)는 베이스(346) 상에 설치된다. 로드 가이드(347)는 베이스(346)의 상부에 위치한다. 로드 가이드(347) 도전성 재질을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 로드 가이드(347)는 알루미늄 또는 수지를 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
도 6은 도 5에 제1척핀을 보여주는 단면도이다. 이하, 도 6을 참고하면, 제1척핀(340)은 서로 상이한 재질로 제공되는 제1외체(341)와 제1내체(343)를 포함한다. 제1외체(341)는 제1재질로 제공될 수 있다. 제1외체(341)는 측부에 기판(W)의 단부가 접촉되는 제1홈(345)이 형성된다. 제1외체(341)는 제1내체(343)의 측부 및 상부를 감싸도록 제공될 수 있다. 제1내체(343)는 제1외체(341)의 내측에 위치한다. 제1내체(343)는 제1외체(341)에 삽입되어 제공될 수 있다. 제1내체(343)는 로드 형상으로 제공된다. 제1내체(343)는 제2재질로 제공된다. 제1재질과 제2재질 중 어느 하나는 다른 하나 보다 열전도율이 높고 내열성이 좋은 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 제1재질은 세라믹 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 세라믹 재질은 실리콘 카바이드로 제공될 수 있다. 제2재질은 수지 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 수지 재질은 퍼플루오로알콕시 (PFA: Perfluoroalkoxy)로 제공될 수 있다. 세라믹 재질은 수지 재질보다 열전도율이 높고 내열성이 좋다.
상술한 예와는 달리, 제1외체(341)는 제2재질로 제공되고, 제1내체(343)는 제1재질로 제공될 수 있다.
도 7 내지 도 11은 도 6에 제1척핀의 다른 실시 예를 보여주는 도면이다. 이를 참고하면, 도 7에 제1척핀(340a)은 제1재질로 제공되는 제1외체(341a)와 제2재질로 제공되는 제1내체(343a)를 가진다. 도 7에 제1척핀(340a)은 도 6의 제1척핀(340)과 대체로 유사하게 제공된다. 제1내체(343a)의 상부는 제1외체(341a)의 상부에 위치한다. 제1외체(341a)는 제1내체(343a)의 측부를 감싸도록 제공된다. 제1내체(343a)의 상부에는 기판(W)의 단부가 접촉되는 제1홈(345a)이 형성된다.
도 8의 제1척핀(340b)은 제1재질로 제공되는 제1외체(341b)와 제2재질로 제공되는 제1내체(343b)를 가진다. 도 8의 제1척핀(340b)은 도 6의 제1척핀(340)과 대체로 유사하게 제공된다. 다만, 제1내체(343b)는 도 6의 제1내체(343)보다 길이가 짧게 제공된다. 제1내체(343b)의 하단은 제1외체(341b)의 내부에 위치할 수 있다.
도 9의 제1척핀(340c)은 제1재질로 제공되는 제1외체(341c)와 제2재질로 제공되는 제1내체(343c)를 가진다. 도 9의 제1척핀(340c)은 도 6의 제1척핀(340)과 대체로 유사하게 제공된다. 다만, 제1내체(343c)의 하단은 제1외체(341c)의 외부로 돌출되어 제공된다.
도 10의 제1척핀(340d)은 제1재질로 제공되는 제1외체(341d)와 제2재질로 제공되는 제1내체(343d)를 가진다. 도 10의 제1척핀(340d)은 도 6의 제1척핀(340)과 대체로 유사하게 제공된다. 다만, 도 10의 제1척핀(340d)은 제1내체(343d)에 대한 제1외체(341d)의 횡단면적의 비가 도 6의 제1내체(343)에 대한 제1외체(341)의 횡단면적의 비보다 크게 제공된다. 제1내체(343d)의 횡단면적은 도 6의 제1내체(343)의 횡단면적보다 작다.
