JP7269307B2 - 支持ユニット及び基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、支持ユニット及び基板処理装置に関するものである。
一般に、平板表示素子製造や半導体製造工程で硝子基板やウェーハを処理する工程には、感光液塗布工程(photoresist coating process)、現像工程(developing process)、蝕刻工程(etching process)、アッシング工程(ashing process)など多様な工程が遂行される。各工程には基板に付着された各種汚染物を除去するために、薬液(chemical)または純水(deionized water)を利用した洗浄工程(wet cleaning process)と基板表面に残留する薬液または純水を乾燥させるための乾燥(drying process)工程が遂行される。
最近には硫酸やリン酸のようなケミカルを利用してシリコン窒化膜及びシリコン酸化膜を選択的に除去する処理工程(例えば、蝕刻工程)を進行している。ケミカルを利用した基板処理装置では基板に対する処理効率を改善するために基板を加熱する基板処理装置が利用されている。アメリカ公開特許２０１６-００１３０７９には上述した基板処理装置の一例が開示される。上の特許によれば、基板処理装置はスピンヘッド内に基板を加熱するランプとランプが輻射する熱を反射させる反射板を有する。ランプが輻射する熱が基板で伝達されれば、基板の温度は高くなって、これにケミカルによる基板処理効率は高くなる。
しかし、ランプが輻射する熱が基板を回転させるスピンヘッドの駆動機に伝達されれば、駆動機の温度は高くなる。駆動機の温度が高くなれば、駆動機は適切に駆動されないか、または駆動機に故障が発生される。
韓国特許公開第10-2015-0015346号公報
本発明は、基板を効率的に処理することができる支持ユニット及び基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明は加熱部材が発生させる熱がスピン駆動部に伝達されることを最小化できる支持ユニット及び基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明は冷却板の冷却流路に流れる冷却流体が沸く現象を最小化できる支持ユニット及び基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明はチャックの内部空間に処理液または不純物が流入されることを最小化できる支持ユニット及び基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明はランプに電力を伝達する電力供給端子の温度が過度に高くなることを最小化できる支持ユニット及び基板処理装置を提供することを一目的とする。
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載らから通常の技術者が明確に理解されることができるであろう。
本発明は、支持ユニットを提供する。基板を支持する支持ユニットは、支持された基板に熱エネルギーを伝達する加熱部材と、前記加熱部材の下部に配置され、前記加熱部材が発生させる熱エネルギーを基板に反射させる反射板と、前記反射板の下部に配置されて冷却流体が流れる冷却流路が形成された冷却板と、及び前記反射板、そして前記冷却板の間空間にガスを供給するガス供給ラインを含むことができる。
一実施例によれば、前記冷却板の上面は、前記反射板と接触される接触部と、及び前記反射板と離隔されて前記の間空間を形成する離隔部を含むことができる。
一実施例によれば、上部から眺める時、単位面積当たり前記離隔部に対比して前記接触部が占める割合は、前記冷却板の中央領域より前記冷却板の縁領域でさらに大きくなることができる。
一実施例によれば、前記ガス供給ラインは、前記の間空間に前記ガスを供給する第１ガス供給ラインと、及び前記冷却板の下部に前記ガスを供給する第２ガス供給ラインを含むことができる。
一実施例によれば、前記ユニットは、スピン駆動部と結合されて回転可能なチャックステージと、及び前記チャックステージの上部に配置され、前記チャックステージとお互いに組合されて前記加熱部材、前記反射板、そして前記冷却板が配置される内部空間を形成するウィンドウを含むことができる。
一実施例によれば、前記ウィンドウの側面には、前記ガス供給ラインが供給する前記ガスが流出される流出ホールが形成されることができる。
一実施例によれば、上部から眺める時、前記チャックステージの縁領域には外部の不純物が前記内部空間に流入されることを遮断する遮断突起が形成されることができる。
一実施例によれば、前記遮断突起は、上部から眺める時、前記冷却板を取り囲むように提供され、その上端が前記反射板から離隔されるように提供されることができる。
一実施例によれば、前記スピン駆動部は、中空空間を有する中空回転軸に提供され、前記ガス供給ライン、前記冷却流体を前記冷却流路に供給する流体供給ライン、前記冷却流路から前記冷却流体を排出する流体排出ラインのうちで少なくとも何れか一つは前記中空空間に提供されることができる。
一実施例によれば、前記チャックステージ及び前記ウィンドウはお互いに結合されて前記スピン駆動部の回転によって回転されるが、前記加熱部材、前記反射板、そして、前記冷却板は前記チャックステージ及び前記ウィンドウの回転から独立されるように位置することができる。
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、基板を支持する支持ユニットと、及び前記支持ユニットに支持された基板に処理液を供給する液供給ユニットを含み、前記支持ユニットは、前記支持ユニットに支持された基板に熱エネルギーを伝達する加熱部材と、前記加熱部材の下部に配置され、前記加熱部材が発生させる熱エネルギーを基板に反射させる反射板と、及び前記反射板の下部に配置されて冷却流体が流れる冷却流路が形成された冷却板を含み、前記冷却板の上面は、前記反射板と接触される接触部と、及び前記反射板と離隔されて間空間を形成する離隔部を含むことができる。
一実施例によれば、前記支持ユニットは、前記の間空間に非活性ガスを供給するガス供給ラインをさらに含むことができる。
一実施例によれば、前記ガス供給ラインは、前記の間空間に前記非活性ガスを供給する第１ガス供給ラインと、及び前記冷却板の下部に前記非活性ガスを供給する第２ガス供給ラインを含むことができる。
一実施例によれば、上部から眺める時、単位面積当たり前記離隔部に対比して前記接触部が占める割合は、前記冷却板の中央領域より前記冷却板の縁領域でさらに大きくなることができる。
