TWI506142B - NiCu alloy target and laminated film for Cu electrode protective film - Google Patents

NiCu alloy target and laminated film for Cu electrode protective film Download PDF

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TWI506142B
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Kazuya Sakaguchi
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Daido Steel Co Ltd
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Description

Cu電極保護膜用NiCu合金靶材及積層膜
本發明係關於一種Cu電極保護膜用NiCu合金靶材及積層膜，進而詳細而言，本發明係關於一種用以形成用作觸控面板或液晶面板之電極的Cu電極之保護膜之Cu電極保護膜用NiCu合金靶材，及使用其而製造之積層膜。
觸控面板、薄型大畫面電視等中所使用之液晶面板具備於2片透明基板之間封入液晶構造。於透明基板之內側(液晶側之面)形成有成為液晶之工作電極之透明電極。一般而言，透明電極中使用氧化銦錫(ITO，Indium Tin Oxide)。又，於形成有透明電極之基板表面之一部分形成有成為外部輸出端子之金屬電極或金屬配線(以下，將該等單獨總稱為「金屬電極」)。金屬電極係於基板表面內形成無需使光透過之部分(例如基板之外周部)。
於在透明電極之表面上直接形成金屬電極之情形時，於透明電極與金屬電極之間的標準電位之差(電位差)較大時，會引起金屬電極之電解腐蝕。又，存在於形成於基板表面之底層與金屬電極之間產生原子之相互擴散，金屬電極之電氣特性劣化之情形。因此，一般於金屬電極之兩面形成有用以保護金屬電極之保護膜(阻障層)。一般於先前之液晶面板中，使用Al-Nd系合金作為金屬電極，使用Mo-Nb系合金作為保護膜。
對此類液晶面板中所使用之金屬電極、保護膜、及用以形成該等之材料，先前提出各種方案。
例如，於專利文獻1中揭示有一種包含合計2～50原子%之自V與Nb中選擇之1種以上，剩餘部分包含Mo及不可避免之雜質，且相對密度為95%以上之薄膜形成用濺鍍靶材。
於相同文獻中記載有若使用含有Nb或V之Mo合金靶材，則獲得不含有害之Cr，且低電阻、具有較高之耐蝕性之金屬薄膜。
又，於專利文獻2中揭示有一種以Mo為主體，含有0.5～50原子%之自(Ti、Zr、V、Nb、Cr)中選擇之金屬元素M，且具有特定之組織的濺鍍靶材。
於相同文獻中記載有將原料粉末之混合物進行壓縮成形而製成成形體，將成形體粉碎再次製成粉末，並對該粉末進行加壓燒結，藉此抑制成分之偏析，燒結體之塑性加工性亦提昇。
又，雖然專利文獻3中並未揭示金屬電極之保護膜用之靶材，但揭示有一種含有Ni：70～85重量%、Cu：2～10重量%、以及Mo：1～6重量%及/或Cr：0.5～3重量%，剩餘部分實質上包含Fe，且經濺鍍之面之結晶粒度小於JIS奧氏體結晶粒度編號No.3之靶材構件。
於相同文獻中記載有若使用此種靶材，則獲得低保磁力且均勻之Fe-Ni合金薄膜。
又，雖然於專利文獻4中並未揭示金屬電極之保護膜用之靶材，但揭示有一種含有Ni：35～85重量%，自Mo、Cr、Cu及Nb中選擇之1種以上：3～15重量%，Al：1重量%以下，Ca及/或Mg：300 ppm以下，O：30 ppm以下，N：30 ppm以下，且剩餘部分實質上為Fe之蒸鍍用Ni-Fe基合金。
於相同文獻中記載有藉由使用此種靶材，而獲得純度極高且高特性之磁性薄膜。
又，於非專利文獻1中揭示有一種使用Ar+O2 混合氣體對包含Cu-2 wt%Zr合金、Cu-1 wt%Mo合金或Cu-0.7 wt%Mg合金之靶材進行濺鍍之方法。
於相同文獻中記載有藉由使用此種方法，而於包含Cu系材料之層(金屬電極)與底層之界面形成與底層之密著性良好的阻障層(氧化層)。
又，雖然專利文獻5中並未揭示金屬電極之保護膜用之靶材，但揭示有一種包含Ni-7.5質量%Ti-4～40質量%Cu合金，且用以形成晶片電阻器用之電極的濺鍍靶材。
於相同文獻中記載有若於Ni-Ti合金中添加Cu，則由於飽和磁化減小，故而獲得長壽命之靶材。
進而，雖然於專利文獻6中並未揭示金屬電極之保護膜用之靶材，但揭示有一種包含
(a)Ni-25 at%Cu-2 at%Cr合金(Ni-26.6 mass%Cu-1.7 mass%Cr合金)、或
(b)Ni-25 at%Cu-12 at%Ti合金(Ni-27.1 mass%Cu-9.8 mass%Ti合金)
之阻障層形成用鎳合金濺鍍靶材。
於相同文獻中記載有若使用具有此種組成之靶材來形成阻障層，則抑制Sn之擴散。
隨著液晶面板之大型化，尋求電阻低於Al系材料之材料。又，由於Al系配線之保護膜中所使用之Mo-Nb系合金價格高，而阻礙液晶面板之低成本化。相對於此，由於Cu系材料與Al系材料相比，電阻較低，而期待作為代替Al系材料之低電阻配線材料。
作為使用Cu系材料之金屬電極及Cu電極保護膜之形成方法，如非專利文獻1中所揭示，已知有於Ar+O2 氣體環境下對包含Cu系合金之靶材進行濺鍍之方法。於相同文獻中所記載之方法具有可藉由1次濺鍍而同時形成Cu電極與保護膜之優點。
然而，Ar+O2 氣體環境下之反應性濺鍍使Cu電極膜本身之電氣電阻增加，導致特性劣化。又，O2 由於容易捕捉至真空裝置室中，故而氧分壓之控制較為困難，而成為製品品質不均勻之原因。
又，金屬電極及保護膜係一般藉由於形成有透明電極之基板表面整個面形成保護膜及電極層，並圖案化成特定之形狀而形成。為將液晶面板低成本化，較佳為圖案化係藉由濕式蝕刻而進行。進而，為利用濕式蝕刻進行高精度之圖案化，較佳為保護膜及電極層之蝕刻速率幾乎相等。
