KR20130059011A - 기판 지지용 지지핀 - Google Patents

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KR20130059011A
KR20130059011A KR1020110125081A KR20110125081A KR20130059011A KR 20130059011 A KR20130059011 A KR 20130059011A KR 1020110125081 A KR1020110125081 A KR 1020110125081A KR 20110125081 A KR20110125081 A KR 20110125081A KR 20130059011 A KR20130059011 A KR 20130059011A
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박경완
이병일
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주식회사 테라세미콘
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Abstract

기판 지지용 지지핀이 개시된다. 본 발명에 따른 기판 지지용 지지핀은, 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강으로 형성된 캡에 의하여 씌워지거나, 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 형성되거나, 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 코팅된다. 따라서, 지지핀에 의하여 기판에 스크래치가 발생되는 것이 방지되므로, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.

Description

기판 지지용 지지핀 {SUPPORTING PIN FOR SUPPORTING SUBSTRATE}
본 발명은 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지한 기판 지지용 지지핀에 관한 것이다.
기판 처리 장치는, 평판 디스플레이의 제조시 사용되며, 증착(Vapor Deposition) 장치와 어닐링(Annealing) 장치로 대별된다.
증착 장치는 평판 디스플레이의 핵심 구성을 이루는 투명 전도층, 절연층, 금속층 또는 실리콘층을 형성하는 장치로써, LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition) 또는 PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등과 같은 화학기상 증착 장치와 스퍼터링(Sputtering) 등과 같은 물리기상 증착 장치가 있다.
그리고, 어닐링 장치는 기판에 막을 증착을 한 후, 증착된 막의 특성을 향상시키는 장치로써, 증착된 막을 결정화 또는 상 변화시키는 열처리 장치이다.
일반적으로, 열처리 장치는 하나의 기판을 열처리하는 매엽식(Single Substrate Type)과 복수의 기판을 열처리하는 배치식(Batch Type)이 있다. 매엽식 열처리 장치는 구성이 간단한 이점이 있으나 생산성이 떨어지는 단점이 있어, 대량 생산에는 배치식 열처리 장치가 많이 사용된다.
배치식 열처리 장치에는 열처리 공간을 제공하는 챔버가 형성되고, 챔버에는 챔버로 로딩된 복수의 기판을 각각 지지하는 보트가 필수적으로 사용된다. 그리고, 보트에는 기판의 전체면을 균일하게 지지하여 기판이 자중에 의하여 변형되는 것을 방지한 복수의 지지핀이 형성된다.
종래의 기판 지지용 지지핀은 기판이 탑재 지지되었을 때, 기판에 스크래치를 발생시킨다. 이로 인해, 제품의 신뢰성이 저하되는 문제점이 있었다.
기판 지지용 지지핀과 관련한 선행기술은 한국공개특허공보 10-2010-0060085호 등에 개시되어 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해소하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 기판에 스크래치가 발생되는 것을 방지하여 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판 지지용 지지핀을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 지지용 지지핀은, 유리재의 기판이 로딩되어 처리되는 챔버에 배치된 상대물에 설치되며 상기 기판이 탑재 지지되는 기판 지지용 지지핀에 있어서, 상기 지지핀은 석영재로 형성되고, 상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 상단부에는 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 갖는 물질로 형성된 캡이 결합된다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 지지용 지지핀은, 유리재의 기판이 로딩되어 처리되는 챔버에 배치된 상대물에 설치되며 상기 기판이 탑재 지지되는 기판 지지용 지지핀에 있어서, 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 갖는 물질로 형성된다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 지지용 지지핀은, 유리재의 기판이 로딩되어 처리되는 챔버에 배치된 상대물에 설치되며 상기 기판이 탑재 지지되는 기판 지지용 지지핀에 있어서, 상기 지지핀은 석영재로 형성되고, 상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질로 코팅된다.