一実施例によれば、前記ユニットは、スピン駆動部と結合されて回転可能なチャックステージと、及び前記チャックステージの上部に配置され、前記チャックステージとお互いに組合されて前記加熱部材、前記反射板、そして前記冷却板が配置される内部空間を形成するウィンドウを含むことができる。
一実施例によれば、前記ウィンドウの側面には、前記ガス供給ラインが供給する前記非活性ガスが流出される流出ホールが形成されることができる。
一実施例によれば、上部から眺める時、前記チャックステージの縁領域には外部の不純物が前記内部空間に流入されることを遮断する遮断突起が形成されることができる。
また、本発明は基板を処理する装置を提供する。基板処理装置は、処理空間を有するチャンバと、前記処理空間で基板を支持、そして回転させる支持ユニットと、及び前記支持ユニットに支持された基板に処理液を供給する液供給ユニットを含み、前記支持ユニットは、スピン駆動部と結合されて回転可能なチャックステージと、前記チャックステージの上部に配置され、前記チャックステージとお互いに組合されて内部空間を形成する透明な石英ウィンドウと、前記内部空間に配置され、前記支持ユニットに支持された基板に熱エネルギーを伝達する加熱部材と、前記加熱部材の下部に配置され、前記加熱部材が発生させる熱エネルギーを前記支持ユニットに支持された基板に反射させる反射板と、前記反射板の下部に配置されて冷却流体が流れる冷却流路が形成された冷却板と、及び前記反射板、そして前記冷却板の間空間に非活性ガスを供給するガス供給ラインを含み、前記冷却板の上面は、前記反射板と接触される接触部と、及び前記反射板と離隔されて前記の間空間を形成する離隔部を含むことができる。
一実施例によれば、前記加熱部材は、複数で提供されるが、それぞれリング形状を有するように提供され、それぞれの前記加熱部材に電力を伝達する電力供給端子は、前記冷却板に設置されることができる。
一実施例によれば、前記ウィンドウの側面には、前記ガス供給ラインが供給する前記非活性ガスが流出される流出ホールが形成され、上部から眺める時、前記チャックステージの縁領域には、外部の不純物が前記内部空間に流入されることを遮断する遮断突起が形成されるが、前記遮断突起は、上部から眺める時、前記冷却板を取り囲むように提供され、その上端が前記反射板から離隔されるように提供されることができる。
本発明の一実施例によれば、基板を効率的に処理することができる。
また、本発明の一実施例によれば、加熱部材が発生させる熱がスピン駆動部に伝達されることを最小化できる。
また、本発明の一実施例によれば、冷却板の冷却流路に流れる冷却流体が沸く現象を最小化できる。
また、本発明の一実施例によれば、チャックの内部空間に処理液または不純物が流入されることを最小化できる。
また、本発明の一実施例によれば、ランプに電力を伝達する電力供給端子の温度が過度に高くなることを最小化できる。
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなく、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
本発明の一実施例による基板処理装置が提供された基板処理設備を概略的に示した平面図である。 図１の基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の断面図である。 図３の支持ユニットの一実施例を見せてくれる断面図である。 図４の支持ユニットの一部分を拡大して見せてくれる図面である。 図５の冷却板を上部から眺めた図面である。 図４の支持ユニットの他の部分を拡大して見せてくれる図面である。 図４の支持ユニットが基板を加熱する姿を見せてくれる図面である。
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例で限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。
ある構成要素を‘包含'するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に，“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
図１は、本発明の一実施例による基板処理装置が提供された基板処理設備を概略的に示した平面図である。図１を参照すれば、基板処理設備１はインデックスモジュール１０００と工程処理モジュール２０００を含む。インデックスモジュール１０００はロードポート１２００及び移送フレーム１４００を含む。ロードポート１２００、移送フレーム１４００、そして、工程処理モジュール２０００は順次に一列で配列される。以下、ロードポート１２００、移送フレーム１４００、そして工程処理モジュール２０００が配列された方向を第１方向１２と称する。そして、上部から眺める時第１方向１２と垂直した方向を第２方向１４といって、第１方向１２と第２方向１４を含んだ平面に垂直である方向を第３方向１６と称する。
ロードポート１２００には基板(Ｗ)が収納されたキャリア１３００が安着される。ロードポート１２００は複数個が提供されてこれらは第２方向１４に沿って一列で配置される。図１では四つのロードポート１２００が提供されたものとして図示した。しかし、ロードポート１２００の個数は工程処理モジュール２０００の工程効率及びフットプリントなどの条件によって増加するか、または減少することもできる。キャリア１３００には基板(Ｗ)の縁を支持するように提供されたスロット(図示せず)が形成される。スロットは第３方向１６に複数個が提供される。基板(Ｗ)は第３方向１６に沿ってお互いに離隔された状態で積層されるようにキャリア１３００内に位置される。キャリア１３００では前面開放一体型ポッド(Front Opening Unified Pod：ＦＯＵＰ)が使用されることができる。
工程処理モジュール２０００はバッファーユニット２２００、移送チャンバ２４００、そして工程チャンバ２６００を含む。移送チャンバ２４００はその長さ方向が第１方向１２と平行に配置される。第２方向１４に沿って移送チャンバ２４００の一側及び他側にはそれぞれ工程チャンバら２６００が配置される。移送チャンバ２４００の一側に位置した工程チャンバら２６００と移送チャンバ２４００の他側に位置した工程チャンバら２６００は移送チャンバ２４００を基準でお互いに対称されるように提供される。工程チャンバ２６００らのうちで一部は、移送チャンバ２４００の長さ方向に沿って配置される。また、工程チャンバ２６００らのうちで一部はお互いに積層されるように配置される。すなわち、移送チャンバ２４００の一側には工程チャンバ２６００らがＡＸＢ(ＡとＢはそれぞれ１以上の自然数)の配列で配置されることができる。ここで、Ａは第１方向１２に沿って一列に提供された工程チャンバ２６００の数であり、Ｂは第３方向１６に沿って一列に提供された工程チャンバ２６００の数である。移送チャンバ２４００の一側に工程チャンバ２６００が４個または６個提供される場合、工程チャンバ２６００らは２Ｘ２または３Ｘ２の配列で配置されることができる。工程チャンバ２６００の個数は増加するか、または減少することもある。前述したところとは異なり、工程チャンバ２６００は移送チャンバ２４００の一側だけに提供されることができる。また、前述したところとは異なり、工程チャンバ２６００は移送チャンバ２４００の一側及び両側に断層で提供されることができる。
