CN106711081B - 旋转头及包括该旋转头的基板处理装置和方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种旋转头、包括所述旋转头的基板处理装置和方法。根据本发明的实施方式，所述旋转头包括放置基板的支撑板和放置在所述支撑板上并支撑所述基板侧部的卡盘销，其中所述卡盘销包括外本体和插入所述外本体中并且具有与所述外主体不同材料的内本体，其中所述外本体和所述内本体中的每个具有第一材料或第二材料中的任一种，并且其中所述第一材料和所述第二材料中的一种材料包括具有比另一种更低的导热性和更好的耐热性的材料。

Description

旋转头及包括该旋转头的基板处理装置和方法
技术领域
文中公开的本发明涉及支撑基板的旋转头、包括该旋转头的基板处理装置和方法。
背景技术
随着半导体装置变得具有高密度、高集成度和高性能，电路图案的微型化急速出现，因此存在于基板表面的污染物诸如颗粒、有机污染物、金属污染物等大大影响了生产率和装置特性。因此，使得用于除去堆积到基板表面的各种污染物的清洁工艺成为半导体制造过程中的重要工艺，并且在半导体制造的每个单元工序之前和之后都进行了用于清洗基板的处理工艺。
同时，在通过向基板供应处理液来处理基板的工艺期间，在分别由卡盘销或支撑销支撑的基板的侧部或底部进行处理。根据工艺，可以以各种温度供应处理液，例如具有高温的处理液或具有低温的处理液。
图1示出了在通过向基板供应处理液来处理基板期间，基板的各个区域的温度分布。参考图1，在通过向基板供应处理液来处理基板期间，卡盘销和支撑销与基板接触的区域a1-a5具有与基板的其它区域不同的温度。据此，卡盘销和支撑销与基板接触的区域a1-a5具有清洁效率低于基板的其它区域的问题。
发明内容
本发明提供了包括根据化学品种类和温度而具有优化的导热性的卡盘销或支撑销的旋转头、包括该旋转头的基板处理装置和方法。
此外，本发明提供了旋转头、包括该旋转头的基板处理装置和基板处理方法，其可以通过供应处理液来提高基板处理的工艺效率。
此外，本发明提供了基板处理装置和基板处理方法，其可以均匀地处理基板的与卡盘销和支撑销接触的区域和基板的其它区域。
本发明构思的目的不限于上述效果。本领域技术人员从以下说明和本申请中将可以理解本发明构思的其它目的。
本发明提供了一种用于支撑基板的旋转头。根据本发明的实施方式，旋转头可以包括：支撑板，在所述支撑板上放置基板；和卡盘销，所述卡盘销设置在所述支撑板中，用于支撑所述基板的侧部；其中所述卡盘销包括外本体和插入到所述外本体中的内本体，所述内本体具有与所述外本体不同的材料，所述外本体和所述内本体分别具有第一材料或第二材料中的任一种，并且所述第一材料和所述第二材料中的一种比所述第一材料和所述第二材料中的另一种具有更低的导热性和更好的耐热性。
根据实施方式，所述第一材料包括陶瓷材料，并且所述第二材料具有树脂材料。
根据实施方式，所述陶瓷材料包括碳化硅，并且所述树脂材料具有全氟烷氧基(PFA)。
根据实施方式，其中在所述外本体的侧部中形成凹槽，并且所述基板的端部与所述凹槽接触，并且所述内本体具有杆状。
根据实施方式，其中所述外本体被设置成包围所述内本体的侧部和顶部。
根据实施方式，其中所述外本体被设置成包围所述内本体的侧部，并且所述内本体的顶部处于高于所述外本体的顶部的水平。
根据实施方式，所述内本体的底部位于所述外本体的内侧。
根据实施方式，所述内本体的所述底部被设置成突出到所述外本体的外部。
根据实施方式，所述旋转头还包括与所述卡盘销联接并位于所述支撑板的内侧的卡盘杆、以及用于驱动所述卡盘杆的卡盘销驱动器，并且其中所述卡盘杆以金属材料提供。
根据实施方式，所述外本体具有所述第一材料，并且所述内本体具有所述第二材料。
根据实施方式，所述外本体具有所述第二材料，并且所述内本体具有所述第一材料。
根据本发明的另外的实施方式，旋转头可以包括：支撑板，在所述支撑板上放置基板；和支撑销，所述支撑销设置在所述支撑板中，用于支撑所述基板的底部；其中所述支撑销包括第一本体和具有与所述第一本体不同的材料的第二本体，所述第一本体和所述第二本体分别具有第一材料或第二材料中的任一种，并且所述第一材料和所述第二材料中的一种包括具有比所述第一材料和所述第二材料中的另一种更低的导热性和更好的耐热性的材料。
根据实施方式，所述第一材料包括陶瓷材料，并且所述第二材料具有树脂材料。
根据实施方式，所述陶瓷材料包括碳化硅，并且所述树脂材料具有全氟烷氧基(PFA)。
根据实施方式，所述第一本体的顶部与所述基板的底部接触，并且所述第二本体与所述第一本体的底部联接。
根据实施方式，所述第一本体被设置成包围所述第二本体的侧部和顶部，并且所述第二本体具有杆状。
根据实施方式，所述第一本体具有所述第一材料，并且所述第二本体具有所述第二材料。
根据实施方式，所述第一本体具有所述第二材料，并且所述第二本体具有所述第一材料。
本发明提供一种基板处理装置。根据本发明的实施方式，基板处理装置可以包括：第一腔室，用于通过供应第一处理液来处理所述基板；和第二腔室，用于通过供给第二处理液来处理所述基板；其中所述第一腔室包括第一旋转头，所述第一旋转头包括用于在所述基板的侧部支撑所述基板的第一卡盘销和用于向放置在所述第一旋转头上的所述基板供应所述第一处理液的第一喷射单元，其中所述第二腔室包括第二旋转头，所述第二旋转头包括用于从所述基板的侧部支撑所述基板的第二卡盘销和用于向放置在所述第二旋转头上的基板供应所述第二处理液的第二喷射单元，其中所述第一卡盘销包括彼此具有不同材料的第一外本体和第一内本体，其中所述第二卡盘销包括彼此具有不同材料的第二外本体和第二内本体，并且其中所述第一外本体和所述第一内本体之间的相互关系被设置成不同于所述第二外本体和所述第二内本体之间的相互关系。
根据实施方式，所述相互关系可以包括所述外本体和所述内本体之间的横截面积之比。
根据实施方式，所述相互关系可以包括所述外本体和所述内本体之间的长度之比。
根据实施方式，所述相互关系可以包括所述内本体是否突出到所述外本体的外部。
根据实施方式，所述相互关系可以包括所述外本体和所述内本体具有什么材料。
根据实施方式，所述相互关系包括所述外本体和所述内本体具有什么材料，其中所述第一外本体和所述第二内本体两者具有所述第一材料和所述第二材料中的一种，而所述第二外本体和所述第一内本体两者具有所述第一材料和所述第二材料中的另一种，并且其中所述第一材料和所述第二材料中的一种包括具有比所述第一材料和所述第二材料中的另一种更低的导热性和更好的耐热性的材料。
根据实施方式，所述第一材料包括陶瓷材料，并且所述第二材料具有树脂材料。
根据实施方式，其中所述陶瓷材料包括碳化硅，并且所述树脂材料具有全氟烷氧基(PFA)。
根据实施方式，所述第一外本体在其侧部具有第一凹槽，并且所述基板的端部与所述第一凹槽接触，其中所述第一内本体具有杆状，所述第二外本体在其侧部具有第二凹槽，并且所述基板的端部与所述第二凹槽接触，其中所述第二内本体具有杆状。
根据实施方式，所述第一外本体被设置成包围所述第一内本体的侧部和顶部，并且所述第二外本体被设置成包围所述第二内本体的侧部和顶部。
根据实施方式，所述第一外本体被设置成包围所述第一内本体的侧部，其中所述第一内本体的顶部处于高于所述第一外本体的顶部的水平，其中所述第二外本体被设置成包围所述第二内本体的侧部，并且其中所述第二内本体的顶部处于高于所述第二外本体的顶部的水平。
根据实施方式，所述第一外本体和所述第二内本体具有所述第一材料，并且其中所述第二外本体和所述第一内本体具有所述第二材料。
根据实施方式，所述第一外本体和所述第二内本体具有所述第二材料，并且其中所述第二外本体和所述第一内本体具有所述第一材料。
根据实施方式，所述第一旋转头可还包括用于在所述底部支撑所述基板的第一支撑销，其中所述第二旋转头可还包括在所述底部支撑所述基板的第二支撑销，其中所述第二支撑销可以包括第一本体和具有与所述第一本体不同的材料的第二本体，其中所述第一本体和所述第二本体中的每一个可以具有第一材料或第二材料中的任一种，并且其中所述第一材料和所述第二材料中的一种可以包括具有比另一种更低的导热性和更好的耐热性的材料。