도 11의 제1척핀(340e)은 제1재질로 제공되는 제1외체(341e)와 제2재질로 제공되는 제1내체(343e)를 가진다. 도 11의 제1척핀(340e)은 도 6의 제1척핀(340)과 대체로 유사하게 제공된다. 다만, 도 11의 제1척핀(340e)은 제1내체(343e)에 대한 제1외체(341e)의 횡단면적의 비가 도 6의 제1내체(343)에 대한 제1외체(341)의 횡단면적의 비 보다 작게 제공된다. 제1내체(343e)의 횡단면적은 도 6의 제1내체(343)의 횡단면적보다 크다.
도 12는 도 5의 제1지지핀을 보여주는 도면이다. 이하, 도 12를 참고하면, 제1지지핀(350)은 고온의 처리액을 기판(W)을 처리하는 경우 단일의 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 제1지지핀(350)은 제1재질로 제공될 수 있다. 일 예로 제1재질은 세라믹 재질로 제공될 수 있다. 다만, 제1지지핀(350)은 고온의 처리액이 아닌 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 경우 후술하는 제2지지핀(850)과 같이 이중 재질의 다양한 실시 예 중 하나로 제공될 수 있다.
제1승강 유닛(360)은 제1용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 제1용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 제1스핀 헤드(330)에 대한 제1용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 제1승강 유닛(360)은 제1브라켓(362), 제1이동축(364), 그리고 제1구동기(366)를 포함한다.
제1브라켓(362)은 제1용기(320)의 외벽에 고정설치된다. 제1브라켓(362)에는 제1구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 제1이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 제1스핀 헤드(330)에 놓이거나, 제1스핀 헤드(330)로부터 들어올려 질 때 제1스핀 헤드(330)가 제1용기(320)의 상부로 돌출되도록 제1용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,324,326)으로 유입될 수 있도록 제1용기(320)의 높이가 조절한다.
일 예로, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 제1내부 회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 제1내부 회수통(322)과 제1중간 회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 제1중간 회수통(324)과 제1외부 회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 제1승강 유닛(360)은 제1용기(320) 대신 제1스핀 헤드(330)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
제1분사 유닛(380)은 기판(W) 처리 공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다.
제1분사 유닛(380)은 제1스핀 헤드(330)에 놓은 기판(W)으로 액체를 공급한다. 제1분사 유닛(380)은 제1노즐 지지대(382), 제1노즐(384), 제1지지축(386), 그리고 제1구동기(388)를 포함한다.
제1지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 제1지지축(386)의 하단에는 제1구동기(388)가 결합된다. 제1구동기(388)는 제1지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 제1노즐 지지대(382)는 제1구동기(388)와 결합된 제1지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 제1노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 제1노즐(384)은 제1구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 제1노즐(384)이 제1용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 제1노즐(384)이 제1용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 제1노즐(384)은 액 공급 부재(370)로부터 액을 공급받아 기판(W)상으로 액을 공급한다.
제1분사 유닛(380)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 제1분사 유닛(380)이 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 제1분사 유닛(380)을 통해 제공될 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.
제1분사 유닛은 제1처리액을 기판에 공급할 수 있다. 일 예로 제1처리액은 기판에 고온의 케미칼을 공급할 수 있다. 일 예로 고온의 케미칼은 인산으로 제공될 수 있다. 일 예로 처리액의 온도는 150~220도 사이일 수 있다.
도 14는 도 4의 제2챔버를 보여주는 단면도이다. 이하, 도 14를 참고하면, 제2챔버는(800), 제2하우징(810), 제2용기(820), 제2스핀 헤드(830), 제2승강 유닛(860) 그리고 제2분사 유닛(880)을 포함한다.
제2하우징(810)은 내부에 공간을 제공한다. 제2하우징(810)의 내부에는 제2용기(820)이 위치한다.