バッファーユニット２２００は移送フレーム１４００と移送チャンバ２４００との間に配置される。バッファーユニット２２００は移送チャンバ２４００と移送フレーム１４００との間に基板(Ｗ)が返送される前に基板(Ｗ)がとどまる空間を提供する。バッファーユニット２２００はその内部に基板(Ｗ)が置かれるスロット(図示せず)が提供され、スロット(図示せず)らはお互いの間に第３方向１６に沿って離隔されるように複数個提供される。バッファーユニット２２００で移送フレーム１４００と見合わせる面と移送チャンバ２４００と見合わせる面それぞれが開放される。
移送フレーム１４００はロードポート１２００に安着されたキャリア１３００とバッファーユニット２２００の間に基板(Ｗ)を返送する。移送フレーム１４００にはインデックスレール１４２０とインデックスロボット１４４０が提供される。インデックスレール１４２０はその長さ方向が第２方向１４と並んで提供される。インデックスロボット１４４０はインデックスレール１４２０上に設置され、インデックスレール１４２０に沿って第２方向１４に直線移動される。インデックスロボット１４４０はベース１４４１、胴体１４４２、そしてインデックスアーム１４４３を有する。ベース１４４１はインデックスレール１４２０に沿って移動可能になるように設置される。胴体１４４２はベース１４４１に結合される。胴体１４４２はベース１４４１上で第３方向１６に沿って移動可能になるように提供される。また、胴体１４４２はベース１４４１上で回転可能になるように提供される。インデックスアーム１４４３は胴体１４４２に結合され、胴体１４４２に対して前進及び後退移動可能になるように提供される。インデックスアーム１４４３は複数個提供されてそれぞれ個別駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４３らは第３方向１６に沿ってお互いに離隔された状態で積層されるように配置される。インデックスアーム１４４３らのうちで一部は工程処理モジュール２０００からキャリア１３００に基板(Ｗ)を返送する時に使用されて、他の一部はキャリア１３００で工程処理モジュール２０００に基板(Ｗ)を返送する時に使用されることができる。これはインデックスロボット１４４０が基板(Ｗ)を搬入及び搬出する過程で工程処理前の基板(Ｗ)から発生されたパーティクルが工程処理後の基板(Ｗ)に付着されることを防止することができる。
移送チャンバ２４００はバッファーユニット２２００と工程チャンバ２６００との間に、そして工程チャンバ２６００らの間に基板(Ｗ)を返送する。移送チャンバ２４００にはガイドレール２４２０とメインロボット２４４０が提供される。ガイドレール２４２０はその長さ方向が第１方向１２と並んでいるように配置される。メインロボット２４４０はガイドレール２４２０上に設置され、ガイドレール２４２０上で第１方向１２に沿って直線移動される。メインロボット２４４０はベース２４４１、胴体２４４２、そしてメインアーム２４４３を有する。ベース２４４１はガイドレール２４２０に沿って移動可能になるように設置される。胴体２４４２はベース２４４１に結合される。胴体２４４２はベース２４４１上で第３方向１６に沿って移動可能になるように提供される。また、胴体２４４２はベース２４４１上で回転可能になるように提供される。メインアーム２４４３は胴体２４４２に結合され、これは胴体２４４２に対して前進及び後退移動可能になるように提供される。メインアーム２４４３は複数個提供されてそれぞれ個別駆動されるように提供される。メインアーム２４４３らは第３方向１６に沿ってお互いに離隔された状態で積層されるように配置される。バッファーユニット２２００から工程チャンバ２６００に基板(Ｗ)を返送する時に使用されるメインアーム２４４３と工程チャンバ２６００でバッファーユニット２２００に基板(Ｗ)を返送する時に使用されるメインアーム２４４３はお互いに相異であることがある。
工程チャンバ２６００内には基板(Ｗ)に対して液処理工程(例えば、洗浄工程、蝕刻工程のような膜除去工程)を遂行する基板処理装置１０が提供される。それぞれの工程チャンバ２６００内に提供された基板処理装置１０は遂行する洗浄工程の種類によって相異な構造を有することができる。選択的にそれぞれの工程チャンバ２６００内の基板処理装置１０は等しい構造を有することができる。選択的に工程チャンバ２６００らは複数個のグループで区分され、同一なグループに属する工程チャンバ２６００に提供された基板処理装置１０らはお互いに等しい構造を有して、相異なグループに属する工程チャンバ２６００に提供された基板処理装置１０らはお互いに相異な構造を有することができる。例えば、工程チャンバ２６００が２個のグループで分けられる場合、移送チャンバ２４００の一側には第１グループの工程チャンバ２６００が提供され、移送チャンバ２４００の他側には第２グループの工程チャンバ２６００が提供されることができる。選択的に移送チャンバ２４００の一側及び他側それぞれで下層には第１グループの工程チャンバ２６００らが提供され、上層には第２グループの工程チャンバ２６００らが提供されることができる。第１グループの工程チャンバ２６００と第２グループの工程チャンバ２６００はそれぞれ使用されるケミカルの種類や、洗浄方式の種類によって区分されることができる。
以下の実施例では高温の硫酸、高温のリン酸、アルカリ性薬液、酸性薬液、リンス液、そして乾燥ガスのような処理流体らを使って基板(Ｗ)を液処理する装置を例に挙げて説明する。しかし、本発明の技術的思想はこれに限定されないし、回転する基板(Ｗ)に処理液を供給して液処理工程を遂行する多様な基板処理装置にすべて適用されることができる。
図２は、図１の基板処理装置の平面図であり、図３は図１の基板処理装置の断面図である。図２と図３を参照すれば、基板処理装置１０はチャンバ１００、ボウル２００、支持ユニット３００、液供給ユニット４００、排気ユニット５００、そして昇降ユニット６００を含む。
