KR101317328B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents
기판 처리 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101317328B1 KR101317328B1 KR1020110127649A KR20110127649A KR101317328B1 KR 101317328 B1 KR101317328 B1 KR 101317328B1 KR 1020110127649 A KR1020110127649 A KR 1020110127649A KR 20110127649 A KR20110127649 A KR 20110127649A KR 101317328 B1 KR101317328 B1 KR 101317328B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- supported
- pair
- main body
- end side
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 183
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 25
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910000975 Carbon steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000010962 carbon steel Substances 0.000 claims abstract description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 54
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 36
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 36
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 36
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N copper zinc Chemical compound [Cu].[Zn] TVZPLCNGKSPOJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 36
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 36
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 36
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910017755 Cu-Sn Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910017927 Cu—Sn Inorganic materials 0.000 claims description 18
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 18
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 18
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 18
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 18
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 18
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 18
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 12
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 claims 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1313—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells specially adapted for a particular application
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
기판 처리 장치가 개시된다. 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 지지핀이 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강으로 형성된 캡에 의하여 씌워지거나, 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 코팅되거나, 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 형성된다. 따라서, 지지핀에 의하여 기판에 스크래치가 발생되는 것이 방지되므로, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
Description
본 발명은 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지한 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치는, 평판 디스플레이의 제조시 사용되며, 증착(Vapor Deposition) 장치와 어닐링(Annealing) 장치로 대별된다.
증착 장치는 평판 디스플레이의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 장치로써, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등과 같은 화학기상 증착 장치와 스퍼터링(Sputtering) 등과 같은 물리기상 증착 장치가 있다.
그리고, 어닐링 장치는 기판에 막을 증착을 한 후, 증착된 막의 특성을 향상시키는 장치로써, 증착된 막을 결정화 또는 상 변화시키는 열처리 장치이다.
일반적으로, 열처리 장치는 하나의 기판을 열처리하는 매엽식(Single Substrate Type)과 복수의 기판을 열처리하는 배치식(Batch Type)이 있다. 매엽식 열처리 장치는 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어, 대량 생산에는 배치식 열처리 장치가 많이 사용된다.
배치식 열처리 장치에는 열처리 공간을 제공하는 챔버가 형성되고, 챔버에는 챔버로 로딩된 복수의 기판을 각각 지지하는 홀더 등과 같은 지지부재가 필수적으로 사용된다. 그리고, 지지부재에는 기판의 전체면을 균일하게 지지하여 기판이 자중에 의하여 변형되는 것을 방지한 복수의 지지핀이 형성된다.
상기와 같은 종래의 기판 처리 장치는, 지지핀에 의하여 기판에 스크래치가 발생한다. 이로 인해, 제품의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.
기판 처리 장치와 관련한 선행기술은 한국공개특허공보 10-2010-0060085호 등에 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하여 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체; 상호 대향되게 배치된 한쌍이 세트를 이루면서 상기 본체의 내부 전면측 및 후면측에 각각 설치된 서포터; 어느 하나는 상기 본체의 전면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지되고, 다른 하나는 상기 본체의 후면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지된 한쌍의 크로스 지지바; 상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 지지핀을 가지는 보트; 상기 지지핀에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하는 수단을 포함한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체; 어느 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 전면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되고, 다른 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 후면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되며, 상기 본체를 기준으로 동일 높이에 위치된 한쌍의 크로스 지지바; 상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 지지핀을 가지는 보트; 상기 지지핀에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하는 수단을 포함한다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는 기판을 지지하는 지지핀이 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강으로 형성된 캡에 의하여 씌워지거나, 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 코팅되거나, 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 형성된다. 따라서, 지지핀에 의하여 기판에 스크래치가 발생되는 것이 방지되므로, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 어느 하나의 보트 부위를 보인 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 보트의 확대도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보트 부위의 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 어느 하나의 보트 부위를 보인 사시도.
도 3은 도 2에 도시된 보트의 확대도.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보트 부위의 사시도.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분하게 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치를 상세히 설명한다.
여기서, 기판의 처리라 함은 기판을 가열 및 냉각하는 공정, 기판 상에 소정의 막을 증착하기 위한 모든 공정, 기판 상에 증착된 막의 어닐링, 결정화 또는 상변화를 위한 모든 열처리 공정 등을 포함하는 개념으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 사시도이다.
