TW201838034A - 基板處理方法以及基板處理裝置 - Google Patents

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Abstract

用以自基板的表面去除抗蝕劑的基板處理方法包括：支持步驟，使支持構件水平地支持所述基板；混合氣體供給步驟，將水蒸氣與臭氧氣體的混合氣體供給於所述基板的表面附近；以及紫外線照射步驟，對供給於所述基板的表面附近的混合氣體照射紫外線。

Description

基板處理方法以及基板處理裝置
本發明是有關於一種對基板進行處理的基板處理方法以及基板處理裝置。成為處理對象的基板中，例如包括半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、有機電致發光（Electroluminescence，EL）顯示裝置等平板顯示器（Flat Panel Display，FPD）用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等基板。
於半導體元件等的製造步驟中，例如進行光微影（photolithography）處理，該光微影處理依序進行於基板上塗佈抗蝕劑液而形成抗蝕劑的抗蝕劑塗佈處理、將該抗蝕劑曝光成既定圖案的曝光處理、及對經曝光的抗蝕劑進行顯影的顯影處理。藉此，於基板上形成既定的抗蝕劑圖案。繼而，將該抗蝕劑圖案作為遮罩（mask），進行基板上的被處理膜的蝕刻處理。然後將抗蝕劑剝離，於基板的表面形成既定的圖案。
下述專利文獻1中揭示有一種藉由紫外線及臭氧的作用將形成於基板表面的抗蝕劑剝離的方法。詳細而言，該方法中對收容基板的腔室內供給含臭氧氣體（臭氧與氧氣的混合氣體），藉此將腔室內設定為臭氧環境。繼而，於臭氧環境中對基板照射紫外線，由此將臭氧分解。藉此，產生作為氧化力相對較高的活性氧的羥基自由基（OH自由基）等。藉由該羥基自由基而促進利用臭氧的抗蝕劑剝離。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2000-286251號公報 [專利文獻2]美國專利申請公開第2017/252781號說明書
[發明所欲解決之課題]
羥基自由基容易因臭氧與氫自由基反應而產生。然而，專利文獻1所記載的方法中，無法對腔室內供給充分的氫自由基。因此，無法充分產生羥基自由基，故有無法充分促進抗蝕劑的剝離之虞。
另一方面，於專利文獻2中揭示有一種於在基板表面形成有臭氧水等液體的膜（液膜）的狀態下對基板表面照射紫外線的方法。該方法中，可藉由紫外線而由水產生氫自由基。然而，紫外線被液膜吸收，故無法充分到達基板的表面附近，而有無法於基板的表面附近產生充分的氫自由基之虞。由此，無法於基板的表面附近產生充分的羥基自由基。因此，有無法充分促進抗蝕劑的剝離之虞。
因此，解決該些課題，良好地促進形成於基板表面的抗蝕劑的剝離是需要的。
本發明的一個目的在於提供一種可將形成於基板表面的抗蝕劑良好地去除的基板處理方法以及基板處理裝置。 [解決課題之手段]
本發明的一實施形態提供一種基板處理方法，用於自基板的表面去除抗蝕劑，並且所述基板處理方法包括以下步驟：支持步驟，使支持構件水平地支持所述基板；混合氣體供給步驟，對所述基板的表面附近供給水蒸氣與臭氧氣體的混合氣體；以及紫外線照射步驟，對供給於所述基板的表面附近的混合氣體照射紫外線。
根據該方法，將使水蒸氣與臭氧氣體混合而成的混合氣體供給於經水平地支持的基板的表面附近。藉由對混合氣體照射紫外線，而將混合氣體中的水蒸氣分解。藉此，生成氫自由基。因此，藉由使氫自由基與臭氧反應，可於基板的表面附近產生充分量的羥基自由基。
進而，由於對基板的表面供給水蒸氣、即氣態水，故可抑制液態水附著於基板的表面。因此，可不受液態水吸收紫外線的妨礙而於基板的表面附近使臭氧分解。
結果，可將形成於基板表面的抗蝕劑良好地去除（剝離）。
於本發明的一實施形態中，所述紫外線照射步驟包括以下步驟：藉由紫外線的照射而於所述基板的表面附近產生羥基自由基的步驟；以及藉由所述羥基自由基將所述抗蝕劑分解的步驟。因此，可利用藉由紫外線照射所產生的羥基自由基而將抗蝕劑可靠地分解。
於本發明的一實施形態中，所述基板處理方法更包括第一加熱步驟，所述第一加熱步驟加熱所述基板且與所述混合氣體供給步驟同時實行。藉此，可將基板的表面附近的混合氣體加熱。因此，可抑制水蒸氣於基板的表面附近液化。
於本發明的一實施形態中，所述基板處理方法更包括第二加熱步驟，所述第二加熱步驟加熱所述基板且與所述紫外線照射步驟同時實行。藉此，將基板的表面附近所產生的抗蝕劑的分解物加熱。因此，可使抗蝕劑的分解物昇華而成為氣體狀態。故而可抑制抗蝕劑的分解物於基板的表面固化。因此，可將形成於基板表面的抗蝕劑良好地去除。
於本發明的一實施形態中，所述混合氣體供給步驟包括混合氣體噴出步驟，該混合氣體噴出步驟自噴出口向所述基板的表面噴出所述混合氣體。根據該方法，與從各別的噴出口向基板的表面噴出水蒸氣與臭氧氣體的構成相比較，可確保基板表面附近的水蒸氣與臭氧氣體的比例（比率）於基板的整個表面均等。