然而，藉由非專利文獻1中所揭示之方法而獲得之金屬電極及保護膜由於兩者之蝕刻速率之差較大，故而存在無法進行高精度之圖案化之問題。
進而，於液晶面板之情形時，Cu電極保護膜係形成於包含ITO之透明電極之上。因此，對於Cu電極保護膜要求較高之與ITO之密著性。又，為高效地進行濺鍍，要求靶材之磁導率較低。然而，先前未提出完全兼具該等條件之Cu電極保護膜用之靶材及使用此種靶材而製造之積層膜之例。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2002-327264號公報
[專利文獻2]日本專利特開2005-290409號公報
[專利文獻3]日本專利特開昭62-186511號公報
[專利文獻4]日本專利特開昭63-100148號公報
[專利文獻5]日本專利特開2005-171341號公報
[專利文獻6]國際公開第WO2005/041290號
[非專利文獻]
[非專利文獻1]高澤悟等人，Ulvac Technical Journal,No. 69,P7,2009
本發明所欲解決之課題在於提供一種
(a)可用作Cu電極之保護膜，可抑制Cu電極之電解腐蝕或因原子擴散引起之電氣特性之劣化，且可形成可藉由濕式蝕刻而進行高精度之圖案化之保護膜，
(b)可形成與透明電極之密著性良好之保護膜，並且
(c)可高效地進行濺鍍
之Cu電極保護膜用NiCu合金靶材，及使用其而製造之積層膜。
用以解決上述課題之本發明之第1發明係一種Cu電極保護膜用NiCu合金靶材，其包含：
15.0≦Cu≦55.0 mass%、及
0.5≦(Cr、Ti)≦10.0 mass%(其中，Cr＞0、Ti＞0)，且
剩餘部分包含Ni及不可避免之雜質。
本發明之第2發明係一種Cu電極保護膜用NiCu合金靶材，其包含
15.0≦Cu≦55.0 mass%、及
0.5≦Cr≦10.0 mass%，且
剩餘部分包含Ni及不可避免之雜質。
本發明之第3種發明係一種Cu電極保護膜用NiCu合金靶材，其包含
15.0≦Cu≦55.0 mass%、及
0.5≦Ti≦10.0 mass%，且
剩餘部分包含Ni及不可避免之雜質。
進而，本發明之積層膜係具備
Cu電極、及
形成於上述Cu電極之單面或兩面上之保護膜者，且
上述保護膜包含使用本發明之Cu電極保護膜用NiCu合金靶材而成膜之薄膜。
若相對於Ni-15～55Cu合金添加特定量之Cr及/或Ti，則與Cu電極之蝕刻速率之差減小，同時與Cu電極或ITO等周邊構件之間之電位差減小。因此，若利用其作為液晶面板所使用之Cu電極之保護膜，則可抑制Cu電極之電解腐蝕或因原子擴散而引起之電氣特性之劣化，亦能夠藉由濕式蝕刻進行高精度之圖案化。
又，若相對於Ni-15～55Cu合金添加特定量之Cr及/或Ti，則與透明電極之密著性提昇。進而，Ni-15～55Cu合金由於最大磁導率較小，故而若將其用於靶材，則可高效地進行濺鍍。
以下對本發明之一實施形態進行詳細說明。
[1.Cu電極保護膜用NiCu合金靶材(1)：NiCuCr合金]
[1.1.成分]
本發明之第1實施形態之Cu電極保護膜用NiCu合金靶材包含以下所述之元素，且剩餘部分包含Ni及不可避免之雜質。添加元素之種類及添加量之限定理由如下所述。
(1)15.0≦Cu≦55.0 mass%。
NiCu合金中之Cu含量對與Cu電極或ITO之間之標準電位的差(電位差)、或與Cu電極之間之蝕刻速率差造成影響。又，Cu含量對NiCu合金之磁導率造成影響。
一般而言，Cu含量變得越少，與周邊構件之間之電位差變得越大，耐電解腐蝕性越下降。又，與Cu電極相比，蝕刻速率變慢，電極之可靠性下降。若保護膜之蝕刻速率過慢，則濕式蝕刻後之保護膜/電極/保護膜之截面變成凹狀。進而，Cu含量變得越少，則保護膜之電氣電阻越增大，電極之可靠性越下降。又，Cu含量變得越少，則最大磁導率μ越增大。
因此，必需使Cu含量為15.0 mass%以上。Cu含量更佳為25.0 mass%以上，進而較佳為30.0 mass%以上。
另一方面，若Cu含量過剩，則與周邊構件之電位差反而變大。又，與Cu電極相比，蝕刻速率變得過快，電極之可靠性下降。若保護膜之蝕刻速率過快，則濕式蝕刻後之保護膜/電極/保護膜之截面變成凸狀。進而，若Cu含量過剩，則由於金屬間化合物之析出而導致加工性下降。
因此，必需使Cu含量為55.0 mass%以下。Cu含量更佳為45.0 mass%以下，進而較佳為40.0 mass%以下，進而更佳為35.0 mass%以下。
(2)0.5≦Cr≦10.0 mass%。
相對地含有大量Cu之NiCu合金與周邊構件(尤其是Cu電極)之間之電位差較大，且與Cu電極相比，蝕刻速率較快。Cr具有減小此種NiCu合金與周邊構件之間之電位差，且減慢NiCu合金之蝕刻速率(接近Cu電極)之作用。進而，Cr具有提高與透明電極(ITO)之密著性之作用。
一般而言，Cr之含量變得越少，則與周邊構件之間之電位差變得越大，耐電解腐蝕性越下降。又，若與Cu電極相比，蝕刻速率變得過快，則電極之可靠性下降。進而，Cr含量變得越少，則與透明電極之密著性越下降。
因此，必需使Cr之含量為0.5 mass%以上。Cr之含量更佳為1.0 mass%以上，進而較佳為3.0 mass%以上。
另一方面，若Cr之含量變得過剩，則與周邊構件之電位差反而變大。又，若與Cu電極相比，蝕刻速率變得過慢，則電極之可靠性下降。
因此，Cr之含量必須為10.0 mass%以下。Cr之含量更佳為7.0 mass%以下，進而較佳為5.0 mass%以下。
[1.2.用途]
本發明之第1實施形態之靶材係為形成用以保護Cu電極之保護膜而使用。
此處，所謂「Cu電極」係指包含純Cu或具有與其同等之電氣比電阻(具體而言約2～3 μΩcm)之Cu合金之電極。
又，本實施形態之靶材亦可用於Cu電極保護膜以外之用途。作為其他用途，具體而言，有電極膜、反射膜等。
Cu電極保護膜一般形成於Cu電極之兩面。例如，於液晶面板之情形時，於形成有透明電極之基板表面，使用具有特定之組成之靶材，依序形成Cu電極保護膜、Cu電極、及Cu電極保護膜。繼而，藉由濕式蝕刻而將Cu電極保護膜/Cu電極/Cu電極保護膜圖案化為特定之形狀。