チャンバ１００は密閉された内部空間を提供する。上部には気流供給部材１１０が設置される。気流供給部材１１０はチャンバ１００内部に下降気流を形成する。気流供給部材１１０は高湿度外気をフィルタリングしてチャンバ１００内部に供給する。高湿度外気は気流供給部材１１０を通過してチャンバ１００内部に供給されて下降気流を形成する。下降気流は基板(Ｗ)の上部に均一な気流を提供し、処理流体によって基板(Ｗ)表面が処理される過程で発生される汚染物質らを空気と共にボウル２００の回収筒２１０、２２０、２３０らを通じて排気ユニット５００に排出させる。
チャンバ１００の内部空間は水平隔壁１０２によって工程領域（処理空間の一例) １２０と維持補修領域１３０で分けられる。工程領域１２０にはボウル２００と支持ユニット３００が位置する。維持補修領域１３０にはボウル２００と連結される回収ライン２４１、２４３、２４５、排気ライン５１０以外にも昇降ユニット６００の駆動部と、液供給ユニット３００の駆動部、供給ラインなどが位置する。維持補修領域１３０は工程領域１２０から隔離される。
ボウル２００は上部が開放された円筒形状を有して、基板(Ｗ)を処理するための処理空間を有する。ボウル２００の開放された上面は、基板(Ｗ)の搬出及び搬入通路に提供される。処理空間には支持ユニット３００が位置される。支持ユニット３００は工程が進行時基板(Ｗ)を支持した状態で基板(Ｗ)を回転させる。
ボウル２００は強制排気がなされるように下端部に排気ダクト２９０が連結された下部空間を提供する。ボウル２００には回転される基板(Ｗ)上で飛散される処理液と気体を流入及び吸入する第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０が多段で配置される。
環形の第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０は一つの共通された環形空間と通じる排気口(Ｈ)らを有するである。具体的に、第１乃至第３回収筒２１０、２２０、２３０はそれぞれ環形のリング形状を有する底面及びその底面から上の方向に延長されて円筒形状を有する側壁を含む。第２回収筒２２０は第１回収筒２１０を取り囲んで、第１回収筒２１０から離隔される。第３回収筒２３０は第２回収筒２２０を取り囲んで、第２回収筒２２０から離隔される。
第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０は基板(Ｗ)から飛散された処理液及びヒューム(Fume)が含まれた気流が流入される第１回収空間(ＲＳ１)、第２回収空間(ＲＳ２)、そして第３回収空間(ＲＳ３)を提供することができる。第１回収空間(ＲＳ１)は第１回収筒２１０によって定義され、第２回収空間(ＲＳ２)は第１回収筒２１０と第２回収筒２２０との間の離隔空間によって定義され、第３回収空間(ＲＳ３)は第２回収筒２２０と第３回収筒２３０との間の離隔空間によって定義される。
第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０の各上面は中央部が開放される。第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０は連結された側壁から開放部に行くほど対応する底面との距離が徐徐に遠くなる傾斜面でなされる。基板(Ｗ)から飛散された処理液は第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０の上面らに沿って第１回収空間(ＲＳ１)、第２回収空間(ＲＳ２)及び/または第３回収空間(ＲＳ３)内に流れる。
第１回収空間(ＲＳ１)に流入された第１処理液は、第１回収ライン２４１を通じて外部に排出される。第２回収空間(ＲＳ２)に流入された第２処理液は第２回収ライン１４３を通じて外部に排出される。第３回収空間(ＲＳ３)に流入された第３処理液は第３回収ライン１４５を通じて外部に排出される。
液供給ユニット４００は基板(Ｗ)に処理液を供給して基板(Ｗ)を処理することができる。液供給ユニット４００は基板(Ｗ)に加熱された処理液を供給することができる。処理液は基板(Ｗ)表面が処理することができる。処理液は基板(Ｗ)上の薄膜を除去することのように、基板(Ｗ)を蝕刻処理するための高温のケミカルであることがある。一例で、ケミカルは硫酸、リン酸、または硫酸とリン酸の混合液であることがある。液供給ユニット４００は液ノズル部材４１０、そして供給部４２０を含むことができる。
液ノズル部材４１０はノズル４１１、ノズルアーム４１３、支持ロード４１５、ノズル駆動機４１７を含むことができる。ノズル４１１は供給部４２０から処理液の供給を受けることができる。ノズル４１１は処理液を基板(Ｗ)表面から吐出することができる。ノズルアーム４１３は一方向に長さが長く提供されるアームであり、先端にノズル４１１が装着される。ノズルアーム４１３はノズル４１１を支持する。ノズルアーム４１３の後段には支持ロード４１５が装着される。支持ロード４１５はノズルアーム４１３の下部に位置する。支持ロード４１５はノズルアーム４１３に垂直するように配置される。ノズル駆動機４１７は支持ロード４１５の下端に提供される。ノズル駆動機４１７は支持ロード４１５の長さ方向軸を中心に支持ロード４１５を回転させる。支持ロード４１５の回転でノズルアーム４１３とノズル４１１が支持ロード４１５を軸にスイング移動する。ノズル４１１はボウル２００の外側と内側との間をスイング移動することができる。そして、ノズル４１１は基板(Ｗ)の中央領域と縁領域との間区間をスイング移動して処理液を吐出することができる。
排気ユニット５００はボウル２００の内部を排気することができる。一例で、排気ユニット５００は工程時第１回収筒２１０、第２回収筒２２０、そして第３回収筒２３０のうちで処理液を回収する回収筒に排気圧力(吸入圧力)を提供することができる。排気ユニット５００は排気ダクト２９０と連結される排気ライン５１０、 ダンパ５２０を含むことができる。排気ライン５１０は排気ポンプ(図示せず)から排気圧の提供を受けて半導体生産ラインの底空間に埋設されたメイン排気ラインと連結される。
一方、ボウル２００はボウル２００の垂直位置を変更させる昇降ユニット６００と結合される。昇降ユニット６００はボウル２００を上下方向に直線移動させる。ボウル２００が上下に移動されることによって支持ユニット３００に対するボウル２００の相対高さが変更される。
昇降ユニット６００はブラケット６１２、移動軸６１４、そして駆動機６１６を含む。ブラケット６１２はボウル２００の外壁に固定設置される。ブラケット６１２には駆動機６１６によって上下方向に移動される移動軸６１４が固定結合される。基板(Ｗ)が支持ユニット３００にローディングまたはアンローディングされる時支持ユニット３００がボウル２００の上部に突き出されるようにボウル２００は下降する。また、工程が進行時には基板(Ｗ)に供給された処理液の種類によって処理液が既設定された回収筒２１０、２２０、２３０に流入されることができるようにボウル２００の高さが調節される。ボウル２００は前記各回収空間(ＲＳ１、ＲＳ２、ＲＳ３)別に回収される処理液と汚染ガスの種類を異なるようにできる。