於本發明的一實施形態中，所述基板處理方法更包括以下步驟：空間形成步驟，至少於所述紫外線照射步驟開始之前，形成收容所述基板且與外部阻斷的空間；以及排氣步驟，在所述紫外線照射步驟的實行中，對所述空間內進行排氣。
藉此，可於對基板的表面附近的混合氣體照射紫外線之前，將基板收容於與外部阻斷的空間內。因此，可於使空間內（基板的表面附近的空間中）充滿混合氣體的狀態下照射紫外線。因此，可產生充分量的羥基自由基。另一方面，於紫外線的照射中，對收容基板的空間進行排氣。藉此，可將抗蝕劑的分解物於在基板的表面固化之前排出至空間的外部。
於本發明的一實施形態中，所述基板處理方法更包括混合氣體形成步驟，該混合氣體形成步驟對儲罐中蓄積的液態水供給所述臭氧氣體，藉此形成所述混合氣體。因此，在準備混合氣體時，無需與臭氧氣體相區別而另準備水蒸氣後將臭氧氣體與水蒸氣混合。即，可簡單地準備混合氣體。
於本發明的一實施形態中，提供一種基板處理裝置，用於自基板的表面去除抗蝕劑，並且所述基板處理裝置含有：支持構件，水平地支持所述基板；混合氣體供給單元，向所述基板的表面供給混合氣體；紫外線照射單元，向所述基板的表面照射紫外線；以及控制器，以實行混合氣體供給步驟及紫外線照射步驟的方式編程，所述混合氣體供給步驟自所述混合氣體供給單元對所述基板的表面附近供給所述混合氣體，所述紫外線照射步驟在將所述混合氣體供給於所述基板的表面附近的狀態下，使所述紫外線照射單元照射紫外線。
根據該構成，對藉由支持構件水平地支持的基板的表面附近供給使水蒸氣與臭氧氣體混合而成的混合氣體。藉由自紫外線照射單元對混合氣體照射紫外線，而將混合氣體中的水蒸氣分解。藉此，生成氫自由基。因此，藉由使氫自由基與臭氧反應，可於基板的表面附近產生充分量的羥基自由基。
進而，由於對基板的表面供給水蒸氣、即氣態水，故可抑制液態水附著於基板的表面。因此，可不受液態水吸收紫外線的妨礙而於基板的表面附近使臭氧分解。
結果，可將形成於基板表面的抗蝕劑良好地去除。
於本發明的一實施形態中，所述控制器是以在所述紫外線照射步驟中實行以下步驟的方式編程：藉由紫外線的照射而於所述基板的表面附近產生羥基自由基的步驟；以及藉由所述羥基自由基將抗蝕劑分解的步驟。因此，可利用藉由紫外線照射所產生的羥基自由基而將抗蝕劑可靠地分解。
於本發明的一實施形態中，所述基板處理裝置更含有加熱所述基板的第一基板加熱單元。而且，所述控制器是以實行第一加熱步驟的方式編程，所述第一加熱步驟於所述混合氣體供給步驟的同時，使所述第一基板加熱單元加熱所述基板。因此，可使用第一基板加熱單元將基板的表面附近的混合氣體加熱。因此，可抑制水蒸氣於基板的表面附近液化。
於本發明的一實施形態中，所述基板處理裝置更含有加熱所述基板的第二基板加熱單元。而且，所述控制器是以實行第二加熱步驟的方式編程，所述第二加熱步驟於所述紫外線照射步驟的同時，使所述第二基板加熱單元加熱所述基板。因此，可使用第二基板加熱單元將基板的表面附近所產生的抗蝕劑的分解物加熱。藉此，可使抗蝕劑的分解物昇華而成為氣體狀態。因此，可抑制抗蝕劑的分解物於基板的表面固化。因此，可將形成於基板表面的抗蝕劑良好地去除。
於本發明的一實施形態中，所述基板處理裝置更含有：空間形成單元，形成收容所述基板且與外部阻斷的空間；以及排氣單元，對所述空間進行排氣。而且，所述控制器是以進一步實行以下步驟的方式編程：空間形成步驟，至少於所述紫外線照射步驟開始之前，控制所述空間形成單元而形成空間；以及排氣步驟，於所述紫外線照射步驟的實行中，控制所述排氣單元而對所述空間進行排氣。
藉此，於對基板的表面附近的混合氣體照射紫外線之前，藉由空間形成單元而形成與外部阻斷的空間，並於該空間中收容基板。因此，可於使空間內（基板的表面附近的空間中）充滿混合氣體的狀態下，自紫外線照射單元照射紫外線。因此，可產生充分量的羥基自由基。另一方面，於紫外線的照射中，藉由排氣單元對收容基板的空間進行排氣。藉此，可將抗蝕劑的分解物於在基板的表面固化之前排出至空間的外部。
於本發明的一實施形態中，所述基板處理裝置更含有：儲罐，蓄積液態水；以及臭氧氣體供給單元，對所述儲罐中蓄積的液態水供給臭氧氣體。而且，所述控制器是以實行混合氣體形成步驟的方式編程，所述混合氣體形成步驟自所述臭氧氣體供給單元對所述儲罐中蓄積的液態水供給所述臭氧氣體，藉此形成所述混合氣體。根據該構成，藉由自臭氧氣體供給單元對儲罐中蓄積的液態水供給臭氧氣體而形成混合氣體。因此，在準備混合氣體時，無需與臭氧氣體相區別而另準備水蒸氣後將臭氧氣體與水蒸氣混合。即，可簡單地準備混合氣體。
本發明的所述或進而其他的目的、特徵及效果將參照隨附圖式藉由以下將述的實施形態的說明而闡明。
圖1為用以說明本發明的一實施形態的基板處理裝置1的內部佈局的圖解平面圖。
基板處理裝置1為對矽晶圓等基板W逐片進行處理的單片式裝置。基板處理裝置1含有：負載埠LP，分別保持收容基板W的多個載體C；以及多個處理單元2，以處理流體對自多個負載埠LP搬送來的基板W進行處理。處理流體中，包含對基板W進行處理的氣體即處理氣體、及對基板W進行處理的液體即處理液。
基板處理裝置1含有：配置於從多個負載埠LP延伸至多個處理單元2的搬送路徑上的分度機械手（indexer robot）IR、搬運梭（shuttle）SH及主搬送機械手CR；以及控制基板處理裝置1的控制器3。
