WO2019163745A1 - Ａｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法 - Google Patents

Ａｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2019163745A1
WO2019163745A1 PCT/JP2019/006030 JP2019006030W WO2019163745A1 WO 2019163745 A1 WO2019163745 A1 WO 2019163745A1 JP 2019006030 W JP2019006030 W JP 2019006030W WO 2019163745 A1 WO2019163745 A1 WO 2019163745A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sputtering
alloy
mass
target
sputtering target
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/006030
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
林　雄二郎
小見山　昌三
Original Assignee
三菱マテリアル株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2019025935A external-priority patent/JP2019143242A/ja
Application filed by 三菱マテリアル株式会社 filed Critical 三菱マテリアル株式会社
Priority to KR1020207013098A priority Critical patent/KR20200121280A/ko
Priority to CN201980007189.8A priority patent/CN111587300A/zh
Publication of WO2019163745A1 publication Critical patent/WO2019163745A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/06—Alloys based on silver
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working
    • C22F1/14—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working of noble metals or alloys based thereon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22F—CHANGING THE PHYSICAL STRUCTURE OF NON-FERROUS METALS AND NON-FERROUS ALLOYS
    • C22F1/00—Changing the physical structure of non-ferrous metals or alloys by heat treatment or by hot or cold working

Definitions

  • the present invention includes an Ag alloy sputtering target used when forming a thin film of Ag alloy containing at least one of In and Sn, with the balance being made of Ag and inevitable impurities, and the Ag alloy sputtering target. It relates to a manufacturing method.
  • This application claims priority to Japanese Patent Application No. 2018-028143 filed in Japan on February 20, 2018 and Japanese Patent Application No. 2019-025935 filed in Japan on February 15, 2019. This is incorporated here.
  • Ag films having a low specific resistance are used for reflective electrode films such as displays and LEDs, wiring films such as touch panels, transparent conductive films, and the like.
  • Patent Document 1 discloses using an Ag film or an Ag alloy film that reflects light with high efficiency as a constituent material of an electrode of a semiconductor light emitting device.
  • Patent Document 2 discloses the use of an Ag alloy film as the lead wiring of the touch panel.
  • Patent Document 3 discloses that an Ag alloy is used as a constituent material of the reflective electrode of the organic EL element.
  • These Ag films and Ag alloy films are formed by sputtering with a sputtering target made of Ag or an Ag alloy.
  • Patent Documents 4 and 5 propose an Ag alloy sputtering target that regulates the average grain size of the alloy grains and suppresses the variation in grain size of the crystal grains. ing.
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-245230 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-031705
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-059576 Japanese Unexamined Patent Publication No. 2011-1000071
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 2014-173158 A)
  • the chamber is periodically opened to replace or clean the internal members.
  • the opening of the chamber is performed not only for cleaning but also for film formation of other varieties or material change.
  • the vacuum atmosphere of the chamber becomes an atmospheric atmosphere, and the surface layer of the active sputtering target may be oxidized, or a reaction product may be formed with chemical substances in the atmosphere. It was. In the case of an Ag alloy target, sulfide may be generated as a reaction product. Further, even when the sputtering target is stored in the air, an oxide film or a reaction product may be formed on the target surface.
  • the present invention has been made in view of the above-described circumstances, and can reduce the pre-sputtering time, and can efficiently form an Ag alloy film excellent in heat resistance and sulfidation resistance.
  • An object of the present invention is to provide an alloy sputtering target and a method for producing an Ag alloy sputtering target.
  • an Ag alloy sputtering target of one embodiment of the present invention includes at least one of In and Sn in total 0 0.1% by mass to 1.5% by mass, the balance being Ag and inevitable impurities, Ar gas pressure 0.1 Pa, current density 1.5 W / cm 2 , integrated power consumption
  • the arithmetic average roughness Ra of the target sputtering surface after performing sputtering under the condition of 0.01 kWh / cm 2 is set to 7 ⁇ m or less.
  • the composition contains at least one of In and Sn in a range of 0.1% by mass to 1.5% by mass in total, with the balance being Ag and inevitable impurities, It is possible to form an Ag alloy film having excellent sulfidity and heat resistance, high reflectance, and low electrical resistance. Furthermore, the growth of crystal grains in the sputtering target can be suppressed by dissolving In and Sn in the Ag matrix. Further, the hardness is improved and the warping of the sputtering target can be suppressed.
  • an Ag alloy sputtering target according to another embodiment of the present invention is a total of at least one of In and Sn of 0.1% by mass or more.
  • the arithmetic mean roughness Ra of the target sputtering surface after sputtering under the conditions of a pressure of 0.1 Pa, a current density of 1.5 W / cm 2 , and an integrated power amount of 0.01 kWh / cm 2 is 7 ⁇ m or less. It is a feature.
  • At least one of In and Sn is included in the range of 0.1% by mass to 1.5% by mass in total, and Ge is in the range of 0.1% by mass to 7.5% by mass.
  • the balance is made of Ag and inevitable impurities, so that the heat resistance can be further improved, the reflectance can be suppressed from being lowered after the heat treatment, and it has sulfur resistance. It is possible to form an Ag alloy film having high reflectance and low electrical resistance.
  • the growth of the crystal grain in a sputtering target can be suppressed because the addition component selected from In, Sn, and Ge dissolves in the Ag parent phase. Further, the hardness is improved and the warping of the sputtering target can be suppressed.
  • the method for producing an Ag alloy sputtering target according to another aspect of the present invention is a method for producing an Ag alloy sputtering target for producing the above-described Ag alloy sputtering target.
  • the hot upset forging process, the hot rolling process, the cooling process, the cold rolling process, the heat treatment process, and the machining process are performed in this order.
  • the temperature is set within the range of 750 ° C. or higher and 850 ° C. or lower, and the holding time at the holding temperature is heated within the range of 1 hour or longer and 3 hours or shorter.
  • the forging process is repeatedly performed within the range of 6 times or more and 20 times or less.
  • the method for producing an Ag alloy sputtering target of the present invention has an upsetting forging step, and in this hot upsetting forging step, the holding temperature is within the range of 750 ° C. to 850 ° C., and the holding time at the holding temperature. Is heated under the conditions within the range of 1 hour or more and 3 hours or less, and the forging process within the range where the forging molding ratio is 1/2 or more and 1 / 1.2 or less is repeatedly performed within the range of 6 times or more and 20 times or less. Therefore, many special grain boundaries exist in the crystal structure of the target sputtering surface. Thereby, the surface roughness after sputtering can be reduced.
  • pre-sputter time can be shortened, Ag alloy sputtering target which can form efficiently the Ag alloy film excellent in heat resistance and sulfidation resistance, and Ag alloy sputtering target A manufacturing method can be provided.
  • an Ag alloy sputtering target which is one Embodiment of this invention is demonstrated.
  • An Ag alloy sputtering target according to an embodiment of the present invention is used when an Ag alloy film is formed.
  • the formed Ag alloy film is used as a reflective electrode film of the organic EL element.