根据实施方式，所述第一材料包括陶瓷材料，并且所述第二材料具有树脂材料。
根据实施方式，其中所述陶瓷材料包括碳化硅，并且所述树脂材料具有全氟烷氧基(PFA)。
根据实施方式，所述第一本体的顶部与所述基板的底部接触，并且所述第二本体与所述第一本体的底部联接。
根据实施方式，所述第一本体被设置成包围所述第二本体的侧部和顶部，并且其中所述第二本体具有杆状。
根据实施方式，所述第一本体具有所述第一材料，并且所述第二本体具有所述第二材料。
根据实施方式，所述第一本体具有所述第二材料，并且所述第二本体具有所述第一材料。
根据实施方式，所述的基板处理装置可以包括：第一基板处理装置和第二基板处理装置，其中所述第一基板处理装置包括第一转位模块和第一工艺处理模块，所述第一转位模块包括其上放置容纳所述基板的容器的第一装载端口和用于将所述基板传送到所述第一装载端口的第一转位机械手，并且所述第一工艺处理模块包括用于处理所述基板的多个第一处理室和用于将所述基板传送到所述第一处理室的第一传送单元，其中所述第二基板处理装置包括第二转位模块和第二工艺处理模块，所述第二转位模块包括其上放置容纳所述基板的容器的第二装载端口和用于将所述基板传送到所述第二装载端口的第二转位机械手，并且所述第二工艺处理模块包括用于处理所述基板的多个第二处理室和用于将所述基板传送到所述第二处理室的第二传送单元，其中所述第一处理室包括所述第一腔室，并且其中所述第二处理室包括所述第二腔室。
根据实施方式，所述基板处理装置可以包括：第一基板处理装置和第二基板处理装置，其中所述第一基板处理装置包括第一转位模块和第一工艺处理模块，所述第一转位模块包括其上放置容纳所述基板的容器的第一装载端口和用于将所述基板传送到所述第一装载端口的第一转位机械手，并且所述第一工艺处理模块包括用于处理所述基板的多个第一处理室和用于将所述基板传送到所述第一处理室的第一传送单元，其中所述第二基板处理装置包括第二转位模块和第二工艺处理模块，所述第二转位模块包括其上放置容纳所述基板的容器的第二装载端口和用于将所述基板传送到所述第二装载端口的第二转位机械手，并且所述第二工艺处理模块包括用于处理所述基板的多个第二处理室和用于将所述基板传送到所述第二处理室的第二传送单元，其中所述第一处理室包括所述第一腔室和所述第二腔室。
根据实施方式，所述第一处理液的温度高于所述第二处理液的温度。
根据实施方式，所述第一基板处理装置可以包括加热所述基板并位于所述第一旋转头中的加热单元。
根据实施方式，所述基板处理装置可以还包括用于控制所述第一传送单元和所述第二传送单元的控制器，其中所述控制器控制所述第一传送单元，使得当用所述第一处理液处理所述基板时，所述基板由所述第一卡盘销支撑；并且所述控制器控制所述第二传送单元，使得当用所述第二处理液处理所述基板时，所述基板由所述第二卡盘销支撑。
本发明提供了一种基板处理方法。
根据本发明的实施方式，所述基板处理方法可以包括通过供应所述第一处理液来处理由所述第一卡盘销支撑的所述基板，和通过供应所述第二处理液来处理由所述第二卡盘销支撑的所述基板。
根据实施方式，所述第一处理液具有比所述第二处理液更高的温度。
根据实施方式，所述第一处理液包含酸，并且其中所述第二处理液包含硫酸。
根据实施方式，所述第二旋转头可以还包括用于在所述基板的底部支撑所述基板的第二支撑销，其中所述第二支撑销包括第一材料的第一主体和第二材料的第二主体，并且其中所述第一材料和所述第二材料中的一种包括具有比所述第一材料和所述第二材料中的另一种更低的导热性和更好的耐热性的材料。
根据本发明的实施方式，通过根据化学品种类或温度而提供具有优化的导热性的卡盘销或支撑销，可以提高基板处理工艺的效率。
此外，根据本发明的实施方式，通过使用各种变量(诸如卡盘销或支撑销的材料、尺寸(长度)、横截面积之比)来提供优化的导热性，可以提高基板处理工艺的效率。
此外，根据本发明的实施方式，通过根据化学品种类或温度而提供具有优化的导热性的卡盘销或支撑销，可以均匀地处理基板的整个区域。
本发明构思的目的不限于上述效果。本领域技术人员从以下说明中可以理解其它目的。
附图说明
图1示出了在通过向基板供应处理液来处理基板的期间基板的每个区域的温度分布。
图2是根据本发明的实施方式的基板处理装置的平面图。
图3是图2的第一基板处理装置的示例的平面图。
图4是图2的第二基板处理装置的示例的平面图。
图5是图3的第一腔室的平面图。
图6是图5的第一卡盘销的横截面图。
图7至图11是图6的第一卡盘销的其它实施方式。
图12是图5的第一支撑销的横截面图。
图13示出了图5的第一旋转头的一部分。
图14是图4的第二腔室的横截面图。
图15是图14的第二卡盘销的横截面图。
图16至图22示出了图15的第二卡盘销的其它实施方式。
图23是图14的第二支撑销的横截面图。
图24至图31示出了图23的第二支撑销的其它实施方式。
图32是根据本发明的实施方式的基板处理装置的平面图。
图33至图37示出了根据本发明的实施方式的第一卡盘销和第二卡盘销。
具体实施方式
在下文中将参考附图更全面地描述各种示例性实施方式，在附图中示出了一些示例性实施方式。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本公开将是彻底和完全的，并且将向本领域技术人员充分地传达本发明的范围。因此，夸大附图的特征以突出明确的解释。
图2是根据本发明的实施方式的基板处理装置的平面图。基板处理装置1被提供给一条半导体线3。
基板处理装置1通过提供处理液来对基板进行处理工艺。基板处理装置1包括第一基板处理装置10和第二基板处理装置20。
图3是图2的第一基板处理装置的示例的平面图。在下文中，参考图2，第一基板处理装置10包括第一转位模块100和第一工艺处理模块200。转位模块100包括第一装载端口120和第一传送框架140。第一装载端口120、第一传送框架140和第一工艺处理模块200依次成行设置。在下文中，将第一装载端口120、第一传送框架140和第一工艺处理模块200设置的方向称为第一方向12。将与第一方向12垂直的方向称为第二方向14，并且当俯视时，将与包括第一方向12和第二方向14的平面垂直的方向被称为第三方向16。
存放基板W的第一载具130位于第一装载端口120上。设置有多个第一装载端口120，并且它们沿第二方向14成行设置。在图1中，作为示例，设置有四个第一装载端口120。然而，装载端口120的数目可以根据需要(例如工艺效率和第一工艺处理模块200的占空)而增加或减少。在载具130中，设置多个槽(未示出)以支撑基板W的边缘。沿第三方向16设置有多个槽，并且多个基板W沿第三方向16被彼此竖直堆叠地置于载具内。作为载具130，可以使用正面开口标准箱(FOUP)。
第一工艺处理模块200包括第一缓冲单元220、第一传送单元240和第一处理室260。第一传送单元240被设置成使得其纵向方向与第一方向12平行。第一处理室260沿第二方向14分别设置在第一传送单元240的一侧和另一侧。置于第一传送单元240的一侧和另一侧的第一处理室260基于第一传送单元240彼此对称地设置。第一处理室260中的一些沿第一传送单元240的纵向方向放置。此外，第一处理室260中的一些沿第三方向16彼此竖直堆叠地放置。即，在第一传送单元240的一侧，第一处理室260可以设置成A×B(A和B是1或更大的自然数)阵列。这里，A是沿第一方向12设置的第一处理室260的数目，B是沿第三方向16设置的第一处理室260的数目。当在第一传送单元240的一侧设置有四个或六个第一处理室260时，第一处理室260可以设置成2×2或3×2阵列。第一处理室260的数目可以增加或减少。与上述不同，可以仅在第一传送单元240的一侧设置第一处理室260。此外，与上述不同，可以在第一传送单元240的两侧将第一处理室260设置成单层。