分度機械手IR於多個負載埠LP與搬運梭SH之間搬送基板W。搬運梭SH於分度機械手IR與主搬送機械手CR之間搬送基板W。主搬送機械手CR於搬運梭SH與多個處理單元2之間搬送基板W。圖1所示的粗線的箭頭表示分度機械手IR的移動方向、或搬運梭SH的移動方向。
多個處理單元2形成分別配置於水平地分離的四個位置的四個塔（tower）。各塔含有於上下方向上積層的多個處理單元2。於搬送路徑的兩側各配置有兩個塔。多個處理單元2包含保持基板W乾燥的狀態而對該基板W進行處理的多個乾式處理單元2D、及以處理液對基板W進行處理的多個濕式處理單元2W。負載埠LP側的兩個塔是由多個乾式處理單元2D構成。其餘兩個塔是由多個濕式處理單元2W構成。
濕式處理單元2W含有：濕式腔室9，設有基板W通過的搬入搬出口；擋閘10，將濕式腔室9的搬入搬出口開閉；自旋夾盤11，在濕式腔室9內水平地保持基板W，並且使基板W繞通過基板W的中心部的旋轉軸線A1旋轉；以及多個噴嘴12、13，向經自旋夾盤11保持的基板W噴出處理液。多個噴嘴12、13中，包含噴出化學藥液的化學藥液噴嘴12及噴出淋洗液的淋洗液噴嘴13。
乾式處理單元2D含有：乾式腔室4，設有基板W通過的搬入搬出口；擋閘5，將乾式腔室4的搬入搬出口開閉；以及氣體處理單元8，利用水蒸氣與臭氧氣體（O3 氣體）的混合氣體對基板W進行處理。
圖2為用以說明氣體處理單元8的構成例的示意圖。
氣體處理單元8含有：支持構件23，以基板W成為水平姿勢的方式自下方支持基板W；加熱器22，藉由加熱支持構件23而將經支持構件23支持的基板W加熱；罩30，自上方與支持構件23相向；以及罩升降單元29，使罩30相對於支持構件23及底環27而升降。氣體處理單元8更含有：底環27，自下方支持罩30；O型環28，將罩30與底環27之間密閉；多個提升銷24，於支持構件23與罩30之間水平地支持基板W；以及提升升降單元26，使多個提升銷24升降。
加熱器22連接於對加熱器22供給電力的加熱器通電單元31。本實施形態中，加熱器22自下方鄰接於支持構件23，但亦可與本實施形態不同而配置於支持構件23的內部。
支持構件23含有：配置於基板W的下方的圓板狀的底座部23b、自底座部23b的上表面向上方突出的多個半球狀的突出部23a、及自底座部23b的外周面向外側突出的圓環狀的凸緣部23c。底座部23b的上表面與基板W的下表面平行，且具有超出基板W的外徑的外徑。多個突出部23a在向上方遠離底座部23b的上表面的位置與基板W的下表面接觸。多個突出部23a以水平地支持基板W的方式配置於底座部23b的上表面內的多個位置。基板W是基板W的下表面在上方與底座部23b的上表面分離的狀態下受到水平支持。凸緣部23c上連結有底環27。
乾式處理單元2D亦可含有：將經加熱器22加熱的基板W於乾式腔室4內冷卻的冷卻單元7（參照圖1）、及對經氣體處理單元8加熱的基板W於乾式腔室4內搬送基板W的室內搬送機構6（參照圖1）。
多個提升銷24分別插入至貫通支持構件23的多個貫通孔中。藉由包圍提升銷24的波紋管25而防止流體從氣體處理單元8之外向貫通孔進入。對氣體處理單元8而言，代替波紋管25的亦可是除了波紋管25以外還具備O型環，該O型環將提升銷24的外周面與貫通孔的內周面之間的間隙密閉。提升銷24含有與基板W的下表面接觸的半球狀的上端部。多個提升銷24的上端部配置於相同高度。
提升升降單元26使多個提升銷24於鉛垂方向上於上位置與下位置之間移動，所述上位置為多個提升銷24的上端部位於較支持構件23更靠上方的位置（圖9A及圖9B所示的位置），所述下位置為多個提升銷24的上端部退避至支持構件23的內部的位置（圖2所示的位置）。提升升降單元26可為電動馬達或氣缸，或亦可為該些以外的致動器。
罩升降單元29使罩30於上位置（圖9A所示的位置）與下位置（圖2所示的位置）之間鉛垂地移動。上位置為罩30的下表面在上方與底環27的上表面分離的位置，以使基板W可於罩30的下表面與底環27的上表面之間通過。下位置為將罩30的下表面與底環27的上表面之間的間隙密閉而形成空間S的位置，所述空間S收容經支持構件23支持的基板W。罩升降單元29可為電動馬達或氣缸，或亦可為該等以外的致動器。
氣體處理單元8更含有：混合氣體供給單元14，向基板W的上表面供給混合氣體；排氣單元15，對空間S進行排氣；以及紫外線照射單元16，向基板W的上表面照射紫外線。
混合氣體供給單元14含有：多個混合氣體噴嘴40，向基板W的上表面噴出混合氣體；混合氣體供給管42，將來自混合氣體供給源41的混合氣體供給於多個混合氣體噴嘴40；以及混合氣體閥43，插入至混合氣體供給管42中。多個混合氣體噴嘴40具有在罩30的下表面中與基板W相向的位置開口的噴出口40a。混合氣體閥43切換是否向多個混合氣體噴嘴40供給混合氣體。
排氣單元15含有：排氣管52，具有在支持構件23的上表面開口的多個排出口50a，且排氣管52將空間S內的氣體引導至空間S外；以及排氣閥53，插入至排氣管52中，且對其流路進行開閉。