제2용기(820)는 기판 처리 공정이 수행되는 처리 공간을 제공한다. 제2용기(820)는 상부가 개방된 형상으로 제공된다. 제2용기(820)는 제2내부 회수통(822), 제2중간 회수통(824), 그리고 제2외부 회수통(826)을 포함한다. 각각의 회수통(822,824,826)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 제2내부 회수통(822)은 제2스핀 헤드(830)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제2중간 회수통(824)은 제2내부 회수통(822)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제2외부 회수통(826)은 제2중간 회수통(824)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 제2내부 회수통(822)의 내측공간(822a), 제2내부 회수통(822)과 제2중간 회수통(824)의 사이 공간(824a) 그리고 제2중간 회수통(824)과 제2외부 회수통(826)의 사이 공간(826a)은 각각 제2내부 회수통(822), 제2중간 회수통(824), 그리고 제2외부 회수통(826)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(822,824,826)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(822b,824b,826b)이 연결된다. 각각의 회수라인(822b,824b,826b)은 각각의 회수통(822,824,826)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
제2스핀 헤드(830)는 제2용기(820) 내에 배치된다. 제2스핀 헤드(830)는 기판 처리 공정 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 제2스핀 헤드(830)은 제2지지판(832), 제2지지핀(850), 제2척핀(840), 그리고 제2지지축(838)을 포함한다. 제2지지판(832)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 제2지지판(832)의 저면에는 제2모터(839)에 의해 회전가능한 제2지지축(838)이 고정결합된다. 제2지지핀(850)은 복수 개 제공된다. 제2지지핀(850)은 제2지지판(832)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 제2지지판(832)에서 상부로 돌출된다. 제2지지핀들(834)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 제2지지핀(850)은 제2지지판(832)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
제2척핀(840)은 복수 개 제공된다. 제2척핀(840)은 제2지지판(832)의 중심에서 제2지지핀(850)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 제2척핀(840)은 제2지지판(832)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 제2척핀(840)은 제2스핀 헤드(830)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 제2척핀(840)은 제2지지판(832)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 제2지지판(832)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 제2스핀 헤드(830)에 로딩 또는 언 로딩시에는 제2척핀(840)은 대기 위치에 위치되고, 기판에 대해 공정 수행 시에는 제2척핀(840)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 제2척핀(840)은 기판의 측부와 접촉된다.
도 15는 도 14의 제2척핀(840)을 보여주는 단면도이다. 이하, 도 15를 참고하면, 제2척핀(840)은 서로 상이한 재질로 제공되는 제2외체(841)와 제2내체(843)를 포함한다. 제2외체(841)는 제2척핀(840)의 외측에 위치한다. 제2외체(841)는 제2재질로 제공될 수 있다. 제2외체(841)는 측부에 기판(W)의 단부가 접촉되는 제2홈(845)이 형성된다. 제2외체(841)는 제2내체(843)의 측부 및 상부를 감싸도록 제공될 수 있다. 제2내체(843)는 제2외체(841)의 내측에 위치한다. 제2내체(843)는 제2외체(841)에 삽입되어 제공될 수 있다. 제2내체(843)는 로드 형상으로 제공된다. 제2내체(843)는 제2재질로 제공된다. 제1재질과 제2재질 중 어느 하나는 다른 하나보다 열전도율이 높고 내열성이 좋은 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 제2재질은 세라믹 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 세라믹 재질은 실리콘 카바이드로 제공될 수 있다. 제1재질은 수지 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 수지 재질은 퍼플루오로알콕시 (PFA: Perfluoroalkoxy)로 제공될 수 있다. 세라믹 재질은 수지 재질보다 열전도율이 높고 내열성이 좋다.
도 16 내지 도 22는 도 15의 제2척핀의 다른 실시 예를 보여주는 도면이다. 이하, 도 16을 참고하면, 제2척핀(840a)은 도 15의 제2척핀(840)과 대체로 유사하게 제공된다. 다만, 제2외체(841a)는 제1재질로 제공되며, 제2내체(843a)는 제2재질로 제공된다.
일 예로 제1재질은 세라믹 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 세라믹 재질은 실리콘 카바이드로 제공될 수 있다. 제2재질은 수지 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 수지 재질은 퍼플루오로알콕시 (PFA: Perfluoroalkoxy)로 제공될 수 있다. 세라믹 재질은 수지 재질보다 열전도율이 높고 내열성이 좋다.