第一缓冲单元220设置在第一传送框架140和第一传送单元240之间。缓冲单元在第一传送单元240和第一传送框架140之间提供用于在传送基板W之前使基板W暂时停留的空间。在第一缓冲单元220的内部具有放置基板的槽(未示出)，并且沿第三方向16设置有多个彼此间隔开的槽(未示出)。第一缓冲单元220的面向第一传送框架140的一侧以及第一缓冲单元220的面向第一传送框架140的另一侧是打开的。
第一传送框架140在第一缓冲单元220和位于第一装载端口120上的第一载具130之间传送基板W。在第一传送框架140中，设置有第一转位轨道142和第一转位机械手144。第一转位轨道142被设置成使得纵向方向平行于第二方向14。第一转位机械手144安装在第一转位轨道142上，并且沿第一转位轨道142向第二方向14线性运动。第一转位机械手144包括第一基座144a、第一本体144b和第一转位臂144c。第一基座144a沿第一转位轨道142被可运动地安装。第一本体144b与第一基座144a联接。第一本体144b沿第三方向16可运动地设置在第一基座144a上。此外，第一本体144b可旋转地设置在第一基座144a上。第一转位臂144c与第一本体144b联接，并且被设置成相对于第一本体144b前后运动。设置有多个第一转位臂144c以分别单独驱动。第一转位臂144c竖直地设置，即，沿第三方向16彼此间隔开。当将基板W从第一工艺处理模块200传送到第一载具130时可以使用第一转位臂144c中的一些，并且当将基板W从第一载具130传送到第一工艺处理模块130时可以使用第一转位臂144c中的一些。这可以防止在第一转位机械手144载入或载出基板W期间在处理工艺之前从基板W产生的颗粒在处理工艺之后粘附到基板W上。
第一传送单元240在第一处理室260之间以及在第一缓冲单元220和第一处理室260之间传送基板W。在第一传送单元240中设置有第一导轨242和第一主机械手244。第一导轨242被放置成使得其纵向方向与第一方向12平行。第一主机械手244安装在第一导轨242上，并且在第一导轨242上沿第一方向12线性运动。第一主机械手244包括第一基座244a、第一本体244b和第一主臂244c。第一基座244a沿第一导轨242被可运动地安装。第一本体244b与第一基座244a联接。第一本体244b沿第三方向16被可运动地设置在第一基座244a上。此外，第一本体244b被可旋转地设置在第一基座244a上。第一主臂244c与第一本体244b联接，并且被设置成相对于第一本体244b向前和向后运动。第一主臂244c具有多个并且被设置成分别单独驱动。第一主臂244c沿第三方向16被彼此间隔开地竖直设置。当将基板W从第一缓冲单元220传送到第一处理室260时所使用第一主臂244c与当将基板W从第一处理室260传送到第一缓冲单元220时所使用的第一主臂244c可以不同。
设置第一处理室260以对基板W进行清洁工艺。基于所进行的清洁工艺的类型，每个第一处理室260可以具有不同的结构。根据一个实施方式，第一处理室260可以具有相同的结构。根据另一实施方式，第一处理室260被分成多个组，并且同一组的第一处理室260可以具有相同的结构，而来自不同组的第一处理室260可以具有不同的结构。例如，当第一处理室260被分成两组时，第一组的第一处理室260设置在第一传送单元240的一侧，第二组的第一处理室260设置在第一传送单元240的另一侧。根据另一实施方式，第一组的第一处理室260和第二组的处理室260可以都设置在第一传送单元240的一侧和另一侧，其中第一组的第一处理室260可以设置在底层中，并且第二组的第一处理室260可以设置在顶层中。第一组和第二组可以根据所使用的化学品的种类或清洁工艺的类型来划分。
第一处理室260可以被设置成稍后将描述的第一腔室300。与此不同，第一处理室260可以被设置成稍后将描述的第一腔室300和第二腔室800两者。
图4是图2的第二基板处理装置的示例的平面图。在下文中，参考图2，第二基板处理装置20包括第二转位模块600和第二工艺处理模块700。第二转位模块600包括第二装载端口620和第二传送框架640。第二装载端口620、第二传送框架640和第二工艺处理模块700依次成行设置。第二装载端口620、第二传送框架640和第二工艺处理模块700沿第一方向12设置。
存放基板W的第二载具630位于第二装载端口620上。设置有多个第二装载端口620，并且它们沿第二方向14成行设置。在图2中，作为示例，设置有四个第二载载端口620。然而，第二装载端口620的数目可以根据需要(例如工艺效率和第二工艺处理模块700的占空)而增加或减少。在第二载具630中，设置有多个槽(未示出)以支撑基板W的边缘。沿第三方向16设置有多个槽，并且多个基板W沿第三方向16被彼此竖直堆叠地置于第二载具630内。作为第二载具630，可以使用正面开口标准箱(FOUP)。
第二工艺处理模块700包括第二缓冲单元720、第二传送单元740和第二处理室760。第二传送单元740被设置成使得其纵向方向与第一方向12平行。第二处理室760沿第二方向14分别设置在第二传送单元740的一侧和另一侧。置于第二传送单元740的一侧和另一侧的第二处理室760基于第二传送单元740彼此对称地设置。第二处理室760中的一些沿第二传送单元740的纵向方向设置。此外，第二处理室760中的一些彼此竖直堆叠地放置。也就是说，在第二传送单元740的一侧，第二处理室760可以设置成A×B(A和B是1或更大的自然数)阵列。这里，A是沿第一方向12设置的第二处理室760的数目，B是沿第三方向16设置的第二处理室760的数目。当在第二传送单元740的一侧设置有四个或六个第二处理腔室760时，第二处理腔室760可以设置成2×2或3×2阵列。第二处理室760的数目可以增加或减少。与上述不同，第二处理室760可以仅设置在第二传送单元740的一侧。此外，与上述不同，第二处理室760可以在第二传送单元740的两侧设置成单层。
第二缓冲单元720设置在第二传送框架640和第二传送单元740之间。缓冲单元提供在第二传送单元740和第二传送框架640之间传送基板W之前用于使基板W暂时停留的空间。在第二缓冲单元720的内部设置有放置基板的槽(未示出)，并且沿第三方向16设置有多个彼此间隔开的槽(未示出)。第二缓冲单元720的面向第二传送框架640的一侧以及第二缓冲单元720的面向第二传送单元640的另一侧是开放的。
第二传送框架640在第二缓冲单元720和位于第二装载端口620上的第二载具630之间传送基板W。在第二传送框架640中，设置有第二转位轨道642和第二转位机械手644。第二转位轨道642被设置成使得纵向方向平行于第二方向14。第二转位机械手644安装在第二转位轨道642上，并且沿第二转位轨道642线性地运动到第二方向14。第二转位机械手644包括第二基座644a、第二本体644b和第二转位臂644c。第二基座644a沿第二转位轨道642被可运动地安装。第二本体644b与第二基座644a联接。第二本体644b沿第三方向16可运动地设置在第二基座644a上。此外，第二本体644b可旋转地设置在第二基座644a上。第二转位臂644c与第二本体644b联接，并且被设置成相对于第二本体644b前后运动。设置有多个第二转位臂644c以分别单独驱动。第二转位臂644c竖直地设置，即，沿第三方向16彼此间隔开。当将基板W从第二工艺处理模块700传送到第二载具630时可以使用第二转位臂644c中的一些，并且当将基板W从第二载具630传送到第二工艺处理模块700时可以使用第二转位臂644c中的一些。这可以防止在第二转位机械手644载入或载出基板W期间在处理工艺之前从基板W产生的颗粒在处理工艺之后粘附到基板W上。