도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 대략 직육면체 형상으로 형성되어 외관을 이루는 본체(110)를 포함하고, 본체(110)의 내부에는 기판(50)이 처리되는 챔버(110a)가 형성된다. 본체(110)는 직육면체 형상뿐만 아니라 기판(50)의 형상에 따라 다양한 형상으로 형성될 수 있고, 챔버(110a)는 밀폐된 공간으로 마련된다.
본체(110)의 전면은 개방되어 도어(113)가 설치되는데, 도어(113)는 챔버(110a)를 개폐한다. 도어(113)를 열어 챔버(110a)를 개방한 상태에서, 로봇의 아암(미도시) 등으로 기판(50)을 지지하여 기판(50)을 챔버(110a)로 로딩한다. 그리고, 도어(113)를 닫아 챔버(110a)를 폐쇄한 상태에서, 기판(50)을 처리한다.
본체(110)의 내부에는 기판(50)을 지지하는 서포터(120)(도 2 참조), 크로스 지지바(130), 보트(140), 기판(50)을 가열하기 위한 히터(미도시) 및 기판(50)을 냉각시키기 위한 냉각관(미도시) 등이 설치된다.
보트(140)에 대하여 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다. 도 2는 도 1에 도시된 어느 하나의 보트 부위를 보인 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 보트의 확대도이다.
도시된 바와 같이, 본체(110)의 내부에는 서포터(120)가 설치된다. 서포터(120)는 챔버(110a)를 형성하는 본체(110)의 바닥면에 접촉되는 받침대(121), 받침대(121)의 일단부에서 수직으로 연장 형성된 지지대(123), 지지대(123)의 일측면에서 수평으로 연장 형성되며 상호 간격을 가지면서 상하로 적층된 형태로 형성된 복수의 지지리브(125)를 가진다.
서포터(120)는 상호 대향하는 한쌍으로 마련되어 세트를 이루며, 세트를 이루는 서포터(120)는 본체(110)의 전면측 모서리부 및 후면측 모서리부에 각각 설치된다. 그리고, 세트를 이루는 서포터(120)의 지지리브(125)는 상호 대향한다.
세트를 이루는 서포터(120)의 지지리브(125)에는 크로스 지지바(130)의 일단부측 및 타단부측이 각각 고정되어 지지된다. 그리고, 각 세트를 이루는 서포터(120)의 지지리브(125)에 지지된 크로스 지지바(130)는 상하로 배치되어 상호 평행을 이룸은 당연하다. 그리고, 어느 하나의 세트를 이루는 서포터(120)의 지지리브(125)에 각각 지지된 각각의 크로스 지지바(130)와 다른 하나의 세트를 이루는 서포터(120)의 지지리브(125)에 각각 지지된 각각의 크로스 지지바(130)는 동일 높이에 위치됨은 당연하다.
크로스 지지바(130)가 서포터(120)에 안정되게 지지될 수 있도록, 크로스 지지바(130)의 단부측 외주면에는 걸림링(133)이 형성되고, 지지리브(125)에는 걸림링(133)이 삽입 결합되는 걸림홈(125a)이 각각 형성된다.
보트(140)는 상호 간격을 가지면서 대향되게 배치된 한쌍의 지지바(141)와 지지바(141)를 상호 연결하는 복수의 연결바(143)를 가지며, 크로스 지지바(130)에 지지 설치된다.
지지바(141)의 전단부측은 전방에 위치된 어느 하나의 크로스 지지바(130)에 각각 지지 설치되고, 후단부측은 후방에 위치된 다른 하나의 크로스 지지바(130)에 각각 지지 설치된다.
보트(140)를 크로스 지지바(130)에 지지하기 위하여, 지지바(141)의 전단부에는 전방에 위치된 크로스 지지바(130)에 걸려서 고정되는 걸림편(145)이 형성된다. 걸림편(145)의 형상은 크로스 지지바(130)의 외형과 대응되는 형상인 반원형으로 형성된다.
그리고, 지지바(141)의 후단부측에는 후방에 위치된 크로스 지지바(130)에 탑재 지지되는 바 형상의 지지편(147)이 형성된다. 지지편(147)은 한쌍의 지지바(141)의 후단부측에 위치된 연결바(143)에 형성될 수도 있다.
