TW201330170A - 用於支撐基板之支撐插銷及使用該插銷之基板處理裝置 - Google Patents
用於支撐基板之支撐插銷及使用該插銷之基板處理裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201330170A TW201330170A TW101143444A TW101143444A TW201330170A TW 201330170 A TW201330170 A TW 201330170A TW 101143444 A TW101143444 A TW 101143444A TW 101143444 A TW101143444 A TW 101143444A TW 201330170 A TW201330170 A TW 201330170A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- support
- supporting
- support pin
- copper
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6732—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
- H01L21/67323—Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls characterized by a material, a roughness, a coating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6734—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
- H01L21/6734—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates
- H01L21/67343—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders specially adapted for supporting large square shaped substrates characterized by a material, a roughness, a coating or the like
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
本發明揭示用於支撐基板之支撐插銷及使用該插銷之基板處理裝置。本發明之用於支撐基板之支撐插銷及使用該插銷之基板處理裝置係支撐基板之支撐插銷可以以具有低於基板之硬度的硬度之金屬材或碳鋼形成之蓋蓋上、可以具有低於基板之硬度的硬度之金屬材或碳鋼塗裝、或可以具有低於基板之硬度的硬度之金屬材或碳鋼形成。因而,由於可防止因支撐插銷而於基板產生刮痕,故具有製品之可靠度提高之效果。
Description
本發明係有關於防止於基板產生刮痕之用於支撐基板之支撐插銷及使用該插銷之基板處理裝置。
基板處理裝置用於平板顯示器之製造時,大致分為蒸氣沉積(Vapor Deposition)裝置、及退火(Annealing)裝置。
蒸氣沉積裝置係形成構成平板顯示器之核心結構之透明導電層、絕緣層、金屬層或矽層之裝置,有LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition:低壓化學氣相沉積)或PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition:電漿輔助化學氣相沉積)等之化學氣相沉積裝置、濺鍍(Sputtering)等之物理氣相沉積裝置。
退火裝置係將膜蒸氣沉積於基板後,使所蒸氣沉積之膜之特性提高之裝置,係使所蒸氣沉積之膜結晶化或相變化之熱處理裝置。
一般熱處理裝置有熱處理1個基板之單片式(Single Substrate Type)及熱處理複數基板之批式(Batch Type)。單片式熱處理裝置有結構簡單之優點,但有生產性降低之缺點,大量生產大多使用批式熱處理裝置。
於批式熱處理裝置形成提供熱處理空間之腔
室,腔室需要諸如分別支撐裝載於腔室之複數基板之支撐器等的支撐構件。又,於支撐構件形成可均一地支撐基板整面而防止基板因自身重量而變形之複數支撐插銷。
此種習知基板處理裝置於支撐插銷搭載支撐基板時,因支撐插銷而於基板產生刮痕。因此,有製品之可靠度降低之問題。
與基板處理裝置相關之先行技術揭示於韓國專利公開公報第10-2010-0060085號等。
專利文獻1 韓國專利公開公報第10-2010-0060085號說明書
本發明係為解決上述習知技術之問題而發明者,本發明之目的係提供防止於基板產生刮痕而可使製品之可靠度提高的用於支撐基板之支撐插銷及使用該插銷之基板處理裝置。