另一方面，根據用途亦存在於Cu電極之單面形成有保護膜之情形。例如，於TFT(Thin Film Transistor，薄膜電晶體)之情形時，於形成有透明電極之基板表面，使用具有特定之組成之靶材，依序形成Cu電極保護膜及Cu電極膜。繼而，藉由濕式蝕刻而將Cu電極保護膜/Cu電極圖案化為特定之形狀。
[2.Cu電極保護膜用NiCu合金靶材(2)：NiCuTi合金]
[2.1.成分]
本發明之第2實施形態之Cu電極保護膜用NiCu合金靶材包含如下所述之元素，且剩餘部分包含Ni及不可避免之雜質。添加元素之種類及添加量之限定理由如下所述。
(1)15.0≦Cu≦55.0 mass%。
NiCu合金中之Cu含量對與Cu電極或ITO之間之標準電位的差(電位差)、或與Cu電極之間之蝕刻速率差造成影響。又，Cu含量對NiCu合金之磁導率造成影響。
一般而言，Cu含量變得越少，則與周邊構件之間之電位差變得越大，耐電解腐蝕性越下降。又，若與Cu電極相比，蝕刻速率變慢，則電極之可靠性下降。若保護膜之蝕刻速率過慢，則濕式蝕刻後之保護膜/電極/保護膜之截面變成凹狀。進而，Cu含量變得越少，則保護膜之電氣電阻越增大，電極之可靠性越下降。又，Cu含量變得越少，則最大磁導率μ越增大。
因此，Cu含量必須為15.0 mass%以上。Cu含量更佳為25.0 mass%以上，進而較佳為30.0 mass%以上。
另一方面，若Cu含量過剩，則與周邊構件之電位差反而變大。又，與Cu電極相比，蝕刻速率變得過快，電極之可靠性下降。若保護膜之蝕刻速率過快，則濕式蝕刻後之保護膜/電極/保護膜之截面變成凸狀。進而，若Cu含量過剩，則由於金屬間化合物之析出而導致加工性下降。
因此，Cu含量必須為55.0 mass%以下。Cu含量更佳為45.0 mass%以下，進而較佳為40.0 mass%以下，進而更佳為35.0 mass%以下。
(2)0.5≦Ti≦10.0 mass%。
相對地含有大量Cu之NiCu合金係與周邊構件(尤其是Cu電極)之間的電位差較大，且與Cu電極相比，蝕刻速率較快。Ti具有減小此種NiCu合金與周邊構件之間之電位差，且減慢NiCu合金之蝕刻速率(接近Cu電極)之作用。進而，Ti具有提高與透明電極(ITO)之密著性之作用。
一般而言，Ti之含量變得越少，則與周邊構件之間之電位差變得越大，耐電解腐蝕性越下降。又，若與Cu電極相比，蝕刻速率變得過快，則電極之可靠性下降。進而，Ti含量變得越少，則與透明電極之密著性越下降。
因此，Ti之含量必須為0.5 mass%以上。Ti之含量更佳為1.0 mass%以上，進而較佳為3.0 mass%以上。
另一方面，若Ti之含量過剩，則與周邊構件之電位差反而變大。又，若與Cu電極相比，蝕刻速率變得過慢，則電極之可靠性下降。
因此，Ti之含量必須為10.0 mass%以下。Ti之含量更佳為7.0 mass%以下，進而較佳為5.0 mass%以下。
[2.2.用途]
關於本發明之第2實施形態之靶材之用途，與第1實施形態相同，故而省略詳細之說明。
[3.Cu電極保護膜用NiCu合金靶材(3)：NiCuCrTi合金]
[3.1.成分]
本發明之第3實施形態之Cu電極保護膜用NiCu合金靶材包含如下所述之元素，且剩餘部分包含Ni及不可避免之雜質。添加元素之種類及添加量之限定理由如下所述。
(1)15.0≦Cu≦55.0 mass%。
NiCu合金中之Cu含量對與Cu電極或ITO之間之標準電位的差(電位差)、或與Cu電極之間之蝕刻速率差造成影響。又，Cu含量對NiCu合金之磁導率造成影響。
一般而言，Cu含量變得越少，則與周邊構件之間之電位差變得越大，耐電解腐蝕性越下降。又，若與Cu電極相比，蝕刻速率變慢，則電極之可靠性下降。若保護膜之蝕刻速率過慢，則濕式蝕刻後之保護膜/電極/保護膜之截面變成凹狀。進而，Cu含量變得越少，則保護膜之電氣電阻越增大，電極之可靠性越下降。又，Cu含量變得越少，則最大磁導率μ越增大。
因此，必需使Cu含量為15.0 mass%以上。Cu含量更佳為25.0 mass%以上，進而較佳為30.0 mass%以上。
另一方面，若Cu含量過剩，則與周邊構件之電位差反而變大。又，若與Cu電極相比，蝕刻速率變得過快，則電極之可靠性下降。若保護膜之蝕刻速率過快，則濕式蝕刻後之保護膜/電極/保護膜之截面變成凸狀。進而，若Cu含量過剩，則由於金屬間化合物之析出而使加工性下降。
因此，Cu含量必須為55.0 mass%以下。Cu含量更佳為45.0 mass%以下，進而較佳為40.0 mass%以下，進而更佳為35.0 mass%以下。
(2)0.5≦(Cr、Ti)≦10.0 mass%。其中，Cr＞0，Ti＞0。
如上所述，Cr及Ti均具有
(a)減小NiCu合金與周邊構件之間之電位差之作用、
(b)減慢NiCu合金之蝕刻速率之(接近Cu電極)作用、及
(c)提高與透明電極(ITO)之密著性之作用。
若將此種Cr及Ti同時添加至NiCu合金中，則具有同等地維持蝕刻速率及密著性，且進而減小與周邊構件之電位差之作用。
一般而言，Cr及/或Ti之含量變得越少，則與周邊構件之間之電位差變得越大，耐電解腐蝕性越下降。又，若與Cu電極相比，蝕刻速率變得過快，則電極之可靠性下降。因此，Cr及Ti之含量必須以總量計為0.5 mass%以上。Cr及Ti之總含量更佳為1.0 mass%以上，進而較佳為3.0 mass%以上。
另一方面，若Cr及/或Ti之含量過剩，則與周邊構件之電位差反而變大。又，若與Cu電極相比，蝕刻速率變得過慢，則電極之可靠性下降。因此，Cr及Ti之含量必須以總量計為10.0 mass%以下。Cr及Ti之總含量更佳為7.0 mass%以下，進而較佳為5.0 mass%以下。
[3.2.用途]
關於本發明之第3實施形態之靶材之用途，與第1實施形態相同，故而省略詳細之說明。
[4.積層膜]
本發明之積層膜係包含
Cu電極、及
形成於上述Cu電極之單面或兩面之保護膜者，且
上述保護膜包含使用本發明之Cu電極保護膜用NiCu合金靶材而成膜之薄膜。
[4.1.Cu電極]