도 17에 제2척핀(840b)은 제2재질로 제공되는 제2외체(841b)와 제1재질로 제공되는 제2내체(843b)를 가진다. 도 17에 제2척핀(840b)은 도 16의 제2척핀(840a)과 대체로 유사하게 제공된다. 제2내체(843b)의 상부는 제2외체(841b)의 상부에 위치한다. 제2외체(841b)는 제2내체(843b)의 측부를 감싸도록 제공된다. 제2내체(843b)의 상부에는 기판(W)의 단부가 접촉되는 제2홈(845b)이 형성된다.
도 18에 제2척핀(840c)은 제1재질로 제공되는 제2외체(841c)와 제2재질로 제공되는 제2내체(843c)를 가진다. 도 18에 제2척핀(840c)은 도 17의 제2척핀(840b)과 재질을 제외하고 대체로 유사하게 제공된다.
도 19의 제2척핀(840d)은 제2재질로 제공되는 제2외체(841d)와 제1재질로 제공되는 제2내체(843d)를 가진다. 도 19의 제2척핀(840d)은 도 15의 제2척핀(840)과 대체로 유사하게 제공된다. 다만, 제2내체(843d)는 도 15의 제2내체(843)보다 길이가 짧게 제공된다. 제2내체(843d)의 하단은 제2외체(841d)의 내부에 위치할 수 있다.
도 20의 제2척핀(840e)은 제2재질로 제공되는 제2외체(841e)와 제1재질로 제공되는 제2내체(843e)를 가진다. 도 20의 제2척핀(840e)은 도 15의 제2척핀(840)과 대체로 유사하게 제공된다. 다만, 제2내체(843e)의 하단은 제2외체(841e)의 외부로 돌출되어 제공된다.
도 21의 제2척핀(840f)은 제2재질로 제공되는 제2외체(841f)와 제1재질로 제공되는 제1내체(343f)를 가진다. 도 21의 제2척핀(840f)은 도 15의 제2척핀(840)과 대체로 유사하게 제공된다. 다만, 도 21의 제2척핀(840f)은 제2내체(843f)에 대한 제2외체(841f)의 횡단면적의 비가 도 15의 제2내체(843)에 대한 제2외체(841)의 횡단면적의 비 보다 크게 제공된다. 즉 도 21의 제2내체(843f)의 횡단면적은 도 15의 제2내체(843)의 횡단면적 보다 작다.
도 22의 제2척핀(840g)은 제2재질로 제공되는 제2외체(841g)와 제1재질로 제공되는 제1내체(343g)를 가진다. 도 22의 제2척핀(840g)은 도 15의 제2척핀(840)과 대체로 유사하게 제공된다. 다만, 도 22의 제2척핀(840g)은 제2내체(843g)에 대한 제2외체(841g)의 횡단면적의 비가 도 12의 제2내체(843)에 대한 제2외체(841)의 횡단면적의 비 보다 작게 제공된다. 즉 도 22의 제2내체(843g)의 횡단면적은 도 15의 제2내체(843)의 횡단면적보다 크다.
상술한 도 18 내지 도 22는 제2외체(841)가 제2재질로 제공되며, 제2내체(843)가 제1재질로 제공되는 것을 예로 들었으나, 이와는 달리, 제2외체(841)는 제1재질로 제공되며, 제2내체(843)는 제2재질로 제공될 수 있다.
도 23은 도 14의 제2지지핀을 보여주는 단면도이다. 이하, 도 23을 참고하면, 제2지지핀(850)은 제1바디(851)와 제2바디(853)를 포함한다. 제1바디(851)의 상부는 기판(W)과 접촉한다. 제1바디(851)는 상부로 올라갈수록 그 단면적이 줄어드는 형상으로 제공될 수 있다. 제1바디(851)는 제2재질로 제공될 수 있다. 제2바디(853)는 제1바디(851)의 하부와 결합된다. 제2바디(853)는 제1재질로 제공될 수 있다.
제1재질과 제2재질 중 어느 하나는 다른 하나보다 열전도율이 높고 내열성이 좋은 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 제1재질은 세라믹 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 세라믹 재질은 실리콘 카바이드로 제공될 수 있다. 제2재질은 수지 재질로 제공될 수 있다. 일 예로 수지 재질은 퍼플루오로알콕시 (PFA: Perfluoroalkoxy)로 제공될 수 있다. 세라믹 재질은 수지 재질보다 열전도율이 높고 내열성이 좋다.