紫外線照射單元16含有多個紫外線燈60、及連接於多個紫外線燈60的燈通電單元61。紫外線燈60藉由自燈通電單元61供電而發出紫外線。本實施形態中，對各紫外線燈60分別設置一個燈通電單元61，亦可對多個紫外線燈60設置共同的燈通電單元。多個紫外線燈60是安裝於罩30的下表面，且至少其一部分與基板W相向。紫外線燈60例如是由照射185 nm的紫外線的低壓水銀燈所構成。
圖3為沿著圖2的III-III線的剖面的示意圖。
多個混合氣體噴嘴40中，包含中心噴嘴40A及多個外周噴嘴40B，所述中心噴嘴40A具有開口在與基板W的中心部相向的位置的噴出口40a，所述外周噴嘴40B具有開口在與基板W的外周部相向的位置的噴出口40a。所謂基板W的中心部，為俯視時位於基板W的中心的部分。所謂基板W的外周部，為俯視時基板W的中心部與基板W的周緣部之間的部分。多個外周噴嘴40B是圍繞通過基板W的中心部的鉛垂線A2而等間隔地配置。外周噴嘴40B例如是以90°間隔而設有共計四個。
紫外線燈60包含與基板W的中心部附近相向的中心燈60A、及與基板W的外周部相向的多個外周燈60B。中心燈60A於俯視時將中心噴嘴40A包圍，且位於較多個外周噴嘴40B更靠鉛垂線A2側。多個外周燈60B是圍繞鉛垂線A2而等間隔地配置。多個外周燈60B例如是以90°間隔而設有共計四個。多個外周燈60B位於較多個外周噴嘴40B更靠與鉛垂線A2側相反之側。多個外周燈60B亦與基板W的周緣部相向。
圖4為用以說明氣體處理單元8所具備的混合氣體供給單元14及排氣單元15的構成的示意圖。
混合氣體供給源41含有：儲罐41A，蓄積有液態水；以及臭氧氣體供給單元41B，對儲罐41A中蓄積的液態水供給臭氧氣體。臭氧氣體供給單元41B含有：臭氧氣體噴嘴44，對儲罐41A內的水供給臭氧氣體；臭氧供給管45，將來自臭氧氣體供給源的臭氧氣體供給於臭氧氣體噴嘴44；以及臭氧氣體閥46，插入至臭氧供給管45中。臭氧氣體噴嘴44具有配置於儲罐41A內的水中的噴出口44a。臭氧氣體閥46切換是否向臭氧氣體噴嘴44供給臭氧氣體。
混合氣體供給單元14的混合氣體供給管42含有插入有混合氣體閥43的主配管42A、以及從主配管42A的另一端分支的多個分支配管42B。主配管42A具有設於儲罐41A內較水面更靠上方的位置的吸氣口42a。分支配管42B是以與混合氣體噴嘴40相同的數量而設置，各分支配管42B連結於對應的混合氣體噴嘴40。
排氣單元15的排氣管52含有插入有排氣閥53及過濾器54的主配管52A、以及從主配管52A分支的多個分支配管52B。各分支配管52B分別具有一個排出口50a（亦參照圖2）。過濾器54用於對從空間S中排出的氣體進行過濾。
混合氣體閥43、臭氧氣體閥46、儲罐41A、排氣閥53及過濾器54是配置於與乾式腔室4鄰接的流體箱17內。
圖5為用以說明基板處理裝置1的主要部分的電路構成的區塊圖。控制器3具備微電腦，按照既定的程式來控制基板處理裝置1所具備的控制對象。更具體而言，控制器3含有處理器（中央處理單元（Central Processing Unit，CPU））3A、及儲存有程式的記憶體3B，且以藉由處理器3A執行程式而實行用於基板處理的各種控制的方式構成。尤其控制器3控制分度機械手IR、主搬送機械手CR、搬運梭SH、升降單元26、升降單元29、通電單元31、通電單元61、閥類43、46、53以及濕式處理單元2W等的動作。
圖6為表示藉由基板處理裝置1所實行的基板W的處理的一例的步驟圖，主要表示藉由控制器3執行程式而實現的處理。圖7為表示實行圖6所示的基板W的處理的一例之前與實行處理之後的基板W的剖面的示意圖。
如圖7的左側所示，利用基板處理裝置1進行處理的基板W為進行蝕刻處理步驟後的基板，所述蝕刻處理步驟對經抗蝕劑的圖案PR覆蓋的薄膜進行蝕刻，形成薄膜的圖案PF。即，將收容有此種基板W的載體C置於負載埠LP上。如以下將說明般，於利用基板處理裝置1的基板處理中，將位於薄膜的圖案PF上的抗蝕劑的圖案PR去除（抗蝕劑去除步驟）。圖7的右側表示進行抗蝕劑去除步驟後的基板W的剖面。
在利用基板處理裝置1對基板W進行處理時，分度機械手IR、搬運梭SH及主搬送機械手CR將置於負載埠LP上的載體C內的基板W搬送至乾式處理單元2D（圖6的步驟S1）。在乾式處理單元2D中，進行利用混合氣體對基板W進行處理的乾式處理步驟（圖6的步驟S2）。然後，主搬送機械手CR將乾式處理單元2D內的基板W搬入至濕式處理單元2W中（圖6的步驟S3）。
在濕式處理單元2W中，進行一面使基板W旋轉一面對基板W的上表面供給處理液的濕式處理步驟（圖6的步驟S4）。具體而言，進行一面使基板W旋轉，一面使化學藥液噴嘴12向基板W的上表面噴出化學藥液的化學藥液供給步驟。然後，進行一面使基板W旋轉，一面使淋洗液噴嘴13向基板W的上表面噴出淋洗液的淋洗液供給步驟。其後，進行藉由使基板W高速旋轉而使基板W乾燥的乾燥步驟。繼而，分度機械手IR、搬運梭SH及主搬送機械手CR將濕式處理單元2W內的基板W搬送至置於負載埠LP上的載體C上（圖6的步驟S5）。
圖8為表示乾式處理步驟（圖6的步驟S2）的一例的流程圖。圖9A～圖9D為用以說明乾式處理步驟（圖6的步驟S2）的示意圖。