  • the Ag alloy sputtering target according to the embodiment of the present invention may be a rectangular flat plate type sputtering target in which the target sputtering surface has a rectangular shape, or a disk type sputtering target in which the target sputtering surface has a circular shape. May be.
  • a cylindrical sputtering target whose target sputtering surface is a cylindrical surface may be used.
  • An Ag alloy sputtering target includes at least one of In and Sn within a total range of 0.1% by mass to 1.5% by mass, with the balance being Ag and inevitable impurities. It is comprised with the Ag alloy of the composition made into. Moreover, in the Ag alloy sputtering target which is embodiment of this invention, you may contain Ge within the range of 0.1 mass% or more and 7.5 mass% or less.
  • the Ag alloy sputtering target according to the embodiment of the present invention after sputtering was performed under the conditions of Ar gas pressure 0.1 Pa, current density 1.5 W / cm 2 , and integrated power amount 0.01 kWh / cm 2 .
  • the arithmetic average roughness Ra (JIS B0601: 2013) of the target sputtering surface is 7 ⁇ m or less.
  • In and Sn are elements having an effect of improving the sulfidation resistance and heat resistance of the formed Ag alloy film.
  • In and Sn can be dissolved in Ag to suppress the growth of crystal grains. Further, the solid solution improves the hardness and can suppress the occurrence of warpage.
  • the total content of at least one of In and Sn is less than 0.1% by mass, the above-described effects may not be sufficiently obtained.
  • the total content of at least one of In and Sn exceeds 1.5% by mass, the reflectance of the formed Ag alloy film decreases and the electrical resistance increases. There is a fear.
  • the total content of at least one of In and Sn is set in the range of 0.1% by mass to 1.5% by mass.
  • the total content of at least one of In and Sn The lower limit is preferably 0.25% by mass or more, and more preferably 0.5% by mass or more. Further, in order to reliably suppress a decrease in reflectance and an increase in electrical resistance of the formed Ag alloy film, the upper limit of the total content of at least one of In and Sn is set to 1.25% by mass. It is preferable to set it as follows, and it is more preferable to set it as 1.0 mass% or less.
  • Ge content Ge is an element having an effect of further improving the sulfidation resistance and heat resistance of an Ag alloy film formed in the same manner as it is contained in addition to In and Sn. Further, Ge can be dissolved in Ag to suppress the growth of crystal grains. Further, the solid solution improves the hardness and can suppress the occurrence of warpage. On the other hand, Ge is characterized in that it is less likely to be sputtered as being contained in the film as compared with In and Sn. Since the Ge content in the film is about 20% with respect to the composition of the target, about 5 times the amount is required to exhibit the same effect as In and Sn. For this reason, when the Ge content is less than 0.1% by mass, the above-described effects may not be sufficiently obtained.
  • the Ge content when the Ge content exceeds 7.5% by mass, the reflectivity of the formed Ag alloy film may decrease and the electrical resistance may increase.
  • the Ge content when Ge is added, the Ge content is set in a range of 0.1 mass% to 7.5 mass%.
  • the lower limit of the Ge content is preferably 1.25% by mass or more, and more preferably 2.5% by mass or more. preferable.
  • the upper limit of the Ge content is preferably 6.25% by mass or less, and 5.0% by mass or less. More preferably.
  • the Ge content when Ge is included as an impurity without intentional addition, the Ge content may be less than 0.1% by mass.
  • the sputtering target according to the embodiment of the present invention after performing sputtering under the conditions of Ar gas pressure 0.1 Pa, current density 1.5 W / cm 2 , and integrated power amount 0.01 kWh / cm 2.
  • the arithmetic average roughness Ra of the target sputtering surface is set to 7 ⁇ m or less.
  • the lower limit of the arithmetic mean roughness Ra of the target sputtering surface after sputtering is, for example, 0.5 ⁇ m.
  • the lower limit of the arithmetic average roughness Ra of the target sputtering surface after sputtering is preferably 1.0 ⁇ m or more, and more preferably 1.5 ⁇ m or more. preferable.
  • the upper limit of the arithmetic average roughness Ra of the target sputtering surface after performing the sputtering under the above-mentioned conditions is preferably 6.5 ⁇ m or less, and 6 ⁇ m or less. More preferably.
  • Hot upset forging process S03 hot upset forging is performed on the obtained Ag alloy ingot.
  • the holding temperature is heated within the range of 750 ° C. or higher and 850 ° C. or lower, and the holding time at the holding temperature is set within the range of 1 hour or longer and 3 hours or shorter.
  • the forging process within the range of 1/2 or more and 1 / 1.2 or less is repeatedly performed within the range of 6 times or more and 20 times or less.
  • free forging is preferable.
  • the forging direction is preferably repeated while turning the forging direction by 90 °.
  • the number of repetitions in the hot upset forging step S03 is set in the range of 6 to 20 times.
  • the lower limit of the number of repetitions in the hot upset forging step S03 is preferably 7 times or more, and more preferably 8 times or more.
  • the upper limit of the number of repetitions in the hot upset forging step S03 is preferably 18 times or less, and more preferably 15 times or less.
  • the holding temperature in the hot upset forging step S03 is set in a range of 750 ° C. or higher and 850 ° C. or lower.
  • the lower limit of the holding temperature in the hot upset forging step S03 is preferably 760 ° C. or higher, and more preferably 780 ° C. or higher.
  • the upper limit of the holding temperature in the hot upset forging step S03 is preferably 840 ° C. or less, and more preferably 820 ° C. or less.
  • the holding time at the above holding temperature is set within a range of 1 hour to 3 hours.
  • the lower limit of the holding temperature in the above holding time is preferably 1.1 hours, and more preferably 1.3 hours or more.
  • the upper limit of the holding temperature in the above holding time is preferably 2.5 hours or less, and more preferably 2.0 hours or less.
  • the forged material obtained in the hot upset forging step S03 is hot-rolled to obtain a hot-rolled material having a predetermined thickness.
  • the rolling reduction per pass is in the range of 20% to 35%
  • the strain rate is in the range of 3 / sec to 10 / sec
  • the temperature after the pass is It is preferable that one or more finishing hot rolling passes within a range of 400 ° C. or higher and 650 ° C. or lower are included.
  • the finish hot rolling is a rolling pass that strongly influences the crystal grain size of the plate material after rolling, including the final rolling pass, and if necessary, from the final rolling pass to the pass before the second rolling. You may think.
  • the strain rate ⁇ (sec ⁇ 1 ) is given by the following equation.
  • H 0 sheet thickness on the entry side with respect to the rolling roll (mm)
  • n rolling roll rotation speed (rpm)
  • R rolling roll radius (mm)
  • r rolling reduction (%)
  • r ′ r / 100.
  • cooling step S05 Next, the hot rolled material is cooled. In this cooling step S05, it is preferable to cool to 200 ° C. or less at a cooling rate of 100 ° C./min to 1000 ° C./min.
  • Cold rolling process S06 cold rolling is performed after the cooling step S05.
  • the average value of all rolling passes with a reduction rate per pass is in the range of 10% to 30%.
  • the total rolling reduction is in the range of 40% to 80%.
  • Heat treatment step S07 A heat treatment is performed after the cold rolling step S06.
  • the holding temperature is preferably in the range of 350 ° C. or higher and 550 ° C. or lower, and the holding time at the holding temperature is preferably in the range of 1 hour or longer and 2 hours or shorter.
  • the Ag alloy sputtering target according to the embodiment of the present invention is manufactured.