図４は、図３の支持ユニットの一実施例を見せてくれる断面図であり、図５は図４の支持ユニットの一部分を拡大して見せてくれる図面である。図４、そして図５を参照すれば、支持ユニット３００は工程進行中に基板(Ｗ)を支持し、工程が進行されるうちに基板(Ｗ)を回転させることができる。
支持ユニット３００はチャック３１０、スピン駆動部３２０、バックノズル部３３０、加熱部材３４０、反射板３６０、冷却板３７０、ガス供給ライン３８０、流体供給ライン３９１、そして流体排出ライン３９３を含むことができる。
チャック３１０はチャックステージ３１２、そして石英ウィンドウ３１４を含むことができる。石英ウィンドウ３１４はチャックステージ３１２の上部に配置されることができる。
石英ウィンドウ３１４は後述する加熱部材３４０を保護するために提供されることができる。チャックステージ３１２、そして石英ウィンドウ３１４はお互いに組合されて内部空間３１７を形成することができる。例えば、チャックステージ３１２はスピン駆動部３２０と結合されて回転可能な板形状を有することができる。また、石英ウィンドウ３１４はチャックステージ３１２を覆うカバー形状を有することができる。石英ウィンドウ３１４はチャックステージ３１２とお互いに結合されることができる。これに、石英ウィンドウ３１４はチャックステージ３１２と共に回転されることができる。
石英ウィンドウ３１４は後述するランプ３４２が発生させる光が透過することができるように、透明な素材で提供されることができる。また、上部から眺める時、チャックステージ３１２が有する直径は石英ウィンドウ３１４が有する直径より大きくなることがある。
また、石英ウィンドウ３１４は上面、そして側面を含むことができる。石英ウィンドウ３１４の上面は支持ユニット３００に支持される基板(Ｗ)の下面と見合わせるように提供されることができる。すなわち、石英ウィンドウ３１４の上面は支持ユニット３００に支持される基板(Ｗ)の下面とお互いに平行な面であることができる。また、石英ウィンドウ３１４の側面は石英ウィンドウ３１４の縁領域で上面から下の方向に延長されて形成されることができる。石英ウィンドウ３１４の側面には後述する非活性ガスが流出される少なくとも一つ以上の流出ホール３１４aが形成されることができる。例えば、流出ホール３１４aは後述するガス供給ライン３８０が供給するガス(Ｇ)が流出されるホールであることがある。流出ホール３１４aらは石英ウィンドウ３１４の側面に形成されるが、お互いに同一な間隔で離隔されて形成されることがある。
また、石英ウィンドウ３１４には支持ピン３１８らが提供されることがある。支持ピン３１８らは石英ウィンドウ３１４の上部面縁部に所定間隔離隔されて配置される。支持ピン３１８は石英ウィンドウ３１４から上側に突き出されるように提供される。支持ピン３１８らは基板(Ｗ)の下面を支持して基板(Ｗ)が石英ウィンドウ３１４から上側方向に離隔された状態で支持されるようにする。
チャックステージ３１２の縁にはチャッキングピン３１６らが設置されることができる。チャッキングピン３１６らは石英ウィンドウ３１４を貫通して石英ウィンドウ３１４上側に突き出されるように提供される。チャッキングピン３１６らは複数の支持ピン３１８らによって支持された基板(Ｗ)が正位置に置かれるように基板(Ｗ)を整列することができる。工程進行時チャッキングピン３１６らは基板(Ｗ)の側部と接触されて基板(Ｗ)が正位置から離脱されることを防止することができる。
また、チャックステージ３１２には遮断突起３１２aが形成されることができる。遮断突起３１２aは支持ユニット３００の外部の不純物がチャック３１０の内部空間３１７に流入されることを遮断することができる。遮断突起３１２aは上部から眺める時リング形状を有することができる。遮断突起３１２aは上部から眺める時、後述する冷却板３７０を取り囲むように提供されることができる。また、遮断突起３１２aは上部から眺める時反射板３６０と重畳されるように提供されることができる。また、遮断突起３１２aはその上端が反射板３６０から離隔されるように提供されることができる。遮断突起３１２aの上端と反射板３６０との間の離隔された空間は後述する非活性ガスが流出される流出開口で機能することができる。
チャックステージ３１２はスピン駆動部３２０に結合されて回転されることができる。スピン駆動部３２０は中空モータと連結され、中空空間３２２を有する中空回転軸に提供されることができる。中空空間３２２には後述するガス供給ライン３８０、流体供給ライン３９１、流体排出ライン３９３のうちで少なくとも何れか一つが提供されることができる。例えば、中空空間３２２にはガス供給ライン３８０、流体供給ライン３９１、そして流体排出ライン３９３が提供されることができる。
前述したようにチャックステージ３１２が回転される場合、石英ウィンドウ３１４はチャックステージ３１２と共に回転されることができる。また、チャック３１０内に提供される構成らはチャック３１０の回転から独立するように位置されることができる。例えば、後述する加熱部材３４０、反射板３６０、冷却板３７０、ガス供給ライン３８０、流体供給ライン３９１、そして流体排出ライン３９３らはチャック３１０の回転から独立するように位置されることができる。
バックノズル部３３０は基板(Ｗ)の背面に薬液を噴射するために提供される。バックノズル部３３０は薬液噴射部３３２、そして薬液供給ライン３３６を含むことができる。薬液供給ライン３３６は薬液供給部３３４から薬液の伝達を受けて薬液噴射部３３２に伝達することができる。薬液噴射部３３２、そして薬液供給ライン３３６は上述したチャック３１０の回転から独立するように位置されることができる。薬液噴射部３３２の噴射する薬液は基板(Ｗ)の下面を蝕刻処理するための蝕刻液であることがある。
加熱部材３４０は工程進行中基板(Ｗ)を加熱することができる。加熱部材３４０はチャック３１０の内部空間３１７に配置されることができる。例えば、加熱部材３４０はチャックステージ３１２、そして石英ウィンドウ３１４が定義するチャック３１０の内部空間３１７に配置されることができる。加熱部材３４０はランプ３４２、そして温度制御部(図示せず)、そして電力供給端子３４４を含むことができる。