Cu電極之厚度較佳為根據目的選擇最合適之厚度。一般而言，Cu電極變得越厚，則工作越穩定化。然而，若Cu電極變得過厚，則不僅蝕刻性或密著性下降，並且引起膜裂紋。因此，Cu電極之厚度較佳為50～500 nm。Cu電極之厚度更佳為100～400 nm，進而較佳為150～250 nm。
就關於Cu電極之其他方面而言，如上所述，故而省略說明。
[4.2.保護膜]
保護膜之厚度較佳為根據目的選擇最合適之厚度。一般而言，保護膜變得越厚，則耐久性越得以提昇。然而，若保護膜變得過厚，則蝕刻性或密著性下降。因此，保護膜之厚度較佳為5～100 nm。保護膜之厚度更佳為5～70 nm，進而較佳為5～50 nm。
於在Cu電極之兩面形成有保護膜之情形時，各面之保護膜之組成可互相相同，亦可不同。即，於在Cu電極之兩面形成有保護膜之情形時，可使用相同組成之靶材而形成各面之保護膜。或亦可使用第1靶材而成膜一個保護膜，並使用具有與第1靶材不同之組成之第2靶材而成膜另一個保護膜。
對於保護膜之成膜方法並無特別限定，可根據目的使用各種方法。作為使用靶材之保護膜之成膜方法，具體而言，有濺鍍法，其他有使用奈米粒子之奈米壓印法或濕式電鍍法等。
就關於保護膜及Cu電極保護膜用NiCu合金靶材之其他方面而言，如上所述，故而省略說明。
[5.Cu電極保護膜用NiCu合金靶材及積層膜之作用]
Ni-15～55Cu合金係與周邊構件(尤其是Cu電極)之間之電位差較大，且與Cu電極相比，蝕刻速率較快。
相對於此，若相對於Ni-15～55Cu合金添加特定量之Cr及/或Ti，則蝕刻速率變慢(接近Cu電極之蝕刻速率)，同時與Cu電極或ITO等周邊構件之間之電位差減小。因此，若利用其作為液晶面板中所使用之Cu電極之保護膜，則可抑制Cu電極之電解腐蝕或因原子擴散而引起之電氣特性之劣化，亦可藉由濕式蝕刻進行高精度之圖案化。
又，若相對於Ni-15～55Cu合金添加特定量之Cr及/或Ti，則與透明電極之密著性提昇。進而，Ni-15～55Cu合金由於最大磁導率較小，故而若將其用於靶材中，則可高效地進行濺鍍。
[實施例]
(實施例1)
[1.試料之製作]
使用熔解、鑄造法製作具有特定之組成之Ni-Cu-Cr合金靶材。Cu含量設為10～60 mass%。Cr含量設為0～11 mass%。又，使用熔解、鑄造法製作Ni-35 mass%Cu-1.5 mass%Cr-1.5 mass%Ti合金靶材。進而，使用純Cu及ITO作為比較。
[2.試驗方法]
[2.1.電位差]
對Ni-Cu-Cr合金、Ni-Cu-Cr-Ti合金、Cu、及ITO分別測定標準電位。標準電位係使用碳電極作為相對電極，使用甘汞電極作為參照電極，於保持在40℃之200 g/L硫酸銨水溶液中藉由電位電流法而測定。
使用所得之各材料之標準電位，而計算出Ni-Cu-Cr合金或Ni-Cu-Cr-Ti合金與Cu之間的電位差△V(V)、及Ni-Cu-Cr合金或Ni-Cu-Cr-Ti合金與ITO之間的電位差△V(V)。
再者，電位差更佳為小於先前者，但同等或稍大部分並無實用上之問題。具體而言，只要與ITO之電位差為0.35 V以下，與Cu之電位差為1.0 V以下即可。
[2.2.蝕刻速率差]
將調整形狀之各材料之試片於40℃之硫酸銨200 g/L水溶液中浸漬特定時間。浸漬後，根據厚度之減少量計算出蝕刻速率。進而，使用所得之蝕刻速率計算出與Cu之間之蝕刻速率差(nm/sec)。
再者，蝕刻速率差更佳為小於先前者，但同等或稍大之部分並無實用上之問題。具體而言，只要蝕刻速率差為1.2 nm/sec即可。
[2.3.剝離率]
於玻璃基板上形成ITO膜(厚度：20 nm或150 nm)。繼而，於ITO膜之上進而形成Ni-Cu-Cr合金膜或Ni-Cu-Cr-Ti合金膜(厚度：50 nm或200 nm)。
使用所得之膜進行刮痕試驗。試驗條件依據JIS K5600。即，於膜表面添加1 mm間距之交叉切割，而形成100個柵格。於膜表面上貼附膠帶，將膠帶剝離後，測量剝離之柵格之個數n(=剝離率(%))。
再者，剝離率最佳為0%，較佳為未滿10%(1位數)。
[2.4.最大磁導率]
使用調整形狀之試片，使用試料振動型磁力計(VSM，vibrating-samle-magnetometer)測定最大磁導率μ。測定時之磁場Hm設為20[MOe]。
再者，最大磁導率只要為100以下，則無實用上之問題。
[3.結果]
[3.1.電位差△V]
圖1表示Ni-Cu-Cr合金與ITO之間之電位差△V。圖1中虛線表示先前作為Al系配線材料之保護膜所使用之Mo-10Nb與ITO之間的電位差△V(0.16 V)。
圖2表示Ni-Cu-Cr合金與Cu之間的電位差△V。圖2中虛線表示Mo-10Nb與先前作為Al系配線材料所使用之Al-3Nd之間的電位差△V(0.62 V)。
再者，Ni-Cu-Cr-Ti合金之結果亦一併示於圖1及圖2中。
根據圖1可知以下情況。
(1)若使用Ni-Cu-Cr合金/Cu/ITO之組合作為保護膜/電極/透明電極之組合，則與先前之組合(Mo-10Nb/Al-3Nd/ITO)相比，相對於ITO之電位差△V減小。
(2)為將相對於ITO之電位差△V設為無實用上之問題之值(0.35 V)以下，較佳為將Cu含量之下限設為15 mass%或20 mass%。又，較佳為將Cu含量之上限設為55 mass%或50 mass%。
(3)為使相對於ITO之電位差△V為與先前之組合同等以下，較佳為將Cu含量之下限設為23.5 mass%、24 mass%或25 mass%。又，較佳為將Cu含量之上限設為44 mass%、40 mass%或38 mass%。
(4)為將相對於ITO之電位差設為無實用上之問題之值(0.35 V)以下，較佳為將Cr含量之上限設為10 mass%、8 mass%或7 mass%。
(5)為將相對於ITO之電位差△V為與先前之組合同等以下，較佳為將Cr含量之下限設為0.2 mass%、0.5 mass%或1 mass%。又，較佳為將Cr含量之上限設為6.5 mass%、6 mass%或5 mass%。