第二传送单元740在第二处理室760之间以及在第二缓冲单元720和第二处理室760之间传送基板W。在第二传送单元740中设置有第二导轨742和第二主机械手744。第二导轨742被放置成使得其纵向方向与第一方向12平行。第二主机械手744安装在第二导轨742上，并且在第二导轨742上沿第一方向12线性地运动。第二主机械手744包括第二基座744a、第二本体744b和第二主臂744c。第二基座744a沿第二导轨742可运动地安装。第二本体744b与第二基座744a联接。第二本体744b沿第三方向16可运动地设置在第二基座744a上。此外，第二本体744b可旋转地设置在第二基座744a上。第二主臂744c结合到第二本体744b，并且被设置成相对于第二本体744b前后运动。第二主臂744c具有多个并且被设置成分别单独驱动。第二主臂744c垂直地设置，即，沿第三方向16彼此间隔开。当将基板W从第二缓冲单元720传送到第二处理室760时所使用的第二主臂744c与当将基板W从第二处理室760传送到第二缓冲单元720时所使用的第二主臂744c可以不同。
设置第二处理室760以对基板W进行清洁工艺。基于所进行的清洁工艺的类型，每个第二处理室760可具有不同的结构。根据一个实施方式，第二处理室760可以具有相同的结构。根据另一实施方式，第二处理室760被分成多个组，属于同一组的第二处理室760可以具有相同的结构，属于不同组的第二处理室760可以具有不同的结构。例如，当第二处理室760分成两组时，第一组的第二处理室760设置在第二传送单元740的一侧，第二组的第二处理室760设置在第二传送单元740的另一侧。根据另一实施方式，第一组的第二处理室760和第二组的第二处理室760可以都设置在第二传送单元740的一侧和另一侧，其中第一组的第二处理室760设置在底层中，并且第二组的第二处理室760设置在顶层中。第一组和第二组的第二处理室760中的每一个可以根据所使用的化学品的种类或清洁工艺的类型来划分。
第二处理室760可以设置成将要描述的第二腔室800。与此不同，第二处理室760可以具有稍后将描述的第二腔室800和第一腔室300两者。
控制器500控制第一传送单元240和第二传送单元740。控制器500控制第一传送单元240，使得当用第一处理液处理基板时，基板由第一卡盘销340支撑。控制器500控制第二传送单元740，使得当用第二处理液处理基板时，基板由第二卡盘销840支撑。这里，第一处理液可以具有比第二处理液更高的温度。
图5是图3的第一腔室的平面图。在下文中，参考图5，第一腔室300包括第一壳体310、第一容器320、第一旋转头330、第一加热单元339、第一升降单元360和第一喷射单元380。
第一壳体310在其中提供空间。第一容器320置于第一壳体310中。
第一容器320提供进行基板处理工艺的处理空间。第一容器320具有开口的上侧。第一容器320包括第一内收集容器322、第一中间收集容器324和第一外收集容器326。每个收集容器322、324、326收集在工艺中使用的处理液中彼此不同的处理液。第一内收集容器322具有环绕第一旋转头330的环形。第一中间收集容器324具有环绕第一内收集容器322的环形。第一外收集容器326具有环绕第一中间收集容器324的环形。第一内收集容器322的内部空间322a、第一内收集容器322与第一中间收集容器324之间的间隙324a以及第一中间收集容器324与第一外收集容器326之间的间隙326a可以用作各个处理液分别流入第一内收集容器322、第一中间收集容器324和第一外收集容器326的入口。各个收集容器322、324、326分别连接有从收集容器322、324、326的底部竖直向下延伸的收集管线322b、324b、326b。各个收集管线322b、324b、326b分别排放通过各个收集容器322、324、326流入的处理液。排出的处理液可以通过外部的处理液再生系统(未示出)被再利用。
第一旋转头330被置于第一容器320中。第一旋转头330支撑基板W并在基板处理工艺期间旋转基板W。第一旋转头330包括第一支撑板332、第一支撑销350、第一卡盘销340、加热单元335和第一支撑轴339。当俯视时，第一支撑板332具有通常设置成圆形的上表面。在第一支撑板332的底部固定连接有通过第一马达339可转动的第一支撑轴339。第一支撑销350设置有多个。多个支撑销350彼此间隔地设置在第一支撑板332的上表面的边缘上并且从第一支撑板332向上突出。第一支撑销334通常设置成具有环形。第一支撑销350支撑基板W的背侧以使其与第一支撑板332的上表面间隔开。
加热单元335置于第一旋转头330中。加热单元335置于第一支撑板332中。加热单元335加热放置在支撑板332上的基板W。在示例中，加热单元335可以设置成可产生热量的灯。在示例中，灯可以设置成IR灯。
图13示出了图5的第一旋转头的一部分。参考图13，第一卡盘销340安装在卡盘杆348上。第一卡盘销340位于卡盘杆348的端部。在卡盘杆348的端部，第一卡盘销340设置成在第一支撑销332的顶表面上方突出。第一卡盘销340设置有多个。第一卡盘销340可以具有与卡盘杆348相同的数目。在示例中，可以设置六个第一卡盘销340。第一卡盘销340比第一支撑销350更远离第一支撑板332的中心放置。第一卡盘销340支撑基板W的侧部，使得当第一旋转头330旋转时基板W不会从正确位置向侧向偏离。第一卡盘销340被设置成在支撑位置和待用位置之间运动，以分别支撑和放开基板W的侧部。待用位置比支撑位置更远离第一支撑板332的中心。当将基板W装载到第一旋转头330中或从第一旋转头330卸载时，第一卡盘销340处于待用位置，而当对基板进行处理时，第一卡盘销340处于支撑位置。在支撑位置，第一卡盘销340与基板的侧部接触。
在第一支撑板332中，放置有基座346。基座346设置成圆形的板。基座346被设置为包含传导材料的材料。在示例中，基座346可以具有树脂或铝材料。
凸轮349安装在基座346上。凸轮349置于基座346的顶部上。凸轮349的中心可以置于基座346的中心的顶部上。凸轮349可以具有比基座346更小的面积。当俯视时，凸轮349形成圆形。在凸轮349中形成有突起部(未示出)。突起部设置有多个。在示例中，突出部的数目可以与卡盘杆348的数目相同。凸轮349可以与凸轮驱动器(未示出)连接。凸轮驱动器(未示出)使凸轮349旋转。突出部将卡盘杆348推向基座346的外部方向，使得当凸轮349旋转时，卡盘杆348可以线性运动。
卡盘杆348根据凸轮349的旋转而线性运动。卡盘杆348位于基座346的半径方向上。卡盘杆348的纵向方向可以是基座346的半径方向。卡盘杆348的一端可以与凸轮349的突出部接触。突出部根据凸轮349的旋转推动卡盘杆348的一端。卡盘杆348的运动使得第一卡盘销340根据凸轮349的旋转而处于待用位置或支撑位置。支撑位置是在凸轮349旋转之前的位置。待用位置是在凸轮349旋转从而卡盘杆348线性运动之后的位置。支撑位置是第一卡盘销340支撑基板W的侧部的位置。待用位置是第一卡盘销340不支撑基板W的位置。
卡盘杆348设置有多个。在示例中，可以设置有六个卡盘杆348。多个卡盘杆348置于基座346的半径方向上，并且各个卡盘杆348可以彼此间隔开。卡盘杆348和凸轮349位于同一平面。卡盘杆348设置在基座346的顶部。
卡盘杆348可以具有包含传导材料的金属材料。在示例中，卡盘杆348可以具有树脂或铝材料。另一方面，卡盘杆348可以具有具有传导性的传导材料。
杆导引件347导引卡盘杆348的线性运动。在杆导引件347中形成有通孔(未示出)。卡盘杆348插入通孔中。当俯视时，杆导引件347可以具有矩形形状。杆导引件347被放置成使得其纵向方向平行于凸轮349的切线方向。杆导引件347位于凸轮349的外侧。杆导引件347安装在基座346上。杆导引件347置于基座346的顶部上。杆导引件347可以具有包含传导材料的材料。在示例中，杆导引件347可以具有包含铝或树脂的材料。