  • the conditions are Ar gas pressure 0.1 Pa, current density 1.5 W / cm 2 , and integrated power amount 0.01 kWh / cm 2 . Since the arithmetic average roughness Ra of the target sputtering surface after sputtering is 7 ⁇ m or less, the surface roughness of the target sputtering surface after sputtering is small, and oxides and reaction products on the target sputtering surface are removed. Therefore, the pre-sputtering time can be shortened. Therefore, the deposition efficiency of the Ag alloy film can be greatly improved.
  • the composition contains at least one of In and Sn in a range of 0.1% by mass to 1.5% by mass in total, with the balance being Ag and inevitable impurities, It is possible to form an Ag alloy film having excellent sulfidity and heat resistance, high reflectance, and low electrical resistance. Furthermore, since In and Sn are dissolved in Ag, growth of crystal grains in the sputtering target can be suppressed. Further, the hardness is improved and the warping of the sputtering target can be suppressed.
  • the Ag alloy sputtering target according to the embodiment of the present invention when Ge is further contained in the range of 0.1% by mass or more and 7.5% by mass or less, the heat resistance is further improved, and sulfidation resistance is improved. Therefore, it is possible to form an Ag alloy film having excellent properties, high reflectance, and low electrical resistance. Furthermore, since the additive component selected from In, Sn, and Ge is dissolved in Ag, growth of crystal grains in the sputtering target can be suppressed. Further, the hardness is improved and the warping of the sputtering target can be suppressed.
  • the manufacturing method of the Ag alloy sputtering target which is this embodiment, it has an upsetting forging step S03, and in this hot upsetting forging step S03, the holding temperature is in the range of 750 ° C. or more and 850 ° C. or less, The holding time at the holding temperature is heated under the condition of 1 hour or more and 3 hours or less, and the forging process in which the forging ratio is 1/2 or more and 1 / 1.2 or less is performed 6 times or more and 20 times or less. Therefore, many special grain boundaries exist in the crystal structure of the target sputtering surface. Thereby, the surface roughness after sputtering can be reduced.
  • this invention is not limited to this, It can change suitably in the range which does not deviate from the technical idea of the invention.
  • electronic devices such as a touch panel and a solar cell, It may be used as a conductive film and a wiring film, and may be used for other purposes.
  • an Ag raw material having a purity of 99.99% by mass or more, an In raw material, a Sn raw material, and a Ge raw material having a purity of 99.9% by mass or more were prepared as melting raw materials. These dissolution raw materials were weighed so as to have the composition shown in Table 1.
  • Ag is evacuated and melted in an inert gas atmosphere by a high-frequency induction heating furnace having a graphite crucible, and In, Sn, and Ge are appropriately added to the obtained Ag molten metal, and a vacuum or an inert gas atmosphere is added. Dissolved in.
  • the Ag alloy melt was sufficiently stirred by the stirring effect by induction heating, and then cast into a cast iron mold. While removing the shrinkage cavity part of the obtained ingot, the surface of the ingot was ground to obtain a rectangular parallelepiped Ag alloy ingot.
  • a hot upset forging step was performed on the obtained Ag alloy ingot under the conditions shown in Table 1.
  • the hot rolling process which has the finishing hot rolling pass of the conditions shown in Table 1 was implemented, and the cooling process cooled to 150 degreeC with the cooling rate shown in Table 1 was implemented after that.
  • the cold rolling process was performed so that the average value of all rolling passes for the rolling reduction per pass, the average value of all rolling passes for the strain rate, and the total rolling reduction were the conditions shown in Table 1.
  • a heat treatment process was performed under the conditions shown in Table 1, and machining was performed to produce an Ag alloy sputtering target having a diameter of 152.4 mm and a thickness of 6 mm.
  • the component composition, the arithmetic mean roughness Ra of the target sputtering surface before and after sputtering, the reflectance of the formed Ag alloy film, the heat resistance and sulfidation resistance of the Ag alloy film was evaluated as follows. The evaluation results are shown in Table 2.
  • Component composition A measurement sample was collected from the obtained Ag alloy sputtering target, pretreated with acid, and then subjected to ICP analysis. As a result, it was confirmed that the contents of In, Sn and Ge in the Ag alloy sputtering targets of the present invention example and the comparative example were substantially the same as the blend composition.
  • the arithmetic average roughness Ra of the target sputtering surface of the Ag alloy sputtering target was measured using a surf test SV-3000H4 manufactured by Mitutoyo. As shown in FIG. 2, the measurement was performed at four locations for one sample, and the average value is shown in Table 2. Regarding the arithmetic average roughness Ra of the target sputtering surface, after sputtering, and after sputtering under the conditions of Ar gas pressure 0.1 Pa, current density 1.5 W / cm 2 , and integrated power amount 0.01 kWh / cm 2. Each was measured. The evaluation results are shown in Table 2.
  • the deposited Ag alloy film is taken out of the sputtering apparatus using the substrate transfer function of the sputtering apparatus without opening the chamber to the atmosphere, and the film formation rate is measured for each substrate. A 100 nm-thick Ag alloy film was formed.
  • Comparative Example 1 which is larger than the range of the invention, the average reflectance was not stable until the pre-sputter time of 25 minutes.
  • Comparative Example 2 in which the total content of at least one of In and Sn is 1.6% by mass, which is larger than the range of the present invention, and the Ge content is 7.6% by mass, from the range of the present invention
  • Comparative Example 6 where there are many, the reflectance after pre-sputtering was as low as less than 95%.
  • Comparative Example 4 in which the holding time in the hot upset forging process is 0.5 hours, which is shorter than the range of the present invention, the Ar gas pressure is 0.1 Pa, the current density is 1.5 W / cm 2 , and the integrated power amount is 0.01 kWh.
  • the arithmetic average surface roughness Ra of the target sputtering surface after sputtering under the conditions of / cm 2 was 8.3 ⁇ m, which was larger than the range of the present invention, and the average reflectance was not stable until the pre-sputtering time of 25 minutes.
  • Comparative Example 5 in which the forging ratio in the hot upset forging process is 1 / 1.1, which is larger than the range of the present invention, the Ar gas pressure is 0.1 Pa, the current density is 1.5 W / cm 2 , and the accumulated electric energy is 0.
  • the arithmetic average surface roughness Ra of the target sputtering surface after sputtering under the condition of 0.01 kWh / cm 2 is 8.1 ⁇ m, which is larger than the range of the present invention, and the average reflectance is not stable until the pre-sputtering time of 25 minutes. It was.
  • the average reflectance is stabilized in a pre-sputtering time of 15 minutes, The pre-sputtering time could be shortened. It was also confirmed that an Ag alloy film excellent in heat resistance and sulfidation resistance can be formed.
  • the invention examples 8 and 9 in which Ge was added within the scope of the present invention were Ag alloy films having further excellent heat resistance.
  • an Ag alloy sputtering target capable of shortening the pre-sputter time and efficiently forming an Ag alloy film excellent in heat resistance and sulfidation resistance is provided. It was confirmed that it was possible.
  • pre-sputter time can be shortened, Ag alloy sputtering target which can form efficiently the Ag alloy film excellent in heat resistance and sulfidation resistance, and Ag alloy sputtering target A manufacturing method can be provided.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上を合計で０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成を有し、Ａｒガス圧０．１Ｐａ，電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２，積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均面粗さＲａが７μｍ以下とされていることを特徴とする。