如圖9A所示，於將基板W搬入至乾式處理單元2D中時，罩升降單元29使罩位於上位置，提升升降單元26使多個提升銷24位於上位置。於該狀態下，主搬送機械手CR一面以手部H支持基板W，一面使手部H進入乾式腔室4內。然後，將已使作為元件形成面的表面朝上的基板W置於多個提升銷24上。主搬送機械手CR將手部H上的基板W交給乾式處理單元2D後，使手部H移動至乾式腔室4之外。其後，關閉乾式腔室4的搬入搬出口。如此，向乾式腔室4內的基板W的搬入完成（步驟T1）。基板W可藉由主搬送機械手CR的手部H而置於多個提升銷24上，亦可藉由室內搬送機構6（參照圖1）而置於多個提升銷24上。
如圖9B所示，罩升降單元29使罩30移動至下位置（步驟T2）。藉此，於罩30與支持構件23之間形成收容基板W的空間S（空間形成步驟）。罩30及支持構件23具有作為收容基板W的空間形成單元的功能。然後，提升升降單元26使多個提升銷24移動至下位置。於多個提升銷24移動至下位置的過程中，基板W由支持構件23承接，自多個提升銷24交付至支持構件23。藉此，基板W經支持構件23支持（支持步驟）。
從基板W經支持構件23支持之前開始，加熱器通電單元31對加熱器22進行通電。因此，支持構件23是從基板W經支持構件23支持之前開始由加熱器22加熱。支持構件23維持於較室溫高的溫度（例如100℃以上）。若基板W經支持構件23支持，則開始加熱基板W（步驟T3）。
接著，如圖9C所示，打開臭氧氣體閥46，將臭氧氣體送入儲罐41A內的水中。詳細而言，藉由起泡而使臭氧氣體的氣泡於儲罐41A內的水中通過。藉此，於氣泡內產生水蒸氣，該水蒸氣與臭氧氣體混合而形成混合氣體（混合氣體形成步驟）。繼而，打開混合氣體閥43，經由儲罐41A及混合氣體供給管42，自多個混合氣體噴嘴40的噴出口40a噴出混合氣體（步驟T4）。即，實行混合氣體噴出步驟。藉此，對空間S內供給混合氣體。
繼而，打開排氣閥53（步驟T5）。藉此，利用混合氣體將空間S內的空氣擠出至空間S的外部。藉由繼續向空間S供給混合氣體，而於空間S內充滿混合氣體。藉由在空間S內充滿混合氣體，而對基板W的上表面附近亦充分供給混合氣體（混合氣體供給步驟）。
另外，於對基板W的上表面附近供給混合氣體的期間中，亦藉由加熱器22將基板W加熱（第一加熱步驟）。即，第一加熱步驟是與混合氣體供給步驟同時進行。加熱器22具有作為加熱基板W的第一加熱單元的功能。
繼而，如圖9D所示，於將混合氣體供給於基板W的上表面附近的狀態下，對紫外線燈60進行通電，藉此自紫外線燈60照射紫外線（步驟T6）。藉此，對基板W的上表面附近的混合氣體照射紫外線（紫外線照射步驟）。
於開始對基板W的上表面附近的混合氣體照射紫外線之前（紫外線照射步驟之前），已形成有空間S。另外，於對基板W的上表面附近的混合氣體照射紫外線的期間中，亦將排氣閥53維持於打開狀態。因此，對空間S進行排氣的排氣步驟是在紫外線照射步驟的實行中進行。
另外，於對基板W的上表面附近的混合氣體照射紫外線的期間中，亦藉由加熱器22將基板W加熱（第二加熱步驟）。即，第二加熱步驟是與紫外線照射步驟同時進行。加熱器22具有作為加熱基板W的第二加熱單元的功能。本實施形態中，藉由加熱器22加熱基板W，而同時實行第一加熱步驟與第二加熱步驟。
下文中將詳細描述，藉由對基板W的上表面附近的混合氣體照射紫外線，而將形成於基板W的上表面的抗蝕劑氧化並加以分解。結果，將抗蝕劑的圖案PR自基板W的上表面去除。
繼而，進行既定時間的紫外線照射之後，自基板W的上表面停止燈通電單元61對紫外線燈60的通電（步驟T7）。然後，關閉混合氣體閥43，停止向空間S供給混合氣體（步驟T8）。繼而，關閉排氣閥53，停止空間S的排氣（步驟T9）。其後，藉由多個提升銷24將支持構件23上的基板W提起（步驟T10），罩升降單元29使罩30上升至上位置（步驟T11）。
於基板W經冷卻單元7（參照圖1）冷卻之後，主搬送機械手CR以手部H承接基板W。其後，主搬送機械手CR將手部H上的基板W搬入至濕式處理單元2W中。
根據本實施形態，對藉由支持構件23水平地支持的基板W的上表面附近，供給使水蒸氣與臭氧氣體混合而成的混合氣體。而且，藉由自紫外線照射單元16對混合氣體照射紫外線而產生羥基自由基（·OH）。詳細而言，首先藉由紫外線的照射，如下述化1式般將水蒸氣（H2 O）分解，產生羥基自由基（·OH）及氫自由基（·H）。 [化1]
繼而，如下述化2式般，氫自由基（·H）與臭氧（O3 ）反應而產生羥基自由基（·OH）及氧（O2 ）。 [化2]
因此，可藉由水蒸氣（H2 O）的分解、及氫自由基（·H）與臭氧（O3 ）的反應而產生充分量的羥基自由基（·OH）。
進而，由於對基板W的上表面供給水蒸氣（氣體水），故可抑制水滴（液態水）附著於基板W的上表面。因此，可不受液態水吸收紫外線的妨礙而於基板W的上表面附近使臭氧分解。
藉由如此般產生的羥基自由基及臭氧將構成抗蝕劑的酚樹脂氧化。藉此，將酚樹脂分解成乙酸或草酸等低級羧酸。繼而，藉由羥基自由基及臭氧將該些低級羧酸進一步氧化，分解成二氧化碳與水。如此般藉由羥基自由基及臭氧將抗蝕劑分解。
如以上般，藉由充分量的羥基自由基將形成於基板W的上表面的抗蝕劑分解，故而可將抗蝕劑自基板W的表面良好地去除。