图6是图5的第一卡盘销的横截面图。在下文中，参考图6，第一卡盘销340包括彼此具有不同的材料的第一外本体341和第一内本体343。第一外本体341可以具有第一材料。第一外本体341在其后侧具有第一凹槽345，基板W的端部与第一凹槽345接触。第一外本体341可以设置成包围第一内本体343的侧部，并且可选地包围第一内本体343的顶部。第一内本体343置于第一外本体341的内部。第一内本体343可以设置成插入在第一外本体341中。第一内本体343设置成杆状。第一内本体343具有第二材料。第一材料和第二材料中的一种可以包括具有比第一材料和第二材料中的另一种更低的导热性和更好的耐热性的材料。在示例中，第一材料可以具有陶瓷材料。在示例中，陶瓷材料可以具有碳化硅和树脂材料。第二材料可以被设置为树脂材料。在示例中，树脂材料可以具有全氟烷氧基(PFA)。陶瓷材料具有比树脂材料更低的导热性和更好的耐热性。
与上述示例不同，第一外本体341可以具有第二材料，并且第一内本体343可以具有第一材料。
图7至图11是图6的第一卡盘销的另一实施方式。参考这些图，图7的第一卡盘销340a包括具有第一材料的第一外本体341a和具有第二材料的第一内本体343a。图7的第一卡盘销340a类似于图6的第一卡盘销340设置。第一内本体343a的顶部设置在第一外本体341a的顶部上方。第一外本体341a被设置成包围第一内本体343a的侧部。在第一内本体343a处形成有与基板W的端部接触的第一凹槽345a。
图8的第一卡盘销340b包括具有第一材料的第一内本体343b和具有第二材料的第一外本体341b。图8的第一卡盘销340b类似于图6的第一卡盘销340设置。然而，第一内本体343b被设置成使得其长度短于图6的第一内本体343。第一内本体343b的底部可以置于第一外本体341b的内部。也就是说，第一内本体343b的底部处于高于第一外本体341b的底部的水平。
图9的第一卡盘销340c包括具有第一材料的第一外本体341c和具有第二材料的第一内本体343c。图9的第一卡盘销340c类似于图6的第一卡盘销340设置。然而，第一内本体343c的底部被设置成突出到第一外本体341c的外部。也就是说，第一内本体343b的底部的高度低于第一外本体341b的底部。
图10的第一卡盘销340d包括具有第一材料的第一外本体341d和具有第二材料的第一内本体343d。图10的第一卡盘销340d类似于图6的第一卡盘销340设置。然而，图10的第一卡盘销340d被设置成使得第一内本体343d与第一外本体341d的横截面积之比小于图6的第一内本体343与第一外本体341的横截面积之比。第一内本体343d的横截面积小于图6的第一内本体343的横截面积。
图11的第一卡盘销340e包括具有第一材料的第一外本体341e和具有第二材料的第一内本体343e。图11的第一卡盘销340e类似于图6的第一卡盘销340设置。然而，图11的第一卡盘销340e被设置成使得第一内本体343e与第一外本体341e的横截面积之比大于图6的第一内本体343与第一外本体341的横截面积之比。第一内本体343e的横截面积大于图6的第一内本体343的横截面积。
图12是图5的第一支撑销的横截面图。在下文中，参考图12，当用具有高温度的处理液处理基板W时，第一支撑销350可以具有单一材料。在示例中，第一支撑销350可以具有第一材料。在示例中，第一材料可以具有陶瓷材料。然而，当通过供应不是高温处理液的处理液来处理基板W时，第一支撑销350可以具有双材料的第二支撑销850的各种实施方式中的材料。
再次参考图5，第一升降单元360使第一容器320线性地向向上方向和向下方向运动。随着第一容器320上下运动，第一容器320相对于第一旋转头330的高度改变。第一升降单元360包括第一支架362、第一运动轴364和第一驱动器366。
第一支架362固定地安装在第一容器320的外壁上。通过第一驱动器366在上下方向上运动的第一运动轴364固定地与第一支架362联接。当基板W被放置在第一旋转头330上或当基板W被从第一旋转头330抬起时，第一容器320下降，使得第一旋转头330从第一容器320中突出。此外，在处理期间，控制第一容器320的高度，使得处理液根据供应到基板W中的处理液的种类而流入预定的收集容器322、324、326中。
在示例中，当用第一处理液处理基板W时，基板W被放置在与第一内收集容器322的内部空间322a对应的高度上。此外，当用第二处理液和第三处理液处理基板W时，基板W分别被放置在与第一内收集容器322和第一中间收集容器324之间的间隙324a和第一中间收集容器324和第一外收集容器326之间的间隙326a对应的高度上。与上述不同，第一升降单元360可以使第一旋转头330而不是第一容器320在上下方向上运动。
当处理基板W时，第一喷射单元380将处理液供给到基板W。
第一喷射单元380向放置在第一旋转头330中的基板W供应液体。第一喷射单元380包括第一喷嘴支撑部382、第一喷嘴384、第一支撑轴386和第一驱动器388。
第一支撑轴386被设置成使得其纵向方向与第三方向16平行，并且第一驱动器388联接在第一支撑轴386的底部。第一驱动器388旋转并向上和向下升降第一支撑轴386。第一喷嘴支撑部382与第一支撑轴386的一端(与第一驱动器388所联接到的第一支撑轴386的另一端相对)垂直联接。第一喷嘴384安装在第一喷嘴支撑部862的一端的底部。第一喷嘴384通过第一驱动器388被运动到加工位置和待用位置。加工位置是第一喷嘴384竖直地处于第一容器320上方的位置，而待用位置是第一喷嘴384没有竖直地处于第一容器320上方的位置(例如，在加工位置之外)。第一喷嘴384通过从液体供应部件370供应液体而将液体供给到基板W。
第一喷射单元380可以设置有一个或多个。当第一喷射单元380设置有多个时，可以通过不同的第一喷射单元380提供化学品、冲洗液或有机溶剂。冲洗液可以是去离子水，有机溶剂可以是惰性气体和异丙醇气体或异丙醇液体的混合溶液。
第一喷射单元380可以将第一处理液供给到基板。在示例中，第一处理液可以将高温化学品供给到基板。在示例中，化学品可以具有磷酸。在示例中，处理液的温度可以为150-220℃。
图14是图4的第二腔室的横截面图。在下文中，参考图14，第二腔室800包括第二壳体810、第二容器820、第二旋转头830、第二升降单元860和第二喷射单元880。
第二壳体810在其中提供有空间。第二容器812置于第二壳体810中。
第二容器820提供进行基板处理工艺的处理空间。第二容器820具有开口的上侧。第二容器820包括第二内收集容器822、第二中间收集容器824和第二外收集容器826。每个收集容器822、824、826收集在工艺中使用的处理液中彼此不同的处理液。第二内收集容器822被设置成环绕第二旋转头830的环形。第二中间收集容器824被设置成环绕第二内收集容器822的环形。第二外收集容器826被设置成环绕第二中间收集容器824的环形。第二内收集容器822的内部空间822a、第二内收集容器822和第二中间收集容器824之间的第二间隙824a以及第二中间收集容器824和第二外收集容器826之间的间隙826a可以用作处理液分别流入第二内收集容器822、第二中间收集容器824和第二外收集容器826的入口。各个收集容器822、824、826分别连接有从收集容器822、824、826的底部竖直向下延伸的收集管线822b、824b、826b。各个收集管线822b、824b、826b分别通过各个收集容器822、824、826排放处理液流入物。排出的处理液可以通过外部的处理液再生系统(未示出)被再利用。
第二旋转头830被置于第二容器820中。第二旋转头830在基板处理工艺期间支撑基板W并且旋转基板W。第二旋转头830包括第二支撑板832、第二支撑销850、第二卡盘销840和第二支撑轴838。当俯视时，第二支撑板832具有通常设置成圆形的上表面。在第二支撑板832的底部固定连接有通过第二马达839可旋转的第二支撑轴838。第二支撑销850设置有多个。多个第二支撑销850彼此间隔地设置在第二支撑板832的上表面的边缘处并且从第二支撑板832向上突出。第二支撑销850通常设置成具有环形。第二支撑销850支撑基板W的背侧以使其与第二支撑板832的上表面间隔开。