Description

Ａｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法
　本発明は、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上を含み、残部がＡｇと不可避不純物からなるＡｇ合金の薄膜を成膜する際に用いられるＡｇ合金スパッタリングターゲット、及び、このＡｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法に関するものである。
　本願は、２０１８年２月２０日に日本に出願された特願２０１８－０２８１４３号及び２０１９年２月１５日に日本に出願された特願２０１９－０２５９３５号について優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　一般に、ディスプレイやＬＥＤ等の反射電極膜、タッチパネル等の配線膜、透明導電膜等には、比抵抗値の低いＡｇ膜が用いられている。例えば、特許文献１には、半導体発光素子の電極の構成材料として、高効率で光を反射するＡｇ膜またはＡｇ合金膜を用いることが開示されている。また、特許文献２には、タッチパネルの引き出し配線として、Ａｇ合金膜を用いることが開示されている。さらに、特許文献３には、有機ＥＬ素子の反射電極の構成材料としてＡｇ合金を用いることが開示されている。
　これらのＡｇ膜及びＡｇ合金膜は、Ａｇ又はＡｇ合金からなるスパッタリングターゲットによってスパッタリングすることで成膜されている。
　近年、有機ＥＬ素子製造時のガラス基板の大型化に伴い、反射電極膜を形成する際に使用されるＡｇ合金スパッタリングターゲットも大型化が進展している。
　しかし、生産性の向上の観点から、大型化されたＡｇ合金スパッタリングターゲットに高い電力を投入してスパッタリングすると、異常放電が発生すると共に、スプラッシュと呼ばれる現象（溶融した微粒子が基板に付着してしまう現象）が発生してしまう。
　上記異常放電やスプラッシュ現象を抑制するために、特許文献４、５においては、合金の結晶粒の平均粒径を規定するとともに、結晶粒の粒径のばらつきを抑制したＡｇ合金スパッタリングターゲットが提案されている。
日本国特開２００６－２４５２３０号公報（Ａ） 日本国特開２００９－０３１７０５号公報（Ａ） 日本国特開２０１２－０５９５７６号公報（Ａ） 日本国特開２０１１－１００７１９号公報（Ａ） 日本国特開２０１４－１７３１５８号公報（Ａ）
　ところで、上述のスパッタリングターゲットにおいては、スパッタ成膜を連続して実施していると、チャンバー内部の防着板等の各種部材に付着した膜が厚く形成されて膜応力が上昇し、膜の一部が剥離してパーティクルが発生することがある。そのため、定期的にチャンバーを開放して内部の部材の交換やクリーニングを行う。なお、チャンバーの開放は、クリーニング以外にも、他品種の成膜を行う場合や材料変更の際にも実施される。
　上述のように、チャンバーを開放すると、真空雰囲気であったチャンバーが大気雰囲気となり、活性なスパッタリングターゲットの表面層が酸化したり、大気中の化学物質と反応生成物を形成したりするおそれがあった。なお、Ａｇ合金ターゲットの場合には、反応生成物として硫化物を生成するおそれがある。
　また、スパッタリングターゲットを大気中で保管した場合においても、ターゲット表面に酸化膜や反応生成物が形成されることがある。
　上述のように、ターゲット表面に酸化膜や反応生成物が形成されたスパッタリングターゲットを再度使用する場合、ターゲット表面の酸化物や反応生成物が除去されて、成膜した膜の特性が安定するまで、プレスパッタを実施する必要がある。
　最近では、成膜効率を向上させるために、プレスパッタの時間を短縮することが求められている。
　この発明は、前述した事情に鑑みてなされたものであって、プレスパッタ時間を短縮することができ、耐熱性及び耐硫化性に優れたＡｇ合金膜を効率良く成膜することが可能なＡｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供することを目的としている。
　上記の課題を解決するために、本発明の一態様のＡｇ合金スパッタリングターゲット（以下、「本発明のＡｇ合金スパッタリングターゲット」と称する）は、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上を合計で０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成を有し、Ａｒガス圧０．１Ｐａ，電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２，積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａが７μｍ以下とされていることを特徴としている。
　本発明のＡｇ合金スパッタリングターゲットによれば、Ａｒガス圧０．１Ｐａ，電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２，積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａが７μｍ以下とされているので、スパッタ後におけるターゲットスパッタ面の表面粗さが小さく、ターゲットスパッタ面の酸化物や反応生成物を除去しやすくなるため、プレスパッタ時間を短縮することが可能となる。よって、Ａｇ合金膜の成膜効率を大幅に向上させることができる。
　また、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上を合計で０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされているので、耐硫化性及び耐熱性に優れ、反射率が高く、電気抵抗の低いＡｇ合金膜を成膜することが可能となる。
　さらに、ＩｎおよびＳｎがＡｇの母相に固溶することで、スパッタリングターゲットにおける結晶粒の成長を抑制できる。また、硬度が向上し、スパッタリングターゲットの反りを抑制することができる。
　ここで、本発明のＡｇ合金スパッタリングターゲットにおいては、さらにＧｅを０．１質量％以上７．５質量％以下の範囲で含有することが好ましい。すなわち、本発明の別の態様であるＡｇ合金スパッタリングターゲット（以下、「本発明のＡｇ合金スパッタリングターゲット」と称する）は、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上を合計で０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲内で含み、さらにＧｅを０．１質量％以上７．５質量％以下の範囲内で含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成を有し、Ａｒガス圧０．１Ｐａ、電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２、積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａが７μｍ以下とされていることを特徴としている。
　この構成のＡｇ合金スパッタリングターゲットによれば、Ａｒガス圧０．１Ｐａ、電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２、積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａが７μｍ以下とされているので、スパッタ後におけるターゲットスパッタ面の表面粗さが小さく、ターゲットスパッタ面の酸化物や反応生成物を除去しやすくなるため、プレスパッタ時間を短縮することが可能となる。よって、Ａｇ合金膜の成膜効率を大幅に向上させることができる。
　また、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上を合計で０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲内で含み、さらにＧｅを０．１質量％以上７．５質量％以下の範囲内で含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされているので、耐熱性をより一層向上させ、熱処理後に反射率が低下することを抑制でき、かつ、耐硫化性を有し、反射率が高く、電気抵抗の低いＡｇ合金膜を成膜することが可能となる。
　さらに、Ｉｎ、ＳｎおよびＧｅから選択された添加成分がＡｇの母相に固溶することで、スパッタリングターゲットにおける結晶粒の成長を抑制できる。また、硬度が向上し、スパッタリングターゲットの反りを抑制することができる。
　本発明の他態様のＡｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法（以下、「本発明のＡｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法」と称する）は、上述のＡｇ合金スパッタリングターゲットを製造するＡｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法であって、熱間据え込み鍛造工程、熱間圧延工程、冷却工程、冷間圧延工程、熱処理工程、機械加工工程を、この順で実施する構成とされ、前記熱間据え込み鍛造工程では、保持温度を７５０℃以上８５０℃以下の範囲内、保持温度での保持時間を１時間以上３時間以下の範囲内の条件で加熱し、鍛錬成型比が１／２以上１／１．２以下の範囲内の鍛造加工を、６回以上２０回以下の範囲内で繰り返し実施することを特徴としている。