도 24 내지 도 31은 제2지지핀에 다른 실시 예를 보여주는 도면이다. 이하, 이를 참고하면, 도 24의 제2지지핀(850a)은 도 23에 제2지지핀(850)과 대체로 유사하게 제공된다. 다만, 제2지지핀(850a)에 제1바디(851a)는 제1재질로 제공된다. 제2바디(853a)는 제2재질로 제공된다.
도 25의 제2지지핀(850b)은 제1재질로 제공되는 제1바디(851a)와 제2재질로 제공되는 제2바디(853b)를 가진다. 제1바디(851b)는 제2바디(853b)의 측부 및 상부를 감싸며 제공된다. 제2바디(853b)는 제1바디(851b)에 삽입되며 로드 형상으로 제공된다.
도 26의 제2지지핀(850c)은 도 25의 제2지지핀(850b)과 대체로 유사하게 제공된다. 제2지지핀(850c)의 제1바디(851c)는 제2재질로 제공된다. 제2바디(853c)는 제1재질로 제공된다.
도 27의 제2지지핀(850d)은 도 25의 제2지지핀(850b)과 대체로 유사하게 제공된다. 제2지지핀(850d)의 제2바디(853d)의 하부는 제1바디(851d)의 외부로 돌출되어 제공된다.
도 28의 제2지지핀(850e)은 도 27의 제2지지핀(850d)과 대체로 유사하게 제공된다. 제2지지핀(850e)은 제2재질로 제공되는 제1바디(851e)와 제1재질로 제공되는 제2바디(853e)를 가진다.
도 29의 제2지지핀(850f)은 도 25의 제2지지핀(850b)과 대체로 유사하게 제공된다. 다만. 제2지지핀(850f)은 제2바디(853f)에 대한 제1바디(851f)의 횡단면적의 비가 도 25의 제2바디(853b)에 대한 제1바디(851b)의 횡단면적의 비 보다 크게 제공된다. 도 29의 제2바디(853f)의 횡단면적은 도 25의 제2바디(853b)의 횡단면적 보다 작다.
도 30의 제2지지핀(850g)은 도 25의 제2지지핀(850b)과 대체로 유사하게 제공된다. 다만. 제2지지핀(850g)은 제2바디(853g)에 대한 제1바디(851g)의 횡단면적의 비가 도 25의 제2바디(853b)에 대한 제1바디(851b)의 횡단면적의 비 보다 작게 제공된다. 도 30의 제2바디(853g)의 횡단면적은 도 25의 제2바디(853b)의 횡단면적 보다 크다.
도 31의 제2지지핀(850h)은 제1재질로 제공되는 제1바디(851h)와 제2재질로 제공되는 제2바디(853h)를 가진다. 제2바디(853h)의 상부는 제1바디(851h)의 상부에 위치한다. 제1바디(851h)는 제2바디(853h)의 측부를 감싸도록 제공된다.
제2승강 유닛(860)은 제2용기(820)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 제2용기(820)가 상하로 이동됨에 따라 제2스핀 헤드(830)에 대한 제2용기(820)의 상대 높이가 변경된다. 제2승강 유닛(860)은 제2브라켓(862), 제2이동축(864), 그리고 제2구동기(866)를 포함한다.
제2브라켓(862)은 제2용기(820)의 외벽에 고정설치된다. 제2브라켓(862)에는 제2구동기(866)에 의해 상하 방향으로 이동되는 제2이동축(864)이 고정결합된다. 기판(W)이 제2스핀 헤드(830)에 놓이거나, 제2스핀 헤드(830)로부터 들어올려 질 때 제2스핀 헤드(830)가 제2용기(820)의 상부로 돌출되도록 제2용기(820)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(822,824,826)으로 유입될 수 있도록 제2용기(820)의 높이가 조절한다.