걸림편(145)이 크로스 지지바(130)에 삽입 지지되고, 지지편(147)이 크로스 지지바(130)에 탑재 지지되므로, 보트(140)는 견고하게 지지된다. 또한, 보트(140)의 걸림편(145)이 반원형으로 형성되어 크로스 지지바(130)에 삽입되어 있으므로, 보트(140)를 상측으로 들기만 하면, 보트(140)가 크로스 지지바(130)로부터 분리된다. 따라서, 보트(140)를 크로스 지지바(130)로부터 용이하게 분리할 수 있다.
지지바(141) 및 연결바(143)에는 기판(50)이 탑재 지지되는 지지핀(149a, 149b)이 각각 복수개 형성된다. 지지핀(149a, 149b)이 지지바(141) 및 연결바(143)에 일정 간격으로 복수개 마련되므로, 기판(50)이 자중에 의하여 처지는 것이 방지된다.
지지바(141) 및 연결바(143)에는 결합홈(141a, 143a)이 각각 형성되고, 지지핀(149a, 149b)은 결합홈(141a, 143a)에 각각 착탈가능하게 결합된다. 그러면, 기판(50)이 많이 처지는 부위에 지지핀(149a, 149b)을 집중적으로 배치할 수 있고, 기판(50)의 크기에 따라 지지핀(149a, 149b)의 위치를 조절할 수 있다.
기판(50)은 유리재로 형성된다. 그런데, 지지핀(149a, 149b)은 기판(50)의 경도(硬度)의 보다 높은 경도를 가지는 석영재로 형성된다. 이로인해, 지지핀(149a, 149)의 경도가 기판(50)의 경도 보다 높으므로, 지지핀(149a, 149b)에 의하여, 기판(50)에 스크래치가 발생된다.
이를 방지하기 위하여, 본 실시예에 따른 지지핀(149a, 149b)에는 기판(50)에 스크래치가 발생되는 것을 방지하는 수단이 마련된다.
상세히 설명하면, 상기 수단은 기판(50)과 접촉하는 지지핀(149a, 149b)의 상단부에 기판(50)의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 물질로 형성된 캡(149aa, 149bb)이 결합된다.
더 구체적으로 설명하면, 캡(149aa, 149bb)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재로 형성된다. 그리고, 캡(149aa, 149bb)은 각각의 상기 금속재의 산화물 또는 질화물로 형성될 수 있다.
또한, 캡(149aa, 149bb)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 금속재로 형성될 수 있다. 그리고, 캡(149aa, 149bb)은 상기 금속을 2개 이상을 혼합한 혼합금속의 산화물 또는 질화물로 형성될 수 있다.
또한, 캡(149aa, 149bb)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 탄소강으로 형성될 수 있다.
그리고, 기판(50)에 스크래치가 발생되는 것을 방지하는 수단은 지지핀(149a, 149b)의 경도 보다 낮은 경도를 갖는 물질로 지지핀(149a, 149b)을 코팅하는 것을 포함한다.
더 구체적으로 설명하면, 지지핀(149a, 149b)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재에 의하여 코팅된다. 그리고, 지지핀(149a, 149b)은 각각의 상기 금속재의 산화물 또는 질화물에 의하여 코팅될 수 있다.
또한, 지지핀(149a, 149b)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 금속재에 의하여 코팅된다. 그리고, 지지핀(149a, 149b)은 상기 금속을 2개 이상을 혼합한 혼합금속의 산화물 또는 질화물에 의하여 코팅될 수 있다.
또한, 지지핀(149a, 149b)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 탄소강에 의하여 코팅될 수 있다.
그리고, 기판(50)에 스크래치가 발생되는 것을 방지하는 수단은 지지핀(149a, 149b) 자체를 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 갖는 금속재로 형성하는 것을 포함한다.
더 구체적으로 설명하면, 지지핀(149a, 149b)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재로 형성된다. 그리고, 지지핀(149a, 149b)은 각각의 상기 금속재의 산화물 또는 질화물로 형성될 수 있다.
또한, 지지핀(149a, 149b)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 금속재로 형성될 수 있다. 그리고, 지지핀(149a, 149b)은 상기 금속을 2개 이상을 혼합한 혼합금속의 산화물 또는 질화물로 형성될 수 있다.