　本発明のＡｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法によれば、据え込み鍛造工程を有し、この熱間据え込み鍛造工程では、保持温度を７５０℃以上８５０℃以下の範囲内、保持温度での保持時間を１時間以上３時間以下の範囲内の条件で加熱し、鍛錬成型比が１／２以上１／１．２以下の範囲内の鍛造加工を、６回以上２０回以下の範囲内で繰り返し実施する構成とされているので、ターゲットスパッタ面の結晶組織において特殊粒界が多く存在することになる。これにより、スパッタ後の表面粗さを小さくすることができる。
　本発明によれば、プレスパッタ時間を短縮することができ、耐熱性及び耐硫化性に優れたＡｇ合金膜を効率良く成膜することが可能なＡｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供することができる。
本発明の実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法の一例を示すフロー図である。 実施例におけるＡｇ合金スパッタリングターゲットのターゲットスパッタ面におけるサンプルの採取位置を示す説明図である。
　以下に、本発明の一実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットについて説明する。
　本発明の実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットは、Ａｇ合金膜を成膜する際に用いられるものである。なお、本発明の実施形態においては、成膜されたＡｇ合金膜は、有機ＥＬ素子の反射電極膜として使用されるものとされている。
　なお、本発明の実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットは、ターゲットスパッタ面が矩形状をなす矩形平板型スパッタリングターゲットであってもよいし、ターゲットスパッタ面が円形状をなす円板型スパッタリングターゲットであってもよい。あるいは、ターゲットスパッタ面が円筒面とされた円筒型スパッタリングターゲットであってもよい。
　本発明の実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットは、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上を合計で０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成のＡｇ合金で構成されている。
また、本発明の実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットにおいては、さらに、Ｇｅを０．１質量％以上７．５質量％以下の範囲内で含有してもよい。
　そして、本発明の実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットにおいては、Ａｒガス圧０．１Ｐａ，電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２，積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２０１３）が７μｍ以下とされている。
　以下に、本発明の実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットにおいて、組成、及び、スパッタ後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａを、上述のように規定した理由について説明する。
　（ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上の合計含有量）
　ＩｎおよびＳｎは、成膜されたＡｇ合金膜の耐硫化性および耐熱性を向上させる作用効果を有する元素である。また、ＩｎおよびＳｎは、Ａｇに固溶して結晶粒の成長を抑制することができる。また、固溶によって硬度が向上し、反りの発生を抑制することが可能となる。
　ここで、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上の合計含有量が０．１質量％未満の場合には、上述の作用効果を十分に得られないおそれがある。一方、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上の合計含有量が１．５質量％を超える場合には、成膜されたＡｇ合金膜の反射率が低下するとともに、電気抵抗が上昇してしまうおそれがある。
　このような理由から、本発明の実施形態においては、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上の合計含有量を０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲内に設定している。
　なお、成膜されたＡｇ合金膜の耐硫化性および耐熱性を確実に向上させるとともに、反りの発生を確実に抑制するためには、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上の合計含有量の下限を０．２５質量％以上とすることが好ましく、０．５質量％以上とすることがさらに好ましい。
また、成膜されたＡｇ合金膜の反射率の低下及び電気抵抗の上昇を確実に抑制するためには、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上の合計含有量の上限を１．２５質量％以下とすることが好ましく、１．０質量％以下とすることがさらに好ましい。
　（Ｇｅの含有量）
Ｇｅは、Ｉｎ、Ｓｎに加えて含有することによりと同様に成膜されたＡｇ合金膜の耐硫化性および耐熱性をより一層向上させる作用効果を有する元素である。また、Ｇｅは、Ａｇに固溶して結晶粒の成長を抑制することができる。また、固溶によって硬度が向上し、反りの発生を抑制することが可能となる。一方、ＧｅはＩｎやＳｎと比較して、膜中に含有としてスパッタされにくいという特徴がある。膜中のＧｅ含有量はターゲットの組成に対して、２割程度となってしまうため、ＩｎやＳｎと同等の効果を発揮するために、５倍程度の量が必要となる。
そのため、Ｇｅの含有量が０．１質量％未満の場合には上述の作用効果を十分に得られないおそれがある。一方、Ｇｅの含有量が７．５質量％を超える場合には、成膜されたＡｇ合金膜の反射率が低下するとともに、電気抵抗が上昇してしまうおそれがある
　このような理由から、本発明の実施形態において、Ｇｅを添加する場合には、Ｇｅの含有量を０．１質量％以上７．５質量％以下の範囲内に設定している。
ここで、Ｇｅの添加による上述の作用効果を確実に奏功せしめるためには、Ｇｅの含有量の下限を１．２５質量％以上にすることが好ましく、２．５質量％以上にすることがさらに好ましい。一方、Ｇｅの添加による反射率の低下や電気抵抗の上昇を確実に抑制するためには、Ｇｅの含有量の上限を６．２５質量％以下とすることが好ましく、５．０質量％以下とすることがさらに好ましい。
なお、Ｇｅを意図的に添加することなく不純物として含まれる場合には、Ｇｅの含有量が０．１質量％未満であってもよい。
　（スパッタ後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａ）
　Ａｇ合金スパッタリングターゲットにおいて、スパッタ後のターゲットスパッタ面の表面粗さが小さいと、ターゲットスパッタ面に存在する酸化物や反応生成物を除去しやすくなる。これにより、Ａｇ合金スパッタリングターゲットを再使用する際に、プレスパッタ時間を短縮することが可能となる。
　ここで、スパッタ後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａが７μｍを超える場合には、上述の作用効果を奏することができなくなるおそれがある。
　このような理由から、本発明の実施形態のスパッタリングターゲットにおいては、Ａｒガス圧０．１Ｐａ，電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２，積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａを７μｍ以下に設定している。
　なお、スパッタ後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａを０．５μｍ未満とすることは、非常に困難であり、現実的ではない。このため、スパッタ後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａの下限は、例えば、０．５μｍである。また、Ａｇ合金スパッタリングターゲットをさらに容易に製造するためには、スパッタ後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａの下限を１．０μｍ以上とすることが好ましく、１．５μｍ以上とすることがさらに好ましい。
一方、プレスパッタ時間をさらに確実に短縮するためには、上述の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａの上限を６．５μｍ以下とすることが好ましく、６μｍ以下とすることがさらに好ましい。
　次に、本発明の実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法について、図１のフロー図を用いて説明する。
　（原料準備工程Ｓ０１）
　まず、溶解原料として、純度９９．９９質量％以上のＡｇと、添加元素として純度９９．９質量％以上のＩｎおよびＳｎを準備し、Ａｇ原料と、添加元素を、所定の組成となるように秤量する。
　（溶解鋳造工程Ｓ０２）