第二卡盘销840设置有多个。第二卡盘销840比第二支撑销850更远离第二支撑板832的中心放置。第二卡盘销840被设置成在第二支撑板832上方突出。第二卡盘销840支撑基板W侧部，使得当第二旋转头830旋转时，基板W不会从正确位置向侧向偏离。第二卡盘销840被设置成在支撑位置和待用位置之间运动。待用位置比支撑位置更远离第二支撑板832的中心。当将基板W装载到第二旋转头830中或从第二旋转头830卸载时，第二卡盘销840处于待用位置，而当对基板进行处理时，第二卡盘销840处于支撑位置。在支撑位置，第二卡盘销840与基板的侧部接触。
图15是图14的第二卡盘销840的横截面图。在下文中，参考图15，第二卡盘销840包括彼此具有不同材料的第二外本体841和第二内本体843。第二外本体841置于第二卡盘销840的外部。第二外本体841可以被设置为第二材料。在第二外本体841的侧部形成有第二凹槽845，基板W的端部与第二凹槽845接触。第二外本体841可以设置成包围第二内本体843的侧部，并且可选地包围第二内本体843的顶部。第二内本体843设置在第二外本体841的内部。第二内本体843可被设置成插入第二外本体841中。第二内本体843具有杆状。第二内本体843具有第二材料。第一材料和第二材料中的任一种可以包括具有比第一材料和第二材料中的另一种更低的导热性和更好的耐热性的材料。在示例中，第二材料可以具有陶瓷材料。在示例中，陶瓷材料可以具有碳化硅材料。第一材料可以被设置为树脂材料。在示例中，树脂材料可以具有全氟烷氧基(PFA)。陶瓷材料具有比树脂材料更低的导热性和更好的耐热性。
图16至图22示出了图15的第二卡盘销的其它实施方式。在下文中，参考图16，第二卡盘销840a类似于图15的第二卡盘销840设置。然而，第二外本体841a被设置为第一材料，并且第二内本体843a被设置为第二材料。
在示例中，第一材料可以被设置为陶瓷材料。在示例中，陶瓷材料可以具有碳化硅材料。第二材料可以被设置为树脂材料。在示例中，树脂材料可以具有全氟烷氧基(PFA)。陶瓷材料具有比树脂材料更低的导热性和更好的耐热性。
图17的第二卡盘销840b包括具有第二材料的第二外本体841b和具有第一材料的第二内本体843b。图17的第二卡盘销840b类似于图16的第二卡盘销840a设置。第二内本体843b的顶部可以置于第二外本体841b的顶部上方。第二外本体841b设置成包围第二内本体843b的侧部。第二内本体843b具有与基板W的端部接触的第二凹槽845b。
图18的第二卡盘销840c包括具有第一材料的第二外本体841c和具有第二材料的第二内本体843c。图18的第二卡盘销840c类似于图17的第二卡盘销840b设置。
图19的第二卡盘销840d包括具有第二材料的第二外本体841d和具有第一材料的第二内本体843d。图19的第二卡盘销840d类似于图16的第二卡盘销840a设置。然而，第二内本体843d被设置成使得其长度短于图15的第二内本体843。第二内本体843d的底部可以设置在第二外本体841d的内部。
图20的第二卡盘销840e包括具有第二材料的第二外本体841e和具有第一材料的第二内本体843e。图20的第二卡盘销840e类似于图15的第二卡盘销840设置。然而，第二内本体843e的底部被设置成突出到第二外本体841e的外部。
图21的第二卡盘销840f包括具有第二材料的第二外本体841f和具有第一材料的第二内本体843f。图21的第二卡盘销840f类似于图15的第二卡盘销840设置。然而，图21的第二卡盘销840f被设置成使得第二内本体843f与第二外本体841f的横截面积之比小于图15的第二内本体843与第二外本体841的横截面积之比。也就是说，图21的第二内本体843f的横截面积小于图15的第二内本体843的横截面积。
图22的第二卡盘销840g包括具有第二材料的第二外本体841g和具有第一材料的第二内本体843g。图22的第二卡盘销840g类似于图15的第二卡盘销840设置。然而，图22的第二卡盘销840g被设置成使得第二内本体843g与第二外本体841g的横截面积之比大于图15的第二内本体843与第二外本体841的横截面积之比。也就是说，图22的第二内本体843g的横截面积大于图15的第二内本体843的横截面积。
在参考图18至图22的实施方式中，第二外本体841具有第二材料，而第二内本体843具有第一材料。然而，第二外本体841可以具有第一材料，而第二内本体843可以具有第二材料。
图23是图14的第二支撑销的横截面图。在下文中，参考图23，第二支撑销850包括第一本体851和第二本体853。第一本体851的顶部与基板W接触。第一本体851可以被设置成使得其横截面积随着朝向顶部而减小的形状。第一本体851可以被设置为第二材料。第二本体853与第一本体851的底部联接。第二本体853可以具有第一材料。
第一材料和第二材料中的任何一种可以包括具有比第一材料和第二材料中的另一种更低的导热性和更好的耐热性的材料。在示例中，第一材料可以具有陶瓷材料。在示例中，陶瓷材料可以具有碳化硅材料。第二材料可以被设置成树脂材料。在示例中，树脂材料可以具有全氟烷氧基(PFA)。陶瓷材料具有比树脂材料更低的导热性和更好的耐热性。
图24至31示出了图23的第二支撑销的其它实施方式。参考图24，第二支撑销850a类似于图23的第二卡盘销850设置。然而，第二支撑销850a的本体851a具有第一材料。第二本体853a具有第二材料。
图25的第二支撑销850b包括具有第一材料的第一本体851b和具有第二材料的第二本体853b。第一本体851b被设置成包围第二本体853b的侧部并可选地包围第二本体853b的顶部。第二本体853b插入第一本体851b中并且具有杆状。
图26的第二支撑销850c类似于图25的第二支撑销850b设置。第二支撑销850c的第一本体851c具有第二材料。第二本体853c具有第一材料。
图27的第二支撑销850d类似于图25的第二支撑销850b设置。第二支撑销850d的第二本体853d的底部被设置成突出到第一本体851d的外部。
图28的第二支撑销850e类似于图27的第二支撑销850d设置。第二支撑销850e包括具有第二材料的第一本体851e和具有第一材料的第二本体853e。
图29的第二支撑销850f类似于图25的第二支撑销850b设置。然而，第二支撑销850f被设置成使得第二本体853f与第一本体851f的横截面积之比小于图25的第二本体853b与第一本体851b的横截面积之比。图29的第二本体853f的横截面积小于图25的第二本体853b的横截面积。
图30的第二支撑销850g类似于图25的第二支撑销850b设置。然而，第二支撑销850g被设置成使得第二本体853g与第一本体851g的横截面积之比大于图25的第二本体853b与第一本体851b的横截面积之比。图29的第二本体853g的横截面积大于图25的第二本体853b的横截面积。
图31的第二支撑销850h包括具有第一材料的第一本体851h和具有第二材料的第二本体853h。第二本体853h的顶部置于第一本体851h的顶部上方。第一本体851h被设置成包围第二本体853h的侧部。
再次参考图14，第二升降单元860使第二容器820线性地沿向上方向和向下方向运动。随着第二容器820上下运动，第二容器820相对于第二旋转头830的高度改变。第二升降单元860包括第二支架862、第二运动轴864和第二驱动器866。
第二支架862固定地安装在第二容器820的外壁上。通过第二驱动器866沿向上方向和向下方向运动的第二运动轴864固定地联接到第二支架862。当基板W被放置在第二旋转头830上或当基板W被从第二旋转头830抬起时，第二容器820下降，使得第二旋转头830从第二容器820向上突出。此外，在加工期间，控制第二容器820的高度，使得根据供应到基板W中的处理液的种类而使处理液流入预定的收集容器822、824、826中。