(6)Ni-35Cu-1.5Cr-1.5Ti合金之相對於ITO之電位差△V與Ni-35Cu-3Cr合金電位差△V相比減小。
根據圖2可知以下情況。
(1)若使用Ni-Cu-Cr合金/Cu/ITO之組合作為保護膜/電極/透明電極之組合，則與先前之組合(Mo-10Nb/Al-3Nd/ITO)相比，相對於Cu之電位差△V減小。
(2)為將相對於Cu之電位差△V設為無實用上問題之值(1.0 V)以下，較佳為將Cu含量之下限設為15 mass%或20 mass%。
(3)為使相對於Cu之電位差△V為與先前之組合同等以下，較佳為將Cu含量之下限設為23 mass%、24 mass%或25 mass%。又，較佳為將Cu含量之上限設為45 mass%、42 mass%或40 mass%。
(4)為使相對於Cu之電位差△V為與先前之組合同等以下，較佳為將Cr含量之下限設為0.2 mass%、0.5 mass%或1 mass%。又，較佳為將Cr含量之上限設為5.5 mass%、5 mass%或4 mass%。
(5)Ni-35Cu-1.5Cr-1.5Ti合金之相對於Cu之電位差△V與Ni-35Cu-3Cr合金大致同等。
[3.2.蝕刻速率差]
圖3表示Ni-Cu-Cr合金與Cu之間之蝕刻速率差。圖3中虛線表示Cu之蝕刻速率之1/2的值(0.6 nm/sec)。各材料之蝕刻速率R1 與Cu之蝕刻速率R2 之差(=R1 -R2 )的絕對值越小越良好，實用上蝕刻速率差並非必須為零。於各材料之蝕刻速率R1 與Cu之蝕刻速率R2 之差的絕對值為Cu之蝕刻速率R2 的1/2以下之情形(即|R1 -R2 |≦R2 /2之情形)時，可藉由濕式蝕刻獲得凹凸相對較少之良好之截面。
再者，Ni-Cu-Cr-Ti合金之結果亦一併示於圖3中。
根據圖3可知以下情況。
(1)若使用Ni-Cu-Cr合金/Cu/ITO之組合作為保護膜/電極/透明電極之組合，則其蝕刻速率差變得小於先前之組合(Mo-10Nb/Al-3Nd/ITO)之值(1.2 nm/sec)。
(2)為將蝕刻速率差設為無實用上之問題之值(1.2 nm/sec)以下，較佳為將Cu含量之下限設為15 mass%或20 mass%。又，較佳為將Cu含量之上限設為55 mass%、50 mass%或47 mass%。
(3)為使蝕刻速率差為與Cu/2同等以下，較佳為將Cu含量之下限設為24 mass%、24.5 mass%或25 mass%。又，較佳為將Cu含量之上限設為42 mass%、40 mass%或38 mass%。
(4)為將蝕刻速率差設為無實用上之問題之值(1.2 nm/sec)以下，較佳為將Cr含量之上限設為10 mass%、9 mass%或8 mass%。
(5)為使蝕刻速率差為與Cu/2同等以下，較佳為將Cr含量之下限設為0.5 mass%、1 mass%或2 mass%。又，較佳為將Cr含量之上限設為6.5 mass%、6 mass%或5 mass%。
(6)Ni-Cu-Cr-Ti合金之蝕刻速率差較Ni-Cu-Cr合金稍高，但與Ni-Cu合金相比明顯較小。
[3.3.剝離率]
圖4～圖7表示於厚度20 nm或150 nm之ITO膜之上所形成之厚度50 nm或200 nm的Ni-Cu-Cr合金膜之剝離率。再者，Ni-Cu-Cr-Ti合金之結果亦一併示於圖4～7中。
根據圖4～圖7可知以下情況。
(1)Ni-Cu-Cr合金膜之剝離率與Ni-Cu合金膜相比明顯較小。又，Ni-Cu-Cr合金膜之剝離率不過於依賴於膜厚。
(2)Ni-Cu-Cr合金膜之剝離率不取決於Cu含量而顯示出良好之值。尤其是於Cu含量為15～40 mass%之範圍內可獲得良好之結果。Cu含量進而較佳為23～25 mass%。
(3)藉由添加Cr而使耐剝離性大幅度改善。即便添加1 mass%亦可確認充分之效果，若添加3 mass%以上則幾乎不會發生剝離。尤其是於3～7 mass%之範圍內可獲得良好之結果。
(4)若於Ni-Cu-Cr合金中添加Ti，則剝離率與Ni-Cu-Cr合金相比稍微增大，但與Ni-Cu合金相比明顯減少。
[3.4.最大磁導率]
圖8表示Ni-Cu-Cr合金之最大磁導率。再者，Ni-Cu-Cr-Ti合金之結果亦一併示於圖8中。
根據圖8可知以下情況。
(1)為將最大磁導率μ設為100以下，只要將Cu含量之下限設為15 mass%即可。較佳為進而將Cu含量之下限設為20 mass%。又，較佳為將Cu含量之上限設為50 mass%。
(2)為將最大磁導率μ設為20以下，較佳為將Cu含量之下限設為24 mass%或25 mass%。又，較佳為將Cu含量之下限設為47 mass%或45 mass%。
(3)即便將Cr含量變為0～11 mass%，最大磁導率μ亦幾乎不發生變化。
(實施例2)
[1.試料之製作]
使用熔解、鑄造法製作具有特定之組成之Ni-Cu-Ti合金靶材。Cu含量設為10～60 mass%。Ti含量設為0～7 mass%。又，使用純Cu及ITO作為比較。
[2.試驗方法]
按照與實施例1相同之順序，測定出Ni-Cu-Ti合金與Cu之間之電位差△V，Ni-Cu-Ti合金與ITO之間之電位差△V，Ni-Cu-Ti合金與Cu之間之蝕刻速率差、剝離率、及最大磁導率μ。
[3.結果]
[3.1.電位差△V]
圖9表示Ni-Cu-Ti合金與ITO之間之電位差△v。圖9中虛線表示先前用作Al系配線材料之保護膜之Mo-10Nb與ITO之間的電位差△V(0.16 V)。
圖10表示Ni-Cu-Ti合金與Cu之間的電位差△V。圖10中虛線表示Mo-10Nb與先前用作A1系配線材料之Al-3Nd之間的電位差△V(0.62 V)。
再者，Ni-Cu-Cr-Ti合金之結果亦一併示於圖9及圖10中。
根據圖9可知以下情況。
(1)若使用Ni-Cu-Ti合金/Cu/ITO之組合作為保護膜/電極/透明電極之組合，則與先前之組合(Mo-10Nb/Al-3Nd/ITO)相比，相對於ITO之電位差△V減小。
(2)為將相對於ITO之電位差△V設為無實用上問題之值(0.35 V)以下，只要Cu含量之下限為15 mass%即可。較佳為將Cu含量之下限進而設為20 mass%或23 mass%。