또한, 지지핀(149a, 149b)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 탄소강으로 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 지지핀(149a, 149b)은 기판(50)의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강으로 형성된 캡(13)에 의하여 씌워지거나, 기판(50)의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 코팅되거나, 기판(50)의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 형성된다. 따라서, 지지핀(149a, 149b)에 의하여 기판(50)에 스크래치가 발생되는 것이 방지되므로, 제품의 신뢰성이 향상된다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보트 부위의 사시도로서, 도 1 내지 도 3과의 차이점만을 설명한다.
도시된 바와 같이, 크로스 지지바(230)는 본체(110)(도 1 참조)에 직접 지지 설치된다. 크로스 지지바(230)는 한쌍으로 마련되며, 쌍을 이루는 크로스 지지바(230)는 본체(110)의 하면을 기준으로 동일 높이에 위치되어 상호 평행하게 배치된다. 이때, 어느 하나의 크로스 지지바(230)는 도어(113)(도 1 참조)와 인접한 본체(110)의 전면측 양측면에 지지되고, 다른 하나의 크로스 지지바(230)는 본체(110)의 후면측 양측면에 지지된다.
크로스 지지바(230)의 지지구조를 상세히 설명한다.
크로스 지지바(230)의 좌단부측 및 우단부측은 본체(110)의 좌측면 및 우측면을 관통하여 본체(110)의 외측에 위치되고, 본체(110)의 좌측면 및 우측면에는 크로스 지지바(230)를 지지하는 고정브라켓(235)이 결합된다.
고정브라켓(235)의 상면에는 상호 직교하는 형태로 지지홈(235a) 및 걸림홈(235b)이 각각 형성된다. 크로스 지지바(230)와 평행하게 형성된 지지홈(235a)에는 본체(110)의 외측으로 노출된 크로스 지지바(230)의 단부 하부측이 삽입 지지된다. 그리고, 크로스 지지바(230)와 직교하는 걸림홈(235b)에는 크로스 지지바(230)의 단부측 외주면에 형성된 걸림링(233)이 삽입 지지된다.
지지홈(235a)에 크로스 지지바(230)의 단부측이 삽입 지지되고, 걸림홈(235b)에 걸림링(233)이 삽입 지지되므로, 크로스 지지바(230)가 고정브라켓(235)에 의하여 견고하게 지지되는 것이다.
즉, 도 4에 도시된 본 실시예에 따른 기판 처리 장치는 크로스 지지바(230)가 본체(110)(도 1 참조)결합 지지되는 구성으로, 보트(240)의 구성은 도 1 내지 도 3에 도시된 보트(140)의 구성과 동일하다.
그리고, 도 4는 하나의 보트(240)에 복수의 기판(50)이 탑재 지지된 것을 보인다.
상기와 같이 기술된 본 발명의 실시예들에 대한 도면은 자세한 윤곽 라인을 생략하여, 본 발명의 기술사상에 속하는 부분을 쉽게 알 수 있도록 개략적으로 도시한 것이다. 또한, 상기 실시예들은 본 발명의 기술사상을 한정하는 기준이 될 수 없으며, 본 발명의 청구범위에 포함된 기술사항을 이해하기 위한 참조적인 사항에 불과하다.