ランプ３４２はチャックステージ３１２の上部に設置される。ランプ３４２は支持ユニット３００に支持された基板(Ｗ)を加熱する熱エネルギーを発生させることができる。ランプ３４２は支持ユニット３００に支持された基板(Ｗ)に光を照射して基板(Ｗ)を加熱することができる。ランプ３４２は複数個で提供されることができる。ランプ３４２らのうちで少なくとも一部は、リング形状を有することができる。ランプ３４２は概してリング形状で提供されることができる。ランプ３４２らはお互いに相異である直径で提供されることができる。また、ランプ３４２らは回転中心が等しい同心円形状で提供されることができる。また、ランプ３４２らはチャックステージ３１２の中心に対してお互いに相異である半径を有するが、その中心がお互いに一致するように離隔されて配列されることができる。各ランプ３４２には温度制御部が構成されていてそれぞれの温度制御ができる。また、ランプ３４２は赤外線ランプ(IR Lamp)であることがある。これに、ランプ３４２赤外線光を照射して基板(Ｗ)を加熱することができる。
また、ランプ３４２が発生させる熱エネルギー(例えば、ランプ３４２が発生させる光の出力)は個別的に制御されることができる。例えば、それぞれのランプ３４２らは後述する複数の電力供給ライン３４５らを媒介に後述する電力供給端子３４４とお互いに連結されることができる。加熱部材３４０はそれぞれの個別的な区域の温度を制御することで、工程進行間に基板(Ｗ)の半径によって温度を連続的に増加または減少するように制御することができる。本実施例では６個のランプ３４２らが図示されているが、これは一つの例に過ぎなくてランプ３４２らの数は所望の温度で制御された程度に依存して加減されることができる。
反射板３６０は加熱部材３４０の下部に配置されることができる。反射板３６０はランプ３４２の下部に配置されることができる。反射板３６０はランプ３４２が発生させる熱エネルギーを基板(Ｗ)で反射させることができる。反射板３６０はランプ３４２が発生させる熱エネルギーを基板(Ｗ)の縁領域及び/または基板(Ｗ)の中央領域で反射させることができる。反射板３６０は加熱部材３４０が発生させる熱エネルギーに対する反射効率が高い材質で提供されることができる。反射板３６０はランプ３４２が照射する光に対する反射効率が高い材質で提供されることができる。例えば、反射板３６０は金、銀、銅、及び/またはアルミニウムを含む材質で提供されることができる。反射板３６０はクオーツに金、銀、銅、及び/またはアルミニウムでコーティングされた材質で提供されることができる。反射板３６０はクオーツに金、銀、銅及び/またはアルミニウムを物理的気相蒸着法(ＰＶＤ)方式でコーティングした材質で提供されることができる。
冷却板３７０は反射板３６０の下部に配置されることができる。冷却板３７０には冷却流体が流れる冷却流路３７２が形成されてあり得る。冷却流路３７２は冷却流路３７２に冷却流体を供給する流体供給ライン３９１、そして冷却流路３７２から冷却流体を排出する流体排出ライン３９３と連結されることができる。流体供給ライン３９１は流体供給源３９２から冷却流体の伝達を受けて冷却流路３７２に冷却流体を供給することができる。冷却板３７０は熱伝導率が優秀な素材で提供されることができる。例えば、冷却板３７０はアルミニウムを含む素材で提供されることができる。
また、冷却板３７０は上部から眺める時、反射板３６０より小さな直径を有することができる。また、冷却板３７０は反射板３６０と接触されることができる。また、冷却板３７０の上面のうちで一部領域は反射板３６０と接触され、冷却板３７０の上面のうちで他の領域は反射板３６０と離隔されることができる。例えば、図６に示されたように冷却板３７０には開口３７３、接触部３７４、そして離隔部３７５が形成されることができる。冷却板３７０の上面のうちで接触部３７４は反射板３６０の下面と接触されることができる。冷却板３７０の上面のうちで離隔部３７４は反射板３６０の下面と離隔されて後述する非活性ガス(Ｇ)が流入される間空間を形成することができる。すなわち、接触部３７４は離隔部３７５と比べる時相対的にその高さが高いことがある。離隔部３７５は接触部３７４と比べる時相対的にその高さが低いことがある。また、上部から眺める時、単位面積当たり離隔部３７５に対比して接触部３７４が占める割合は、冷却板３７０の中央領域より冷却板３７０の縁領域でさらに大きくなることがある。すなわち、冷却板３７０の縁領域は反射板３６０とさらに多く接触され、冷却板３７０の中央領域は反射板３６０と少なく接触されることがある。これは、石英ウィンドウ３１４が有する側面を有するため、石英ウィンドウ３１４の縁領域ではランプ３４２が発生させる熱エネルギーをさらにたくさん含んでいるためである。これに、反射板３６０の縁領域の温度が反射板３６０の中央領域の温度よりさらに高くなる恐れが大きいため、冷却板３７０は、その縁領域で反射板３６０とさらにたくさん接触されることができる構造を有する。
また、接触部３７４は第１接触部３７４aと第２接触部３７４bを含むことができる。第１接触部３７４aは開口３７３から冷却板３７０の縁領域に至るように形成されることができるし、第２接触部３７４bは冷却板３７０の縁領域に形成されることができる。また、第２接触部３７４bは複数で提供されることができる。第２接触部３７４bらはお互いに離隔されて形成されることができる。隣接する第２接触部３７４bらの間、そして第２接触部３７４bと第１接触部３７４aとの間領域は後述する非活性ガスが流出される流出開口として機能することができる。
再び図４と図５を参照すれば、ガス供給ライン３８０はチャックステージ３１２と石英ウィンドウ３１４が形成する内部空間３１７にガス(Ｇ)を供給することができる。ガス供給ライン３８０が内部空間３１７に供給するガス(Ｇ)は冷却ガスであることがある。ガス供給ライン３８０が内部空間３１７に供給するガス(Ｇ)は非活性ガスであることがある。例えば、ガス(Ｇ)は窒素、アルゴンなどを含む非活性ガスであることがある。しかし、これに限定されるものではなくて、ガス(Ｇ)は公知された非活性ガスで多様に変形されることができる。
ガス供給ライン３８０は第１ガス供給ライン３８１、そして第２ガス供給ライン３８３を含むことができる。第１ガス供給ライン３８１、そして第２ガス供給ライン３８３はガス注入ポート(図示せず)に接触されることができる。第１ガス供給ライン３８１は第１ガス供給源３８２からガス(Ｇ)の伝達を受けて冷却板３７０と反射板３６０との間空間にガス(Ｇ)を供給することができる。第２ガス供給ライン３８３は第２ガス供給源３８４からガス(Ｇ)の伝達を受けて冷却板３７０の下部領域にガス(Ｇ)を供給することができる。
図７は、図４の支持ユニットの他の部分を拡大して見せてくれる図面である。図７を参照すれば、前述したようにランプ３４２は複数で提供されるが、それぞれリング形状を有するように提供されることができる。また、ランプ３４２らはお互いに同じ中心を有する同心円形状で提供されることができる。また、前述したランプ３４２らはお互いに熱エネルギーを独立的に発生させることができる。これに、それぞれのランプ３４２らはお互いに相異である電力供給ライン３４５らを通じてランプ３４２らそれぞれに電力を伝達する電力供給端子３４４と電気的に連結されることができる。電力供給端子３４４は相対的に熱に脆弱な構造を有するようになるが、このような電力供給端子３４４を本発明の一実施例のように冷却板３７０に設置(例えば、冷却板３７０の上面または下面に設置)する場合、電力供給端子３４４の温度が過度に高くなることを防止することができる。