再者，羥基自由基的壽命為1.0×10-6 sec，而根據本實施形態的構成（方法），可於基板W的上表面附近產生羥基自由基。因此，可於羥基自由基消失之前使分解抗蝕劑的羥基自由基的量增大。
換言之，本實施形態中，紫外線照射步驟包括以下步驟：藉由紫外線的照射而於基板W的上表面附近產生羥基自由基的步驟；以及藉由羥基自由基將抗蝕劑分解的步驟。因此，可利用藉由自紫外線照射單元16照射紫外線而產生的羥基自由基將抗蝕劑確實地分解。
此處，對抗蝕劑的分解機制進行說明。構成形成於基板W的表面的抗蝕劑的分子內，含有碳彼此的雙鍵（C=C），藉由氧化將該雙鍵切斷，由此將抗蝕劑分解。
圖10為用以將氧化劑的氧化電位與共價鍵的鍵能進行比較的圖表。圖10所示的圖表的右半部分中，示出將有機化合物所含的代表性共價鍵切斷所需要的鍵能。圖10所示的圖表的左半部分中，作為代表性氧化劑的氧化能力的指標而示出氧化電位。於氧化劑的氧化電位高於共價鍵的鍵能的情形時，藉由氧化將共價鍵切斷。如圖10所示，碳彼此的雙鍵（C=C）的鍵能為1.5 V。另一方面，臭氧（O3 ）的氧化電位為2.07 V，羥基自由基（·OH）的氧化電位為2.81 V。因此，臭氧（O3 ）及羥基自由基（·OH）均將碳彼此的雙鍵（C＝C）氧化。由於羥基自由基（·OH）的氧化電位高於臭氧（O3 ）的氧化電位，故而藉由更多地產生羥基自由基，可將碳彼此的雙鍵（C＝C）有效率地氧化。即，可將抗蝕劑有效率地分解。
另外，根據本實施形態，實行加熱基板W的第一加熱步驟與混合氣體供給步驟同時並行。因此，藉由加熱器22將基板W的上表面附近的混合氣體加熱。因此，可抑制水蒸氣於基板W的上表面附近液化。
另外，根據本實施形態，實行加熱基板W的第二加熱步驟與紫外線照射步驟同時並行。因此，藉由加熱器22將基板W的上表面附近所產生的抗蝕劑的分解物加熱。藉此，可使抗蝕劑的分解物昇華而成為氣體狀態。因此，可抑制抗蝕劑的分解物於基板W的上表面固化。故而可將形成於基板W的表面的抗蝕劑良好地去除。藉由實行加熱基板W的第二加熱步驟與紫外線照射步驟同時並行，於紫外線照射步驟中亦可抑制水蒸氣於基板W的上表面附近液化。
另外，根據本實施形態，於混合氣體供給步驟中，自噴出口40a向基板W的上表面噴出混合氣體（混合氣體噴出步驟）。藉此，混合氣體是自噴出口40a向基板W的上表面噴出。因此，與從各別的噴出口向基板W的上表面噴出水蒸氣與臭氧氣體的構成相比較，可於基板W的整個上表面，確保基板W的上表面附近的水蒸氣與臭氧氣體的比例（比率）均等。
另外，根據本實施形態，於紫外線照射步驟開始之前形成空間S（空間形成步驟），且於紫外線照射步驟的實行中對空間S內進行排氣（排氣步驟）。
藉此，於對基板W的上表面附近的混合氣體照射紫外線之前，將基板W收容於與外部阻斷的空間S內。因此，可於使空間S內（基板W的上表面附近的空間中）充滿混合氣體的狀態下照射紫外線。因此，可產生充分量的羥基自由基。另一方面，於紫外線的照射中，對空間S進行排氣。藉此，可於抗蝕劑的分解物於基板W的上表面固化之前，將抗蝕劑的分解物排出至空間S的外部。
另外，根據本實施形態，自臭氧氣體供給單元41B對儲罐41A中蓄積的液態水供給臭氧氣體，藉此形成混合氣體（混合氣體形成步驟）。因此，於準備混合氣體時，無需與臭氧氣體相區別而另準備水蒸氣後將臭氧氣體與水蒸氣混合。即，和與臭氧氣體相區別而另準備水蒸氣的情形相比較，可簡單地準備混合氣體。
圖11為本實施形態的第一變形例的氣體處理單元8的示意圖。第一變形例的氣體處理單元8中，對各混合氣體噴嘴40分別連結一根混合氣體供給管42。混合氣體供給管42包含：合流配管42C，連結於混合氣體噴嘴40；水蒸氣配管42D，將自水蒸氣供給源供給的水蒸氣供給於合流配管42C；以及臭氧氣體配管42E，將自臭氧氣體供給源供給的臭氧氣體供給於合流配管42C。水蒸氣配管42D內的水蒸氣與臭氧氣體配管42E內的臭氧氣體於合流配管42C內混合。自混合氣體噴嘴40供給在合流配管42C內經混合的混合氣體。而且，於水蒸氣配管42D中插入有對其流路進行開閉的水蒸氣閥43D。於臭氧氣體配管42E中插入有對其流路進行開閉的臭氧氣體閥43E。
第一變形例的基板處理裝置1亦可實行與本實施形態的基板處理裝置1相同的基板處理。另外，第一變形例亦發揮與本實施形態相同的效果。另外，第一變形例中，藉由調整水蒸氣閥43D及臭氧氣體閥43E的開度，可調整混合氣體中的水蒸氣與臭氧氣體的成分比率（比例）。例如，若混合氣體中所含的水蒸氣過多，則水滴容易附著於基板W的上表面。另一方面，若混合氣體中所含的水蒸氣過少，則未充分產生羥基自由基。藉由調整混合氣體中的水蒸氣的比例，可充分產生羥基自由基並且抑制水滴對基板W的上表面的附著。
圖12為本實施形態的第二變形例的氣體處理單元8的示意圖。第二變形例的氣體處理單元8是以從各別的噴出口80a、81a噴出水蒸氣與臭氧氣體的方式構成。混合氣體供給單元14含有噴出水蒸氣的水蒸氣噴嘴80及噴出臭氧氣體的臭氧氣體噴嘴81來代替混合氣體噴嘴40。水蒸氣噴嘴80具有噴出口80a。臭氧氣體噴嘴81具有噴出口81a。混合氣體供給單元14含有：水蒸氣供給管82，將來自水蒸氣供給源的水蒸氣供給於水蒸氣噴嘴80；水蒸氣閥83，插入到水蒸氣供給管82中，且對其流路進行開閉；臭氧氣體供給管84，將來自臭氧氣體供給源的臭氧氣體供給於臭氧氣體噴嘴81；以及臭氧氣體閥85，插入至臭氧氣體供給管84中，且對其流路進行開閉。將自水蒸氣噴嘴80噴出的水蒸氣與自臭氧氣體噴嘴81噴出的臭氧氣體於空間S內混合，藉此形成混合氣體。藉由在空間S內形成混合氣體，而對基板W的上表面附近供給混合氣體。