用以達成上述目的之本發明用於支撐基板之支撐插銷係設於配置在可將玻璃材之基板裝載而處理之腔室的對象物,以搭載支撐前述基板者,其特徵在於前述支撐插銷以石英材形成,於與前述基板接觸之前述支撐插銷之
上端部形成有以具有低於前述基板之硬度之硬度的物質形成之蓋。
又,用以達成上述目的之本發明用於支撐基板之支撐插銷係設於配置在將玻璃材之基板裝載而處理之腔室的對象物,以搭載支撐前述基板者,其特徵在於前述支撐插銷以具有低於前述基板之硬度的硬度之物質形成。
再者,用以達成上述目的之本發明用於支撐基板之支撐插銷係設於配置在將玻璃材之基板裝載而處理之腔室的對象物,以搭載支撐前述基板者,其特徵在於前述支撐插銷以石英材形成,前述支撐插銷以低於前述基板之硬度之物質塗裝。
本發明之用於支撐基板之支撐插銷及使用該插銷之基板處理裝置係支撐基板之支撐插銷可以以具有低於基板之硬度之硬度的金屬材或碳鋼形成之蓋蓋上、可以具有低於基板之硬度之硬度的金屬材或碳鋼塗裝、或可以具有低於基板之硬度之硬度的金屬材或碳鋼形成。因而,由於可防止因支撐插銷而於基板產生刮痕,故具有製品之可靠度提高之效果。
50‧‧‧基板
110,210‧‧‧本體
110a‧‧‧腔室
113‧‧‧門
120‧‧‧支撐器
121‧‧‧台座
123‧‧‧支撐台
125‧‧‧支撐肋
125a‧‧‧卡止溝
130,230‧‧‧橫支撐桿
133,233‧‧‧卡止環
140,240‧‧‧舟皿
141‧‧‧支撐桿
141a,143a‧‧‧結合溝
143‧‧‧連結桿
145‧‧‧卡止片
147‧‧‧支撐片
149a,149b‧‧‧支撐插銷
149aa,149bb‧‧‧蓋
235‧‧‧固定托架
235a‧‧‧支撐溝
235b‧‧‧卡止溝
圖1係本發明一實施形態之基板處理裝置之立體圖。
圖2係顯示圖1所示之其中任一舟皿部份之立體圖。
圖3係圖2所示之舟皿之放大圖。
圖4係本發明另一實施形態之舟皿部份之立體圖。
後述之關於本發明之詳細說明參照將可實施本發明之特定實施形態作為例子而顯示之附加圖式。充分詳細地說明該等實施形態,以使該業者可實施本發明。務必理解本發明之多種實施形態雖相互不同,但不需相互排斥。舉例言之,於此記載之特定形狀、特定之構造及特性與一實施形態相關,在不脫離本發明之精神及範圍內可以其他實施形態實現。又,務必理解各個揭示之實施形態中之個別構成要件之位置或配置在不脫離本發明之精神及範圍下可變更。因而,後述之詳細說明非限定之涵義,當適當地說明本發明之範圍時,僅以與該申請項主張者均等之所有範圍一同附加之申請項限定。圖式所示之實施形態之長度、面積、厚度及形態為方便,亦可能有誇張呈現之情形。
以下,參照附加之圖式,詳細地說明本發明實施形態之用於支撐基板之支撐插銷及使用該插銷之基板處理裝置。
在此,務必以基板之處理係包含將基板加熱及冷卻之步驟、用以將預定膜蒸氣沉積於基板上之所有步驟、業經蒸氣沉積於基板上之膜之退火、用以結晶化或相變化之所有熱處理步驟等之概念理解。
圖1係本發明一實施形態之基板處理裝置之立體
圖。
如圖所示,本實施形態之基板處理裝置包含有形
成約略長方體形狀而構成外觀之本體110,並於本體110之內部形成處理基板50之腔室110a。本體110不僅可形成長方體形狀,亦可按基板50之形狀,形成多種形狀,將腔室110a以密閉之空間準備。
本體110之前面開放且設門113,門113可將腔室110a開關。在開啟門113而開放腔室110a之狀態下,以機器人之手臂(圖中未示)等支撐基板50,將基板50裝載於腔室110a。然後,在關閉門113而封閉腔室110a之狀態下,處理基板50。
於本體110之內部設用以支撐基板50之支撐器120、橫支撐桿130、舟皿140、用以將基板50加熱之加熱器(圖中未示)、及用以使基板50冷卻之冷卻管(圖中未示)等。
]就舟皿140,參照圖1至圖3來說明。圖2係顯示圖1所示之其中任一舟皿部份之立體圖。圖3係圖2所示之舟皿之放大圖。
如圖所示,於本體110之內部設支撐器120。支撐器120具有接觸形成腔室110a之本體110之底面的台座121、從台座121之一端部垂直地延長形成之支撐台123、從支撐台123之一側面水平地延長形成且相互具有間隔並上下積層形成之複數支撐肋125。
支撐器120係準備相互對向之一對而構成一組,構成一組之支撐器120分別設於本體110之前面側之角部及
後面側之角部。又,構成一組之支撐器120之支撐肋125相互對向。
於構成一組之支撐器120之支撐肋125分別固定支撐橫支撐桿130之一端部側及另一端部側。又,支撐於構成各組之支撐器120之支撐肋125的橫支撐桿130上下配置而相互構成平行是無須贅言的。又,分別支撐於構成其中任一組之支撐器120之支撐肋125的各橫支撐桿130、分別支撐於構成另一組之支撐器120之支撐肋125的各橫支撐桿130位於相同之高度是無須贅言的。
為使橫支撐桿130可穩定地支撐於支撐器120,而於橫支撐桿130之端部側之外周面形成卡止環133,於支撐肋125分別形成可供卡止環133插入而結合之卡止溝125a。
舟皿具有具相互間隔且對向配置之一對支撐桿141、將支撐桿141相互連結之複數連結桿143,而可支撐設置於橫支撐桿130。