　次に、溶解炉中において、Ａｇを高真空または不活性ガス雰囲気中で溶解し、得られた溶湯に所定量の添加元素を添加する。その後、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解して、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上を合計で０．１質量％以上１．５質量％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる組成のＡｇ合金インゴット、もしくは、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上を合計で０．１質量％以上１．５質量％以下含有し、さらにＧｅを０．１質量％以上７．５質量％以下含有し、残部がＡｇ及び不可避不純物からなる組成のＡｇ合金インゴットを作製する。
　（熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３）
　次に、得られたＡｇ合金インゴットに対して、熱間据え込み鍛造を実施する。この熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３においては、保持温度を７５０℃以上８５０℃以下の範囲内、保持温度での保持時間を１時間以上３時間以下の範囲内の条件で加熱し、鍛錬成型比が１／２以上１／１．２以下の範囲内の鍛造加工を、６回以上２０回以下の範囲内で繰り返し実施する。
　この熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３を実施することにより、特殊粒界を増加させることが可能となる。
　なお、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３においては、自由鍛造とすることが好ましく、例えば、鍛造方向を９０°転回しながら、繰り返し実施することが好ましい。
　ここで、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３における繰り返し回数が６回未満では、上述の作用効果を奏することができないおそれがある。一方、繰り返し回数が２０回を超えた場合には、特殊粒界のさらなる増加は見込めない。
　よって、本発明の実施形態では、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３における繰り返し回数を６回以上２０回以下の範囲内に設定している。
　なお、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３における繰り返し回数の下限は７回以上とすることが好ましく、８回以上とすることがさらに好ましい。一方、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３における繰り返し回数の上限は１８回以下とすることが好ましく、１５回以下とすることがさらに好ましい。
　また、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３における保持温度が７５０℃より低い場合には、割れが生じやすくなる。一方、上述の保持温度が８５０℃より高い場合には、Ａｇ合金インゴットは軟らかくなりすぎて取り扱いが困難となる。
　よって、本発明の実施形態では、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３における保持温度を７５０℃以上８５０℃以下の範囲内に設定している。
　なお、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３における保持温度の下限は７６０℃以上とすることが好ましく、７８０℃以上とすることがさらに好ましい。一方、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３における保持温度の上限は８４０℃以下とすることが好ましく、８２０℃以下とすることがさらに好ましい。
　さらに、上述の保持温度での保持時間が１時間未満の場合には、Ａｇ合金インゴットの内部に均一に熱が伝わらず、特殊粒界が不均一に存在するおそれがある。一方、上述の保持温度での保持時間が３時間を超えても、さらなる効果は得られない。
　よって、本発明の実施形態では、上述の保持温度での保持時間を１時間以上３時間以下の範囲内に設定している。
　なお、上述の保持時間での保持温度の下限は１．１時間とすることが好ましく、１．３時間以上とすることがさらに好ましい。一方、上述の保持時間での保持温度の上限は２．５時間以下とすることが好ましく、２．０時間以下とすることがさらに好ましい。
　また、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３における鍛錬成形比が１／２より小さい場合には、割れが生じやすくなる。一方、上述の鍛錬成形比が１／１．２より大きい場合には、特殊粒界を十分に増加させることができないおそれがある。
　よって、本発明の実施形態では、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３における鍛錬成形比を１／２以上１／１．２以下の範囲内に設定している。
　なお、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３における鍛錬成形比の下限は１／１．９以上とすることが好ましく、１／１．８以上とすることがさらに好ましい。一方、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３における鍛錬成形比の上限は１／１．３以下とすることが好ましく、１／１．４以下とすることがさらに好ましい。
　（熱間圧延工程Ｓ０４）
　次に、熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３によって得られた鍛造材に対して、熱間圧延を行い、所定の厚さの熱間圧延材を得る。
　ここで、上述の熱間圧延工程Ｓ０４においては、１パス当たりの圧下率が２０％以上３５％以下の範囲内、ひずみ速度が３／ｓｅｃ以上１０／ｓｅｃ以下の範囲内、パス後の温度が４００℃以上６５０℃以下の範囲内とされた仕上げ熱間圧延パスを１パス以上含んでいることが好ましい。
　なお、仕上げ熱間圧延とは、圧延後の板材の結晶粒径に強く影響を及ぼす圧延パスであり、最終圧延パスを含み、必要に応じて、最終圧延パスから２回前までのパスであると考えてよい。
　なお、ひずみ速度ε（ｓｅｃ－１）は、次式で与えられる。以下の式において、Ｈ０：圧延ロールに対する入側での板厚（ｍｍ）、ｎ：圧延ロール回転速度（ｒｐｍ）、Ｒ：圧延ロール半径（ｍｍ）、ｒ：圧下率（％）であり、ｒ’＝ｒ／１００である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　（冷却工程Ｓ０５）
　次に、熱間圧延材を冷却する。この冷却工程Ｓ０５においては、１００℃／ｍｉｎ以上１０００℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で、２００℃以下にまで冷却することが好ましい。
　（冷間圧延工程Ｓ０６）
　次に、冷却工程Ｓ０５後に冷間圧延を実施する。この冷間圧延工程Ｓ０６においては、１パス当たりの圧下率の全圧延パスの平均値を１０％以上３０％以下の範囲内とすることが好ましい。また、ひずみ速度の全圧延パスの平均値を３／ｓｅｃ以上１０／ｓｅｃ以下の範囲内とすることが好ましい。さらに、総圧下率を４０％以上８０％以下の範囲内とすることが好ましい。
　（熱処理工程Ｓ０７）
　冷間圧延工程Ｓ０６後に、熱処理を実施する。この熱処理工程Ｓ０７においては、保持温度を３５０℃以上５５０℃以下の範囲内、保持温度における保持時間を１時間以上２時間以下の範囲内とすることが好ましい。
　（機械加工工程Ｓ０８）
　次に、熱処理工程Ｓ０７後に、切断、研削等の機械加工を行う。これにより、所定のサイズのＡｇ合金スパッタリングターゲットを製造する。
　以上のようにして、本発明の実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットが製造されることになる。
　　以上のような構成とされた本発明の実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットによれば、Ａｒガス圧０．１Ｐａ，電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２，積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａが７μｍ以下とされているので、スパッタ後におけるターゲットスパッタ面の表面粗さが小さく、ターゲットスパッタ面の酸化物や反応生成物を除去しやすくなるため、プレスパッタ時間を短縮することが可能となる。よって、Ａｇ合金膜の成膜効率を大幅に向上させることができる。
　また、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上を合計で０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成とされているので、耐硫化性及び耐熱性に優れ、反射率が高く、電気抵抗の低いＡｇ合金膜を成膜することが可能となる。
　さらに、ＩｎおよびＳｎがＡｇに固溶することで、スパッタリングターゲットにおける結晶粒の成長を抑制できる。また、硬度が向上し、スパッタリングターゲットの反りを抑制することができる。