일 예로, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 제2내부 회수통(822)의 내측공간(822a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 제2내부 회수통(822)과 제2중간 회수통(824)의 사이 공간(824a), 그리고 제2중간 회수통(824)과 제2외부 회수통(826)의 사이 공간(826a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 제2승강 유닛(860)은 제2용기(820) 대신 제2스핀 헤드(830)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
제2분사 유닛(880)은 기판(W) 처리 공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다.
제2분사 유닛(880)은 제2스핀 헤드(830)에 놓은 기판(W)으로 액체를 공급한다. 제2분사 유닛(880)은 제2노즐 지지대(882), 제2노즐(884), 제2지지축(886), 그리고 제2구동기(888)를 포함한다.
제2지지축(886)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 제2지지축(886)의 하단에는 제2구동기(888)가 결합된다. 제2구동기(888)는 제2지지축(886)을 회전 및 승강 운동한다. 제2노즐 지지대(882)는 제2구동기(888)와 결합된 제2지지축(886)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 제2노즐(884)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 제2노즐(884)은 제2구동기(888)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 제2노즐(884)이 제2용기(820)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 제2노즐(884)이 제2용기(820)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다.
제2분사 유닛(880)은 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 제2분사 유닛(880)이 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 제2분사 유닛(880)을 통해 제공될 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.
제2분사 유닛(880)에서 공급되는 처리액은 50~100℃ 사이에 비교적 저온의 처리액을 공급할 수 있다. 일 예로 처리액은 황산을 포함하는 처리액일 수 있다.
도 32는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 이하, 도 32를 참고하면, 도 32의 기판 처리 설비(5)는 제3기판 처리 장치(30)를 포함한다. 제3기판 처리 장치(30)는 제3인덱스 모듈(1000)과 제3공정 처리 모듈(2000)을 포함한다. 제3인덱스 모듈(1000)은 제1기판 처리 장치(10)의 제1인덱스 모듈(100)과 대체로 동일하게 제공된다.
제3공정 처리 모듈(2000)은 제3버퍼 유닛(2200), 제3반송 유닛(2400) 그리고 제3공정 챔버(2600)를 가진다. 제3공정 처리 모듈(2000)의 제3버퍼 유닛(2200)과 제3반송 유닛(2400)은 제1공정 처리 모듈(200)의 제1버퍼 유닛(220)과 제1반송 유닛(240)과 대체로 동일하게 제공된다. 제3공정 챔버(2600)는 제1챔버(300)와 제2챔버(800)를 포함한다.
제3공정 챔버(2600)는 케미칼의 종류와 온도에 따라서 제1챔버(300) 또는 제2챔버(800)에 기판을 처리할 수 있다.
제어기(9000)는 케미칼의 종류와 온도에 따라서 제1챔버(300) 또는 제2챔버(800)에서 기판을 처리하도록 제3반송 유닛을 제어할 수 있다.
도 33 내지 도 37은 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1척핀(340) 과 제2척핀(840)의 상관 관계를 보여주는 도면이다. 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 제1척핀의 상관 관계와 제2척핀의 상관 관계와 서로 상이하게 제공된다.
상관 관계는 외체(341,841)와 내체(343,843)의 횡단면적의 비에 대한 관계 일 수 있다. 제1내체(343)에 대한 제1외체(341)의 횡단면적의 비는 제2내체(843)에 대한 제2외체(841)의 횡단면적의 비 중 어느 하나는 다른 하나보다 크게 제공될 수 있다. 일 예로 도 33과 같이 제1내체(343)에 대한 제1외체(341)의 횡단면적의 비는 제2내체(843)에 대한 제2외체(841)의 횡단면적의 비보다 크게 제공될 수 있다. 이 경우 제1척핀(340)에 의해 지지된 기판(W)에서 고온의 제1처리액으로 기판(W)을 처리하며, 제2척핀(840)에 의해 지지된 기판(W)에서 저온의 제2처리액으로 기판(W)을 처리한다. 이와는 달리, 제1내체(343)에 대한 제1외체(341)의 횡단면적의 비는 제2내체(843)에 대한 제2외체(841)의 횡단면적의 비보다 크게 제공될 수 있다.