支撐桿141之前端部側分別支撐設置於位於前方之其中任一橫支撐桿130,後端部側分別支撐設置於位於後方之另一橫支撐桿130。
為將舟皿140支撐於橫支撐桿130,而於支撐桿141之前端部設卡止固定於位於前方之橫支撐桿130的卡止片145。卡止片145之形狀形成對應於橫支撐桿130之外形之形狀的半圓形。
又,於支撐桿141之後端部側形成搭載支撐於位於後方之橫支撐桿130之桿形狀的支撐片147。支撐片147亦
可形成於位於一對支撐桿141之後端部側之連結桿143。
由於形成半圓形狀之卡止片145包圍橫支撐桿130之上部側之外面且受到支撐,支撐片147搭載支撐於橫支撐桿130,故可堅固地支撐舟皿140。又,由於舟皿140之卡止片145形成半圓形而支撐於橫支撐桿130,故僅將舟皿140往上側舉起,便可將舟皿140從橫支撐桿130分離。因而,可易將舟皿140從橫支撐桿130分離。
於支撐桿141及連結桿143分別形成複數個可搭載支撐基板50之支撐插銷149a、149b。支撐插銷149a、149b於支撐桿141及連結桿134以一定間隔準備複數個,故可防止基板50因自身重量而撓曲。
於支撐桿141及連結桿143分別形成結合溝141a、143a,支撐插銷149a、149b可裝卸地結合於結合溝141a、143a。如此一來,可將支撐插銷149a、149b配置於基板50大幅傾斜之處,而可按基板50之大小,調整支撐插銷149a、149b之位置。
基板50以玻璃材形成。然而,支撐插銷149a、149b以具有高於基板50之硬度之硬度的石英材形成。由於藉此,支撐插銷149a、149b之硬度高於基板50之硬度,故因支撐插銷149a、149b而於基板50產生刮痕。
為防止此,於本實施形態之支撐插銷149a、149b準備防止於基板50產生刮痕之機構。
詳細說明,可將前述機構以蓋149aa、149bb準備,該蓋係形成於與基板50接觸之支撐插銷149a、149b之
上端部,且以具有低於基板50之硬度的硬度之物質形成。
更具體地說明,蓋149aa、149bb以從具有低於基板50之硬度的硬度之鉬(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、銻(Sb)、砷(As)、銅-錫(Cu-Sn)合金、銅-鋅(Cu-Zn)合金、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鎂(Mg)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鎵(Ga)、金(Au)、硒(Se)、銀(Ag)、碲(Te)、錫(Sn)、鋅(Zn)或錳(Mn)中選擇之任一金屬材形成。又,蓋149aa、149bb可以各前述金屬材之氧化物或氮化物形成。
又,蓋149aa、149bb以包含從具有低於基板50之硬度的硬度之鉬(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、銻(Sb)、砷(As)、銅-錫(Cu-Sn)合金、銅-鋅(Cu-Zn)合金、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鎂(Mg)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鎵(Ga)、金(Au)、硒(Se)、銀(Ag)、碲(Te)、錫(Sn)、鋅(Zn)或錳(Mn)中選擇之2個以上之金屬材形成。又,蓋149aa、149bb可以前述金屬材之氧化物或氮化物形成。
又,蓋149aa、149bb可以具有低於基板50之硬度的硬度之碳鋼形成。
另外,可將防止於基板50產生刮痕之機構以以具有低於支撐插銷149a、149b之硬度的硬度之物質塗裝支撐插銷149a、149b者準備。
更具體說明,支撐插銷149a、149b可以從具有低於基板50之硬度的硬度之鉬(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、銻(Sb)、砷(As)、銅-錫(Cu-Sn)合金、銅-鋅(Cu-Zn)合金、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鎂(Mg)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、
銅(Cu)、鎵(Ga)、金(Au)、硒(Se)、銀(Ag)、碲(Te)、錫(Sn)、鋅(Zn)或錳(Mn)中選擇之任一金屬材塗裝。又,支撐插銷149a、149b可以各前述金屬材之氧化物或氮化物塗裝。
又,支撐插銷149a、149b可以包含從具有低於基板50之硬度的硬度之鉬(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、銻(Sb)、砷(As)、銅-錫(Cu-Sn)合金、銅-鋅(Cu-Zn)合金、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鎂(Mg)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鎵(Ga)、金(Au)、硒(Se)、銀(Ag)、碲(Te)、錫(Sn)、鋅(Zn)或錳(Mn)中選擇之2個以上之金屬材塗裝。又,支撐插銷149a、149b可以前述金屬材之氧化物或氮化物塗裝。