　また、本発明の実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットにおいて、さらにＧｅを０．１質量％以上７．５質量％以下の範囲で含有する場合には、より一層耐熱性に優れており、耐硫化性にも優れ、反射率が高く、電気抵抗の低いＡｇ合金膜を成膜することが可能となる。さらに、Ｉｎ、およびＳｎおよびＧｅから選択された添加成分がＡｇに固溶することで、スパッタリングターゲットにおける結晶粒の成長を抑制できる。また、硬度が向上し、スパッタリングターゲットの反りを抑制することができる。
　さらに、本実施形態であるＡｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法によれば、据え込み鍛造工程Ｓ０３を有し、この熱間据え込み鍛造工程Ｓ０３では、保持温度を７５０℃以上８５０℃以下の範囲内、保持温度での保持時間を１時間以上３時間以下の範囲内の条件で加熱し、鍛錬成型比が１／２以上１／１．２以下の範囲内の鍛造加工を、６回以上２０回以下の範囲内で繰り返し実施する構成とされているので、ターゲットスパッタ面の結晶組織において特殊粒界が多く存在することになる。これにより、スパッタ後の表面粗さを小さくすることができる。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、その発明の技術的思想を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
例えば、本実施形態では、有機ＥＬ素子の反射電極膜として使用されるＡｇ合金膜を成膜するものとして説明したが、これに限定されることはなく、例えばタッチパネルや太陽電池等の電子デバイスの導電膜及び配線膜として使用されるものでもよく、その他の用途に用いてもよい。
　以下に、前述した本発明のＡｇ合金スパッタリングターゲットについて評価した評価試験の結果について説明する。
　まず、溶解原料として、純度９９．９９質量％以上のＡｇ原料と、純度９９．９質量％以上のＩｎ原料、Ｓｎ原料およびＧｅ原料を準備した。これらの溶解原料を、表１に示す配合組成となるように秤量した。
　次に、黒鉛坩堝を有する高周波誘導加熱炉によって、Ａｇを真空排気後不活性ガス雰囲気下で溶解し、得られたＡｇ溶湯に、Ｉｎ、ＳｎおよびＧｅを適宜添加し、真空または不活性ガス雰囲気中で溶解した。
　Ａｇ合金溶湯を、誘導加熱による撹拌効果によって十分に撹拌した後、鋳鉄製の鋳型に鋳造した。得られた鋳塊の引け巣部分を切除するとともに、鋳塊の表面を研削し、直方体状のＡｇ合金インゴットを得た。
　得られたＡｇ合金インゴットに対して、表１に示す条件で、熱間据え込み鍛造工程を実施した。
　次に、表１に示す条件の仕上げ熱間圧延パスを有する熱間圧延工程を実施し、その後、表１に示す冷却速度で１５０℃まで冷却する冷却工程を実施した。
　次に、１パス当たりの圧下率の全圧延パスの平均値、ひずみ速度の全圧延パスの平均値、及び、総圧下率が表１に示す条件となるように冷間圧延工程を実施した。
　その後、表１に示す条件で熱処理工程を実施し、機械加工を行い、直径１５２．４ｍｍ×厚さ６ｍｍのＡｇ合金スパッタリングターゲットを作製した。
　上述のようにして得られたＡｇ合金スパッタリングターゲットについて、成分組成、スパッタ前後のターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａ、成膜したＡｇ合金膜の反射率、Ａｇ合金膜の耐熱性および耐硫化性を、以下のようにして評価した。評価結果を表２に示す。
（成分組成）
　得られたＡｇ合金スパッタリングターゲットから測定試料を採取し、これを酸で前処理した後、ＩＣＰ分析を実施した。
　その結果、本発明例及び比較例のＡｇ合金スパッタリングターゲットにおけるＩｎ、ＳｎおよびＧｅの含有量については、配合組成と略同等であることを確認した。
（算術平均粗さＲａ）
　Ｍｉｔｕｔｏｙｏ社製サーフテストＳＶ－３０００Ｈ４を用いて、Ａｇ合金スパッタリングターゲットのターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａを測定した。測定は、図２に示すように、１サンプルについて４か所で実施し、その平均値を表２に記載した。
　ターゲットスパッタ面の算術平均粗さＲａについては、スパッタ実施前と、Ａｒガス圧０．１Ｐａ，電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２，積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後で、それぞれ測定した。評価結果を表２に示す。
（Ａｇ合金膜の反射率）
　スパッタ実施後のＲａ測定後（チャンバーを大気開放後）、再度スパッタ装置にターゲットを装着し、ＤＣ３００ＷでＡｒ５０ｓｃｃｍ、０．４Ｐａの条件でプレスパッタを実施し、プレスパッタを５分実施するたびに、３０分以降は１０分実施するたびに、成膜レートを測定し、目標膜厚１００ｎｍでＡｇ合金膜を成膜した。
　成膜したＡｇ合金膜について、それぞれ分光光度計（日立ハイテクノロジーズ社　Ｕ－４１００）を用いて反射率を測定することで、反射率が安定するまでのプレスパッタ時間を調べた。なお、プレスパッタ中はチャンバーを大気に開放せずに、スパッタ装置の基板搬送機能を使って、成膜したＡｇ合金膜をスパッタ装置外に搬出し成膜レートを測定し、基板毎に目標膜厚１００ｎｍのＡｇ合金膜を成膜した。
（Ａｇ合金膜の耐熱性）
　３０分のプレスパッタを実施した後に成膜した目標膜厚１００ｎｍのＡｇ合金膜について、大気雰囲気下で２５０℃×１．５時間の熱処理を実施し、熱処理後の反射率を、上述のように測定した。評価結果を表２に示す。なお、表２には、波長４００～７００ｎｍの平均反射率を記載した。
（Ａｇ合金膜の耐硫化性）
３０分のプレスパッタを実施した後に成膜した目標膜厚１００ｎｍのＡｇ合金膜について、硫化水素試験機（山崎精機研究所製ＧＨ－１８０－Ｍ）を用いて２５℃、７５％ＲＨ、硫化水素３質量ｐｐｍの雰囲気に１時間暴露した。暴露後の反射率を、上述のように測定した。評価結果を表２に示す。なお、表２には、波長４００～７００ｎｍの平均反射率を記載した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
　Ａｒガス圧０．１Ｐａ，電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２、積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均面粗さＲａが７．２μｍと本発明の範囲よりも大きい比較例１においては、プレスパッタ時間２５分まで平均反射率が安定しなかった。
　ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上の合計含有量が１．６質量％と本発明の範囲よりも多い比較例２、および、Ｇｅの含有量が７．６質量％と本発明の範囲よりも多い比較例６においては、プレスパッタ後の反射率が９５％未満と低かった。
　ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上の合計含有量が０．０５質量％と本発明の範囲よりも少ない比較例３においては、熱処理後の反射率、及び、硫化試験後の反射率が低下している。成膜したＡｇ合金膜において、耐熱性、耐硫化性が不十分であることが確認された。
　熱間据え込み鍛造工程における保持時間が０．５時間と本発明の範囲よりも短い比較例４においては、Ａｒガス圧０．１Ｐａ、電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２、積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均面粗さＲａが８．３μｍと本発明の範囲よりも大きく、プレスパッタ時間２５分まで平均反射率が安定しなかった。
　熱間据え込み鍛造工程における鍛錬成形比が１／１．１と本発明の範囲よりも大きい比較例５においては、Ａｒガス圧０．１Ｐａ、電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２、積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均面粗さＲａが８．１μｍと本発明の範囲よりも大きく、プレスパッタ時間２５分まで平均反射率が安定しなかった。
　これに対して、ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上の合計含有量、Ｇｅの含有量、および、Ａｒガス圧０．１Ｐａ、電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２、積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均面粗さＲａが本発明の範囲内とされた本発明例によれば、プレスパッタ時間１５分で平均反射率が安定し、プレスパッタ時間を短くすることができた。また、耐熱性、耐硫化性に優れたＡｇ合金膜を成膜可能であることが確認された。また、それらのうちＧｅを本発明の範囲内で添加した本発明例８、９においては耐熱性がより一層優れたＡｇ合金膜であることが確認された。
　以上のことから、本発明例によれば、プレスパッタ時間を短縮することができ、耐熱性及び耐硫化性に優れたＡｇ合金膜を効率良く成膜することが可能なＡｇ合金スパッタリングターゲットを提供可能であることが確認された。
　本発明によれば、プレスパッタ時間を短縮することができ、耐熱性及び耐硫化性に優れたＡｇ合金膜を効率良く成膜することが可能なＡｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供することができる。
　Ｓ０３　　熱間据え込み鍛造工程
　Ｓ０４　　熱間圧延工程
　Ｓ０５　　冷却工程
　Ｓ０６　　冷間圧延工程
　Ｓ０７　　熱処理工程
　Ｓ０８　　機械加工工程