(3)為使相對於ITO之電位差△V為與先前之組合同等以下，較佳為將Cu含量之下限設為23.5 mass%、24 mass%或25 mass%。又，較佳為將Cu含量之上限設為50 mass%、45 mass%或42 mass%。
(4)Ti係不論其含量如何，相對於ITO之電位差△V均顯示出良好之值。
(5)為使相對於ITO之電位差△V為與先前之組合同等以下，較佳為將Ti含量之下限設為0.2 mass%、0.3 mass%或0.5 mass%。又，較佳為將Ti含量之上限設為5.5 mass%、5 mass%或4.5 mass%。
(6)Ni-35Cu-1.5Cr-1.5Ti合金之相對於ITO之電位差△V與Ni-35Cu-3Ti合金相比減小。
根據圖10可知以下情況。
(1)若使用Ni-Cu-Ti合金/Cu/ITO之組合作為保護膜/電極/透明電極之組合，則與先前之組合(Mo-10Nb/Al-3Nd/ITO)相比，相對於Cu之電位差△V減小。
(2)為將相對於Cu之電位差△V設為無實用上問題之值(1.0 V)以下，只要Cu含量之下限為15 mass%即可。較佳為將Cu含量之下限進而設為20 mass%。
(3)為使相對於Cu之電位差之△V為與先前之組合同等以下，較佳為將Cu含量之下限設為23.5 mass%或24 mass%。又，較佳為將Cu含量之上限設為46 mass%、45 mass%或40 mass%。
(4)Ti係不論其含量如何，相對於Cu之電位差△V均顯示出良好之值。
(5)為使相對於Cu之電位差△V為與先前之組合同等以下，較佳為將Ti含量之下限設為0.2 mass%、0.5 mass%或1 mass%。又，較佳為將Ti含量之上限設為5.5 mass%、5 mass%或4.5 mass%。
(6)Ni-35Cu-1.5Cr-1.5Ti合金之相對於Cu之電位差△V與Ni-35Cu-3Ti合金幾乎同等。
[3.2.蝕刻速率差]
圖11表示Ni-Cu-Ti合金與Cu之間之蝕刻速率差。圖11中虛線表示Cu之蝕刻速率之1/2的值(0.6 nm/sec)。再者，Ni-Cu-Cr-Ti合金之結果亦一併示於圖11中。
根據圖11可知以下情況。
(1)若使用Ni-Cu-Ti合金/Cu/ITO之組合作為保護膜/電極/透明電極之組合，則其蝕刻速率差變得小於先前之組合(Mo-10Nb/Al-3Nd/ITO)的值(1.2 nm/sec)。
(2)為將蝕刻速率差設為無實用上之問題之值(1.2 nm/sec)以下，只要Cu含量之下限為15 mass%即可。較佳為進而將Cu含量之下限設為20 mass%。又，只要Cu含量之上限設為55 mass%即可。較佳為進而將Cu含量之上限設為50 mass%或45 mass%。
(3)為使蝕刻速率差為與Cu/2同等以下，較佳為將Cu含量之下限設為24 mass%或25 mass%以上。又，較佳為將Cu含量之上限設為40 mass%或38 mass%。
(4)Ti係不論其含量如何，均顯示出良好之蝕刻速率差。
(5)為使蝕刻速率差為與Cu/2同等以下，較佳為將Ti含量之下限設為1.5 mass%或2 mass%。又，較佳為將Ti含量之上限設為5 mass%或4.5 mass%。
(6)Ni-Cu-Cr-Ti合金之蝕刻速率差變得小於Ni-Cu-Ti合金。
[3.3.剝離率]
圖12～圖15表示於厚度20 nm或150 nm之ITO膜之上所形成之厚度50 nm或200 nm之Ni-Cu-Ti合金膜的剝離率。再者，Ni-Cu-Cr-Ti合金之結果亦一併示於圖12～15中。
根據圖12～圖15可知以下情況。
(1)Ni-Cu-Ti合金膜之剝離率依賴於膜厚，Ni-Cu-Ti合金膜之膜厚變得越厚，則剝離率越增大。
(2)於Ni-Cu-Ti合金膜之膜厚為50 nm之情形時，為使剝離率為10%以下，只要Cu含量之下限為15 mass%即可。較佳為將Cu含量之下限進而設為20 mass%、23 mass%、24 mass%或25 mass%。又，Cu含量之上限較佳為設為47 mass%、45 mass%或40 mass%。
(3)於Ni-Cu-Ti合金膜之膜厚為50 nm之情形時，為使剝離率為10%以下，較佳為將Ti含量之下限設為1.0 mass%、1.5 mass%、2 mass%或3 mass%。
(4)若於Ni-Cu-Ti合金中添加Cr，則剝離率變成與Ni-Cu-Ti合金同等以下。
[3.4.最大磁導率]
圖16表示Ni-Cu-Ti合金之最大磁導率。再者，Ni-Cu-Cr-Ti合金之結果亦一併示於圖16中。
根據圖16可知以下情況。
(1)為將最大磁導率μ設為100以下，較佳為將Cu含量之下限設為24 mass%。
(2)為將最大磁導率μ設為20以下，較佳為將Cu含量之下限設為24.5 mass%或25 mass%。又，較佳為將Cu含量之下限設為47 mass%、45 mass%或40 mass%。
(3)即便將Ti含量變為0～11 mass%，最大磁導率μ亦幾乎不發生變化。
(實施例3)
[1.試料之製作]
使用實施例1或2中製作之靶材而製作觸控面板用之積層膜。
即，使用濺鍍法於基板表面依序形成阻障層、電極層、及上覆層(自下而上之順序)。基板使用ITO/底層膜/PET(Polyethylene Terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)基板、或ITO/底層膜/玻璃基板(均為市售品)。阻障層及上覆層分別使用包含特定量之Cu或Ti之NiCu合金，電極層使用Cu(5 N)。
作為比較，亦製作於阻障層及上覆層中分別使用Mo-10Nb合金、於電極層中使用Al-3Nd之積層膜。
觸控面板用積層膜之成膜條件示於表1中。
[2.試驗方法]
[2.1.密著性]
於與實施例1相同之條件下進行刮痕試驗(依據JIS K5600)，測定剝離率。
[2.2.耐候性]
將附有積層膜之基板於65℃、濕度95%之條件下保持1000小時。試驗結束後，藉由目視而判定有無變色。
[2.3.蝕刻性]