図８は、図４の支持ユニットが基板を加熱する姿を見せてくれる図面である。図８を参照すれば、ランプ３４２が発生させる熱エネルギー(Ｈ)は基板(Ｗ)に直接的に伝達するか、または反射板３６０によって反射されて基板(Ｗ)に間接的に伝達することができる。この時、反射板３６０はランプ３４２が発生させる熱エネルギー(Ｈ)によって温度が高くなることができる。反射板３６０の温度が高くなれば、反射板３６０の熱はスピン駆動部３２０に伝達されることができるが、スピン駆動部３２０の温度が高くなれば、中空モータ連結されるスピン駆動部３２０の駆動は適切になされることができないか、または中空モータに故障を発生させることがある。これに、ランプ３４２によって加熱される反射板３６０の熱がスピン駆動部３２０に伝達されることを最小化することが非常に重要である。本発明の一実施例によれば、冷却板３７０の冷却流路３７２には冷却水が流れることができる。そして、冷却板３７０は反射板３６０と接触されることができる。すなわち、冷却板３７０は水冷式クーリング方式で反射板３６０の温度が過度に高くなることを防止することができる。
場合によっては、反射板３６０の熱によって冷却板３７０の冷却流路３７２に流れる冷却水に沸騰現象が発生されることがある。これに、本発明の一実施例による冷却板３７０は接触部３７４、そして離隔部３７５を含むことができる。すなわち、冷却板３７０の上面全体が反射板３６０の下面と接触されるものではなく、冷却板３７０の上面のうちで一部領域が反射板３６０と接触される。そして、冷却板３７０の上面のうちで反射板３６０と接触されない他の領域、そして反射板３６０の下面間の間空間にはガス供給ライン３８０が供給する非活性ガス(Ｇ)が流れることができる。ガス供給ライン３８０が供給する非活性ガス(Ｇ)はランプ３４２によって加熱された反射板３６０の熱のうちで一部が冷却板３７０に伝達されることを遮断することができる。また、反射板３６０の熱のうちで一部はガス(Ｇ)に伝達され、流出ホール３１４aを通じて外部に排出されることができる。すなわち、本発明の一実施例によれば、冷却板３７０の上面のうちで一部領域が反射板３６０と接触され、冷却板３７０と反射板３６０が離隔されて形成する間空間に非活性ガス(Ｇ)が供給され、冷却流路３７２に流れる冷却水の沸騰現象を最大限抑制することができる。すなわち、本発明の一実施例によれば、空冷式クーリング方式より相対的に冷却効率が良い(これは空冷式クーリング方式と比べる時水冷式クーリング方式で使用される冷却水の比熱が空冷式クーリング方式で使用される冷却ガスの比熱より大きいため)水冷式クーリング方式で反射板３６０を効果的に冷却させるか、または反射板３６０の熱がスピン駆動部３２０に伝達されることを防止するが、水冷式クーリング方式を借用する場合発生されることがある冷却水の沸騰現象を非活性ガス(Ｇ)を供給する空冷式クーリング方式で最大限抑制することができるようになる。すなわち、スピン駆動部３２０に熱が伝達されることを最大限抑制することができるので、基板(Ｗ)に対する処理工程をより長い時間の間安定的に遂行することができるようになる。また、反射板３６０と接触される接触面積が相異な複数の冷却板３７０らのうちで選択された冷却板３７０を内部空間３１７に配置し、反射板３６０に対する冷却効果を選択的に制御することができる。これは冷却板３７０と反射板３６０の接触面積によって熱伝導程度が変更されるためである。
また、前述したようにチャックステージ３１２に形成される遮断突起３１２aは、液供給ユニット４００が供給する処理液がチャック３１０の内部空間３１７に流入されることを防止することができる。また、前述したガス供給ライン３８０が供給する非活性ガス(Ｇ)は流出ホール３１４aを通じてチャック３１０の内部空間３１７でチャック３１０の外部空間を向ける方向に流れることができる。また、ガス供給ライン３８０が供給する非活性ガス(Ｇ)はチャック３１０の内部空間３１７の圧力がチャック３１０の外部空間と比べる時、相対的に陽圧になるようにすることができる。これに、基板(Ｗ)が相対的に低い速度で回転されても、液供給ユニット４００が供給する処理液がチャック３１０の内部空間に流入されることを最大限抑制することができる。
以上の詳細な説明は、本発明を例示するものである。また、前述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明することであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むことに解釈されなければならない。
１０ 基板処理装置
１００ チャンバ
３００ 支持ユニット
３１０ チャック
３１２ チャックステージ
３１２a 遮断突起
３１４ ウィンドウ
３１４a 流出ホール
３１７ 内部空間
３２０ スピン駆動部
３２２ 中空空間
３３０ バックノズル部
３３２ 薬液噴射部
３３４ 薬液供給部
３３６ 薬液供給ライン
３４０ 加熱部材
３４２ ランプ
３４４ 電力供給端子
３４５ 電力供給ライン
３６０ 反射板
３７０ 冷却板
３７２ 冷却流路
３７３ 開口
３７４ 接触部
３７４a 第１接触部
３７４b 第２接触部
３７５ 離隔部
３８０ ガス供給ライン
３８１ 第１ガス供給ライン
３８２ 第１ガス供給源
３８３ 第２ガス供給ライン
３８４ 第２ガス供給源
３９１ 流体供給ライン
３９２ 流体供給源
３９３ 流体排出ライン
４００ 液供給ユニット

Claims (20)

  1. 基板を支持する支持ユニットにおいて、
    支持された基板に熱エネルギーを伝達する加熱部材と、
    前記加熱部材の下部に配置され、前記加熱部材が発生させる熱エネルギーを基板に反射させる反射板と、
    前記反射板の下部に配置されて冷却流体が流れる冷却流路が形成された冷却板と、及び
    前記反射板、そして前記冷却板の間空間にガスを供給するガス供給ラインを含むことを特徴とする支持ユニット。
  2. 前記冷却板の上面は、
    前記反射板と接触される接触部と、及び
    前記反射板と離隔されて前記の間空間を形成する離隔部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の支持ユニット。
  3. 上部から眺める時、単位面積当たり前記離隔部に対比して前記接触部が占める割合は、
    前記冷却板の中央領域より前記冷却板の縁領域でさらに大きいことを特徴とする請求項２に記載の支持ユニット。