상관 관계는 외체(341,841)와 내체(343,843)의 길이의 비 일 수 있다. 일 예로 제1내체(343)에 대한 제1외체(341)의 길이의 비와 제2내체(843)에 대한 제2외체(841)의 길이 비 중 어느 하나는 다른 하나보다 크게 제공될 수 있다. 일 예로 도 34와 같이 제1내체(343)에 대한 제1외체(341)의 길이의 비는 제2내체(843)에 대한 제2외체(841)의 길이 비보다 크게 제공될 수 있다. 이와는 달리, 일 예로 제1내체(343)에 대한 제1외체(341)의 길이의 비는 제2내체(843)에 대한 제2외체(841)의 길이 비보다 작게 제공될 수 있다.
상관 관계는 내체(343,843)가 외체(341,841)의 외부로 노출되는지 여부를 포함할 수 있다. 일 예로 도 35와 같이 제1내체(343)는 제1외체(341)의 외부로 노출되며, 제2내체(843)는 제2외체(841)의 내부에 위치 할 수 있다. 이와는 달리, 제1내체(343)는 제1외체(341)의 내부에 위치하며, 제2내체(843)는 제2외체(841)의 외부에 노출 될 수 있다. 선택적으로, 제1내체(343)는 제1외체(341)의 내부에 위치하며, 제2내체(843)는 제2외체(841)의 내부에 위치할 수 있다. 선택적으로 제1내체(343)는 제1외체(341)의 외부에 노출되며, 제2내체(843)는 제2외체(841)의 외부에 노출될 수 있다.
상관 관계는 외체(341,841)와 내체(343,843)의 재질의 관계 일 수 있다. 일 예로 상관 관계는 제1외체(341)와 제1내체(343)의 재질이 상이하게 제공되며, 제2외체(841)와 제2내체(8413의 재질이 상이하게 제공되는 것을 포함할 수 있다. 일 예로 도 36과 같이 제1외체(341)와 제1내체(343)는 서로 상이한 재질로 제공되며, 제2외체(841)와 제2내체(843)는 서로 상이하게 제공될 수 있다. 이 경우, 제1외체(341)와 제2외체(841) 또는 제2내체(843)는 서로 동일하거나 상이하게 제공될 수 있다. 제1내체(343)와 제2외체(841) 또는 제2내체(843)는 서로 동일하거나 상이하게 제공될 수 있다.
상관 관계는 제1외체(341)와 제1내체(343) 및 제2외체(841)와 제2내체(843)의 재질의 관계를 포함할 수 있다. 일 예로 제1외체(341)와 제2내체(843)는 각각 제1재질 또는 제2재질로 제공되며, 제2외체(841)와 제1내체(343)는 각각 제2재질 또는 제1재질로 제공될 수 있다. 도 37과 같이 제1외체(341)와 제2내체(843)가 제1재질로 제공되며, 제1내체(343)와 제2외체(841)가 제2재질로 제공될 수 있다. 이 경우 제1척핀(340)에 의해 지지된 기판(W)에서 고온의 제1처리액으로 기판(W)을 처리하며, 제2척핀(840)에 의해 지지된 기판(W)에서 저온의 제2처리액으로 기판(W)을 처리한다. 제1재질은 제2재질 중 어느 하나는 다른 하나보다 열전도율이 높게 제공되며, 내열성이 좋은 재질로 제공된다. 일 예로 제1재질은 제2재질보다 열전도율이 높게 제공되며, 내열성이 좋은 재질로 제공될 수 있다. 이와는 달리, 제2재질은 제1재질보다 열전도율이 높게 제공되며, 내열성이 좋은 재질로 제공될 수 있다.
상술한 예와는 달리, 제1외체(341)와 제2내체(843)가 제2재질로 제공되며, 제1내체(343)와 제2외체(841)가 제1재질로 제공될 수 있다.
상술한 예와는 달리, 제1척핀(340)과 제2척핀(840)은 재질, 길이, 횡단면적의 비, 외체의 외부로 내체가 노출되는지 여부의 4가지 변수 중 2개 내지 4개를 모두 상이하게 제공될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명은 처리액의 온도에 따라서, 척핀을 이중 재질로 제공함과 아울러 각각의 재질, 길이, 외체의 외부로 내체가 노출되는지 여부 그리고 횡단면적 중 어느 하나 또는 복수개를 각각 상이하게 제공하여 공정에 따라 최적화된 열전도율 및 내열성을 가지는 척핀을 제공하여 기판(W) 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있다.