110: 본체
120: 서포터
130: 크로스 지지바
140: 보트
149a, 149b: 지지핀
120: 서포터
130: 크로스 지지바
140: 보트
149a, 149b: 지지핀
Claims (30)
- 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
상호 대향되게 배치된 한쌍이 세트를 이루면서 상기 본체의 내부 전면측 및 후면측에 각각 설치된 서포터;
어느 하나는 상기 본체의 전면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지되고, 다른 하나는 상기 본체의 후면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 석영재로 형성된 지지핀을 가지는 보트;
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 형성되며, 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질로 형성하여 상기 지지핀에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하는 캡을 포함하며,
상기 캡은 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
어느 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 전면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되고, 다른 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 후면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되며, 상기 본체를 기준으로 동일 높이에 위치된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 석영재로 형성된 지지핀을 가지는 보트;
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 형성되며, 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질로 형성하여 상기 지지핀에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하는 캡을 포함하며,
상기 캡은 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 캡은 각각의 상기 금속재의 산화물 또는 질화물로 형성된 것을 특징으로하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
상호 대향되게 배치된 한쌍이 세트를 이루면서 상기 본체의 내부 전면측 및 후면측에 각각 설치된 서포터;
어느 하나는 상기 본체의 전면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지되고, 다른 하나는 상기 본체의 후면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 석영재로 형성된 지지핀을 가지는 보트;
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 형성되며, 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질로 형성하여 상기 지지핀에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하는 캡을 포함하며,
상기 캡은 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 혼합금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
어느 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 전면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되고, 다른 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 후면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되며, 상기 본체를 기준으로 동일 높이에 위치된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 석영재로 형성된 지지핀을 가지는 보트;
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 형성되며, 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질로 형성하여 상기 지지핀에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하는 캡을 포함하며,
상기 캡은 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 혼합금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제4항 또는 제5항에 있어서,
상기 캡은 상기 금속을 2개 이상을 혼합한 혼합금속의 산화물 또는 질화물로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
상호 대향되게 배치된 한쌍이 세트를 이루면서 상기 본체의 내부 전면측 및 후면측에 각각 설치된 서포터;
어느 하나는 상기 본체의 전면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지되고, 다른 하나는 상기 본체의 후면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 석영재로 형성된 지지핀을 가지는 보트;
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 형성되며, 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질로 형성하여 상기 지지핀에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하는 캡을 포함하며,
상기 캡은 탄소강으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
어느 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 전면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되고, 다른 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 후면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되며, 상기 본체를 기준으로 동일 높이에 위치된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 석영재로 형성된 지지핀을 가지는 보트;
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 형성되며, 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질로 형성하여 상기 지지핀에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하는 캡을 포함하며,
상기 캡은 탄소강으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
상호 대향되게 배치된 한쌍이 세트를 이루면서 상기 본체의 내부 전면측 및 후면측에 각각 설치된 서포터;
어느 하나는 상기 본체의 전면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지되고, 다른 하나는 상기 본체의 후면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 석영재로 형성된 지지핀을 가지는 보트를 포함하며,
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하기 위하여 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질인 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재에 의하여 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
어느 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 전면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되고, 다른 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 후면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되며, 상기 본체를 기준으로 동일 높이에 위치된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 석영재로 형성된 지지핀을 가지는 보트를 포함하며,
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하기 위하여 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질인 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재에 의하여 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제9항 또는 10항에 있어서,
상기 지지핀은 각각의 상기 금속재의 산화물 또는 질화물에 의하여 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
상호 대향되게 배치된 한쌍이 세트를 이루면서 상기 본체의 내부 전면측 및 후면측에 각각 설치된 서포터;
어느 하나는 상기 본체의 전면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지되고, 다른 하나는 상기 본체의 후면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 석영재로 형성된 지지핀을 가지는 보트를 포함하며,