Claims (3)

  1. 　ＩｎおよびＳｎのうちの少なくとも１種以上を合計で０．１質量％以上１．５質量％以下の範囲内で含み、残部がＡｇ及び不可避不純物とされた組成を有し、
    　Ａｒガス圧０．１Ｐａ，電流密度１．５Ｗ／ｃｍ２，積算電力量０．０１ｋＷｈ／ｃｍ２の条件でスパッタを実施した後のターゲットスパッタ面の算術平均面粗さＲａが７μｍ以下とされていることを特徴とするＡｇ合金スパッタリングターゲット。
  2. 　さらに、Ｇｅを０．１質量％以上７．５質量％以下の範囲で含むことを特徴とする請求項１に記載のＡｇ合金スパッタリングターゲット。
  3. 　請求項１又は請求項２に記載のＡｇ合金スパッタリングターゲットを製造するＡｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法であって、
    　熱間据え込み鍛造工程、熱間圧延工程、冷却工程、冷間圧延工程、熱処理工程、機械加工工程を、この順で実施する構成とされ、
    　前記熱間据え込み鍛造工程では、保持温度を７５０℃以上８５０℃以下の範囲内、保持温度での保持時間を１時間以上３時間以下の範囲内の条件で加熱し、鍛錬成型比が１／２以上１／１．２以下の範囲内の鍛造加工を、６回以上２０回以下の範囲内で繰り返し実施することを特徴とするＡｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法。
PCT/JP2019/006030 2018-02-20 2019-02-19 Ａｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法 WO2019163745A1 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020207013098A KR20200121280A (ko) 2018-02-20 2019-02-19 Ag 합금 스퍼터링 타깃, 및, Ag 합금 스퍼터링 타깃의 제조 방법
CN201980007189.8A CN111587300A (zh) 2018-02-20 2019-02-19 Ag合金溅射靶及Ag合金溅射靶的制造方法

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018-028143 2018-02-20
JP2018028143 2018-02-20
JP2019025935A JP2019143242A (ja) 2018-02-20 2019-02-15 Ａｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP2019-025935 2019-02-15

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019163745A1 true WO2019163745A1 (ja) 2019-08-29

Family

ID=67687752

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2019/006030 WO2019163745A1 (ja) 2018-02-20 2019-02-19 Ａｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2019163745A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011100719A (ja) * 2009-10-06 2011-05-19 Mitsubishi Materials Corp 有機ｅｌ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットおよびその製造方法
JP2012219308A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Mitsubishi Materials Corp 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2012219307A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Mitsubishi Materials Corp 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2015038238A (ja) * 2013-07-19 2015-02-26 三菱マテリアル株式会社 Ａｇ合金スパッタリングターゲット
JP2016089215A (ja) * 2014-11-04 2016-05-23 三菱マテリアル株式会社 Ａｇ合金スパッタリングターゲット

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011100719A (ja) * 2009-10-06 2011-05-19 Mitsubishi Materials Corp 有機ｅｌ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットおよびその製造方法
JP2012219308A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Mitsubishi Materials Corp 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2012219307A (ja) * 2011-04-06 2012-11-12 Mitsubishi Materials Corp 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2015038238A (ja) * 2013-07-19 2015-02-26 三菱マテリアル株式会社 Ａｇ合金スパッタリングターゲット
JP2016089215A (ja) * 2014-11-04 2016-05-23 三菱マテリアル株式会社 Ａｇ合金スパッタリングターゲット

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2019143242A (ja) Ａｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP5202643B2 (ja) Ｃｕ−Ｇａ合金焼結体スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法
TWI429762B (zh) 導電膜形成用銀合金濺鍍靶及其製造方法
JP4793502B2 (ja) 有機ｅｌ素子の反射電極膜形成用銀合金ターゲットおよびその製造方法
KR101854009B1 (ko) 도전성 막 형성용 은 합금 스퍼터링 타겟 및 그 제조 방법
JP5635188B2 (ja) 高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット
JP6481473B2 (ja) Ａｇ合金スパッタリングターゲット
US9068258B2 (en) Titanium target for sputtering
US20180305805A1 (en) Ti-Ta ALLOY SPUTTERING TARGET AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
TWI627291B (zh) 基於銀合金的濺鍍靶
TWI602931B (zh) 鋁濺鍍靶材
WO2019163745A1 (ja) Ａｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金スパッタリングターゲットの製造方法
WO2022158231A1 (ja) Ａｇ合金膜、および、Ａｇ合金スパッタリングターゲット
US11837449B2 (en) Ti-Nb alloy sputtering target and production method thereof
WO2015046319A1 (ja) Ｉｎ合金スパッタリングターゲット、その製造方法及びＩｎ合金膜
JP5950632B2 (ja) スパッタリングターゲットの製造方法
WO2024075547A1 (ja) Ｎｉ合金膜およびＮｉ合金膜形成用スパッタリングターゲット材
WO2021111974A1 (ja) Ａｇ合金膜、Ａｇ合金スパッタリングターゲット
TW201631168A (zh) 銅基合金濺鍍靶材
JP2024066629A (ja) 銅合金スパッタリング膜、銅合金スパッタリングターゲット、銅合金スパッタリング膜の製造方法、及び銅合金スパッタリングターゲットの製造方法
TWI433953B (zh) Sputtering titanium target
KR20090112478A (ko) 전자파 차폐용 Ａｇ계 재료 및 박막
TWI619820B (zh) 銅合金濺鍍靶材
TW202124744A (zh) Ａｇ合金濺射靶
TW202144593A (zh) 銀合金濺鍍靶

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 19758221

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 19758221

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1