본 실시예에 따른 기판 지지용 지지핀은 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강으로 형성된 캡에 의하여 씌워지거나, 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 형성되거나, 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 코팅된다. 따라서, 지지핀에 의하여 기판에 스크래치가 발생되는 것이 방지되므로, 제품의 신뢰성이 향상되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지용 지지핀의 사시도.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시하여 도시한 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있도록 충분하게 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 상호 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 특정 구조 및 특성은 일 실시예와 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미가 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에 도시된 실시예들의 길이, 면적, 두께 및 형태는, 편의상, 과장되어 표현될 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판 지지용 지지핀을 상세히 설명한다.
여기서, 기판의 처리라 함은 기판을 가열 및 냉각하는 공정, 기판 상에 소정의 막을 증착하기 위한 모든 공정, 기판 상에 증착된 막의 어닐링, 결정화 또는 상변화를 위한 모든 열처리 공정 등을 포함하는 개념으로 이해되어야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 지지용 지지핀의 사시도이다.
도시된 바와 같이, 기판 처리 장치(미도시)는 기판(50)이 로딩되어 처리되는 챔버(미도시)를 포함하고, 상기 챔버에는 기판(50)이 탑재 지지되는 지지핀(11)이 위치된다. 지지핀(11)은 상기 기판 처리 장치에 지지되어 상기 챔버에 위치된 상대물인 고정부재(미도시)에 지지 설치된다.
상기 기판 처리 장치에는 기판(50)을 가열하기 위한 히터(미도시) 및 기판(50)을 냉각시키기 위한 냉각관(미도시) 등을 포함한다.
기판(50)은 유리재로 형성되고, 지지핀(11)은 석영재로 형성된다. 그러면, 지지핀(11)의 경도가 기판(50)의 경도 보다 높으므로, 지지핀(11)에 의하여, 기판(50)에 스크래치가 발생될 수 있다.
이를 방지하기 위하여, 본 실시예에 따른 기판 지지용 지지핀(11)은 기판(50)과 접촉하는 상단부에 기판(50)의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 물질로 형성된 캡(13)이 결합된다.
더 구체적으로 설명하면, 캡(13)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재로 형성된다. 그리고, 캡(13)은 각각의 상기 금속재의 산화물 또는 질화물로 형성될 수 있다.
또한, 캡(13)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 금속재로 형성될 수 있다. 그리고, 캡(13)은 상기 금속을 2개 이상을 혼합한 혼합금속의 산화물 또는 질화물로 형성될 수 있다.
또한, 캡(13)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 탄소강으로 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 기판 지지용 지지핀(11)은, 지지핀(11) 자체가, 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 갖는 금속재로 형성될 수 있다.
더 구체적으로 설명하면, 지지핀(11)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재로 형성된다. 그리고, 지지핀(11)은 각각의 상기 금속재의 산화물 또는 질화물로 형성될 수 있다.
또한, 지지핀(11)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 금속재로 형성될 수 있다. 그리고, 지지핀(11)은 상기 금속을 2개 이상을 혼합한 혼합금속의 산화물 또는 질화물로 형성될 수 있다.
또한, 지지핀(11)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 탄소강으로 형성될 수 있다.
본 실시예에 따른 기판 지지용 지지핀(11)은, 지지핀(11)이 석영재로 형성될 경우, 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 갖는 물질에 의하여 코팅될 수 있다.
더 구체적으로 설명하면, 지지핀(11)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재에 의하여 코팅된다. 그리고, 지지핀(11)은 각각의 상기 금속재의 산화물 또는 질화물에 의하여 코팅될 수 있다.
또한, 지지핀(11)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 금속재에 의하여 코팅된다. 그리고, 지지핀(11)은 상기 금속을 2개 이상을 혼합한 혼합금속의 산화물 또는 질화물에 의하여 코팅될 수 있다.
또한, 지지핀(11)은 기판(50)의 경도 보다 낮은 경도를 가지는 탄소강에 의하여 코팅될 수 있다.
본 실시예에 따른 기판 지지용 지지핀(11)은 기판(50)의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강으로 형성된 캡(13)에 의하여 씌워지거나, 기판(50)의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 형성되거나, 기판(50)의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 가지는 금속재 또는 탄소강에 의하여 코팅된다. 따라서, 지지핀(11)에 의하여 기판(50)에 스크래치가 발생되는 것이 방지되므로, 제품의 신뢰성이 향상된다.
상기와 같이 기술된 본 발명의 실시예들에 대한 도면은 자세한 윤곽 라인을 생략하여, 본 발명의 기술사상에 속하는 부분을 쉽게 알 수 있도록 개략적으로 도시한 것이다. 또한, 상기 실시예들은 본 발명의 기술사상을 한정하는 기준이 될 수 없으며, 본 발명의 청구범위에 포함된 기술사항을 이해하기 위한 참조적인 사항에 불과하다.
11: 지지핀
13: 캡
50: 기판