將附有積層膜之基板浸漬於40℃之過硫酸銨200 g/L水溶液中，並使積層膜溶解。測定至基板變透明為止(至積層膜整體溶解為止)所需要之時間。
[2.4.電極部薄片電阻]
藉由4端子法測定電極部薄片電阻。
[3.結果]
結果示於表2及表3中。根據表2及表3可知以下情況。
(1)電極部薄片電阻不論阻障層/電極層/上覆層之組成如何，均較低。
(2)於NiCuCr合金之Cu量固定之情形時，Cr含量變得越多，則密著性及耐候性越提昇，但蝕刻性越下降。又，於NiCuCr合金之Cr量固定之情形時，若Cu含量過剩，則耐候性下降。即，若將Ni-25～40Cu-3～5Cr合金用於阻障層及上覆層，則獲得密著性、耐候性、及蝕刻性優異之觸控面板用積層膜。
(3)於NiCuTi合金之Cu量固定之情形時，Ti含量變得越多，則密著性及耐候性越提昇，但蝕刻性越下降。又，於NiCuTi合金之Ti量固定之情形時，若Cu含量過剩，則耐候性下降。即，若將Ni-25～40Cu-3～5Ti合金用於阻障層及上覆層，則獲得密著性、耐候性、及蝕刻性優異之觸控面板用積層膜。
(實施例4)
[1.試料之製作]
使用實施例1或2中製作之靶材而製作TFT用之積層膜。即，使用濺鍍法而於基板表面上依序形成阻障層及電極層(自下而上之順序)。於基板中使用ITO/底層膜/玻璃基板(市售品)。於阻障層中使用包含特定量之Cu或Ti之NiCu合金，於電極層中使用Cu(5 N)。
作為比較，亦製作於阻障層中使用Mo-50Ti合金、於電極層中使用Cu之積層膜。
TFT用積層膜之成膜條件示於表4中。
[2.試驗方法]
[2.1.密著性、蝕刻性、及電極部薄片電阻]
於與實施例3相同之條件下測定密著性、蝕刻性、及電極部薄片電阻。
[2.2.阻障性]
對附有積層膜之基板進行250℃×30 min之真空熱處理。熱處理後，利用歐傑分析調查界面附近之Cu、Si之擴散。阻障性之良否係藉由利用歐傑分析之深度方向上之Cu、Si檢測量之傾斜而判定。關於阻障性之評價，「○」表示熱處理前後之深度方向之Cu、Si檢測量之傾斜的差為3%以下之情形，「×」表示大於3%之情形。
[3.結果]
結果示於表5中。根據表5可知以下情況。
(1)電極部薄片電阻係不論阻障層/電極層之組成如何，均較低。
(2)於NiCuCr合金之Cu量固定之情形時，Cr含量變得越多，則密著性及阻障性越提昇，但蝕刻性越下降。又，於NiCuCr合金之Cr量固定之情形時，若Cu含量過剩，則阻障性下降。即，若將Ni-25～40Cu-3～5Cr合金用於阻障層，則獲得密著性、阻障性、及蝕刻性優異之TFT用積層膜。
(3)於NiCuTi合金之Cu量固定之情形時，Ti含量變得越多，則密著性及阻障性越提昇，但蝕刻性越下降。又，於NiCuTi合金之Ti量固定之情形時，若Cu含量過剩，則阻障性下降。即，若將Ni-25～40Cu-3～5Ti合金用於阻障層，則獲得密著性、阻障性、及蝕刻性優異之TFT用積層膜。
以上對本發明之實施形態進行詳細說明，但本發明並不受到上述實施形態之任何限定，於不脫離本發明之主旨的範圍內可進行各種改變。
(產業上之可利用性)
本發明之Cu電極保護膜用NiCu合金靶材可作為用以於觸控面板電極部、液晶面板TFT部、有機EL(Electro Luminescence，電致發光)面板電極部、電漿顯示面板電極部、太陽電池面板電極部、半導體電極部等中所使用之Cu電極之兩面形成保護膜的濺鍍用靶材。
圖1(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Cr(x=10～60)合金之Cu含量與相對於ITO之電位差△V的關係之圖。圖1(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Cr(x=0～11)合金之Cr含量與相對於ITO之電位差△V的關係之圖。
圖2(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Cr(x=10～60)合金之Cu含量與相對於Cu之電位差△V的關係之圖。圖2(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Cr(x=0～11)合金之Cr含量與相對於Cu之電位差△V的關係之圖。
圖3(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Cr(x=10～60)合金之Cu含量與蝕刻速率差之關係的圖。圖3(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Cr(x=0～11)合金之Cr含量與蝕刻速率差之關係的圖。
圖4(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Cr(x=10～60)合金之Cu含量與剝離率(ITO：20 nm、NiCuCr：50 nm)之關係的圖。圖4(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Cr(x=0～11)合金之Cr含量與剝離率(ITO=20 nm、NiCuCr：50 nm)之關係的圖。
圖5(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Cr(x=10～60)合金之Cu含量與剝離率(ITO=20 nm、NiCuCr：200 nm)之關係的圖。圖5(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Cr(x=0～11)合金之Cr含量與剝離率(ITO：20 nm、NiCuCr：200 nm)之關係的圖。
圖6(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Cr(x=10～60)合金之Cu含量與剝離率(ITO：150 nm、NiCuCr：50 nm)之關係的圖。圖6(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Cr(x=0～11)合金之Cr含量與剝離率(ITO=150 nm、NiCuCr：50 nm)之關係的圖。