又,支撐插銷149a、149b可以具有低於基板50之硬度的硬度的碳鋼塗裝。
另外,可將防止於基板50產生刮痕之機構以以具有低於基板50之硬度的硬度之金屬材形成支撐插銷149a、149b自身者準備。
更具體說明,支撐插銷149a、149b可以從具有低於基板50之硬度的硬度之鉬(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、銻(Sb)、砷(As)、銅-錫(Cu-Sn)合金、銅-鋅(Cu-Zn)合金、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鎂(Mg)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鎵(Ga)、金(Au)、硒(Se)、銀(Ag)、碲(Te)、錫(Sn)、鋅(Zn)或錳(Mn)中選擇之任一金屬材形成。又,支撐插銷149a、149b可以各前述金屬材之氧化物或氮化物形成。
又,支撐插銷149a、149b可以包含從具有低於基板50之硬度的硬度之鉬(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、銻
(Sb)、砷(As)、銅-錫(Cu-Sn)合金、銅-鋅(Cu-Zn)合金、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鎂(Mg)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鎵(Ga)、金(Au)、硒(Se)、銀(Ag)、碲(Te)、錫(Sn)、鋅(Zn)或錳(Mn)中選擇之2個以上之金屬材形成。又,支撐插銷149a、149b可以前述金屬材之氧化物或氮化物形成。
又,支撐插銷149a、149b可以具有低於基板50之硬度的硬度之碳鋼形成。
本實施形態之支撐插銷149a、149b可以具有低於基板50之硬度的硬度之金屬材或碳鋼形成之蓋149aa、149bb蓋上、可以具有低於基板50之硬度的硬度之金屬材或碳鋼塗裝、或可以具有低於基板50之硬度的硬度之金屬材或碳鋼形成。因而,由於可防止因支撐插銷149a、149b而於基板50產生刮痕,故製品之可靠度提高。
圖4係本發明另一實施形態之舟皿部份之立體圖,僅說明圖1至圖3之不同點。
如圖所示,橫支撐桿230直接支撐設置於本體210。橫支撐桿230準備一對,構成對之橫支撐桿230以本體210之下面為基準而位於相同之高度,且配置成相互平行。此時,其中任一橫支撐桿230支撐於相鄰於門(圖中未示)之本體210之前面側的兩側面,另一橫支撐桿230支撐於本體210之後面側之兩側面。
詳細地說明橫支撐桿230之支撐構造。
橫支撐桿230之左端部側及右端部側貫穿本體210之左側面及右側面而位於本體210之外側,於本體210之
左側面及右側面結合用以支撐固定橫支撐桿230之固定托架235。
於固定托架235之上面以相互垂直相交之形態分別形成支撐溝235a及卡止溝235b。露出至本體210之外側之橫支撐桿230之端部的下部側插入支撐於形成為與橫支撐桿230平行之支撐溝235a。又,形成於橫支撐桿230之端部側之外周面的卡止環233插入支撐於與橫支撐桿230垂直相交之卡止溝235b。
由於橫支撐桿230之端部側插入支撐於支撐溝235a,且卡止環233插入支撐於卡止溝235b,故橫支撐桿230可以固定托架235堅固地支撐。
即,圖4所示之本實施形態之基板處理裝置係橫支撐桿230結合支撐於本體210之結構,舟皿240之結構與圖1至圖3所示之舟皿140之結構相同。
另一方面,如圖4所示,可於本發明之舟皿140、240搭載支撐1個或複數個基板50。
以上,對本發明實施形態之圖式係省略詳細之輪廓線且為易了解屬於本發明之技術性思想之部份而概略地顯示者。又,上述實施形態不形成為限定本發明之技術思想之基準,僅為用以理解本發明之申請專利範圍所含之技術事項之參照事項。
140‧‧‧舟皿
141‧‧‧支撐桿
141a,143a‧‧‧結合溝
143‧‧‧連結桿
145‧‧‧卡止片
147‧‧‧支撐片
149a,149b‧‧‧支撐插銷
149aa,149bb‧‧‧蓋
Claims (26)
- 一種用於支撐基板之支撐插銷,係設於配置在可將玻璃材之基板裝載而處理之腔室的對象物,以搭載支撐前述基板者,其特徵在於:前述支撐插銷以石英材形成,於與前述基板接觸之前述支撐插銷之上端部形成有蓋,而該蓋係以具有低於前述基板之硬度的硬度之物質形成。