第二變形例的基板處理裝置1亦實行與本實施形態的基板處理裝置1相同的基板處理。另外，第二變形例亦發揮與本實施形態相同的效果。
本發明不限定於以上所說明的實施形態，可進而以其他形態實施。
例如，所述實施形態中，同時實行混合氣體供給步驟與紫外線照射步驟。然而，亦可與所述實施形態不同，停止供給混合氣體之後開始照射紫外線。即，圖8中，亦可於開始照射紫外線（步驟T6）之前停止供給混合氣體（步驟T8）。
於此種情形時，於第一加熱步驟結束後開始第二加熱步驟。因此，可於在混合氣體供給步驟中加熱基板W的第一加熱步驟、與在紫外線照射步驟中加熱基板W的第二加熱步驟中，變更加熱器22的溫度。例如，於抗蝕劑的分解物的昇華溫度、與不使水滴附著於基板W的表面所需要的溫度不同的情形時，可分別對應地變更第一加熱步驟中的基板W的溫度與第二加熱步驟中的基板W的溫度。另外，於第一加熱步驟結束後開始第二加熱步驟的情形時，亦可設置於第一加熱步驟中加熱基板W的第一加熱器及於第二加熱步驟中加熱基板W的第二加熱器來代替加熱器22。
另外，所述實施形態中，在開始供給混合氣體之前使罩30下降而形成空間S。然而，亦可與所述實施形態不同，開始供給混合氣體之後形成空間S。即，圖8中，亦可於罩下降（步驟T2）之前開始供給混合氣體（步驟T4）。
另外，亦可與所述實施形態不同，排氣單元15含有連結於排氣管52且經由排出口50a對空間S進行排氣的真空泵等排氣泵（未圖示）。
另外，亦可與所述實施形態不同，如圖13所示，紫外線燈60含有直線狀地延伸的棒狀燈60C來代替中心燈60A及外周燈60B（參照圖3）。紫外線燈60不限定於該些形態，為了遍及基板W的整個表面產生羥基自由基，較佳為以與整個基板W相向的方式設置。
另外，亦可如圖3中以二點鏈線所示，將混合氣體噴嘴40的多個外周噴嘴40B排列配置於與通過基板W的中心部的鉛垂線A2正交的徑向上。另外，於徑向上排列配置的多個外周噴嘴40B的列亦可繞鉛垂線A2而等間隔地配置。
對本發明的實施形態詳細進行了說明，但該些說明僅為用於闡明本發明的技術內容的具體例，本發明不應限定於該些具體例而解釋，本發明的範圍是僅由隨附的申請專利範圍限定。
本申請案與2017年3月24日向日本專利廳提出申請的日本專利申請案2017-060073號對應，將該申請案揭示的所有內容以引用的方式併入至本文中。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
2D‧‧‧乾式處理單元
2W‧‧‧濕式處理單元
3‧‧‧控制器
3A‧‧‧處理器
3B‧‧‧記憶體
4‧‧‧乾式腔室
5、10‧‧‧擋閘
6‧‧‧室內搬送機構
7‧‧‧冷卻單元
8‧‧‧氣體處理單元
9‧‧‧濕式腔室
11‧‧‧自旋夾盤
12‧‧‧化學藥液噴嘴
13‧‧‧淋洗液噴嘴
14‧‧‧混合氣體供給單元
15‧‧‧排氣單元
16‧‧‧紫外線照射單元
17‧‧‧流體箱
22‧‧‧加熱器
23‧‧‧支持構件
23a‧‧‧突出部
23b‧‧‧底座部
23c‧‧‧凸緣部
24‧‧‧提升銷
25‧‧‧波紋管
26‧‧‧提升升降單元
27‧‧‧底環
28‧‧‧O型環
29‧‧‧罩升降單元
30‧‧‧罩
31‧‧‧加熱器通電單元
40‧‧‧混合氣體噴嘴
40A‧‧‧中心噴嘴
40B‧‧‧外周噴嘴
40a、44a‧‧‧噴出口
41‧‧‧混合氣體供給源
41A‧‧‧儲罐
41B‧‧‧臭氧氣體供給單元
42‧‧‧混合氣體供給管
42A、52A‧‧‧主配管
42B、52B‧‧‧分支配管
42C‧‧‧合流配管
42D‧‧‧水蒸氣配管
42E‧‧‧臭氧氣體配管
42a‧‧‧吸氣口
43‧‧‧混合氣體閥
43D、83‧‧‧水蒸氣閥
43E、46、85‧‧‧臭氧氣體閥
44、81‧‧‧臭氧氣體噴嘴
45‧‧‧臭氧供給管
50a‧‧‧排出口
52‧‧‧排氣管
53‧‧‧排氣閥
54‧‧‧過濾器
60‧‧‧紫外線燈
60A‧‧‧中心燈
60B‧‧‧外周燈
60C‧‧‧棒狀燈
61‧‧‧燈通電單元
80‧‧‧水蒸氣噴嘴
80a、81a‧‧‧噴出口
82‧‧‧水蒸氣供給管
84‧‧‧臭氧氣體供給管
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧鉛垂線
C‧‧‧載體
CR‧‧‧主搬送機械手
H‧‧‧手部
IR‧‧‧分度機械手
LP‧‧‧負載埠
PF、PR‧‧‧圖案
S‧‧‧空間
SH‧‧‧搬運梭
S1～S5、T1～T12‧‧‧步驟
W‧‧‧基板