在示例中，当用第一处理液处理基板W时，基板W被放置在与第二内收集容器822的内部空间822a对应的高度上。此外，当用第二处理液和第三处理液处理基板W时，基板W分别被放置在与第二内收集容器822和第二中间收集容器824之间的间隙824a以及第二中间收集容器824和第二外收集容器826之间的间隙826a对应的高度上。与上述不同，第二升降单元860可以使第二旋转头830而不是第二容器820在向上向下方向上运动。
当处理基板W时，第二喷射单元880向基板W供应处理液。
第二喷射单元880向放置在第二旋转头830中的基板W供应液体。第二喷射单元880包括第二喷嘴支撑部882、第二喷嘴884、第二支撑轴886和第二驱动器888。
第二支撑轴886被设置成使得其纵向方向与第三方向16平行，并且第二驱动器888联接在第二支撑轴886的底部。第二驱动器888旋转并上下升降第二支撑轴886。第二喷嘴支撑部882与第二支撑轴886的一端(与第二驱动器888所联接到的第二支撑轴886的另一端相对)垂直联接。第二喷嘴884安装在第二喷嘴支撑部862的一端的底部。第二喷嘴884通过第二驱动器884运动到加工位置和待用位置。加工位置是第二喷嘴884竖直地处于第二容器820上方的位置，而待用位置是第二喷嘴884没有竖直地处于第二容器820的竖直顶端上方的位置(例如，偏离出加工位置)。
第二喷射单元880可以设置有一个或多个。当第二喷射单元880设置有多个时，可以通过不同的第二喷射单元880供应化学品、冲洗液或有机溶剂。冲洗液可以是去离子水，有机溶剂可以是惰性气体和异丙醇气体或异丙醇液体的混合溶液。
在第二喷射单元880中供应的处理液可以供应50-100℃之间的低温处理液。在示例中，处理液可以是含有硫酸的处理液。
图32是根据本发明的实施方式的基板处理装置的平面图。在下文中，参考图32，图32的基板处理装置5包括第三基板处理装置30。第三基板处理装置30包括第三转位模块1000和第三工艺处理模块2000。实质上，第三转位模块1000与第一基板处理装置10的第一转位模块100相同地设置。
第三工艺处理模块2000包括第三缓冲单元2200、第三传送单元2400和第三处理室2600。实质上，第三工艺处理模块2000的第三缓冲单元2200和第三传送单元2400与第一工艺处理模块200的第一缓冲单元220和第一传送单元240相同地设置。第三处理室2600包括第一腔室300和第二腔室800。
第三处理室2600可以根据化学品的种类和温度来处理第一腔室300或第二腔室800上的基板。
控制器9000可以控制第三传送单元，使得可以根据化学品的种类和温度在第一腔室300或第二腔室800中处理基板。
图33至图37示出了根据本发明的实施方式的第一卡盘销340和第二卡盘销840的相互关系。根据本发明的实施方式，第一卡盘销的相互关系与第二卡盘销的相互关系彼此不同。
相互关系可以是外本体341、841和内本体343、843的横截面积之比。第一外本体341与第一内本体343的横截面积之比和第二外本体841与第二内本体843的横截面积之比可不相同，例如，可以不同。在示例中，如图33所示，可以将第一外本体341与第一内本体343的横截面积之比设置为大于第二外本体841与第二内本体843的横截面积之比。在这种情况下，用具有高温的第一处理液处理由第一卡盘销340支撑的基板W，并且用具有低温的第二处理液处理由第二卡盘销840支撑的基板W。与此不同，可以将第一外本体341与第一内本体343的横截面积之比设置为小于第二外本体841与第二内本体843的横截面积之比。
相互关系可以是外本体341、841和内本体343、843的长度之比。在示例中，第一外本体341与第一内本体343的长度之比和第二外本体841与第二内本体843的长度之比不一定相同，例如，可以不同。在示例中，例如图34，第一外本体341与第一内本体343的长度之比可以小于第二外本体841与第二内本体843的长度之比。与此不同，第一外本体341与第一内本体343的长度之比可以大于第二外本体841与第二内本体843的长度之比。
相互关系可以是内本体343、843是否突出到外本体341、841的外部。在示例中，如图35所示，第一内本体343可以不突出到第一外本体341外部，例如，第一内本体343可以置于第一外本体341的内部，而第二内本体843可以突出到第二外本体841的外部。与此不同，第一内本体343可以突出到第一外本体341的外部，而第二内本体843可以置于第二外本体841的内部。根据一些实施方式，第一内本体343可以置于第一外本体341的内部，并且第二内本体843可以置于第二外本体841的内部。根据一些实施方式，第一内本体343可以突出到第一外本体341的外部，并且第二内本体843可以突出到第二外本体841的外部。
相互关系可以是外本体341、841与内本体343、843之间的材料的关系。在示例中，相互关系可以包括在第一外本体341和第一内本体343之间提供不同的材料，并在第二外本体841和第二内本体843之间提供相同的材料。在示例中，如图36所示，第一外本体341和第一内本体343可以具有不同的材料，并且第二外本体841和第二内本体843可以具有不同的材料。在这种情况下，第一外本体341和第二外本体841或第二内本体843可以具有相同或不同的材料。第一内本体343和第二内本体843或第二外本体841可以具有相同或不同的材料。
相互关系可以包括第一外本体341和第二内本体843之间以及第二外本体841和第一内本体343之间的材料的关系。在示例中，第一外本体341和第二内本体843可以具有第一材料或者具有第二材料，而第二外本体841和第一内本体343可以具有第二材料或者具有第一材料。如图37所示，第一外本体341和第二内本体843可以具有第一材料，而第一内本体343和第二外本体841可以具有第二材料。在这种情况下，用具有高温的第一处理液处理由第一卡盘销340支撑的基板W，并且用具有低温的第二处理液处理由第二卡盘销840支撑的基板W。第一材料和第二材料中的任何一种材料可以包括具有比第一材料和第二材料中的另一个更低的导热性和更好的耐热性的材料。然而，第二材料可以具有比第一材料更低的导热性和更好的耐热性。
与上述不同，第一外本体341和第二内本体843可以具有第二材料，而第一内本体343和第二外本体841可以具有第一材料。
在一些实施方式中，第一卡盘销340和第二卡盘销840可以根据选自材料、长度、横截面积之比以及内本体是否突出到外本体外部当中的至少两个而被不同地设置。
如上所述，本发明可以通过根据处理液的温度将卡盘销设置以双重材料并且通过设置材料、长度、横截面积之比以及内本体是否突出到外本体外部的状态中的一个或多个因素来提高处理基板W的工艺效率，从而根据工艺提供具有优化的导热性和耐热性的卡盘销。
具体地，本发明可以通过提供不同材料的卡盘销来根据工艺提供具有不同导热性的卡盘销。
此外，本发明可以通过根据处理液的温度将支撑销设置以双重材料并且通过设置材料、长度、横截面积之比以及内本体是否突出到外本体外部的状态中的一个或多个因素来提高处理基板W的工艺效率，从而根据工艺提供具有优化的导热性和耐热性的支撑销。
前述实施方式是本发明的示例。此外，上述内容仅示出和描述了优选实施方式，而实施方式可以包括各种组合、改变和情形。也就是说，本领域技术人员将理解，在不脱离由所附权利要求及其等价方案限定的范围、原理和精神的情况下，可以对这些实施方式进行替换，修改和改变。此外，并非意在使本申请的范围限于这些具体实施方式或其具体特征或有益效果。而是，意在使本申请的范围仅限于所附权利要求及其等价方案。

Claims (23)

1.一种基板处理装置，包括：
第一腔室，用于通过供应第一处理液来处理所述基板；和
第二腔室，用于通过供应第二处理液来处理所述基板；