- 如申請專利範圍第1項之用於支撐基板之支撐插銷,其中前述蓋以從鉬(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、銻(Sb)、砷(As)、銅-錫(Cu-Sn)合金、銅-鋅(Cu-Zn)合金、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鎂(Mg)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鎵(Ga)、金(Au)、硒(Se)、銀(Ag)、碲(Te)、錫(Sn)、鋅(Zn)或錳(Mn)中選出之任一金屬材形成。
- 如申請專利範圍第2項之用於支撐基板之支撐插銷,其中前述蓋以各前述金屬材之氧化物或氮化物形成。
- 如申請專利範圍第1項之用於支撐基板之支撐插銷,其中前述蓋以包含從鉬(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、銻(Sb)、砷(As)、銅-錫(Cu-Sn)合金、銅-鋅(Cu-Zn)合金、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鎂(Mg)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鎵(Ga)、金(Au)、硒(Se)、銀(Ag)、碲(Te)、錫(Sn)、鋅(Zn)或錳(Mn)中選出之2個以上之金屬材形成。
- 如申請專利範圍第4項之用於支撐基板之支撐插銷,其 中前述蓋以前述金屬材之氧化物或氮化物形成。
- 如申請專利範圍第1項之用於支撐基板之支撐插銷,其中前述蓋以碳鋼形成。
- 一種用於支撐基板之支撐插銷,係設於配置在將玻璃材之基板裝載而處理之腔室的對象物,以搭載支撐前述基板者,其特徵在於:前述支撐插銷以具有低於前述基板之硬度的硬度之物質形成。
- 如申請專利範圍第7項之用於支撐基板之支撐插銷,前述支撐插銷以從鉬(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、銻(Sb)、砷(As)、銅-錫(Cu-Sn)合金、銅-鋅(Cu-Zn)合金、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鎂(Mg)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鎵(Ga)、金(Au)、硒(Se)、銀(Ag)、碲(Te)、錫(Sn)、鋅(Zn)或錳(Mn)中選出之任一金屬材形成。
- 如申請專利範圍第8項之用於支撐基板之支撐插銷,前述支撐插銷以各前述金屬材之氧化物或氮化物形成。
- 如申請專利範圍第7項之用於支撐基板之支撐插銷,前述支撐插銷以包含從鉬(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、銻(Sb)、砷(As)、銅-錫(Cu-Sn)合金、銅-鋅(Cu-Zn)合金、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鎂(Mg)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鎵(Ga)、金(Au)、硒(Se)、銀(Ag)、碲(Te)、錫(Sn)、鋅(Zn)或錳(Mn)中選出之2個以上之金屬材形成。
- 如申請專利範圍第10項之用於支撐基板之支撐插銷,前 述支撐插銷以前述金屬材之氧化物或氮化物形成。
- 如申請專利範圍第7項之用於支撐基板之支撐插銷,前述支撐插銷以碳鋼形成。
- 一種用於支撐基板之支撐插銷,係設於配置在將玻璃材之基板裝載而處理之腔室的對象物,以搭載支撐前述基板者,其特徵在於:前述支撐插銷以石英材形成,前述支撐插銷以低於前述基板之硬度之物質塗裝。
- 如申請專利範圍第13項之用於支撐基板之支撐插銷,前述支撐插銷以從鉬(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、銻(Sb)、砷(As)、銅-錫(Cu-Sn)合金、銅-鋅(Cu-Zn)合金、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鎂(Mg)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鎵(Ga)、金(Au)、硒(Se)、銀(Ag)、碲(Te)、錫(Sn)、鋅(Zn)或錳(Mn)中選出之任一金屬材塗裝。
- 如申請專利範圍第14項之用於支撐基板之支撐插銷,前述支撐插銷以各前述金屬材之氧化物或氮化物塗裝。
- 如申請專利範圍第13項之用於支撐基板之支撐插銷,前述支撐插銷以包含從鉬(Mo)、鎳(Ni)、鋁(Al)、鎢(W)、銻(Sb)、砷(As)、銅-錫(Cu-Sn)合金、銅-鋅(Cu-Zn)合金、鉍(Bi)、鎘(Cd)、鐵(Fe)、鉛(Pb)、鎂(Mg)、鈀(Pd)、鉑(Pt)、銅(Cu)、鎵(Ga)、金(Au)、硒(Se)、銀(Ag)、碲(Te)、錫(Sn)、鋅(Zn)或錳(Mn)中選出之2個以上之金屬材塗裝。
- 如申請專利範圍第16項之用於支撐基板之支撐插銷,前 述支撐插銷以前述金屬材之氧化物或氮化物塗裝。