특히, 척핀의 재질을 상이하게 제공하여 공정에 따라 상이한 열전도율을 가지는 척핀을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 처리액의 온도에 따라서, 지지핀을 이중 재질로 제공함과 아울러 각각의 재질의 길이, 형상, 횡단면적을 상이하게 제공하여 공정에 따라 최적화된 열전도율 및 내열성을 가지는 지지핀을 제공하여 기판(W) 처리 공정에 효율을 향상시킬 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
1: 기판 처리 설비 10: 제1기판 처리 장치
20: 제2기판 처리 장치 300: 제1챔버
330: 제1스핀 헤드 340: 제1척핀
350: 제1지지핀 800: 제2챔버
840: 제2척핀 850: 제2지지핀

Claims (47)

  1. 기판을 지지하는 스핀 헤드에 있어서,
    기판이 놓이는 지지판과;
    상기 지지판에 위치하고 기판의 측부를 지지하는 척핀을; 포함하며,
    상기 척핀은,
    외체와;
    상기 외체에 삽입되며 상기 외체와 서로 상이한 재질로 제공되는 내체를 포함하고,
    상기 외체는 제1재질로 제공되고, 상기 내체는 제2재질로 제공되며, 상기 제1재질은 상기 제2재질보다 열전도율이 높고,
    상기 제1재질은 세라믹 재질을 포함하고, 상기 제2재질은 수지 재질로 제공되는 스핀 헤드.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹 재질은 실리콘 카바이드를 포함하고,
    상기 수지 재질은 퍼플루오로알콕시 (PFA: Perfluoroalkoxy)로 제공되는 스핀 헤드.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 외체는 측부에 기판의 단부가 접촉되는 홈이 형성되고,
    상기 내체는 로드 형상으로 제공되는 스핀 헤드.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 외체는 상기 내체의 측부 및 상부를 감싸도록 제공되는 스핀 헤드.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 외체는 상기 내체의 측부를 감싸도록 제공되며,
    상기 내체의 상부는 상기 외체의 상부에 위치하는 스핀 헤드.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 내체의 하단은 상기 외체의 내측에 위치하는 스핀 헤드.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 내체의 하단은 상기 외체의 외부로 돌출되어 제공되는 스핀 헤드.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 척핀과 결합되며, 상기 지지판의 내측에 위치하는 척로드와;
    상기 척로드를 구동하는 척핀 구동기를; 더 포함하며,
    상기 척로드는 금속 재질로 제공되는 스핀 헤드.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 기판을 지지하는 스핀 헤드에 있어서,
    기판을 놓이는 지지판과;
    상기 지지판에 위치하고 기판의 하부를 지지하는 지지핀을; 포함하며,
    상기 지지핀은,
    제1바디와;
    상기 제1바디와 서로 상이한 재질로 제공되는 제2바디를; 포함하고,
    상기 제1바디는 제1재질로 제공되고, 상기 제2바디는 제2재질로 제공되며, 상기 제1재질은 상기 제2재질보다 열전도율이 높고,
    상기 제1재질은 세라믹 재질을 포함하고, 상기 제2재질은 수지 재질로 제공되는 스핀 헤드.
  13. 삭제
  14. 제12항에 있어서,
    상기 세라믹 재질은 실리콘 카바이드를 포함하고,
    상기 수지 재질은 퍼플루오로알콕시 (PFA: Perfluoroalkoxy)로 제공되는 스핀 헤드.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1바디의 상부는 기판의 하부와 접촉되고,
    상기 제2바디는 상기 제1바디의 하부와 결합되는 스핀 헤드.
  16. 제12항에 있어서,
    상기 제1바디는 상기 제2바디의 측부 및 상부를 감싸며,
    상기 제2바디는 로드 형상으로 제공되는 스핀 헤드.
  17. 삭제
  18. 삭제
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