圖7(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Cr(x=10～60)合金之Cu含量與剝離率(ITO：150 nm、NiCuCr：200 nm)之關係的圖。圖7(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Cr(x=0～11)合金之Cr含量與剝離率(ITO：150 nm、NiCuCr：200 nm)之關係的圖。
圖8(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Cr(x=10～60)合金之Cu含量與最大磁導率μ之關係的圖。圖8(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Cr(x=0～11)合金之Cr含量與最大磁導率μ之關係的圖。
圖9(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Ti(X=10～60)合金之Cu含量與相對於ITO之電位差△V的關係之圖。圖9(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Ti(x=0～7)合金之Ti含量與相對於ITO之電位差△V的關係之圖。
圖10(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Ti(x=10～60)合金之Cu含量與相對於Cu之電位差△V的關係之圖。圖10(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Ti(x=0～7)合金之Ti含量與相對於Cu之電位差△V的關係之圖。
圖11(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Ti(x=10～60)合金之Cu含量與蝕刻速率差之關係的圖。圖11(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Ti(x=0～7)合金之Ti含量與蝕刻速率差之關係的圖。
圖12(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Ti(x=10～60)合金之Cu含量與剝離率(ITO：20 nm、NiCuTi：50 nm)之關係的圖。圖12(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Ti(x=0～7)合金之Ti含量與剝離率(ITO：20 nm、NiCuTi：50 nm)之關係的圖。
圖13(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Ti(x=10～60)合金之Cu含量與剝離率(ITO：20 nm、NiCuTi：200 nm)之關係的圖。圖13(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Ti(x=0～7)合金之Ti含量與剝離率(ITO：20 nm、NiCuTi：200 nm)之關係的圖。
圖14(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Ti(x=10～60)合金之Cu含量與剝離率(ITO：150 nm、NiCuTi=50 nm)之關係的圖。圖14(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Ti(x=0～7)合金之Ti含量與剝離率(ITO：150 nm、NiCuTi：50 nm)之關係的圖。
圖15(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Ti(x=10～60)合金之Cu含量與剝離率(ITO：150 nm、NiCuTi：200 nm)之關係的圖。圖15(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Ti(x=0～7)合金之Ti含量與剝離率(ITO：150 nm、NiCuTi：200 nm)之關係的圖。
圖16(A)係表示Ni-x mass%Cu-3 mass%Ti(x=10～60)合金之Cu含量與最大磁導率μ之關係的圖。圖16(B)係表示Ni-35 mass%Cu-x mass%Ti(x=0～7)合金之Ti含量與最大磁導率μ之關係的圖。

Claims (7)

  1. 一種Cu電極保護膜用NiCu合金靶材，其包含：15.0≦Cu≦55.0mass%、及0.5≦(Cr+Ti)≦10.0mass%(其中，Cr>0、Ti>0)，且剩餘部分包含Ni及不可避免之雜質。
  2. 如申請專利範圍第1項之Cu電極保護膜用NiCu合金靶材，其中，25.0≦Cu≦40.0mass%、及1.0≦(Cr+Ti)≦5.0mass%(其中，Cr>0、Ti>0)。
  3. 一種Cu電極保護膜用NiCu合金靶材，其包含：15.0≦Cu≦55.0mass%、及3.0≦Cr≦10.0mass%，且剩餘部分包含Ni及不可避免之雜質。
  4. 一種Cu電極保護膜用NiCu合金靶材，其包含：30.0≦Cu≦55.0mass%、及0.5≦Cr≦10.0mass%。
  5. 一種Cu電極保護膜用NiCu合金靶材，其包含：15.0≦Cu≦55.0mass%、及0.5≦Ti≦7.0mass%，且剩餘部分包含Ni及不可避免之雜質。
  6. 如申請專利範圍第5項之Cu電極保護膜用NiCu合金靶材，其中， 25.0≦Cu≦40.0mass%、及1.0≦Ti≦5.0mass%。
  7. 一種積層膜，其係具備：Cu電極、及形成於上述Cu電極之單面或兩面上之保護膜者，且上述保護膜包含使用申請專利範圍第1至6項中任一項之Cu電極保護膜用NiCu合金靶材而成膜之薄膜。
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