- 如申請專利範圍第13項之用於支撐基板之支撐插銷,前述支撐插銷以碳鋼塗裝。
- 一種基板處理裝置,其特徵在於包含有:本體,係於內部形成有可將玻璃材之基板投入而處理之腔室者;支撐器,係相互對向配置之一對構成組,並且分別設於前述本體之內部之前面側及後面側者;一對橫支撐桿,係其中任一個之一端部側及另一端部側分別支撐於位於前述本體之前面側之構成對的前述支撐器,另一個之一端部側及另一端部側則分別支撐於位於前述本體之後面側之構成對之前述支撐器者;舟皿,係具有一對支撐桿、複數連結桿、及如申請專利範圍第1項至第18項中任一項之支撐插銷者,前述一對支撐桿係相互具有間隔地配置,且一端部側分別支撐於其中任一個前述橫支撐桿,而另一端部側分別支撐於另一個前述橫支撐桿,前述複數連結桿係將前述一對支撐桿相互連結,前述支撐插銷係於前述支撐桿及前述連結桿分別形成有複數個而可搭載支撐前述基板。
- 一種基板處理裝置,其特徵在於包含有:本體,係於內部形成有可將玻璃材之基板投入而處理之腔室者;一對橫支撐桿,係其中任一個之一端部側及另一端部側分別支撐於位於前述本體之前面側之一側面及另 一側面,另一個之一端部側及另一端部側分別支撐於位於前述本體之後面側之一側面及另一側面,且以前述本體為基準而位於相同之高度者;舟皿,係具有一對支撐桿、複數連結桿、及如申請專利範圍第1項至第18項中任一項之支撐插銷者,前述一對支撐桿係相互具有間隔地配置,且一端部側分別支撐於其中任一個前述橫支撐桿,而另一端部側分別支撐於另一個前述橫支撐桿,前述複數連結桿係將前述一對支撐桿相互連結,前述支撐插銷係於前述支撐桿及前述連結桿分別形成有複數個而可搭載支撐前述基板。
- 如申請專利範圍第19或20項之基板處理裝置,其中前述支撐插銷可裝卸地結合於前述支撐桿及前述連結桿。
- 如申請專利範圍第19或20項之基板處理裝置,其中於前述支撐桿之一端部分別形成有卡止於前述橫支撐桿之卡止片,於另一端部側分別形成有可搭載支撐於前述橫支撐桿之支撐片。
- 如申請專利範圍第19項之基板處理裝置,其中於前述支撐器及前述橫支撐桿之端部側之外周面形成有可相互插入結合之卡止溝及卡止環。
- 如申請專利範圍第20項之基板處理裝置,其中於前述本體分別結合有可分別支撐前述橫支撐桿之一端部側及另一端部側之固定托架。
- 如申請專利範圍第24項之基板處理裝置,其中於前述固定托架形成有可將前述橫支撐桿之端部側插入支撐之 支撐溝。
- 如申請專利範圍第25項之基板處理裝置,其中於前述橫支撐桿之端部側之外周面分別形成卡止環,於前述固定托架形成有供前述卡止環插入而結合之卡止溝。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110125081A KR20130059011A (ko) | 2011-11-28 | 2011-11-28 | 기판 지지용 지지핀 |
KR1020110127649A KR101317328B1 (ko) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | 기판 처리 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201330170A true TW201330170A (zh) | 2013-07-16 |
Family
ID=48535732
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW101143444A TW201330170A (zh) | 2011-11-28 | 2012-11-21 | 用於支撐基板之支撐插銷及使用該插銷之基板處理裝置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TW201330170A (zh) |
WO (1) | WO2013081335A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108034929A (zh) * | 2017-12-27 | 2018-05-15 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种应用于真空溅射设备的基板承载装置 |
WO2023184007A1 (en) * | 2022-03-28 | 2023-10-05 | Spheretech Research Corp. | Jig for use in lpcvd |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10003639C2 (de) * | 2000-01-28 | 2003-06-18 | Steag Rtp Systems Gmbh | Vorrichtung zum thermischen Behandeln von Substraten |