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하기 위하여 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질인 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 혼합금속에 의하여 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
어느 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 전면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되고, 다른 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 후면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되며, 상기 본체를 기준으로 동일 높이에 위치된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 석영재로 형성된 지지핀을 가지는 보트를 포함하며,
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하기 위하여 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질인 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 혼합금속에 의하여 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제12항 또는 제13항에 있어서,
상기 지지핀은 상기 금속을 2개 이상을 혼합한 혼합금속의 산화물 또는 질화물에 의하여 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
상호 대향되게 배치된 한쌍이 세트를 이루면서 상기 본체의 내부 전면측 및 후면측에 각각 설치된 서포터;
어느 하나는 상기 본체의 전면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지되고, 다른 하나는 상기 본체의 후면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 석영재로 형성된 지지핀을 가지는 보트를 포함하며,
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하기 위하여, 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질인 탄소강에 의하여 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
어느 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 전면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되고, 다른 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 후면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되며, 상기 본체를 기준으로 동일 높이에 위치된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 석영재로 형성된 지지핀을 가지는 보트를 포함하며,
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하기 위하여, 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질인 탄소강에 의하여 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
상호 대향되게 배치된 한쌍이 세트를 이루면서 상기 본체의 내부 전면측 및 후면측에 각각 설치된 서포터;
어느 하나는 상기 본체의 전면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지되고, 다른 하나는 상기 본체의 후면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 지지핀을 가지는 보트를 포함하며,
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하기 위하여 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度)보다 낮은 물질인 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
어느 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 전면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되고, 다른 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 후면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되며, 상기 본체를 기준으로 동일 높이에 위치된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 지지핀을 가지는 보트를 포함하며,
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하기 위하여 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度)보다 낮은 물질인 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제17항 또는 제18항에 있어서,
상기 지지핀은 각각의 상기 금속재의 산화물 또는 질화물로 형성된 것을 특징으로하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
상호 대향되게 배치된 한쌍이 세트를 이루면서 상기 본체의 내부 전면측 및 후면측에 각각 설치된 서포터;
어느 하나는 상기 본체의 전면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지되고, 다른 하나는 상기 본체의 후면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 지지핀을 가지는 보트를 포함하며,
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하기 위하여, 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度)보다 낮은 물질인 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 혼합금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
어느 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 전면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되고, 다른 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 후면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되며, 상기 본체를 기준으로 동일 높이에 위치된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 지지핀을 가지는 보트를 포함하며,
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하기 위하여, 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度)보다 낮은 물질인 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 혼합금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제20항 또는 제21항에 있어서,
상기 지지핀은 상기 금속을 2개 이상을 혼합한 혼합금속의 산화물 또는 질화물로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
상호 대향되게 배치된 한쌍이 세트를 이루면서 상기 본체의 내부 전면측 및 후면측에 각각 설치된 서포터;
어느 하나는 상기 본체의 전면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지되고, 다른 하나는 상기 본체의 후면측에 위치된 쌍을 이루는 상기 서포터에 일단부측 및 타단부측이 각각 지지된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 지지핀을 가지는 보트를 포함하며,
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하기 위하여, 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度)보다 낮은 물질인 탄소강으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 유리재의 기판이 투입되어 처리되는 챔버가 내부에 형성된 본체;
어느 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 전면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되고, 다른 하나의 일단부측 및 타단부측은 상기 본체의 후면측 일측면 및 타측면에 각각 지지되며, 상기 본체를 기준으로 동일 높이에 위치된 한쌍의 크로스 지지바;
상호 간격을 가지면서 배치되며 일단부측 각각은 어느 하나의 상기 크로스 지지바에 지지되고, 타단부측 각각은 다른 하나의 상기 크로스 지지바에 지지된 한쌍의 지지바, 상기 한쌍의 지지바를 상호 연결하는 복수의 연결바, 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 복수개 형성되며 상기 기판이 탑재 지지되는 지지핀을 가지는 보트를 포함하며,