其中所述第一腔室包括第一旋转头，所述第一旋转头包括用于在所述基板的侧部支撑所述基板的第一卡盘销和用于向放置在所述第一旋转头上的所述基板供应所述第一处理液的第一喷射单元，
其中所述第二腔室包括第二旋转头，所述第二旋转头包括用于从所述基板的侧部支撑所述基板的第二卡盘销和用于向放置在所述第二旋转头上的基板供应所述第二处理液的第二喷射单元，
其中所述第一卡盘销包括具有彼此不同材料的第一外本体和第一内本体，
其中所述第二卡盘销包括具有彼此不同材料的第二外本体和第二内本体，并且
其中所述第一外本体和所述第一内本体之间的相互关系被设置成不同于所述第二外本体和所述第二内本体之间的相互关系，
其中所述相互关系包括所述外本体和所述内本体具有什么材料，其中所述第一外本体和所述第二内本体两者具有第一材料，并且所述第二外本体和所述第一内本体两者具有第二材料，并且其中所述第一材料具有比所述第二材料低的导热性和好的耐热性，
其中所述第一材料包括陶瓷材料，并且所述第二材料具有树脂材料，
其中所述相互关系包括所述外本体和所述内本体之间的横截面积之比、所述外本体和所述内本体之间的长度之比以及所述内本体是否突出到所述外本体的外部。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述陶瓷材料包括碳化硅，并且所述树脂材料具有全氟烷氧基(PFA)。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一外本体在其侧部具有第一凹槽，并且所述基板的端部与所述第一凹槽接触，其中所述第一内本体具有杆状，所述第二外本体在其侧部具有第二凹槽，并且所述基板的端部与所述第二凹槽接触，其中所述第二内本体具有杆状。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一外本体被设置成包围所述第一内本体的侧部和顶部，并且所述第二外本体被设置成包围所述第二内本体的侧部和顶部。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一外本体被设置成包围所述第一内本体的侧部，其中所述第一内本体的顶部处于高于所述第一外本体的顶部的水平，其中所述第二外本体被设置成包围所述第二内本体的侧部，并且其中所述第二内本体的顶部处于高于所述第二外本体的顶部的水平。
6.根据权利要求2至5中任一项所述的基板处理装置，其中所述第一外本体和所述第二内本体具有所述第一材料，并且其中所述第二外本体和所述第一内本体具有所述第二材料。
7.根据权利要求2至5中任一项所述的基板处理装置，其中所述第一外本体和所述第二内本体具有所述第二材料，并且其中所述第二外本体和所述第一内本体具有所述第一材料。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一旋转头还包括用于在所述基板的底部支撑所述基板的第一支撑销，其中所述第二旋转头还包括用于在所述基板的所述底部支撑所述基板的第二支撑销，其中所述第二支撑销包括彼此具有不同材料的第一本体和第二本体，其中所述第一本体和所述第二本体中的每一个具有第一材料或第二材料中的任一种，并且其中所述第一材料和所述第二材料中的一种具有比所述第一材料和所述第二材料中的另一种低的导热性和好的耐热性。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中所述第一材料包括陶瓷材料，并且所述第二材料具有树脂材料。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中所述陶瓷材料包括碳化硅，并且所述树脂材料具有全氟烷氧基(PFA)。
11.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中所述第一本体的顶部与所述基板的底部接触，并且所述第二本体与所述第一本体的底部联接。
12.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中所述第一本体被设置成包围所述第二本体的侧部和顶部，并且其中所述第二本体具有杆状。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的基板处理装置，其中所述第一本体具有所述第一材料，并且所述第二本体具有所述第二材料。
14.根据权利要求8至12中任一项所述的基板处理装置，其中所述第一本体具有所述第二材料，并且所述第二本体具有所述第一材料。
15.根据权利要求1至5及8至12中任一项所述的基板处理装置，包括：第一基板处理装置和第二基板处理装置，
其中所述第一基板处理装置包括第一转位模块和第一工艺处理模块，所述第一转位模块包括其上放置容纳所述基板的容器的第一装载端口和用于将所述基板传送到所述第一装载端口的第一转位机械手，并且所述第一工艺处理模块包括用于处理所述基板的多个第一处理室和用于将所述基板传送到所述第一处理室的第一传送单元，
其中所述第二基板处理装置包括第二转位模块和第二工艺处理模块，所述第二转位模块包括其上放置容纳所述基板的容器的第二装载端口和用于将所述基板传送到所述第二装载端口的第二转位机械手，并且所述第二工艺处理模块包括多个用于处理所述基板的第二处理室和用于将所述基板传送到所述第二处理室的第二传送单元，
其中所述第一处理室包括所述第一腔室，并且
其中所述第二处理室包括所述第二腔室。
16.根据权利要求1至5及8至12中任一项所述的基板处理装置，包括：第一基板处理装置和第二基板处理装置，
其中所述第一基板处理装置包括第一转位模块和第一工艺处理模块，所述第一转位模块包括其上放置容纳所述基板的容器的第一装载端口和用于将所述基板传送到所述第一装载端口的第一转位机械手，并且所述第一工艺处理模块包括多个用于处理所述基板的第一处理室和用于将所述基板传送到所述第一处理室的第一传送单元，
其中所述第二基板处理装置包括第二转位模块和第二工艺处理模块，所述第二转位模块包括其上放置容纳所述基板的容器的第二装载端口和用于将所述基板传送到所述第二装载端口的第二转位机械手，并且所述第二工艺处理模块包括多个用于处理所述基板的第二处理室和用于将所述基板传送到所述第二处理室的第二传送单元，
其中所述第一处理室包括所述第一腔室和所述第二腔室。
17.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中，所述第一处理液的温度高于所述第二处理液的温度。
18.根据权利要求15所述的基板处理装置，其中所述第一基板处理装置包括加热所述基板并位于所述第一旋转头中的加热单元。
19.根据权利要求15所述的基板处理装置，还包括用于控制所述第一传送单元和所述第二传送单元的控制器，其中所述控制器控制所述第一传送单元，使得用所述第一处理液处理所述基板时，所述基板由所述第一卡盘销支撑；并且所述控制器控制所述第二传送单元，使得用所述第二处理液处理所述基板时，所述基板由所述第二卡盘销支撑。
20.一种使用根据权利要求1至5中任一项所述的基板处理装置处理基板的方法，所述方法包括：通过供应所述第一处理液来处理由所述第一卡盘销支撑的所述基板，和通过供应所述第二处理液来处理由所述第二卡盘销支撑的所述基板。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述第一处理液具有比所述第二处理液更高的温度。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述第一处理液包含酸，并且其中所述第二处理液包含硫酸。
23.根据权利要求20所述的方法，其中所述第二旋转头还包括用于在所述基板的底部支撑所述基板的第二支撑销，其中所述第二支撑销包括第一材料的第一主体和第二材料的第二主体，并且其中所述第一材料和所述第二材料中的一种具有比所述第一材料和所述第二材料中的另一种低的导热性和好的耐热性。
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