US8033245B2 (en) * | 2004-02-12 | 2011-10-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support bushing |
KR100600515B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2006-07-13 | (주)상아프론테크 | 크로스바 설치용 연결구가 구비된 기판 적재용 카세트 |
KR100707788B1 (ko) * | 2005-02-04 | 2007-04-13 | 주식회사 테라세미콘 | 박막 트랜지스터 액정표시장치 열처리방법 및 그 열처리장치 |
-
2012
- 2012-11-21 TW TW101143444A patent/TW201330170A/zh unknown
- 2012-11-26 WO PCT/KR2012/010012 patent/WO2013081335A1/ko active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2013081335A1 (ko) | 2013-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW200831692A (en) | Novel manufacturing design and processing methods and apparatus for PVD targets | |
CN104583880B (zh) | 处理钟表组件表面的方法和由这种方法得到的钟表组件 | |
US20090184322A1 (en) | Electroconductive film-forming method, a thin film transistor, a thin film transistor-provided panel and a thin film transistor-producing method | |
TW201330170A (zh) | 用於支撐基板之支撐插銷及使用該插銷之基板處理裝置 | |
CN103911586B (zh) | 在光伏器件涂覆有金属的玻璃上形成吸收层的方法和系统 | |
JP6006734B2 (ja) | 基板支持用ボートおよびこれを用いた支持ユニット | |
TW201543604A (zh) | 晶舟 | |
KR101317328B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
CN100517422C (zh) | 配线结构、其制造方法、以及光学设备 | |
Park et al. | Evaluation of atomic layer deposited alumina as a protective layer for domestic silver articles: Anti-corrosion test in artificial sweat | |
KR20140141493A (ko) | Cu-Mn 합금막 및 Cu-Mn 합금 스퍼터링 타깃재 및 Cu-Mn 합금막의 성막 방법 | |
WO2014208341A1 (ja) | 反射電極用または配線電極用Ag合金膜、反射電極または配線電極、およびAg合金スパッタリングターゲット | |
KR20130059011A (ko) | 기판 지지용 지지핀 | |
CN1867693B (zh) | 溅射靶材 | |
TWI506142B (zh) | NiCu alloy target and laminated film for Cu electrode protective film | |
CN104241197A (zh) | 在具有高薄层电阻的工件上的电化学沉积 | |
CN104733353A (zh) | 批处理式基板处理装置 | |
JP2014185393A (ja) | 金属薄膜および金属薄膜形成用Mo合金スパッタリングターゲット材 | |
KR101284093B1 (ko) | 기판용 지지 유닛 및 이를 사용한 기판 처리 장치 | |
KR102640176B1 (ko) | 코팅된 트랜스미터 코일을 갖는 코팅 디바이스 | |
US11119344B2 (en) | Manufacturing method of flexible display, flexible display, and display device | |
KR100806846B1 (ko) | 비정질 실리콘 박막의 결정화 방법 | |
JP5981986B2 (ja) | 基板支持用支持ユニット | |
KR101297686B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20120122795A (ko) | 기판 지지용 홀더 및 이를 사용한 기판 처리 장치 |