Claims (18)

  1. 유리재의 기판이 로딩되어 처리되는 챔버에 배치된 상대물에 설치되며 상기 기판이 탑재 지지되는 기판 지지용 지지핀에 있어서,
    상기 지지핀은 석영재로 형성되고,
    상기 기판과 접촉하는 상기 지지핀의 상단부에는 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 갖는 물질로 형성된 캡이 결합된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 캡은 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 캡은 각각의 상기 금속재의 산화물 또는 질화물로 형성된 것을 특징으로하는 기판 지지용 지지핀.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 캡은 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 혼합금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 캡은 상기 금속을 2개 이상을 혼합한 혼합금속의 산화물 또는 질화물로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 캡은 탄소강으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  7. 유리재의 기판이 로딩되어 처리되는 챔버에 배치된 상대물에 설치되며 상기 기판이 탑재 지지되는 기판 지지용 지지핀에 있어서,
    상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 경도를 갖는 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 지지핀은 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 지지핀은 각각의 상기 금속재의 산화물 또는 질화물로 형성된 것을 특징으로하는 기판 지지용 지지핀.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 지지핀은 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 혼합금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 지지핀은 상기 금속을 2개 이상을 혼합한 혼합금속의 산화물 또는 질화물로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  12. 제7항에 있어서,
    상기 지지핀은 탄소강으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  13. 유리재의 기판이 로딩되어 처리되는 챔버에 배치된 상대물에 설치되며 상기 기판이 탑재 지지되는 기판 지지용 지지핀에 있어서,
    상기 지지핀은 석영재로 형성되고,
    상기 지지핀은 상기 기판의 경도(硬度) 보다 낮은 물질로 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 지지핀은 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 어느 하나의 금속재에 의하여 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 지지핀은 각각의 상기 금속재의 산화물 또는 질화물에 의하여 코팅된 것을 특징으로하는 기판 지지용 지지핀.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 캡은 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 텅스텐(W), 안티몬(Sb), 비소(As), 구리-주석(Cu-Sn)합금, 구리-아연(Cu-Zn)합금, 비스무트(Bi), 카드뮴(Cd), 철(Fe), 납(Pb), 마그네슘(Mg), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 금(Au), 셀레늄(Se), 은(Ag), 텔루륨(Te), 주석(Sn), 아연(Zn) 또는 망간(Mn)중에서 선택된 2개 이상을 혼합한 혼합금속에 의하여 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 캡은 상기 금속을 2개 이상을 혼합한 혼합금속의 산화물 또는 질화물에 의하여 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
  18. 제13항에 있어서,
    상기 캡은 탄소강에 의하여 코팅된 것을 특징으로 하는 기판 지지용 지지핀.
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KR101534190B1 (ko) * 2013-08-23 2015-07-06 (주)진성큐엔에스 기판 지지 장치
KR20200058688A (ko) * 2018-11-20 2020-05-28 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치의 내부재 처리 방법
KR20230140790A (ko) 2022-03-30 2023-10-10 주식회사 포톤 기판 고정 시스템

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