상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 부위에 의하여 상기 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하기 위하여, 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度)보다 낮은 물질인 탄소강으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항, 제2항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항, 제9항, 제10항, 제12항, 제13항, 제15항, 제16항, 제17항, 제18항, 제20항, 제21항, 제23항 및 제24항 중, 어느 한 항에 있어서,
상기 지지핀은 상기 지지바 및 상기 연결바에 각각 착탈가능하게 결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항, 제2항, 제4항, 제5항, 제7항, 제8항, 제9항, 제10항, 제12항, 제13항, 제15항, 제16항, 제17항, 제18항, 제20항, 제21항, 제23항 및 제24항 중, 어느 한 항에 있어서,
상기 지지바의 일단부에는 상기 크로스 지지바에 걸리는 걸림편이 각각 형성되고, 타단부측에는 상기 크로스 지지바에 탑재 지지되는 지지편이 각각 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제1항, 제4항, 제7항, 제9항, 제12항, 제15항, 제17항, 제20항 및 제23항 중, 어느 한 항에 있어서,
상기 서포터 및 상기 크로스 지지바의 단부측 외주면에는 상호 삽입 결합되는 걸림홈 및 걸림링이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제2항, 제5항, 제8항, 제10항, 제13항, 제16항, 제18항, 제21항 및 제24항 중, 어느 한 항에 있어서,
상기 본체에는 상기 크로스 지지바의 일단부측 및 타단부측이 각각 지지되는 고정브라켓이 각각 결합된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제28항에 있어서,
상기 고정브라켓에는 상기 크로스 지지바의 단부측이 삽입 지지되는 지지홈이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제29항에 있어서,
상기 크로스 지지바의 단부측 외주면에는 걸림링이 각각 형성되고,
상기 고정브라켓에는 상기 걸림링이 삽입되어 결합되는 걸림홈이 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110127649A KR101317328B1 (ko) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | 기판 처리 장치 |
| TW101143444A TW201330170A (zh) | 2011-11-28 | 2012-11-21 | 用於支撐基板之支撐插銷及使用該插銷之基板處理裝置 |
| PCT/KR2012/010012 WO2013081335A1 (ko) | 2011-11-28 | 2012-11-26 | 기판 지지용 지지핀 및 이를 사용한 기판 처리 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020110127649A KR101317328B1 (ko) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | 기판 처리 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130061378A KR20130061378A (ko) | 2013-06-11 |
| KR101317328B1 true KR101317328B1 (ko) | 2013-10-11 |
Family
ID=48859504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110127649A KR101317328B1 (ko) | 2011-11-28 | 2011-12-01 | 기판 처리 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101317328B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11682577B2 (en) | 2015-11-17 | 2023-06-20 | Semes Co., Ltd. | Spin head, apparatus and method for treating a substrate including the spin head |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101484533B1 (ko) * | 2013-08-27 | 2015-01-28 | 주식회사 테라세미콘 | 기판 지지 장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100600515B1 (ko) | 2005-01-20 | 2006-07-13 | (주)상아프론테크 | 크로스바 설치용 연결구가 구비된 기판 적재용 카세트 |
| KR100707788B1 (ko) | 2005-02-04 | 2007-04-13 | 주식회사 테라세미콘 | 박막 트랜지스터 액정표시장치 열처리방법 및 그 열처리장치 |
-
2011
- 2011-12-01 KR KR1020110127649A patent/KR101317328B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100600515B1 (ko) | 2005-01-20 | 2006-07-13 | (주)상아프론테크 | 크로스바 설치용 연결구가 구비된 기판 적재용 카세트 |
| KR100707788B1 (ko) | 2005-02-04 | 2007-04-13 | 주식회사 테라세미콘 | 박막 트랜지스터 액정표시장치 열처리방법 및 그 열처리장치 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11682577B2 (en) | 2015-11-17 | 2023-06-20 | Semes Co., Ltd. | Spin head, apparatus and method for treating a substrate including the spin head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130061378A (ko) | 2013-06-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101500742B (zh) | 常温接合方法及常温接合装置 | |
| JP2607002B2 (ja) | 電気デバイスの製造方法 | |
| KR101317328B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| TW200831692A (en) | Novel manufacturing design and processing methods and apparatus for PVD targets | |
| JP6006734B2 (ja) | 基板支持用ボートおよびこれを用いた支持ユニット | |
| KR20130059011A (ko) | 기판 지지용 지지핀 | |
| TW201330170A (zh) | 用於支撐基板之支撐插銷及使用該插銷之基板處理裝置 | |
| EP2616566B1 (en) | Improved method of co-sputtering alloys and compounds using a dual c-mag cathode arrangement and corresponding apparatus | |
| Chen et al. | Electroless deposition of Ru films via an oxidative-reductive mechanism | |
| KR101435453B1 (ko) | 기판 지지용 보트 및 이를 사용한 지지유닛 | |
| KR101284105B1 (ko) | 기판 지지용 보트 | |
| KR101284093B1 (ko) | 기판용 지지 유닛 및 이를 사용한 기판 처리 장치 | |
| KR101243309B1 (ko) | 기판 지지용 보트, 보트를 포함하는 지지 유닛 및 지지 유닛을 사용한 기판 처리 장치 | |
| KR101306751B1 (ko) | 기판 지지용 홀더 및 이를 사용한 기판 처리 장치 | |
| KR100806846B1 (ko) | 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 | |
| KR101297686B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| US7238617B2 (en) | Method for fabricating semiconductor device to minimize terminal effect in ECP process | |
| KR101990533B1 (ko) | 배치식 기판처리장치 | |
| KR102640176B1 (ko) | 코팅된 트랜스미터 코일을 갖는 코팅 디바이스 | |
| JP5981986B2 (ja) | 基板支持用支持ユニット | |
| KR101243314B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| CN103403856B (zh) | 基板支撑用的晶舟以及使用该晶舟的支撑单元 | |
| KR101385701B1 (ko) | 기판 지지용 보트 및 이를 사용한 지지유닛 | |
| KR20120123980A (ko) | 기판 지지용 지지 유닛 및 이를 사용한 기판 처리 장치 | |
| KR101334191B1 (ko) | 기판 처리 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160926 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170928 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181002 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190128 Year of fee payment: 7 |