圖1為用以說明本發明的第一實施形態的基板處理裝置的內部佈局的示意性平面圖。 圖2為所述基板處理裝置所具備的氣體處理單元的示意圖。 圖3為沿著圖2的III-III線的剖面的示意圖。 圖4為用以說明所述氣體處理單元所具備的混合氣體供給單元及排出單元的構成的示意圖。 圖5為用以說明所述基板處理裝置的主要部分的電路構成的區塊圖。 圖6為用以說明利用所述基板處理裝置的基板處理的一例的流程圖。 圖7為表示實行圖6所示的基板處理前後的基板剖面狀態的示意圖。 圖8為表示圖6所示的乾式處理步驟（圖6的步驟S2）的一例的流程圖。 圖9A為用以說明所述乾式處理步驟的示意圖。 圖9B為用以說明所述乾式處理步驟的示意圖。 圖9C為用以說明所述乾式處理步驟的示意圖。 圖9D為用以說明所述乾式處理步驟的示意圖。 圖10為用以將氧化劑的氧化電位與共價鍵的鍵能進行比較的圖表。 圖11為本實施形態的第一變形例的氣體處理單元的示意圖。 圖12為本實施形態的第二變形例的氣體處理單元的示意圖。 圖13為從下方觀看本實施形態的第三變形例的氣體處理單元的罩的示意圖。

Claims (13)

  1. 一種基板處理方法，用於自基板的表面去除抗蝕劑，並且所述基板處理方法包括： 支持步驟，使支持構件水平地支持所述基板； 混合氣體供給步驟，將水蒸氣與臭氧氣體的混合氣體供給於所述基板的表面附近；以及 紫外線照射步驟，對供給於所述基板的表面附近的所述混合氣體照射紫外線。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板處理方法，其中所述紫外線照射步驟包括以下步驟：藉由紫外線的照射而於所述基板的表面附近產生羥基自由基的步驟；以及藉由所述羥基自由基將所述抗蝕劑分解的步驟。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理方法，更包括第一加熱步驟，所述第一加熱步驟加熱所述基板且與所述混合氣體供給步驟同時實行。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理方法，更包括第二加熱步驟，所述第二加熱步驟加熱所述基板且與所述紫外線照射步驟同時實行。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理方法，其中所述混合氣體供給步驟包括混合氣體噴出步驟，所述混合氣體噴出步驟自噴出口向所述基板的表面噴出所述混合氣體。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理方法，更包括：空間形成步驟，至少於所述紫外線照射步驟開始之前，形成收容所述基板且與外部阻斷的空間；以及 排氣步驟，於所述紫外線照射步驟的實行中，對所述空間內進行排氣。
  7. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板處理方法，更包括混合氣體形成步驟，所述混合氣體形成步驟對儲罐中蓄積的液態水供給所述臭氧氣體，藉此形成所述混合氣體。
  8. 一種基板處理裝置，用於自基板的表面去除抗蝕劑，且所述基板處理裝置包括： 支持構件，水平地支持所述基板； 混合氣體供給單元，向所述基板的表面供給混合氣體； 紫外線照射單元，向所述基板的表面照射紫外線； 控制器，以實行混合氣體供給步驟及紫外線照射步驟的方式編程，所述混合氣體供給步驟自所述混合氣體供給單元對所述基板的表面附近供給所述混合氣體，所述紫外線照射步驟於將所述混合氣體供給於所述基板的表面附近的狀態下，使所述紫外線照射單元照射紫外線。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的基板處理裝置，其中所述控制器是以於所述紫外線照射步驟中實行以下步驟的方式編程：藉由紫外線的照射而於所述基板的表面附近產生羥基自由基的步驟；以及藉由所述羥基自由基將抗蝕劑分解的步驟。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項所述的基板處理裝置，更包括加熱所述基板的第一基板加熱單元，且 所述控制器是以實行第一加熱步驟的方式編程，所述第一加熱步驟於所述混合氣體供給步驟的同時，使所述第一基板加熱單元加熱所述基板。
  11. 如申請專利範圍第8項或第9項所述的基板處理裝置，更包括加熱所述基板的第二基板加熱單元，且 所述控制器是以實行第二加熱步驟的方式編程，所述第二加熱步驟於所述紫外線照射步驟的同時，使所述第二基板加熱單元加熱所述基板。
  12. 如申請專利範圍第8項或第9項所述的基板處理裝置，更包括：形成收容所述基板且與外部阻斷的空間的空間形成單元、以及對所述空間進行排氣的排氣單元，且 所述控制器是以進一步實行以下步驟的方式編程：空間形成步驟，至少於所述紫外線照射步驟開始之前，控制所述空間形成單元而形成空間；以及排氣步驟，於所述紫外線照射步驟的實行中，控制所述排氣單元而對所述空間進行排氣。
  13. 如申請專利範圍第8項或第9項所述的基板處理裝置，更包括： 儲罐，蓄積液態水；以及 臭氧氣體供給單元，對所述儲罐中蓄積的所述液態水供給臭氧氣體；且 所述控制器是以實行混合氣體形成步驟的方式編程，所述混合氣體形成步驟自所述臭氧氣體供給單元對所述儲罐中蓄積的所述液態水供給所述臭氧氣體，藉此形成所述混合氣體。
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