  4. 前記ガス供給ラインは、
    前記の間空間に前記ガスを供給する第１ガス供給ラインと、及び
    前記冷却板の下部に前記ガスを供給する第２ガス供給ラインと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の支持ユニット。
  5. 前記支持ユニットは、
    スピン駆動部と結合されて回転可能なチャックステージと、及び
    前記チャックステージの上部に配置され、前記チャックステージとお互いに組合されて前記加熱部材、前記反射板、そして前記冷却板が配置される内部空間を形成するウィンドウと、を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちでいずれか一つに記載の支持ユニット。
  6. 前記ウィンドウの側面には、
    前記ガス供給ラインが供給する前記ガスが流出される流出ホールが形成されることを特徴とする請求項５に記載の支持ユニット。
  7. 上部から眺める時、前記チャックステージの縁領域には外部の不純物が前記内部空間に流入されることを遮断する遮断突起が形成されることを特徴とする請求項５に記載の支持ユニット。
  8. 前記遮断突起は、
    上部から眺める時、前記冷却板を取り囲むように提供され、
    その上端が前記反射板から離隔されるように提供されることを特徴とする請求項７に記載の支持ユニット。
  9. 前記スピン駆動部は、
    中空空間を有する中空回転軸に提供され、
    前記ガス供給ライン、前記冷却流体を前記冷却流路に供給する流体供給ライン、前記冷却流路から前記冷却流体を排出する流体排出ラインのうちで少なくとも何れか一つは前記中空空間に提供されることを特徴とする請求項５に記載の支持ユニット。
  10. 前記チャックステージ及び前記ウィンドウはお互いに結合されて前記スピン駆動部の回転によって回転されるが、
    前記加熱部材、前記反射板、そして前記冷却板は前記チャックステージ及び前記ウィンドウの回転から独立されるように位置することを特徴とする請求項５に記載の支持ユニット。
  11. 基板を処理する装置において、
    基板を支持する支持ユニットと、及び
    前記支持ユニットに支持された基板に処理液を供給する液供給ユニットを含み、
    前記支持ユニットは、
    前記支持ユニットに支持された基板に熱エネルギーを伝達する加熱部材と、
    前記加熱部材の下部に配置され、前記加熱部材が発生させる熱エネルギーを基板に反射させる反射板と、及び
    前記反射板の下部に配置されて冷却流体が流れる冷却流路が形成された冷却板を含み、
    前記冷却板の上面は、
    前記反射板と接触される接触部と、及び
    前記反射板と離隔されて間空間を形成する離隔部と、を含むことを特徴とする基板処理装置。
  12. 前記支持ユニットは、
    前記の間空間に非活性ガスを供給するガス供給ラインをさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 前記ガス供給ラインは、
    前記の間空間に前記非活性ガスを供給する第１ガス供給ラインと、及び
    前記冷却板の下部に前記非活性ガスを供給する第２ガス供給ラインを含むことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 上部から眺める時、単位面積当たり前記離隔部に対比して前記接触部が占める割合は、
    前記冷却板の中央領域より前記冷却板の縁領域でさらに大きいことを特徴とする請求項１１乃至請求項１３のうちでいずれか一つに記載の基板処理装置。
  15. 前記支持ユニットは、
    スピン駆動部と結合されて回転可能なチャックステージと、及び
    前記チャックステージの上部に配置され、前記チャックステージとお互いに組合されて前記加熱部材、前記反射板、そして前記冷却板が配置される内部空間を形成するウィンドウを含むことを特徴とする請求項１２乃至請求項１３のうちでいずれか一つに記載の基板処理装置。
  16. 前記ウィンドウの側面には、
    前記ガス供給ラインが供給する前記非活性ガスが流出される流出ホールが形成されることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 上部から眺める時、前記チャックステージの縁領域には外部の不純物が前記内部空間に流入されることを遮断する遮断突起が形成されることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. 基板を処理する装置において、
    処理空間を有するチャンバと、
    前記処理空間で基板を支持、そして回転させる支持ユニットと、及び
    前記支持ユニットに支持された基板に処理液を供給する液供給ユニットを含み、
    前記支持ユニットは、
    スピン駆動部と結合されて回転可能なチャックステージと、
    前記チャックステージの上部に配置され、前記チャックステージとお互いに組合されて内部空間を形成する透明な石英ウィンドウと、
    前記内部空間に配置され、前記支持ユニットに支持された基板に熱エネルギーを伝達する加熱部材と、
    前記加熱部材の下部に配置され、前記加熱部材が発生させる熱エネルギーを前記支持ユニットに支持された基板に反射させる反射板と、
    前記反射板の下部に配置されて冷却流体が流れる冷却流路が形成された冷却板と、及び
    前記反射板、そして前記冷却板の間空間に非活性ガスを供給するガス供給ラインを含み、
    前記冷却板の上面は、
    前記反射板と接触される接触部と、及び
    前記反射板と離隔されて前記の間空間を形成する離隔部を含む基板処理装置。
  19. 前記加熱部材は、
    複数で提供されるが、それぞれリング形状を有するように提供され、
    それぞれの前記加熱部材に電力を伝達する電力供給端子は、
    前記冷却板に設置されることを特徴とする請求項１８に記載の基板処理装置。
  20. 前記石英ウィンドウの側面には、
    前記ガス供給ラインが供給する前記非活性ガスが流出される流出ホールが形成され、
    上部から眺める時、前記チャックステージの縁領域には、
    外部の不純物が前記内部空間に流入されることを遮断する遮断突起が形成されるが、
    前記遮断突起は、
    上部から眺める時、前記冷却板を取り囲むように提供され、
    その上端が前記反射板から離隔されるように提供されることを特徴とする請求項１８または請求項１９に記載の基板処理装置。
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